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Die
vorliegende Erfindung betrifft den Bereich der elektrischen Schaltungen
und spezieller betrifft sie Schichtstrukturen für Schaltungen wie beispielsweise
Mehrschichtleiterplatten, Bauteile und Verfahren, die bei der Herstellung
derartiger Strukturen verwendet werden, sowie Verfahren zu deren
Herstellung.
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STAND DER TECHNIK
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Elektrische
Bauteile werden üblicherweise
auf Schaltungsfeldstrukturen (bzw. Circuitpanelstrukturen) wie beispielsweise
Leiterplatten bzw. Platinen montiert. Schaltungsfelder beinhalten üblicherweise
eine im allgemeinen flache Schicht aus dielektrischem Material mit
elektrischen Leitern, die auf einer flachen Hauptoberfläche der
Schicht oder auf beiden Hauptoberflächen angeordnet sind. Die Leiter
werden üblicherweise
aus metallischen Materialien wie beispielsweise Kupfer gebildet
und dienen der Verbindung der auf der Platte montierten Bauteile.
Dort, wo die Leiter auf beiden Hauptoberflächen der Platte angeordnet
sind, kann die Platte Kontaktlöcher
haben, welche durch die dielektrische Schicht verlaufen, um die
Leiter an gegenüberliegenden Oberflächen miteinander
zu verbinden. Mehrschichtschaltungsfeldanordnungen wurden bisher
hergestellt, die mehrere, gestapelte bzw. geschichtete Schaltungsfelder
mit zusätzlichen
Schichten aus dielektrischen Materialien enthalten, welche die Leiter
an aufeinanderzuweisenden Oberflächen
angrenzender Felder in dem Stapel trennen. Diese Mehrschichtanordnungen
enthalten üblicherweise
Zwischenverbindungen, die zwischen den Leitern auf den verschiedenen
Schaltungsfeldern in dem Stapel je nach Erfordernis verlaufen, um
die erforderlichen elektrischen Zwischenverbindungen zu liefern.
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Elektrische
Bauteile, die an Schaltungsfeldstrukturen montiert werden können, beinhalten
sog. "diskrete" Bauteile bzw. Komponenten
und integrierte Schaltkreise, welche mehrere Transistoren auf einem
Einzelchip beinhalten. Chips dieser Art können an üblicherweise als "Chipträger" bezeichneten Teilen
montiert werden, die spezielle Schaltungsfeldstrukturen sind. Ein
Chipträger
kann in einer Packung beinhaltet sein, die an einer größeren Leiterplatte
montiert ist und mit den verbleibenden Bauteilen der Schaltung verbunden
sein. Alternativ kann der Chip direkt an dem gleichen Schaltungsfeld
montiert werden, das andere Bauteile des Systems trägt. Diese
Anordnung wird im allgemeinen als "Hybridschaltung" bezeichnet. Relativ große Schaltungsfelder
werden üblicherweise
aus polymeren Werkstoffen hergestellt, typischerweise mit einer
Verstärkung
wie beispielsweise Glas, wohingegen sehr kleine Schaltungsfelder)
wie beispielsweise diejenigen, die als Halbleiterchipträger verwendet
werden, aus Keramik, Silicium oder ähnlichem gebildet werden.
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Es
entstanden zunehmend Notwendigkeiten für Schaltungsfeldstrukturen,
die hochdichte, komplexe Zwischenverbindungen liefern. Diesen Notwendigkeiten
werden Mehrschichtschaltungsfeldstrukturen gerecht. Die Verfahren,
die im allgemeinen verwendet werden zur Herstellung von Mehrschichtschaltungsfeldstrukturen haben
gewisse ernsthafte Nachteile. Mehrschichtschaltungsfelder werden üblicherweise
hergestellt durch Vorsehen von individuellen, doppelseitigen Schaltungsfeldern
mit darauf befindlichen, geeigneten Leitern. Die Schaltungsfelder
werden dann eine auf die andere laminiert, mit einer oder mehreren
Schichten aus ungehärtetem
oder teilweise gehärtetem
dielektrischem Material, das üblicherweise
als "Prepregs" bezeichnet wird, das
zwischen jedem Paar angrenzender Schaltungsfelder angeordnet ist.
Ein derartiger Stapel wird üblicherweise
unter Wärme
und Druck gehärtet,
um eine unitäre
Masse zu bilden. Nach dem Härten
werden Löcher durch
den Stapel an Stellen gebohrt, wo elektrische Verbindungen zwischen
unterschiedlichen Platten wünschenswert
sind. Die resultierenden Löcher
werden dann mit elektrisch leitenden Materialien beschichtet oder gefüllt, typischerweise
durch Plattieren der Innenseiten der Löcher zwecks Aus bildung eines
sog. plattierten Durchgangslochs. Es ist schwierig, Löcher mit
einem hohen Wert für
das Verhältnis
von Tiefe zu Durchmesser zu bohren. Dadurch müssen die in Anordnungen verwendeten
Löcher,
die gemäß diesen
Verfahren im Stand der Technik hergestellt werden, relativ groß sein und
erfordern folglich einen sehr großen Raum in der Anordnung.
Diese Löcher
erstrecken sich üblicherweise
von der Oberseite oder dem Boden des Stapels. Selbst wenn Zwischenverbindungen
in den obersten oder untersten Schichten nicht erforderlich sind,
muß ein
Raum für
Löcher
vorgesehen sein, um durch diese Schichten hindurchzuführen, um
erforderliche Zwischenverbindungen in den mittleren Schichten vorsehen
zu können.
Demgemäß muß ein wesentlicher
Teil des verfügbaren Oberflächenbereichs
auf den Schaltungsfeldern den Löchern
zugeordnet werden und den Toleranzzonen um die Löcher. Überdies neigen die elektrischen
Zwischenverbindungen, die ausgebildet werden durch Abscheiden leitender
Materialien in derartigen gebohrten Löchern dazu, schwach zu sein.
Das Bohrverfahren und die allgemeine Natur der darin verwendeten
Laminate wird beispielsweise beschrieben in Doherty, Jr.'s U.S. Patent 3,793,469
und Guarracini's
U.S. Patent 3,316,618.
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Verschiedenste
Alternative Ansätze
wurden vorgeschlagen. Parks et al.'s U.S. Patent 3,541,222, Crepeau's U.S. Patent 4,249,032,
Luttmer's U.S. Patent
3,795,037; Davies et al.'s
U.S. Patent 3,862,790, Fox's U.S.
Patent 4,954,878 und Zifcak's
U.S. Patent 4,793,814 beziehen sich alle im allgemeinen auf Strukturen, die
metallische oder andere leitende Elemente haben, die bei relativ
nahe beabstandeten Stellen auf einer dielektrischen Schicht angeordnet
sind, wobei die leitenden Elemente durch die dielektrische Schicht
in beide Richtungen vorstehen. Eine derartige Schicht kann zwischen
einem Paar Leiterplatten sandwichartig liegen und die Leiterplatten
können
eingeklemmt oder auf andere Weise zusammengehalten sein, um einen
mechanischen Eingriff zwischen den leitenden Elementen auf den angrenzenden
Flächen
der Leiterplatten und den leitenden Elementen der Kompositschicht
vorzusehen. Bei jeder dieser Anordnungen sind die leitenden Elemente,
die Komposit schicht oder beide elastisch oder dehnbar, um einen
engen Eingriff zwischen den leitenden Elementen der Kompositschicht
und den Leitern an den Leiterplatten zu liefern.
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Beck's, U.S. Patent 3,616,532
und Dube et al.'s
U.S. Patent 3,509,270 beschreiben Varianten dieses Ansatzes, bei
denen elastische Elemente mit einem verschmelzbaren Lötmittel
Verwendung finden. Diese Elemente werden an isolierenden Platten
montiert, die dann zwischen Leiterplatten gesteckt werden. Die Anordnung
wird erwärmt,
um das Lötmittel
zu schmelzen, wodurch die elastischen Elemente befreit werden, so
daß die
elastischen Elemente und das Lötmittel
zusammenwirkend eine Zwischenverbindung zwischen den angrenzenden
Leiterplatten bilden.
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Evans
et al.'s U.S.Patent
4,655,519 beschreibt eine Anschlußeinheit bzw. einen Konnektor
mit vielen streifenartigen Kontaktfedern, die in Löchern in
einem flachen, dielektrischen Körper,
zusammen mit anderen Federelementen angeordnet sind. Die Enden der
Streifen ragen von gegenüberliegenden
Oberflächen
des Körpers
hervor. Diese sind so ausgelegt, daß sie komprimieren, wenn elektronische
Elemente in Eingriff gelangen mit den Körperoberflächen, so daß die Enden der Streifen Pads
auf den elektronischen Elementen erfassen. Walkup's U.S. Patent 5,167,512
offenbart ein weiteres System unter Verwendung von Federn, die in Löchern in
einem dielektrischen Körper
angeordnet sind.
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Grabbe's U.S. Patent 5,228,861
beschreibt eine Anschlußeinheit
mit einem schichtartigen dielektrischen Körper mit mehreren im allgemeinen
X-förmigen
Federkontaktelementen, von denen jedes vier Arme hat und die auf
einer ersten Seite der Schicht liegen. Zwei Arme jedes X-förmigen Elements
sind nach innen in Richtung der Schicht gebogen und verlaufen durch
Löcher
in der Schicht, so daß die
Spitzen dieser Arme über
die zweite, gegenüberliegende
Fläche
der Schicht hervorragen. Die anderen beiden Arme sind von der Schicht
weggebogen und ragen folglich von der ersten Oberfläche hervor.
Wenn die An schlußeinheit
zwischen Schaltungsfeldern angeordnet ist, wird jedes X-förmige Element
zwischen zusammenpassenden Pads der Schaltungsfelder komprimiert,
was bewirkt, daß die
gebogenen Arme sich abflachen und bewirken, daß die Spitzen der Arm die Oberflächen der
Pads schleifen. Nach dem Eingriff wird der Kontakt durch die Elastizität der Arme
aufrechterhalten.
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Bernarr
et al.'s U.S. Patent
4,548,451 beschreibt eine Anschlußeinheit oder ein Zwischenelement
mit einem schichtartigen elastomeren Körper mit eindrückbaren
Vorsprüngen,
die von entgegengesetzt gerichteten Oberflächen nach außen verlaufen.
Aus einem metallbeschichteten, elastischen Film gebildete Abgriffe bzw.
Ansätze
verlaufen an beiden Oberflächen
des Körpers
und überlagern
die Vorsprünge.
Die Abgriffe an gegenüberliegenden
Seiten sind über
Kontaktlöcher
miteinander verbunden. Wenn das Zwischenelement zwischen Schaltungsfeldern
erfaßt
ist, werden die Abgriffe und Stäbe
zwischen Kontaktpads auf gegenüberliegenden
Feldern gedrückt
und die Absätze
schleifen wohl die Pads zwecks effektiverem Kontakt. Durch die Elastizität der elastomeren
Schicht und die Stäbe
werden die Abgriffe mit den Pads in Eingriff gehalten; eine permanente
Verbindung bzw. ein permanenter Bond ist nicht ausgebildet.
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Patraw's U.S. Patente 4,716,049,
4,902,606 und 4,924,353 beschreiben mikroelektronische Verbindungsschemen
unter Verwendung deformierbarer Kontakte, die von einem Substrat
nach oben hervorstehen. Jeder Kontakt hat eine domartige Spitze
und mehrere Beine, die sich von der Spitze zu dem Substrat nach unten
erstrecken. Diese Kontakte werden durch selektive Abscheidung von
Aluminium auf einen Sockel eines flüchtigen Materials wie beispielsweise
Kaliumchlorid oder einen Photolack unter Verwendung einer gestalteten
Maske, ausgebildet. Die Sockel werden nach dem Abscheiden entfernt.
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Dery
et al.'s U.S. Patent
4,729,809 offenbart die Verwendung eines anisotropen leitenden Haftmaterials,
das zwischen gegenüberliegenden
Sublaminaten angeordnet ist, wobei die Haft mittelzusammensetzung ausreichende
Leitfähigkeit über den
relativ kleinen Räumen
zwischen Leitern an angrenzenden Schichten hat, um dazwischen eine
elektrische Zwischenverbindung auszubilden, jedoch eine geringe
Leitfähigkeit über den relativ
großen
Räumen
zwischen angrenzenden Leitern an derselben Oberfläche hat,
so daß es
keine unerwünschte
seitliche Zwischenverbindung entlang einer Oberfläche erzeugt.
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Berger
et al.'s U.S. Patent
4,788,766 verwendet Leiter tragende Schaltungslaminate mit hohlen, ösenartigen
Kontaktlochstrukturen, wobei jede derartige Kontaktlochstruktur
einen Rand hat, der vertikal von der umgebenden Struktur vorsteht.
Jede derartige Kontaktlochstruktur ist mit einer dünnen Schicht
eines leitenden Verbindungs- bzw. Bondmaterials versehen. Beim Herstellen
der Mehrschichtenstruktur werden dielektrische Bondfilme zwischen
dem schaltungstragenden Laminat angeordnet. Die dielektrischen Filme
haben Öffnungen
in Stellen, die den Stellen der Ösenstrukturen
in den angrenzenden schaltungstragenden Lamina entsprechen. Dadurch
können
die nach oben stehenden Ränder
der Ösenstrukturen
aufeinander lagern, wenn die Anordnung unter Hitze und Druck zusammengezwungen
wird. Die Schichten aus leitendem Bondmaterial an den Rändern der
angrenzenden Ösen
sollen Verbindungen zwischen den aneinanderlagernden Ösenstrukturen bilden.
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Andere
Strukturen zur Ausbildung mehrschichtiger elektronischer Anordnungen
werden in Dux et al.'s U.Patent
5,224,265, welche die Basis für
den Oberbegriff des Anspruchs 1 bildet, sowie Ehrenberg et al.'s U.S. Patent 5,232,548
gelehrt, die Sublaminate verwenden, die durch Abscheiden eines dielektrischen
Materials auf einer perforierten Metallschicht bzw. -folie hergestellt
werden, beispielsweise durch Dampfphasenpolymerisation oder elektrophoretisches
Bonden, um eine dielektrische Schicht mit Kontaktlöchern bzw.
Durchgängen zu
bilden. Die Kontaktlöcher
sind mit einem fließfähigen Verbindungsmaterial
wie beispielsweise einem metallastigen Polymer gefüllt. Diese
Strukturen werden gestapelt und erwärmt, um die Kontaktlöcher mit
unitären vertikalen
Leitern zu verbinden.
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Andere
mehrschichtige Anordnungssysteme unter Verwendung fließfähiger leitender
Materialien zur Verbindung von Strukturen in gestapelten Elementen
sind in Bindra et al.'s
U.S. Patent 5,129,142 offenbart. Noch weitere Verbesserungen sind
in dem U.S. Patent 5,282,312 von Thomas H. DiStefano et al. offenbart. Das '312 Patent offenbart
als technischer Hintergrund gewisse Laminattechniken oder Verfahren
zur Herstellung von Mehrschichtschaltungsanordnungen unter Verwendung
fließfähiger leitender
Materialien.
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Trotz
dieser und anderer Anstrengungen im Stand der Technik bestehen immer
noch Notwendigkeiten für
weitere Verbesserungen.
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ARTEN ZUR AUSFÜHRUNG DER
ERFINDUNG
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Die
vorliegende Erfindung widmet sich diesen Notwendigkeiten. Die vorliegende
Erfindung liefert ein Zwischenelement, wie es in Anspruch 1 beansprucht
ist und ein Verfahren zu dessen Herstellung, wie es in Anspruch
20 beansprucht ist.
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Ein
Aspekt der vorliegenden Erfindung liefert ein Zwischenelement zum
Herstellen von Verbindungen mit elektrischen Kontakten auf der Oberfläche eines
mikroelektronischen Bauelements wie beispielsweise eines Schaltungsfelds,
einem Halbleiterchip oder anderem Bauelement mit kontakttragender
Oberfläche.
Das Zwischenelement weist einen Körper auf, der eine erste Hauptoberfläche hat,
derart, daß der
Körper
horizontale Richtungen, parallel zu der ersten Hauptoberfläche und
vertikale Richtungen, senkrecht zu der ersten Hauptoberfläche, definiert.
Des weiteren hat das Zwischenelement mehrere Leiter in dem Körper, wie
beispielsweise Kontaktlochleiter, die in dem oder durch den Körper verlaufen.
Das Zwischenelement weist des weiteren Kontakte an der ersten Hauptoberfläche des
Körpers
auf, die elektrisch mit den Lei tern verbunden sind. Jeder Kontakt
verläuft über die
erste Oberfläche
des Körpers,
im allgemeinen radial von einer zentralen Achse nach außen, die
senkrecht zu der ersten Oberfläche
steht. Dadurch verläuft
jeder Kontakt in mehrere horizontale Richtungen, von der Achse weg
und von der Verbindungsstelle des Kontaktes mit dem Leiter weg. Jeder
Kontakt hat eine von der zentralen Achse entfernt liegende Periphere.
Die Kontakte sind derart ausgelegt, daß sie sich deformieren, so
daß die
Peripherie jedes Kontaktes sich im allgemeinen radial nach außen, von
der Achse weg, in Reaktion auf eine auf den Kontakt in Richtung
des Körpers
gerichtete Kraft, ausdehnt bzw. auf weitet. Im Gebrauch stehen die
Kontakte in Eingriff mit entsprechenden Verbindungspads eines Schaltungsfelds
oder eines anderen mikroelektronischen Bauteils, wenn das Element
an der ersten Oberfläche
des Zwischenelements angrenzt. Das Schaltungsfeld oder das andere
Element kann dann in Richtung des Körpers gezwungen werden, so
daß die
Pads vertikale Kräfte
auf die Kontakte ausüben.
Da sich jeder Kontakt in Reaktion auf die vertikale Kraft nach außen ausdehnt,
schleift er über
die Oberfläche
des dazu passenden Pads. Der Schleifvorgang entfernt Oxide und andere
Verunreinigungen von den passenden Oberflächen, um eine effektive elektrische
Verbindung mit geringem Widerstand zwischen den Pads und den Kontakten
zu schaffen, und bei bevorzugten Ausführungsbeispielen, das Verbinden
bzw. Bonden der Kontakte und Pads zu vereinfachen.
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Bevorzugt
sind die Kontakte derart angeordnet, daß sie sich deformieren, so
daß die
Peripherie jedes Kontaktes sich vertikal in Richtung des Körpers nach
unten bewegt, wenn sich die Peripherie radial nach außen bewegt.
In dem anfänglichen,
undeformierten Zustand, kann die Peripherie jedes Kontaktes vertikal
oberhalb der Oberfläche
des Körpers
beabstandet sein. Jeder Kontakt kann einen an der Achse angrenzenden, zentralen
Abschnitt aufweisen, der in Eingriff mit dem Körper sein kann, während sich
ein peripherer Abschnitt des Kontaktets radial von dem zentralen
Abschnitt nach außen
und vertikal nach oben erstrecken kann, von dem Körper weg.
Der zentrale Abschnitt jedes Kontaktes kann mit einem Leiter verbun den
sein, so daß sich der
Kontakt radial nach außen, über der
Oberfläche
des Körpers,
von dem Leiter aus, erstreckt. Jeder Kontakt kann im allgemeinen
die Form eines Rotationskörpers
um die vertikale, zentrale Achse haben. Dadurch kann der periphere
Abschnitt eine Schale in der Form einer nach oben und außen erweiternden
Umdrehung um die zentrale Achse sein. In diesem Fall ist der aufweitende
Vorgang des Kontaktes reminiszent für das Setzen einer Niet.
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Alternativ
kann die Peripherie jedes Kontaktes von der Kreisform abweichen.
Dadurch kann jeder Kontakt mehrere Abgriffe aufweisen, die im allgemeinen
radial von der zentralen Achse weg verlaufen, wobei jeder derartige
Abgriff eine Spitze hat, die von der Achse entfernt liegt und von
dem Leiter entfernt liegt. Bevorzugt sind die Abgriffe jedes Kontaktes
in einem im wesentlichen symmetrischen Muster um die zentrale und
um die Verbindungsstelle mit dem Leiter angeordnet, so daß die Abgriffe
im allgemeinen symmetrisch, in radialen Richtungen von der zentralen
Achse weg und von dem Leiter weg, verlaufen. Ein bevorzugtes symmetrisches Muster
weist vier Abgriffe auf, die unter gleichen Abstandsintervallen
um die zentrale Achse derart angeordnet sind, daß die Abgriffe ein vierblättriges
Muster definieren.
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Wenn
die Spitzen der Abgriffe in Eingriff stehen mit einem Pad auf einem
Schaltungsfeld oder einem anderen mikroelektronischen Bauelement
und in Richtung des Körpers
nach unten gezwungen werden, so biegt sich die Spitze jedes Abgriffs
nach unten und außen,
von der zentralen Achse weg. Daher entfalten sich die Abgriffe des
Kontaktes voneinander weg, um effektiv an der Oberfläche des
erfaßten
Pads zu schleifen bzw. zu wischen. Obgleich die vorliegende Erfindung
nicht auf irgendeine Theorie in Bezug auf den Betrieb eingeschränkt ist,
wird angenommen, daß diese
Auswärtsbewegung
der Abgriffspitzen zumindest zum Teil erzeugt wird durch das Biegen
jedes Abgriffs im allgemeinen um das radiale einwärts gerichtete
oder proximale Ende des Abgriffs und um die angrenzenden Bereiche
des Körpers
selbst. Die Körperoberfläche kann
Vertiefungen bzw.
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Einbuchtungen
haben zur Aufnahme der zentralen Abschnitte der Kontakte und kann
auch sich auswärts
erweiternde Wände
haben, welche die Vertiefungen umgeben. Jeder Abgriff kann gekrümmt sein
und kann mit der auswärts
sich erweiternden Wand übereinstimmen.
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Vorzugsweise
weisen die Kontakte Verbindungs- bzw. Bondmaterialien auf, die ausgelegt
sind, um das Verbinden bzw. Bonden der Kontakte mit einem damit
in Eingriff stehenden, passenden Pad zu vereinfachen. Das Bondmaterial
kann ausgewählt
sein aus einer Gruppe bestehend aus Lötmetallen, Hartlötlegierungen,
Diffusionverbindungslegierungen, eutektischen Verbindungslegierungen
und leitenden Materialien, die Polymere beinhalten. Die Kontakte
können
metallisch sein und sind integral mit den dazugehörigen Leitern ausgebildet.
Der Zwischenelementkörper
ist vorzugsweise eine lamellare Struktur, wie beispielsweise eine schicht-
bzw. bogenartige oder plattenartige Struktur und definiert eine
zweite Hauptoberfläche,
die in die entgegengesetzte Richtung zu der ersten Hauptoberfläche weist.
Zumindest einige der Leiter können
durchgehende Leiter sein, deren zweite Enden an der Hauptoberfläche angrenzend,
angeordnet sind. In diesem Falle hat das Zwischenelement Kontakte
der zweiten Enden, die an den zweiten Enden des Leiters angebracht
sind. Jeder derartige Kontakt des zweiten Endes kann in gleicher
Weise ausgestaltet wie die oben erläuterten Kontakte der ersten
Enden. Daher kann sich jeder Kontakt des zweiten Endes radial nach
außen
und von einer zentralen Achse weg erstrecken, die senkrecht zu der
zweiten Oberfläche
steht und von einem zweiten Ende eines Leiters erstrecken, der an
seinem ersten Ende mit einem der Kontakte an der ersten Oberfläche verbunden
ist. In wünschenswerter
Weise ist der Kontakt derart ausgelegt, daß er sich deformiert, so daß die Peripherie
sich radial nach außen,
von der Achse und von dem zweiten Ende des Leiters weg erstreckt,
in Reaktion auf eine vertikale Kraft auf den Kontakt des zweiten
Endes. Derartige Zwischenelemente können beispielsweise verwendet
werden zwischen Paaren an Schaltungsfeldern oder anderen mikroelektronischen
Bauelementen.
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Die
Kontakte und die Leiter können
Abschnitte aus durchgehenden, im allgemeinen rohrförmigen Kontaktlöchern bilden,
die durch ein Loch in dem Körper
verlaufen und sich an beiden Enden des Lochs nach außen auf
weiten. Der Zwischenelementkörper
kann ein mittels Wärme
aktivierbares Haftmittel haben, und zwar einen Thermoplasten oder
anderes fließfähiges dielektrisches
Material an den Oberflächen
des Körpers,
so daß das
Zwischenelement eine im wesentlichen porenfreie dielektrische Abdichtung
mit dem Körper
eines Schaltungsfelds oder eines damit in Eingriff stehenden, anderen
mikroelektronischen Bauelementes bilden kann. Wenn das leitende
Verbindungs- bzw. Bondmaterial an den Kontaken durch Wärme aktiviert
ist, kann das Haftmittel oder das fließfähige dielektrische Material
an dem Körper
angeordnet werden zur Aktivierung bei etwa der gleichen Temperatur
wie das fließfähige leitende
Material.
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Ein
weiterer Aspekt der vorliegenden Erfindung liefert ein Zwischenelement
für eine
mikroelektronische Verbindung, das einen Körper mit einer ersten horizontal
verlaufenden Oberfläche
hat, mit einer Hauptebene und mehreren Kontakten, die in einer Anordnung
bzw. Matrix auf dem Körper
an der Oberfläche
angeordnet sind. Jeder Kontakt weist einen zentralen Abschnitt auf,
sowie einen peripheren Abschnitt, der sich von dem zentralen Abschnitt
nach außen
erstreckt. Der zentrale Abschnitt kann vertikal von der Hauptebene
der Oberfläche
ausgenommen sein, wohingegen der periphere Abschnitt sich bei oder
vertikal oberhalb der Hauptebene erstrecken kann. In wünschenswerter
Weise weicht der periphere Abschnitt jedes Kontaktes von der Kreisform
ab und kann wie zuvor erwähnte
Abgriffe haben, die von dem zentralen Abschnitt weg ragen. Der Körper kann
mehrere Vertiefungen in der ersten Oberfläche aufweisen, wobei jede derartige
Vertiefung eine zentrale Achse hat, die im allgemeinen senkrecht
steht zu der ersten Oberfläche
und Wände
hat, die sich im allgemeinen radial nach außen, nach oben, von der zentralen
Achse weg, erweitern, so daß die
Vertiefung sich progressiv bzw. zunehmend erweitert von dem Boden
der Vertiefung zu der Öffnung
der Ausnehmung bei der Hauptebene. Im Gebrauch eröffnet das
erfindungsgemäße Zwischenelement
die Herstellung einer Mehrschichtschaltung. Ein Verfahren zur Herstellung
einer Mehrschichtschaltung weist in wünschenswerter Weise den Schritt
auf des Stapelns eines mikroelektronischen Bauelementes wie beispielsweise
eines Schaltungsfelds und eines Zwischenelements, derart, daß die erste
Oberfläche
des Zwischenelements einer Oberfläche des mikroelektronischen
Bauelements gegenüberliegt.
Das Zwischenelement kann ein wie oben beschriebenes Zwischenelement
sein, mit einem Körper,
mit Leitern und mit Kontakten, die mit den Leitern verbunden sind,
wobei jeder Kontakt über
die Oberfläche
des Körpers
verläuft
und sich radial von seiner Verbindungsstelle mit dem Leiter zu einem
peripheren Abschnitt, radial nach außen erstreckt. Das Verfahren
weist den weiteren Schritt auf, daß gestapelte bzw. geschichtete
mikroelektronische Bauelemente und das Zwischenelement zusammengedrückt bzw.
komprimiert werden, um zwangsweise die peripheren Abschnitte der
Kontakte mit den Pads des mikroelektronischen Bauelements in Eingriff
zu bringen und dabei den peripheren Abschnitt jedes Kontakts radial
nach außen,
von der zentralen Achse weg, sowie von dem dazugehörigen Leiter
weg, aufzuweiten. Dadurch bewegt sich der periphere Abschnitt jedes
Kontaktes horizontal in Bezug auf das erfaßte Pad und schleift die Oberfläche des
Pads. Vorzugsweise bewegt sich während
des Schritts des Zusammendrückens
jeder periphere Abschnitt auch vertikal nach unten, d.h., in Richtung
des oder in den Körpers)
des Zwischenelements.
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Der
Schritt des Stapelns bzw. Schichtens kann den Schritt des Stapelns
mehrerer Schaltungsfelder und eines oder mehrerer Zwischenelemente
in verzahnten bzw. verschachtelten, vertikal alternierenden Anordnungen
umfassen, so daß ein
Zwischenelement zwischen jedem Paar Schaltungsfelder angeordnet
ist und daß entgegengesetzt
gerichtete erste und zweite Oberflächen jedes Zwischenelements
den zusammenpassenden Oberflächen
der Schaltungsfelder gegenüberliegen.
Bei dieser Anordnung weisen die Leiter jedes Zwischenelements vorzugsweise
Durchgangs- oder Kontaktlochleiter auf, die sich durch den Körper erstrecken und
an beiden Enden jedes Leiters, an ent gegengesetzten Oberflächen des
Zwischenelements Kontakte haben. Die Kontakte an den entgegengesetzten
bzw. gegenüberliegenden
Oberflächen
erfassen Pads an den beiden benachbarten Schaltungsfeldern an gegenüberliegenden
Seiten des Zwischenelements. Stehen die Kontakte in Eingriff mit
den Pads der Schaltungsfelder, so stellen daher die Durchgangsleiter
einen Zwischenkontakt der Pads an der benachbarten Schaltungsfelder
untereinander her.
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Der
Schleif- bzw. Wischvorgang der Kontakte liefert ein zuverlässiges elektrisches
Verbinden bzw. Bonden zwischen den Schaltungsfeldern. Überdies
kompensiert die vertikale Bewegung der peripheren Abschnitte der
Kontakte eine nicht ebene Ausbildung der Schaltungsfelder und Zwischenelemente.
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Das
Zwischenelement nach der vorliegenden Erfindung kann zuverlässige Zwischenverbindungen und
zuverlässige
Mehrschichtstrukturen selbst bei sehr kleinen Größen liefern. Daher können die
Abstände zwischen
angrenzenden Pads an den Schaltungsfeldern und zwischen angrenzenden
Kontakten an jeder Oberfläche
jedes Zwischenelements etwa 1,0 mm oder geringer sein.
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Vorzugsweise
weist das Verfahren den Schritt des Bondens der Kontakte des Zwischenelementes
an die Pads an den Schaltungsfeldern auf durch kurzzeitiges Erwärmen der
gestapelten bzw. geschichteten Bauelemente zwecks Aktivierung eines
elektrisch leitenden Bondmaterials an Schnittstellen zwischen Kontakten und
Kontakten. Vorzugsweise weist das Verfahren auch einen Schritt des
Aktivierens eines fließfähigen dielektrischen
Materials auf, wie beispielsweise eines Haftmittels zwecks Strömens bei
den Schnittstellen zwischen jedem der Zwischenelementkörper und
den angrenzenden mikroelektronischen Bauelementen oder Schaltungsfelder,
um die gestapelten Bauelemente zu einer im wesentlichen unitären Masse
zu verbinden. Das Fließen
bzw. Strömen
des dielektrischen Materials kann gleichzeitig mit dem Fließen bzw.
Strömen
des elektrisch leitenden Bondmaterials auftreten. Dort, wo die peripheren Abschnitte
der Kontakte Abschnitte des dielektrischen Materials des Zwischenelementkörpers überlagern,
führt eine
Aufweichung des dielektrischen Bondmaterials zur Vereinfachung der
vertikalen Bewegung der peripheren Abschnitte der Kontakte. Wenn
sich das dielektrische Material erweicht, kann der periphere Abschnitt
jedes Kontakts nach unten, in das darunterliegende dielektrische
Material, versetzt werden.
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Des
weiteren erlaubt das erfindungsgemäße Zwischenelement die Herstellung
einer Schaltungsanordnung.
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Verfahren
zur Herstellung einer Schaltungsanordnung weisen die Schritte auf
des Stapeln bzw. Schichtens mikroelektronischer Bauelemente wie
beispielsweise einem Schaltungsfeld und einem Zwischenelement in
einer vertikal überlagerten
Anordnung, so daß eine
erste horizontal verlaufende Oberfläche des Zwischenelements zu
einer horizontal verlaufenden Oberfläche des Schaltungsfelds weist
und derart, daß mehrere
elektrisch leitende Kontakte an der ersten Oberfläche des
Zwischenelements Pads an der Oberfläche des Schaltungsfelds gegenüberliegen.
Das Verfahren weist des weiteren den Schritt auf des vertikalen
Zusammenpressens der gestapelten mikroelektronischen Bauelemente
und des Zwischenelements, um zwangsweise die Kontakte mit den Pads
in Eingriff treten zu lassen und zu bewirken, daß sich die Kontakte deformieren, so
daß zumindest
ein Teil jedes Kontaktes, der mit dem Pad in Eingriff steht, sich
horizontal in Bezug auf den im Eingriff befindlichen Kontakt bewegt
und die Oberfläche
des Kontakts während
des Schritts des Zusammendrückens
schleift und des darauffolgenden Bondens jedes Kontaktes mit dem
in Eingriff stehenden Pad beispielsweise durch Aktivierung eines
Bondmaterials an Schnittstellen zwischen den Kontakten und den Pads durch
kurzzeitiges Erwärmen
der gestapelten bzw. geschichteten Elemente. Der Schritt des Bondens
kann das Diffusionsverbinden, Löten,
Hartlöten,
eutektische Verbinden, Aktivieren eines polymerhaltigen leitenden
Haftmittels oder ähnliches
umfassen. Das Schleifen bzw. Wischen reinigt die Oberflächen zwecks
Vereinfachung eines wirkungsvollen Bondens.
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Noch
weitere Aspekte der vorliegenden Erfindung liefern Verfahren zur
Herstellung von mikroelektronischen Zwischenelementen. Verfahren
gemäß diesem
Aspekt der vorliegenden Erfindung umfassen vorzugsweise die Schritte
des Vorsehens eines Körpers,
der eine erste Oberfläche
definiert und das Vorsehen einer ersten temporären Schicht auf der ersten
Oberfläche,
so daß die
temporäre
Schicht darin Öffnungen
hat. Ein elektrisch leitendes strukturelles Material wie beispielsweise
Kupfer oder ein anderes Metall wird in jeder Öffnung abgeschieden, so daß eine Schicht
des strukturellen Materials innerhalb der Öffnung verläuft und sich über wenigstens
einen Abschnitt der temporären
Schicht erstreckt und dabei Kontakte ausbildet. Das Verfahren umfaßt auch
den Schritt des Entfernens der temporären Schicht, Hinterlassens
eines auswärts
verlaufenden peripheren Abschnitts jedes Kontakts, der von der Oberfläche des
Körpers
weg beabstandet ist, wo das strukturelle Material auf der temporären Schicht
abgeschieden war. Vorzugsweise hat der Körper Löcher, die sich von der ersten
Oberfläche
in Überdeckung
mit den Öffnungen
in der temporären
Schicht nach innen erstrecken und das strukturelle Material wird
in den Löchern
abgeschieden, so daß die
Leiter integral mit den Kontakten ausgebildet sind.
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Wenn
der Körper
entgegengesetzt gerichtete erste und zweite Oberflächen hat,
können
die Löcher
in dem Körper
von der ersten Oberfläche
zu der zweiten Oberfläche
verlaufen und das Verfahren kann den Schritt des Vorsehens einer
zweiten temporären
Schicht auf der zweiten Oberfläche
mit Öffnungen
in Überdeckung mit
den Löchern,
umfassen. Dadurch kann der Schritt des Abscheidens der strukturellen
Materialien ebenfalls den Schritt des Abscheidens des strukturellen
Materials in die Öffnungen
der zweiten temporären
Schicht umfassen, so daß sich
das strukturelle Material über
einen Teil der zweiten temporären
Schicht erstreckt. Das Verfahren kann des weiteren einen Schritt
des Entfernens der zweiten temporären Schicht umfassen, wobei
Kontakte auf der zweiten Oberfläche
hinterlassen sind, die integral mit den Leitern sind und mit den
Kontakten auf der ersten Oberfläche.
Die Löcher
und die Öffnungen
in den temporären
Schichten können
derart ausgebildet sein, daß Wände der
Löcher
des Körpers
im wesentlichen durchgehend sind mit den Wänden der Öffnungen in den temporären Schichten.
Dadurch kann der Schritt des Ausbildens der Löcher in dem Körper durchgeführt werden,
nach dem der Schritt des Auftragens der temporären Schichten mit ihren entsprechenden Öffnungen, beispielsweise
durch Entfernen von Material von dem Körper unter Verwendung einer
oder beider temporären Schichten
als Masken.
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In
wünschenswerter
Weise hat jede Öffnung
in jeder temporären
Schicht eine zentrale Achse und die temporäre Schicht definiert eine Wand
bei jeder Öffnung,
die sich nach außen
erweitert, von der zentralen Achse der Öffnung in der vertikalen Richtung
nach oben und nach außen
und von der dazugehörigen
Oberfläche des
Körpers
weg. Der Schritt des Abscheidens des strukturellen Materials kann
den Schritt des Abscheidens einer dünnen Schicht aus Metall auf
diese auswärts
sich erweiternden Wände
umfassen. Werden die temporären
Schichten entfernt, so werden daher die Abschnitte des strukturellen
Materials, die über
den sich auswärts
erweiternden Wänden
liegen, von der Oberfläche
des Körpers
beabstandet und werden sich zunehmend nach oben, von dem Körper in
radialer Auswärtsrichtung
von der zentralen Achse nach oben neigen.
-
Der
Schritt des Vorsehens der temporären
Schicht kann den Schritt des Abscheidens des temporären Schichtmaterials
als undurchlöcherte
Schicht auf der Oberfläche
des Körpers
umfassen und dann des Ausbildens der Öffnungen durch Maskieren der
undurchlöcherten
Schicht, so daß die
Maske Öffnungen
hat. Die maskierte Schicht kann dann über die Öffnungen einem isotropen Ätzmittel
ausgesetzt werden. Eine derartige Behandlung führt zur Ausbildung einer im
allgemeinen becherförmigen
Oberfläche.
Das strukturelle Material ist vorzugsweise ein Metall wie beispielsweise
Kupfer, Gold, Nickel und ähnliches, das über die
temporäre Schicht
plattiert werden kann. Die temporäre Schicht kann aus einem Metall
wie beispielsweise Aluminium, Zinn oder Nickel gebildet sein und
die temporäre
Schicht kann durch einen Vorgang wie beispielsweise kaustisches Ätzen, entfernt
werden, bei dem das strukturelle Material intakt belassen bleibt.
Alternativ kann die temporäre
Schicht eine Schicht aus polymeren Werkstoffen wie beispielsweise
einen Photolack oder anderen Materialien aufweisen, die ohne Beschädigung des
strukturellen Materials entfernt werden können.
-
Andere
Aspekt der vorliegenden Erfindung liefern Verfahren zur Herstellung
von mikroelektronischen Zwischenelementen unter Verwendung eines
Körpers,
der eine erste Oberfläche
hat, wobei die erste Oberfläche
einen hauptsächlich
ebenen Abschnitt und mehrere offene Vertiefungen hat, mit vertikalen
Achsen, die normal zu der Hauptebene stehen und mit Wänden, die
sich nach außen,
von den Achsen weg, erweitern. Verfahren gemäß diesem Aspekt der Erfindung
beinhalten in wünschenswerter
Weise den Schritt des Abscheidens eines elektrisch leitenden strukturellen
Materials in die Vertiefungen zwecks Ausbildung einer Schicht auf den
sich nach außen
erweiternden Wänden
und Steuern des Ausmaßes
der Schichten in horizontalen Richtungen, quer zu den Achsen, so
daß jede
Schicht mehrere Abgriffe bildet, die im allgemeinen radial von den Achsen
verlaufen. Das horizontale Ausmaß der Schichten kann gesteuert
werden durch selektive Abscheidung während des Abscheideschritts
oder durch selektives Entfernen wie beispielsweise Ätzen nach
dem Abscheideschritt.
-
Wie
gesagt, hat der Körper
zwei Hauptoberflächen,
die in entgegengesetzte Richtungen weisen. Die Vertiefungen auf
den beiden Hauptoberflächen
beinhalten vorzugsweise Paare koaxial fluchtender Vertiefungen,
die miteinander verschmelzen, um durchgehende Durchgangslöcher oder
Kontaktlöcher
zu bilden, die durch den gesamten Körper verlaufen. Die Schritte
des Vorsehens des Körpers
können
die Schritte beinhalten des Vorsehens einer Schicht mit darin befindlichen
Löchern
durch Ät zen
der Schicht von entgegengesetzten Seiten zwecks Ausbildung von Löchern, die
sich zu den schmalsten Stellen, von den Flächen der Schicht entfernt,
verjüngen
und dann Abscheiden einer Beschichtung aus einem dielektrischen
Material auf der Schicht und in die Löcher der Schicht wie beispielsweise
durch elektrophoretische Abscheidung. Wie weiter unten beschrieben
wird, liefern die bevorzugten Verfahren gemäß diesem Aspekt der Erfindung
einzigartig gekrümmte Abgriffe.
-
Diese
und andere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung
werden leichter verständlich
aus der detaillierten Beschreibung der unten erläuterten bevorzugten Ausführungsbeispiele
in Zusammenhang mit den beigefügten
Zeichnungen.
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KURZBESCHREIBUNG
DER ZEICHNUNGEN
-
1 ist eine fragmentarische,
diagrammartige Schnittansicht in Darstellung von Abschnitten eines Zwischenelements
während
eines Schritts eines Herstellungsprozesses.
-
2, 3 und 4 sind
Ansichten gleich der 1,
die jedoch das Zwischenelement während
späterer Stufen
des gleichen Prozesses zeigen.
-
5 ist eine diagrammartige,
perspektivische Ansicht in Darstellung eines Durchgangsleiters und von
Kontakten des Zwischenelements der 1–4.
-
6 ist eine weitere Ansicht
gleich den 1-4, jedoch in Darstellung des fertigen
Zwischenelements.
-
7 ist eine diagrammartige
Aufrißansicht
in Darstellung gestapelter bzw. geschichteter Bauteile zu Beginn
eines Zusammenbauprozesses unter Verwendung des Zwischenelements
der 1–6.
-
8 ist eine fragmentarische,
diagrammartige Schnittansicht in Darstellung eines Abschnitts der
in 7 dargestellten Bauteile
zu Beginn des Zusammenbauprozesses.
-
9 ist eine Ansicht gleich
der 8, jedoch in Darstellung
der Bauteile bei einer späteren
Stufe des Zusammenbauprozesses.
-
10 ist eine fragmentarische,
diagrammartige Schnittansicht in Darstellung von Abschnitten eines Zwischenelements
während
eines Schrittes eines Herstellungsprozesses gemäß der Erfindung.
-
11–14 einschließlich sind
Ansichten gleich der 10,
jedoch in Darstellung des Zwischenelements bei aufeinanderfolgenden
späteren
Stufen des Herstellungsprozesses.
-
15 ist eine diagrammartige,
fragmentarische Draufsicht auf die Oberfläche des in der Schnittansicht
in 14 gezeigten Zwischenelements.
-
16 ist eine Ansicht gleich
der 10-15, jedoch in Darstellung des fertigen
Zwischenelements.
-
17 ist eine diagrammartige
perspektivische Ansicht in Darstellung eines Durchgangsleiters und von
Kontakten des Zwischenelements der 10–16.
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18 ist eine fragmentarische,
diagrammartige Draufsicht in Darstellung von Abschnitten geschichteter
Bauteile während
eines Zusammenbauprozesses unter Verwendung des Zwischenelements
der 10–17.
-
19 ist eine diagrammartige
Schnittansicht entlang der Linie 19–19 in 18.
-
20 ist eine fragmentarische,
diagrammartige Schnittansicht in vergrößertem Maßstab in Darstellung der Bauteile
bei einer späteren
Stufe des Zusammenbauprozesses.
-
21 ist eine fragmentarische,
diagrammartige Schnittansicht in Darstellung eines Zwischenelements
gemäß einem
weiteren Ausführungsbeispiel
der Erfindung.
-
22 ist eine fragmentarische,
diagrammartige Schnittansicht in Darstellung eines Zwischenelements
in Übereinstimmung
mit noch einem anderen Ausführungsbeispiel
der Erfindung, in Verbindung mit anderen Bauteilen bei einer Stufe
eines Zusammenbauprozesses.
-
23 ist eine Ansicht entlang
der Linie 23–23
in 22.
-
24 ist eine Ansicht gleich
der 22, jedoch in Darstellung
einer späteren
Stufe des Zusammenbauprozesses.
-
25 ist eine Ansicht entlang
der Linie 25–25
in 24.
-
DETAILLIERTE
BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
-
Ein
Prozeß beginnt
mit einem Körper 30 in
Form einer Schicht bzw. eines Bogens aus dielektrischem Material,
die eine erste oder obere Oberfläche 32 und
eine zweite oder untere Oberfläche 34 hat.
Das dielektrische Material sollte ein Material mit einem relativ
hohen Elastizitätsmodul
sein wie beispielsweise ein Polyimidmaterial. Ein geeignetes Polyimid
ist erhältlich
unter der Marke UPILEX der Ube Corporation. Die Schicht 30 ist
bevorzugt etwa 15-50 Mikron ("μ") dick und am Bevorzugtesten
etwa 25μ dick.
Eine Schicht 36 aus einem temporären Schichtmaterial, das einem Ätzen durch
ein Ätzmittel
unterworfen wird, das den Körper 30 nicht angreift,
ist auf der Oberfläche
des Körpers 30 aufgetragen.
Das temporäre
Schichtmaterial ist in wünschenswerter
Weise ein Metall wie beispielsweise Aluminium, Zinn oder Nickel,
das durch Ätzen
entfernt werden kann. Die temporäre
Schicht 36 kann etwa 15-100μ oder dicker
sein, am Bevorzugtesten etwa 50μ dick.
Eine zweite temporäre
Schicht 38 ähnlich
der Schicht 36 wird auf der unteren Oberfläche 34 des
Körpers 30 aufgetragen.
-
Fotolackschichten 40 und 42 werden
auf den temporären
Schichten 36 und 38 aufgetragen und dann fotografisch
belichtet, um Öffnungen 44 bzw. 46 zu
entwickeln. Die Fotolackschichten 40 und 42 können aus einem
herkömmlichen
Fotolackmaterial gebildet sein. Bevorzugt sind jedoch Trockenfilmfotolacke.
Ein geeigneter Fotolack ist ein Trockenfilmfotolack mit etwa 25μ Dicke des
Typs, wie er unter der Marke DYNACHEM von Morton Electrical Materials
aus Trustin, Californien, verkauft wird. Die Öffnungen 44 und 46 sind
in Richtungen senkrecht zu den Oberflächen 32 und 34 gesehen
kreisförmig.
Ebenso sind die Öffnungen 44 und 46 koaxial
zueinander auf einer gemeinsamen Achse 48, die senkrecht
zu den Oberflächen
des Körpers 30 ist. Obgleich
lediglich ein einzelner Satz fluchtender Öffnungen in der fragmentartigen
Ansicht der 1 dargestellt
ist, sind viele fluchtende Sätze
in einer oder mehreren Anordnungen bzw. Matrizen vorgesehen, die
sich über
die Oberflächen
des Körpers
erstrecken. Die Beabstandung oder die "Pitch"-Abmessung zwischen angrenzenden Paaren
von Öffnungen
wird so gewählt,
daß sie übereinstimmt
mit dem Pitch der Pads auf dem Feld oder anderem Element, das mit
dem Zwischenelement zusammengepaßt wird. Bevorzugte Strukturen können hergestellt
werden mit Pitch-Abmessungen von 1,5 mm oder weniger, vorzugsweise
etwa 0,5 bis 1,5 mm. Vorzugsweise ist jeder Satz fluchtender bzw.
ausgerichteter Öffnungen 44 und 46 koaxial
zueinander innerhalb einer Toleranz von etwa 10μ. Dieser Grad der Ausrichtung
kann erreicht werden durch herkömmliche Filmbehandlungs-
und Belichtungsvorrichtungen, wie beispielsweise ein herkömmliches,
zweiseitiges Belichtungswerkzeug. Die Schicht 30 ist typischerweise
mit Transportlöchern
(nicht gezeigt) in Rändern
versehen, die von dem Bereich entfernt liegen, der zur Ausbildung
des Zwischenelements verwendet wird, um die Schicht bzw. den Bogen
zu handhaben und auszurichten. Ein Ausrichten, das auf derartigen
Löchern
basiert, ist normalerweise ausreichend für diesen Schritt.
-
Bei
der nächsten
Stufe des Prozesses wird der Bogen mit den temporären Schichten
und den Fotolackschichten einem Ätzmittel
ausgesetzt, wie beispielsweise einer kaustischen Lösung, die
ausgelegt ist zum isotropischen Ätzen
der temporären
Schichten 36 und 38. Das heißt, das Ätzmittel wird die temporären Schichten
in im wesentlichen gleichen Ausmaß in allen Richtungen angreifen,
wo auch immer die temporären
Schichten zu den Öffnungen
hin freigelegt sind. Die Ätzmittel
greifen die erste oder obere temporäre Schicht 36 durch die Öffnung 44 progressiv
bzw. fortschreitend an, bis die erste oder obere Oberfläche 32 des
Körpers 30 freigelegt
ist. Gleichzeitig jedoch unterschneidet das Ätzmittel die Fotolackschicht 40,
ausgehend von dem Rand 50, der begrenzt ist durch die Peripherie
der Öffnung 44 und
die belichtete bzw. freigelegte Oberfläche der Schicht 36.
Daher bildet der Ätzprozeß eine Öffnung 52 in
der ersten temporären
Schicht 36, wobei die Öffnung eine
Wand 54 mit im wesentlichen der Form einer Oberfläche einer
Umdrehung um die zentrale Achse 48 hat. Der Generator der
Oberfläche 54 hat
im wesentlichen die Form eines Bogens, dessen Zentrum etwa an der oberen
Oberfläche
der Schicht 36 ist, d.h. bei der Oberfläche der temporären Schicht 36,
entfernt von dem Körper 30 liegend.
Dadurch hat die Wand 54 im allgemeinen die Form einer Schale
oder eines Schnitts eines Toroids. Die Wand erweitert sich radial
nach außen,
von der zentralen Achse 48 weg, in die vertikale Richtung nach
außen
oder nach oben, weg von dem Körper 30,
d.h., wie in 2 erkennbar,
nach oben. Dadurch weist die erste oder obere temporäre Schicht 36 einen
jedes Loch 52 umgebenden Rand 55 auf . Der Rand 55 hat progressiv
bzw. stetig zunehmende Dicke in radialer Richtung, von der gemeinsamen
zentralen Achse 48 weg.
-
Durch
den gleichen Ätzschritt
werden auch die Öffnungen 56 in
der zweiten oder unteren temporären Schicht 38 ausgebildet,
wobei diese Öffnungen
von der Ausgestaltung her und dem Durchmesser den Öffnungen 52 gleich
sind. Dadurch hat die Wand 58 jeder Öffnung 56 allgemein
die Form einer Oberfläche
einer Umdrehung um die zentrale Achse 48 und erweitert
sich radial nach außen,
von der zentralen Achse weg, in Richtung vertikal nach oben, weg
von dem Körper 30.
So wie er in dieser Offenbarung unter Bezugnahme auf Merkmale im
Zusammenhang mit einer Oberfläche
eines Körpers
verwendet wird, bedeutet der Begriff "aufwärts" die Richtung heraus
aus einer derartigen Oberfläche,
vom Zentrum des Körpers
weg. Daher ist in Bezug auf die zweite Oberfläche 34 des Körpers 30 die
Richtung "aufwärts" bzw. "nach oben" in 2 gesehen die Richtung in Richtung des
Bodens bzw. der Zeichnung nach unten. Die zweite temporäre Schicht 38 weist
Ränder progressiv
zunehmender Dikke 39 auf, welche die Öffnungen 56 umgeben.
Jede Öffnung 56 in
der zweiten Schicht 38 ist im wesentlichen koaxial zu der
entsprechenden Öffnung
im oberen Bereich oder der ersten Öffnungsschicht 36.
Nach den herkömmlichen
Spül- und
Deaktivierungsschritten, werden die Löcher 60 in dem Körper 30 durch
Ablation des Materials des Körpers
ausgebildet. Die Ablation wird durchgeführt, indem Strahlungsenergie
durch die Löcher 52 in
der oberen oder ersten temporären
Schicht auf die erste Oberfläche 32 gerichtet
wird. Die Strahlungsenergie kann unter Verwendung eines Lasers wie
beispielsweise eines KrF Excimer-Lasers einer Wellenlänge von
308 nm ausgeübt
werden. Die temporäre
Schicht 36 und insbesondere die Ränder 55, die unmittelbar
die Öffnungen
umgeben, schützen
den Körper 30 gegenüber der
auftreffenden Strahlungsenergie. Dadurch werden die Löcher 60 in
dem Körper 30 ausgebildet.
Jedes Loch 60 ist koaxial zu der entsprechenden Öffnung 52 in
einer Schicht 36 und folglich zu einer gemeinsamen Achse 48 und
zu der entsprechenden Öffnung 56 in
der Schicht 38. Die Maskierung der oberen Schicht stellt
inhärent
den Durchmesser des Lochs 60 auf den Durchmesser der Öffnung beim
Scheitel bzw. der Spitze des Randes 55 ein, d.h., den Durchmesser
an der Verbindungsstelle des Rands 55 mit der oberen Oberfläche 32 der
Schicht bzw. des Bogens. Dadurch verlaufen für jeden Satz von Öffnungen,
die periphere Wand 54 der Öffnung in der oberen Schicht,
die periphere Wand 62 des Lochs 60 und die periphere
Wand 58 der Öffnungen
in der zweiten oder unteren Schicht 38 im wesentlichen
durchgehend zueinander. Eine absolute Glattheit oder Kontinuität ist nicht
erforderlich. Dadurch kann sich die Strahlungsenergie nach außen, unterhalb
des Randes 55 der ersten temporären Schicht verteilen und bewirkt,
daß sich
der Durchmesser des Lochs 60 geringfügig von der oberen Fläche 32 des
Körpers 2 zum
Boden der Oberfläche 34 verändert. Dies
kann eine kleine Rippe hervorrufen, die eine geringere Höhe hat als
ein Paar Mikron, und zwar an der Verbindungsstelle der Lochoberfläche 62 mit der Öffnungsoberfläche 58,
an der Spitze des Rands 59. Derartige Rippen behindern
den Prozeß normalerweise
nicht.
-
Nach
der Ausbildung der Löcher 60 werden
zusätzliche
Fotolackschichten 64 und 66 auf der ersten oder
obersten temporären
Schicht 36 bzw. der zweiten oder unteren temporären Schicht 38 aufgetragen.
Diese Schichten überbrücken anfänglich die Öffnungen
in den temporären
Schichten und daher ebenfalls das Loch 60. Die Fotolackschichten 64 und 66 können durch
einen Trockenfilmfotolack ausgebildet werden und können sich über die Öffnungen
und Löcher
in den darunterliegenden Schichten erstrecken, ohne diese zu füllen. Die
Fotolackschichten werden unter Ausnutzung herkömmlicher Techniken be lichtet,
um Paare an Öffnungen 68 und 70 in
den oberen und unteren Fotolackschichten, jeweils fluchtend zu den
Löchern 60 und
folglich koaxial zu den Öffnungen 52 und 56 in
den temporären
Schichten 36 und 38 auszubilden. Die Löcher 68 sind kreisförmig und
etwas größer als
der Maximaldurchmesser des entsprechenden Durchmessers der entsprechenden Öffnungen
in der Schicht 36, so daß ein kleiner Absatz 72 um
die Peripherie jeder Öffnung
ausgebildet ist. In gleicher Weise ist jedes Loch 70 etwas
größer als
der Maximaldurchmesser der entsprechenden Öffnung 56.
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Ein
elektrisch leitendes, strukturelles Material, wie beispielsweise
ein Metall, wird dann innerhalb des Lochs 60 und innerhalb
der Öffnungen 52 und 56 in
der temporären
Schicht abgeschieden. Der Abscheidungsprozeß kann durchgeführt werden,
indem die Oberflächen
der Löcher
und Öffnungen
mit Keimen versehen werden, wie beispielsweise mit einem Paladiumsalz
oder anderem, die Abscheidung unterstützenden Mittel und dann Auftragen
des metallischen, strukturellen Materials durch Plattieren über die
Keimschicht. Vor dem Auftragen der Fotolackschichten 64 und 66 wird
das Keimen durchgeführt.
Das strukturelle Material kann aufgetragen werden als durchgehende,
integrale Schicht 74, welche die peripheren Oberflächen 62 der
Löcher
in dem Körper
und auch die peripheren Wände 54 und 58 der Öffnungen
in den temporären
Schichten überdeckt. Die
strukturelle Materialschicht sollte von den Öffnungen und den Abdeckabsätzen 72 radial
nach außen
verlaufen.
-
Das
strukturelle Material sollte relativ duktil sein. Metalle, ausgewählt aus
der Gruppe bestehend aus Gold, Kupfer, Zinn, Nickel und Legierungen
und Kombinationen von diesen, sind bevorzugt. Gold ist insbesondere
bevorzugt, wenn die strukturelle Materialschicht lediglich ein Metall
aufweist. Die strukturelle Materialschicht ist in wünschenswerter
Weise etwa 2 bis etwa 20μ dick,
am Bevorzugtesten zwischen etwa 5μ und
etwa 10μ dick.
Alternativ kann die strukturelle Materialschicht 74 mehrere
Unterschichten aufweisen, wie beispielsweise eine strukturelle Metallunterschicht,
eine Unterschicht als Diffusionsbarriere und eine Unterschicht als Korrosionswiderstand.
Speziell nützliche
unterschichtete strukturelle Metallkombinationen sind folgende:
-
-
Eine
weitere Schicht 76 aus einem elektrisch leitenden Bondmaterial
wird über
der strukturellen Metallschicht 74 durch herkömmliche
Abscheidungsprozesse wie beispielsweise Elektroplattieren, aufgetragen. Das
elektrisch leitende Bondmaterial kann ein Lötmetall, Hartlötlegierung,
Diffusionsverbindungsmaterial, eutektisches Verbindungsmaterial
oder ein Polymer, gefüllt
mit elektrisch leitenden Partikeln, sein. Vorzugsweise ist das Verbindungs-
bzw. Bondmaterial ausgelegt, um aktiv zu werden und bei einer vorbestimmten,
erhöhten Temperatur
zu bonden bzw. sich zu verbinden. Einige geeignete Zusammensetzungen
für Verbindungs-
bzw. Bondmaterial sind in Tabelle 2, unten angegeben. In Tabelle
2 betrifft der Anfang unter der Überschrift "Pad-Oberfläche" die bevorzugte Pad-Oberfläche, um
mit dem speziellen Bondmaterial zusammenzupassen. Auch können herkömmliche
Schutzschichten, wie beispielsweise eine dünne Goldschicht, über der
leitenden Bondmaterialschicht 76 aufgetragen werden, um
selbige gegenüber
einer Korrosion vor dem Gebrauch zu schützen.
-
-
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Das
strukturelle Metall 74 und das Bondmaterial 76 bilden
dadurch integrale Kontaktlöcher,
wobei jedes derartige integrale Kontaktloch einen Durchgangsleiter 78 hat,
der sich durch die Schicht 30 erstreckt, einen Kontakt 80 an
der ersten Seite des Körpers 30 und
einen weiteren Kontakt 82 an der gegenüberliegenden Seite des Körpers. Eines
dieser Kontaktlöcher
ist in 5 gezeigt. Der
erste oder obere Oberflächenkontakt 80 ist
im allgemeinen schalenförmig
und verläuft
radial nach außen,
in horizontale Richtungen von der zentralen Achse 48 weg.
Der Kontakt verläuft
dadurch von dem ersten Ende 86 des Leiters 78 zu
einer Peripherie 84, die entfernt von dem Leiter und entfernt
von der zentralen Achse 48 liegt. Der allgemein schalenförmige Kontakt 80 definiert
eine Öffnung 88,
die nach oben, vertikal nach außen
und von dem Leiter 78 weg weist und folglich von dem dielektrischen
Körper 30 (4) weg. Bei diesem Ausführungsbeispiel
ist der gesamte Kontakt ein Rotationskörper um die zentrale Achse 48.
Der Kontakt 82 an dem zweiten oder unteren Ende 90 des Leiters 78 hat
eine ähnliche
Ausgestaltung, öffnet
sich jedoch nach unten, in die entgegengesetzte Auswärts- oder
Aufwärtsrichtung,
von der zweiten Oberfläche 34 des
Körpers
weg.
-
Nachdem
die Kontaktlöcher
ausgebildet sind, werden sie wahlweise mit einem fließfähigen, leitenden Füllmaterial 92 gefüllt, wie
beispielsweise durch Siebdruck oder Rakelauftrag über die
temporären
Schichten und Kontaktlöcher.
Das Füllmaterial 92 ist
vorzugsweise derart angeordnet, daß es bei Temperaturen unterhalb
der Aktivierungstemperatur des leitenden Bondmaterials 76 fest
bleibt. Geeignete Füllmaterialien
umfassen Polymere und polymere Ausgangsstoffe mit darin dispergierten
leitenden Partikeln.
-
Der
Polymerwerkstoff kann ein Duroplast wie beispielsweise ein B-Zustand
oder teilweise gehärtetes Epoxy
oder ein Thermoplast wie beispielsweise Polyimid-Siloxan sein. Nach
dem Einfüllen
werden die temporären
Schichten 36 und 38 durch Ätzen mit einer kaustischen
Lösung
entfernt. Der Ätzprozeß entfernt
auch jegliche Oberflächenverunreinigungen
bzw. Rückstände, die
von vorhergehenden Schritten hinterlassen sind. Die Entfernung der
temporären
Schichten hinterläßt Abschnitte
der Kontakte, die vertikal von den Oberflächen des Körpers beabstandet sind. Dadurch
ist der schalenförmige
Kontakt 80 vertikal oberhalb der ersten Oberfläche 32 des
Körpers 30 beabstandet.
Der Abstand vergrößert sich
zunehmend von Null an der Verbindungsstelle des Kontakts mit dem
Leiter 78, hin zu einem Maximum bei der Peripherie 84 des
Kontaktes. In gleicher Weise ist der Kontakt 82 in entgegengesetzte,
vertikal auswärts
gerichtete Richtung, von der zweiten Oberfläche 34 weg, beabstandet,
wobei die Beabstandung von Null an der Verbindungsstelle des Kontaktes
mit dem Leiter 78 bis zu einem Maximum an der Peripherie
des Kontaktes, zunimmt.
-
Nach
Entfernung der temporären
Schichten werden Schichten 94 und 96 eines fließfähigen dielektrischen
Haftmittels auf den Oberflächen
des Körpers
aufgetragen. Das fließfähige dielektrische
Material oder Haftmittel wird auch so gewählt, daß es fließen und eine Verbindung bzw.
einen Bond mit angrenzenden dielektrischen Materialien bei einer
vorgewählten
Aktivierungstemperatur bilden kann, die etwa gleich der Aktivierungstemperatur
des leitenden Bondmaterials 76 ist. Das Haftmittel kann
aufgetragen werden durch Verfahren wie beispielsweise Siebdruck,
Auftragen eines Trockenfilmvorformlings und Rakelauftrag. In wünschenswerter Weise
ist die Dicke der Haftmittelschichten geringer als das vertikale
Ausmaß der
Kontakte 80 und 82, so daß die Kontakte vertikal über die
Haftmittelschichten hervorstehen. Das Haftmittel kann ein Material
sein, das allgemein als "Schnellhärt-Haftmittel" bezeichnet wird.
In diesem Zustand ist das Zwischenelement nun zum Gebrauch bereit.
-
Bei
einem Verbindungsprozeß gemäß einem
weiteren Ausführungsbeispiel
der Erfindung werden mehrere Zwischenelemente 95, wie beispielsweise
die in dem Verfahren der 1–6 hergestellten Zwischenelemente
in zwischengeschichteten, abwechselnden Anordnungen geschichtet,
mit mehreren Schaltungsfeldern 98 (7), so daß ein Zwischenelement zwischen
jedem Paar angrenzender Schaltungsfelder angeordnet ist und so,
daß die
Schaltungsfelder und Zwischenelemente einander überlagern. Die Schaltungsfelder
haben allgemein lamellare Strukturen, d.h., plattenartige oder schicht-
bzw. bogenartige Strukturen, die Hauptoberflächen mit Kontaktpads 100 darauf
haben. Auch haben die Felder 98 Leiter 102 (8), die sich in horizontale
Richtungen (die Richtungen nach links und rechts und in und aus
die/der Ebene der Zeichnung in den 7 und 8), wie auch innere durchgehende
Leiter oder Kontaktlöcher
(nicht gezeigt), welche die Pads 100 an entgegengesetzt
weisenden Hauptflächen
jedes Schaltungsfelds 98 miteinander verbinden. Der Schritt
des Schichtens bzw. Stapelns dient dem Ausrichten der Pads 100 zu
den Kontakten 80 und 82, so daß jedes Pad dem zugehörigen Kontakt,
an seinem Umfang angrenzend, gegenüberliegt und daran lagert.
Jedes Pad 100 lagert daher an dem dazugehörigen Kontakt 80 an
Stellen, die von seiner zentralen Achse 48 entfernt sind
und an Stellen, wo der Kontakt vertikal von dem Körper 30 beabstandet
ist.
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In
der nächsten
Stufe des Prozesses wird der Stapel bzw. die Aufschichtung komprimiert
und erwärmt, wie
beispielsweise durch Zusammenpressen des Stapels zwischen Heizplatten
(nicht gezeigt). Die Kompression führt zwangsweise zum Eingriff
der Kontakte des Zwischenelements mit den Pads der Schaltungsfelder und
komprimiert die Kontakte 80 und 82 vertikal und
axial in Richtungen, parallel zu der zentralen Achse 48 und
in Richtung der medialen Ebene des Zwischenelementekörpers. Da
jeder Kontakt axial komprimiert wird, erweitert er sich radial nach
außen,
in horizontale Richtungen, weg von der zentralen Achse 48.
Dadurch neigen die schalenförmigen
Kontakte 80 und 82 dazu, sich nach unten, in Richtung
der medialen Ebene des Körpers
und nach außen
zu biegen. Der Vorgang ist im allgemeinen ähnlich dem Stauchen oder Vernieten
einer Niet. Da sich jeder Kontakt nach außen ausdehnt, schleift bzw.
wischt er über
die Oberfläche
des dazugehörigen
Pads 100 auf dem dazugehörigen Feld. Dieser Schleifvorgang
ist insbesondere wirkungsvoll, da er während des Kompressionsschrittes
unter im wesentlichen axialer oder vertikaler Last auftritt.
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Dieser
Vorgang geht weiter, wenn die Felder sich während des Kompressionsschritts
näher aufeinander
zu bewegen, bis der Aufbau den in 9 dargestellten
Zustand erreicht hat. Während
dieses Prozesses füllt
das fließfähige, dielektrische
Material oder Haftmittel in den Schichten 94 und 96 die
Räume zwischen
dem Körper 30 jedes
Zwischenelements und die Hauptoberflächen der angrenzenden Schaltungfelder.
Das dielektrische Material fließt,
um die Räume
zwischen den Leitern 102 auf den Oberflächen der Felder zu füllen. Dies bildet
eine im wesentlichen unitäre,
mehrschichtige Struktur aus, die im wesentlichen frei von Poren
ist. Zur gleichen Zeit bildet das elektrisch leitende Bondmaterial 76 auf
den Kontakten der Zwischenelemente einen metallurgischen Bond mit
den Pads 100 der Schaltungfelder. Der metallurgische Bond-
bzw. Verbindevorgang wird stark durch den Schleifvorgang verstärkt, der
während
des Kompressionsschritts auftritt. Das Füllmaterial 92 innerhalb
jedes Kontaktes oder Kontaktlochstruktur fließt in Eingriff mit den Pads 100,
die mit einer derartigen Kontaktlochstruktur in Eingriff stehen.
Der Strom dieses Füllmaterials
wird wirkungsvoll durch die umgebenden Wände der Kontakte begrenzt.
Demgemäß wird das
Füllmaterial
angrenzende Teile nicht verunreinigen und keinen Kurzschluß bewirken.
-
Ein
Herstellprozeß für ein Zwischenelement
gemäß der vorliegenden
Erfindung beginnt mit einer leitenden, vorzugsweise metallischen
Schicht 200 (10),
wie beispielsweise 25% hartgerolltem und ausgeglühtem Kupfer von etwa 30–70μ Dicke, typischerweise
etwa 50μ Dicke.
Die Metallschicht wird unter Ausnutzung herkömmlicher Verfahren gereinigt,
wie beispielsweise dem Ätzen
mittels Schwefelperoxid, gespült
und dann passiviert oder geschützt
durch Waschen in einem Passivierungsmittel wie beispielsweise Etylendiazol. Fotolackschichten 202 und 204 werden
auf den Oberflächen
der Schicht, beispielsweise durch Laminieren der Schichten als Trockenfilme,
aufgetragen. Die Fotolackschichten haben vorzugsweise eine Dicke
von etwa 50 Mikron. Der Fotolack wird gehärtet, beispielsweise durch
Ausheizen und dann entwickelt in einem Muster, einschließend passender
Paare an zylindrischen Löchern 206 und 208 in
der oberen und unteren Schicht 202 bzw. 204. Die Löcher jedes
Paares sind koaxial auf einer gemeinsamen, zentralen Achse 210.
Die Achsen 210 sind in einem regelmäßigen Gittermuster verteilt,
und zwar wie oben beschrieben, in Abständen von typischerweise 0,5
bis 1,5 mm. Im nächsten
Schritt wird die Schicht 200 von beiden Seiten geätzt unter
Verwendung einer isotropen Ätzlösung. Ist
die Schicht bzw. der Bogen aus Kupfer oder einer Kupferlegierung
gebildet, so kann die Ätzlösung eine
Lösung
aus CuCl und HCl sein. Wenn das Ätzmittel
die Schicht 200 durch die Löcher in den Fotolackschichten
angreift, durchlöchert
sie die Schicht, um Löcher 212 auszubilden,
die an den Achsen 210 zentriert sind. Jedes Loch 212 hat
eine engste Stelle oder einen Hals 214, der an der medialen
Ebene 215 der Schicht 202 angrenzt, d.h., der
Ebene, die von der oberen und unteren Oberfläche der Schicht gleich beabstandet
ist. Jedes Loch 212 hat Wände, die sich radial von dem
Hals 214 nach außen,
zu den Oberflächen der
Schicht hin, neigen. Eine relativ geringe Ätzrate bei Verwendung einer
geringen HCl-Konzentration, wird zur Ausbildung der sich neigenden
Wandkonfiguration bevorzugt. Jedes Loch 212 kann einen
minimalen Durchmesser von etwa 100 bis 250 Mikron, vorzugsweise
etwa 125 Mikron haben. Die maximalen Durchmesser jedes Loches an
den Oberflächen
der Schicht, belaufen sich typischerweise auf etwa 125 bis etwa
300 Mikron.
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Nachdem
die Löcher
ausgebildet sind, werden die Fotolackschichten 202 und 204 entfernt.
Dots 216 eines weiteren Fotolacks werden auf der oberen
Oberfläche
der Schicht 200 aufgetragen. Jeder derartige Dot kann einen
Durchmesser von etwa 50 Mikron bis etwa 100 Mikron haben. Ein Fotolack 216 kann dieselbe
Zusammensetzung wie die Fotolackschichten 202 und 204 und
kann durch einen ähnlichen
Prozeß aufgetragen werden.
Die Dots 216 werden in einem regelmäßigen Gittermuster aufgetragen,
der zu dem Gittermuster der Löcher 212 und
den Achsen 210 versetzt ist. Wie weiter unten erläutert wird,
werden die von den Dots 216 bedeckten Orte schließlich mit
der Schicht 200 verbundene Kontakte bilden, die als ebener
Leiter verwendet wird, wie beispielsweise eine Grundebene oder Leistungsebene
in der fertigen Struktur. Demgemäß sind die Dots 216 in
einem Gitter positioniert, das zusammenpaßt mit den Grund- oder Leistungsebeneverbindungspads
auf den Elementen, mit denen das Zwischenelement Verwendung finden
wird.
-
Nach
dem Anbringen von Fotolackdots 216, wird eine anpassungsfähige Beschichtung
aus einem dielektrischen Material 218 auf der Schicht 200 aufgetragen.
Die anpassungsfähige
Beschichtung bedeckt die Schicht 200, einschließlich die
Oberflächen
innerhalb der Löcher 212.
Die Beschichtung hat eine im wesentlichen gleichförmige Dicke
auf den Oberflächen
der Schicht und innerhalb der Löcher.
In wünschenswerter
Weise hat die Beschichtung eine Dicke von zwischen etwa 20μ und etwa
50μ, vorzugsweise
etwa 38μ.
Das dielektrische Material wird vorzugsweise durch elektrophoretische
Abscheidung aufgetragen. Bei dem elektrophoretischen Abscheidevorgang
wird die Schicht 200 elektrisch mit einer Spannungsquelle 220 verbunden
und mit einer Gegenelektrode in ein Bad eines flüssigen elektrophoretischen
Abscheidegemisches eingetaucht. Die durch die Quelle 220 angelegte
Spannung scheidet festes Material aus dem elektrophoretischen Abscheidegemisch
ab. Vorzugsweise beinhalten elektrophoretische Abscheidegemische
Materialien, die erhältlich
sind unter der Bezeichnung Powercron cationic acrylic (700-900 series),
oder Powercron cationic epoxy (400-600) von der PPG Company. Vorzugsweise
erstrecken sich die leitende Schicht 200 und die Gegenelektrode
(nicht gezeigt) in dem Bad horizontal und sind in einem gleichförmigen Abstand
von typischerweise etwa 2 cm, voneinander angeordnet. Die Gegenelektrode
sollte größer sein
als die Schicht, so daß die
Gegenelektrode oberhalb der Ränder
der Schicht verläuft.
-
Die
Stromdichte während
des Schritts der elektrophoretischen Abscheidung ist vorzugsweise
beibehalten unterhalb etwa 1 Milliamper pro Quadratzentimeter, um
eine Blasenbildung in der abgeschiedenen Beschichtung zu minimieren.
Vorzugsweise wird der Strom während
des Abscheideprozesses konstant gehalten. Die angelegte Spannung
kann etwa 100V sein und der Vorgang dauert typischerweise etwa 4
Minuten. Nach dem elektrophoretischen Abscheideprozeß wird die
beschichtete Schicht oder der Körper
aus dem Bad entfernt, gewaschen, um die anhängende, nicht abgeschiedene
Lösung
zu entfernen und dann aufgeheizt, um die abgeschiedene Beschichtung
zu härten.
-
Der
abgeschiedene dielektrische Körper 218 hat
eine erste oder obere Oberfläche 222 und
eine zweite oder untere Oberfläche 224 und
hat Löcher 226,
die sich vollständig
durch den Körper,
von der ersten Oberfläche
zu der zweiten Oberfläche
erstrecken. Die Löcher 226 verlaufen
durch die Löcher 212 der
Schicht 200 und haben Wände
in Form von Rotationsoberflächen
um die zentrale Achse 210. Jedes Loch 226 hat
einen Hals oder eine Stelle des geringsten Durchmessers, der angrenzt
an der medialen Ebene des Körpers 218, d.h.,
etwa bei der medialen Ebene 215 der Schicht 200 und
etwa halbwegs zwischen der ersten Oberfläche 222 und der zweiten
Oberfläche 224.
Die Wände
jedes Lochs 226 erweitern sich radial nach außen von
der zentralen Achse 210 in axialer Richtung nach außen, von
der medialen Ebene 215 weg, so daß der Durchmesser jedes Lochs 226 allmählich auf
ein Maximum bei der ersten Oberfläche 222 und der zweiten
Oberfläche 224 zunimmt.
Anders ausgedrückt,
weist jede Oberfläche 222 und 224 einen
hauptsächlich
ebenen Abschnitt auf und die Löcher
bilden Vertiefungen bzw. Einbuchtungen 227 in den Oberflächen 222 und 224,
wobei die Vertiefungen bei der medialen Ebene 215 miteinander
zusammenwachsen. Der Fotolack 216 wird nach dem Abscheiden
des dielektrischen Materials entfernt, und zwar typischerweise bevor
das dielektrische Material gehärtet
ist. Ein Entfernen des Fotolacks 216 hinterläßt zusätzliche
Vertiefungen 228, die von der ersten Oberfläche 222 des
dielektrischen Körpers
zu der metallischen Schicht 200 verlaufen.
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In
der nächsten
Stufe des Prozesses wird ein strukturelles Material, beispielsweise
die oben erläuterten
strukturellen Materialien, auf alle Oberflächen des dielektrischen Körpers 218 plattiert,
einschließlich
den Innenoberflächen
der Löcher 226 und
der Vertiefungen 228. Der Abscheideprozeß kann die
Schritte der Keimbelegung der Oberflächen beinhalten, beispielsweise
indem ein Aussetzen gegenüber
einem flüssigen
Keimverfahren erfolgt oder durch Abscheiden mittels Sputterns. Beispielsweise
kann eine die Adhäsion
unterstützende
Schicht aus Chrom, typischerweise mit einer Dicke von 0,1 Mikron,
aufgetragen werden, der eine Schicht aus Kupfer von 1 Mikron folgt.
Die Keimschicht 230 kontaktiert die metallische Schicht 200 in
den Vertiefungen 228 und ist folglich elektrisch mit der
metallischen Schicht verbunden. Der Rest des strukturellen Materials
wird dann elektroplattiert über
die Keimschicht 230, beispielsweise durch Verbinden einer
elektroplattierenden Spannungsquelle 231 mit der Metallschicht 200 und
Eintauchen der Anordnung in ein Elektroplattierbad mit einer Gegenelektrode
(nicht gezeigt). Das strukturelle Material stimmt überein mit
der Form des dielektrischen Körpers.
Wird das strukturelle Material abgeschieden, so füllt es die
Hälse oder
schmalsten Stellen der Löcher 226 vollständig, um
einen festen Leiter 233 auszubilden, der durch jedes Loch 226 verläuft. Das strukturelle
Material füllt
diese Abschnitte der Löcher
oder Vertiefungen, die an den Oberflächen 222 und 224 des
Körpers
angrenzen, jedoch nicht vollständig.
Anstelle dessen wird das strukturelle Material als Schicht auf den
auswärts
gekrümmten
Wänden
der Löcher 226 abgeschieden,
um eine sich auswärts
erweiternde, hornförmige
Schale 232, integral mit den Leitern 233, innerhalb
jeder Vertiefung 227 bei den Oberflächen 222 und 224 zu
bilden. In ähnlicher
Weise werden die Vertiefungen 228 teilweise durch das abgeschiedene
Material gefüllt,
das eine ähnlich
nach außen
sich aufweitende Schale 234 an der Öffnung jeder derartigen Vertiefung auf
der ersten Oberfläche 222 bildet.
Das strukturelle Metall verbindet auch jede sich nach außen erweiternde Schale 234 mit
dem ebenen Leiter oder der Schicht 200 elek trisch. Das
strukturelle Metall bildet zudem planare Strukturen 236 aus,
welche die Hauptebenenabschnitte der Oberflächen 222 und 224 des
dielektrischen Körpers
bedecken.
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In
der nächsten
Stufe des Prozesses wird ein zusätzlicher
Fotolack 238 über
der strukturellen Metallschicht aufgetragen. Das strukturelle Metall
verbindet auch jede sich auswärts
erweiternde Schale 234 mit der Schicht 200 elektrisch.
Wieder einmal kann eine Spannung durch die Schicht 200 angelegt
werden und folglich mit Hilfe der Schalen aus Schichten 234,
an dem strukturellen Metall. Beispielsweise kann dieser Fotolack
abgeschieden werden bis zu einer Dicke von etwa 25 Mikron. Ein geeigneter
Fotolack wird verkauft unter der Bezeichnung "EAGLE electrophoretic resist" von der Shipley
company aus Marlborough, Massachusetts, und kann in etwa 3 Minuten
bei etwa 200 Volt mit der gewünschten
Dicke abgeschieden werden. Dieser Fotolack wird dann durch Auftragen
einer zellulosehaltigen Beschichtung, Trocknen und Ausheizen, gehärtet. Der
Fotolack 238 wird dann in herkömmlicher Weise unter fotografischer
Belichtung auf beiden Seiten belichtet und entwickelt.
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Die
fotografische Strukturierung wird derart angeordnet, daß allgemein
X-förmige Öffnungen 240 (15) in den Fotolackschichten 238 vorgesehen
sind. Diese Öffnungen überdecken
die Schalen 232 an den Durchgangsleitern 233 und
sind in Überdekkung
mit den potentiell ebenen Schalen oder Kontaktlöchern 234. Die Öffnungen 240 bei
jeder Schale 232 sind um die zentrale Achse 210 der
Schale symmetrisch. Jede Öffnung 240 weist
eine zentrale Zone 241, an der zentralen Achse 210 angrenzend
auf und beinhaltet des weiteren Schlitze 242, die sich
radial von dem zentralen Bereich 241 nach außen, von
der zentralen Achse 210 weg, erstrecken. Die Fotolackschicht
hat daher Vorsprünge 244,
die sich in Richtung der zentralen Achse 210 nach innen
erstrecken. Diese Vorsprünge
beginnen an Orten auf der flachen, metallischen Schicht 236 und verlaufen
radial zu Orten innerhalb der Schalen 232 nach innen. Dadurch
verlaufen die Fotolackabgriffe 244 axial oder vertikal
nach unten, in Richtung der medialen Ebene 215 des Zwischenelemen tekörpers. In
gleicher Weise sind X-förmige Öffnungen 240 bei
den Schalen 234 vorgesehen. Wie am besten unter Bezugnahme
auf die 15 erkennbar
ist, sind die Durchgangslöcher
in dem dielektrischen Körper
und dadurch die zentralen Achsen 210 in einem regelmäßigen, geradlinigen
Gittermuster an Reihen und Spalten angeordnet. Die Schlitze 242 sind
auf Diagonalen dieses Gitters angeordnet. Ein elektrisch leitendes
Verbindungs- bzw. Bondmaterial wie die oben diskutierten, wird dann
auf die Struktur, innerhalb der Öffnungen 240,
plattiert. Das Verbindungsmaterial bedeckt dadurch Teile der Schalen 232 und 234 und
bedeckt auch kleinere Abschnitte der planaren Strukturen 236.
In dieser Stufe des Prozesses sind alle Abschnitte des strukturellen
Metalls noch elektrisch mit der Schicht 200 durchgehend
und folglich kann eine Plattierspannung durch die Schicht 200 zum Elektroplattieren
angelegt werden.
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Der
Fotolack 238 wird dann gestrippt bzw. abgelöst und das
strukturelle Metall geätzt.
Während
dieses Ätzschrittes
wirkt das Verbindungsmaterial 246 als Ätzmaske. Dadurch werden die
Abschnitte des strukturellen Metalls, die zuvor durch die Fotolackschichten 238 bedeckt
waren, entfernt. Dies legt die ebenen Teile der ersten Oberfläche 222 und
der zweiten Oberfläche 224 des
dielektrischen Körpers 218 frei
und hinterläßt Kontakte 250,
die Formen haben, welche den X-Formen der Fenster 238 entsprechen.
An beiden Enden jedes Durchgangsleiters 233 sind Kontakte 250 vorgesehen.
Wie am besten in 17 erkennbar,
weist jeder Kontakt 250 einen im allgemeinen becherförmigen,
zentralen Abschnitt 252, im wesentlichen in der Form eines
Rotationskörpers
um die zentrale Achse 210 auf, mit einem Rand bzw. Hals
oder Außenrand
im Radius Rc von der zentralen Achse. Der
Kontakt weist des weiteren vier Abgriffe 254 auf, die sich
von dem Rand des becherförmigen, zentralen
Abschnitts radial nach außen
erstrecken, wobei jeder derartige Abgriff eine Spitze 256 im
Radius Rt von der Achse 210 hat.
Für Kontakte,
die in einem geradlinigen Gitter bei einem Pitch oder einem Kontakt-zu-Kontakt
Abstand entlang der Reihen und Spalten des Gitters zwischen etwa
0,5 und 1,0 mm (etwa 20 bis 40 mils) angeordnet sind, beläuft sich
Rt typischerweise auf zwischen etwa 100μ und etwa
230μ. Anders ausgedrückt ist
der Maximaldurchmesser jedes Kontaktes, gemessen über die
Spitzen der entgegengesetzt gerichteten Abgriffe, geringer als etwa
0,5 mm und vorzugsweise geringer als etwa 400 μm. Vorzugsweise ist Rc etwa 40 bis etwa 100μ. Die Breite Wt jedes
Abgriffs ist typischerweise etwa 25 bis etwa 50μ und vergrößert sich in Richtung des zentralen
Abschnitts des Kontakts. Der zentrale Abschnitt 252 jedes
Kontakts 250 ist innerhalb einer der Vertiefungen 227 in
den Oberflächen 222 und 224 des
dielektrischen Körpers
angeordnet, während
die Abgriffe 254 vertikal oder axial auswärts von
den zentralen Abschnitten ragen und auswärts von den Vertiefungen in
den Oberflächen
zu den umgebenden planaren Abschnitten der Körperoberflächen verlaufen. Die Abgriffe 254 verlaufen
entlang der Diagonalen zu dem geradlinigen Gitter an Achsen 210.
Die Abgriffe und zentralen Abschnitte beinhalten eine durchgehende,
strukturelle Metallschicht 258, einschließlich Abschnitten,
die ursprünglich
als Schalen 232 ausgebildet sind und anderen Abschnitten,
die ursprünglich
in den planaren Strukturen 236 beinhaltet sind. Die strukturelle
Metallschicht 258 jedes Kontakts 250 ist durchgehend
zu dem strukturellen Metall des dazugehörigen Durchgangsleiters 233.
Die Abgriffe und die zentralen, becherförmigen Abschnitte neigen sich
radial nach außen,
von der Achse 210 weg in die vertikale oder axial auswärts gerichtete
Richtung, weg von der medialen Ebene des Körpers. Auf gleiche Weise gehen
die Schalen 232 über
in die Ebenenleiterkontakte 252 (16). Jeder derartige Ebenenleiterkontakt
hat im wesentlichen die gleiche Ausgestaltung wie die Durchgangsleiterkontakte 250,
ist jedoch metallurgisch mit dem Ebenenleiter oder der Schicht 200 verbunden
bzw. gebondet.
-
Das
Zwischenelement der 10–17 kann zusammengebaut werden
mit Schaltungsfeldern bzw. Schaltplatten oder anderen mikroelektronischen
Bauteilen im Rahmen eines Zusammenbauvorgangs, der ähnlich dem
oben Beschriebenen ist. Bei dem Zusammenbauvorgang wird eines der
Zwischenelemente zwischen jedes Paar Schaltungsfelder 260 gestapelt
bzw. geschichtet. Die Schaltungsfelder 260 haben innere, ebene
Leiter 261. Die Schaltungsfelder 260 haben auch
Signalpads 262, die in einem regelmäßigen, geradlinigen Gittermuster,
entsprechend dem geradlinigen Gitter der Durchgangsleiter 233 angeordnet
sind, Kontaktachsen 210 und Kontakte 250 in dem
Zwischenelement und haben auch ebene, Leiter verbindende Pads 264, wie
beispielsweise Grund- bzw. Erdungs- oder Leistungsebenen-Verbindungspads bei
gewissen Stellen zwischen den Signalpads 262. Die Pads 262 und 264 sind
im wesentlichen quadratisch. Die Seiten der Pads verlaufen in Richtung
der Reihen und Spalten der Anordnung bzw. Matrix an Pads und folglich
fluchten die Diagonalen mit den Diagonalen der Anordnung bzw. Matrix.
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Beim
Stapel- bzw. Schichtvorgang werden die Signalpads 221 in Überdeckung
gebracht mit den Signalkontakten 250, während die Potentialebenenpads 224 in Überdeckung
stehen mit den ebenen Leiterkontakten 252. Werden die Pads
in Überdeckung
gebracht mit den Kontakten 250, so fluchten die Abgriffe 254 der Kontakte
mit den Diagonalen der quadratischen Pads 262. Ein Kontakt 250 ist
in gestrichelten Linien in 18 dargestellt
und überlagert
dabei ein Pad 262. Alle anderen Signalkontakte 250 und
ebenen Leiterkontakte 252 sind auf den dazugehörigen Pads
gleich orientiert. Obgleich lediglich zwei Schaltungsfelder und
ein Zwischenelement in 19 dargestellt
sind, kann der Stapel- bzw. Schichtschritt mit jeglicher Anzahl
an Schaltfeldern und Zwischenelementen durchgeführt werden, die ineinander
geschichtet sind.
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Auch
bei diesem Prozeß werden
die gestapelten bzw. geschichteten Elemente komprimiert und erwärmt. Vorzugsweise
wird während
des Kompressionsschritts ein Vakuum angelegt, um Luft von zwischen
den Schaltungsfeldern und den Zwischenelementen zu entfernen. Werden
die gestapelten bzw. geschichteten Elemente komprimiert, so lagern
die Pads 262 der Schaltungsfelder an den Peripherien der
Kontakte 250, d.h., an den Abgriffen 254, die
an deren Spitzen angrenzen. Wie am besten in
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20 dargestellt ist, führt dieser
Vorgang zur Biegung der Abgriffe nach unten, in Richtung der medialen
Ebene 215 des Zwischenelements und zwingt jeden Abgriff 254 in
die angrenzende Oberfläche 222 oder 224 des
dielektrischen Körpers 218.
Die Wärme,
die während
dieses Vorgangs zugeführt
wird, erweicht das Dielektrikum 218 und vereinfacht folglich
das Biegen der Abgriffe. Wenn sich der Abgriff nach unten biegt, so
bewegt sich die Spitze des Abgriffs radial von der zentralen Achse 210 des
Kontakts nach außen.
Dies wiederum bewirkt, daß die
Oberfläche
des Abgriffs über
die Oberfläche
des erfaßten
Pads streift. Wie oben erläutert,
unterstützt
dieser Streifvorgang die Ausbildung einer wirkungsvollen elektrischen
Verbindung. Da die Abgriffe voneinander an ihren Spitzen getrennt
sind, können
die Abgriffe auf diese Weise radial nach außen gebogen werden, ohne das
strukturelle Material zu reißen
oder im wesentlichen zu brechen. Des weiteren haben die individuellen
Abgriffspitzen relativ kleine Oberflächenbereiche und können in
das darunterliegende Dielektrikum 218 geschoben werden.
Der becherförmige
zentrale Abschnitt 251 jedes Kontakts ist wohl eher steifer als
die Abgriffe. Jedoch ist der zentrale Abschnitt in einer Vertiefung
in der Körperoberfläche angeordnet,
so daß der
zentrale Abschnitt relativ zu den Spitzen der Abgriffe ausgenommen
ist und auch relativ zu der Hauptebene der Körperoberfläche. Der zentrale Abschnitt
erfaßt
daher das Pad nicht und beeinträchtigt
das Biegen der Abgriffe nicht wesentlich. Die ebenen Leiterkontakte 252 funktionieren
in der gleichen Weise. Die während des
Prozesses zugeführte
Wärme aktiviert
auch das leitende Verbindungsmaterial 246, um eine permanente Verbindung
zwischen den Abgriffen des Kontakts und dem dazugehörigen Pad
auszubilden.
-
Das
dielektrische Material auf dem Zwischenelement fließt bzw.
strömt
vorzugsweise bis zu einem Ausmaß,
das ausreicht, um Räume
zwischen den Zwischenelementen und den Felder zu füllen, einschließlich der
Räume um
die erhabenen Leiter auf den Oberflächen der Schaltungsfelder.
Das dielektrische Material des Zwischenelements haftet auch bevorzugt
an den Werk stoffen bzw. Materialien des Schaltungsfelds an. Um ein Anhaften
zu unterstützen,
kann das dielektrische Material während des Herstellschritts
für das
Zwischenelement nur zum Teil gehärtet
werden. Ein Härten
des dielektrischen Materials kann während des Kompressions- und
des Heizschritts des Zusammenbauvorgangs abgeschlossen werden.
-
Verschiedenste
Abänderungen
und Kombinationen der oben beschriebenen Merkmale können vorgenommen
werden, ohne von der vorliegenden Erfindung abzuweichen, wie sie
durch die Ansprüche
definiert ist. Bei einer derartigen Variante können die Oberflächen der
Kontakte, die in Eingriff stehen mit den Pads, mit kleinen Höckern oder
Unebenheiten versehen sein, um ein Abkratzen während der Schleifbewegung vorzusehen. Alternativ
oder zusätzlich
können
Unebenheiten auf den Kontaktpads der Schaltungsfelder vorgesehen
sein. Die Unebenheiten können
aus dem strukturellen Material gebildet sein oder vorzugsweise aus
dem elektrisch leitenden Verbindungs- bzw. Bondmaterial auf den
Oberflächen
dieser Elemente.
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Obgleich
die Zwischenelemente typischerweise in Eingriff mit Schaltungsfeldern
verwendet werden, um Mehrschichtschaltungen zu bilden, können sie
auch mit anderen mikroelektronischen Bauelementen Verwendung finden,
wie beispielsweise Halbleiterchips, aktiven oder passiven Bauteilen,
flexiblen Flachkabeln und ähnlichem.
Die Bauteile, welche die Kontakte beinhalten, werden hier als "Zwischenelemente" bezeichnet, da die
Bauteile im allgemeinen zwischen anderen Bauteilen verwendet werden,
wobei jedoch die Zwischenelemente nicht für eine derartige Verwendung
ausgestaltet sein müssen.
Beispielsweise kann ein Zwischenelement lediglich eine Oberfläche zum
Tragen von Kontakten haben und die Kontakte können mit einem ebenen Leiter
verbunden sein, mit Durchgangsleitern oder anderen Leitern auf oder
innerhalb des Zwischenelements. Der Zwischenelementkörper kann
integral mit dem Körper
eines mikroelektronischen Bauteils wie beispielsweise einem Halbleiterchips,
einer Leiterplatte, einer Keramik- oder anderer Mehrfachchipmodulbasis,
einem flexiblen Kabel, einem Chipkonden sator oder anderen mikroelektronischen
Bauelementen sein. Wie beispielsweise in 21 dargestellt, weist ein Zwischenelementkörper 300 eine
dielektrische Schicht 302 auf, die auf der vorderen Oberfläche 304 eines
Halbleiterchips 306 abgeschieden ist. Die dielektrische
Schicht 302 ist mit Löchern
versehen, die mit den Verbindungspads 308 des Chips fluchten.
Die Kontakte 310, ähnlich
den oben unter Bezugnahme auf die 10–20 erläuterten Kontakten 250,
sind bei Löchern
vorgesehen. Jeder Kontakt 310 ist permanent mit dem dazugehörigen Verbindungspad 308 des
Chips verbunden und folglich mit dem inneren elektrischen Leiter 312 des
Chips verbunden. Beispielsweise kann der Kontakt metallurgisch mit
dem Verbindungspad des Chips während
eines Abschneideprozesses verbunden bzw. gebondet werden, um den Kontakt
auszubilden. Die freigelegte bzw. belichtete Oberfläche 314 der
dielektrischen Schicht 302 bildet die erste oder kontakttragende
Oberfläche
dieses einseitigen Zwischenelements. Im Gebrauch grenzt diese erste Oberfläche an einer
Oberfläche
eines Substrats oder anderem elektrischen Bauelement an und die
Kontakte stehen in Eingriff mit den Verbindungspads auf dem Substrat
und sind damit verbunden unter Verwendung eines Prozesses, wie er
im wesentlichen oben erläutert
wurde. Die Kontakte bei dieser Struktur können auch elektrisch leitendes
Verbindungsmaterial beinhalten und die dielektrische Schicht 302 kann
fließfähige dielektrische
Materialien, Haftmittel oder ähnliches
aufweisen.
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Bei
anderen Varianten der Erfindung können Kontakte mit aufwärts vorstehenden
Abgriffen mehr als vier oder weniger als vier Abgriffe beinhalten.
Auch sind die Spitzen der Abgriffe oberhalb der Oberfläche des Zwischenelementekörpers positioniert,
und zwar mit einem Spalt dazwischen, um das Biegen der Abgriffe nach
unten zu vereinfachen.
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Die
in den 22 bis 25 dargestellten Strukturen
haben Kontakte 425, welche derartige Spalte beinhalten.
Jeder Kontakt 425 weist einen zentralen Abschnitt 451 auf.
Jeder derartige zentrale Abschnitt hat im allgemeinen die Form eines
hohlen Rotationskörpers
mit einer zentralen Achse 410, senkrecht zu der Oberfläche 422 des
Zwischenelements und einen Generator, der sich von der zentralen
Achse weg krümmt.
Die zentralen Abschnitte der Kontakte verbinden sich mit rohrförmigen Durchgangsleitern 480,
angrenzend an der medialen Ebene 415 des Zwischenelementkörpers. Ein
kleiner Rand 429 verläuft
nach radial von der Achse 410 weg, nach außen, und
zwar an dem oberen Ende des zentralen Abschnitts, entfernt von der
medialen Ebene.
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Vier
Abgriffe 454 sind mit dem Rand jedes Kontaktes verbunden.
Die Abgriffe verlaufen von der zentralen Achse weg, radial nach
außen.
Jeder Abgriff hat einen kleinen Höcker oder eine Unebenheit 461,
angrenzend an seiner radial äußersten
Spitze 456. Wie am besten in 23 erkennbar,
sind die Spitzen der Abgriffe 454, in Draufsicht gesehen,
abgerundet. Die Ränder
jedes Abgriffes neigen sich voneinander weg in radialer Richtung
nach innen, weg von der Spitze 456 des Abgriffs, so daß jeder
Abgriff sich aufweitet und reibungslos verbindet mit dem Rand 429 des
zentralen Abschnitts und mit dem nächsten, angrenzenden Abgriff. Dadurch
definieren die Abgriffe zusammenwirkend eine Struktur in der Form
einer abgerundeten und glatten X-Form, mit gekrümmten Rändern an den Verbindungsstellen
zwischen angrenzenden Abgriffen, d.h., an den Verbindungsstellen
der Abgriffe und des Randes 429. Die peripheren Abschnitte
jedes Kontakts, einschließlich zumindest
der Spitzen der Abgriffe 454, sind vertikal oberhalb der
Oberflächen
des Zwischenelementkörpers beabstandet,
so daß Spalte 455 unterhalb
der Spitzen der Abgriffe vorliegen.
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Der
Zwischenelementkörper
beinhaltet eine metallische Schicht bzw. einen metallischen Bogen
oder ebenen Leiter 400, ähnlich den oben erläuterten
ebenen Leitern, zusammen mit einer zusammengesetzten dielektrischen
Schicht. Der Schichtkörper
weist eine erste Schicht 418 aus einem elektrophoretisch
abgeschiedenen Polymer auf, vorzugsweise einem wärmeaushärtenden Polymer wie beispielsweise
den oben erläuterten
Epoxy-Verbindungen,
in Kontakt mit dem ebenen Leiter oder der Schicht 400.
Eine zweite Schicht aus einem fließfähigen, dielektrischen Material,
wie beispielsweise einem thermoplastischen Material relativ hohen Wärmewiderstands,
liegt über
der ersten Schicht. Ein derartiges, fließfähiges dielektrisches Material,
das verwendet werden kann, ist ein Polyetherimid, das verkauft wird
unter der eingetragenen Marke ULTEM.
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Strukturen
gemäß dieser
Anordnung können
hergestellt werden unter Verwendung von Techniken, die ähnlich sind
zu den oben erläuterten.
Daher kann der Zwischenelementekörper
ausgebildet werden unter Verwendung von Abscheidetechniken, ähnlich denjenigen,
wie sie verwendet werden zur Ausbildung des Zwischenelementekörpers der 10–20.
Es wird dann eine temporäre
Schicht, ähnlich
den oben unter Bezugnahme auf die 1–9 erläuterten, auf den Oberflächen des
Körpers
aufgetragen und nach dem Abscheiden des strukturellen Materials
von den Kontakten und Durchgangsleitern entfernt. Wie bei den oben
erläuterten Prozessen,
hinterläßt das Entfernen
der temporären
Schicht die peripheren Abschnitte der Kontakte, in diesem Falle
einschließlich
der Abgriffe 454, und zwar vertikal oberhalb der Oberflächen des
Zwischenelementekörpers,
beabstandet.
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Beim
Zusammenbauprozeß wird
das Zwischenelement mit Schaltungsfeldern, anderen mikroelektronischen
Vorrichtungen, geschichtet und dann komprimiert. Ein derartiges
(Schaltungs-)Feld oder Element 460 grenzt an jede Oberfläche des
Zwischenelements an. Der Zustand der Anordnung unmittelbar nach
dem Stapeln bzw. Schichten, jedoch vor dem Komprimieren, ist in
den 22 und 23 gezeigt. Wie oben erläutert, haben
die Felder quadratische Verbindungspads 462 und Abgriffe 454 liegen
entlang der Diagonalen der quadratischen Verbindungspads. Wenn die
gestapelten Elemente komprimiert werden, so deformieren sich die Kontakte,
wie dies schematisch in den 24 und 25 gezeigt ist. Die Abgriffe 454 deformieren
sich radial nach außen,
von der zentralen Achse 410 weg und biegen sich auch nach
unten, in Eingriff mit den angrenzenden Oberflächen 422 des Körpers. Bei
diesem Vorgang wischen die Spitzen 454 des Zwischenelements
und die Unebenheiten 461 auf den Abgriffen radial auswärts über die
Oberflächen
der Verbindungspads 462. Das Verbindungsmaterial auf den
Kontakten kann dadurch eine wirkungsvolle Verbindung zwischen den
Abgriffen und den Verbindungspads herstellen. Die nach unten gerichtete
oder axiale Bewegung der Kontaktperipherie, insbesondere der Abgriffe 454,
kompensiert auch die vertikalen Toleranzen in der Anordnung. Das
heißt,
falls die Verbindungspads 462 der zusammenpassenden Elemente
nicht perfekt koplanar sind oder falls die Kontakte selbst sich
in ihrer Höhe
geringfügig
unterscheiden, werden die Differenzen aufgenommen durch Differenzen der
Größenordnung
der Deformation in den Abgriffen. Dies trägt zur Zuverlässigkeit
der Anordnung bei.
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Die
dielektrischen Materialien des Zwischenelements, insbesondere das
fließfähige, dielektrische Haftmittel 419,
füllen
jegliche kleineren Räume
unterhalb der Kontakte und um die Kontakte und die Verbindungspads.
Hier wieder füllen
auch die dielektrischen Materialien Räume um Unregelmäßigkeiten
auf den Oberflächen
der Schaltungsfelder. Beispielsweise dort, wo die Schaltungsfelder
Leiter auf ihren freigelegten Oberflächen haben, füllen die
dielektrischen Materialien vorzugsweise die Räume zwischen derartigen Leitern, um
eine im wesentlichen porenfreie Schnittstelle vorzusehen.
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Bei
noch weiteren Varianten kann auf das in den Ausführungsbeispielen der 1–9 verwendete
Füllmaterial
verzichtet werden oder umgekehrt, kann ein derartiges Füllmaterial
in der Struktur der 10–20 beinhaltet sein, wie beispielsweise
durch Positionieren des Füllmaterials
innerhalb der becherförmigen,
zentralen Abschnitte 251 der Kontakte. Auch kann der dielektrische
Zwischenelementkörper
durch andere Techniken hergestellt werden. Beispielsweise kann das
dielektrische Material des Körpers
gegossen sein, wie beispielsweise durch Spritzguß, Druckguß, Plastisoltechniken, Lösemittelgießen oder
andere bekannte Formgebungstechniken. Der gegossene Teil kann Löcher und
Vertiefungen haben, die, wie oben unter Bezugnahme auf die 10, 20 erläutert ist, geformt sind. Beispielsweise
durch Einbringgießen
kann ein ebener Leiter in ein derartiges gegossenes Teil eingebracht
werden. Da diese und andere Abänderungen
und Kombinationen der oben erläuterten
Merkmale verwendet werden können,
ohne von der vorliegenden Erfindung abzuweichen, sollte die vorstehende
Beschreibung der bevorzugten Ausführungsbeispiele lediglich der
Darstellung dienen und bedeutet keine Einschränkung der in den Ansprüchen umrissenen
Erfindung.
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GEWERBLICHE
ANWENDBARKEIT
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Die
Erfindung kann verwendet werden bei der Herstellung elektronischer
Baugruppen.