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Patentes

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Número de publicaciónDE69614195 T2
Tipo de publicaciónConcesión
Número de solicitudDE1996614195
Fecha de publicación18 Abr 2002
Fecha de presentación31 May 1996
Fecha de prioridad31 May 1995
También publicado comoDE69614195D1, EP0746023A2, EP0746023A3, EP0746023B1, US5708299
Número de publicación1996614195, 96614195, DE 69614195 T2, DE 69614195T2, DE-T2-69614195, DE1996614195, DE69614195 T2, DE69614195T2, DE96614195
InventoresSatoshi Teramae, Michiaki Hiyoshi
SolicitanteToshiba Kawasaki Kk
Exportar citaBiBTeX, EndNote, RefMan
Enlaces externos: DPMA, Espacenet
Vielchip pre-kontaktierter Halbleiter
DE 69614195 T2
Resumen  disponible en
Descripción  disponible en
Reclamaciones  disponible en
Citada por
Patente citante Fecha de presentación Fecha de publicación Solicitante Título
DE10048377B4 *29 Sep 200011 Nov 2010Fairchild Korea Semiconductor Ltd., BucheonHalbleiter-Leistungsmodul mit elektrisch isolierender Wärmesenke und Verfahren zu seiner Herstellung
US744977429 Sep 200011 Nov 2008Fairchild Korea Semiconductor Ltd.Semiconductor power module having an electrically insulating heat sink and method of manufacturing the same
US75017006 Ene 200610 Mar 2009Fairchild Korea Semiconductor Ltd.Semiconductor power module having an electrically insulating heat sink and method of manufacturing the same