DE69725880T2 - Niobiumpulver und dieses verwendender elektrolytkondensateur - Google Patents

Niobiumpulver und dieses verwendender elektrolytkondensateur Download PDF

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    • B22F2998/00Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft Kondensatoranoden, die aus Niobpulver erhaltbar sind, elektrolytische Kondensatoren, welche die Anoden umfassen, wie auch Verfahren zur Herstellung der Anoden.
  • Für viele Jahre war es das Ziel verschiedener Forscher, elektrolytische Niob-Kondensatoren zu entwickeln, aufgrund der hohen dielektrischen Konstante dessen Oxids und der relativ niedrigen Kosten des Niobs im Vergleich mit einer Vielzahl anderer Metalle. Anfänglich erwogen die Forscher auf diesem Gebiet die Möglichkeit, Niob als einen Ersatz für Tantal-Kondensatoren zu verwenden. Demzufolge wurden viele Untersuchungen durchgeführt, um die Eignung des Ersatzes von Tantal durch Niob zu überprüfen.
  • In einigen dieser Untersuchungen fand man jedoch heraus, dass Niob ernste grundlegende Mängel aufwies, die gelöst werden mussten, so dass man annahm, dass Niob kein geeigneter Ersatz für Tantal ist. (Siehe J. Electrochem. Soc., S. 408 C, Dez. 1977) In einer anderen Untersuchung war eine erzielte Erkenntnis, dass die Verwendung von Niob in festen elektrolytischen Kondensatoren aufgrund verschiedener physikalischer und mechanischer Eigenschaften sehr unmöglich erschien, wie der Kristallisation (field crystallization) (Electrocomponent Science and Technology, Band 1, S. 27–37 (1974)). Des weiteren nahmen die Forscher in einer anderen Untersuchung an, dass sich anodisch gebildete passive Schichten auf Niob von den elektrischen Eigenschaften unterschieden, die mit Tantal erzielt wurden, und dass die Verwendung von Niob zu einem Aufwand bzw. Umfang führt, der bei Tantal nicht vorhanden ist. (Siehe Electrochimica Act., Band 40. Nr. 16, S. 2623–26 (1995)). Daher zeigten die Beweise bzw. Ergebnisse, dass Niob nicht geeignet war, Tantal auf dem Markt der elektrolytischen Kondensatoren zu ersetzen, obwohl anfangs Hoffnung bestand, dass Niob ein geeigneter Ersatz für Tantal sein könnte.
  • Neben den elektrolytischen Tantal-Kondensatoren gibt es einen Markt für elektrolytische Aluminium-Kondensatoren. Die elektrolytischen Aluminium-Kondensatoren weisen jedoch eine deutlich andere Eigenschaft bezüglich der Leistung im Vergleich mit den elektrolytischen Tantal-Kondensatoren auf.
  • Eine Antriebskraft in heutigen elektrischen Schaltkreisen ist die zunehmende Bewegung zu niedrigem Ersatzserienwiderstand (ESR) und Ersatzserieninduktivität (ESL). Wenn sich die IC-Leistung mit der Submikrongeometrie erhöht, besteht ein Bedart nach niedrigerer Spannungsversorgung und engerem Lärmbereich. Gleichzeitig ertordern zunehmende IC-Geschwindigkeit höhere Leistungsanforderungen. Diese sich widersprechenden Anforderungen erzeugen eine Forderung nach einer besseren Leistungs- bzw. Strommanagement. Dies wird durch verteilte Stromversorgungen erzielt, welche größere Ströme benötigen, um die Geräusche zu entkuppeln. Zunehmende IC-Geschwindigkeiten bedeuten auch niedrigere Schaltzeiten und höhere Stromausgleiche. Der elektrische Schaltkreis muss daher aufgebaut sein, um das kurzfristige Lastverhalten zu reduzieren. Dieser breite Bereich an Anforderungen kann ertüllt werden, sofern der Schaltkreis genug Kapazität aufweist, jedoch einen niedrigen ESR und ESL.
  • Aluminium-Kondensatoren stellen normalerweise die größte Kapazität aller Kondensatorarten dar. ESR erhöht sich mit der Zunahme der Kapazität. Daher werden zur Zeit eine große Anzahl von Aluminium-Kondensatoren mit hoher Kapazität vennrendet, um die obigen Anforderungen zu ertüllen. Aluminium-Kondensatoren ertüllen jedoch nicht wirklich die Anforderungen der Designer bezüglich eines niedrigen ESR und ESL. Ihre mechanische Konstruktion mit einem flüssigen Elektrolyt erzeugt ESR in den 100sten Milliohm zusammen mit einer hohen Impedanz.
  • Es ist der Gegenstand der vorliegenden Erfindung, Kondensatoranoden bereitzustellen, welche aus Niobpulver erhaltbar sind, welche einen niedrigen Gleichspannungsleckstrom und hohe Kapazitäten aufweisen. Des weiteren ist es der Gegenstandd der vorliegenden Erfindung, ein Vertahren zur Herstellung der jeweiligen Kondensatoranoden bereitzustellen.
  • Es ist ein zusätzlicher Gegenstand der Erfindung, Kondensatoren bereitzustellen, welche die Anoden umfassen.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wurde der erste Gegenstand durch eine Kondensatoranode erzielt, welche aus einem Niobpulver mit einer BET-Obertläche von wenigstens 0,5 m2/g erhaltbar ist, wobei die Kondensatoranode einen Gleichspannungsleckstrom von weniger als 5,0 nA/CV aufweist; und durch eine Kondensatoranode, welche durch ein Niobpulver mit einer BET-Obertäche von wenigstens 0,5 m2/g erhaltbar ist, wobei die Kondensatoranode einen Gleichspannungsleckstrom von 5,0 bis 0,50 nA/CV aufweist.
  • Der zweite Gegenstand wird durch ein Vertahren zur Herstellung einer Kondensatoranode erzielt, umfassend die Schritte des Sinterns eines Niobpulvers mit einer BET-Obertläche von wenigstens 0,5 m2/g und anschließend des anodischen Oxidierens der Anode bei einer Spannung von weniger als 60 Volt.
  • Der dritte Gegenstand wird durch einen Kondensator erzielt, umfassend eine Anode der vorliegenden Erfindung.
  • Des weiteren betrifft die vorliegende Erfindung die Verwendung eines Niobpulvers mit einer BET-Oberfläche von wenigstens 0,5 m2/g zur Herstellung einer Kondensatoranode mit einem Gleichspannungsleckstrom von weniger als 5,0 nA/CV oder zu der Herstellung einer Kondensatoranode mit einem Gleichspannungsleckstrom von 5,0 nA/CV bis 0,50 nA/CV.
  • In der vorliegenden Erfindung werden Niobpulver verwendet, welche hohe Oberflächen aufweisen und physikalische Eigenschaften besitzen, welche es ermöglichen, dass die Niobpulver zu Kondensatoren mit hoher Kapazität geformt werden können. Des weiteren weisen die Niobpulver, wenn sie zu Kondensatoren geformt werden, einen niedrigen Gleichspannungsleckstrom auf.
  • Die vorliegende Erfindung macht es möglich, den Gleichspannungsleckstrom in einem aus Niobpulver geformten Kondensator zu reduzieren.
  • Weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden in der nachfolgenden Beschreibung fortgeführt und werden teilweise durch die Beschreibung deutlich oder können bei Ausführung der vorliegenden Erfindung erlernt werden.
  • Vorzugsweise umfassen die Kondensatoranoden der vorliegenden Erfindung eine Nioboxidschicht auf einer Obertäche dieser. Diese Schicht umfasst vorzugsweise eine Niobpentoxidschicht.
  • Die Kondensatoranoden der vorliegenden Erfindung weisen vorzugsweise eine Kapazität von 30.000 CV/g bis 61.000 CV/g auf.
  • Vorzugsweise werden die Kondensatoranoden bei einer Spannung von weniger als 60 Volt gebildet.
  • Vorzugsweise weisen die Kondensatoranoden der vorliegenden Erfindung eine Arbeitsspannung von 4 bis 16 Volt auf.
  • Vorzugsweise verwendet die vorliegende Erfindung ein Niobpulver, welches, wenn es zu einer elektrolytischen Kondensatoranode geformt wird, zu einer Anode mit einer Kapazität von 30.000 CV/g bis 61.000 CV/g führt.
  • Das in der vorliegenden Erfindung verwendete Niobpulver kann einen Sauerstoffgehalt von wenigstens ungefähr 2.000 ppm aufweisen.
  • In der vorliegenden Erfindung kann der Gleichspannungsleckstrom in einer Niobanode, welche aus Niobpulver hergestellt ist, reduziert werden, indem das Niobpulver mit einer ausreichenden Menge Sauerstoff dotiert wird, um den Gleichspannungsleckstrom zu reduzieren.
  • Es sollte verstanden werden, dass sowohl die vorgenannte allgemeine Beschreibung und die folgende detaillierte Beschreibung beispielhaft sind und nur zur Erläuterung dienen und eine weitere Erläuterung der vorliegenden Erfindung bereitstellen, die beansprucht wird.
  • Im Folgenden werden die Zeichnungen kurz beschrieben.
  • 1 zeigt eine Kurve, welche die BET-Oberflächen von Niobpulvern und ihre jeweiligen Kapazitäten zeigt, wenn diese zu Anoden geformt und bei einer Temperatur von 1.750°C gesintert werden.
  • 2 zeigt eine Kurve, welche die BET-Oberfächen von Niobpulvern und ihre jeweiligen Kapazitäten beschreibt, wenn diese zu Anoden geformt und bei einer Temperatur von 1.600°C gesintert werden.
  • 3 zeigt eine Kurve, welche die BET-Oberflächen von Niobpulvern und ihre jeweiligen Kapazitäten zeigt, wenn diese zu Anoden geformt werden und bei einer Temperatur von 1.450°C gesintert werden.
  • 4 zeigt eine Kurve, welche die BET-Oberflächen von Niobpulvern und ihre jeweiligen Kapazitäten darstellt, wenn diese zu Anoden geformt werden und bei einer Temperatur von 1.300°C gesintert werden.
  • 5 ist eine Kurve, welche verschiedene Sintertemperaturen von Niobanoden zeigt, und ihre jeweilige berechnete maximale Kapazität.
  • 6 zeigt eine Kurve, welche den Sauerstoffdotiergehalt der Niobpulver wie auch ihren jeweiligen Gleichspannungsleckstrom zeigen, wenn diese zu Anoden geformt werden und bei unterschiedlichen Temperaturen gesintert werden unter Verwendung einer Formierungsspannung von 50 Volt.
  • 7 zeigt eine Kurve, welche Niobpulver darstellt, mit verschiedenen Dotierlevel von Sauerstoff, wie auch den jeweiligen Gleichspannungsleckstrom, wenn diese zu Anoden geformt werden und bei verschiedenen Temperaturen gesintert werden, unter Verwendung einer Formierungsspannung von 30 Volt.
  • 8 zeigt eine Kurve, welche die Wirkung verschiedener Anteile von Phosphordotiermitteln in Niobpulver darstellt, und die jeweiligen Kapazitäten, wenn diese zu Anoden geformt werden.
  • 9 ist eine Kurve, welche die Wirkung verschiedener Phosphordotierlevel von Niobpulver darstellt, und den jeweiligen Gleichspannungsleckstrom, wenn diese zu Anoden geformt werden.
  • Im Folgenden wird vorliegende Erfindung im Detail beschrieben.
  • In einem Gegenstand der vorliegenden Erfindung wird ein flockenförmiges Niobpulver verwendet. Das flockenförmige Niobpulver kann als flach, plattenförmig und/oder als Plättchen charakterisiert werden. Des weiteren weist das flockenförmige Niobpulver ein Aspektverhältnis (Verhältnis von Durchmesser zu Dicke) von 3 bis 300 und vorzugsweise von 3 bis 30 auf. Das flockenförmige Niobpulver stellt aufgrund seiner Morphologie eine vergrößerte Obefläche zur Verfügung. Vorzugsweise beträgt die BET-Obefläche des flockenförmigen Niobpulvers wenigstens 1,0 m2/g und noch bevorzugter wenigstens 2,0 m2/g. Bevorzugte Bereiche der BET-Oberfläche des flockenförmigen Niobpulvers betragen zwischen 1,0 m2/g bis 5,0 m2/g und bevorzugter von 2,0 m2/g bis 5,0 m2/g oder von 2,0 m2/g bis 4,0 m2/g. Die BET-Bereiche beziehen sich auf voragglomerierte flockenförmige Niobpulver.
  • Das flockenförmige Niobpulver kann agglomeriert sein. Das flockenförmige Niobpulver kann auch hydriert oder nicht hydriert sein. Das flockenförmige Niobpulver weist vorzugsweise eine Scott-Dichte von weniger als 2,14 g/cm3 (35 g/in3) auf und bevorzugter von weniger als 0,73 g/cm3 (12 g/in3) und besonders bevorzugt weniger als 0,31 g/cm3 (5 g/in3). Vorzugsweise weist das agglomerierte flockenförmige Niobpulver ein Fliessvermögen von mehr als 80 mg/s, bevorzugter von 80 mg/s bis 500 gm/s auf.
  • Das flockenförmige Niobpulver kann hergestellt werden, indem ein Niob-Ingot bzw. -Barren genommen wird und der Ingot versprödet wird, indem er Wasserstoffgas zum Hydrieren ausgesetzt wird. Der hydrierte Ingot kann anschließend zu einem kantigen bzw. splittrigen Pulver zermahlen werden, z. B. unter Verwendung eines Backenbrechers. Der Wasserstoff kann dann durch Erwärmen in einem Vakuum entfernt werden und das entgaste kantige Pulver kann dann einem Mahlen unterworfen werden, wie einem Mahlen unter Verwendung einer bewegten Kugelmühle, wobei das Pulver in einem Fluidmedium (wässrig oder nicht-wässrig), wie Ethanol, dispergiert wird und das flockenförmige Pulver durch den Aufprall von rostfreien Stahlkugeln gebildet wird, welche durch die Wirkung rotierender Barren bewegt werden. Verschiedene Größen von Flocken können durch die Wasserstoffversprödung erzielt werden, gefolgt von das Unterwerfen der Flocken einer Stoßmahlung, z. B. unter Verwendung einer Wirbelbettstrahlmühle, Vortec-Mühle oder anderen geeigneten Mahlschritten.
  • Das flockenförmige Niobpulver kann gegebenenfalls einen hohen Sauerstoffgehalt aufweisen, wie durch das Dotieren. Die Menge des Sauerstoftdotierungsanteils kann wenigstens 2.000 ppm betragen. Bevorzugter Weise weist das flockenförmige Niobpulver einen Sauerstoffgehalt von 2.000 ppm bis 20.000 ppm und bevorzugter von 2.750 ppm bis 10.000 ppm und besonders bevorzugt von 4.000 ppm bis 9.000 ppm auf. Das Dotieren des Niobpulvers mit Sauerstoff kann auf verschiedenen Wegen durchgeführt werden, umfassend das wiederholte Erwärmen im Vakuum bei 900°C und Abkühlen in Luft, jedoch nicht darauf begrenzt.
  • Des weiteren kann das flockenförmige Niobpulver auch mit Phosphor allein oder mit Sauerstoff dotiert werden. Das Dotieren des Niobpulvers mit Phosphor ist auch optional. In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung liegt die Menge des Phosphordotiermittels des Niobpulvers bei weniger als 400 ppm und bevorzugter weniger als 100 ppm und besonders bevorzugt bei weniger als 25 ppm.
  • Basierend auf einem im Nachhinein angeführten Beispiel kann die Menge des Phosphordotiermittels in Bezug auf den Gleichspannungsleckstrom und die Kapazität einer Anode unwichtig sein, welche aus einem Niobpulver gebildet wird, das verschiedene Anteile an Phosphor als Dotiermittel aufweist. Demzufolge sind in einer Ausführungsform geringe Mengen an Phosphor und sogar vemachlässigbare Mengen oder kein Phosphor vorhanden, da Phosphor einen geringen oder keinen Vorteil bezüglich des Gleichspannungsleckstromes und der Kapazität in Bezug auf bestimmte Anoden aufweist, die aus den Niobpulvern gebildet werden.
  • In einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet die vorliegende Erfindung Niobpulver (z. B. flockenförmiges, kantiges, kugeliges oder Mischungen dessen) mit einem beträchtlichen Maß an Sauerstoff, welches in dem Niobpulver vorhanden ist. Der Sauerstoffanteil kann auf die gleiche Weise wie oben beschrieben erzielt werden. Vorzugsweise beträgt die Menge des Sauerstoffs in dem Niobpulver wenigstens 2.000 ppm, und bevorzugter zwischen 2.000 ppm bis 20.000 ppm. Andere bevorzugte Bereiche des Sauerstoffgehalts in dem Niobpulver sind von 2.750 ppm bis 10.000 ppm und Maße zwischen 4.000 ppm bis 9.000 ppm. In Bezug auf diese Niobpulver kann, ähnlich bei der Ausführungsform, welche das flockenförmige Niobpulver betrifft, das Phosphormaß in dem Niobpulver sehr gering bei einigen Ausführungsformen sein. Vorzugsweise liegt bei diesen Ausführungsformen der Phosphoranteil (als Dotiermittel) bei weniger als 400 ppm und vorzugsweise als weniger 100 ppm und besonders bevorzugt weniger als 25 ppm.
  • In einer anderen Ausführungsform verwendet die vorliegende Erfindung Niobpulver (z. B. flockenförmiges, kantiges, knollenförmiges oder deren Mischungen) mit einer BET-Oberfläche von wenigsten 0,5 m2/g und vorzugsweise wenigstens 1,0 m2/g und besonders bevorzugt wenigstens 2,0 m2/g. Besonders bevorzugt liegt die BET-Oberfläche von Niobpulver bei 1,0 bis 5,0 m2/g oder 2,0 bis 4,0 m2/g und besonders bevorzugt zwischen 2,0 bis 5,0 m2/g. Die BET-Bereiche beziehen sich auf vor-agglomerierte Niobpulver. Des Niobpulver kann hydriert oder nicht hydriert sein. Des weiteren kann das Niobpulver agglomeriert sein. Das Niobpulver in dieser Ausführungsform kann mit Stickstoff dotiert sein. Bei bestimmten Verwendungen kann das Niobpulver einen Sauerstoffgehalt unter ungefähr 2.000 ppm aufweisen.
  • In Bezug auf die Herstellung des flockenförmigen Niobpulvers oder des Niobpulvers mit einer Morphologie mit der BET-Oberfläche, zeigen die Beispiele die bevorzugten Schritte zur Bildung des Niobpulvers, welche dann nachfolgend zu Flocken oder in einer anderen Morphologie ausgebildet werden können. Im allgemeinen ist das Verfahren wie folgt und die Beispiele liefern spezifische Details bevorzugter Ausführungsformen der Herstellung von Niobpulvern der vorliegenden Erfindung.
  • Im allgemeinen wird bei der Herstellung der Niobpulver mit einer BET-Oberfläche von wenigstens 0,5 m2/g ein Niob-Ingot hydriert, indem es in einem Vakuum erwärmt wird, um einen versprödeten Ingot zu bilden, welcher zu einem Pulver zermahlen wird. Der Wasserstoff in den Pulvern kann wahlweise entfernt werden, indem die Teilchen in einem Vakuum erwärmt werden. Die verschiedenen BET-Oberflächen können erzielt werden, indem das Pulver einem Mahlen unterworfen wird, vorzugsweise einem Attritor-Mahlvertahren. Je höher die BET-Oberfläche des Pulvers ist, desto länger ist die Mahldauer. Zum Beispiel kann bei einer Mahldauer von ungefähr 60 Minuten eine BET-Oberfläche von ungefähr 1,0 m2/g erzielt werden. Um noch höhere BET-Oberflächen zu erzielen, werden längere Mahldauern notwendig, um die BET-Oberflächen von 4 bis 5 m2/g oder mehr zu erzielen, sind Mahldauern in der Größenordnung von ungefähr 24 Stunden oder mehr in einer Attritormühle eine Weise, solche Niobpulver mit hohen BET-Oberflächenbereichen herzustellen. Wenn solche hohen Oberflächen hergestellt werden, ist es bevorzugt, eine 30-SL Union Process Attritormühle zu verwenden, unter Verwendung von 454 kg (1.000 Ibs), 4,76 mm (3/16'') SS-Medium und ungefähr 36,32 kg (80 Ibs) Niobpulver, wobei die Mühle mit einer Rotation von ungefähr 130 U/Min. betrieben wird. Des weiteren enthält die Mühle eine ausreichende Menge eines Mediums, wie Ethanol in der Größenordnung von 49,2 l (13 Gallonen) oder mehr. Nach dem Mahlen werden die Niobpulver einer Wärmebehandlung unterworfen und vorzugsweise können die Niobpulver einen Phosphoranteil aufweisen, um die Minimierung der Reduktion der Oberfläche während der Wärmebehandlung zu unterstützen. Die Wärmebehandlung kann bei jeder Temperatur durchgeführt werden, die ausreichend ist, um eine Agglomeration zu bewirken, ohne die Oberfläche zu verringern. Eine Temperatur für die Wärmebehandlung, welche verwendet werden kann, liegt bei ungefähr 1.100°C für 30 Minuten.
  • Die Temperatur und die Dauer können jedoch verändert werden, um sicherzustellen, dass die hohe BET-Oberfläche nicht reduziert wird. Die oben beschriebenen verschiedenen Niobpulver können weiter durch die elektrischen Eigenschaften charakterisiert werden, welche aus der Bildung eines Kondensators unter Verwendung des Niobpulvers gemäß der vorliegenden Erfindung resultieren. Im allgemeinen können die in der vorliegenden Erfindung verwendeten Niobpulver bezüglich ihrer elektrischen Eigenschaften überprüft werden, indem das Niobpulver zu einer Anode gepresst wird und das gepresste Niobpulver bei geeigneten Temperaturen gesintert wird und die Anode anodisiert wird, um eine elektrolytische Kondensatoranode herzustellen, welche danach bezüglich ihrer elektrischen Eigenschaften überprüft werden kann.
  • Eine andere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung betrifft Kondensatoranoden, gebildet aus Niobpulvem, gemäß der vorliegenden Erfindung. Anoden aus einigen der Niobpulvern der vorliegenden Erfindung können eine Kapazität von 30.000 CV/g bis 61.000 CV/g aufweisen. Beim Formen der Kondensatoranoden der vorliegenden Erfindung wird eine Sintertemperatur verwendet, die die Bildung einer Kondensatoranode mit gewünschten Eigenschaften ermöglicht. Vorzugsweise liegt die Sintertemperatur zwischen 1.200°C bis 1.750°C und bevorzugter zwischen 1.200°C bis 1.400°C, und besonders bevorzugt zwischen 1.250°C bis 1.350°C.
  • Die aus den Niobpulvern gemäß der vorliegenden Erfindung geformten Anoden werden bei einer Spannung von weniger als 60 Volt und vorzugsweise zwischen 30 bis 50 Volt und besonders bevorzugt bei 40 Volt gebildet. Vorzugsweise liegen die Arbeitsspannungen der Anoden, welche aus den Niobpulvern der vorliegenden Erfindung gebildet werden, zwischen 4 bis 16 Volt und besonders bevorzugt zwischen 4 bis 10 Volt. Des weiteren weisen die Anoden der vorliegenden Erfindung, gebildet aus den Niobpulvem, einen Gleichspannungsleckstrom von weniger als 5,0 nA/CV auf. In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weisen die Anoden der vorliegenden Erfindung, gebildet aus einigen der Niobpulvern, einen Gleichspannungsleckstrom von 5,0 nA/CV bis 0,50 nA/CV auf.
  • Die vorliegende Erfndung betrifft auch eine Kondensatoranode gemäß der vorliegenden Erfindung mit einer Nioboxidschicht auf deren Oberfläche. Vorzugsweise umfasst die Nioboxydschicht eine Niobpentoxidschicht.
  • Die Kondensatoren der vorliegenden Erfindung können in einer Vielzahl von Endverwendungen eingesetzt werden, wie in der Elektronik von Kraftfahrzeugen; Mobiltelefonen; Computern, wie in den Monitoren, Motherboards und dgl., in der Elektronik von Fernsehern und Bildröhren; Druckern/Kopierern; Stromversorgungen; Modems; Notebooks; und Disk-Drives.
  • Die vorliegende Erfindung wird durch die folgenden Beispiele näher erläutert, welche für die Erfindung beispielhaft sein sollen.
  • TEST-VERFAHREN
  • Nerstellung der Anode:
    • Größe – 0,5 cm (0,197'') Durchmesser
    • 3,5 Dp
    • Pulvergewicht = 341 mg
  • Sintern der Anode:
    • 1.300°C 10 Min.
    • 1.450°C 10 Min.
    • 1.600°C 10 Min.
    • 1.750°C 10 Min.
  • 30V EV-Anodisierung:
    • 30V Ef bei 60°C/0,1% HP3O4 Elektrolyt
    • 20 mA/g konstanter Strom
  • Gleichspannungsleckstrom/Kapazität – ESR-Überprüfung:
    • Gleichspannungsleckstrom-Überprüfung – 70% EV (21 VDC) Testspannung 60 Sekunden Ladungsdauer 10% HP3O4 bei 21 °C
    • Kapazität – DF-Überprüfung: 18% H2SO4 bei 21 °C 120 Nz
  • 50 V Ef-Reform Anodisierung:
    • 50 V Ef bei 60°C/0,1% HP3O4 Elektrolyt
    • 20 mA/g konstanter Strom
  • Gleichspannungsleckstrom/Kapazität: – ESR-Überprüfung
    • Gleichspannungsleckstrom-Überprüfung – 70% Ef (35 VDC) Testspannung 60 Sekunden Ladungsdauer 10% HP3O4 bei 21 °C
    • Kapazität – DF-Überprüfung: 18% H2SO4 bei 21 °C 120 Hz
    • 75 V Ef Reform Anodisierung:
    • 75 V Ef bei 60°C/0,1% HP3O4 Elektrolyt
    • 20 mA/g konstanter Strom
  • Gleichspannungsleckstrom/Kapazität – ESR-Überprüfung:
    • Gleichspannungsleckstromüberprüfung – 70% Ef (52,5 VDC) Testspannung 60 Sekunden Ladungsdauer 10% HP3O4 bei 21 °C
    • Kapazität – DF-Überprüfung: 18% H2SO4 bei 21 °C 120 Hz
  • Die Scott-Dichte, Sauerstoffanalyse, Phosphoranalyse und BET-Analyse wurden gemäß der Verfahren durchgeführt, die in den US-Patenten Nr. 5,011,742; 4,960,471; und 4,964,906 beschrieben.
  • BEISPIEL 1 (Vergleich)
  • Dieses Beispiel zeigt eine vergleichende Ausführungsform umfassend kantiges Niobpulver. Ein Elektronenstrahl-hergestellter Niob-Ingot wurde hydriert, indem der Ingot in einem Vakuum mit 1,3 × 10–2 Pa (10–4 Torr) auf 850°C für 120 Minuten erwärmt wurde. Das Vakuum wurde durch Wasserstoffgas ersetzt, welches mit 21 kPa über einen ausreichenden Zeitraum eingeführt wurde, um den Ingot zu verspröden. Das Vakuum wurde anschließend auf –28'' Quecksilber abgepumpt und mit Argon auf –5'' Hg angefüllt. Der Druck wurde beibehalten bis sich die Temperatur, gemessen durch ein Arbeitsthermoelement, stabilisierte. Luft wurde stufenweise bei einem sich erhöhenden Druck eingeführt, so dass sich die Arbeitstemperatur nicht erhöhte. Das versprödete Ingot wurde in einem Backenbrecher zu einem kantigen Pulver zermahlen und klassifiziert, indem das Pulver aussortiert wurde, welches durch ein Nr. 325 Sieb passte (entsprechend einer Teilchengröße von 44 Mikrometer). Wasserstoff wurde aus den größenreduzierten, wasserstoffreduzierten Teilchen entfernt, indem die Teilchen auf 850°C in einem Vakuum erwärmt wurden, bis der Druck nicht länger durch den von den Teilchen emittierte Wasserstoff beeinflusst wurde, um ein kantiges Niobmetallpulver mit einer Fisher Sub Sieve-Größe von 10,6 Mikrometer, einer Scott-Dichte von 2,67 g/cm3 (43,8 g/in3), einer voragglomerierten BET-Oberfläche von 0,17 m2/g und 1.770 ppm Sauerstoff zu erzielen; wobei das Verhältnis von Sauerstoff zu der BET-Obertläche 10.400 ppm O/m2/g betrug und der Durchfluss 19 mg/sec. Ungefähr 0,34 g Proben des nicht-agglomerierten kantigen Niobpulvers wurde in einer Anodenform mit 5 mm im Durchmesser um einen 0,6 mm Durchmesser Niob-Bleidraht auf eine Dichte von 3,5 g/cm3 gepresst. Proben des gepressten Niobpulvers wurden in einem Vakuum (bei weniger als 103 Pa) bei vier unterschiedlichen Temperaturen gesintert, d. h. 1.300, 1.450, 1.600 und 1.750°C für 10 Minuten, anschließend anodisiert, indem 20 mA/g konstanter Strom bei 50 V an die Anode angelegt wurden, die in 0,1 Gew.-% Phosphorsäure eingetaucht war, um elektrolytische Kondensatoranoden herzustellen, welche gewaschen und getrocknet wurden. Die Kondensatorleistungseigenschaften, ermittelt durch die Messungen der Anoden, welche in 18 Gew.-% Schwefelsäure eingetaucht wurden, sind in der Tabelle 1 angeführt. Die Kapazität, bestimmt bei einer Frequenz von 120 Hertz, ist in der Einheit Mikrofarad Volt je Gramm (CV/g) angegeben und Mikrofarad Volt je Kubikzentimeter des Anodenvolumens (CV/cc); der Gleichspannungsleckstrom, gemessen nach 1 Minute Ladung mit 35 Volt, wird in den Einheiten Nanoamper je Mikrofarad-Volt dargestellt (nA/CV).
  • BEISPIEL 2 (Vergleich)
  • Dieses Beispiel zeigt eine vergleichende Ausführungsform umfassend eine agglomerierte Mischung aus kantigem und flockenförmigem Pulver. 1,135 kg (2,5 Ibs) entgastes kantigen Pulver, hergestellt im wesentlichen auf die Weise von Beispiel 1, wurde in einer 1-S Union Process Attritor-gerührten Kugelmühle (285 Umdrehungen je Minute für 90 Minuten) verarbeitet, wobei das Pulver in 2.400 ml Ethanol-Medium und 18,16 kg (40 Ibs), 4,76 mm (3/16") 440 SS Medium dispergiert war, zu flockenförmigem Pulver durch den Aufprall der rostfreien Stahlkugeln, welche sich durch die Bewegung der rotierenden Barren bewegten. Nach der gewünschten Vertormung zu Flocken wurde das Niobpulver entfernt und gewaschen, um jeden vorhandenen Alkohol zu entfernen. Das Niobpulver wurde mit einer Mischung aus entionisiertem Wasser, Flusssäure und Salzsäure in einer Menge von 500 ml/0,454 kg (500 ml/lb), 4 ml/0,454 kg (4 ml/lb) und 250 ml/0,454 kg (250 ml/lb) Niob gewaschen (18,6% HCl enthaltend 22 ml/kg HF), um die Metallverunreinigungen zu entfernen (z. B. Nickel, Eisen oder Chrom übertragen von dem Kontakt mit den rostfreien Stahlkugeln). Anschließend wurde das Niobpulver erneut mit entionisiertem Wasser gewaschen und dann getrocknet. Das sauere gewaschene flockenförmige Pulver wurde in Luft bei 85°F (30°C) getrocknet und wies ein Aspektverhältnis (bestimmt durch die Beobachtung mit einem Mikroskop) in dem Bereich von 50 bis 70 auf. Das flo ckenförmige Pulver wurde mit dem kantigen Ausgangspulver vermischt (in dem Gewichtsverhältnis von 30 : 70) und mit einem phosphorhaltigen Pulver, d. h. NH4Pf6, in einer Menge um 60 ppm Phosphor bereitzustellen, welches als ein Kornverzögerungsmittel dient, um die Reduktion der Oberfläche während der nachfolgenden Wärmebehandlung zur Agglomerierung minimiert. Die BET-Oberfläche vor dem Agglomerieren betrug 0,31 m2/g. Die gemischten Pulver wurden durch Erwärmen in einem Vakuum bei 1.100°C für 30 Minuten agglomeriert, um eine agglomerierte Masse zu bilden. Das Agglomerationsverfahren wurde auf solch eine Weise durchgeführt, dass das Material auf ein hohes Vakuum gepumpt wurde und mit einer Rampengeschwindigkeit von 3°C/Minute auf 700°C erwärmt wurde und zum Ausgasen gehalten wurde bis der hohe Druck erzielt wurde. Das Erwärmen wurde in dem Ofen mit einer Rampengeschwindigkeit von 8°C/Minute auf 1.100°C unter hohem Druck fortgesetzt und für 30 Minuten gehalten. Das Material wurde dann in dem Ofen abgekühlt und das Material wurde manuell durch Aussetzen an Luft passiviert. Das Material wurde anschließend durch den Backenbrecher in kleinere agglomerierte Teilchen reduziert; wobei die reduzierten Teilchen durch ein Nr. 50 Sieb passten (entsprechend einer maximalen Agglomerationsteilchengröße von 300 Mikrometer), zeigten eine Scott-Dichte von 1,3 g/cc (21,7 g/in3), eine BET-Oberfläche von 0,26m2/g, einen Sauerstoffgehalt von 3.693 ppm und einen Phosphorgehalt von 25 ppm; das Verhältnis von Sauerstoff zu der BET-Oberfläche betrug 14.000 ppm O/m2/g und die Fliessgeschwindigkeit von 22 mg/Sek. Das agglomerierte Pulver wurde zu Anoden verarbeitet und bezüglich der elektrischen Eigenschaften auf die Weise des Beispiels 1 überprüft, welche in Tabelle 1 dargestellt sind.
  • BEISPIEL 3
  • Dieses Beispiel zeigt eine Ausführungsform des Pulvers der Erfindung umfassend agglomeriertes flockenförmiges Pulver. Mit Säure ausgelaugtes flockenförmiges Pulver mit einem Aspektverhältnis von 50 bis 70 wurde im wesentlichen wie in Beispiel 2 erläutert hergestellt (Zyklusdauer 60 Minuten) mit der Ausnahme, dass das Niobpulver ein zweitesmal hydriert wurde, durch das Aussetzen an Wasserstoff bei 20,7 kPa (3 psig) und 850°C, um brüchige Flocken bereitzustellen, welche gekühlt und in der Größe reduizert wurden durch Selbstaufprall in einer Wirbelbettstrahlmühle (erhalten von Hosokawa Micron Powder Systems, Summit, NJ), so dass das flockenförmige Pulver eine mittlere Teilchengröße von 6 Mikrometer aufwies, bestimmt durch ein Laserteilchengrößen-Scannen). Die BET-Oberfläche vor dem Agglomerieren betrug 0,62 m2/g. Das in der Größe reduzierte flockenförmige Pulver wurde durch Erwärmen in einer Wasserstoffatmosphäre durch Erwärmen des Ofens mit einer Geschwindigkeit von 10°C/Minute auf 1.050°C in einem Vakuumofen agglomeriert und durch Halten dieser Temperatur, bis sich der Ofendruck auf unter 10 μm (Mikron) verringerte. Grobe Tantalchips (10–20 mesh) wurden als ein Sauerstoffgetter in einem Gewichtsverhältnis von 1 Nb zu 1–1,5 Ta verwendet. Der Ofen wurde anschließend erneut mit Wasserstoff gefüllt, um einen Druck von 47,88 kPa (360 mmHg) zu erhalten und die Ofentemperatur wurde anschließend auf 1.200°C erhöht und für 1 Stunde gehalten. Der Sauerstoff wurde anschließend evakuiert bis sich der Ofendruck auf weniger als 1 μm (Mikron) verringerte, und der Ofen wurde auf Raumtemperatur abgekühlt. Das Niobpulver wurde anschließend in Luft für 30 Zyklen passiviert, wobei der Betriebsdruck bei jedem Zyklus um 2,66 kPa (20 Torr) erhöht wurde und 2 Minuten gehalten wurde, bevor die nächste Rückfüllung mit Luft begann. Das agglomerierte Niobpulver wurde in der Größe mit einem Backenbrecher zu agglomerierten Teilchen reduziert; das reduzierte agglomerierte flockenförmige Niobpulver wurde durch sieben durch ein Nr. 50 Sieb abgetrennt (entsprechend einer maximal agglomerierten flockenförmigen Teilchengröße von 300 Mikrometer) und zeigte eine Scott-Dichte von 1,21 g/cc (20,4 g/in3), eine BET-Obertäche von 0,46 m2/g, einen Sauerstoffgehalt von 8.760 ppm, das Verhältnis des Sauerstoffs zur BET-Oberfläche betrug 19.000 ppm O/M2/g, und eine Fließgeschwindigkeit von weniger als 1 mg/Sek. Das agglomerierte Pulver wurde zu Anoden hergestellt und bezüglich der elektrischen Eigenschaften auf die Weise wie in Beispiel 1 überprüft und diese sind in Tabelle 1 dargestellt.
  • BEISPIEL 4
  • Dieses Beispiel zeigt eine weitere Ausführungsform des Pulvers der Erfindung, umfassend ein agglomeriertes flockenförmiges Niobpulver mit hoher Oberfläche und wenig Sauerstoff. Niobpulver wurde auf die gleiche Weise wie in Beispiel 3 hergestellt, mit der Ausnahme, dass das Niobpulver 90 Minuten in einer Attritormühle gemahlen wurde, und die Wärmebehandlung in einem Vakuum bei 1.150°C 30 Minuten durchgeführt wurde. Die BET-Oberfläche vor der Agglomerierung betrug 0,85m2/g. Der Sauerstoffgehalt der Mengen der flockenförmigen Niobpulver, hergestellt im wesentlichen auf die Weise wie in Beispiel 3, wurde reduziert, indem das Niobpulver, welches mit 4 – 5 Gew.-% Magnesiumpulver vermischt war, unter Argon bei einer Temperatur in dem Bereich von 750 bis 850°C 2 Stunden erwärmt wurde. Der Magnesiumgehalt wurde so eingestellt, dass er in dem Bereich von 2 bis 3 mal der stöchiometrischen Menge des Sauerstoffs in dem Niob pulver lag. Nach dem Abkühlen wurde das restliche Magnesium und Oxide aus dem agglomerierten flockenförmigen Niob durch Salpetersäure-Auslaugen entfernt. Desoxidiertes flockenförmiges Niob wurde mit Wasser gewaschen, getrocknet und durch das Sieb mit einem Nr. 50 Sieb abgetrennt. Die gesiebten Niobflocken zeigten eine Scott-Dichte von 1,47 g/cc (24,1 g/in3), eine BET-Oberfläche von 0,96 m2/g, einen Sauerstoffgehalt von 3.130 ppm, das Verhältnis von Sauerstoff zur BET-Oberfläche betrug 3.260 ppm O/m2/g und eine Fließgeschwindigkeit 76 mg/Sek. Das agglomerierte Pulver wurde zu Anoden verarbeitet und bezüglich der elektrischen Eigenschaften wie in Beispiel 1 überprüft, und diese sind in Tabelle 1 dargestellt.
  • TABELLE 1 Sintertemperatur
    Figure 00160001
  • BEISPIEL 5
  • Ein Niobpulver wurde auf die gleiche Weise wie in Beispiel 4 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die Wärmebehandlung in einem Vakuum bei 1.250°C 30 Minuten durchgeführt wurde. Die BET-Oberfläche vor dem Agglomerieren betrug 0,78m2/g. Das Pulver wurde zu einer Anode wie in Beispiel 1 geformt, und wies die folgenden Leistungseigenschaften auf:
  • Figure 00170001
  • BEISPIEL 6
  • Ein Niobpulver wurde auf die gleiche Weise wie in Beispiel 4 hergestellt, mit der Ausnahme, dass das Niobpulver in einer Attritormühle 150 Minuten gemahlen wurde und die Wärmebehandlung in einem Vakuumofen durchgeführt wurde, wobei der Druck nach unten auf 1 Mikron gepumpt wurde und anschließend die Temperatur mit 50°C/Minute auf 950°C erhöht und gehalten wurde, bis das hohe Vakuum erzielt wurde. Die Temperatur wurde anschließend in 15°C Stufen erhöht, bis eine Temperatur von 1.250°C erzielt wurde und diese Temperatur wurde für 30 Minuten gehalten. Das Material wurde anschließend auf Raumtemperatur unter Vakuum abgekühlt und für 30 Zyklen passiviert, wobei der Druck nach jedem Zyklus um 2,66 kPa (20 Torr) erhöht wurde und 2 Minuten gehalten wurde, bevor die nächste Befüllung mit Luft begann. Das Pulver wurde anschließend in einem –50 mesh Backenbrecher zermahlen und desoxidiert, indem das Pulver mit 4% w/w Magnesiummetall gemischt wurde und das Material in einen Retortenofen eingeführt wurde und auf 100 μm (Mikron) abgepumpt wurde. Die BET-Oberfläche vor dem Agglomerieren betrug 1,05 mm2/g. Der Ofen wurde anschließend mit Argon auf einen Druck von 106,4 kPa (800 Torr) befüllt und die Temperatur auf 800°C erhöht und für 2 Stunden gehalten. Das Material wurde anschließend auf Raumtemperatur abgekühlt und in Luft für 30 Zyklen auf die gleiche Weise wie oben in Beispiel 3 angeführt, passiviert. Das Material wurde anschließend mit einer Mischung aus entionisiertem Wasser [500 ml/0,454 kg (500 ml/Ib)], Salzsäure [4 ml/0,454 kg (4 ml/Ib)] und Salpetersäure [250 ml/0,454 kg (250 ml/Ib)] gewaschen. Das Pulver wurde anschließend mit entionisiertem Wasser gewaschen und getrocknet. Das Niobpulver wurde anschließend zu einer Anode geformt wie in Beispiel 1 und wies die folgenden Leistungseigenschaften auf.
  • Figure 00180001
  • BEISPIEL 7
  • Das Niobpulver wurde auf die gleiche Weise wie in Beispiel 6 hergestellt, mit der Ausnahme, dass das Niobpulver vor der Wärmebehandlung mit Phosphor vermischt wurde, um eine Phosphorbeladung von 56 ppm zu erzielen. Die BET-Oberfläche vor dem Agglomerieren betrug 1,05 m2/g. Das Material wurde wie in Beispiel 3 hydriert und zermahlen, wärmebehandelt und wie in Beispiel 6 desoxidiert. Das Niobpulver wurde anschließend wie in Beispiel 1 zu einer Anode geformt und wies die folgenden Leistungseigenschaften auf:
  • Figure 00180002
  • BEISPIEL 8
  • Das Niobpulver wurde auf die gleiche Weise wie in Beispiel 4 hergestellt, mit der Ausnahme, dass das Niobpulver in einer 30 S Attritormühle (130 Umdrehungen/Min.) für 8 Stunden unter Verwendung von 454 kg (1.000 Ibs) von 4,76 mm (3/16") SS Medien, 36,32 kg (80 Ibs) Niobpulver und 49,2 l (13 Gallionen) Ethanol gemahlen. Das gemahlene Pulver wurde mit Säure ausgelaugt und auf die gleiche Weise wie zuvor beschrieben gewaschen, und das Material wies die folgenden Eigenschaften auf:
    BET, m2g 1,39
    Sauerstoff, ppm 8,124
    Scott-Dichte, g/m3 3
  • BEISPIEL 9
  • 1, 2, 3 und 4 zeigen CV/g vs BET für verschiedene Nb-Pulver mit einem Bereich von BET's. Jede Zeichnung stellt die Messung von CV/g für die Pulver dar, welche bei einer spezifischen Sintertemperatur bestimmt wurden. Wie die Figuren zeigen, ist je höher die Sintertemperatur, der Verlust der Oberfläche der Anode umso größer und es gibt auch eine allgemeine Reduktion in CV/g für jede bestimmte Pulverprobe, wenn die Probe bei einer höheren Sintertemperatur überprüft wird (CV/g ist der restlichen spezifischen Oberfläche der Anode nach dem Sintern proportional).
  • Wie durch die 1 bis 4 dargestellt, zeigt das erzielte CV/g bei jeder gegebenen Sintertemperatur eine Beziehung zu dem Ausgangs-BET der Probe. Wie dargestellt, wird ein niedriges BET ein niedriges CV/g erzielen und wenn sich BET erhöht, erhöht sich CV/g. Für Materialien mit hohen BET ist das Maß des Oberflächenverlusts während des Sinterns so groß, dass so viel Oberfläche entfernt wurde, dass nur ein kleiner Bereich des ursprünglichen hohen BET zurückblieb, ausgedrückt als CV/g nach dem Sintern, so dass CV/g bei den höchsten BET abfällt. Aus diesem Grund zeigt die Reaktion von CV/g vs BET ein Maximum bei einem BET-Wert, welcher das meiste der spezifischen Oberfläche nach dem Sintern sicherstellt. Im allgemeinen erzielt, wie in den Figuren dargestellt, eine niedrige Sintertemperatur einen optimalen CV/g mit höherem BET-Material; wohingegen bei höheren Sintertemperaturen, welche für kleine Teilchen mit hohem BET zerstörend sind, ein optimales CV/g mit einem Pulver mit niedrigem BET erzielt wird.
  • Es gibt im allgemeinen einen optimalen BET zur Verwendung bei jeder gegebenen Sintertemperatur; und die Reihe der ganzen optimalen BET bilden eine Reaktionsoberfläche relativ zu den Sintertemperaturen. Wie in den Figuren dargestellt, ist CV/g im allgemeinen zu BET proportional und CV/g zeigt eine Beziehung zu der Sintertemperatur. Daher zeigt ist 5 CV/g für jede Sintertemperatur der 1 bis 3 dargestellt gegen die Sintertemperatur. 5 zeigt das CV/g, das bei dem Sintern bei 1.300°C erreicht würde und in der Größenordnung von ungefähr 61.000 liegt.
  • Die Herstellung der 5 basiert auf einem objektiven und mathematisch korrekten Verfahren zur Bestimmung des maximalen CV/g aus jeder der 1 bis 3. Da die Reaktion von CV/g gegen BET in jeder der 1 bis 3 ein Maximum zeigt, wurde die Anforderung gelöst, indem das Maximum der besten funktionellen Anpassung der Werte für jede Figur ermittelt wurde. Die tatsächliche Reaktion von CV/g auf BET ist eine komplexe Funktion von Variablen; die Taylor-Reihenentwicklung der Funktionen lehrt jedoch, dass alle Funktionen durch die ersten drei Zahlen der Taylor-Reihe angenähert werden können, mit einer begrenzten Anzahl an unabhängigen Variablen (in diesem Fall BET). Die Annäherung der Funktion als eine quadratische (F(x) = ax2 + bx + c) gilt innerhalb eines engen Nachbarraums jedes gewählten Wertes für x. Diese Berechnung ist gültig, solang die Werte von x innerhalb der Nachbarschaft liegen. Der optimale BET in jedem Fall wurde als der Mittelpunkt der Nachbarschaft der BET-Domaine verwendet, so dass die Annäherung für BET in der Nähe dieses Wertes gültig ist; und daher wurde das Maximum der quadratischen Anpassung auf den Wert als beste Annäherung an den Peak CV/g der Werte in den 1 bis 3 angenommen. Aus diesem Grund wurde eine beste Anpassung der Werte in den 1 bis 3 auf eine quadratische Funktion durchgeführt, unter Verwendung des Kurvenanpassungs-Tools in Microsoft Excel v 5,0, welches parabolische Kurven erzeugte, die die gemessenen Daten in den 1 bis 3 überlagerten. Das Maximum der angepassten Parabeln in den 1 bis 3 wurde als die Einsatzwerte zur Herstellung der 5 verwendet.
  • Die Reihe der maximalen CV/g gegenüber den Werten der Sintertemperaturen in 5 wurde anschließend an eine exponentielle abfallende Funktion angepasst, unter Verwendung des Kurvenanpassungs-Tools in Microsoft Excel v 5,0. Der Grund, warum der exponentielle Abfall als beste Annäherung auf die Reaktion von des maximalen CV/g gegenüber der Sintertemperatur ausgewählt wurde, liegt darin, dass wie in den Figuren dargestellt, sich CV/g mit der Erhöhung der Sintertemperatur verringert; CV/g kann je doch im Prinzip nie niedriger als 0,0 sein, da die spezifische Obertläche nicht niedriger als Null sein kann (kann nicht negativ sein). Die exponentielle Funktion, welche asymptotisch auf Null abfällt, ist die einfachste funktionelle Form, die bei den Werten in 5 verwendet werden kann, so dass kein negatives CV/g dargestellt wird. Die beste Anpassung an eine exponentielle Kurve wie durch Microsoft Excel v 5.0 bestimmt, wurde zu den Werten in 5 hinzugefügt und dies ermöglichte die Berechnung des maximalen CV/g, das erzielt werden würde bei einer Sintertemperatur von 1.300°C, basierend auf den Werten der 1 bis 3, wie oben erwrähnt.
  • 4 zeigt den tatsächlichen Wert für die vorhandenen Nb-Proben, getestet bei 1.300°C Sintertemperatur; wie jedoch aus 4 deutlich wird, zeigen die Werte keinen Peak, da keine der Proben das optimale BET bei dem 1.300°C Sintern aufwies. Die Werte wurden mit der quadratischen Funktion angepasst, die auch in den 1 bis 3 verwendet wurde, und das Resultat ist auf der 4 überlagert worden und zeigt, dass der Peak existieren sollte, folgend den Beobachtungen der Peaks der 1 bis 3; und der Peak ist ein CV/g >55.000 und BET >1,7 Peak. Es wird deutlich, dass in dem Fall der 4, der Peak CV/g unter Verwendung der gleichen Analyse vorherbestimmt wurde, die bei der Herstellung der Werte in 5 benutzt wurde, und ein maximales CV/g in der Nähe des unabhängig davon abgeleiteten Maximums bestimmt aus der 5 zeigt. Die Übereinstimmung zwischen zwei unterschiedlichen Bestimmungen der maximalen CV/g bei 1.300°C Sintertemperatur zeigt und macht deutlich, dass die Materialien mit BET >1,7 (BET's in der Größenordnung von 2 oder mehr) CV/g >55.000 (CV/g in der Größenordnung von 60.000) zeigen, wenn diese bei Sinterbedingungen von 1.300°C überprüft wurden.
  • TABELLE 2 Beispiele der Werte, die in den Figuren 1 bis 4 verwendet wurden
    Figure 00220001
  • BEISPIEL 10
  • Die Wirkung von Sauerstoff auf Niobpulver wurde untersucht. Fünf Proben des flockenförmigen Niobpulvers (hergestellt wie in Beispiel 5), welche jeweils 0,454 kg (1 lb) wogen, wurden überprüft. Eine der Proben war eine Kontrollprobe und die vier übrigen Proben wurden in solche einer Weise verarbeitet, dass der Sauerstoffgehalt in dem Niobpulver erhöht wurde. Insbesondere wurden die vier Proben in einem Ofen bei 900°C 30 Minuten wärmebehandelt. Die Pulver wurden anschließend in Luft auf eine ähnliche Weise passiviert, wie die Luftpassivierung, die in den vorangehenden Beispielen besprochen wurde. Anschließend wurde eine der vier Proben entfernt und die drei übrigen Proben wurden auf die gleiche Weise wie oben beschrieben erneut wärmebehandelt und passiviert. Wie zuvor wurde eine dieser drei Proben anschließend entfernt und das Verfahren wurde erneut mit den zwei übrigen Proben wiederholt. Nachfolgend wurde wieder eine der Proben entfernt und die letzte übrig bleibende Probe wurde erneut wärmebehandelt und passiviert wie zuvor. Daher wurden fünf Proben hergestellt, wobei entweder 0, 1, 2, 3 oder 4 Wärmebehandlungszyklen durchgeführt wurden. Vor dem Testen des Sauerstoffgehalts in jeder der Proben wurden die Proben individuell durch ein 40 mesh Sieb geführt.
  • Die Pulver wurden anschließend agglomeriert und bei verschiedenen Temperaturen gesintert und zu Anoden geformt, basierend auf drei unterschiedlichen Formierungsspan nungen, wie in Tabelle 3 angeführt. Die Resultate des Gleichspannungsleckstroms sind auch in Tabelle 3 angeführt. Aus den Resultaten in Tabelle 3 und aus den 6 und 7 wird deutlich, dass sich der Gleichspannungsleckstrom stufenweise verringert, wenn der Sauerstoffgehalt in dem Niob erhöht wird. Die Verringerung des Gleichspannungsleckstromes wird insbesondere bei niedrigeren Formierungsspannungen wie 30 und 50 Volt deutlich.
  • TABELLE 3 Werte, die die Wirkung von O2 auf nA/CV bei 30, 50 und 60 Volt zeigen
    Figure 00240001
  • BEISPIEL 11 (Vergleich)
  • Die Wirkung von Phosphor auf Niobpulver wurde anschließend überprüft. Sechs Niobpulverproben, welche auf eine Weise wie in Beispiel 5 hergestellt wurden, wurden überprüft. Eine der Proben wurde als Kontrollprobe vennrendet und die übrigen fünf Proben wiesen ausreichend zugegebene Phosphorsäure auf, um Phosphoranteile von 5 ppm, 10 ppm, 30 ppm, 100 ppm und 500 ppm zu erzielen. Die Phosphorsäure wurde als eine verdünnte Lösung mit 150 ml entionsiertem Wasser zugegeben. Die Phosphorsäurelösung und das Pulver wurden vermischt und die Proben in einem Vakuumofen getrocknet. Nach dem Trocknen wurden die Proben einzeln vermischt und bezüglich des Gehalts an Phosphor überprüft. Die Resultate sind in Tabelle 4 angeführt. Aus der Tabelle 4 und den 8 und 9 wird deutlich, dass eine geringe Wirkung durch die Phosphordotierung erzielt wurde und es wurde festgehalten, dass höhere Mengen an Phosphordotierung die Eigenschaften des Gleichspannungsleckstromes nicht notwendigerweise verbessern.
  • TABELLE 4 Werte der mit P dotierten Niobproben
    Figure 00260001

Claims (33)

  1. Kondensatoranode, welche aus einem Niobpulver mit einer BET Oberfläche von wenigstens 0,5 m2/g erhaltbar ist, wobei die Kondensatoranode einen Gleichspannungsleckstrom von weniger als 5,0 nA/CV aufweist.
  2. Kondensatoranode, welche aus einem Niobpulver mit einer BET Oberfläche von wenigstens 0,5 m2/g erhaltbar ist, wobei die Kondensatoranode einen Gleichspannungsleckstrom von 5,0 bis 0,50 nA/CV aufweist.
  3. Kondensatoranode nach Anspruch 1 oder 2, des weiteren umfassend eine Nioboxidschicht auf einer Oberfläche dieser.
  4. Kondensatoranode nach Anspruch 3, wobei die Schicht eine Niobpentoxidschicht umfasst.
  5. Kondensatoranode nach einem der Ansprüche 1 bis 4, mit einer Kapazität von 30.000 CV/g bis 61.000 CV/g.
  6. Kondensatoranode nach einem der Ansprüche 1 bis 5, welche bei einer Spannung von weniger als 60 Volt gebildet wird.
  7. Kondensatoranode nach einem der Ansprüche 1 bis 6, mit einer Arbeitsspannung von 4 bis 16 Volt.
  8. Verfahren zur Herstellung einer Kondensatoranode umfassend die Schritte des Sinterns eines Niobpulvers mit einer BET Oberfläche von wenigstens 0,5 m2/g und anschließend anodisches Oxidieren der Anode bei einer Spannung von weniger als 60 Volt.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, wobei das Pulver bei einer Temperatur von 1200°C bis 1750°C gesintert wird.
  10. Verfahren nach Anspruch 8, wobei das Pulver bei einer Temperatur von 1200°C bis 1400°C gesintert wird.
  11. Verfahren nach Anspruch 8, wobei das Pulver bei einer Temperatur von 1250°C bis 1350°C gesintert wird.
  12. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 11, wobei die Anode bei einer Spannung von zwischen 30 bis 50 Volt hergestellt wird.
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 12, wobei das Niobpulver eine BET Oberfläche von wenigstens 1,0 m2/g aufweist.
  14. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 13, wobei das Niobpulver ein flockenförmiges Pulver ist.
  15. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 14, wobei das Niobpulver agglomeriert ist.
  16. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 15, wobei das Niobpulver eine BET Oberfläche von 1,0 bis 5,0 m2/g aufweist
  17. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 15, wobei das Niobpulver eine BET Oberfläche von wenigstens 2,0 m2/g aufweist.
  18. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 15, wobei das Niobpulver eine BET Oberfläche von 2,0 bis 4,Om2/g aufweist.
  19. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 15, wobei das Niobpulver eine BET Oberfläche von 2,0 bis 5,0 m2/g aufweist.
  20. Vertahren nach einem der Ansprüche 8 bis 19, wobei das Niobpulver nicht hydratisiert ist.
  21. Vertahren nach Anspruch 14, wobei das Niobpulver eine Dichte nach Scott von weniger als 2,14 g/cm2 (35 g/in3) aufweist.
  22. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 21, wobei das Niobpulver einen Phosphoranteil von weniger als 400 ppm aufweist.
  23. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 21, wobei das Niobpulver einen Phosphoranteil von weniger als 100 ppm aufweist.
  24. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 21, wobei das Niobpulver einen Phosphoranteil von weniger als 25 ppm aufweist.
  25. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 24, wobei das Niobpulver einen Sauerstoffanteil von nicht weniger als 2000 ppm aufweist.
  26. Vertahren nach einem der Ansprüche 8 bis 24, wobei das Niobpulver einen Sauerstoffanteil von 2000 bis 20000 ppm aufweist.
  27. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 24, wobei das Niobpulver einen Sauerstoffanteil von 2750 bis 10000 aufweist.
  28. Vertahren nach einem der Ansprüche 8 bis 24, wobei das Niobpulver einen Sauerstoffanteil von 4000 bis 9000 ppm aufweist.
  29. Kondensator umfassend die Anode nach einem der Ansprüche 1 bis 7.
  30. Kondensator nach Anspruch 29, welcher ein Elektrolytkondensator ist.
  31. Verwendung eines Niobpulvers mit einer BET Oberfläche von wenigstens 0,5 m2/g zur Herstellung einer Kondensatoranode mit einem Gleichspannungsleckstrom von weniger als 5,0 nA/CV.
  32. Verwendung eines Niobpulvers mit einer BET Oberfläche von wenigstens 0,5 m2/g zur Herstellung einer Kondensatoranode mit einem Gleichspannungsleckstrom von 5,0 bis 0,5 nA/CV.
  33. Verwendung nach Anspruch 31 oder 32, wobei die Kondensatoranode in einem Elektrolytkondensator enthalten ist.
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CA (1) CA2271780A1 (de)
CZ (1) CZ295984B6 (de)
DE (1) DE69725880T3 (de)
EE (1) EE9900189A (de)
IL (1) IL129832A0 (de)
PT (1) PT946323E (de)
WO (1) WO1998019811A1 (de)

Families Citing this family (89)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6338832B1 (en) * 1995-10-12 2002-01-15 Cabot Corporation Process for producing niobium and tantalum compounds
US6165623A (en) * 1996-11-07 2000-12-26 Cabot Corporation Niobium powders and niobium electrolytic capacitors
JP3254163B2 (ja) 1997-02-28 2002-02-04 昭和電工株式会社 コンデンサ
US6444008B1 (en) 1998-03-19 2002-09-03 Cabot Corporation Paint and coating compositions containing tantalum and/or niobium powders
US6051044A (en) 1998-05-04 2000-04-18 Cabot Corporation Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors
KR100583702B1 (ko) 1998-05-06 2006-05-26 에이치. 씨. 스타아크 아이앤씨 가스상의 환원제로 산화물을 환원시켜 금속 분말을 제조하는 방법 및 그로부터 제조된 금속 분말
JP4202609B2 (ja) * 1998-05-06 2008-12-24 エイチ・シー・スタルク・インコーポレーテツド 気体状マグネシウムを用いる酸化物の還元により製造される金属粉末
US6576038B1 (en) 1998-05-22 2003-06-10 Cabot Corporation Method to agglomerate metal particles and metal particles having improved properties
ATE385037T1 (de) 1998-08-05 2008-02-15 Showa Denko Kk Niob-sinter für kondensator und verfahren zu seiner herstellung
IL140945A0 (en) * 1998-08-28 2002-02-10 Kemet Electronics Corp Phosphate anodizing electrolyte and its use to prepare capacitors, valve metal anodes produced from very fine metal powders
MXPA01002547A (es) * 1998-09-10 2004-06-03 Starck H C Gmbh Procedimiento para la fabricacion de capas metalicas refractarias, sinterizadas, especialmente condensadores o anodos electroliticos de metales terreos.
US6322912B1 (en) 1998-09-16 2001-11-27 Cabot Corporation Electrolytic capacitor anode of valve metal oxide
US6416730B1 (en) * 1998-09-16 2002-07-09 Cabot Corporation Methods to partially reduce a niobium metal oxide oxygen reduced niobium oxides
DE19847012A1 (de) * 1998-10-13 2000-04-20 Starck H C Gmbh Co Kg Niobpulver und Verfahren zu dessen Herstellung
ATE343844T1 (de) 1998-12-15 2006-11-15 Showa Denko Kk Niobkondensator und verfahren zu dessen herstellung
TW460883B (en) * 1999-02-16 2001-10-21 Showa Denko Kk Niobium powder, niobium sintered body, capacitor comprised of the sintered body, and method for manufacturing the capacitor
KR100650621B1 (ko) * 1999-02-16 2006-11-27 쇼와 덴코 가부시키가이샤 니오브분말, 니오브소결체, 그 소결체를 사용한 축전지 및 그 축전지의 제조방법
AU768524B2 (en) 1999-03-19 2003-12-18 Cabot Corporation Making niobium and other metal powders by milling
US6558447B1 (en) 1999-05-05 2003-05-06 H.C. Starck, Inc. Metal powders produced by the reduction of the oxides with gaseous magnesium
US6375704B1 (en) * 1999-05-12 2002-04-23 Cabot Corporation High capacitance niobium powders and electrolytic capacitor anodes
TW479262B (en) 1999-06-09 2002-03-11 Showa Denko Kk Electrode material for capacitor and capacitor using the same
US6960237B2 (en) 1999-07-15 2005-11-01 Showa Denko Kabushiki Kaisha Niobium powder, sintered body thereof and capacitor using the same
US6600646B1 (en) * 1999-08-11 2003-07-29 Showa Denko Kabushiki Kaisha Niobium powder, sintered body thereof and capacitor using same
US6660057B1 (en) 1999-10-01 2003-12-09 Showa Denko K.K. Powder composition for capacitor, sintered body using the composition and capacitor using the sintered body
US6358625B1 (en) * 1999-10-11 2002-03-19 H. C. Starck, Inc. Refractory metals with improved adhesion strength
DE19953946A1 (de) 1999-11-09 2001-05-10 Starck H C Gmbh Co Kg Kondensatorpulver
US6563695B1 (en) * 1999-11-16 2003-05-13 Cabot Supermetals K.K. Powdered tantalum, niobium, production process thereof, and porous sintered body and solid electrolytic capacitor using the powdered tantalum or niobium
US6423110B1 (en) 1999-12-08 2002-07-23 Showa Denko K.K. Powder composition for capacitor and sintered body using the composition, and capacitor using the sintered body
US6480371B1 (en) 2000-02-01 2002-11-12 Kemet Electronics Corporation Alkanolamine-phosphoric acid anodizing electrolyte
CN1317723C (zh) * 2000-03-23 2007-05-23 卡伯特公司 氧还原的铌氧化物电容器阳极及其制备方法
US6540810B2 (en) 2000-04-21 2003-04-01 Showa Denko Kabushiki Kaisha Niobium powder for capacitor, sintered body using the powder and capacitor using the same
ATE388779T1 (de) 2000-04-24 2008-03-15 Showa Denko Kk Niobpulver, dessen sintermasse und kondensator
US6643120B2 (en) * 2000-04-28 2003-11-04 Showa Denko Kabushiki Kaisha Niobium powder for capacitor, sintered body using the powder and capacitor using the same
US6436268B1 (en) 2000-08-02 2002-08-20 Kemet Electronics Corporation Non-aqueous electrolytes for anodizing
CN100477040C (zh) 2000-08-10 2009-04-08 昭和电工株式会社 铌粉、铌烧结体以及使用该烧结体的电容器
US6652619B2 (en) 2000-08-10 2003-11-25 Showa Denko K.K. Niobium powder, sintered body thereof, and capacitor using the same
DE10041901A1 (de) * 2000-08-25 2002-03-07 Starck H C Gmbh Kondensatoranode auf Basis Niob
JP2002093666A (ja) * 2000-09-20 2002-03-29 Showa Denko Kk ニオブ粉、それを用いた焼結体及びそれを用いたコンデンサ
MXPA03003968A (es) * 2000-11-06 2004-05-24 Cabot Corp Oxidos de metal para valvulas, reducidos en oxigeno, modificados.
KR100812687B1 (ko) * 2000-11-30 2008-03-13 쇼와 덴코 가부시키가이샤 커패시터용 니오브 분말, 그 소결체 및 소결체를 이용한커패시터
US7149074B2 (en) 2001-04-19 2006-12-12 Cabot Corporation Methods of making a niobium metal oxide
AU2008200187B2 (en) * 2001-05-15 2010-02-18 Showa Denko K.K. Niobium powder, niobium sintered body and capacitor using the sintered body
US6934146B2 (en) 2001-05-15 2005-08-23 Showa Denko K.K. Niobium powder, niobium sintered body and capacitor using the sintered body
US7737066B2 (en) * 2001-05-15 2010-06-15 Showa Denko K.K. Niobium monoxide powder, niobium monoxide sintered body and capacitor using the sintered body
US6780218B2 (en) * 2001-06-20 2004-08-24 Showa Denko Kabushiki Kaisha Production process for niobium powder
JP4187953B2 (ja) 2001-08-15 2008-11-26 キャボットスーパーメタル株式会社 窒素含有金属粉末の製造方法
KR100422594B1 (ko) * 2001-09-12 2004-03-16 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 커패시터 및 제조방법
JP2004143477A (ja) * 2002-10-22 2004-05-20 Cabot Supermetal Kk ニオブ粉末およびその製造方法、並びにそれを用いた固体電解コンデンサ
DE10304756B4 (de) * 2003-02-05 2005-04-07 W.C. Heraeus Gmbh Sauerstoffangereicherter Niob-Draht
US7655214B2 (en) * 2003-02-26 2010-02-02 Cabot Corporation Phase formation of oxygen reduced valve metal oxides and granulation methods
US7235118B2 (en) * 2003-04-16 2007-06-26 National Research Council Of Canada Process for agglomeration and densification of nanometer sized particles
US7445679B2 (en) 2003-05-16 2008-11-04 Cabot Corporation Controlled oxygen addition for metal material
EP1638891A2 (de) * 2003-05-19 2006-03-29 Cabot Corporation Verfahren zur herstellung eines niobmetalloxids und nioboxiden mit verringertem sauerstoffgehalt
US7142409B2 (en) * 2003-07-28 2006-11-28 Cabot Corporation Nitrided valve metal material and method of making same
DE102004032128B4 (de) * 2003-10-17 2010-10-14 W.C. Heraeus Gmbh Metallischer Werkstoff, Herstellverfahren und Verwendung
US6965510B1 (en) * 2003-12-11 2005-11-15 Wilson Greatbatch Technologies, Inc. Sintered valve metal powders for implantable capacitors
DE102004011214A1 (de) * 2004-03-04 2005-10-06 W.C. Heraeus Gmbh Hochtemperaturbeständiger Niob-Draht
US20050202966A1 (en) * 2004-03-11 2005-09-15 W.C. Heraeus Gmbh Catalyst for the decomposition of N2O in the Ostwald process
DE102004024026A1 (de) 2004-03-11 2005-09-29 W.C. Heraeus Gmbh Katalysator zur N2O-Zersetzung beim Ostwaldprozess
US20050225927A1 (en) * 2004-04-06 2005-10-13 Tagusagawa Solon Y Processes for the production of niobium oxides with controlled tantalum content and capacitors made therefrom
WO2006057455A1 (en) 2004-11-29 2006-06-01 Showa Denko K.K. Porous anode body for solid electrolytic capacitor, production mehtod thereof and solid electrolytic capacitor
JP2006206428A (ja) * 2004-12-27 2006-08-10 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd ニオブ酸化物及びその製造方法
US7099143B1 (en) * 2005-05-24 2006-08-29 Avx Corporation Wet electrolytic capacitors
WO2007020458A1 (en) 2005-08-19 2007-02-22 Avx Limited Polymer based solid state capacitors and a method of manufacturing them
GB0517952D0 (en) * 2005-09-02 2005-10-12 Avx Ltd Method of forming anode bodies for solid state capacitors
US8257463B2 (en) * 2006-01-23 2012-09-04 Avx Corporation Capacitor anode formed from flake powder
US7480130B2 (en) 2006-03-09 2009-01-20 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor
US7511943B2 (en) 2006-03-09 2009-03-31 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor containing a cathode coating
WO2007130483A2 (en) * 2006-05-05 2007-11-15 Cabot Corporation Tantalum powder with smooth surface and methods of manufacturing same
JPWO2008001774A1 (ja) * 2006-06-26 2009-11-26 三井金属鉱業株式会社 ニオブ酸化物の製造方法及び一酸化ニオブ
JP4884108B2 (ja) * 2006-06-30 2012-02-29 三洋電機株式会社 電解コンデンサ
GB0622463D0 (en) * 2006-11-10 2006-12-20 Avx Ltd Powder modification in the manufacture of solid state capacitor anodes
US7649730B2 (en) 2007-03-20 2010-01-19 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor containing a plurality of thin powder-formed anodes
US7554792B2 (en) 2007-03-20 2009-06-30 Avx Corporation Cathode coating for a wet electrolytic capacitor
US7460356B2 (en) 2007-03-20 2008-12-02 Avx Corporation Neutral electrolyte for a wet electrolytic capacitor
US7760487B2 (en) * 2007-10-22 2010-07-20 Avx Corporation Doped ceramic powder for use in forming capacitor anodes
US7852615B2 (en) * 2008-01-22 2010-12-14 Avx Corporation Electrolytic capacitor anode treated with an organometallic compound
US7768773B2 (en) * 2008-01-22 2010-08-03 Avx Corporation Sintered anode pellet etched with an organic acid for use in an electrolytic capacitor
US7760488B2 (en) * 2008-01-22 2010-07-20 Avx Corporation Sintered anode pellet treated with a surfactant for use in an electrolytic capacitor
EP2343716A4 (de) 2008-10-29 2015-08-19 Showa Denko Kk Verfahren zur herstellung eines kondensatorelements
US8430944B2 (en) * 2008-12-22 2013-04-30 Global Advanced Metals, Usa, Inc. Fine particle recovery methods for valve metal powders
US8203827B2 (en) * 2009-02-20 2012-06-19 Avx Corporation Anode for a solid electrolytic capacitor containing a non-metallic surface treatment
JP2010261106A (ja) * 2010-06-11 2010-11-18 Showa Denko Kk コンデンサ用ニオブ焼結体の製造方法
US9548163B2 (en) * 2012-07-19 2017-01-17 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor with improved performance at high voltages
US10329644B2 (en) 2014-09-11 2019-06-25 Ishihara Chemical Co., Ltd. Ta—Nb alloy powder and anode element for solid electrolytic capacitor
US20180144874A1 (en) 2016-10-21 2018-05-24 Global Advanced Metals, Usa, Inc. Tantalum Powder, Anode, And Capacitor Including Same, And Manufacturing Methods Thereof
MX2020009146A (es) 2018-03-05 2020-09-28 Global Advanced Metals Usa Inc Anodos que contienen polvo esferico y capacitores.
US11691197B2 (en) 2018-03-05 2023-07-04 Global Advanced Metals Usa, Inc. Spherical tantalum powder, products containing the same, and methods of making the same
JP7250374B2 (ja) 2018-12-12 2023-04-03 グローバル アドバンスト メタルズ ユー.エス.エー.,インコーポレイティド 球状ニオブ合金粉末、それを含有する製品、及びその作製方法

Family Cites Families (88)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1415516A (en) * 1919-05-29 1922-05-09 Bridge Arthur Method of and apparatus for reducing metals, etc.
US2242759A (en) * 1938-03-02 1941-05-20 Walter H Duisberg Reduction of difficultly reducible oxides
CH396213A (de) 1961-01-10 1965-07-31 Ciba Geigy Verfahren zur Herstellung von Anoden für Elektrolytkondensatoren
GB1123015A (en) * 1964-08-07 1968-08-07 Union Carbide Corp A process for producing sintered anodes
US3417106A (en) * 1964-11-16 1968-12-17 Syntex Corp 4-oxa-19-nor-delta1,5(10)-pregnadiene-3,20-dione steroids and their preparation
US3630718A (en) * 1965-06-25 1971-12-28 Starck Hermann C Fa NONPYROPHORIC METAL POWDER OF A METAL FROM THE GROUP IVb, Vb AND VIb OR THE ACTINIUM SERIES OF THE PERIODIC TABLE
US3496076A (en) * 1968-03-28 1970-02-17 Sprague Electric Co Niobium anodizing electrolyte and anodizing process
CH515996A (de) * 1968-06-06 1971-11-30 Starck Hermann C Fa Verfahren zur Herstellung von hochreinem Niob und/oder Tantal
US3635693A (en) * 1969-01-27 1972-01-18 Starck Hermann C Fa Method of producing tantalum or niobium powder from compact bodies
US3849124A (en) 1969-12-05 1974-11-19 Norton Co Capacitor powder
DE2517180C3 (de) * 1975-04-18 1979-04-19 Fa. Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von feinem hochkapazitiven Erdsäuremetallpulver für Elektrolytkondensatoren
US4009007A (en) * 1975-07-14 1977-02-22 Fansteel Inc. Tantalum powder and method of making the same
US4017302A (en) * 1976-02-04 1977-04-12 Fansteel Inc. Tantalum metal powder
US4164455A (en) 1976-04-05 1979-08-14 Corning Glass Works Process of forming a solid tantalum capacitor
GB1549702A (en) * 1976-07-08 1979-08-08 Ncr Inc Metal powder production
JPS5345660A (en) * 1976-10-05 1978-04-24 Starck Hermann C Fa Tantalum and niobium powder manufacture
US4084965A (en) * 1977-01-05 1978-04-18 Fansteel Inc. Columbium powder and method of making the same
US4141720A (en) * 1978-05-16 1979-02-27 Nrc, Inc. Tantalum powder reclaiming
US4149876A (en) * 1978-06-06 1979-04-17 Fansteel Inc. Process for producing tantalum and columbium powder
JPS5739043A (en) * 1980-08-19 1982-03-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd Changeover metallic mold
US4406699A (en) * 1981-06-09 1983-09-27 Beck David E High-temperature electrically conductive ceramic composite and method for making same
DE3130392C2 (de) * 1981-07-31 1985-10-17 Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin Verfahren zur Herstellung reiner agglomerierter Ventilmetallpulver für Elektrolytkondensatoren, deren Verwendung und Verfahren zur Herstellung von Sinteranoden
US4356028A (en) * 1981-08-24 1982-10-26 Fansteel Inc. In situ phosphorus addition to tantalum
DE3140248C2 (de) * 1981-10-09 1986-06-19 Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin Verwendung von dotiertem Ventilmetallpulver für die Herstellung von Elektrolytkondensatoranoden
SU1057995A1 (ru) * 1981-12-05 1983-11-30 Предприятие П/Я А-3529 Способ изготовлени объемно-пористого анода электролитического конденсатора
JPS58154221A (ja) * 1982-03-10 1983-09-13 株式会社東芝 ニオブ電解コンデンサの製造方法
DE3232245A1 (de) * 1982-08-30 1984-03-01 Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin Verbesserung der fliessfaehigkeit und erhoehung der schuettdichte von hochkapazitiven ventilmetallpulvern
US4441927A (en) * 1982-11-16 1984-04-10 Cabot Corporation Tantalum powder composition
DE3309891A1 (de) * 1983-03-18 1984-10-31 Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin Verfahren zur herstellung von ventilmetallanoden fuer elektrolytkondensatoren
DE3336453C2 (de) * 1983-10-06 1985-11-28 Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin Verfahren zur Oberflächenvergrößerung von Niob und Tantal in Form von agglomerierten oder nicht agglomerierten Pulvern
JPS60121207A (ja) 1983-12-01 1985-06-28 Toyo Soda Mfg Co Ltd 超微粒子の製造方法
US4544403A (en) * 1984-11-30 1985-10-01 Fansteel Inc. High charge, low leakage tantalum powders
US4555268A (en) * 1984-12-18 1985-11-26 Cabot Corporation Method for improving handling properties of a flaked tantalum powder composition
US4748737A (en) * 1985-11-27 1988-06-07 Westinghouse Electric Corp. Method of removing surface oxidation from particulates
US4684399A (en) * 1986-03-04 1987-08-04 Cabot Corporation Tantalum powder process
US4758929A (en) * 1986-11-08 1988-07-19 Showa Denki Kabushiki Kaisha Solid electrolyte capacitor and process for preparation thereof
US4722756A (en) * 1987-02-27 1988-02-02 Cabot Corp Method for deoxidizing tantalum material
US4740238A (en) * 1987-03-26 1988-04-26 Fansteel Inc. Platelet-containing tantalum powders
JPH0727851B2 (ja) 1987-07-08 1995-03-29 昭和電工株式会社 固体電解コンデンサの製造方法
JPH0770438B2 (ja) 1987-07-08 1995-07-31 昭和電工株式会社 固体電解コンデンサの製造方法
JPH0640538B2 (ja) 1987-07-15 1994-05-25 昭和電工株式会社 固体電解コンデンサの製造方法
JPH0777180B2 (ja) 1987-08-20 1995-08-16 昭和電工株式会社 固体電解コンデンサの製造方法
JPS6484656A (en) * 1987-09-28 1989-03-29 Toshiba Corp Semiconductor device capacitor
JPH063786B2 (ja) 1987-10-21 1994-01-12 三洋電機株式会社 固体電解コンデンサの製造方法
JPH01124214A (ja) 1987-11-10 1989-05-17 Showa Denko Kk 固体電解コンデンサの製造方法
US4940490A (en) * 1987-11-30 1990-07-10 Cabot Corporation Tantalum powder
US5580367A (en) * 1987-11-30 1996-12-03 Cabot Corporation Flaked tantalum powder and method of using same flaked tantalum powder
US5261942A (en) * 1987-11-30 1993-11-16 Cabot Corporation Tantalum powder and method of making same
US5211741A (en) * 1987-11-30 1993-05-18 Cabot Corporation Flaked tantalum powder
JPH01241813A (ja) 1988-03-23 1989-09-26 Nec Corp オープン機構付き固体電解コンデンサ
JPH01241110A (ja) 1988-03-23 1989-09-26 Asahi Glass Co Ltd 電気二重層コンデンサ
JPH01319921A (ja) 1988-06-21 1989-12-26 Seiko Electronic Components Ltd 電気二重層コンデンサ
DE3820960A1 (de) * 1988-06-22 1989-12-28 Starck Hermann C Fa Feinkoernige hochreine erdsaeuremetallpulver, verfahren zu ihrer herstellung sowie deren verwendung
JPH02123724A (ja) 1988-11-02 1990-05-11 Elna Co Ltd 固体電解コンデンサの製造方法
JPH02298013A (ja) 1989-05-12 1990-12-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体電解コンデンサ
US5242481A (en) * 1989-06-26 1993-09-07 Cabot Corporation Method of making powders and products of tantalum and niobium
US4964906A (en) 1989-09-26 1990-10-23 Fife James A Method for controlling the oxygen content of tantalum material
US4960471A (en) 1989-09-26 1990-10-02 Cabot Corporation Controlling the oxygen content in tantalum material
US5011742A (en) 1989-09-26 1991-04-30 Fife James A Article for controlling the oxygen content in tantalum material
US5050034A (en) 1990-01-22 1991-09-17 Endress U. Hauser Gmbh U. Co. Pressure sensor and method of manufacturing same
US5234491A (en) * 1990-05-17 1993-08-10 Cabot Corporation Method of producing high surface area, low metal impurity
JPH04271106A (ja) 1990-12-26 1992-09-28 Tama Electric Co Ltd コンデンサおよびコンデンサネットワークおよび抵抗コンデンサネットワーク
JPH05129160A (ja) 1991-10-30 1993-05-25 Ryuichi Yamamoto 固体電解コンデンサおよびその製造方法
US5245514A (en) * 1992-05-27 1993-09-14 Cabot Corporation Extruded capacitor electrode and method of making the same
JP2923391B2 (ja) 1992-06-03 1999-07-26 富士通東和エレクトロン株式会社 電解コンデンサの製造方法
US5284531A (en) * 1992-07-31 1994-02-08 Cabot Corporation Cylindrical metal fibers made from tantalum, columbium, and alloys thereof
JP3281658B2 (ja) 1992-11-30 2002-05-13 三洋電機株式会社 固体電解コンデンサとその製造方法
US5448447A (en) * 1993-04-26 1995-09-05 Cabot Corporation Process for making an improved tantalum powder and high capacitance low leakage electrode made therefrom
US5412533A (en) * 1993-06-22 1995-05-02 Rohm Co., Ltd. Solid electrolytic capacitor and manufacturing method thereof
JPH07153650A (ja) 1993-11-26 1995-06-16 Elna Co Ltd 固体電解コンデンサの製造方法
JPH07220982A (ja) 1994-01-31 1995-08-18 Elna Co Ltd 固体電解コンデンサの製造方法
JP3199096B2 (ja) 1994-02-15 2001-08-13 エルナー株式会社 固体電解コンデンサ
JPH0897096A (ja) * 1994-09-28 1996-04-12 Sutaruku Buitetsuku Kk タンタル粉末及びそれを用いた電解コンデンサ
JP3504058B2 (ja) 1996-03-19 2004-03-08 株式会社東芝 薄膜キャパシタおよび半導体記憶装置
JPH10135080A (ja) 1996-10-31 1998-05-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体電解コンデンサ及びその製造方法
US6165623A (en) * 1996-11-07 2000-12-26 Cabot Corporation Niobium powders and niobium electrolytic capacitors
JP3254163B2 (ja) 1997-02-28 2002-02-04 昭和電工株式会社 コンデンサ
US6007597A (en) * 1997-02-28 1999-12-28 Teledyne Industries, Inc. Electron-beam melt refining of ferroniobium
JPH11312628A (ja) 1998-04-30 1999-11-09 Nec Corp 固体電解コンデンサ及び製造方法
US6051044A (en) * 1998-05-04 2000-04-18 Cabot Corporation Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors
JP3196832B2 (ja) 1998-05-15 2001-08-06 日本電気株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP3973299B2 (ja) 1998-08-26 2007-09-12 昭和電工株式会社 コンデンサ
JP4263795B2 (ja) 1998-12-22 2009-05-13 昭和電工株式会社 コンデンサ
JP2000188241A (ja) 1998-12-22 2000-07-04 Nec Corp 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP2000269091A (ja) 1999-03-17 2000-09-29 Showa Kyabotto Super Metal Kk 電解コンデンサ用金属粉末ならびにこれを用いた電解コンデンサ用陽極体および電解コンデンサ
JP3907358B2 (ja) 1999-11-04 2007-04-18 日本ケミコン株式会社 固体電解コンデンサの製造方法
JP2001172701A (ja) 1999-12-14 2001-06-26 Showa Kyabotto Super Metal Kk ニオブ粉末およびその製造方法と、このニオブ粉末を用いた多孔質焼結体および固体電解コンデンサー
JP4422258B2 (ja) 1999-11-30 2010-02-24 昭和電工株式会社 コンデンサ

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