DE69734054T2 - Anzeigevorrichtung - Google Patents

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Hiroshi Suwa-shi Kiguchi
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Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Anzeigevorrichtung, in welcher ein stromlichtemittierendes Element mit einem Dünnschichttransistor betrieben wird (Anzeigevorrichtung mit stromtreibendem Dünnschichttransistor).
  • STAND DER TECHNIK
  • Eine Anzahl von Dünnschichttransistor-Anzeigevorrichtungen unterschiedlichen Typs wurde verwendet, um ein leichtes Gewicht, eine kleine Größe, ein hohe Bildqualität und eine hohe Auflösung zu verwirklichen. Dünnschichttransistor-Anzeigevorrichtungen, die bisher entwickelt wurden, wie z.B. durch Dünnschichttransistor-Flüssigkristallanzeigen repräsentiert, sind hauptsächlich zur Übertragung von Signalspannungen oder zur Übertragung sehr kleiner Ladungen geeignet. Doch es ist vorauszusehen, dass ein Element, das stromtreibend sein kann und eine Speicherfunktion hat, für Bildschirme selbst-lichtemittierenden Typs wie z.B. EL(Elektroluminiszenz)-Displays, wärmeentwickelnde Flachbildschirme und dergleichen, deren Entwicklung künftig zu erwarten ist, unentbehrlich sein werden.
  • 10(a) und 10(b) sind jeweils ein Ersatzschaltbild und ein Potentialverhältnis-Diagramm einer Anzeigevorrichtung mit stromtreibendem Dünnschichttransistor, in welcher ein organisches fluoreszierendes Material als ein lichtemittierendes Material verwendet wird.
  • In 10(a) stellt Symbol 121 eine Abtastleitung dar; Symbol 122 eine Signalleitung; Symbol 123 eine gemeinsame Stromversorgungsleitung; Symbol 131 einen Schalt-Dünnschichttransistor; Symbol 132 einen Strom-Dünnschichttransistor; Symbol 151 einen Haltekondensator; Symbol 152 eine Pixelelektrode; Symbol 164 ein organisches fluoreszierendes Material; und Symbol 165 eine gegenüberliegende Elektrode. In 10(b) stellt die Linie 421 ein Abtastpotential dar; Linie 422 ein Signalpotential; Linie 423 eine gemeinsames Potential; Linie 451 ein Haltepotential; Linie 452 ein Pixelpotential; und Linie 465 ein Gegenpotential.
  • Der Schalt-Dünnschichttransistor 131 ist ein Transistor, um die Stromleitung zwischen der Signalleitung 122 und dem Haltekondensator 151 durch ein Potential auf der Abtastleitung 122 zu steuern. Das heißt, das Signalpotential 422 wird durch das Abtastpotential 421 an das Haltepotential 451 übertragen. In Bezug auf ein anzeigendes Pixel wird das Signalpotential 422 hoch, und das Haltepotential 451 wird hoch. In Bezug auf ein nicht anzeigendes Pixel wird das Signalpotential 422 niedrig, und das Haltepotential 451 wird niedrig.
  • Der Strom-Dünnschichttransistor 132 zum anderen ist ein Transistor, um die Stromleitung zwischen der gemeinsamen Stromversorgungsleitung 123 und der Pixelelektrode 152 durch das Potential am Haltekondensator 151 zu steuern. Das heißt, das gemeinsame Potential 423 wird durch das Haltepotential 451 an das Pixelpotential 452 übertragen.
  • In Bezug auf ein anzeigendes Pixel erfolgt die Stromleitung zwischen der gemeinsamen Stromversorgungsleitung 123 und der Pixelelektrode 152. In Bezug auf ein nicht anzeigendes Pixel werden die Stromversorgungsleitung 123 und die Pixelelektrode 152 voneinander abgesperrt.
  • Dies hat zur Folge, dass in Bezug auf ein anzeigendes Pixel ein Strom zwischen der Pixelelektrode 152 und der gegenüberliegenden Elektrode 165 fließt, was bewirkt, dass das organische fluoreszierende Material Licht emittiert. In Bezug auf ein nicht anzeigendes Pixel fließt kein Strom, und es wird keine Lichtemission bewirkt.
  • Demnach weist die Anzeigevorrichtung mit stromtreibendem Dünnschichttransistor den Schalt-Dünnschichttransistor 131 und den Strom-Dünnschichttransistor 132 auf, von denen jeder ein Feldeffekttransistor ist, der durch einen gewöhnlichen Halbleiterherstellungsprozeß hergestellt wird. Als solches sind für die zwei Dünnschichttransistoren bei konventionellen Anzeigevorrichtungen mit stromtreibendem Dünnschichttransistor Dünnschichttransistoren mit dem gleichen Aufbau verwendet worden, da die Herstellungskosten gesenkt werden können, wenn zwei Transistoren denselben Spezifikationen entsprechend hergestellt werden.
  • Tatsächlich hat die Anzeigevorrichtung mit stromtreibendem Dünnschichttransistor selbst dann, wenn der Aufbau beider Dünnschichttransistoren gleich ist, keine ernsten Mängel aufzuweisen, die dadurch bedingt sind. Die Erfinder der vorliegenden Erfindung haben Anzeigevorrichtungen mit stromtreibendem Dünnschichttransistor eingehend studiert und haben erkannt, dass die oben beschriebenen Dünnschichttransistoren bevorzugt so herzustellen sind, dass darauf geachtet wird, dass die Kennlinien der zwei Transistoren sich voneinander unterscheiden, wenn ein qualitativ hochwertiges Produkt angestrebt wird.
  • Das heißt, im Bezug auf den Schalt-Dünnschichttransistor 131 ist eine Abnahme im Sperrstrom erforderlich um die Ladung im Haltekondensator 151 zuverlässiger halten zu können. Demgegenüber ist in Bezug auf den Strom-Dünnschichttransistor 132 eine Zunahme im Durchlaßstrom erforderlich, um die Luminiszenz der Lichtemission vom organischen fluoreszierenden Material 164 zu erhöhen.
  • IEEE-ED-27, 1.1.80, Seiten 223–230 offenbart eine wechselspannungsbetriebene Leuchtanzeige, die an den Schnittpunkten von Abtast- und Datensignalleitungen eine Vielzahl von Pixeln umfaßt. Jedes Pixel umfaßt einen Haltekondensator, ein Leuchtelement und Schalt- und Strom-TFTs.
  • Doch es wurde keine technische Idee ersonnen, um die Kennlinien der oben beschriebenen zwei Dünnschichttransistoren in der Anzeigevorrichtung mit stromtreibendem Dünnschichttransistor auf erzwungene Weise voneinander verschieden zu machen.
  • Die vorliegende Erfindung wurde aufgrund dieses Wissens entwickelt, und eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung einer Anzeigevorrichtung mit stromtreibendem Dünnschichttransistor, in welcher eine Abnahme im Sperrstrom des Schalt-Dünnschichttransistors 131 und eine Zunahme im Durchlaßstrom des Strom-Dünnschichttransistors 132 gleichzeitig erreicht werden.
  • OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
  • Um die oben beschriebene Aufgabe zu erfüllen, wird der in Anspruch 1 dargelegten Erfindung gemäß eine Anzeige bereitgestellt. Diese Anzeige umfaßt: eine Vielzahl von Abtastleitungen; eine Vielzahl von Signalleitungen; eine Stromversorgungsleitung; und eine Vielzahl von Pixeln, die an Schnittpunkten zwischen der Vielzahl von Abtastleitungen und der Vielzahl von Signalleitungen angeordnet sind, wobei in jedem von der Vielzahl von Pixeln vorgesehen ist: ein Anzeigeelement, das mit einem Strom betrieben wird; eine Pixelelektrode; ein erster Dünnschichttransistor, der eine erste Gateelektrode, einen ersten Sourcebereich, einen ersten Drainbereich und einen ersten Channelbereich aufweist, wobei der ersten Gateelektrode über eine entsprechende Abtastleitung von der Vielzahl von Abtastleitungen ein Abtastsignal zugeführt wird; ein Haltekondensator, der ein Bildsignal hält, das von einer entsprechenden Signalleitung von der Vielzahl von Signalleitungen über den ersten Transistor zugeführt wird, wobei der erste Transistor die Stromleitung zwischen der entsprechenden Signalleitung und dem Haltekondensator steuert; ein zweiter Dünnschichttran sistor, der die Stromleitung zwischen der Stromversorgungsleitung und dem Anzeigeelement dem vom Haltekondensator gehaltenen Bildsignal entsprechend steuert, und eine zweite Gateelektrode, einen zweiten Sourcebereich, einen zweiten Drainbereich und einen zweiten Channelbereich aufweist; wobei der erste Transistor außerdem einen ersten Verunreinigungsbereich aufweist, der zwischen dem ersten Channelbereich und mindestens einem von dem ersten Sourcebereich und dem ersten Drainbereich geformt ist, und dessen Verunreinigungskonzentration niedriger ist als die des mindestens einen von dem ersten Sourcebereich und dem ersten Drainbereich und höher ist als die des ersten Channelbereichs; und wobei der zweite Channelbereich zwischen den zweiten Sourcebereich und dem zweiten Drainbereich geformt ist und die zweite Gateelektrode mit dem zweiten Channelbereich ausgerichtet ist.
  • In einer Ausführungsform weist der zweite Transistor außerdem einen zweiten Verunreinigungsbereich auf, der zwischen dem zweiten Channelbereich und mindestens einem von dem zweiten Sourcebereich und dem zweiten Drainbereich geformt ist, und dessen Verunreinigungskonzentration niedriger ist als die des mindestens einen von dem zweiten Sourcebereich und dem zweiten Drainbereich und höher ist als die des zweiten Channelbereichs; und der erste Verunreinigungsbereich länger ist als der zweite Verunreinigungsbereich.
  • Um die oben beschriebene Aufgabe zu erfüllen, ist der in Anspruch 3 dargelegten Erfindung gemäß der Sperrstrom des ersten Transistors im Betrieb niedriger als der des zweiten Transistors.
  • Um die oben beschriebene Aufgabe zu erfüllen, ist der in Anspruch 4 dargelegten Erfindung gemäß der Durchlaßstrom des zweiten Transistors im Betrieb höher als der des ersten Transistors.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist ein Schaltbild, das einen Abschnitt einer Anzeigevorrichtung zeigt, die eine erste Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.
  • 2 umfaßt eine Querschnittsansicht (a) und einen Grundriß (b) der Anzeigevorrichtung in der ersten Ausführungsform.
  • 3 ist ein Diagramm, das den Herstellungsprozeß der Anzeige in der ersten Ausführungsform zeigt.
  • 4 ist ein Diagramm, das Kennlinien von Dünnschichttransistoren in der ersten Ausführungsform zeigt.
  • 5 umfaßt eine Querschnittsansicht (a) und einen Grundriß (b) einer Anzeigevorrichtung, die eine zweite Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.
  • 6 umfaßt eine Querschnittsansicht (a) und einen Grundriß (b) einer Anzeige, die eine dritte Ausführungsform darstellt, die nicht Bestandteil der vorliegenden Erfindung ist.
  • 7 ist ein Diagramm, das den Herstellungsprozeß der Anzeigevorrichtung in der dritten Ausführungsform zeigt.
  • 8 ist ein Diagramm, das Kennlinien von Dünnschichttransistoren in der dritten Ausführungsform zeigt.
  • 9 umfaßt eine Querschnittsansicht (a) und einen Grundriß (b) einer Anzeigevorrichtung, die eine vierte Ausführungsform darstellt, die nicht Bestandteil der vorliegenden Erfindung ist.
  • 10 umfaßt ein Ersatzschaltbild (a) und ein Potentialverhältnis-Diagramm (b) einer Anzeigevorrichtung mit stromtreibendem Dünnschichttransistor.
  • BESTER AUSFÜHRUNGSMODUS DER ERFINDUNG
  • Bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden im folgenden Bezug nehmend auf die Zeichnungen beschrieben.
  • (1) Erste Ausführungsform
  • 1 bis 4 sind Diagramme, die eine erste Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen. In dieser Ausführungsform wird eine erfindungsgemäße Anzeigevorrichtung auf ein Aktiv-Matrix-Display angewandt, das EL-Anzeigeelemente verwendet.
  • 1 ist ein Schaltbild, das einen Abschnitt einer Anzeigevorrichtung 1 in dieser Ausführungsform zeigt. Die Anzeige 1 ist so aufgebaut, dass eine Vielzahl von Abtastleitungen 121, eine Vielzahl von Signalleitungen 122 und eine Vielzahl von gemeinsamen Stromversorgungsleitungen 123 auf einem transparenten Anzeigesubstrat geformt sind, wobei die Signalleitungen 122 rechtwinklig zu den Abtastleitungen 121 verlaufen, die gemeinsamen Shromversorgungsleitungen 123 parallel zu den Signalleitungen 122 verlaufen. Eine Pixelregion-Einheit 1A ist an jedem der Schnittpunkte der Abtastleitungen 121 und der Signalleitungen 122 vorgesehen.
  • Eine datenseitige Treiberschaltung 3, die ein Schieberegister, einen Pegelverschieber, Videoleitungen und Analogschalter aufweist, ist mit den Signalleitungen 122 verbunden vorgesehen. Eine abtastungsseitige Treiberschaltung 4, die ein Schieberegister und einen Pegelverschieber aufweist, ist mit den Abtastleitungen 121 in Verbindung vorgesehen. In jeder Pixelregion 1A sind vorge sehen ein Schalt-Dünnschichttransistor 131, der eine Gateelektrode aufweist, welcher über die Abtastleitung 121 ein Abtastsignal zugeführt wird, ein Haltekondensator 151 zum Halten eines Bildsignals, das über den Schalt-Dünnschichttransistor 131 von der Signalleitung 122 zugeführt wird, ein Strom-Dünnschichttransistor 132, der eine Gateelektrode aufweist, welcher das vom Haltekondensator 151 gehaltene Bildsignal zugeführt wird, eine Pixelelektrode 152, in die ein Treiberstrom aus der gemeinsamen Stromversorgungsleitung 123 fließt, wenn die Pixelelektrode 152 durch den Strom-Dünnschichttransistor 132 mit den gemeinsamen Stromversorgungsleitungen 123 verbunden ist, und ein organisches fluoreszierendes Material 164, das zwischen der Pixelelektrode 152 und einer gegenüberliegenden Elektrode 165 angeordnet ist.
  • 2(a) und 2(b) sind jeweils eine Querschnittsansicht und ein Grundriß jeder Pixelregion 1A, die in 1 gezeigt wird. Die Querschnittsansicht (a) ist entlang der Linie A-A' des Grundrisses (b) genommen. In 2 stellt ein Element 141 einen Channelbereich dar; ein Element 142 einen Bereich mit hoher Verunreinigungskonzentration; ein Element 143 einen Bereich mit niedriger Verunreinigungskonzentration; ein Element 146 eine Relaisverdrahtung; ein Element 161 eine Gate-Isolierschicht; ein Element 162 eine Interlevel-Isolierschicht; und ein Element 163 eine oberste Isolierschicht.
  • 3(a), 3(b), 3(c), 3(d) und 3(e) sind Querschnittsansichten, die den Herstellungsprozeß der Anzeige 1 zeigen und der Querschnittsansicht A-A' von 2(b) entsprechen. In 3 stellt ein Element 211 eine Abdeckmaske dar, Pfeile 221 stellen Dotierungen mit hoher Verunreinigungskonzentration dar, und Pfeile 222 stellen Dotierungen mit niedriger Verunreinigungskonzentration dar.
  • Der Herstellungsprozeß wird im Folgenden im Einzelnen beschrieben.
  • Zuerst wird, wie in 3(a) gezeigt, eine Halbleiterschicht geformt, auf der danach Channelbereiche 141 und Source- und Drainbereiche des Schalt-Dünnschichttransistors 131 und des Strom-Dünnschichttransistors 132, und eine Elektrode des Haltekondensators 151 geformt werden. Diese Halbleiterschicht wird mit Halbeiterschicht-Lands 140 strukturiert. Eine Gate-Isolierschicht 161 wird so geformt, dass sie die Halbeiterschicht-Lands 140 bedeckt.
  • Als nächstes wird, wie in 3(b) gezeigt, eine Schicht zur Formung von Abdeckmasken 211 geformt und strukturiert. Dabei wird die Abdeckmaske 211 an einer Stelle, an der der Schalt-Dünnschichttransistor 131 liegt (linke Abdeckmaske 211 in 3(b)), so geformt, dass ihre Breite etwas größer als die Länge des Channelbereichs ist. Danach wird die Dotierung mit hoher Verunreinigungskonzentration 221 durchgeführt, um Bereiche 142 mit hoher Verunreinigungskonzentration zu formen.
  • Als nächstes wird, wie in 3(c) gezeigt, eine Metallschicht geformt und strukturiert, um die Abtastleitung 121 und die Relaisverdrahtung 146 zu formen. Danach wird die Dotierung mit niedriger Verunreinigungskonzentration 222 durchgeführt, wobei die Abtastleitung 121 und die Relaisverdrahtung 146 als Maske verwendet werden. Bereiche mit niedriger Verunreinigungskonzentration 143 werden dadurch Unterhalb der Abtastleitung 121 und innerhalb der Bereiche mit hoher Verunreinigungskonzentration 142 geformt, da die Breite der Abtastleitung 121 der Länge der Channelregion entspricht. Die Channelregion 141 wird innerhalb der Bereiche mit niedriger Verunreinigungskonzentration 143 ausgebildet.
  • Dadurch werden der Schalt-Dünnschichttransistor 131 mit LDD-Struktur und der Strom-Dünnschichttransistor 132 mit Selfalignment-Struktur geformt.
  • Danach wird, wie in 3(d) gezeigt, die Interlevel-Isolierschicht 162 geformt, ein Kontaktloch wird geformt, und eine Metallschicht wird geformt und strukturiert, wodurch die Signalleitung 122 und die gemeinsame Stromversorgungsleitung 123 geformt werden.
  • Als nächstes wird, wie in 3(e) gezeugt, die Pixelelektrode 152 geformt, und die oberste Isolierschicht 163 wird geformt. Danach werden das organische fluoreszierende Material 164 und die gegenüberliegende Elektrode 165 geformt.
  • 4 ist ein Diagramm, das eine Kennlinie jeweils des Schalt-Dürnschichttransistors 131 und des Strom-Dünnschichttransistors 132 in der ersten Ausführungsform zeigt. In 4 zeigt die Linie 311 eine Kennlinie des Schalt-Dünnschichttransistors 131 mit LDD-Struktur, und Linie 321 zeigt eine Kennlinie des Strom-Dünnschichttransistors 132 mit Selfalignment-Struktur. Wie aus 4 hervorgeht, weist der Schalt-Dünnschichttransistor 131 einen kleineren Sperrstrom auf, während der Strom-Dünnschichttransistor 132 einen größeren Durchlaßstrom aufweist.
  • Das heißt, in der Anzeige 1 dieser Ausführungsform wird gleichzeitig eine Abnahme im Sperrstrom des Schalt-Dünnschichttransistors 131 und eine Zunahme im Durchlaßstrom des Strom-Dünnschichttransistors 312 erreicht. Dadurch kann eine Ladung auf zuverlässige Weise im Haltekondensator 151 gehalten werden, und eine ausreichende Stromversorgung der Pixelelektrode 152 kann zuverlässiger erfolgen.
  • In dieser Ausführungsform ist der Haltekondensator 151 mit Hilfe der Gate-Isolierschicht 161 geformt. Allgemein ist die Gate-Isolierschicht 161 so geformt, dass sie dünner ist als die anderen Isolierschichten. Daher bietet die Verwendung der Gate-Isolierschicht 161 den Vorteil, dass ein Haltekondensator 151 mit kleiner Fläche und hoher Kapazität geformt werden kann.
  • Der Aufbau der Dünnschichttransistor-Anzeigevorrichtung, das Herstellungsverfahren und die Materialien der Vorrichtung können frei gewählt werden, solange sie mit der Idee der vorliegenden Erfindung im Einklang stehen.
  • (2) Zweite Ausführungsform
  • 5 zeigt eine zweite Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und umfaßt eine Querschnittsansicht und einen Grundriß, die den Aufbau eines Anzeigebereichs 1A zeigen, der dem in 2 entspricht. Die Querschnittsansicht (a) ist entlang der Linie B-B' des Grundrisses (b) genommen. Gleiche Komponenten wie die in der ersten Ausführungsform sind durch gleiche Bezugszeichen gekennzeichnet, und ihre Beschreibung wird nicht wiederholt.
  • Das heißt, in dieser Ausführungsform weisen der Schalt-Dünnschichttransistor 131 und Strom-Dünnschichttransistor 132 beide eine LDD-Struktur auf. Doch die LDD-Länge des Schalt-Dünnschichttransistors 131 ist größer als die LDD-Länge des Strom-Dünnschichttransistors 132.
  • Auch dieser Aufbau ermöglicht es, gleichzeitig eine Abnahme im Sperrstrom des Schalt-Dünnschichttransistors 131 und eine Zunahme im Durchlaßstrom des Strom-Dünnschichttransistors 132 zu erreichen, wie in der oben beschriebenen ersten Ausführungsform.
  • (3) Dritte Ausführungsform (nicht Teil der Erfindung)
  • 6 bis 8 sind Diagramme, die eine dritte Ausführungsform zeigen, die nicht Bestandteil der vorliegenden Erfindung ist. Auch in dieser Ausführungsform wird eine erfindungsgemäße Dünnschichttransistor-Anzeigevorrichtung auf ein Aktiv-Matrix-Display angewendet, das EL-Anzeigeelemente verwendet, wie bei der ersten Ausführungsform. Der gesamte Aufbau dieser Ausführungsform ist der gleiche wie der der ersten Ausführungsform, der in 1 gezeigt wird. Die Zeichnung und die Beschreibung werden deshalb nicht wiederholt. Gleiche Komponenten wie die in der ersten Ausführungsform sind auch durch gleiche Bezugszeichen gekennzeichnet, und ihre Beschreibung wird nicht wiederholt.
  • 6 umfaßt eine Querschnittsansicht und einen Grundriß, die den Aufbau eines Anzeigebereichs 1A zeigen, der dem in 2 entspricht. Die Querschnittsansicht (a) ist entlang der Linie C-C' des Grundrisses (b) genommen. Die Abschnitte 144 stellen Bereiche mit einer Verunreinigungskonzentration dar, die im Wesentlichen die gleiche wie die des Channelbereichs ist.
  • 7(a) bis 7(e) sind Querschnittsansichten, die den Herstellungsprozeß der Anzeige 1 dieser Ausführungsform zeigen. Der Herstellungsprozeß, der in diesen Zeichnungen gezeigt wird, ist im Wesentlichen der gleiche wie der in der ersten Ausführungsform und unterscheidet sich darin, dass die Dotierung 222 mit niedriger Verunreinigungskonzentration zur Formung von Regionen 143 mit niedriger Verunreinigungskonzentration nicht durchgeführt wird.
  • Das heißt, wie in 7(c) gezeigt, eine Metallschicht wird geformt und strukturiert, um die Abtastleitung 121 und die Relaisverdrahtung 196 zu formen, wodurch der Schalt-Dünnschichttransistor 131 und der Strom-Dünnschichttransistor 132 fertiggestellt sind. Da Bereiche 144 mit einer Verunreinigungskonzentration, die im Wesentlichen die gleiche ist wie die des Channelbereichs 141, zwischen den Bereichen 142 mit hoher Verunreinigungskonzentration und dem Channelbereich 141 im Schalt-Dünnschichttransistor 131 geformt sind, ist der so geformte Schalt-Dünnschichttransistor 131 ein Transistor mit Offset-Struktur.
  • 8 ist ein Diagramm, das eine Kennlinie jeweils des Schalt-Dünnschichttransistors 131 und des Strom-Dünnschichttransistors 132 in dieser Ausführungsform zeigt.
  • In 8 zeigt eine Linie 312 eine Kennlinie des Schalt-Dünnschichttransistors 131 mit Offset-Struktur an, und eine Linie 321 zeigt eine Kennlinie des Strom-Dünnschichttransistors 132 mit Selfalignment-Struktur an. Wie aus 8 hervorgeht, weist der Schalt-Dünnschichttransistor 131 einen kleineren Sperrstrom auf, während der Strom-Dünnschichttransistor 132 einen größeren Durchlaßstrom aufweist.
  • Das heißt, auch in der Anzeige 1 dieser Ausführungsform werden eine Abnahme im Sperrstrom des Schalt-Dünnschichttransistors 131 und eine Zunahme im Durchlaßstrom des Strom-Dünnschichttransistors 132 gleichzeitig erreicht. Dadurch kann eine Ladung zuververlässig im Haltekondensator 151 gehalten werden, und eine ausreichende Stromversorgung der Pixelelektrode 152 kann zuverlässiger erfolgen.
  • In dieser Ausführungsform wird der Haltekondensator 151 mit Hilfe der Interlevel-Isolierschicht 162 geformt. Deshalb können die Abtastleitung 121 und die gemeinsame Stromversorgungsleitung 123 den Haltekondensator 151 ohne den Bereich 142 mit hoher Verunreinigungskonzentration formen, wodurch der Freiheitsgrad beim Design erhöht wird.
  • (4) Vierte Ausführungsform (nicht Teil der Erfindung)
  • 9 zeigt eine vierte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, die nicht Bestandteil der Erfindung ist, und umfaßt eine Querschnittsansicht und einen Grundriß, die den Aufbau eines Anzeigebereichs 1A zeigen, der dem in 2 entspricht. Die Querschnittsansicht (a) ist entlang der Linie D-D' des Grundrisses (b) genommen. Gleiche Komponenten wie in der ersten Ausführungsform sind durch gleiche Bezugszeichen gekennzeichnet, und ihre Beschreibung wird nicht wiederholt.
  • Das heißt, in dieser Ausführungsform sind der Schalt-Dünnschichttransistor 131 und der Strom-Dünnschichttransistor 132 beide mit Offset-Struktur. Doch die Offset-Länge des Schalt-Dünnschichttransistors 131 ist größer als die Offset-Länge des Strom-Dünnschichttransistors 132.
  • Auch dieser Aufbau erlaubt es, gleichzeitig eine Abnahme im Sperrstrom des Schalt-Dünnschichttransistors 131 und eine Zunahme im Durchlaßstrom des Strom-Dünnschichttransistors 132 zu erreichen, wie in der oben beschriebenen dritten Ausführungsform.
  • INDUSTRIELLE ANWENDBARKEIT
  • Wie oben beschrieben, kann erfindungsgemäß zugleich eine Abnahme im Sperrstrom des Schalt-Dünnschichttransistors 131 und eine Zunahme im Durchlaßstrom des Strom-Dünnschichttransistors 132 erreicht werden, wodurch gewährleistet wird, dass eine Ladung auf zuverlässig im Haltekondensator gehalten wird, und dass eine ausreichende Stromversorgung der Pixelelektrode zuverlässiger erfolgen kann.

Claims (4)

  1. Anzeige, umfassend: eine Vielzahl von Abtastleitungen (121); eine Vielzahl von Signalleitungen (122); eine Stromversorgungsleitung (123); und eine Vielzahl von Pixeln (1A), die an Schnittpunkten zwischen der Vielzahl von Abtastleitungen (121) und der Vielzahl von Signalleitungen (122) angeordnet sind, wobei in jedem von der Vielzahl von Pixeln (1A) vorgesehen ist: ein Anzeigeelement (164), das mit einem Strom betrieben wird; eine Pixelelektrode; ein erster Dünnschichttransistor (131), der eine erste Gateelektrode, einen ersten Sourcebereich (142), einen ersten Drainbereich (142) und einen ersten Channelbereich (141) aufweist, wobei der ersten Gateelektrode über eine entsprechende Abtastleitung von der Vielzahl von Abtastleitungen (121) ein Abtastsignal zugeführt wird; ein Haltekondensator (151), der ein Bildsignal hält, das von einer entsprechenden Signalleitung von der Vielzahl von Signalleitungen (122) über den ersten Transistor (131) zugeführt wird, wobei der erste Transistor (131) die Stromleitung zwischen der entsprechenden Signalleitung und dem Haltekondensator (151) steuert; ein zweiter Dünnschichttransistor (132), der die Stromleitung zwischen der Stromversorgungsleitung (123) und dem Anzeigeelement (164) dem vom Haltekondensator (151) gehaltenen Bildsignal entsprechend steuert, und eine zweite Gateelektrode, einen zweiten Sourcebereich, einen zweiten Drainbereich und einen zweiten Channelbereich (141) aufweist; wobei der erste Transistor (131) außerdem einen ersten Verunreinigungsbereich (143) aufweist, der zwischen dem ersten Channelbereich (141) und mindestens einem von dem ersten Sourcebereich (142) und dem ersten Drainbereich (142) geformt ist, und dessen Verunreinigungskonzentration niedriger ist als die des mindestens einen von dem ersten Sourcebereich (192) und dem ersten Drainbereich (142) und höher ist als die des ersten Channelbereichs (141); und wobei der zweite Channelbereich (141) zwischen dem zweiten Sourcebereich (142) und dem zweiten Drainbereich (142) geformt ist und die zweite Gateelektrode mit dem zweiten Channelbereich (141) ausgerichtet ist.
  2. Anzeige nach Anspruch 1, wobei der zweite Transistor (132) außerdem einen zweiten Verunreinigungsbereich (143) aufweist, der zwischen dem zweiten Channelbereich (141) und mindestens einem von dem zweiten Sourcebereich (192) und dem zweiten Drainbereich (142) geformt ist, und dessen Verunreinigungskonzentration niedriger ist als die des mindestens einen von dem zweiten Sourcebereich (192) und dem zweiten Drainbereich (142) und höher ist als die des zweiten Channelbereichs (141); und der erste Verunreinigungsbereich (143) länger ist als der zweite Verunreinigungsbereich (143).
  3. Anzeige nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Sperrstrom des ersten Transistors (131) im Betrieb niedriger ist als der des zweiten Transistors (132).
  4. Anzeige nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Durchlassstrom des zweiten Transistors (132) im Betrieb höher ist als der des ersten Transistors (131).
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