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GEBIET DER ERFINDUNG
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Die
vorliegende Erfindung betrifft Strukturen für die Untersuchung elektronischer
Einheiten, wie z.B. integrierter Schaltungseinheiten und anderer elektronischer
Elemente, sowie Verfahren zu deren Herstellung und Vorrichtungen
zu deren Verwendung, und insbesondere die Untersuchung von integrierten
Schaltungseinheiten mit starren Kontaktflächen und von Multichipbausteinen
mit Kontaktflachen hoher Dichte.
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ALLGEMEINER STAND DER TECHNIK
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Integrierte
Schaltungseinheiten (ICs) und andere elektronische Elemente werden
normalerweise untersucht, um die elektrische Funktion der Einheit zu überprüfen, und
bestimmte Einheiten machen eine Hochtemperatur-Einbrennuntersuchung
erforderlich, um Frühausfälle dieser
Einheiten zu beschleunigen. Die Wafer-Untersuchung wird typischerweise an
einer einzelnen Stelle eines Chips bei Temperaturen im Bereich von
25 °C bis
125 °C durchgeführt, während das
Einbrennen typischerweise an auseinander geschnittenen und gepackten
Chips bei Temperaturen im Bereich von 80 °C bis 150 °C durchgeführt wird. Die Wafer-Untersuchung und
das Einbrennen von IC-Chips bei erhöhten Temperaturen von bis zu
200 °C bieten
viele Vorteile und werden in der Halbleiterindustrie immer wichtiger.
Das gleichzeitige Untersuchen mehrerer Chips auf einem einzelnen Wafer
bietet offensichtliche Vorteile, um die Kosten zu verringern und
den Produktionsdurchsatz zu erhöhen,
und ist ein logischer Schritt in die Richtung der Untersuchung und
des Einbrennens eines vollständigen
Wafers.
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Verschiedene
Arten von Verbindungsverfahren, welche angewendet werden, um diese
Einheiten zu untersuchen, sind z.B. permanente, semipermanente und
vorübergehende
Befestigungstechniken. Permanente und semipermanente Techniken,
die typischerweise angewendet werden, sind z.B. Löten und
Drahtbonden, um eine Verbindung von der IC-Einheit zu einem Substrat
mit Ausgangsverdrahtung oder einem Metallleiterrahmen-Baustein bereitzustellen.
Vorübergehende
Befestigungstechniken sind z.B. starre und flexible Sonden, welche
verwendet werden, um die IC-Einheit mit einem Substrat mit Ausgangsverdrahtung
oder direkt mit dem Testgerät zu
verbinden.
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Die
permanenten Befestigungstechniken, die verwendet werden, um integrierte
Schaltungseinheiten zu untersuchen, wie z.B. das Drahtbonden mit einem
Leiterrahmen eines Kunststoff-Chipträgers, werden
typischerweise für
Einheiten angewendet, welche eine geringe Anzahl von Verbindungen
aufweisen, und wenn der Baustein der Kunststoff-Chipträger relativ
preiswert ist. Die Einheit wird durch die Drahtverbindungen und
die Leiter des Kunststoff-Chipträgers
untersucht und in eine Testfassung eingesteckt. Wenn die integrierte
Schaltung defekt ist, werden die Einheit und der Kunststoff-Chipträger verworfen.
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Die
semipermanenten Befestigungstechniken, welche für die Untersuchung von integrierten Schaltungseinheiten
angewendet werden, wie z.B. Lötperlen-Befestigung
an einem Keramik- oder Kunststoff-Stiftgitterreihen-Baustein, werden
typischerweise für
Einheiten angewendet, welche eine hohe Anzahl von Verbindungen aufweisen,
und wenn der Stiftgitterreihen-Baustein
relativ teuer ist. Die Einheit wird durch die Lötperlen und die interne Ausgangsverzeigung
und die Stifte des Stiftgitterreihen-Bausteins untersucht, welcher
in eine Testfassung eingesteckt ist. Wenn die integrierte Schaltung defekt
ist, kann die Einheit aus dem Stiftgitterreihen-Baustein entfernt werden, indem die
Lötperlen auf
ihren Schmelzpunkt erhitzt werden. Die Betriebskosten für das Erhitzen
und das Entfernen des Chips werden durch die Kosteneinsparung durch
die Wiederverwendung des Stiftgitterreihen-Bausteins kompensiert.
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Bei
den kostenwirksamsten Techniken zum Untersuchen und Einbrennen von
integrierten Schaltungseinheiten wird eine direkte Verbindung zwischen
den Kontaktflächen
auf der Einheit und einer Sondenfassung bereitgestellt, welche mit
dem Testgerät
festverdrahtet ist. Temporäre
Sonden für
die Untersuchung integrierter Schaltungen sind teuer in der Herstellung
und werden leicht beschädigt.
Die einzelnen Sonden sind typischerweise an einer ringförmigen gedruckten
Leiterplatte befestigt und tragen freiliegende Metalldrähte, welche
sich in Richtung der Mitte der Öffnung
in der Leiterplatte erstrecken. Jeder Sondendraht muss zu einer
Kontaktstelle der zu untersuchenden integrierten Schaltungseinheit ausgerichtet
sein. Die Sondendrähte
sind im Allgemeinen zerbrechlich und werden leicht verformt oder beschädigt. Diese
Art der Sondenhalterung wird typischerweise für die Untersuchung integrierter
Schaltungseinheiten verwendet, welche entlang dem Umfang der Einheit
Kontakte aufweisen. Diese Art der Sonde ist auch viel größer als
die IC-Einheit, die untersucht wird, und die Verwendung dieser Art
der Sonde für
die Hochtemperaturuntersuchung ist durch die Sondenstruktur und
die Materialzusammenstellung beschränkt. Dies wird unter Bezugnahme
auf die gleichzeitig anhängige
US-Patentanmeldung
08/754 869 des Anmelders beschrieben, welche am 22. November 1996
eingereicht wurde.
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Eine
andere Technik, die für
die Untersuchung von IC-Einheiten angewendet wird, umfasst eine
dünne flexible
Schaltung mit Metall-Kontakthöckern
und Ausgangsverdrahtung. Die Kontakthöcker werden typischerweise
durch photolithografische Verfahren gebildet und stellen einen erhöhten Kontakt
für die
Sondenanordnung bereit. Die Kontakthöcker werden verwendet, um einen
Kontakt mit den flachen oder versenkten Aluminium-Kontaktflächen auf
der IC-Einheit herzustellen. Zwischen der Rückseite der flexiblen Schaltung
und einer Anpressplatte oder starren Leiterplatte wird typischerweise
eine Elastomerunterlage verwendet, um für eine Nachgiebigkeit der Sondenschnittstelle
zu sorgen. Diese Art der Sonde ist auf flexible Dünnschicht-Substratmaterialien
beschränkt,
welche typischerweise eine oder zwei Verdrahtungslagen aufweisen.
Außerdem
stellt diese Art der Sonde keine Wischkontakt-Schnittstelle bereit, um eine Verbindung
mit geringem Widerstand sicherzustellen.
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Die
Aluminium-Kontaktflächen
auf einer IC-Einheit hoher Dichte weisen typischerweise eine rechteckige
Form auf und sind leicht unter die Oberfläche der Passivierungsschicht
versenkt. Wenn der Wischvorgang der Sonde hoher Dichte nicht gesteuert
wird, kann sich der Sondenkontakt in die falsche Richtung bewegen
und mit einer benachbarten Aluminium-Kontaktfläche kurzgeschlossen werden,
oder der Sondenkontakt kann sich von der Aluminium-Kontaktfläche weg
auf die Oberfläche
der Passivierungsschicht bewegen und eine offene Verbindung verursachen.
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Für die Untersuchung
und das Einbrennen von IC-Einheiten werden gewöhnlich goldplattierte Kontakte
verwendet. Die Hochtemperatur-Untersuchungsumgebung kann eine Diffusion
des Basismetalls der Sonde in die Goldplattierung auf der Oberfläche hinein
verursachen. Durch den Diffusionsvorgang wird eine hochbeständige Oxidschicht
auf der Oberfläche
des Sondenkontakts erzeugt und die Lebensdauer der Sonde verringert.
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Die
Position der Sondenspitzen muss gesteuert werden, um eine genaue
Ausrichtung der Sonden auf die Kontaktflächen der IC-Einheit sicherzustellen. Während der
Hochtemperatur-Einbrennuntersuchung
ist die Fehlanpassung durch die thermische Ausdehnung zwischen der
Sondenstruktur und der IC-Einheit
vorzugsweise gering, um sicherzustellen, dass die Sondenposition über den
Temperaturbereich des Einbrennens nicht wesentlich variiert. Eine
Fehlanpassung durch die thermische Ausdehnung innerhalb der Sondenstruktur
kann zu Zuverlässigkeitsproblemen
des Kontaktes führen.
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Die
Probleme der Sondenuntersuchung einer einzelnen integrierten Schaltungseinheit
hoher Dichte vervielfachen sich weiter für Multichip- und Ganzwafer-Untersuchungsanwendungen.
Die Herstellungstechniken der Sonden und die Materialauswahl sind
für die
thermische Ausdehnung und für
Erwägungen
der Kontaktausrichtung entscheidend. Ein kleiner Unterschied in
der thermischen Ausdehnung des Substrats, des Wafers und der Sondenkonstruktion
führt zu
einer falschen Ausrichtung der Sondenspitze an dem Kontaktfeld des
Wafers. Die Nachgiebigkeit der Sondenstruktur ist ein weiterer kritischer Faktor.
Leichte Abweichungen in der Metallisierung des Wafers, eine Verformung
des Wafers und leichte Abweichungen der Sondenhöhe tragen zu den Gesamt-Nachgiebigkeitserfordernissen
für die
Sondenstruktur bei.
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Der
im Folgenden beschriebene Stand der Technik umfasst einige verschiedene
Sondenvorrichtungen zur Untersuchung offener IC-Chips.
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Die
US-Patentschrift 5 177 439, erteilt am 5. Januar 1993 an Liu u.a.,
betrifft Vorrichtungen zur Untersuchung offener IC-Chips. Die Vorrichtung
wird aus einem Silicium-Wafer oder einem anderen Substrat hergestellt,
welches für
die Halbleiterverarbeitung geeignet ist. Das Substrat wird chemisch
geätzt, um
mehrere Vorsprünge
zu erzeugen, die zu der E/A-Struktur des offenen IC-Chips passen.
Die Vorsprünge
werden mit einem leitenden Material beschichtet und mit einzelnen
leitenden Ausgangsverdrahtungswegen verbunden, um eine Verbindung
mit einem externen Testsystem zu ermöglichen. Durch die in dieser
Patentschrift beschriebene Sondengeometrie wird keine nachgiebige
Schnittstelle zur Untersuchung der Aluminium-Kontaktflächen auf
der IC-Einheit und keine Wischkontakt-Schnittstelle bereitgestellt.
Das für
die Herstellung dieser Sondenvorrichtung verwendete Substrat ist
auf Halbleiter-Wafer beschränkt,
welche relativ teuer sind.
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WO
98/01906 beschreibt eine frei bewegliche seitliche Stütze für Enden
langgestreckter Verbindungselemente, gemäß Art. 54 III und Art. 54 IV EPÜ.
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Shih,
D-Y, u.a., „A
novel elastomeric connector for packaging interconnections, testing
and burn-in applications",
Proceedings of the Electronic Components and Technology Conference,
Las Vegas, 21. bis 24. Mai 1995, Konf.-Nr. 45, 21. Mai 1995, Institute
of Electrical and Electronics Engineers, Seite 126 bis 133, XP000624964,
beschreiben ein Verbindungsstück,
das für
die Untersuchung von Verbindungen geeignet ist.
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In
den PAJ für
JP-58165056 ist eine Sondenkarte beschrieben.
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In
der gleichzeitig anhängigen
US-Patentanmeldung 08/754 869 des Anmelders, eingereicht am 22.
November 1996, ist eine Testsonde hoher Dichte für integrierte Schaltungseinheiten
beschrieben.
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In
der darin beschriebenen Sondenstruktur werden kurze Metalldrähte verwendet,
welche an einem Ende mit der Ausgangsverdrahtung eines starren Substrats
verbunden sind. Die Drähte
sind vorzugsweise in ein nachgiebiges Polymermaterial eingebettet,
um zu ermöglichen,
dass die Sonden unter Druck gegen die integrierte Schaltungseinheit
zusammengedrückt
werden. Die Drahtsonden sind lang genug und in einem Winkel geformt,
um während
des Zusammendrückens
gegen die integrierte Schaltungseinheit eine permanente Verformung
zu verhindern.
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AUFGABEN
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Es
ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Sonde für die Untersuchung
elektronischer Einheiten und anderer elektronischer Elemente bereitzustellen,
bei welchen Kontaktflächen
als Verbindungsmittel verwendet werden.
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Eine
andere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Sondenstruktur
bereitzustellen, welche ein integrierter Teil der Ausgangsverdrahtung
auf dem Testsubstrat oder eines anderen gedruckten Verdrahtungsmittels
ist, um die Länge
der elektrischen Leiter ebenso wie den Kontaktwiderstand der Sondenschnittstelle
auf ein Mindestmaß herabzusetzen.
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Eine
weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Sonde mit
einer nachgiebigen Schnittstelle bereitzustellen, um leichte Abweichungen
der Höhen
der starren Kontaktflächen
auf der IC-Einheit und Abweichungen der Höhe der Sondenkontakte auszugleichen.
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Eine
weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine erhöhte Sondenspitze
zur Herstellung von Kontakten zu versenkten Flächen auf der IC-Einheit bereitzustellen.
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Noch
eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Sonde
mit einer Wischkontakt-Schnittstelle bereitzustellen, wobei die
Richtung und die Länge
des Kontaktwischvorgangs steuerbar ist.
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Noch
eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Sondenkonstruktion
bereitzustellen, welche thermische Ausdehnungseigenschaften aufweist,
die an die bei hohen Temperaturen zu untersuchende oder einzubrennende
IC-Einheit angepasst sind.
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Noch
eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Sondenkonstruktion
bereitzustellen, welche eine hohe Haltbarkeit und Zuverlässigkeit
für wiederholte
thermische und mechanische Zyklen aufweist.
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Noch
eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Sondenstruktur
bereitzustellen, welche für
die Untersuchung von Einzelchips oder Multichip-Wafern verwendet
werden kann.
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Noch
eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Sondenstruktur
bereitzustellen, welche eine verbesserte Nennlagetoleranz aufweist.
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Noch
eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Sondenstruktur
bereitzustellen, welche kein Elastomermaterial erforderlich macht, um
die einzelnen Sondendrähte
zu tragen.
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Es
ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Sonde
hoher Dichte mit gesteuertem Wischvorgang bereitzustellen, welche
auf einer Vielfalt von preisgünstigen
Substraten mit der Ausgangsverdrahtung hergestellt werden kann.
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ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
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Gemäß einer
ersten Erscheinungsform der vorliegenden Erfindung ist ein Vorrichtungsanspruch 1
definiert. Gemäß einer
zweiten Erscheinungsform der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahrensanspruch
2 definiert.
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Die
Struktur ist als Sonde geeignet, um integrierte Schaltungen zu untersuchen
und einzubrennen, insbesondere auf Wafer-Ebene.
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Die
Sonde ist in einer Untersuchungsvorrichtung eingebaut.
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KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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Diese
und andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung
werden durch weitere Betrachtung der folgenden detaillierten Beschreibung
der Erfindung ersichtlich, wenn sie in Verbindung mit den Zeichnungsfiguren
gelesen wird, in welchen:
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1 eine
Querschnittsansicht einer ersten nachgiebigen Testsonde des Standes
der Technik zeigt, welche an einem Substrat befestigt ist und gegen
die Aluminium-Kontaktflächen,
z.B. Aluminiumflächen
auf einer integrierten Schaltungseinheit, gedrückt ist;
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2 eine
vergrößerte Querschnittsansicht der
ersten nachgiebigen Testsonde des Standes der Technik zeigt;
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3 bis 5 die
Verfahren zeigen, welche angewendet werden, um die nachgiebige Testsonde
auf einem Ausgangsverdrahtungs-Substrat herzustellen;
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6 eine
Querschnittsansicht einer Anordnung nachgiebiger Testsonden für die Untersuchung mehrerer
IC-Einheiten auf einem Einzelwafer zeigt;
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7 eine
Draufsicht auf eine Anordnung erster nachgiebiger Testsonden für die Untersuchung aller
IC-Einheiten auf einem Einzelwafer zeigt;
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8 eine
Querschnittsansicht einer bevorzugten Ausführungsform der nachgiebigen
Testsonde zeigt;
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9 eine
vergrößerte Querschnittsansicht der
bevorzugten Ausführungsform
der nachgiebigen Testsonde zeigt;
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10 eine
Querschnittsansicht einer zweiten nachgiebigen Testsonde des Standes
der Technik zeigt;
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11 eine
Querschnittsansicht einer dritten nachgiebigen Testsonde des Standes
der Technik zeigt;
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12 eine
Querschnittsansicht einer vierten nachgiebigen Testsonde des Standes
der Technik zeigt;
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13 eine
Querschnittsansicht einer Anordnung fünfter nachgiebiger Testsonden
des Standes der Technik für
die Untersuchung mehrerer IC-Einheiten auf einem Einzelwafer zeigt;
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14 eine
Draufsicht auf eine zweite Anordnung nachgiebiger Testsonden für die Untersuchung
aller IC-Einheiten
auf einem Einzelwafer zeigt;
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15 eine
Vielfalt von Formen der Sondendrähte
schematisch darstellt, die für
die Ausübung der
vorliegenden Erfindung geeignet sind, z.B. „S"- oder „C"-Form, durchgehend gekrümmt, stückweise gekrümmt, stückweise
linear und Kombinationen daraus;
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16 schematisch
alternative Ausführungsformen
nachgiebiger Rahmenstrukturen 17 darstellt, um die Sondenspitzen-Positionierstruktur 20 zu
tragen, damit diese in Position bleibt und sich bewegt, wenn sich
die Sondenspitzenenden 16 bewegen, wenn sie zur Herstellung
einer Verbindung mit den Kontaktfeldern 31 der elektronischen
Einheit bewegt werden;
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17 schematisch
langgestreckte Leiter darstellt, welche über dem gesamten Leiter oder
zumindest an den Enden Beschichtungen aufweisen;
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18 schematisch
eine Vorrichtung zum Bewegen der Sondenstruktur der vorliegenden
Erfindung in eine elektrische Verbindung mit einem Werkstück, z.B.
auf einer untersuchten integrierten Schaltung (IC), darstellt.
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DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
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In 1 ist
eine Querschnittsansicht eines Testsubstrats 11 und einer
nachgiebigen Testsonde 10 dargestellt. Das Testsubstrat 11 bietet
eine starre Basis zum Anbringen der Sonden 10 und eine
Ausgangsverdrahtung von der Anordnung von Sondenkontakten hoher
Dichte zu einem größeren Stiftgitter oder
zu anderen Verbindungsmitteln zu dem Gerät, das verwendet wird, um die
integrierte Schaltungseinheit elektrisch zu untersuchen. Das Ausgangsverdrahtungs-Substrat
kann aus verschiedenen Materialien und nach verschiedenen Konstruktionen
hergestellt sein, z.B. einer Einzel- oder Mehrschichtkeramik mit
Dick- oder Dünnschichtverdrahtung,
einem Silicium-Wafer mit Dünnschichtverdrahtung
oder einer Epoxidharz/Glas-Laminatkonstruktion mit hochdichter Kupferverdrahtung.
Die Testsonden 10 sind an der ersten Oberfläche 12 des
Substrats 11 angebracht. Die Sonden werden verwendet, um
einen Kontakt zu den Kontaktflächen 31,
typischerweise aus Aluminium hergestellt, auf der integrierten Schaltungseinheit 30 herzustellen.
Die Kontaktflächen 31 sind
typischerweise leicht unter die Oberfläche der Passivierungsschicht 32 der
integrierten Schaltungseinheit 30 versenkt. Die Geometrie
der nachgiebigen Testsonde 10 ist dafür optimiert, eine Wischkontakt-Schnittstelle
bereitzustellen, um die Oxide auf der Oberfläche der Aluminium-Kontaktflächen 31 zu durchdringen,
um für
eine Verbindung mit geringem Widerstand zu sorgen. Bei dem Substrat 11 kann
es sich um ein Schaltungssubstrat handeln, welches typischerweise
verwendet wird, um ein Montagesubstrat bereitzustellen, um darauf
eine integrierte Schaltung anzubringen, bei solchen Montagesubstraten handelt
es sich typischerweise um metallisierte Keramik- und Glaskeramiksubstrate
und metallisierte Polymersubstrate, welche gewöhnlich als gedruckte Leiterplatten
bezeichnet werden.
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Die
Testsonde 10 ist direkt an der Ausgangsverdrahtung 13 auf
der ersten Oberfläche 12 des Substrats 11 angebracht,
um den Widerstand der Sondenschnittstelle auf ein Mindestmaß herabzusetzen.
Dies kann erreicht werden, indem die Testsonde 10 auf der
Oberfläche 12 aufgebaut
wird, oder indem das Substrat 10 getrennt aufgebaut wird
und danach an der Oberfläche 12 angebracht
wird, z.B. durch Ankleben. Die Sondengeometrie ist dafür optimiert,
eine flexible Kontaktschnittstelle bereitzustellen, welche die Richtung
und Länge
des Wischvorgangs steuert. Die Flexibilität wird vorzugsweise dadurch
erreicht, dass ein elastomeres Material verwendet wird, um die Sonde
(W) herzustellen. Es kann jedoch auch irgendein anderes Mittel angewendet
werden, um die Nachgiebigkeit zu erreichen, z.B. durch eine mechanische
Konstruktion. Das Elastomermaterial 18, welches die Sonden
umgibt, sorgt für
eine nachgiebige Struktur, und die Folie 20 wird verwendet,
um die Position der Sondenspitzen 16 zu steuern. Die Folie 20 ist
typischerweise dünn
(vorzugsweise dünner
als 0,254 mm (10 mil)) und aus einem starren Material hergestellt,
wie z.B. Kupfermetall, Aluminium, Invar, Molybdän und Cu/Invar/Cu, es kann
sich aber auch um eine Polymerfolie handeln, z.B. ein Polyimid,
oder um eine anorganische Folie, z.B. eine Folie aus Keramik oder
Silicium oder Glas oder einem dielektrischen Material. Am meisten
bevorzugt wird für
die Folie Invar. Die dünne
Invar-Folie 20 ist mit einer dünnen Materialschicht 24 beschichtet,
um die Invar-Folie 20 von dem Sondendraht 15 und
der Sondenspitze 16 zu isolieren. Die Nennlagetoleranz
der Sondenspitzen 16 wird erhöht, indem mehrere kleine Öffnungen 21 in
der dünnen
Invar-Folie 20 verwendet werden. Der Durchmesser der Öffnungen 21 in
der dünnen
Invar-Folie 20 ist vorzugsweise nur geringfügig größer als
der Durchmesser des Sondendrahts 15, und die Öffnungen 21 werden
vorzugsweise erzeugt, indem ein chemisches Präzisions-Ätzverfahren
angewendet wird. Der Durchmesser (d) der Öffnungen 21, verglichen
mit dem Durchmesser (r) der Fläche 15,
bestimmt das Ausmaß,
wie weit sich die Spitzen 16 von einer Anfangsposition
wegbewegen, wenn die Sonde 10 gegen ein zu untersuchendes
Werkstück gedrückt wird.
Die Sondenspitzen 16 sind typischerweise so konstruiert,
dass sie auf die Mitte der zu untersuchenden Kontaktfläche ausgerichtet
sind. Die Sondenspitze 16 kann sich seitlich um eine Strecke von
ungefähr
0,0254 bis 0,0762 mm (1 bis 3 mil) bewegen. Wenn es sich bei der
Kontaktfläche
um einen Kreis des Durchmessers (p) handelt, dann ist d vorzugsweise
kleiner oder gleich r. Wenn es sich bei der Kontaktfläche um ein
Quadrat der Seitenlänge
(I) handelt, dann ist d vorzugsweise kleiner oder gleich I/2. Diese
Einschränkung
für d erlaubt
den Sondenspitzen 16, sich seitlich zu bewegen, ohne von
der Kontaktfläche 31 zu
rutschen. Wenn es nur darum geht, dass eine Sondenspitze 16 nicht
in eine benachbarte Kontaktfläche
rutscht, dann ist d kleiner als etwa eine Hälfte der Strecke zwischen den
Kontaktflächen.
Wenn die nachgiebige Sonde 10 hoher Dichte gegen die IC-Einheit 30 gedrückt wird,
dreht sich der Sondendraht 15 leicht, und die Sondenspitze 16 gleitet
an der Oberfläche
der Kontaktflächen 31 der IC-Einheit 30 entlang.
Die Länge
des Gleit- oder Wischvorgangs ist durch den Winkel und die Länge des
Sondendrahtes 15 und das Maß der Kompression der Sonde 10 beschränkt. Die
auf dem Substrat 11 angebrachte Sonde 10 ist dafür konstruiert
und eingerichtet, von einem Mittel zum Bewegen der Sonde 10 in
Richtung der elektronischen Einheit 30 bewegt zu werden,
derart, dass die Sondenspitzen 16 in Richtung der Kontaktflächen 31 auf
der elektronischen Einheit 30 bewegt werden, derart, dass
die Sondenspitzen 16 mit den Kontaktflächen 31 in Kontakt
kommen, so dass die Sonde 10 dafür benutzt werden kann, die
Einheit 30 elektrisch zu untersuchen und einzubrennen.
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In 2 ist
eine vergrößerte Querschnittsansicht
der nachgiebigen Testsonde dargestellt. Die dünne Folie 20 kann
isoliert werden, indem eine dünne
Schicht entweder eines organischen oder eines anorganischen Materials
auf beide Oberflächen
und in die Öffnungen 21 in
der dünnen
Folie 20 aufgebracht wird. Bei der organischen Beschichtung
könnte
es sich zum Beispiel um Parylen C, Parylen D oder Parylen F oder
irgendwelche anderen in der Technik bekannten Arten handeln. Eine
Beschichtung 24 ist am wünschenswertesten, wenn es sich
bei der Folie 20 um ein elektrisch leitendes Material handelt.
Wenn die Folie 20 elektrisch leitend ist, kann an die Folie 20 eine
elektrische Vorspannung angelegt werden, indem sie z.B. auf Erdpotential
gehalten wird, um eine elektrische Abschirmung zwischen den elektrischen Leitern 15 und
zwischen den elektrisch leitenden Kontaktflächen 31 bereitzustellen,
um ein Übersprechen
zwischen den Leitern 15 und den Kontaktflächen 31 zu
vermeiden.
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In 3 ist
ein erstes Verfahren dargestellt, welches angewendet wird, um die
nachgiebige Testsonde 10 herzustellen. Ein Thermosonic-Drahtbondwerkzeug
wird verwendet, um die Kugelkontakte 14 auf der Ausgangsverdrahtung 13 auf
der ersten Oberfläche 12 des
Substrats 11 anzubringen, welches vorzugsweise starr ist.
Bei dem Drahtbondwerkzeug wird eine erste, vorzugsweise keramische,
Kapillare 40 verwendet, um das kugelförmige Ende 14 des
Kontaktierungsdrahts 41 gegen die Verdrahtung 13 auf
der ersten Oberfläche 12 des
Substrats 11 zu drücken.
Kompressionskraft und Ultraschallenergie werden vorzugsweise durch
die Spitze der ersten Kapillare 40 hindurch angewendet,
und die Wärmeenergie
wird vorzugsweise von der Drahtbondstufe durch das Substrat 11 hindurch
angewendet, um das kugelförmige
Ende 14 des Kontaktierungsdrahts 41 mit der Ausgangsverdrahtung 13 auf
der ersten Oberfläche 12 des
Substrats 11 in Kontakt zu bringen. Der Kontaktierungsdraht 41 ist
in einem Winkel angeordnet, und ein Scherblatt 42 wird
benutzt, um den Kontaktierungsdraht 41 zu durchtrennen,
um ein angewinkeltes Drahtsegment 15 zu erzeugen, welches
von dem Kugelkontakt 14 hervorstehend anfangs vertikal von
der Kugel 14 weg zeigt. Die Bewegung der Kapillare 40 wird
während
dieses Verfahrens so gesteuert, dass ein kurzer gerader Abschnitt
des Drahts 43 bereitgestellt wird, welcher vorzugsweise
senkrecht auf der Oberfläche
des starren Substrats 11 steht. Durch Steuern der relativen
Bewegung zwischen der Kapillare 40 und dem Substrat 11 kann
eine Vielfalt von Formen des Drahts 15 erreicht werden,
z.B. durchgehend gekrümmt.
In 15 sind Formbeispiele schematisch dargestellt.
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In 4 ist
ein Laser 50 (vorzugsweise ein Argonionen-Laser) dargestellt,
welcher benutzt wird, um die Enden der kurzen geraden Abschnitte
des Drahts 15 zu schmelzen, um einen kugelförmigen Kontakt 16 zu
erzeugen. Eine dünne
Folie 20 mit Öffnungen 21,
welche den Enden der Sondendrähte 15 entsprechen,
wird über
dem Feld der Drähte 15 angeordnet
und von einem vorgeformten Rahmen 17 getragen. Die dünne Folie 20 weist
vorzugsweise eine Dicke von 0,0254 bis 0,0762 mm (1 bis 10 mil) auf.
Die Polymerbeschichtung 24 auf der dünnen Invar-Folie 20 wird vor diesem Verfahren
aufgebracht. Der vorgeformte Rahmen 17 ist vorzugsweise
aus einem geschäumten
Elastomermaterial hoher Nachgiebigkeit hergestellt. Alternativ kann
der Rahmen 17 eine Feder sein. Eine dünne (vorzugsweise Metall-) Maske 51 mit
präzise
angeordneten Öffnungen 52, welche
den Enden der Sondendrähte 15 entsprechen,
wird über
dem Feld der Drähte 15 angeordnet. Die
Maske 51 schützt
die Polymerbeschichtung 24 auf der dünnen Invar-Schicht 20 vor
dem (vorzugsweise Argonionen-) Laser 50, während die
kugelförmigen
Kontakte 16 auf den Enden der Sondendrähte 15 gebildet werden.
Die Maske 51 ist aus einem Material hergestellt, welches,
z.B. durch Absorption, den Laser davon abhält, die Polymerbeschichtung 24 zu erreichen.
Die glatte Oberfläche
der kugelförmigen Kontakte 16 ist
ideal für
eine Wischkontakt-Schnittstelle.
Die Größe der kugelförmigen Kontakte 16 am Ende
des Sondendrahts 15 wird durch die Energiedichte des Lasers
und die Ausrichtung des Brennpunktes der Abtastfokussierung des
Laserstrahls von der Spitze des geraden Drahtabschnitts 43 aus
gesteuert. Die Durchmesser der Öffnungen 52 in
der dünnen
Metallmaske 51 sind vorzugsweise geringfügig größer als
die Durchmesser der kugelförmigen Kontakte 16,
um zu ermöglichen,
dass die Maske 51 abgenommen wird, nachdem die Kugeln 16 gebildet worden
sind.
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Der
Raum zwischen den Sondendrähten 15 ist
vorzugsweise mit einem Elastomer gefüllt. In 5 ist ein
Verfahren dargestellt, welches angewendet wird, um den leeren Raum
zwischen dem Feld der Sonden hoher Dichte 15 mit einem
flüssigen Elastomerharz 61 zu
füllen.
Vorzugsweise wirkt der vorgeformte Elastomerrahmen 17,
welcher die dünne Invar-Folie 20 trägt, als
Gusssperre, um das flüssige Elastomerharz 61 zurückzuhalten,
bis es gehärtet
ist. Ein kontrolliertes Volumen 60 des flüssigen Elastomerharzes 61 wird,
vorzugsweise unter Verwendung einer Spritze und eines kleinen Kapillarröhrchens, durch
eine kleine Öffnung 22 in
der dünnen
Folie 20 in den Hohlraum abgegeben. Das flüssige Elastomerharz 61 wird
unter Druck in den Hohlraum gepresst, ähnlich wie bei einem Spritzgussverfahren. Das
flüssige
Elastomerharz 61 kann auch durch eine Öffnung in dem vorgeformten
Elastomerrahmen 17 in den Sondenhohlraum eingespritzt werden.
Die Höhe des
Elastomerharzes 61 wird durch die Gegenwart der dünnen Folie 20,
der kugelförmigen
Kontakte 16 und des vorgeformten Elastomerrahmens 17 gesteuert. Überschüssiges Elastomerharz 61 wird
aus einer zweiten kleinen Öffnung 23 in
der dünnen
Folie 20 herausgepresst. Nachdem der Hohlraum vollständig gefüllt ist,
wird die Sondenbaueinheit in einen Ofen gegeben, um das Elastomerharz 61 zu
härten.
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In 3 bis 5 ist
ein Verfahren dargestellt, um eine Sondenstruktur für eine einzelne IC-Einheit
zu bilden. Dieses Verfahren kann angewendet werden, um ein Feld
von Testsondenstrukturen auf einem einzelnen Substrat herzustellen.
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In 6 ist
eine Querschnittsansicht eines Feldes nachgiebiger Testsonden 100 für die Untersuchung
mehrerer IC-Einheiten
auf einem einzelnen Wafer dargestellt. Die integrierte Testsonde 100,
welche in 6 dargestellt ist, beinhaltet
vier getrennte Sondenfelder, welche benutzt werden, um einzelne IC-Einheiten
auf dem Wafer 130 zu untersuchen. Die Konstruktion jedes
einzelnen Sondenfeldes ist mit der in 1 dargestellten
identisch. Das Substrat 110, welches als Basis für den Aufbau
der Testsonde benutzt wird, weist auf der oberen Oberfläche 112 ein Feld
von Kontaktflächen 113 auf,
welches mit dem Muster der Kontakte 131 auf dem zu untersuchenden Wafer 130 übereinstimmt.
Die Testsonden stehen mit diesen Kontaktfeldern 113 in
Kontakt und sind in einem Winkel oder mit einer beliebigen Form
geformt, wie in 3 bis 6 und 15 beschrieben.
Der Winkel oder die Form der Kontaktdrähte 115 sind vorzugsweise
dieselben, um eine genaue Positionierung der kugelförmigen Kontakte 116 am
Ende der Sonde sicherzustellen. Einheitliche Materialeigenschaften und
eine einheitliche Höhe
des Elastomermaterials 118 sind zu bevorzugen, um über die
gesamte Oberfläche
des Sondenfeldes für
eine optimale Nachgiebigkeit und Kontakt-Normalkraft zu sorgen.
Obwohl der vorgeformte Elastomerrahmen 117 in 6 zwischen
jedem Sondenfeld angeordnet dargestellt ist, kann der Elastomerrahmen 117 auch
selektiv angeordnet sein, um den Raum zwischen den Sondenfeldern
auf ein Mindestmaß herabzusetzen.
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In 7 ist
eine Draufsicht auf ein Feld nachgiebiger Testsonden 100 für die Untersuchung aller
IC-Einheiten auf einem Einzelwafer dargestellt, dessen Umriss als 130 dargestellt
ist. Die in 7 dargestellte integrierte Testsonde 100 beinhaltet zwölf getrennte
Sondenfelder, welche benutzt werden, um alle IC-Einheiten auf dem
Wafer 130 zu untersuchen. Die Umrisse des Wafers 130 und
der einzelnen IC-Einheiten 133 sind
mit unterbrochenen oder gestrichelten Linien dargestellt. Die Position
jedes Sondenfeldes entspricht den Kontakten auf jeder der einzelnen
IC-Einheiten 133 auf dem Wafer 130. Die Position
der kugelförmigen
Enden 116 der Testsonden wird genau durch die Position
der Öffnungen in
der dünnen
Folie 120 gesteuert.
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In 8 ist
eine Querschnittsansicht einer bevorzugten Ausführungsform einer nachgiebigen Testsonde
dargestellt. Bei dieser wird eine dünne Folie 20 ähnlich der
Ausführungsform
der 1 bis 6 ohne die Polymerbeschichtung
verwendet, und die Durchmesser der Öffnungen 21 in der
Folie 20 (vorzugsweise elektrisch leitfähig, wie z.B. Invar) sind geringfügig größer. Eine
dünne Polymerfolie 25 mit Öffnungen 26 eines
geringeren Durchmessers ist über
die dünne
Folie 20 laminiert. Bei der dünnen Polymerfolie kann es sich
um Polyimid, Mylar und Polyethylen handeln. Diese Liste ist nur
beispielhaft und nicht beschränkend.
Die Öffnungen 26 geringeren Durchmessers
sind geringfügig
größer als
der Durchmesser des Sondendrahts 15 und werden benutzt, um
für eine
genaue Ausrichtung der Sondenkontakte 16 zu sorgen. Die Öffnungen 26 geringeren Durchmessers
verhindern auch, dass die Sondendrähte 15 in Kontakt
mit den Seiten der Öffnungen 21 in
der leitenden Folie 20 geraten. Die dünne Polymerfolie 25 ist
vorzugsweise segmentiert und mit der dünnen Folie 20 verbunden,
um TCE(Wärmeausdehnungskoeffizient,
Thermal Coefficient of Expansion)-Fehlanpassungsprobleme über große Oberflächenbereiche auszuschließen. Eine
zweite dünne
Polymerfolie könnte
gegenüber
der ersten dünnen
Polymerfolie 25 auf die Unterseite der dünnen Folie 20 laminiert
oder aufgeschleudert werden, um mögliche Verbiegungsprobleme
zu vermeiden. In 9 ist ein vergrößerter Abschnitt
der bevorzugten Ausführungsform
der 8 mit den größeren Öffnungen 21 in
der dünnen Invar-Folie 20 und
den kleineren Öffnungen 26 in
der dünnen
Polymerfolie 25 dargestellt.
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In 10 ist
eine Querschnittsansicht einer nachgiebigen Testsonde des Standes
der Technik dargestellt, bei welcher eine dünne Polymerfolie 25 mit
kleinen Öffnungen 26 verwendet
wird, um die Position der Sondendrähte 15 zu steuern.
Die dünne Polymerfolie 25 ist
an einem dünnen
Rahmen 27 (vorzugsweise starr, z.B. Invar) angebracht,
welcher jedes Feld oder Bündel
von Sonden umgibt. Die dünne
Polymerfolie 25 ist vorzugsweise segmentiert und mit dem
dünnen
Rahmen 27 verbunden, um TCE-Fehlanpassungsprobleme über große Oberflächenbereiche
auszuschließen.
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In 11 ist
eine Querschnittsansicht einer anderen nachgiebigen Testsonde des
Standes der Technik dargestellt, bei welcher eine dünne Folie 20 (vorzugsweise
Invar) mit einer dünnen
Polymerbeschichtung 24 und Öffnungen 21 kleinen
Durchmessers verwendet wird, um die Position der Sondendrähte 15 zu
steuern. Die dünne
Folie 20 ist an einem dicken Rahmen 28 (vorzugsweise
Invar) angebracht. Die Dicke des Rahmens 28 kann modifiziert
werden, um die Gesamt-Nachgiebigkeit der Testsonden 10 zu steuern.
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In 12 ist
eine Querschnittsansicht einer anderen nachgiebigen Testsonde des
Standes der Technik dargestellt. Die vierte alternative Ausführungsform
ist identisch mit der bevorzugten Ausführungsform, mit der Ausnahme,
dass kein Elastomermaterial die einzelnen Sondendrähte 15 umgibt.
Die nachgiebigen Testsonden werden von der dünnen Folie 20 (vorzugsweise
Invar) und dem vorgeformten Elastomerrahmen 17 getragen.
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In 13 und 14 sind
eine Querschnittsansicht und eine Draufsicht auf ein anderes Feld nachgiebiger
Testsonden des Standes der Technik für die Untersuchung mehrerer
IC-Einheiten auf einem Einzelwafer dargestellt. Die Anordnung der
Sonden in dieser Ausführungsform
ist typisch für
Speichereinheiten mit zwei Reihen von Kontakten je Einheit. Jedes
Sondenfeld ist durch Spalte 125 in der dünnen Folie 120 (vorzugsweise
Invar) von den benachbarten Feldern entkoppelt.
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In 15 ist
schematisch eine Vielfalt von Formen von Sondendrähten dargestellt,
welche für die
Ausübung
der vorliegenden Erfindung nützlich sind,
z.B. „S"- oder „C"-förmig,
durchgehend gekrümmt,
stückweise
gekrümmt,
stückweise
linear und Kombinationen daraus.
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In 16 sind
schematisch alternative Ausführungsformen
nachgiebiger Rahmenstrukturen 17 dargestellt, um die Sondenspitzen-Positionierstruktur 20 zu
tragen, damit diese in Position bleibt und sich bewegt, wenn sich
die Sondenspitzenenden 16 bewegen, wenn sie zur Herstellung
einer Verbindung mit den Kontaktfeldern 31 der elektronischen
Einheit bewegt werden.
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In 17 sind
Beispiele langgestreckter elektrischer Leiter 202 dargestellt,
welche eine auf ihnen befindliche Beschichtung 204 aufweisen.
Vorzugsweise befindet sich die Beschichtung 204 an der Oberfläche des
langgestreckten Leiters 202 und lässt das Ende des Leiters 202 frei.
Die Vornahme einer Hartbeschichtung 204 kann für eine verstärkende Hartbeschichtung
sorgen. Bei der Beschichtung 204 handelt es sich vorzugsweise
um ein Hartmetall, z.B. Pd, Pt, Ni, Au, Rh, Ru, Re, Cu, Co und deren
Legierungen usw. Der langgestreckte Leiter 206 weist einen
Vorsprung 208 am entfernten Ende auf, welcher eine solche
Hartbeschichtung 210 aufweist. Der langgestreckte Leiter 212 weist
ein Ende 214 mit scharfen Zähnen 216 auf, vorzugsweise
auf der Oberfläche 218 des
Vorsprungs 220.
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In 18 ist
schematisch eine Vorrichtung zum Bewegen der Sondenstruktur 10 auf
die elektronische Einheit 204 zu und von dieser weg dargestellt, derart,
dass die Sondenspitzen 210 mit elektrischen Kontaktstellen 212 auf
der elektronischen Einheit 204 in Verbindung geraten und
sich davon lösen.
Die Sondenstruktur 10 ist auf der Halterung 200 angebracht,
welche ein Mittel 214 zum Anlegen einer elektrischen Spannung
an die Sondenspitzen 210 aufweist. Die elektronische Einheit 204 wird
auf der Basis 206 gehalten. Die Halterung 200 ist
physisch mit dem Träger 202 verbunden,
welcher in den Arm 208 übergeht,
welcher in die Basis 206 übergeht. Der Träger 202 ist
für eine
Aufwärts-
und Abwärtsbewegung eingerichtet.
Beispiele für
eine Vorrichtung zur Bereitstellung der Trägermittel und der Mittel zur
Auf- und Abwärtsbewegung
findet man in US-Patentschrift 5 439 161 und in US-Patentschrift
5 132 613.
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Obwohl
wir unsere bevorzugten Ausführungsformen
unserer Erfindung beschrieben haben, versteht es sich, dass der
Fachmann heute und in Zukunft verschiedene Verbesserungen vornehmen kann,
welche unter den Schutzbereich der folgenden Patentansprüche fallen.
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LITERATUR
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- US-Patentschrift 5 371 654 mit dem Titel „THREE
DIMENSIONAL HIGH PERFORMANCE INTERCONNECTION PACKAGE";
- US-Patentanmeldung 08/614 417 mit dem Titel „HIGH DENSITY CANTILEVERED
PROBE FOR ELECTRONIC DEVICES";
- US-Patentanmeldung 08/641 667 mit dem Titel „HIGH DENSITY TEST PROBE WITH
RIGID SURFACE STRUCTURE";
- US-Patentanmeldung 08/527 733 mit dem Titel „INTERCONNECTOR WITH CONTACT
PADS HAVING ENHANCED DURABILITY";
- US-Patentanmeldung 08/752 469 mit dem Titel „FOAMED ELASTOMERS FOR WAFER
PROBING APPLICATIONS AND INTERPOSER CONNECTORS";
- US-Patentanmeldung 08/744 903 mit dem Titel „INTEGRAL RIGID CHIP TEST
PROBE";
- US-Patentanmeldung 08/756 831 mit dem Titel „HIGH TEMPERATURE CHIP TEST
PROBE";
- US-Patentanmeldung 08/756 830 mit dem Titel „A HIGH DENSITY INTEGRAL TEST
PROBE AND FABRICATION METHOD";
- US-Patentanmeldung 08/754 869 mit dem Titel „HIGH DENSITY INTEGRATED CIRCUIT
APPARATUS, TEST PROBE AND METHODS OF USE THEREOF".
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Es
versteht sich, dass die oben beschriebenen Ausführungsformen nur die Prinzipien
der Erfindung veranschaulichen sollen.