DE69806502T3 - Kristallwachstum - Google Patents

Kristallwachstum Download PDF

Info

Publication number
DE69806502T3
DE69806502T3 DE69806502T DE69806502T DE69806502T3 DE 69806502 T3 DE69806502 T3 DE 69806502T3 DE 69806502 T DE69806502 T DE 69806502T DE 69806502 T DE69806502 T DE 69806502T DE 69806502 T3 DE69806502 T3 DE 69806502T3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
crystals
diamond
mass
faceted
source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69806502T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69806502D1 (de
DE69806502T2 (de
Inventor
John Geoffrey DAVIES
Albert Raymond CHAPMAN
Aulette Stewart
Kay Lesley HEDGES
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Element Six Pty Ltd
Original Assignee
Element Six Pty Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=25586771&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=DE69806502(T3) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Element Six Pty Ltd filed Critical Element Six Pty Ltd
Publication of DE69806502D1 publication Critical patent/DE69806502D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69806502T2 publication Critical patent/DE69806502T2/de
Publication of DE69806502T3 publication Critical patent/DE69806502T3/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02Elements
    • C30B29/04Diamond
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J3/00Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
    • B01J3/06Processes using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds; Apparatus therefor, e.g. moulds or dies
    • B01J3/062Processes using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds; Apparatus therefor, e.g. moulds or dies characterised by the composition of the materials to be processed
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2203/00Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
    • B01J2203/06High pressure synthesis
    • B01J2203/0605Composition of the material to be processed
    • B01J2203/062Diamond
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2203/00Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
    • B01J2203/06High pressure synthesis
    • B01J2203/065Composition of the material produced
    • B01J2203/0655Diamond
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2203/00Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
    • B01J2203/06High pressure synthesis
    • B01J2203/0675Structural or physico-chemical features of the materials processed
    • B01J2203/068Crystal growth

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Catalysts (AREA)

Description

  • Hintergrund der Erfindung
  • Die Erfindung bezieht sich auf das Wachstum von Diamantkristallen unter hohen Temperatur- und Druckbedingungen.
  • Die Synthese von Kristallen bei hohen Temperaturen und hohen Drücken, insbesondere von Diamant und kubischem Bornitrid, ist in der Industrie sehr gut eingeführt. Es gibt zwei hauptsächliche Verfahren – beide aus Lösung –, die verwendet werden, nämlich ein Temperaturgradienten-Verfahren und ein Verfahren der allotropen Änderung. Bei dem Temperaturgradienten-Verfahren ist die Triebkraft für das Kristallwachstum die Übersättigung aufgrund der Löslichkeitsunterschiede des Quellenmaterials und des wachsenden Kristalls als Ergebnis einer Temperaturdifferenz zwischen den beiden. Bei dem Verfahren der allotropen Änderung ist die Triebkraft für das Kristallwachstum die Übersättigung aufgrund der Löslichkeitsunterschiede des Quellenmaterials und des wachsenden Kristalls als Ergebnis einer allotropen (oder polymorphen) Differenz zwischen den beiden.
  • Kurzbeschreibung der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung stellt eine Masse von Diamantkristallen mit einer Größe von weniger als 100 μm bereit, wobei in dieser Masse die Mehrzahl der Kristalle, und vorzugsweise wenigstens 80 % der Masse, makroskopisch facettierte Einkristalle sind. Einige der Kristalle können als Zwillingskristalle ausgebildet sein.
  • Eine Masse von Diamantkristallen, die überwiegend makroskopisch facettierte Einkristalle sind, kann durch ein Verfahren hergestellt werden, das die folgenden Schritte einschließt: die Bereitstellung einer Quelle von Diamantkristallen, die im wesentlichen frei von makroskopisch facettierten Flächen sind; die Herstellung einer Reaktionsmasse durch In-Kontakt-Bringen der Quellendiamantkristalle mit einem geeigneten Lösungsmittel/Katalysator, das Einwirkenlassen von erhöhten Temperatur- und Druckbedingungen, die für das Kristallwachstum in der Reaktionszone einer Hochtemperatur/Hochdruck-Apparatur geeignet sind, auf die Reaktionsmasse; das Entfernen der Reaktionsmasse aus der Reaktionszone und das Gewinnen der Kristalle aus der Reaktionsmasse, wobei die Bedingungen des Kristallwachstums derartig ausgewählt sind, dass die Quellendiamantkristalle in Diamantkristalle umgewandelt werden, welche entwickelte, makroskopische Facetten mit einem niedrigen Miller-Index aufweisen, die Übersättigungstriebkraft, die für das Kristallwachstum notwendig ist, überwiegend durch den Unterschied der freien Oberflächenenergie zwischen Flächen mit niedrigem Miller-Index und Flächen mit hohem Miller-Index der Quellendiamantkristalle erzeugt wird. Die Masse der Kristalle enthält im allgemeinen wenigstens 80 % makroskopisch facettierte Einkristalle
  • Der oben erwähnte Unterschied der freien Oberflächenenergie wird hierin nachstehend als "Wulff-Effekt" bezeichnet: Flächen mit höherem Miller-Index haben eine höhere freie Oberflächenenergie als Flächen mit niedrigem Miller-Index. Die Gleichgewichtsform eines Kristalls tritt ein, wenn die minimale gesamte freie Oberflächenenergie pro Volumeneinheit des Kristalls erreicht wird, d.h. wenn der Kristall durch Flächen mit niedrigem Miller-Index gebunden ist. Flächen mit höherem Miller-Index können so aufgefasst werden, dass sie eine Reihe von abgestuften Flächen mit niedrigem Miller-Index in enger Nähe zueinander umfassen. Eine solche Situation ist in dem Begriff "Fläche mit höherem Miller-Index" einge schlossen. Wenn ein Kristall in seiner Gleichgewichtsform vorliegt, existiert ein Punkt, dessen senkrechter Abstand von jeder Fläche der freien Oberflächenenergie dieser Fläche proportional ist. Dies ist die Basis des Wulffschen Theorems.
  • Es wurde gefunden, dass im Falle von Diamant der Unterschied der freien Oberflächenenergie zwischen Flächen mit hohem Miller-Index und Flächen mit niedrigem Miller-Index groß ist und eine Übersättigung erzeugen kann, welche die Kristallisation unterstützt, wenn Diamantkristalle in verschiedenen Größen, einschließlich solcher mit einer Größe von Dutzenden von μm, verwendet werden. Somit hat die Erfindung eine besondere Anwendung beim Wachstum von Diamantkristallen, wobei die Übersättigung überwiegend durch den Unterschied der Löslichkeit von Kristallflächen mit hohem Miller-Index und Kristallflächen mit niedrigem Miller-Index erzeugt wird, z.B. durch die Reduktion der freien Oberflächenenergie durch die wesentliche Eliminierung von Schritten, Kinken und anderen Strukturdefekten, die Flächen mit makroskopisch hohem Miller-Index charakterisieren.
  • Es wurde weiterhin beobachtet, dass der Wulff-Effekt von den Bedingungen abhängt, die in der Reaktionsmasse vorherrschen. Für einen gegebenen Lösungsmittel/Katalysator und einen angelegten Druck hängt der Wulff-Effekt z.B. von der Temperatur und Zeit ab; wie aus den Diagrammen ersichtlich ist, die in den 1 und 2 gezeigt werden. Das Diagramm der 1 zeigt die Temperaturabhängigkeit des Wulff-Effekts von Diamant in einem Eisen-Nickel-Lösungsmittel/Katalysator bei etwa 5,4 GPa, wobei diese Bedingung 1 Stunde beibehalten wird. Das Diagramm der 2 zeigt die Temperaturabhängigkeit des Wulff-Effekts von Diamant in dem gleichen Eisen-Nickel-Lösungsmittel/Katalysator bei etwa 5,4 GPa, wobei diese Bedingung 10 Stunden beibehalten wird. Aus diesen Diagrammen ist ersichtlich, dass die Quellenkristallgröße umso größer ist, je höher die angelegte Temperatur ist, um zu gewährleisten, dass der Wulff-Effekt dominiert und die Herstellung einer Kristallmasse, die einen hohen Anteil von Einkristallen enthält, die Facetten mit einem niedrigen Miller-Index aufweisen, erreicht wird. Ähnliche Diagramme können für andere Lösungsmittel/Katalysatoren und angelegte Drücke gebildet werden, um zu bestimmen, unter welchen Bedingungen der Wulff-Effekt dominiert.
  • Teilchen mit einem hohen Anteil an Flächen mit hohem Miller-Index ergeben leichter facettierte Diamantkristalle als Teilchen mit einem geringen Anteil an Flächen mit hohem Miller-Index. Weiterhin können Teilchen mit einem geringen Anteil an Flächen mit hohem Miller-Index nur teilweise facettieren und/oder zeigen Lösungsfacetten.
  • Für Diamantkristalle liegt die erhöhte Temperatur im allgemeinen im Bereich von 1100 bis 1500 °C, und der erhöhte Druck liegt im allgemeinen im Bereich von 4,5 bis 7 GPa.
  • Die Diamantkristalle können aus der Reaktionsmasse unter Verwendung von in der Technik bekannten Verfahren gewonnen werden. Z.B. besteht das praktischste Verfahren darin, das Lösungsmittel/den Katalysator einfach zu lösen, wobei die Masse der Kristalle zurückbleibt. Wenn einige der Kristalle locker an andere Kristalle gebunden sind, können sie durch leichtes Mahlen oder eine ähnliche Arbeitsweise freigesetzt werden.
  • Das oben beschriebene Verfahren wird hauptsächlich verwendet, um eine Masse von Kristallen mit einer Größe von weniger als 100 μm herzustellen. Das Verfahren kann jedoch auch verwendet werden, um eine Masse von makroskopisch facettierten Kristallen einer größeren Größe herzustellen, und auch dies bildet einen Teil der Erfindung.
  • Die Quellendiamantkristalle können durch Teilchen, die eine unregelmäßige Form haben und im wesentlichen frei von makroskopisch facettierten Flächen sind, bereitgestellt werden. Ein Beispiel geeigneter Quellenkristalle ist das Produkt eines Zerstoßungsarbeitsganges. Die 4 zeigt beispielhaft eine 260fach vergrößerte Photographie von gewinkelten Quellendiamantkristallen. Die Quellenteilchen können auch durch Teilchen bereitgestellt werden, die behandelt wurden, so dass makroskopische Facetten beschädigt oder zerstört sind, und/oder Flächen mit einem hohen Miller-Index erzeugt werden, und dadurch Flächen mit höherer Oberflächenenergie gebildet werden.
  • Die Quellendiamantkristalle können eine enge Größenverteilung oder eine relativ breite Größenverteilung aufweisen. Wenn die Bedingungen derartig ausgewählt sind, dass der Wulff-Effekt beim Kristallwachstum dominiert, dann hat die Masse der hergestellten facettierten Einkristalle im wesentlichen die gleiche Größenverteilung wie diejenige der Quellenkristalle.
  • Eine Übersättigung kann auch durch die Löslichkeitsunterschiede zwischen unter Spannung stehenden und weniger unter Spannung stehenden (oder spannungsfreien) Kristallen gefördert werden.
  • Die Masse der facettierten Diamantkristalle findet eine Anwendung beim Polieren, Läppen und Schleifen; sie ermöglichen eine leichtere und exaktere Größentrennung und -bestimmung und haben bessere Fließeigenschaften in Form eines trockenen Pulvers und einer Aufschlämmung. Die facettierten Diamantkristalle werden auch bei der Herstellung von polykristallinen Produkten verwendet.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Die 1 ist ein Diagramm, das die Temperaturabhängigkeit des Wulff-Effekts von Diamant in einem Eisen-Nickel-Lösungsmittel/Katalysator bei etwa 5,4 GPa zeigt, wobei die Bedingung 1 Stunde lang beibehalten wird.
  • Die 2 ist ein Diagramm, das die Temperaturabhängigkeit des Wulff-Effekts von Diamant in einem Eisen-Nickel-Lösungsmittel/Katalysator bei etwa 5,4 GPa zeigt, wobei die Bedingung 10 Stunden lang beibehalten wird.
  • Die 3 ist ein Diagramm, in dem die erhaltene Diamantteilchengrößenverteilung mit der anfänglichen Diamantteilchengrößenverteilung verglichen wird.
  • Die 4 ist eine 260fach vergrößerte Photographie gewinkelter Quellendiamantkristalle.
  • Die 5 ist eine 260fach vergrößerte Photographie von facettierten Diamantkristallen und einigen Zwillingsdiamantkristallen, die durch das Verfahren der Erfindung hergestellt wurden, und
  • die 6 ist eine 520fach vergrößerte Photographie der Kristalle der 3.
  • Beschreibung der Ausführungsformen
  • Die Erfindung findet eine Anwendung bei dem Wachstum oder der Synthese von Diamantkristallen unter Verwendung von hohen Temperaturbedingungen und hohen Druckbedingungen.
  • Die Größe der Quellenkristalle variiert gemäß der Natur des zu züchtenden Kristalls.
  • Die Quellenkristalle können auch durch Teilchen, umfassend einen Diamantkern und eine Beschichtung aus einem geeigneten Material, wie einer Schicht eines Lösungsmittels/Katalysators, bereitgestellt werden, mit der Maßgabe natürlich, dass das Diamantteilchen des Kerns Flächen mit einem hohen Miller-Index hat und im wesentlichen frei von makroskopischen Facetten ist.
  • Die Quellenkristalle können auch durch ein Teilchen bereitgestellt werden, das einen Kern irgendeines Materials umfasst, das eine Umhüllung oder Beschichtung des zu züchtenden Kristalls aufweist.
  • Das Lösungsmittel/der Katalysator, das/der verwendet wird, hängt von der Natur des zu züchtenden Kristalls ab. Beispiele solcher Lösungsmittel/Katalysatoren im Falle von Diamant sind Übergangsmetallelemente, wie Eisen, Cobalt, Nickel, Mangan und Legierungen, die irgendeines dieser Metalle enthalten, Edelstähle, Superlegierungen (z.B. auf Cobalt-, Nickel- und Eisenbasis), Siliciumstähle, Bronzen und Hartlöt-Materialien, wie Nickel/Phosphor, Nickel/Chrom/Phosphor und Nickel/Palladium. Andere geeignete Lösungsmittel/Katalysatoren für die Diamantsynthese sind Elemente, Verbindungen und Legierungen, die keine Übergangsmetalle enthalten, z.B. Kupfer, Kupfer/Aluminium und Phosphor, und nichtmetallische Materialien oder eine Mischung derselben, wie Alkali-, Erdalkalimetallhydroxide, -carbonate, -sulfate, -chlorate und -silicate (wie hydratisierte Formen von Forsterit und Enstatit).
  • Im Falle von Diamant können die Quellenteilchen synthetischer Diamant, der durch herkömmliche Hochdruck/Hochtemperatur-Verfahren oder eine andere geeignete Technik hergestellt wird, oder natürlicher Diamant sein.
  • Im Falle des Diamantwachstums können die Synthesebedingungen diejenigen sein, bei denen der Kristall thermodynamisch stabil ist. Diese Bedingungen sind in der Technik wohlbekannt. Es ist jedoch auch möglich, ein Diamantwachstum unter Bedingungen zu erzeugen, die außerhalb des Bereichs der thermodynamischen Stabilität von Diamant liegen. Temperatur- und Druckbedingungen, die außerhalb des Bereichs der thermodynamischen Stabilität von Diamant liegen, können verwendet werden, wenn die Ostwald-Regel das Wachstumsverfahren bestimmt, und nicht die Ostwald-Volmer-Regel (siehe Bohr, R. Haubner und B. Lux, Diamond and Related Materials, Bd. 4, S. 714–719, 1995). "Wenn gemäß der Ostwald-Regel einem System mit verschiedenen Energiezuständen Energie entzogen wird, erreicht das System nicht direkt den stabilen Grundzustand, sondern durchläuft statt dessen schrittweise alle intermediären Zustände. Zusätzlich dazu wird gemäß der Ostwald-Volmer-Regel die weniger dichte Phase zuerst gebildet (initiiert). Wenn die zwei Regeln einander zu widersprechen scheinen, hat die Ostwald-Volmer-Regel Priorität gegenüber der Ostwald-Regel". Im Falle des Wachstums eines Diamantkristalls außerhalb des Bereichs seiner thermodynamischen Stabilität kann die Ostwald-Volmer-Regel z.B. durch die Anwendung von Druck unterdrückt werden, so dass das Wachstum von Diamant auf vorher existierenden Diamantteilchen ermöglich wird, mit der Maßgabe, dass Graphitkristalle im wesentlichen abwesend sind. Obwohl isotherme und isobare Bedingungen nicht wesentlich sind, um die Erfindung in der Praxis durchzuführen, werden solche Bedingungen bevorzugt.
  • Die Quellenkristalle werden mit einem geeigneten Lösungsmittel/Katalysator in Kontakt gebracht, um eine Reaktionsmasse zu bilden. Im allgemeinen werden die Quellenkristalle mit dem Katalysator/Lösungsmittel in Teilchenform vermischt.
  • Die Reaktionsmasse kann in die Reaktionszone einer herkömmlichen Hochtemperatur-Hochdruck-Apparatur gegeben werden, und auf die Inhaltsstoffe werden dann die erhöhten Temperatur- und Druckbedingungen einwirken gelassen, die notwendig sind, um das Kristallwachstum zu erreichen. Die Flächen mit höherem Miller-Index lösen sich in Bezug auf die Flächen mit niedrigerem Miller-Index in dem Katalysator/Lösungsmittel in bevorzugter Weise. Der gelöste Stoff wandert zu der Fläche mit dem niedrigeren Miller-Index und wird auf derselben abgeschieden oder wächst auf derselben. Die hergestellten Kristalle haben eine Morphologie, die von dem verwendeten Sättigungszeitprofil abhängig ist. Die Temperatur- und Druckbedingungen und die chemische Zusammensetzung des Lösungsmittel/Katalysators beeinflussen auch die Morphologie.
  • Kristallisations und Kristallstruktur-Modifizierungsmittel, wie Stickstoff, Bor oder Phosphor, können in die Reaktionsmasse eingeführt werden, um spezielle Ziele zu erreichen.
  • Die Erfindung wird durch die folgenden nichteinschränkenden Beispiele erläutert.
  • Beispiel 1
  • Eine oben beschriebene Reaktionskapsel wurde verwendet, um eine Mehrzahl von facettierten Diamantkristallen, zusammen mit einigen Zwillingskristallen, herzustellen. Es wurde eine Mischung aus (a) 50 g Diamantteilchen, die eine Teilchengrößenverteilung von 20 bis 40 μm haben und durch Zerstoßen eines gröberen synthetischen Materials hergestellt wurden, und (b) 285 g Eisen-Cobalt-Pulver hergestellt. Die Diamantteilchen waren frei von makroskopischen Facetten. Die Mischung wurde in die Reaktionskapsel gegeben, und die Bedingungen wurden auf etwa 5,5 GPa und etwa 1420 °C erhöht. Diese Bedingungen wurden während einer Zeitspanne von 11 Stunden beibehalten. Die sich ergebenden Kristalle waren beinahe vollständig facettiert und in einigen Fällen Zwillingskristalle. Die gesamte Masse an gewonnenen Kristallen betrug 41 g, und dieselben wiesen im wesentlichen einen Größenbereich von 30 bis 50 μm auf. Wenigstens 80 % der Masse der Teilchen waren Einkristalle.
  • Die 4 ist eine 260fach vergrößerte Photographie der Quellendiamantteilchen (Kristalle), welche die gewinkelte (aber nicht facettierte) Natur der Teilchen zeigt. Die 5 und 6 sind Photographien mit unterschiedli chen Vergrößerungen der facettierten Diamantkristalle und in einigen Fällen der Zwillingsdiamantkristalle, die durch das Verfahren hergestellt wurden. Die Facetten können auf den Photographien klar erkannt werden. Es ist festzustellen, dass facettierte Kristalle und Zwillingskristalle locker gebundene Agglomerate bildeten. Die einzelnen Teilchen können freigesetzt werden, indem man die Agglomerate einem leichten Mahlen oder einer ähnlichen Arbeitsweise unterzieht.
  • Beispiel 2
  • Eine oben beschriebene Reaktionskapsel wurde wiederum verwendet, um eine Mehrzahl von facettierten Diamantkristallen herzustellen. Es wurde eine Mischung aus (a) 50 g Diamantkristallen, die eine maximale Größe von 8 μm und eine minimale Größe von 4 μm haben und durch Zerstoßen eines gröberen synthetischen Materials hergestellt wurden, und (b) 284,6 g Cobalt-Eisen-Lösungsmittel hergestellt. Die Diamantteilchen waren frei von makroskopischen Facetten. Die Mischung wurde in die Reaktionskapsel gegeben, und die Bedingungen wurden auf etwa 5,5 GPa und etwa 1370 °C erhöht. Diese Bedingungen wurden während einer Zeitspanne von 11 Stunden beibehalten. Die gezüchteten Kristalle waren vollständig facettiert und in einigen Fällen Zwillingskristalle, und ihre Größen reichten von etwa 6 μm bis etwa 10 μm. Eine Gesamtmasse von 39,5 g Kristallen wurde gewonnen. Wenigstens 80 % der Masse der Teilchen waren Einkristalle.
  • Beispiel 3
  • Eine oben beschriebene Reaktionskapsel wurde wiederum verwendet, um eine Mehrzahl von facettierten Diamantkristallen herzustellen. Es wurde eine Mischung aus (a) 30 Vol.-% Diamantteilchen, die eine Teilchengrößenverteilung von 20 bis 40 μm haben und durch Zerstoßen eines gröberen synthetischen Materials hergestellt wurden, und (b) 70 Vol.-% Eisen-Nickel-Pulver hergestellt. Die Diamantteilchen waren frei von makroskopischen Facetten. Die Mischung wurde in die Reaktionskapsel gegeben, und die Bedingungen wurden auf etwa 5,5 GPa und etwa 1400 °C erhöht. Diese Bedingungen wurden während einer Zeitspanne von 20 Minuten beibehalten. Die sich ergebenden Kristalle waren vollständig facettiert und in einigen Fällen Zwillingskristalle, wobei ihre Größen im Bereich von 25 bis 45 μm lagen. Wenigstens 80 % der Masse der Teilchen waren Einkristalle.
  • Beispiel 4
  • Eine oben beschriebene Reaktionskapsel wurde wiederum verwendet, um eine Mehrzahl von facettierten Diamantkristallen herzustellen. Es wurde eine Mischung aus (a) 30 Vol.-% natürlichen Diamantteilchen, die eine unregelmäßige Form und eine Teilchengrößenverteilung von 20 bis 40 μm haben, und (b) 70 Vol.-% C obalt-Eisen-Pulver hergestellt. Die Diamantteilchen waren frei von makroskopischen Facetten. Die Mischung wurde in die Reaktionskapsel gegeben, und die Bedingungen wurden auf etwa 5,5 GPa und etwa 1370 °C erhöht, und diese Bedingungen wurden während einer Zeitspanne von 1 Stunde beibehalten. Es wurde gefunden, dass die gewonnenen Kristalle vollständig facettiert waren und in einigen Fällen als Zwillingskristalle ausgebildet waren. Die Größe dieser Kristalle lag im Bereich von 25 bis 50 μm. Wenigstens 80 % der Masse der Teilchen waren Einkristalle.
  • In den Beispielen 2, 3 und 4 waren die Quellendiamantkristalle, die facettierten Diamantkristalle und die Zwillingsdiamantkristalle denjenigen ähnlich, die in der 4 und den 5 bzw. 6 erläutert werden.
  • Beispiele 5 bis 25
  • Facettierte Diamantkristalle wurden unter Verwendung von Lösungsmitteln/Katalysatoren hergestellt, die von denjenigen verschieden sind, die in den Beispielen 1 bis 4 identifiziert wurden. Diese Beispiele mit anderen Lösungsmittel/Katalysator-Systemen und die Bedingungen, unter denen sie verwendet werden, sind in der nachstehenden Tabelle I aufgeführt. In jedem der Beispiele 5 bis 25 waren die Quellendiamantteilchen zerstoßene, synthetische Diamantteilchen, die eine unregelmäßige Form aufwiesen und frei von makroskopischen Facetten waren.
  • Tabelle I
    Figure 00120001
  • Beispiele 26 bis 32
  • Die Erfindung wird weiterhin durch die Beispiele 26 bis 32 erläutert, wobei in diesen Beispielen der Größenbereich der quellendiamanten gezeigt wird. Alle Quellendiamanten waren frei von makroskopischen Facetten. Diese Beispiele erläutern auch, dass extremere Temperatur- und Zeitbedingungen notwendig sind und der Typ des Lösungsmittels/Katalysators variiert werden muss, um die Erfindung mit gröberen Quellendiamantgrößen durchzuführen. Es wurden facettierte Diamantkristalle hergestellt. Die in diesen Beispielen verwendeten Bedingungen sind nachstehend in der Tabelle II aufgeführt.
  • Tabelle II
    Figure 00130001
  • Beispiel 33
  • Die Teilchengrößenverteilung einer Masse von Quellendiamantkristallen, die frei von makroskopischen Facetten sind und einen nominellen Größenbereich von 30 μm bis 45 μm aufweisen, wurde unter Verwendung einer Laserstrahlbeugungsmethode gemessen. Eine Mischung aus (a) 25 Vol.-% dieser Quellendiamantkristalle und (b) 75 Vol.-% Eisen-Nickel-Pulver wurde hergestellt. Die Mischung wurde in eine Reaktionskapsel gelegt, und die Bedingungen wurden während einer Zeitspanne von 18 Minuten auf etwa 5,3 GPa und etwa 1360 °C erhöht.
  • Durch Lösen des Lösungsmittel/Katalysators in einer Mischung von verdünnten Mineralsäuren wurde der Diamant aus dem Material gewonnen. Nach dem Waschen und Trocknen wurde der gewonnene Diamant gewogen, und die Teilchengrößenverteilung wurde erneut gemessen.
  • Es wurde gefunden dass die Masse an verlorenem Diamant 24 % oder 3,5 % der Masse des Lösungsmittel/Katalysators betrug, was mit der Löslichkeit des Diamanten in dem Lösungsmittel/Katalysator im Einklang steht. Die Teilchengrößenverteilungen der Quellendiamantteilchen und des facettierten Diamants, der aus der Reaktionskapsel gewonnen wurde, sind in der 3 aufgeführt. Die Größenverteilung der Quellendiamantteilchen und der gewonnenen facettierten Diamantteilchen sind im wesentlichen einander gleich, wobei die gewonnenen Diamanten geringfügig größer sind als die Quellendiamanten, was auch durch eine geringfügige Abnahme der spezifischen Oberfläche von 0,178 m2/g auf 0,168 m2/g gezeigt wird. Die geringfügige Vergröberung der Teilchenverteilung ist eine Bestätigung dafür, dass das Facettieren auf ein Wachstumsverfahren unter Ausnutzung des Wulff-Effekts und nicht auf ein Lösungsverfahren zurückzuführen ist.
  • Beispiel 34
  • Eine Masse von synthetischen Quellendiamantteilchen, die frei von makroskopischen Facetten sind und einen nominellen Größenbereich vom 24 bis 48 μm aufweisen, wurde mit einer Schicht von Nickel-Phosphor einer Dicke von etwa 2 μm beschichtet. Die Schicht wurde unter Verwendung des stromlosen Verfahrens auf derartige Weise abgeschieden, dass die aufgetragenen Teilchen im wesentlichen voneinander getrennt waren. Eine Mischung, umfassend (a) 20 Vol.-% der beschichteten Diamantteilchen und (b) 80 Vol.-% Natriumchlorid, wurde hergestellt, und diese Mischung wurde in die Reaktionskapsel gegeben. Die Bedingungen in der Reaktionskapsel wurden während einer Zeitspanne von 300 Minuten auf etwa 5,2 GPa und etwa 1310 °C erhöht. Der Diamant wurde durch Lösen des Natriumchlorids in warmem Wasser aus der Reaktionskapsel gewonnen. Die Untersuchung des gewonnenen Diamanten ergab, dass derselbe beinahe vollständig facettiert war.
  • Beispiel 35
  • Eine Mischung wurde aus (a) 30 Vol.-% synthetischen Diamantteilchen, die frei von makroskopischen Facetten sind und eine Teilchengröße von weniger als 0,5 μm aufweisen, und (b) 70 Vol.-% Cobaltpulver hergestellt. Die Mischung wurde in die Reaktionskapsel gegeben, und die Bedingungen wurden auf etwa 4,8 GPa und etwa 1170 °C erhöht, und die Bedingungen wurden während einer Zeitspanne von 11 Stunden beibehalten. Durch Lösen des Cobalts in verdünnter Salzsäure und Abfiltrieren des Diamanten von der Flüssigkeit wurde der Diamant aus der Reaktionskapsel gewonnen. Die Untersuchung des Diamanten ergab facettierte Kristalle einer Größe, die im wesentlichen geringer als 1 μm war. Gemäß Muncke (siehe "The Properties of Diamond", herausg. von J.E. Field, S. 517, Academic Press 1979) beträgt die eutektische Temperatur in dem Co-C-System bei 4,8 GPa etwa 1375 °C, so dass unter den in diesem Beispiel verwendeten Bedingungen die Reaktionsmischung während der Kristallwachstumsperiode im festen Zustand vorlag.
  • Falls nichts Anderweitiges angegeben ist, wurden in allen oben beschriebenen Beispielen die facettierten Diamantkristalle durch einfaches Lösen des Katalysators/Lösungsmittels in einer geeigneten und bekannten Säure oder einem geeigneten und bekannten Lösungsmittel unter Zurücklassen einer Masse von einzelnen, voneinander getrennten, facettierten Diamantkristallen gewonnen. In dem Falle, dass einige der Kristalle locker an andere gebunden waren, wurden sie freigesetzt, indem man mit den gebundenen Agglomeraten ein leichtes Mahlen oder einen ähnlichen Arbeitsgang durchführte.
  • Die facettierten Diamanten der Beispiele 5 bis 35 waren alle denjenigen ähnlich, die in den 4 und 5 erläutert werden. In allen Fällen ergaben sich einige Zwillingsdiamantkristalle, aber wenigstens 80 % der Teilchen waren Einkristalle.

Claims (3)

  1. Verfahren zur Herstellung einer Masse von Diamantkristallen, bei denen es sich vorwiegend um makroskopisch facettierte Einkristalle handelt, umfassend die folgenden Schritte: Bereitstellen einer Quelle für Diamantkristalle, die im Wesentlichen frei von makroskopisch facettierten Flächen sind, Herstellen einer Reaktionsmasse durch In-Kontakt-Bringen der Quelle mit einem geeigneten Lösungsmittel/Katalysator, Behandeln der Reaktionsmasse unter Bedingungen einer erhöhten Temperatur und eines erhöhten Drucks, die für Kristallwachstum geeignet sind, in der Reaktionszone einer Hochtemperatur/Hochdruck-Apparatur, Entfernen der Reaktionsmasse aus der Reaktionszone und Gewinnen der Kristalle aus der Reaktionsmasse, wobei die Bedingungen des Kristallwachstums so gewählt werden, dass die Quelldiamantkristalle in Diamantkristalle umgewandelt werden, die entwickelte makroskopische Flächen mit niedrigem Miller-Index aufweisen, wobei die zum Kristallwachstum notwendige Übersättigungstriebkraft vorwiegend durch die Differenz der Oberflächenenergie zwischen Flächen mit niedrigem Miller-Index und den Flächen mit hohem Miller-Index der Quelldiamantkristalle erzeugt wird.
  2. Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei die Masse von Diamantkristallen wenigstens 80% makroskopisch facettierte Einkristalle enthält.
  3. Verfahren gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei die erhöhte Temperatur im Bereich von 1100 bis 1500 °C liegt und der erhöhte Druck im Bereich von 4,5 bis 7 GPa liegt.
DE69806502T 1997-12-11 1998-12-10 Kristallwachstum Expired - Lifetime DE69806502T3 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
ZA9711149 1997-12-11
ZA9711149 1997-12-11
PCT/GB1998/003695 WO1999029411A1 (en) 1997-12-11 1998-12-10 Crystal growth

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE69806502D1 DE69806502D1 (de) 2002-08-14
DE69806502T2 DE69806502T2 (de) 2003-01-16
DE69806502T3 true DE69806502T3 (de) 2007-04-19

Family

ID=25586771

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69806502T Expired - Lifetime DE69806502T3 (de) 1997-12-11 1998-12-10 Kristallwachstum

Country Status (10)

Country Link
US (2) US6835365B1 (de)
EP (1) EP1037704B2 (de)
JP (1) JP2001525311A (de)
KR (1) KR100575905B1 (de)
CN (1) CN1134289C (de)
AT (1) ATE220345T1 (de)
AU (1) AU1496599A (de)
DE (1) DE69806502T3 (de)
TW (1) TW584678B (de)
WO (1) WO1999029411A1 (de)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9409280B2 (en) 1997-04-04 2016-08-09 Chien-Min Sung Brazed diamond tools and methods for making the same
US9199357B2 (en) 1997-04-04 2015-12-01 Chien-Min Sung Brazed diamond tools and methods for making the same
US9221154B2 (en) 1997-04-04 2015-12-29 Chien-Min Sung Diamond tools and methods for making the same
US9238207B2 (en) 1997-04-04 2016-01-19 Chien-Min Sung Brazed diamond tools and methods for making the same
US7368013B2 (en) * 1997-04-04 2008-05-06 Chien-Min Sung Superabrasive particle synthesis with controlled placement of crystalline seeds
US9463552B2 (en) 1997-04-04 2016-10-11 Chien-Min Sung Superbrasvie tools containing uniformly leveled superabrasive particles and associated methods
US7323049B2 (en) * 1997-04-04 2008-01-29 Chien-Min Sung High pressure superabrasive particle synthesis
US9868100B2 (en) 1997-04-04 2018-01-16 Chien-Min Sung Brazed diamond tools and methods for making the same
WO2005035174A1 (ja) * 2003-10-10 2005-04-21 Sumitomo Electric Industries, Ltd. ダイヤモンド工具、合成単結晶ダイヤモンドおよび単結晶ダイヤモンドの合成方法ならびにダイヤモンド宝飾品
JP5028800B2 (ja) 2003-12-11 2012-09-19 住友電気工業株式会社 高硬度導電性ダイヤモンド多結晶体およびその製造方法
US20080257381A1 (en) * 2004-10-07 2008-10-23 Klaus Winterscheidt Use of Polyvinyl Acetate Dispersions for Cleaning Purposes
US8678878B2 (en) 2009-09-29 2014-03-25 Chien-Min Sung System for evaluating and/or improving performance of a CMP pad dresser
US8398466B2 (en) 2006-11-16 2013-03-19 Chien-Min Sung CMP pad conditioners with mosaic abrasive segments and associated methods
US8393934B2 (en) 2006-11-16 2013-03-12 Chien-Min Sung CMP pad dressers with hybridized abrasive surface and related methods
US9724802B2 (en) 2005-05-16 2017-08-08 Chien-Min Sung CMP pad dressers having leveled tips and associated methods
US8974270B2 (en) 2011-05-23 2015-03-10 Chien-Min Sung CMP pad dresser having leveled tips and associated methods
US8622787B2 (en) 2006-11-16 2014-01-07 Chien-Min Sung CMP pad dressers with hybridized abrasive surface and related methods
US9138862B2 (en) 2011-05-23 2015-09-22 Chien-Min Sung CMP pad dresser having leveled tips and associated methods
EP1901838A1 (de) * 2005-05-31 2008-03-26 Element Six (Production) (Pty) Ltd. Verfahren zur umhüllung von diamantkeimen
CN100457250C (zh) * 2006-12-30 2009-02-04 江苏天一超细金属粉末有限公司 一种合成金刚石用石墨与触媒复合材料的制备方法及设备
RU2463372C2 (ru) * 2007-08-31 2012-10-10 Элемент Сикс (Продакшн) (Пти) Лтд Сверхтвердые алмазные композиты
US9011563B2 (en) 2007-12-06 2015-04-21 Chien-Min Sung Methods for orienting superabrasive particles on a surface and associated tools
US8252263B2 (en) 2008-04-14 2012-08-28 Chien-Min Sung Device and method for growing diamond in a liquid phase
US8038764B2 (en) * 2009-11-30 2011-10-18 General Electric Company Rhenium recovery from superalloys and associated methods
WO2012019112A2 (en) * 2010-08-05 2012-02-09 University Of Houston System Method of producing diamond powder and doped diamonds
CN103299418A (zh) 2010-09-21 2013-09-11 铼钻科技股份有限公司 单层金刚石颗粒散热器及其相关方法
BR112013010515A2 (pt) * 2010-10-29 2016-08-02 Baker Hughes Inc partículas de grafeno revestidas de diamante, composições e estruturas intermédias compreendendo o mesmo e os métodos de formação de poli cristalinos de partículas de diamante grafeno-revestido e compactos
US8840693B2 (en) 2010-10-29 2014-09-23 Baker Hughes Incorporated Coated particles and related methods
RU2476376C2 (ru) * 2011-05-31 2013-02-27 Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт природных, синтетических алмазов и инструмента"-ОАО "ВНИИАЛМАЗ" Способ синтеза алмазов, алмазных поликристаллов
KR20130087843A (ko) * 2012-01-30 2013-08-07 한국전자통신연구원 단결정 물질을 이용한 엑스선 제어 장치
GB201222383D0 (en) * 2012-12-12 2013-01-23 Element Six Abrasives Sa Diamond grains, method for making same and mixture comprising same
GB2543032B (en) * 2015-09-29 2018-08-01 Element Six Uk Ltd Faceted diamond grains

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL128759C (de) 1965-11-13
US3890430A (en) * 1972-01-13 1975-06-17 Valentin Nikolaevich Bakul Method of producing diamond materials
US4224380A (en) * 1978-03-28 1980-09-23 General Electric Company Temperature resistant abrasive compact and method for making same
SE457537B (sv) * 1981-09-04 1989-01-09 Sumitomo Electric Industries Diamantpresskropp foer ett verktyg samt saett att framstaella densamma
ZA826297B (en) * 1981-10-30 1983-11-30 Gen Electric Sintering diamond
JPS5939362B2 (ja) * 1981-11-12 1984-09-22 昭和電工株式会社 窒化ホウ素系化合物およびその製造方法
FR2623201B1 (fr) * 1987-11-17 1993-04-16 Combustible Nucleaire Produit abrasif diamante composite, son procede de preparation et les outils de forage ou d'usinage qui en sont equipes
US5151107A (en) * 1988-07-29 1992-09-29 Norton Company Cemented and cemented/sintered superabrasive polycrystalline bodies and methods of manufacture thereof
US5443032A (en) * 1992-06-08 1995-08-22 Air Products And Chemicals, Inc. Method for the manufacture of large single crystals
US5439492A (en) * 1992-06-11 1995-08-08 General Electric Company Fine grain diamond workpieces
JP3728465B2 (ja) * 1994-11-25 2005-12-21 株式会社神戸製鋼所 単結晶ダイヤモンド膜の形成方法
JP4114709B2 (ja) * 1996-09-05 2008-07-09 株式会社神戸製鋼所 ダイヤモンド膜の形成方法
EP0975423B1 (de) * 1997-04-17 2002-09-18 De Beers Industrial Diamonds (Proprietary) Limited Sinterverfahren für diamanten und diamant-züchtung
KR100579338B1 (ko) 1997-09-26 2006-05-12 드 비어스 인더스트리얼 다이아몬즈 (프로프라이어터리) 리미티드 다이아몬드 피막을 갖는 다이아몬드 코어
JP2001525244A (ja) * 1997-12-11 2001-12-11 デ ビアス インダストリアル ダイアモンド デイビジヨン (プロプライエタリイ) リミテツド 結晶含有材料

Also Published As

Publication number Publication date
WO1999029411A1 (en) 1999-06-17
EP1037704A1 (de) 2000-09-27
CN1284008A (zh) 2001-02-14
DE69806502D1 (de) 2002-08-14
US20040136892A1 (en) 2004-07-15
KR20010033021A (ko) 2001-04-25
EP1037704B1 (de) 2002-07-10
AU1496599A (en) 1999-06-28
ATE220345T1 (de) 2002-07-15
CN1134289C (zh) 2004-01-14
EP1037704B2 (de) 2006-10-18
TW584678B (en) 2004-04-21
JP2001525311A (ja) 2001-12-11
US6835365B1 (en) 2004-12-28
DE69806502T2 (de) 2003-01-16
KR100575905B1 (ko) 2006-05-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69806502T3 (de) Kristallwachstum
DE3923671C2 (de) CBN-Schleifmittelkörner aus kubischem Bornitrid und ein Verfahren zu deren Herstellung
AT389884B (de) Verfahren zur herstellung eines gesinterten schleifmaterials auf der basis von alpha-al2o3
CH644339A5 (de) Pressling fuer schleifzwecke und verfahren zu seiner herstellung.
DE1142346B (de) Verfahren zur Synthese von Diamanten
DE19643657A1 (de) Mikronisiertes Erdalkalimetallcarbonat
DE2002597A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Duengemitteln in granulierter Form
DE3338169A1 (de) Verfahren zur erzeugung von aluminiumtrihydroxid mit einem nach bedarf regulierten mittleren durchmesser im bereich von 2 bis 100 (my)m
DE2456888A1 (de) Verfahren zur herstellung von abrasivkoerpern
DE3338186A1 (de) Verfahren zur erzeugung von aluminiumtrihydroxid mit einem nach bedarf regulierten mittleren durchmesser unter 4 (my)m
DE60008586T2 (de) Cluster von kubischem bornitrid
DE60005034T2 (de) Wachstum von diamantclustern
DE4319372A1 (de) Magnesiumhydroxid und Verfahren zur dessen Herstellung
DE2529711A1 (de) Verfahren zur herstellung von phosphorsaeure
DE2060683A1 (de) Verfahren zur Isolierung von Borazon
DE2633045C3 (de) Verfahren zur hydrothermalen Herstellung von Korundteilchen
DE60111859T2 (de) Schleifmittel
DE3605634C2 (de)
DE69820098T2 (de) Diamantpartikel, bestehend aus einem diamantenem kern und einem diamantenem überzug
DE953977C (de) Verfahren zur Gewinnung von reinen Nitraten aus salpetersauren Loesungen von Calciumphosphaten
DE3834742A1 (de) Werkzeug zum bearbeiten von kohlenstoffmaterialien und verfahren zum herstellen des werkzeuges
DE677966C (de) Aufschliessen von Phosphaten
EP3271069B1 (de) Material zur entsäuerung und/oder aufhärtung von flüssigkeiten, verfahren zu dessen herstellung sowie verwendungen
DE1057577B (de) Filterhilfe und Verfahren zu ihrer Herstellung
CH646069A5 (de) Verfahren zur isolierung eines materials aus einer loesung.

Legal Events

Date Code Title Description
8363 Opposition against the patent
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: ELEMENT SIX (PTY) LTD., JOHANNESBURG, ZA

8366 Restricted maintained after opposition proceedings