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Hintergrund
und Zusammenfassung der Erfindung
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Diese
Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Bilden eines Interlevel-
bzw. Zwischeniveau-Dielektrikums des Typs, der in Verbindungsstrukturen
integrierter Schaltungen verwendet wird, und noch spezieller auf
ein Plasma-verstärktes
bzw. verbessertes (plasma enhanced) chemisches Dampfabscheidungsverfahren
zur Bildung eines Isolierungsmaterials mit niedriger Dielektrizitätskonstante.
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Die
Gestalter und Hersteller von integrierten Schaltungen mit großem Integrationsgrad
beginnen noch kleinere Vorrichtungen herzustellen, die größere Geschwindigkeit
und erhöhte
Vorrichtungspackungsdichten ermöglichen.
Die Größen einzelner
Merkmale (z.B. der Transistor-Gate-Länge) von Schaltungen mit ultragroßem Integrationsgrad
(ULSI) (ultra-large-scale-integration)
schrumpft auf weniger als 0,25 Mikrometer (μm). Der resultierende Anstieg
bei den Packungsdichten auf Halbleiter-Chips, und der damit verbundene
Anstieg der Funktionalität,
hat in großem
Maße die
Anzahl und Dichte von Verbindungen auf jedem Chip vergrößert.
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Kleinere
Vorrichtungen auf Chips, die enger zusammen gepackt sind, mit erhöhter Funktionalität und Komplexität erfordern
Verbindungen (Leitungen, Durchkontaktierungen, etc.), die kleiner
werden, komplexer (z.B. mehr Verdrahtungsniveaus) und enger beabstandet
sind. Die kleineren Größen der
Verbindungen, die den Widerstand erhöhen, und engere Verbindungsabstände führen zu
RC(Widerstandskapazitäts)-Kopplungsproblemen,
einschließlich
Ausbreitungsverzögerungen
und Nebengeräuschen
zwischen Interlevel- und als auch Intealevel-Leitern.
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Da
Zwischenverbindungsleitungen, sowohl Interlevel als auch Intralevel,
kleiner und enger beabstandet sind, werden RC-Verzögerungen
zu einem großen
Teil der Gesamtsignalverzögerungen,
welche jeden Geschwindigkeitsvorteil, herrührend aus kleinerer Vorrichtungsgröße, ausgleichen.
RC-Verzögerungen
begrenzen somit die Verbesserung der Vorrichtungsleistungsfähigkeit.
Kleine Leitergröße vergrößert den
spezifischen Widerstand (R) von metallischen Leitungen und kleineren
Zwischenleitungen und Zwischenniveauabstand vergrößert die
Kapazität
(C) zwischen den Leitungen. Die Verwendung und Entwicklung von Metallen
mit geringerem spezifischen Widerstand, wie Kupfer, wird fortschreiten,
um den spezifischen Widerstand von Verbindungsleitungen zu verringern.
Die Kapazität
kann durch Einsatz von dielektrischen Materialien niedriger Dielektrizitätskonstante
(d.h. mit niedrigerem k) verringert werden.
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Da
die Kapazität
(C) direkt proportional zur dielektrischen Konstante (k) des Verbindungsdielektrikums ist,
können
RC-Probleme, die in ULSI-Schaltungen vorliegen, verringert werden,
wenn ein Material mit einer niedrigen Dielektrizitätskonstante
(niedrigem k) als Isolationsmaterial, angeordnet zwischen und um
die Interlevel- und Intralevel-Leiter, verwendet wird (das Dielektrikum
wird hier bezeichnet als das "Verbindungsdielektrikum" oder "Verbindungsdielektrikumsmaterial"). Was die Industrie
sucht, ist ein geeigneter Ersatz für Siliciumdioxid (SiO2), welches lange als Dielektrikum in integrierten
Schaltungen verwendet wurde. Siliciumdioxid hat ausgezeichnete thermische
Stabilität
und relativ gute dielektrische Eigenschaften mit einer Dielektrizitätskonstante
um 4,0. Aber es gibt nun einen Bedarf nach einem Verbindungsdielektrikumsmaterial,
das zur Verwendung in IC-Schaltungsverbindungen geeignet ist, und
das eine niedrigere Dielektrizitätskonstante
aufweist als SiO2.
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Nach
einer langen Suche nach möglichen
Materialien mit niedriger Dielektrizitätskonstante, die als Verbindungsdielektrikum
in ULSI-Schaltungen verwendet werden sollen, wurden die Kandidaten
nunmehr auf wenige verringert, abhängig von der Anwendung. Eines
der vielversprechenden Materialien, das jüngst aktiv studiert und beträchtliche
Aufmerksamkeit gewonnen hat, ist amorpher fluorierter Kohlenstoff
(a-F:C).
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Fluorkohlenstoffpolymere
wurden für
mehr als zwei Dekaden studiert, und die meisten ihrer Anwendungen
sind für
die Verwendung als Beschichtungsmaterialien, um Kunststoffe, Fasern
und Metalle zu schützen:
Es ist bekannt, dass a-F:C-Filme unter Verwendung von Plasma-verstärkter bzw.
verbesserter CVD ("PECVD") hergestellt werden
können.
Frühe Erfahrungen
mit a-F:C zeigten, dass die bei Raumtemperatur abgeschiedenen Filme
mit einer Dielektrizitätskonstante
von niedrigen 2,1 und einer thermischen Stabilität < 300°C
abgeschieden werden konnten. Weitere Versuche zeigten, dass, wenn
die a-F:C-Filme bei höheren Substrattemperaturen
abgeschieden wurden, die thermische Stabilität bis auf 400°C verbessert
werden konnte, aber sich die Dielektrizitätskonstante auf oberhalb ~2,5
vergrößerte.
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Tabelle
I veranschaulicht, wie die Dielektrizitätskonstanten und thermischen
Stabilitäten
einiger Mitglieder der Kohlenstofffamilie verglichen werden mit
a-F:C. Diese zeigt, dass die Dielektrizitätskonstante herabgesetzt werden
kann, wenn Kohlenstofffilme höhere
Fluorkonzentrationen enthalten. Im PECVD-Verfahren hängt die
Fluorkonzentration des a-F:C-Films
vom Fluor-zu-Kohlenstoff-Verhältnis
bei der Entladung ab, welche durch die Zufuhrgas-Zusammensetzung,
RF-Leistungseingabe, Substrattemperatur und Gesamtdruck eingestellt
wird. Die thermische Stabilität
steht in engem Zusammenhang mit dem Grad der Vernetzung der Polymerketten.
Je größer der
Grad der Vernetzung, desto fester gebunden sind die Strukturen und
je höher
ist die thermische Stabilität.
In einem PECVD-Verfahren kann entweder ein Anstieg der Substrattemperatur,
eine Erhöhung
des Ionenbombardements oder die Anwendung von Plasma-Energie mit
niedriger Frequenz die Vernetzung in den a-F:C-Filmen erhöhen. Höhere Temperaturabscheidung
hat den Nachteil der unvermeidlichen Verringerung der Fluorkonzentration,
wodurch die Dielektrizitätskonstante
ansteigt.
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Tabelle
I: Relevante Eigenschaften für
mehrere Mitglieder der Kohlenstofffamilie
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Verglichen
mit den Verfahren bei niedrigen Abscheidungstemperaturen sind die
Nachteile höherer Temperaturabscheidungsverfahren
nicht nur, dass diese die Dielektrizitätskonstante vergrößern, sondern ebenfalls
zu geringer Adhäsion
an SiO2 und Si3N4 aufgrund der ansteigenden thermischen Belastung
führen und
ebenfalls höheren
Leckstrom in den Filmen verursachen. Es erscheint, dass eine niedere
Abscheidungstemperatur wünschenswert
ist.
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Fluorierter
amorpher Kohlenstoff hat eine Dielektrizitätskonstante k unter 3,0 und
abhängig
von der Menge an Fluor (F) im Film kann dieser ein k im Bereich
von 2,0 bis 2,5 aufweisen. Ein Hauptproblem mit a-F:C ist dessen
geringe thermische Stabilität.
Es war bisher nicht möglich,
a-F:C-Filme mit geeignet niedriger Dielektrizitätskonstante (k weniger als
2,5) und einer thermischen Stabilität über 400°C herzustellen. Temperaturen
im Sinterbereich (450°C),
typischerweise für
die Herstellung von ULSI-Chips, verursachen übermäßiges Schrumpfen des a-F:C-Films,
möglicherweise
aufgrund von Fluorverflüchtigung.
Mechanische Festigkeit und Adhäsionsprobleme
sind Hindernisse, a-F:C als Verbindungsdielektrikum in Schaltungen
mit hohen Integrationsdichten zu verwenden.
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Es
wäre vorteilhaft,
ein dielektrisches Material zur Verwendung in Verbindungsstrukturen
von integrierten Schaltungen zu haben, das hier alternativ als "Verbindungsdielektri kum" bezeichnet wird,
das eine niedrige Dielektrizitätskonstante
(k = 3,0 oder weniger) und verbesserte thermische Stabilität bis zu
450°C aufweist,
wodurch ein geeigneter Ersatz mit niedrigem k für ein Siliciumdioxid-Dielektrikum
bereitgestellt wird.
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Es
wäre ebenfalls
vorteilhaft, einen a-F:C-Film zu haben, der eine Dielektrizitätskonstante
von 2,5 oder weniger aufweist, der bis 450°C thermisch stabil ist.
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Es
wäre ebenfalls
vorteilhaft, ein Verfahren zum Bilden eines a-F:C-Films auf einem
Siliciumsubstrat unter Verwendung von Plasma-verstärkter bzw.
verbesserter chemischer Dampfabscheidungs-(PECVD)-Techniken zur
Abscheidung eines a-F:C-dielektrischen Materials mit niedrigem k
auf einem Halbleitersubstrat zu haben, worin das resultierende a-F:C
im wesentlichen bis zu 450°C
stabil ist.
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Gemäß der vorliegenden
Erfindung wird ein Plasma-verstärktes
bzw. verbessertes chemisches Dampfabscheidungsverfahren (PECVD)
zur Abscheidung eines dielektrischen Materials auf einem Substrat zur
Verwendung in Verbindungsstrukturen von integrierten Schaltkreisen
bereitgestellt, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst:
- a) Positionieren des Substrats in einer PECVD-Kammer
und Erhitzen des Substrats auf eine Temperatur über 200°C;
- b) Einführen
eines Stroms von Fluor-enthaltendem Gas (FCG) und Kohlenstoff enthaltendem
Gas (CCG) in die Kammer unter Einsatz ausreichender Energie, um
ein Fluor- und Kohlenstoff-enthaltendes
Gasplasma zu bilden, wobei das Verhältnis von FCG zu CCG ausgewählt wird,
um fluorierten amorphen Kohlenstoff auf dem Substrat abzuscheiden;
und
- c) Einführen
eines Stroms von SiH4 (Silan) in die Kammer,
zusammen mit dem FCG und CCG in Schritt b), wobei das Silan die
thermische Stabilität
des auf dem Substrat abgeschiedenen fluorierten amorphen Kohlenstoffs
erhöht,
wobei die eingesetzte Energie in der Kammer die gleichzeitige Anwendung
einer Hochfrequenz-Plasmaenergie und einer Niederfrequenz-Plasmaenergie
umfasst.
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Das
bevorzugte Fluor-enthaltende Gas (FCG), das im Verfahren der vorliegenden
Erfindung verwendet wird, ist Octafluorcyclobutan (C4F8). Das bevorzugte Kohlenstoffenthaltende
Gas (CCG), das im Verfahren verwendet wird, ist Methan (CH4). Ein geeignetes Verhältnis von FCG zu CCG für die Abscheidung
von fluoriertem amorphen Kohlenstoff auf dem Substrat liegt im Allgemeinen
im Bereich zwischen 1/1 und 30/1 (FCG/CCG) und bevorzugter im Allgemeinen
im Bereich von 5/1 bis 15/1. Der Prozentwert des Silangases in der
in die PECVD-Kammer eingeführten
Mischung von FCG, CCG und Silangasen liegt bevorzugt im Allgemeinen
im Bereich von 1 bis 15%. Der Umgebungsdruck, der in der PECVD-Kammer während der
Einführung von
FCG, CCG und Silan in die Kammer aufrechterhalten wird, liegt bevorzugt
im Allgemeinen im Bereich von 0,3 bis 2,0 Ton (40 bis 267 Pa).
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Während der
Einführung
von FCG, CCG und Silan in die PECVD-Kammer wird Plasmaenergie in Form
von Hochfrequenz(HF)-Plasmaenergie zugeführt, um die in die Kammer eingeführten Gase
zu ionisieren. Gleichzeitig wird Niederfrequenz(LF)-Energie in die
Kammer eingeführt,
um die Vernetzung des abgeschiedenen a-F:C-Films zu verbessern.
Die HF-Energie hat
eine Frequenz von 13,56 MHz und wird bevorzugt mit einem Energieniveau
zwischen 0,5 und 3,0 Watt pro Quadratzentimeter Substratfläche eingesetzt.
Gleichzeitig wird LF in einem Frequenzbereich im Allgemeinen in
einem Bereich von 100 bis 900 kHz zugeführt, wobei das Niederfrequenz-Energieniveau
bevorzugt im Allgemeinen im Bereich von 0,5 bis 3,0 Watt pro Quadratzentimeter
Substratfläche
liegt.
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Das
oben beschriebene Verfahren wird für eine Dauer durchgeführt, die
ausreicht, um eine ausgewählte
Dicke fluorierten amorphen Kohlenstoffs auf dem Substrat abzuscheiden.
Eine geeignete ausgewählte Dicke
für den
a-F:C-Film, die unter Verwendung des vorliegenden Verfahrens abgeschieden
wird, liegt im Allgemeinen im Bereich von 1.000 bis 10.000 Å (100 bis
1.000 nm), obwohl die Erfindung nicht auf irgendeinen spezifischen
Dickenbereich begrenzt ist. Bei Beendigung der Abscheidung einer
ausgewählten
Dicke fluorierten amorphen Kohlenstoffs auf das Substrat werden
das Substrat und der abgeschiedene fluorierte amorphe Kohlenstoff
gehärtet.
Die vorliegende Erfindung ermöglicht
ein Härten
bei einer Temperatur gleich oder größer als 440°C, obwohl das Verfahren bei
einem Härten
zwischen 300 und 550°C
verwendet werden kann. Die Dauer des Härtens wird entsprechend der
Ausgestaltung ausgewählt, übersteigt
aber im Allgemeinen 20 Minuten und kann 2 Stunden oder mehr sein,
abhängig
von der Ausgestaltung und den Leistungsfähigkeitsspezifikationen der
herzustellenden integrierten Schaltungen.
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Um
die vorliegende Erfindung noch besser zu verstehen, werden nun spezifische
Ausführungsformen anhand
der beigefügten
Zeichnungen beschrieben.
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Kurze Beschreibung der
Zeichnungen
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1 ist
eine schematische Darstellung einer PECVD-Kammer zur Durchführung ausgewählter Schritte
im Verfahren der vorliegenden Erfindung.
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2 ist
ein Blockdiagramm, das die Schritte im Verfahren für die Abscheidung
fluorierten amorphen Kohlenstoffs auf einem Substrat in einer PECVD-Kammer,
wie in 1 gezeigt, gemäß der Erfindung
veranschaulicht.
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3 ist
ein Blockdiagramm, das eine bevorzugte Ausführungsform eines Verfahrens
für die
Abscheidung fluorierten amorphen Kohlenstoffs auf einem Substrat
in einer PECVD-Kammer
unter Ausführung
des Verfahrens mit einem abschließenden Härten veranschaulicht.
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Detaillierte Beschreibung
der bevorzugten Ausführungsform
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Die
vorliegende Erfindung liefert ein Verfahren zur Abscheidung fluorierten
amorphen Kohlenstoffs (a-F:C) auf einem Siliciumwafer oder anderen
Substrat. Das Wafersubstrat wurde durch wohlbekannte Techniken (nicht
gezeigt) verarbeitet, um zum Zeitpunkt, wo die Schritte im Verfahren
durchgeführt
werden, integrierte Schaltungs(IC)merkmale (z.B. Transistoren und
andere aktive und passive Vorrichtungen) auf dem Wafer herzustellen.
Der Typ und die Anzahl integrierter Schaltungsmerkmale auf dem Substrat
sind unwesentlich für
das Verfahren der vorliegenden Erfindung, außer dass das fluorierte amorphe
Kohlenstoff Dielektrikumsmaterial mit niedrigem k am vorteilhaftesten
auf hochdichten ICs mit ultragroßem Integrationsgrad (ULSI)
eingesetzt wird. Das dielektrische Material wird in Verbindungsstrukturen,
wie leitfähigen
Leitungen und Kontaktlöchern
(nicht gezeigt), verwendet, die wohlbekannte leitende Verbindungsmerkmale
darstellen, die typischerweise im dielektrischen Verbindungsfilm
gebildet werden oder sich durch diesen erstrecken, der auf dem Wafer abgeschieden
wird, einschließlich
des a-F:C-Dielektrikums, das im Verfahren der vorliegenden Erfindung
abgeschieden wird. Form, Aufbau und leitende Materialien, die in
den Verbindungsstrukturen verwendet werden, genauso wie die Verfahren
zur Bildung derartiger Strukturen, werden hier nicht beschrieben
und sind Gegenstand der Designauswahl, was dem Fachmann im Stand
der Technik gut bekannt ist. Diese Erfindung bezieht sich auf das
Verfahren zum Bilden eines geeigneten dielektrischen Films mit niedriger
Dielektrizitätskonstante (niedrigem
k), der auf dem Wafer abgeschieden wird und zur Verwendung zwischen
und um die leitfähigen
Leitungen, Kontaktlöcher
und anderen Leiter in ULSIs und ähnlichen
ICs geeignet ist.
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1 ist
eine schematische Veranschaulichung einer geeigneten Vorrichtung 10 zur
Durchführung
einer Plasma-verstärkten
chemischen Dampfabscheidung (PECVD) auf einem Substrat, wie einem
Waver 12. Die Vorrichtung 10 umfasst eine PECVD-Kammer 16 einer
Größe, die
zum Halten von einem oder mehreren Wafern 12 geeignet ist,
die in der Kammer auf einem Chuck 20 getragen werden. Wie
für derartige
Kammern typisch, kann das Innere 22, wie gewünscht, durch
eine geeignete Pumpe und Ventilvorrichtung, die schematisch in 1 durch
die Pumpe 26 veranschaulicht ist, evakuiert oder unter
Druck gesetzt werden. Einzelne Wafer 12 werden in und aus
der Kammer 16 durch einen geeigneten Waferantrieb bzw.
-handhaber 30 durch ein Gate-Ventil 32 in der
Kammerwand herein und heraus bewegt, was es ermöglicht, die Wafer zur Verarbeitung
auf dem Chuck 20 zu bewegen und dann aus der Kammer zu
entfernen.
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In
der PECVD-Verarbeitung verwendete ausgewählte Gase werden durch ein
geeignetes Verzweigungsystem 36 von verschiedenen Gasversorgungsreservoirs,
die gesammelt bei 40 angegeben sind, in die Kammer eingeführt, kontrolliert
durch die Ventile 42. Die Gase werden in die Kammer durch
einen sogenannten Duschkopf 46 eingeführt, der die Gase wie erforderlich
verteilt. Der Chuck 20 kann auf jede gewünschte Temperatur
erhitzt werden, wobei die Heizelemente für diesen Zweck als Heizgeräte 50 schematisch
dargestellt sind.
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Das
Heizgerät
und der Chuck werden verwendet, um die Temperatur des Wafers 12 während der PECVD-Verarbeitung
auszuwählen.
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Plasmaenergie
wird durch einen RF-Generator 52 zur Kammer zugeführt, welcher
Hochfrequenz(HF)-RF-Energie, abgestrahlt durch den Duschkopf 46,
bereitstellt. Der Industriestandard für HF-Plasmaenergie, die in
den PECVD-Kammern verwendet wird, beträgt 13,56 Megahertz (MHz), obwohl
die Erfindung nicht auf irgendeinen exakten Hochfrequenzwert begrenzt
ist. Die Vorrichtung 10 umfasst bevorzugt einen Niederfrequenz(LF)-Generator 56 zur
Zuführung
von LF-Energie zum Inneren der Kammer. Die LF-Energie wird zwischen
dem Chuck 20 und dem Duschkopf 46 in einer dem
Fachmann im Stand der Technik gut bekannten Art und Weise eingesetzt.
Die LF-Energie wird verwendet, um die Vernetzung im amorphen fluorierten
Kohlenstoff-(a-F:C)-Film, der auf dem Wafer 12 abgeschieden
wird, während
der PECVD-Verarbeitung, zu erhöhen.
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2 veranschaulicht
die Schritte im Verfahren der vorliegenden Erfindung, die anhand
von 1 und 2 beschrieben werden. Ein Wafersubstrat 12 wird
zunächst
auf dem Chuck 20 in der PECVD-Kammer 16 durch
einen Wafer-Handhaber 30 positioniert. Das Substrat 12 ist
typischerweise ein Siliciumwafer, vorbereitet zur Aufnahme eines
a-F:C, wobei der a-F:C auf der oberen Fläche 58 des Wafers
abgeschieden wird. Der erste in 2 gezeigte
Schritt ist Schritt 70, welcher das Erhitzen von Substrat 12 auf
eine Temperatur über
200°C darstellt.
Bevorzugt wird der Wafer 12 auf eine Temperatur im Allgemeinen
im Bereich von 200 bis 300°C
erhitzt.
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Der
nächste
Schritt 76 ist die Einführung
eines Flusses von fluorhaltigem Gas (FCG) und Kohlenstoff-enthaltendem
Gas (CCG) in die Kammer 16 über eine Verzweigung 36 aus
geeigneten Zuführungen 40. Im
Verfahren der vorliegenden Erfindung ist das bevorzugte FCG Octafluorcyclobutan
(C4F8) und das bevorzugte
CCG ist Methan (CH4). Das in die Kammer 16 eingeführte Verhältnis von
FCG/CCG wird so ausgewählt, um
a-F:C auf dem Substrat 12 durch Plasma-verstärkte chemische
Dampfabscheidung abzuscheiden. Das empfohlene Verhältnis liegt
zwischen 1/1 und 30/1 (FCG/CCG) und bevorzugt zwischen 5/1 und 15/1.
Während
Schritt 76 wird geeignete Plasmaenergie in die Kammer 16 (Schritt 78)
eingeführt.
In der vorliegenden Erfindung umfasst geeignete Plasmaenergie HF-Energie
(13,56 MHz) mit einem Energieniveau zwischen 0,5 und 3,0 Watt pro
Quadratzentimeter Substratoberfläche
(d.h. die Oberfläche
von Substrat 12) und LF-Energie bei einer Frequenz im Allgemeinen
im Bereich von 100 bis 900 kHz; bei einem Energieniveau von 0,5
und 3,0 Watt pro Quadratzentimeter Substratoberfläche.
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Wie
dem Fachmann der PECVD-Verarbeitung bekannt ist, ionisiert die Plasmaenergie
in Kammer 16 die eingeführten
Gase, und erzeugt Polymerradikale, die auf der Oberfläche 58 des
Wafers 12 abgeschieden werden. C4F8 liefert die Entladung von zwei Arten langlebiger
Radikale. Eines ist das Fluorkohlenstoff-Radikal (CFx)
(worin 1 ≤ x ≤ 2), welches
den Bil dungsblock für
eine a-F:C-Abscheidung darstellt. Das andere ist F und F2-Atome,
die zerstörende Ätzmittel
darstellen, die flüchtige
Fluoride bilden, welche den a-F:C-Film, der auf dem Substrat 12 abgeschieden
wird, schwächen.
Das Methan dient zur Entladung von Wasserstoff(H)-Radikalen, die
sich durch Bildung flüchtigem
HF an die F-Atome binden können,
was das Ätzen
der F- und F2-Atome reduziert, und damit
die Stabilität
des resultierenden a-F:C-Films,
der auf dem Wafer abgeschieden wird, verbessert. Die Abscheidungsrate
und die Fluorkonzentration des a-F:C-Films werden selektiv durch
die Flussraten der FCG- und CCG-Gase gesteuert, genauso wie der
Kammerdruck in der Kammer 16. Wie oben bemerkt, liegt das
Verhältnis
von FCG zu CCG im Allgemeinen zwischen 1 zu 1 und 30 zu 1 und beträgt bevorzugt
zwischen 5 zu 1 und 15 zu 1 (FCG zu CCG). Der in der Kammer 16 während den
Schritten 76 und 78 aufrechterhaltene Umgebungsdruck
liegt bevorzugt im Allgemeinen im Bereich von 0,3 bis 2,0 Torr (40
bis 267 Pa).
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Die
vorliegende Erfindung umfasst weiterhin den zusätzlichen Schritt 80 des
Einführens
von Silan(SiH4)-Gas in die Kammer 16,
zusammen mit den FCG- und CCG-Gasen, während der Schritte 76 und 78. Der
Prozentsatz an Silan, das in die Kammer 16 während des
Schritts 80 eingeführt
wird, liegt bevorzugt im Allgemeinen im Bereich von 1 bis 15% der
ingesamt eingeführten
Gase (d.h. FCG und CCG und Silan). Vom Silan wurde festgestellt,
dass es die thermische Stabilität
des abgeschiedenen a-F:C-Films verbessert.
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Die
Reaktionen in der PECVD-Kammer werden wie folgt zusammengefasst:
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PLASMAPOLYMERISATIONSCHEMIE
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- • Vorläufer: C4F8 + CH4
- • Freie
Radikale, hergestellt durch Plasmaentladung:
- • Zugabe
von CH4 → Unterdrücken des
Fluorätzens
für die
(CFx)n-Abscheidungen:
- • Zugabe
von SiH4 → Unterdrücken des Fluorätzens für die (CFx)n-Abscheidungen:
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Der
auf dem Wafer 12 abgeschiedene amorphe fluorierte Kohlenstoff,
der das Produkt 86 der vorliegenden Erfindung darstellt,
weist eine niedrigere Dielektrizitätskonstante und größere thermische
Stabilität
auf als a-F:C-Filme, die ohne die Verwendung von Silangas abgeschieden
wurden. Die thermische Stabilität
wird im Allgemeinen als Minimal- bis Null-Schrumpfung (z.B. weniger als 1% Schrumpfung)
des abgeschiedenen a-F:C-Films während
des Hochtemperaturhärtens,
das bei Beendigung der Zwischenniveauverbindungen auf einem IC-Wafer
durchgeführt
wird, definiert. Es ist bei der IC-Wafer-Herstellung vorteilhaft,
wenn man den hergestellten Wafer bei einer Temperatur oberhalb 440°C für ein Minimum
von etwa 20 Minuten, bevorzugt zwischen 30 Minuten und bis zu mehreren
Stunden, härten
kann. Das Härten
ist im Allgemeinen ein Teil des Vervollständigungsverfahrens der Vorrichtungen
auf dem Wafer. Ein signifikantes Problem bei der Verwendung von
a-F:C-Dielektrika
auf IC-Wafern war deren geringe thermische Stabilität während des
Härtens über 350 bis
400°C. Fluorierte
amorphe Kohlenstofffilme, die unter Verwendung von Verfahren aus
dem Stand der Technik abgeschieden werden, zeigen, wenn sie einem
Härten
bei höherer
Temperatur (440°C)
unterzogen wurden, unerwünschtes
Schrumpfen, beispielsweise 5 bis 20% oder mehr. PECVD-Abscheidungsverfahren
für amorphen
fluorierten Kohlenstoff aus dem Stand der Technik, die kein Silan
verwenden, waren in der Lage, die thermische Stabilität des abgeschiedenen
Films geringfügig
zu verbessern (was eine endgültige
Härtungstemperatur
bis zu 405 bis 425°C
ermöglichte)
mit akzeptablem Schrumpfen durch Reduzieren des Fluorgehalts des
Films. Aber niedrigere Fluorniveaus im Film neigen dazu, die Dielektrizitätskonstante
(k) auf möglicherweise
k = 2,6+ zu erhöhen.
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Die
vorliegende Erfindung ist in der Lage, a-F:C-Filme mit guter thermischer
Stabilität
(minimale oder Null-Schrumpfung beim Endhärten bis zu 440 bis 465°C) mit niedrigem
k (k = 2,25 bis 2,5) bereitzustellen. In großem Maße verbessern thermische Stabilität wird über einen
weiten Bereich von Härtungstemperaturen, beispielsweise
zwischen 300 bis 550°C,
bereitgestellt. Der Vorteil von eingeführtem Silangas in die PECVD-Kammer
während
einer a-F:C-Abscheidung soll die Reduktion von Fluor-Radikalen unterstützen, indem
zusätzliche
H-Radikale zum Kombinieren mit dem F- und Fa-Ätzmitteln in der Kammer bereitgestellt
werden, wie durch den oben gezeigten endgültigen Satz von Reaktionen
unter der Unterschrift "PLASMAPOLYMERISATIONSCHEMIE" gezeigt. Durch welches
Verfahren auch immer, Versuche mit der Einführung von Silan im oben angegebenem
Prozentsatz verbessern die thermische Stabilität und reduzieren die Dielektrizitätskonstante
des resultierenden a-F:C-Films.
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3 zeigt
eine veranschaulichende Ausführungsform
des Verfahrens der vorliegenden Erfindung, die das Verfahren in
näheren
Einzelheiten erläutert.
Mit Bezug auf die 1 und 3 wird in
Schritt 100 der Wafer 12 auf dem Chuck 20 in
der Kammer 16 positioniert und auf eine Temperatur im Allgemeinen
in einem Bereich von 200 bis 300°C
erhitzt.
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In
Schritt 102 werden die Gase C4F8, CH4 und SiH4 über
Zuführungen 40 und
Ventile 42 und Verzweigung 36 in die Kammer 16 eingeführt. Die
Gase werden durch den Duschkopf 46 in der Kammer 16 verteilt. Die
Flussraten der Gase während
des Schritts 102 sind die Raten, die erforderlich sind,
um den Umgebungsdruck in der Kammer 16 im Allgemeinen in
einem Bereich von 0,3 bis 2,0 Torr aufrechtzuerhalten. Das Verhältnis von
C4F8 zu CH4 (C4F8/CH4) während
des Schritts 102 liegt im Allgemeinen in einem Bereich
von 1/1 bis 30/1 und bevorzugt zwischen 5/1 und 15/1. Der Prozentsatz
an Silangas, das im Schritt 102 eingeführt wird, als Prozentsatz der
drei eingeführten
Gase C4F8, CH4 und SiH4, liegt
im Allgemeinen in einem Bereich von 1 bis 15% SiH4.
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Der
Fluss von C4F8,
CH4 und SiH4 während des
Schritts 102 kann alternativ als Flussraten charakterisiert
werden, die in Standardkubikzentimeter pro Minute (scm3)
pro Kubikmeter Innenvolumen 22 in der PECVD-Kammer 16 gemessen
werden. Nachfolgend werden geeignete Flussraten (pro m3 Kammervolumen) zum
Durchführen
des Schritts 102 genannt:
3.000 bis 10.000 scm3 für
C4F8 pro Kubikmeter,
300
bis 1.100 scm3 für CH4 pro
Kubikmeter, und
100 bis 550 scm3 für SiH4 pro Kubikmeter.
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Während der
Einführung
der Gase C4F8, CH4 und SiH4 wird der
Schritt 104 durch Einsetzen von HF- und LF-Plasmaenergie
in Kammer 16 durchgeführt.
Die HF-Energie liegt bei einer empfohlenen Standardfrequenz von
13,56 MHz und bei einem Energieniveau zwischen 0,5 und 3,0 Watt
pro Quadratzentimeter Oberfläche 58 des
Substratwafers 12. Gleichzeitig wird LF-Energie mit einer
Frequenz im Allgemeinen in einem Bereich von 100 bis 900 kHz bei
einem Energieniveau zwischen 0,5 und 3,0 Watt pro Quadratzentimeter
Substratoberfläche
eingesetzt.
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Die
Schritte 102 und 104 scheiden a-F:C auf dem Wafer 12 (Schritt 108)
ab. Eine geeignete Dicke des a-F:C-Films, der in Schritt 108 abgeschieden
wird, liegt im Allgemeinen in einem Bereich von 1.000 bis 10.000 Angström (100 bis
1.000 nm).
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Schließlich wird
der Wafer 12 aus der Kammer 16 durch irgendein
geeignetes Mittel, wie einen Handhaber 30, entfernt und
in einem geeigneten Härtungsofen
bei einer Temperatur im Allgemeinen in einem Bereich von 300 bis
550°C gehärtet (Schritt 110).
Das Verfahren zeigt gute thermische Stabilität (d.h. eine Schrumpfung von
weniger als etwa 1%) bei Härtungstemperaturen
oberhalb 440°C,
im Allgemeinen im Bereich von 440 bis 465°C.
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Das
Nachfolgende ist ein spezifisches Versuchsbeispiel des Verfahrens
der vorliegenden Erfindung:
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Beispiel
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In
einer OXFORD-Plasma-lab-100-PECVD-Systemkammer wurde ein 6 Zoll
(15,2 cm) Wafer 12 auf dem Chuck 20 platziert
und auf eine Temperatur von 250°C
erhitzt. Ein Fluss von C4F8-,
CH4- und SiH4-Gasen wurde
bei den folgenden Flussraten in die Kammer eingeführt:
C4F8: 137 scm3,
CH4: 15 scm3 und
SiH4:
6,1 scm3.
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Die
HF-Energie (13,56 MHz) wurde bei einem Energieniveau von 200 Watt
eingesetzt und LF-Energie (500 kHz) wurde mit 200 Watt eingesetzt.
Der Umgebungsdruck in der Kammer wurde bei etwa 0,4 Torr (53 Pa)
aufrechterhalten.
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Die
obigen Bedingungen erzeugten eine Abscheidungsrate von a-F:C von
1.200 Angström/Minute (120
nm/Minute). Die Abscheidung wurde für 4 Minuten durchgeführt. Dann
wurde der Wafer aus der Kammer entfernt und ein endgültiges Härten wurde
für 30
Minuten bei 450°C
durchgeführt.
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Die
resultierende Dielektrizitätskonstante
k des a-F:C betrug etwa 2,3.
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Von
der vorliegenden Erfindung wurde festgestellt, dass sie die thermische
Stabilität
verbessert und die Delektrizitätskonstante
von abgeschiedenen a-F:C-Filmen, die durch PECVD-Verfahren gebildet
werden, absenkt. Variationen im Verfahren sind im Rahmen der vorliegenden
Erfindung möglich.
Beispielsweise sind die Abscheidungstemperaturen und das Verhältnis der
Gase, die im Versuchsbeispiel spezifiziert sind, nur Vorschläge. In den
hier offenbarten spezifizierten Bereichen wird es notwendig sein,
die Flussraten und Temperaturen, die in den IC-Herstellungsverfahren
verwendet werden, die für
kommerzielle Herstellung eingesetzt werden, zu optimieren.