EP0004033A1 - Process for equalizing the material removal rate of wafers by polishing - Google Patents

Process for equalizing the material removal rate of wafers by polishing Download PDF

Info

Publication number
EP0004033A1
EP0004033A1 EP79100602A EP79100602A EP0004033A1 EP 0004033 A1 EP0004033 A1 EP 0004033A1 EP 79100602 A EP79100602 A EP 79100602A EP 79100602 A EP79100602 A EP 79100602A EP 0004033 A1 EP0004033 A1 EP 0004033A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
polishing
plate
pressure
disks
ring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
EP79100602A
Other languages
German (de)
French (fr)
Other versions
EP0004033B1 (en
Inventor
Hans Chem.-Ing.grad. Krämer
Helmuth Chem.-Ing.Grad Kirschner
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siltronic AG
Original Assignee
Wacker Siltronic AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wacker Siltronic AG filed Critical Wacker Siltronic AG
Publication of EP0004033A1 publication Critical patent/EP0004033A1/en
Application granted granted Critical
Publication of EP0004033B1 publication Critical patent/EP0004033B1/en
Expired legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor

Definitions

  • the invention relates to a method for equalizing the polishing removal of disks when polishing with polishing machines, which have a polishing plate covered with a polishing cloth, one or more polishing support plates, on the side facing the polishing plate, the polishing plate. Disks are cemented on, as well as pressure stamps that press the polishing carrier plates against the polishing plate covered with a polishing cloth.
  • the layer sequences of different conductivity types required for the function of the individual components are produced by successive individual processes, starting from the flat surfaces of the single-crystal semiconductor wafers.
  • Wavy, curved or wedge-shaped semiconductor wafers lead to blurring when exposing the photoresist applied to the wafer surface, in particular when using photolithographic methods. Components with a high circuit packing density can therefore no longer be produced from such panes.
  • the tolerances with regard to the thickness, the wedge shape or the flatness of the semiconductor wafers used in the processes, which are still accepted by the component manufacturers, are shifting to ever smaller values.
  • the slices with their flat - including a marking on the circumference of the slices to identify the crystallographic orientation of the respective slices materials is understood - cemented in the direction of the center of the carrier plate, this results in a wedge-shape perpendicular to the flat, with the flat coming to lie at the tip end of the wedge during the initial polishing runs up to about the tenth polishing run, while after about the thirtieth polishing run the flat is at thick end of the wedge lies. Due to this drive-dependent difference in thickness between the outer ring and the center ring, the roughly ten first polishing runs and the last polishing runs exceeding the number of thirty result in a relatively poor thickness tolerance of the polished discs.
  • the measured wedge is generally greater, the greater the difference between the average thickness value in the outer ring and the average thickness value in the middle ring. The thickness value is determined in the center of each slice.
  • the invention was therefore based on the object in the polishing process by means of suitable measures, an even pressure distribution and thus to all.
  • Set discs with equivalent removal forces in order to be able to guarantee semiconductor wafers with small tolerances with regard to their thickness, taper and ripple.
  • This object is achieved in that intermediate layers of soft, elastic bodies are inserted between the pressure stamp and the back of the carrier plate.
  • Elastic bodies are generally understood to mean elastic materials which can be compressed and compressed, and which have the tendency to reverse the deformations which occur under the action of deforming forces.
  • Particularly suitable are particularly soft, elastic bodies with pressure compensation chambers, for example graphite or silicone foams, plastic foams, such as polyethylene foams, where the pressure compensation chambers can be filled with either gas or liquid.
  • Air cushion foils such as in particular polyethylene foils of different thicknesses with air knobs of different diameters, are preferably used.
  • Figure 1 shows schematically the part of a conventional polishing machine that is relevant to the invention.
  • Figure 2 shows the front of a carrier plate with cemented discs to be polished.
  • Figures 3a to 3d show 4 differently shaped elastic intermediate layers.
  • polishing semiconductor wafers 1 When polishing semiconductor wafers 1, for example, they are usually cemented in concentric rings onto a flat front side of a carrier plate 2, which is usually made of V2A steel or aluminum. Before the pressure stamp 3 is placed on the back of the carrier plate, a soft, elastic intermediate layer 4 is inserted.
  • the pressure stamp 3 of conventional polishing machines is provided with a cooling system which dissipates the frictional heat that occurs during polishing.
  • this cooling system consists of a cavity 5, through which a coolant, in the simplest case of water, flows through the feed pipes 6 and 7.
  • the pressure with which the disks 1 to be polished are pressed against the polishing cloth 9 clamped on the polishing plate 8 is generated by the pressure cylinder 11 attached to the cylinder rod 10.
  • the polishing plate 8 is set in rotation by means of a suitable drive.
  • the system of the carrier plate 2 and the plunger 3 with the cooling system 5 (cooling pot), which is connected to the rigid pressure cylinder 11 by means of the sliding bearing 12, is rotated in the same direction.
  • a carrier plate 2 is shown, on which silicon disks are cemented in three kit rings, the outer kit ring 13, the middle kit ring 14 and the inner kit ring 15.
  • the number of kit rings generally depends on the size of the carrier plates used and the diameter of the discs to be polished.
  • a support plate 2 is for example shown, are cemented in which semiconductor wafers in an outer cement ring 13, in a middle cement ring 14 and in an inner cement ring 1. 5
  • the average thickness value in the outer kit ring 13 is, however, smaller than the average thickness value of the middle kit ring 14
  • circular inserts with a diameter substantially smaller than the carrier plate diameter for example inserts as shown in Figure 3d, must be inserted .
  • These deposits transfer the polishing pressure in the plate center. This results in an increase in the polishing removal in the inner plate area.
  • there are smaller differences in the thickness values in the outer and middle kit ring and thus lead to an improvement in the thickness spread and in particular the wedge shape perpendicular to the flat.
  • the removal in the inner plate area is increased, the smaller the diameter of these center inserts.
  • the influences of the back of the carrier plate and the pressure stamp or the underside of the cooling pot can be largely eliminated.
  • the influence of the polishing cloth can also be reduced by the choice of inexpensive insert forms, whereby a considerable improvement with regard to the scatter of thickness and the wedge shape of polished discs of a polishing carrier plate is achieved.
  • each slice was measured in 5 points, namely in the middle and in four points, each separated by 90 ° on the circumference of the slice, starting in the middle of the flat.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)

Abstract

Mit steigender Schaltkreispackungsdichte elektronischer Bauelemente werden an das Baumaterial hinsichtlich Dickentoleranz, Keiligkeit und Oberflächenbeschaffenheit zunehmend höhere Anforderungen gestellt. Gegenstand der Erfindung ist daher ein verbessertes Verfahren zum Polieren von Halbleiterscheiben (1) auf üblichen Poliermaschinen. Erfindungsgemäß wird dabei eine Vergleichmäßigung des Polierabtrages dadurch erreicht, daß zwischen Druckstempel (3) und Trägerplattenrückseite (2) Zwischenlagen (4) aus weichen elastischen Körpern wie beispielsweise Luftpolsterfolien gelegt werden.With increasing circuit pack density of electronic components, increasing demands are made on the building material with regard to thickness tolerance, taper and surface quality. The invention therefore relates to an improved method for polishing semiconductor wafers (1) on conventional polishing machines. According to the invention, the polishing removal is evened out in that intermediate layers (4) made of soft elastic bodies, such as, for example, bubble wrap, are placed between the pressure stamp (3) and the back of the carrier plate (2).

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Vergleichmäßigung des Polierabtrages von Scheiben beim Polieren mit Poliermaschinen, die über einen mit einem Poliertuch bespannten Polierteller eine oder mehrere Polierträgerplatten, auf deren dem Polierteller zugewandten Seite die zu polierenden. Scheiben aufgekittet sind, sowie Druckstempel, die die Polierträgerplatten gegen den mit einem Poliertuch bespannten Polierteller drücken, verfügen..The invention relates to a method for equalizing the polishing removal of disks when polishing with polishing machines, which have a polishing plate covered with a polishing cloth, one or more polishing support plates, on the side facing the polishing plate, the polishing plate. Disks are cemented on, as well as pressure stamps that press the polishing carrier plates against the polishing plate covered with a polishing cloth.

In der Planartechnik werden die für die Funktion der einzelnen Bauelemente erforderlichen Schichtfolgen unterschiedlichen Leitfähigkeitstyps durch aufeinanderfolgende Einzelprozesse, ausgehend von den planen Oberflächen der einkristallinen Halbleiterscheiben, hergestellt. Wellige, gekrümmte bzw. keilige Halbleiterscheiben führen insbesondere bei Verwendung fotolithographischer Verfahren zu Unschärfen bei der Belichtung des auf der Scheibenoberfläche aufgebrachten Fotolackes. Bauelemente mit hoher Schaltkreispackungsdichte lassen sich daher aus derartigen Scheiben nicht mehr herstellen. Nachdem aber in der Halbleiterindustrie die Tendenz zu ständig höheren Schaltkreispackunsdichten vorherrschend ist, verschieben sich die Toleranzen hinsichtlich der Dicke, der Keiligkeit bzw. der Ebenheit der in den Prozessen eingesetzten Halbleiterscheiben, die von den Bauelementherstellern gerade noch akzeptiert werden, zu immer kleineren Werten.In planar technology, the layer sequences of different conductivity types required for the function of the individual components are produced by successive individual processes, starting from the flat surfaces of the single-crystal semiconductor wafers. Wavy, curved or wedge-shaped semiconductor wafers lead to blurring when exposing the photoresist applied to the wafer surface, in particular when using photolithographic methods. Components with a high circuit packing density can therefore no longer be produced from such panes. But after the trend in the semiconductor industry As the circuit pack densities are always higher, the tolerances with regard to the thickness, the wedge shape or the flatness of the semiconductor wafers used in the processes, which are still accepted by the component manufacturers, are shifting to ever smaller values.

Für die Geometrieabweichungen der einzelnen Halbleiterplättchen von der Zielnorm sind dabei verschiedene Bearbeitungsschritte verantwortlich: neben der mechanischen bzw. chemischen Bearbeitung, insbesondere das Sägen, Läppen bzw. Ätzen der Scheiben sowie die eigentliche Politur und die im Zusammenhang mit diesem Verfahrensschritt maßgeblichen Parameter. Während Optimierungsverfahren für das Aufkitten der Scheiben auf die Trägerplatten der Poliermaschine beispielsweise mit den Deutschen Offenlegungsschriften 26 08 427 bzw. 27 12 521 zu einer Reduzierung der Geometrieabweichungen der einzelnen Halbleiterplättchen führten, so sind die hierdurch erzielbaren Ergebnisse im Zuge der steigenden Anfor- derungen an die Scheibenqualität immer noch nicht voll be- friedigend.Various processing steps are responsible for the geometrical deviations of the individual semiconductor wafers from the target standard: in addition to mechanical or chemical processing, in particular sawing, lapping or etching the wafers as well as the actual polishing and the parameters relevant in connection with this process step. While optimization methods 26 08 427 and 27 12 521 led to the cementing of the discs on the carrier plates of the polishing machine, for example, German Offenlegungsschriften to a reduction of the geometry deviations of the individual semiconductor chip, the thus achieved results in the wake of rising require- are Derun g s uality still not fully satis- factory on the windows q.

Es hat sich nämlich gezeigt, daß bei dem ringförmigen Kittmuster der zu polierenden Scheiben zum Teil erhebliche Differenzen des mittleren Polierabtrages der einzelnen Kittringe auftreten. So ist beispielsweise der Abtrag im mittleren Kittring deutlich abhängig von der Polierfahrt und damit von der Standzeit des Poliertuches. Die Abhängigkeit verhält sich dabei derart, daß bei kurzen Standzeiten der Abtrag höher und bei langen Standzeiten der Abtrag niedriger ist als der im Außenring. Das gleiche gilt auch für den inneren Kittring, wobei die Abhängigkeit des Polierabtrages von der Standzeit hier noch stärker ausgebildet ist. Als Folge dieser Erscheinung tritt eine Keiligkeit bei den polierten Scheiben in radialer Richtung auf. Werden beispielsweise die Scheiben mit ihrem Flat - worunter eine Markierung am Umfang der Scheiben zur Kennzeichnung der kristallographischen Orientierung des jeweiligen Scheibenmaterials verstanden wird - in Richtung des Trägerplattenzentrums aufgekittet, so ergibt sich hierbei eine Keiligkeit senkrecht zum Flat, wobei das Flat bei den anfänglichen Polierfahrten bis etwa zur zehnten Polierfahrt am spitzen Ende des Keils zu liegen kommt, während nach etwa der dreißigsten Polierfahrt das Flat am dicken Ende des Keils liegt. Aufgrund dieser fahrtabhängigen Dickenwertdifferenz von Außenring und Mittelring resultiert bei den etwa ersten zehn Polierfahrten sowie den letzten, über die Zahl dreißig hinausgehenden Polierfahrten eine relativ schlechte Dickentoleranz der polierten Scheiben. Die gemessene Keiligkeit ist allgemein umso größer, je größer die Differenz vom mittleren Dickenwert im Außenring und mittleren Dickenwert im Mittelring ist. Der Dickenwert wird dabei jeweils in der Scheibenmitte der einzelnen Scheibchen bestimmt.It has been shown that, in the ring-shaped cement pattern of the disks to be polished, considerable differences in the average polishing removal of the individual kit rings sometimes occur. For example, the removal in the middle kit ring is clearly dependent on the polishing run and thus on the service life of the polishing cloth. The dependency behaves in such a way that the removal rate is higher for short standing times and the removal rate is lower for long standing times than in the outer ring. The same applies to the inner kit ring, whereby the dependence of the polishing removal on the tool life is even more pronounced here. As a result of this phenomenon, tapering occurs in the polished disks in the radial direction. For example, the slices with their flat - including a marking on the circumference of the slices to identify the crystallographic orientation of the respective slices materials is understood - cemented in the direction of the center of the carrier plate, this results in a wedge-shape perpendicular to the flat, with the flat coming to lie at the tip end of the wedge during the initial polishing runs up to about the tenth polishing run, while after about the thirtieth polishing run the flat is at thick end of the wedge lies. Due to this drive-dependent difference in thickness between the outer ring and the center ring, the roughly ten first polishing runs and the last polishing runs exceeding the number of thirty result in a relatively poor thickness tolerance of the polished discs. The measured wedge is generally greater, the greater the difference between the average thickness value in the outer ring and the average thickness value in the middle ring. The thickness value is determined in the center of each slice.

Weiterhin kann festgestellt werden, daß innerhalb eines Kittringes in Umfangsrichtung mitunter stark unterschiedliche Polierabträge auftreten, woraus entsprechend unterschiedliche Dicken der einzelnen Scheibchen resultieren. Als Ursache für diese Erscheinung kann ein unterschiedlicher Anpreßdruck während der Politur, bedingt durch eine geringfügige Unebenheit der Trägerplattenrückseite, angesehen werden. Wird beispielsweise die Plattenrückseite unter der Annahme einer völlig eben geläppten Vorderseite in Umfangsrichtung im Bereich des äußern Kittrings vermessen, so zeigen sich dabei meist zwei grundsätzliche Fehler: 1. eine Sattelform mit zwei Maxima und zwei Minima wobei Maximum und Minimum jeweils um 90° versetzt sind sowie 2. eine Keilform mit einem Maximum und einem Minimum, um ca. 1800 versetzt. Insbesondere bei Vorliegen einer sattelförmigen Unebenheit stellen sich markante Abtragsunterschiede beim Polieren ein: an den Stellen größter Plattendicke (Maxima) entstehen maximale Polierabträge und somit minimale Scheibendicken, während an den Stellen kleinster Plattendicke (Minima) minimale Polierabträge auftreten und somit maximale Scheibendicken. Je weiter die Scheibchen von der Polierträgerplattenmitte aufgekittet sind, um so stärker macht sich dieser Einfluß störend bemerkbar. Die Folge sind in Umfangsrichtung stark unterschiedliche Dickenwerte, resultierend aus unterschiedlichen Polierabträgen und eine Keiligkeit parallel zum Flat.Furthermore, it can be determined that within a kit ring in the circumferential direction there are sometimes very different polishing abrasions, which results in different thicknesses of the individual disks. The cause of this phenomenon can be considered to be a different contact pressure during the polishing, due to a slight unevenness on the back of the carrier plate. If, for example, the back of the plate is measured in the circumferential direction in the area of the outer kit ring, assuming a completely evenly lapped front, there are usually two fundamental errors: 1. a saddle shape with two maxima and two minima, the maximum and minimum being offset by 90 ° offset and the second a wedge shape with a maximum and a minimum of about 180 0th Particularly when there is a saddle-shaped unevenness, there are striking differences in abrasion during polishing: maximum polishing abrasion occurs at the locations of maximum panel thickness (maxima) and thus minimal disc thicknesses, while minimal buffing abrasion occurs at the locations of smallest panel thickness (minima) maximum slice thickness. The further the disks are cemented from the center of the polishing plate, the more this influence becomes noticeable. The result is greatly different thickness values in the circumferential direction, resulting from different polishing abrasion and a taper parallel to the flat.

Der Erfindung lag daher die Aufgabe zugrunde, im Polierprozeß durch geeignete Maßnahmen eine gleichmäßige Druckverteilung und somit auf alle. Scheiben gleichwirkende Abtragskräfte einzustellen, um Halbleiterscheiben mit geringen Toleranzen hinsichtlich ihrer Dicke, Keiligkeit und Welligkeit gewährleisten zu können.The invention was therefore based on the object in the polishing process by means of suitable measures, an even pressure distribution and thus to all. Set discs with equivalent removal forces in order to be able to guarantee semiconductor wafers with small tolerances with regard to their thickness, taper and ripple.

Gelöst wird diese Aufgabe dadurch, daß zwischen Druckstempel und Trägerplattenrückseite Zwischenlagen aus weichen, elastischen Körpern eingelegt werden.This object is achieved in that intermediate layers of soft, elastic bodies are inserted between the pressure stamp and the back of the carrier plate.

Unter elastischen Körpern werden dabei allgemein dehn- und zusammdrückbare federnde Stoffe verstanden, die die Tendenz haben, die unter der Wirkung verformender Kräfte auftretenden Deformationen rückgängig zu machen. Besonders geeignet sind dabei insbesondere weiche, elastische Körper mit Druckausgleichskammern, beispielsweise Graphit- oder Silikonschäume, Kunststoff schäume, wie beispielsweise Polyäthylenschäume, wobei die Druckausgleichskammern entweder mit Gas oder Flüßigkeit gefüllt sein können. Bevorzugt eingesetzt werden dabei Luftpolsterfolien, wie insbesondere Polyäthylenfolien verschiedener Stärken mit Luftnoppen verschiedener Durchmesser.Elastic bodies are generally understood to mean elastic materials which can be compressed and compressed, and which have the tendency to reverse the deformations which occur under the action of deforming forces. Particularly suitable are particularly soft, elastic bodies with pressure compensation chambers, for example graphite or silicone foams, plastic foams, such as polyethylene foams, where the pressure compensation chambers can be filled with either gas or liquid. Air cushion foils, such as in particular polyethylene foils of different thicknesses with air knobs of different diameters, are preferably used.

Durch das Einlegen derartiger weicher, elastischer Körper zwischen Druckstempel und Trägerplattenrückseite werden Unebenheiten an beiden Teilen ausgeglichen.By inserting such soft, elastic bodies between the pressure stamp and the back of the carrier plate, unevenness on both parts is compensated for.

Anhand der Abbildungen wird die Erfindung im einzelnen erläutert.The invention is explained in detail on the basis of the figures.

Abbildung 1 zeigt schematisch den für die Erfindung maßgeblichen Teil einer üblichen Poliermaschine. Abbildung 2 zeigt die Vorderseite einer Trägerplatte mit aufgekitteten zu polierenden Scheiben.Figure 1 shows schematically the part of a conventional polishing machine that is relevant to the invention. Figure 2 shows the front of a carrier plate with cemented discs to be polished.

In den Abbildungen 3a bis 3d sind schließlich 4 unterschiedlich geformte elastische Zwischenlagen dargestellt.Finally, Figures 3a to 3d show 4 differently shaped elastic intermediate layers.

Beim Polieren von beispielsweise Halbleiterscheiben 1 werden diese üblicherweise in konzentrischen Ringen auf eine meistens aus V2A-Stahl oder Aluminium bestehnde plane Vorderseite einer Trägerplatte 2 aufgekittet. Bevor nun der Druckstempel 3 auf die Trägerplattenrückseite aufgesetzt wird, wird eine weiche, elastische Zwischenlage 4 eingelegt. Der Druckstempel 3 üblicher Poliermaschinen ist mit einem Kühlsystem versehen, welches die beim Polieren auftretende Reibungswärme abführt. Dieses Kühlsystem besteht im einfachsten Fall aus einem Hohlraum 5, welcher über die Zuleitungsrohre 6 und 7 von einem Kühlmittel, im einfachsten Falle von Wasser, durchströmt wird. Der Druck, mit welchem die zu polierenden Scheiben 1 gegen das auf dem Polierteller 8 aufgespannte Poliertuch 9 gepreßt werden, wird durch den an der Zylinderstange 10 angebrachten Durckzylinder 11 erzeugt. Während des Polierens wird der Polierteller 8 vermittels eines geeigneten Antriebs in Drehung versetzt. Hierdurch wird das System Trägerplatte 2 und Druckstempel 3 mit Kühlsystem 5 (Kühltopf), welches gegenüber dem starren Druckzylinder 11 vermittels des Gleitlagers 12 verbunden ist, gleichsinnig in Rotation versetzt.When polishing semiconductor wafers 1, for example, they are usually cemented in concentric rings onto a flat front side of a carrier plate 2, which is usually made of V2A steel or aluminum. Before the pressure stamp 3 is placed on the back of the carrier plate, a soft, elastic intermediate layer 4 is inserted. The pressure stamp 3 of conventional polishing machines is provided with a cooling system which dissipates the frictional heat that occurs during polishing. In the simplest case, this cooling system consists of a cavity 5, through which a coolant, in the simplest case of water, flows through the feed pipes 6 and 7. The pressure with which the disks 1 to be polished are pressed against the polishing cloth 9 clamped on the polishing plate 8 is generated by the pressure cylinder 11 attached to the cylinder rod 10. During the polishing, the polishing plate 8 is set in rotation by means of a suitable drive. As a result, the system of the carrier plate 2 and the plunger 3 with the cooling system 5 (cooling pot), which is connected to the rigid pressure cylinder 11 by means of the sliding bearing 12, is rotated in the same direction.

Eine Verbesserung hinsichtlich eines gleichmäßigen Polierabtrages wird dabei mit weichen, elastischen Zwischenlagen 4 jeder beliebigen Form erreicht. Es muß nur möglichst darauf geachtet werden, daß eine direkte Berührung der Metallflächen vom Druckstempel 3 und der Rückseite der Trägerplatte 2 vermieden wird. Durch die Wahl von speziellen Einlagenformen kann aber die Dickenstreuung und die Keiligkeit polierter Siliciumscheiben noch erheblich verbessert werden. Hierzu ist es erforderlich, nach jeder Polierfahrt den mittleren Dickenwert der Scheiben der einzelnen Kittringe zu bestimmen. In der Abbildung 2 ist beispielsweise eine Trägerplatte 2 dargestellt, auf welcher in drei Kittringen, dem äußeren Kittring 13, dem mittleren Kittring 14 und dem inneren Kittring 15, Siliciumscheiben aufgekittet sind. Die Zahl der Kittringe richtet sich dabei allgemein nach der Größe der verwendeten Trägerplatten sowie den Durchmessern der zu polierenden Scheiben. In der Abbildung 2 ist beispielsweise eine Trägerplatte 2 abgebildet, in welcher Halbleiterscheiben in einem äußeren Kittring 13, in einem mittleren Kittring 14 und in einem inneren Kittring 15 aufgekittet sind.An improvement in terms of uniform polishing removal is achieved with soft, elastic intermediate layers 4 of any shape. Care must only be taken to ensure that direct contact of the metal surfaces by the pressure stamp 3 and the back of the carrier plate 2 is avoided. By choosing special However, the thickness distribution and the wedge shape of polished silicon wafers can be considerably improved. For this it is necessary to determine the average thickness of the disks of the individual kit rings after each polishing run. In Figure 2, for example, a carrier plate 2 is shown, on which silicon disks are cemented in three kit rings, the outer kit ring 13, the middle kit ring 14 and the inner kit ring 15. The number of kit rings generally depends on the size of the carrier plates used and the diameter of the discs to be polished. In Figure 2 a support plate 2 is for example shown, are cemented in which semiconductor wafers in an outer cement ring 13, in a middle cement ring 14 and in an inner cement ring 1. 5

Wird nun nach einer Polierfahrt festgestellt, daß der mittlere Dickenwert der polierten Scheiben im äußeren Ring 13 größer ist als der mittlere Dickenwert im mittleren 'Kittring 14, so empfiehlt es sich, ringförmige Einlagen, wie sie in Abbildung 3a bzw. Abbildung 3b dargestellt sind, einzulegen, da durch diese Einlagenform der Druck in den äußeren Plattenzonen übertragen und somit eine Erhöhung des Polierabtrages im äußeren Plattenbereich und eine Verringerung des Abtrages im inneren Plattenbereich bewirkt . wird. Dies hat zur Folge, daß die Dickenwerte des äußeren und mittleren Kittringes eine geringe Differenz aufweisen und somit die Dickenstreuung und die Keiligkeit senkrecht zum Flat verringert wird. Die Wahl der ringförmigen Einlagen gemäß Abbildung 3a bzw. Abbildung 3b richtet sich nach dem erforderlichen verstärkten Abtrag im äußeren Kittring, denn der Abtrag im äußeren Plattenbereich wird um so mehr gesteigert, je weiter außen die Druckübertragung erfolgt, d.h. je schmäler die Ringbreite ist.If it is now determined after a polishing run that the average thickness value of the polished disks in the outer ring 13 is greater than the average thickness value in the middle kit ring 14, it is advisable to use ring-shaped inserts, as shown in Figure 3a or Figure 3b, to be inserted, since this form of insert transfers the pressure in the outer plate zones, thus increasing the polishing removal in the outer plate area and reducing the removal in the inner plate area. becomes. The consequence of this is that the thickness values of the outer and middle kit ring have a slight difference and thus the thickness scatter and the wedge-shape perpendicular to the flat are reduced. The choice of the ring-shaped inlays according to Figure 3a or Figure 3b depends on the required increased removal in the outer kit ring, because the removal in the outer plate area increases the further the pressure is transferred, i.e. the narrower the ring width.

Entspricht der mittlere Dickenwert im äußeren Kittring 13 in etwa dem mittleren Dickenwert im mittleren Kittring 14,. so muß der Druck ganzflächig übertragen werden, da sich hier ohnehin der Bestzustand eingestellt hat und Dickentoleranz und Keiligkeit gute Werte erreichen. In diesem Fall empfehlen sich Einlagen wie in der Abbildung 3c, deren Durchmesser im wesentlichen dem Durchmesser der Trägerplattenrückseite entspricht.Corresponds to the average thickness value in the outer kit ring 13 approximately the average thickness value in the middle kit ring 14. so the pressure must be transferred over the entire area, since the best condition has already been set here and thickness tolerance and tapering achieve good values. In this case, deposits such as in Figure 3c are recommended, the diameter of which essentially corresponds to the diameter of the back of the carrier plate.

Für den Fall, daß der mittlere Dickenwert im äußeren Kittring 13 allerdings kleiner ist als der mittlere Dickenwert des mittleren Kittrings 14 müssen kreisförmige Einlagen mit einem Durchmesser wesentlich kleiner als der Trägerplattendurchmesser, also beispielsweise Einlagen, wie sie in der Abbildung 3d dargestellt sind, eingelegt werden. Diese Einlagen übertragen den Polierdruck im Plattenzentrum . Hieraus resultiert eine Erhöhung des Polierabtrages im inneren Plattenbereich. Als Ergebnis stellen sich geringere Differenzen der Dickenwerte im äußeren und mittleren Kittring ein und führen somit zu einer Verbesserung der Dickenstreuung und insbesondere der Keiligkeit senkrecht zum Flat. Der Abtrag im inneren Plattenbereich wird dabei um so mehr gesteigert, je geringer der Durchmesser dieser Zentrumseinlagen ist.In the event that the average thickness value in the outer kit ring 13 is, however, smaller than the average thickness value of the middle kit ring 14, circular inserts with a diameter substantially smaller than the carrier plate diameter, for example inserts as shown in Figure 3d, must be inserted . These deposits transfer the polishing pressure in the plate center. This results in an increase in the polishing removal in the inner plate area. As a result, there are smaller differences in the thickness values in the outer and middle kit ring and thus lead to an improvement in the thickness spread and in particular the wedge shape perpendicular to the flat. The removal in the inner plate area is increased, the smaller the diameter of these center inserts.

Ganz allgemein kann gesagt werden, daß zur Verringerung des unterschiedlichen Polierabtrages von Kittring zu Kittring verschiedene Einlageformen benützt werden, deren Einsatz von den Dickenmeßwerten der vorherigen Polierfahrt abhängig ist. Für die erste Polierfahrt wird im allgemeinen eine Einlage gewählt, die mehr oder minder maschinenspezifisch ist und für jede einzelne Poliermaschine experimentell ermittelt werden muß. Bedingt durch die Herstellung sind nämlich sämtliche Polierteller verschieden geformt bzw. verformt. Hinzu kommt außerdem eine Berücksichtigung des zu polierenden Materials. Werden nämlich beispielsweise Siliciumscheiben poliert, so verhalten sich 100-orientierte nicht unbedingt gleich wie 111-orientierte Siliciumscheiben. Desgleichen wird ein unterschiedliches Verhalten beobachtet, wenn beispielsweise vier Kittringe von 2-Zoll-Scheiben, drei Kittringe von 3-Zoll-Scheiben oder beispielsweise zwei Kittringe von 4-Zoll-Scheiben auf der Trägerplatte aufgekittet sind. Weiterhin ist zu berücksichtigen, daß. bei einem Wechsel derartiger Scheibenspezifikationen auch eine ungleichmäßige Abnutzung der Poliertücher auftritt, die aber ebenfalls durch die Wahl der richtigen Einlage weitgehend ausgeglichen werden kann. Es hat sich allgemein dabei als zweckmäßig erwiesen, beim Polieren von 3-Zoll- bzw. -4-Zoll-Scheiben die Meßwerte zwischen dem außen liegenden und dem nächst inneren Kittring miteinander zu vergleichen, während bei kleineren Scheiben mit beispielsweise 2 Zoll Durchmesser ein Vergleich der Meßwerte des äußeren und des übernächsten inneren Kittringes zweckmäßig ist und gute Ergebnisse bringt.In general it can be said that in order to reduce the different polishing abrasion from kit ring to kit ring different insert forms are used, the use of which depends on the thickness measurement values of the previous polishing run. For the first polishing run, an insert is generally chosen which is more or less machine-specific and which has to be determined experimentally for each individual polishing machine. Due to the manufacturing process, all polishing plates are shaped or deformed differently. In addition, there is also a consideration of polishing material. For example, if silicon wafers are polished, 100-oriented silicon wafers do not necessarily behave the same way as 111-oriented silicon wafers. Likewise, a different behavior is observed if, for example, four kit rings from 2-inch disks, three kit rings from 3-inch disks or, for example, two kit rings from 4-inch disks are cemented onto the carrier plate. It should also be borne in mind that. when changing such wheel specifications there is also an uneven wear of the polishing cloths, but this can also be largely compensated for by choosing the right insert. It has generally proven to be expedient to compare the measured values between the outer and the next inner kit ring when polishing 3-inch or -4-inch disks, while a comparison is made for smaller disks with, for example, 2 inch diameter the measured values of the outer and the next but one inner kit ring is expedient and brings good results.

Bei der Politur mit elastischen Zwischenlagen macht sich deren Wärmeisolation nachteilig bemerkbar, so daß die Wirkung der Kühltöpfe, d.h. der gekühlten Druckstempel, praktisch eliminiert wird. Um die Topfkühlung wieder so weit zu steigern, daß auch bei Polierfahrten auf neuen Poliertüchern, bei welchen naturgemäß eine entsprechend starke Reibung und somit eine entsprechend hohe Wärmeentwicklung auftritt, eine ausreichende Kühlwirkung zu erzielen, empfiehlt es sich, ein Kühlmittel, beispielsweise Wasser, als Wärmeüberträger in die Rückseite der Polierträgerplatten einzufüllen. Durchgehende Einlagen, wie sie in der Abbildung 3c dargestellt sind, werden zweckmäßig mit größeren Freiräumen ausgebildet, um die Wärmeübertragung des eingefüllten Wassers zwischen Trägerplattenrückseite und Druckstempel bzw. Kühltopf zu steigern.When polishing with elastic intermediate layers, their thermal insulation has a disadvantageous effect, so that the effect of the cooling pots, i.e. the cooled pressure stamp is practically eliminated. In order to increase the pot cooling again to such an extent that a sufficient cooling effect can also be achieved when polishing on new polishing cloths, in which naturally there is a correspondingly high level of friction and therefore a correspondingly high level of heat, it is advisable to use a coolant, for example water, as a heat exchanger into the back of the polishing plate. Continuous inserts, as shown in Figure 3c, are expediently designed with larger free spaces in order to increase the heat transfer of the filled water between the back of the carrier plate and the pressure stamp or cooling pot.

Durch Verwendung der erfindungsgemäßen weichen, elastischen Zwischenlagen können die Einflüsse von Trägerplattenrückseiten und Druckstempel bzw. Kühltopfunterseite weitgehend eliminiert werden. Gleichzeitig kann aber auch durch die Wahl von günstigen Einlageformen der Poliertucheinfluß verringert werden, wodurch eine erhebliche Verbesserung hinsichtlich der Dickenstreuung und der Keiligkeit polierter Scheiben einer Polierträgerplatte erreicht wird.By using the soft, elastic intermediate layers according to the invention, the influences of the back of the carrier plate and the pressure stamp or the underside of the cooling pot can be largely eliminated. At the same time, the influence of the polishing cloth can also be reduced by the choice of inexpensive insert forms, whereby a considerable improvement with regard to the scatter of thickness and the wedge shape of polished discs of a polishing carrier plate is achieved.

Beispielexample

Es wurden 87 Polierfahrten ohne Zwischenlegen von weichen, elastischen Körpern zwischen Durckstempel und Trägerplattenrückseite durchgeführt und 87 Polierfahrten, bei welchen unterschiedliche weiche, elastische Körper zwischengelegt wurden, bei ansonsten identischen Bedingungen, insbesondere hinsichtlich des verwendeten Poliermittels, der verwendeten Poliertücher,des Anpreßdruckes sowie der Umdrehung des Poliertellers. Unter Polierfahrt wird dabei die Politur sämtlicher gleichzeitig in einer Maschine polierter Scheibchen verstanden, bei den verwendeten Maschinen jeweils 96 3-Zoll-Scheiben (Durchmesser 76,2 mm). Nachdem die Poliermaschinen mit jeweils vier Trägerplatten bestückt waren, wurden auf jede Trägerplatte 24 Siliciumscheiben in zwei konzentrischen Ringen mit einem Maleinatharz-α-Naphthol-Gemisch aufgekittet. Bei den 87 Polierfahrten mit Zwischenlagen wurden dabei folgende elastische Zwischenlagen eingesetzt:

  • 1. Luftpolsterfolien:
    • Typen der Firma Alkor-Oerlikon (Polyäthylenfolien):
    • LP N (zweilagig, Luftnoppen 0 6 mm, Folienstärke 200 µ)
    • LP M (zweilagig, Luftnoppen 0 10 mm, Folienstärke 200 µ)
    • LP S (zweilagig. Luftnoppen 0 30 mm, Folienstärke 200 µ)
    • LP M (zweilagig, Luftnoppen 0 10 mm, Folienstärke 200 µ mit aluminiumkaschierter Rückseite)
    • LP M-3 (dreilagig, Luftnoppen 0 10 mm, Folienstärke 180 µ)
    • LP M-3 (dreilagig, Luftnoppen 0 10 mm, Folienstärke 600 µ)
    • Type der Firma Sealed Air:
    • Aircap Ci 480 (innenbeschichtete Polyäthylenfolie, Luftnoppen 0 10 mm, Folienstärke 300 (u)
  • 2. Schaumstoffe:
    • 3 und 4 mm starke Silikonschäume
    • Polyäthylenschaum Type 81002 der Firma Alkor
  • 3. Luftkissen:
    • selbst geschweißte Luftkissen aus Polyäthylen- und
    • Polyäthylen-/ Polyamidfolien
    • selbst geklebte Luftkissen aus Gummi
There were 87 polishing runs without the interposition of soft, elastic bodies between the pressure stamp and the back of the carrier plate, and 87 polishing runs in which different soft, elastic bodies were interposed, under otherwise identical conditions, in particular with regard to the polishing agent used, the polishing cloths used, the contact pressure and the rotation of the polishing plate. A polishing run is understood to mean the polishing of all the disks polished simultaneously in one machine, 96 3-inch disks (diameter 76.2 mm) in each of the machines used. After the polishing machines were each equipped with four carrier plates, 24 silicon wafers were cemented onto each carrier plate in two concentric rings with a mixture of maleate and α-naphthol. The following elastic intermediate layers were used for the 87 polishing runs with intermediate layers:
  • 1. Bubble wrap:
    • Types of the company Alkor-Oerlikon (polyethylene films):
    • LP N (two-layer, air knobs 0 6 mm, film thickness 200 µ)
    • LP M (two layers, air nubs 0 10 mm, film thickness 200 µ)
    • LP S (two-layer air nubs 0 30 mm, film thickness 200 µ)
    • LP M (two-ply, air knobs 0 10 mm, film thickness 200 µ with aluminum-coated back)
    • LP M-3 (three layers, air nubs 0 10 mm, film thickness 180 µ)
    • LP M-3 (three layers, air nubs 0 10 mm, film thickness 600 µ)
    • Type of the company Sealed Air:
    • Aircap Ci 480 (internally coated polyethylene film, air knobs 0 10 mm, film thickness 300 (u)
  • 2. Foams:
    • 3 and 4 mm thick silicone foams
    • Polyethylene foam type 81002 from Alkor
  • 3. Air cushion:
    • self-welded air cushions made of polyethylene and
    • Polyethylene / polyamide films
    • self-adhesive air cushions made of rubber

In allen Fällen wurde zur besseren Wärmeabführung Wasser als Wärmeüberträger in die Rückseite der Polierträgerplatten eingefüllt. Von der Wirkung hinsichtlich engerer Dickentoleranzen und kleinerer Keiligkeitswerte waren sämtliche getesteten Zwischenlagen brauchbar. Eine Gegenüberstellung von Standzeit und Einkaufspreis führte zu Ermittlung der dreilagigen Polyäthylenluftpolsterfolien als der günstigsten Zwischenlage, insbesondere die dreilagige Polyäthylenluftpolsterfolie mit Luftnoppen mit 10 mm 0 und einer Folienstärke von 600 µ, mit welcher schließlich zwei Drittel der genannten Polierfahrten mit Zwischenlage durchgeführt wurden. In der nachstehenden Tabelle sind die erhaltenen Ergebnisse: gegenübergestellt. Die angegebenen Werte wurden dabei durch Auswertung von jeweils 87 5-Punkt-Meßprotokollen (1 Meßprotokoll entspricht einer Polierfahrt) von 3-Zoll-Siliciumscheiben erhalten. In jedem dieser 5-Punkt-Meßprotokolle wurden dabei die Daten der jeweils gleichzeitig polierten 96 Siliciumscheiben ermittelt. Gemessen wurde hierzu jedes Scheibchen in 5 Punkten, nämlich in der Mitte und in vier, jeweils um 90° voneinander getrennten Punkten am Umfang der Scheibe, beginnend in der Mitte des Flats.

Figure imgb0001
In all cases, water was poured into the back of the polishing carrier plates as a heat exchanger for better heat dissipation. All the tested intermediate layers were usable in terms of their effect with regard to tighter thickness tolerances and smaller taper values. A comparison of the service life and purchase price led to the determination of the three-layer polyethylene bubble wrap as the cheapest intermediate layer, in particular the three-layer polyethylene bubble wrap with air knobs with 10 mm 0 and a film thickness of 600 μ, with which two thirds of the above-mentioned polishing runs were carried out with the intermediate layer. The results obtained are compared in the table below: The stated values were obtained by evaluating 87 5-point measurement reports (1 measurement report corresponds to one polishing run) of 3-inch silicon wafers. The data of the 96 silicon wafers that were polished simultaneously were determined in each of these 5-point measurement protocols. For this purpose, each slice was measured in 5 points, namely in the middle and in four points, each separated by 90 ° on the circumference of the slice, starting in the middle of the flat.
Figure imgb0001

Claims (4)

1. Verfahren zur Vergleichmäßigung des Polierabtrages von Scheiben beim Polieren mit Poliermaschinen, die über einen mit einem Poliertuch bespannten Polierteller eine oder mehrere Polierträgerplatten, auf deren dem Polierteller zugewandter Seite die zu polierenden Scheiben aufgekittet sind, sowie Druckstempel, die die Polierträgerplatten gegen den mit einem Poliertuch bespannten Polierteller drücken, verfügen, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen Druckstempel und Trägerplattenrückseite Zwischenlagen aus weichen elastischen Körpern eingelegt werden.1.Procedure for equalizing the polishing abrasion of disks when polishing with polishing machines which have one or more polishing support plates over a polishing plate covered with a polishing cloth, on the side of which facing the polishing plate the disks to be polished are cemented on, as well as pressure stamps which the polishing support plates against against with a Press the polishing cloth covered with the polishing plate, which is characterized in that intermediate layers of soft elastic bodies are inserted between the pressure stamp and the back of the backing plate. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß weiche elastische Körper mit Druckausgleichskammern zwischengelegt werden.2. The method according to claim 1, characterized in that soft elastic bodies are interposed with pressure compensation chambers. 3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß Luftpolsterfolien zwischengelegt werden.3. The method according to claim 1 and 2, characterized in that air cushion films are interposed. 4. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß zum Ausgleich der wärmeisolierenden Wirkung der Zwischenlagen zwischen Druckstempel und Trägerplattenrückseite zusätzlich ein Wärmeüberträger eingefüllt wird.4. The method according to one or more of claims 1 to 3, characterized in that a heat exchanger is additionally filled in to compensate for the heat-insulating effect of the intermediate layers between the pressure stamp and the backing plate.
EP79100602A 1978-03-03 1979-03-01 Process for equalizing the material removal rate of wafers by polishing Expired EP0004033B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19782809274 DE2809274A1 (en) 1978-03-03 1978-03-03 PROCESS FOR COMPARISON OF POLISHING REMOVAL FROM DISCS DURING POLISHING
DE2809274 1978-03-03

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EP0004033A1 true EP0004033A1 (en) 1979-09-19
EP0004033B1 EP0004033B1 (en) 1981-01-07

Family

ID=6033513

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP79100602A Expired EP0004033B1 (en) 1978-03-03 1979-03-01 Process for equalizing the material removal rate of wafers by polishing

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4270316A (en)
EP (1) EP0004033B1 (en)
JP (1) JPS54120490A (en)
DE (2) DE2809274A1 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5980361A (en) * 1996-12-12 1999-11-09 Wacker Siltronic Gesellschaft Fur Halbleitermaterialien Ag Method and device for polishing semiconductor wafers
US6095898A (en) * 1997-10-30 2000-08-01 Wacker Siltronic Gesellschaft Fur Halbleitermaterialien Ag Process and device for polishing semiconductor wafers
US6404557B2 (en) * 1999-09-10 2002-06-11 Inviso, Inc. Display illumination system

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5789551A (en) * 1980-11-17 1982-06-03 Toshiba Corp Grinding process for sapphire wafer
US5040336A (en) * 1986-01-15 1991-08-20 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Non-contact polishing
US4850157A (en) * 1987-11-23 1989-07-25 Magnetic Peripherals Inc. Apparatus for guiding the flow of abrasive slurry over a lapping surface
US4930259A (en) * 1988-02-19 1990-06-05 Magnetic Perpherals Inc. Magnetic disk substrate polishing assembly
US5193316A (en) * 1991-10-29 1993-03-16 Texas Instruments Incorporated Semiconductor wafer polishing using a hydrostatic medium
DE4139205A1 (en) * 1991-11-28 1993-06-03 Wacker Chemitronic Storage stable oxidisable polished silicon@ wafer surface prodn. - by hydrophilisation and treatment with haloalkyl silane and haloalkyl di:silazane(s) reagent
US5205082A (en) * 1991-12-20 1993-04-27 Cybeq Systems, Inc. Wafer polisher head having floating retainer ring
US5472374A (en) * 1992-08-10 1995-12-05 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Polishing method and polishing device using the same
MY114512A (en) * 1992-08-19 2002-11-30 Rodel Inc Polymeric substrate with polymeric microelements
US5562529A (en) * 1992-10-08 1996-10-08 Fujitsu Limited Apparatus and method for uniformly polishing a wafer
US5377451A (en) * 1993-02-23 1995-01-03 Memc Electronic Materials, Inc. Wafer polishing apparatus and method
US5443416A (en) * 1993-09-09 1995-08-22 Cybeq Systems Incorporated Rotary union for coupling fluids in a wafer polishing apparatus
JP3311116B2 (en) * 1993-10-28 2002-08-05 株式会社東芝 Semiconductor manufacturing equipment
US5643053A (en) 1993-12-27 1997-07-01 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus with improved polishing control
JP3042293B2 (en) * 1994-02-18 2000-05-15 信越半導体株式会社 Wafer polishing equipment
JPH07241764A (en) * 1994-03-04 1995-09-19 Fujitsu Ltd Polishing device and polishing method
US6024630A (en) 1995-06-09 2000-02-15 Applied Materials, Inc. Fluid-pressure regulated wafer polishing head
US5681215A (en) * 1995-10-27 1997-10-28 Applied Materials, Inc. Carrier head design for a chemical mechanical polishing apparatus
US6746565B1 (en) * 1995-08-17 2004-06-08 Semitool, Inc. Semiconductor processor with wafer face protection
US5762544A (en) * 1995-10-27 1998-06-09 Applied Materials, Inc. Carrier head design for a chemical mechanical polishing apparatus
USRE38854E1 (en) * 1996-02-27 2005-10-25 Ebara Corporation Apparatus for and method for polishing workpiece
US5738568A (en) * 1996-10-04 1998-04-14 International Business Machines Corporation Flexible tilted wafer carrier
US6036587A (en) 1996-10-10 2000-03-14 Applied Materials, Inc. Carrier head with layer of conformable material for a chemical mechanical polishing system
US5716258A (en) * 1996-11-26 1998-02-10 Metcalf; Robert L. Semiconductor wafer polishing machine and method
US6442975B1 (en) 1996-12-26 2002-09-03 Hoya Corporation Method of manufacturing thin-plate glass article, method of manufacturing glass substrate for information recording medium, and method of manufacturing magnetic recording medium
US6056632A (en) * 1997-02-13 2000-05-02 Speedfam-Ipec Corp. Semiconductor wafer polishing apparatus with a variable polishing force wafer carrier head
US5851140A (en) * 1997-02-13 1998-12-22 Integrated Process Equipment Corp. Semiconductor wafer polishing apparatus with a flexible carrier plate
US6425812B1 (en) 1997-04-08 2002-07-30 Lam Research Corporation Polishing head for chemical mechanical polishing using linear planarization technology
US6244946B1 (en) 1997-04-08 2001-06-12 Lam Research Corporation Polishing head with removable subcarrier
US5885135A (en) * 1997-04-23 1999-03-23 International Business Machines Corporation CMP wafer carrier for preferential polishing of a wafer
TW375550B (en) * 1997-06-19 1999-12-01 Komatsu Denshi Kinzoku Kk Polishing apparatus for semiconductor wafer
US5931719A (en) * 1997-08-25 1999-08-03 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for using pressure differentials through a polishing pad to improve performance in chemical mechanical polishing
US5975998A (en) * 1997-09-26 1999-11-02 Memc Electronic Materials , Inc. Wafer processing apparatus
US6336845B1 (en) 1997-11-12 2002-01-08 Lam Research Corporation Method and apparatus for polishing semiconductor wafers
US5948699A (en) * 1997-11-21 1999-09-07 Sibond, L.L.C. Wafer backing insert for free mount semiconductor polishing apparatus and process
US6080050A (en) 1997-12-31 2000-06-27 Applied Materials, Inc. Carrier head including a flexible membrane and a compliant backing member for a chemical mechanical polishing apparatus
US5993302A (en) * 1997-12-31 1999-11-30 Applied Materials, Inc. Carrier head with a removable retaining ring for a chemical mechanical polishing apparatus
US6531397B1 (en) 1998-01-09 2003-03-11 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for using across wafer back pressure differentials to influence the performance of chemical mechanical polishing
US6020262A (en) * 1998-03-06 2000-02-01 Siemens Aktiengesellschaft Methods and apparatus for chemical mechanical planarization (CMP) of a semiconductor wafer
US6129610A (en) * 1998-08-14 2000-10-10 International Business Machines Corporation Polish pressure modulation in CMP to preferentially polish raised features
US6231428B1 (en) 1999-03-03 2001-05-15 Mitsubishi Materials Corporation Chemical mechanical polishing head assembly having floating wafer carrier and retaining ring
US6368189B1 (en) 1999-03-03 2002-04-09 Mitsubishi Materials Corporation Apparatus and method for chemical-mechanical polishing (CMP) head having direct pneumatic wafer polishing pressure
US6431968B1 (en) * 1999-04-22 2002-08-13 Applied Materials, Inc. Carrier head with a compressible film
US6431959B1 (en) * 1999-12-20 2002-08-13 Lam Research Corporation System and method of defect optimization for chemical mechanical planarization of polysilicon
KR100780099B1 (en) * 2000-03-29 2007-11-29 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 Work holding panel for polishing, and device and method for polishing
US6666756B1 (en) 2000-03-31 2003-12-23 Lam Research Corporation Wafer carrier head assembly
US20060180486A1 (en) * 2003-04-21 2006-08-17 Bennett David W Modular panel and storage system for flat items such as media discs and holders therefor
US11691241B1 (en) * 2019-08-05 2023-07-04 Keltech Engineering, Inc. Abrasive lapping head with floating and rigid workpiece carrier

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD29614A (en) *
US2565590A (en) * 1948-03-12 1951-08-28 Earl J Bullard Lapping machine
US3631634A (en) * 1970-01-26 1972-01-04 John L Weber Polishing machine
US3888053A (en) * 1973-05-29 1975-06-10 Rca Corp Method of shaping semiconductor workpiece
DE2608427A1 (en) * 1976-03-01 1977-09-08 Wacker Chemitronic METHOD OF FITTING SEMICONDUCTOR DISCS
DE2712521A1 (en) * 1977-03-22 1978-09-28 Wacker Chemitronic PROCEDURE FOR FITTING DISCS

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1014873B (en) 1953-01-13 1957-08-29 Hahn & Kolb Device for one-sided lapping of workpieces on lapping machines
US3449870A (en) * 1967-01-24 1969-06-17 Geoscience Instr Corp Method and apparatus for mounting thin elements
US3603042A (en) * 1967-09-20 1971-09-07 Speedfam Corp Polishing machine
US3754359A (en) * 1970-09-16 1973-08-28 Spam D Avray Abrasion tools
US4020600A (en) * 1976-08-13 1977-05-03 Spitfire Tool & Machine Co., Inc. Polishing fixture
US4132037A (en) * 1977-02-28 1979-01-02 Siltec Corporation Apparatus for polishing semiconductor wafers

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD29614A (en) *
US2565590A (en) * 1948-03-12 1951-08-28 Earl J Bullard Lapping machine
US3631634A (en) * 1970-01-26 1972-01-04 John L Weber Polishing machine
US3888053A (en) * 1973-05-29 1975-06-10 Rca Corp Method of shaping semiconductor workpiece
DE2608427A1 (en) * 1976-03-01 1977-09-08 Wacker Chemitronic METHOD OF FITTING SEMICONDUCTOR DISCS
DE2712521A1 (en) * 1977-03-22 1978-09-28 Wacker Chemitronic PROCEDURE FOR FITTING DISCS

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
SOLID STATE TECHNOLOGY, Band 20, Oktober 1977, Long Island N.Y., A.C. BONORA "Flex-Mount Polishing of Silicon Wafers", Seiten 55 bis 58 * Seite 57, rechte Spalte unten, Seite 58 * *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6433935B2 (en) 1996-07-02 2002-08-13 Three-Five Systems, Inc. Display illumination system
US5980361A (en) * 1996-12-12 1999-11-09 Wacker Siltronic Gesellschaft Fur Halbleitermaterialien Ag Method and device for polishing semiconductor wafers
US6095898A (en) * 1997-10-30 2000-08-01 Wacker Siltronic Gesellschaft Fur Halbleitermaterialien Ag Process and device for polishing semiconductor wafers
US6404557B2 (en) * 1999-09-10 2002-06-11 Inviso, Inc. Display illumination system

Also Published As

Publication number Publication date
DE2960114D1 (en) 1981-02-26
US4270316A (en) 1981-06-02
DE2809274A1 (en) 1979-09-13
JPS54120490A (en) 1979-09-19
EP0004033B1 (en) 1981-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0004033B1 (en) Process for equalizing the material removal rate of wafers by polishing
EP0916450B1 (en) Method and apparatus for polishing semiconductor wafers
DE112005001447B4 (en) Double side polishing carrier and manufacturing method thereof
DE60005816T2 (en) GROOVE PATTERNED POLISHING CUSHION FOR USE IN A CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING DEVICE
DE2462565C2 (en) Pressing device with press ram for fastening several semiconductor workpieces on a mounting plate
DE112009002112B4 (en) Polishing head and polishing device
DE112012001943B4 (en) A method of adjusting the height position of a polishing head and a method of polishing a workpiece
DE19755705A1 (en) Double sided lapping method for large sized wafer
DE19651761A1 (en) Method and device for polishing semiconductor wafers
DE112018007133T5 (en) WAFER PRODUCTION PROCESS
EP0317656B1 (en) Cylinder of a printing unit with a rubber layer for use in offset, intaglio, flexographic or letterpress printing
DE102010034694A1 (en) Multiple blade assembly with erodible spacer
DE112017005728T5 (en) Carrier for double-sided polishing device, double-sided polishing device and double-sided polishing process
DE112010004635B4 (en) Wafer polishing process
DE102019213657A1 (en) Method and device for pressing a polishing cloth
DE2820549A1 (en) METALLIC CURVED GUIDE FILM
DE4430570C2 (en) Method of making a carbon substrate
DE112017000281T5 (en) Double-side polishing process and double-side polishing device
DE112019003722T5 (en) DEVICE AND METHOD FOR DOUBLE-SIDED POLISHING OF A WORKPIECE
DE60129650T2 (en) Apparatus for dressing a polishing pad and method of making the polishing pad
DE60125185T2 (en) METHOD AND DEVICE FOR CONTROLLING THE EQUALITY OF SEMI-FINISHED DISCS IN A CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING TOOL USING CARRIER PLATE IDENTIFICATION MARKS
DE2256079B2 (en) Method for producing a diamond abrasive film
DE112020004627T5 (en) PROCESS FOR DOUBLE-SIDED POLISHING OF A WORKPIECE
DE10009656B4 (en) Method for producing a semiconductor wafer
DE2651293A1 (en) METHOD FOR FINISHING OPTICAL SURFACES, TOOLS FOR CARRYING OUT THIS METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE MACHINING TOOL

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

AK Designated contracting states

Designated state(s): BE DE FR GB IT NL

17P Request for examination filed
ITF It: translation for a ep patent filed

Owner name: SOCIETA' ITALIANA BREVETTI S.P.A.

GRAA (expected) grant

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009210

AK Designated contracting states

Designated state(s): BE DE FR GB IT NL

REF Corresponds to:

Ref document number: 2960114

Country of ref document: DE

Date of ref document: 19810226

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: FR

Payment date: 19840131

Year of fee payment: 6

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: BE

Payment date: 19840331

Year of fee payment: 6

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: NL

Payment date: 19870331

Year of fee payment: 9

BERE Be: lapsed

Owner name: WACKER-CHEMITRONIC-G. FUR ELEKTONIKK-GRUNDSTOFFE

Effective date: 19880331

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: NL

Effective date: 19881001

NLV4 Nl: lapsed or anulled due to non-payment of the annual fee
PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: FR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 19881130

REG Reference to a national code

Ref country code: FR

Ref legal event code: ST

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: BE

Effective date: 19890331

ITTA It: last paid annual fee
PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GB

Payment date: 19950228

Year of fee payment: 17

REG Reference to a national code

Ref country code: GB

Ref legal event code: 732E

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GB

Effective date: 19960301

GBPC Gb: european patent ceased through non-payment of renewal fee

Effective date: 19960301

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DE

Payment date: 19970327

Year of fee payment: 19

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 19981201

PLBE No opposition filed within time limit

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009261

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: NO OPPOSITION FILED WITHIN TIME LIMIT