EP0476657A1 - Thermistor mit negativem Temperaturkoeffizienten in Vielschicht-Technologie - Google Patents
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Classifications
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Definitions
- the invention relates to a thermistor with a negative temperature coefficient in multilayer technology.
- VS multilayer
- the transfer of a first variant of the VS technology to varistors is known, for example, from EP-PS 0 189 087.
- the varistor is made up of thin layers of varistor material with noble metal electrodes in between, each of which is led out on one end face and connected to one another by a metallization (soldering surface).
- the precious metal electrodes which have a relatively high melting point, are applied to the thin ceramic layers by means of screen printing before the sintering process.
- the transfer of the VS technology to temperature-dependent thermistors has so far not been described for thermistors with a negative temperature coefficient (NTC, thermistor) but only for PTC elements (PTC thermistors) and only as part of a second variant of the known VS technology (US Pat. No. 4,766 409).
- the ceramic body is alternately made up of porous and dense ceramic layers, metal alloys being pressed into the cavities of the porous intermediate layers, the melting temperatures of which are considerably lower than the sintering temperature of the ceramic body.
- the inner electrodes are therefore only produced after the sintering process by pressing in and subsequent solidification of the liquid metal, the penetration of the liquid metal, the wetting of the ceramic material and the prevention of reflowing out causing a number of problems, for example in DE-OS 37 25 455 are described.
- the US-PS 4 766 409 initially assumes that the VS technology is particularly suitable for the implementation of a PTC thermistor with a resistance of only about 0.3 to 3 ohms due to the parallel connection of many thin ceramic layers within a single component .
- the patent describes attempts to manufacture such a PTC thermistor, in which, similar to the most widespread VS ceramic capacitors, a high-melting metallic paste is applied to the ceramic layers prior to sintering.
- the metals with high melting point in question gold, platinum, palladium, silver-palladium alloy
- barrier layers appeared.
- the US patent declares the high-melting metals mentioned as unsuitable for internal electrodes of PTC thermistors due to the test results.
- the US patent indicates in the following that barrier-free electrodes made of indium-gallium alloy, as well as of nickel or aluminum are known, but suggests as its own solution, after sintering into porous intermediate layers made of ceramic, internal electrodes made of lead, tin or one Press alloy of the two metals.
- Such internal electrodes are indeed free of a barrier layer, but the metals used are poorly wetting, which is why additional safety measures must be taken to prevent the injected liquid metals from running out, which make the known PTC thermistor even more complex.
- the present invention has for its object to provide a thermistor with a negative temperature coefficient in multi-layer technology, which on the one hand a good connection, d. H. ensures a connection with a low electrical contact resistance between the internal electrodes and the ceramic surface and which, on the other hand, is of simplified construction and is easier to produce.
- the wired or unwired NTC thermistor chips according to the invention are mechanically resilient, have small dimensions (for example 3.2 x 1.6 mm with 1.3 mm thickness) and have electrical resistances from 0.1 ohm to 1 mega ohms (at 25 C).
- electrical resistances can at best be achieved just below 500 ohms, otherwise the ceramic bodies would become too thin and mechanically sensitive.
- the press technology is also complex and expensive.
- the NTC thermistors according to the invention have the general advantage that their resistance, owing to the parallel connection realized by the special VS construction, goes beyond the construction of ceramic layers without internal electrodes, which is also possible and is particularly suitable for the higher-resistance range from approx. 3 kQ - largely independent of their external dimensions.
- NTC thermistors with any number of internal electrodes made of combinations or mixtures or alloys of the metals: Ag, Al, Au, Co, Cr, Cu, Fe, In, Ir, Mo, Ni, Pb, Pd , Pt, Sn, Ta, Ti, V, W, Zn, Zr can be produced, the special NTC ceramic composition is not essential.
- An NTC thermistor according to the invention is produced by producing a slip in a manner known per se from the starting material with the aid of organic binding materials, solvents and plasticizers. This is then pulled out to a very thin film using the stripping technique.
- a pattern of the approximately 2-3 ⁇ m thick inner metal deposits made of a silver-palladium compound with 70-80% by weight of silver is applied to pieces of approximately postcard sizes by means of the screen printing technique known per se, after which a corresponding number of such Postcard-sized foils are stacked on top of one another in such a way that the alternating displacement of the metal coverings results in the finished body.
- the Schichtthermistor is separated in crude form and sintered after passing through the conventional tempering and binding design bake cycle at temperatures up to 1150 0 C by a pressing operation from the film stack.
- the NTC thermistors produced in this way are less expensive compared to the known VS thermistors produced by lead injection, porous intermediate layers and special metallizations.
- the sintered NTC thermistors can then be provided with a solderable metallization by dipping, printing, sputtering, vapor deposition or by electrodeposition, which can also consist of the above-mentioned metals. Finally, it is also possible to coat the surfaces of the thermistors with lacquers, epoxy resins or glass flows.
Abstract
Ein quaderförmiger, aus einer Vielzahl von Schichten aus feinteiligem Keramikmaterial gesinterter monolithischer Körper ist mit alternierenden Metallbelegungen als Innenelektroden und mit äußeren Metallisierungen versehen wobei die Metallbeläge durch Bedrucken (Siebdruck) aufgetragen sind, und wenigstens ein Edelmetall, insbesondere ein Element aus der Gruppe Ag, Au, Pd, Pt, als wesentlichen Bestandteil enthalten.
Description
- Die Erfindung betrifft einen Thermistor mit negativem Temperaturkoeffizienten in Vielschicht-Technologie.
- Seit einigen Jahren besteht das Bedürfnis, die bei der Herstellung von keramischen Vielschichtkondensatoren seit langem bekannte und bewährte Vielschicht (VS)-Technologie auch auf andere keramische Bauelemente zu übertragen. Die Übertragung einer ersten Variante der VS-Technologie auf Varistoren ist beispielsweise aus der EP-PS 0 189 087 bekannt. Dabei ist der Varistor aus dünnen Schichten aus Varistormaterial mit dazwischenliegenden Edelmetallelektroden aufgebaut, die jeweils an einer Stirnseite herausgeführt und durch eine Metallisierung (Lötfläche) miteinander verbunden sind. Die Edelmetallelektroden, die einen relativ hohen Schmelzpunkt besitzen, werden bei dieser Variante der VS-Technik vor dem Sinterprozeß mittels Siebdruck auf die dünnen Keramikschichten aufgebracht.
- Die Übertragung der VS-Technik auf temperaturabhängige Thermistoren wurde bisher nicht für Thermistoren mit negativem Temperaturkoeffizienten (NTC, Heißleiter) sondern nur für PTC-Elemente (Kaltleiter) und nur im Rahmen einer zweiten Variante der bekannten VS-Technologie beschrieben (US-PS 4 766 409). Bei dieser Variante ist der Keramikkörper abwechselnd aus porösen und dichten Keramikschichten aufgebaut, wobei in die Hohlräume der porösen Zwischenschichten Metallegierungen eingepreßt sind, deren Schmelztemperaturen erheblich niedriger sind als die Sintertemperatur des Keramikkörpers. Die Innenelektroden werden also erst nach dem Sinterprozeß durch Einpressen und nachfolgendes Erstarren des flüssigen Metalls erzeugt, wobei das Eindringen des flüssigen Metalls, die Benetzung des Keramikmaterials und die Verhinderung des Wiederherausfließens eine Reihe von Problemen mit sich bringen, die beispielsweise in der DE-OS 37 25 455 geschildert sind.
- Die US-PS 4 766 409 geht zunächst davon aus, daß sich die VS-Technologie aufgrund der Parallelschaltung von vielen dünnen Keramikschichten innerhalb eines einzigen Bauelements besonders für die Verwirklichung eines PTC-Thermistors mit einem Widerstand von nur ca 0,3 bis 3 Ohm eignet. In der Patentschrift werden Versuche zur Herstellung eines derartigen PTC-Thermistors geschildert, in denen, analog zu den am weitest verbreiteten VS-Keramikkondensatoren, vor dem Sintern eine hochschmelzende metallische Paste auf die Keramikschichten aufgetragen wird. Die in Frage kommenden Metalle mit hohem Schmelzpunkt (Gold, Platin, Palladium, Silber-Palladium-Legierung) führten jedoch nicht zu funktionstüchtigen Innenelektroden, da, der Patentschrift zufolge, Sperrschichten auftraten. Tatsächlich ist seit langem bekannt, daß bei Kaltleitern nicht jedoch bei Heißleitern Komplikationen mit nichtleitenden Sperrschichten an der mit Edelmetallen metallisierten Keramikoberfläche auftauchen können.
- Die US-Patentschrift erklärt die genannten hochschmelzenden Metalle aufgrund der Versuchsergebnisse als für Innenelektroden von Kaltleitern ungeeignet. Die US-Patentschrift weist im folgenden darauf hin, daß sperrschichtfreie Elektroden aus Indium-Gallium-Legierung, sowie aus Nickel oder Aluminium bekannt seien, schlägt jedoch als eigenen Lösungsweg vor, nach dem Sintern in poröse Zwischenschichten aus Keramik Innenelektroden aus Blei, Zinn oder einer Legierung der beiden Metalle einzupressen. Derartige Innenelektroden sind zwar sperrschichtfrei, jedoch sind die verwendeten Metalle schlecht benetzend, weswegen zusätzliche Sicherungsmaßnahmen gegen das Herauslaufen der injezierten flüssigen Metalle getroffen werden müssen, die den bekannten PTC-Thermistor noch aufwendiger werden lassen.
- Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Thermistor mit negativem Temperaturkoeffizienten in Vielschicht-Technologie anzugeben, der einerseits eine gute Anbindung, d. h. eine Verbindung mit geringem elektrischen Übergangswiderstand zwischen den Innenelektroden und der Keramikoberfläche gewährleistet und der andererseits vereinfacht aufgebaut und vereinfacht herstellbar ist.
- Zur Lösung dieser Aufgabe besitzt ein erfindungsgemäßer Thermistor der eingangs genannten Art die Merkmale:
- a) ein quaderförmiger, aus einer Vielzahl von Schichten aus feinteiligem Keramikmaterial gesinterter monolithischer Körper,
- b) mit zwischen den Keramikschichten angeordneten, als Innenelektroden dienenden Metallbelegungen, die alternierend von Schicht zu Schicht zu gegenüberliegenden Seitenflächen des Körpers geführt und mit einer jeweils dort angebrachten lötbaren Metallisierung elektrisch leitend miteinander verbunden sind,
- c) wobei die Metallbeläge durch Bedrucken (Siebdruck) aufgetragen sind,
- d) und wenigstens ein Edelmetall, insbesondere ein Element aus der Gruppe Ag, Au, Pd, Pt, als wesentlichen Bestandteil enthalten.
- Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.
- Vorteile und weitere Einzelheiten der Erfindung werden nachfolgend anhand eines Ausführungsbeispieles näher erläutert.
- Die erfindungsgemäßen bedrahteten oder unbedrahteten NTC-Thermistor-Chips sind mechanisch belastbar, weisen geringe Abmessungen (z. B. 3,2 x 1,6 mm bei 1,3 mm Dicke) auf und haben elektrische Widerstände von 0,1 Ohm bis 1 Megaohm (bei 25 C). Mit der konventionellen Trockenpreßtechnologie, bei der ohne Schichtaufbau ein Granulat zum Thermistor-Grünling verpreßt wird, lassen sich bestenfalls Widerstandswerte knapp unterhalb 500 Ohm realisieren, da ansonsten die Keramikkörper zu dünn und mechanisch zu empfindlich werden. Die Preßtechnologie ist außerdem aufwendig und teuer. Die erfindungsgemäßen NTC-Thermistoren weisen den allgemeinen Vorteil auf, daß ihr Widerstand aufgrund der durch den speziellen VS-Aufbau realisierten Parallelschaltung - die über den auch möglichen und besonders für den höherohmigen Bereich ab ca. 3 kQ geeigneten Aufbau aus übereinanderangeordneten Keramikschichten ohne Innenelektroden hinausgeht - weitgehend unabhängig von ihren äußeren Abmessungen eingestellt werden kann.
- Es hat sich herausgestellt, daß funktionstüchtige NTC-Thermistoren mit einer beliebigen Anzahl von Innenelektroden aus Kombinationen oder Mischungen oder Legierungen der Metalle: Ag, Al, Au, Co, Cr, Cu, Fe, In, Ir, Mo, Ni, Pb, Pd, Pt, Sn, Ta, Ti, V, W, Zn, Zr hergestellt werden können, wobei die spezielle NTC-Keramikzusammensetzung nicht wesentlich ist.
- In der VS-Technologie haben sich vielfach Innenelektroden bewährt, deren wesentliche Bestandteile Palladium und Silber sind. Nicht zuletzt aus Kostengründen, aufgrund der besseren Ableitung der im Inneren des monolithischen Blockes entstehenden Wärme und zur Vermeidung der Migration besteht dabei das Interesse, einen Silberanteil oberhalb von 50 Gewichtsprozent zu wählen. Derartig zusammengesetzte und vor dem Sintern aufbegrachte Innenelektroden würden jedoch bei den üblicherweise notwendigen Sintertemperaturen von ca. 1200 C schmelzen. Durch die Wahl von besonders feinteiligem keramischen Ausgangsmaterial wird jedoch die Sinterreaktivität des Keramikmaterials derart erhöht, daß eine niedrigere Sintertemperatur im Bereich von ca. 950 bis 11500 C ermöglicht wird. Ein derart feinteiliges Ausgangsmaterial läßt sich beispielsweise durch die zunehmend an Bedeutung zunehmenden chemischen Pulverpräparationsmethoden, etwa die Flüssigdotierung, gewinnen.
- Die Herstellung eines erfindungsgemäßen NTC-Thermistors erfolgt, indem in an sich bekannter Weise aus dem Ausgangsmaterial unter Zuhilfenahme von organischen Bindematerialien, Lösungsmitteln sowie Weichmachern ein Schlicker hergestellt wird. Dieser wird anschließend mittels der Abstreiftechnik zu einer sehr dünnen Folie ausgezogen. Auf die so hergestellten Folien wird mittels der an sich bekannten Siebdrucktechnik auf Stücke von etwa Postkartengrößen ein Muster der etwa 2 - 3 um dicken inneren Metallbeläge aus einer Silber-Palladium-Verbindung mit 70 - 80 Gew. % Silberanteil aufgetragen, wonach eine entsprechende Zahl solcher postkartengroßen Folien derart übereinandergestapelt wird, daß die alternierende Versetzung der Metallbeläge im fertigen Körper resultiert. Schließlich wird nach einem Preßvorgang aus dem Folienstapel der Schichtthermistor in Rohform abgetrennt und nach Durchlauf des üblichen Temper- und Binderausbrennzyklus bei Temperaturen bis 11500 C gesintert. Die so hergestellten NTC-Thermistoren sind, verglichen mit den durch Bleieinpressen, porösen Zwischenschichten und speziellen Metallisierungen hergestellten bekannten VS-Thermistoren, weniger aufwendig.
- Die gesinterten NTC-Thermistoren können anschließend durch Tauchen, Bedrucken, Sputtern, Bedampfen oder durch galvanische Abscheidung mit einer lötbaren Metallisierung versehen werden, die auch aus den obengenannten Metallen bestehen kann. Schließlich bietet sich noch ein wahlweises Umhüllen der Oberflächen der Thermistoren mit Lacken, Epoxidharzen oder Glasflüssen an.
Claims (3)
1. Thermistor mit negativem Temperaturkoeffizienten in Vielschicht-Technologie mit den Merkmalen:
a) ein quaderförmiger, aus einer Vielzahl von Schichten aus feinteiligem Keramikmaterial gesinterter monolithischer Körper,
b) mit zwischen den Keramikschichten angeordneten, als Innenelektroden dienenden Metallbelegungen, die alternierend von Schicht zu Schicht zu gegenüberliegenden Seitenflächen des Körpers geführt und mit einer jeweils dort angebrachten lötbaren Metallisierung elektrisch leitend miteinander verbunden sind,
c) wobei die Metallbeläge durch Bedrucken (Siebdruck) aufgetragen sind,
d) und wenigstens ein Edelmetall, insbesondere ein Element aus der Gruppe Ag, Au, Pd, Pt, als wesentlichen Bestandteil enthalten.
2. Temperaturabhängiger, elektrischer Widerstand nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Metallbeläge wenigstens ein Element aus der Gruppe Al, Pb, als weiteren wesentlichen Bestandteil enthalten.
dadurch gekennzeichnet,
daß die Metallbeläge wenigstens ein Element aus der Gruppe Al, Pb, als weiteren wesentlichen Bestandteil enthalten.
3. Temperaturabhängiger, elektrischer Widerstand nach einem der Ansprüche 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß die Metallbeläge als wesentlichen Bestandteil Pd und Ag mit einem Silberanteil von mehr als 50, insbesondere 70 - 80 Gewichtsprozent enthalten und etwa 2 - 3 um dick sind.
dadurch gekennzeichnet, daß die Metallbeläge als wesentlichen Bestandteil Pd und Ag mit einem Silberanteil von mehr als 50, insbesondere 70 - 80 Gewichtsprozent enthalten und etwa 2 - 3 um dick sind.
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| EP (1) | EP0476657A1 (de) |
| CA (1) | CA2051824A1 (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0827160A1 (de) * | 1996-08-30 | 1998-03-04 | SIEMENS MATSUSHITA COMPONENTS GmbH & CO. KG | Elektro-keramisches Vielschichtbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6023403A (en) | 1996-05-03 | 2000-02-08 | Littlefuse, Inc. | Surface mountable electrical device comprising a PTC and fusible element |
| KR100331513B1 (ko) * | 1996-09-20 | 2002-04-06 | 모리시타 요이찌 | Ｐｔｃ 서미스터 및 그 제조 방법 |
| JPH1154301A (ja) * | 1997-08-07 | 1999-02-26 | Murata Mfg Co Ltd | チップ型サーミスタ |
| US6282072B1 (en) | 1998-02-24 | 2001-08-28 | Littelfuse, Inc. | Electrical devices having a polymer PTC array |
| US20020125982A1 (en) * | 1998-07-28 | 2002-09-12 | Robert Swensen | Surface mount electrical device with multiple ptc elements |
| US6582647B1 (en) | 1998-10-01 | 2003-06-24 | Littelfuse, Inc. | Method for heat treating PTC devices |
| US6347175B1 (en) | 1999-07-14 | 2002-02-12 | Corning Incorporated | Solderable thin film |
| WO2001082314A1 (de) * | 2000-04-25 | 2001-11-01 | Epcos Ag | Elektrisches bauelement, verfahren zu dessen herstellung und dessen verwendung |
| US6279811B1 (en) * | 2000-05-12 | 2001-08-28 | Mcgraw-Edison Company | Solder application technique |
| US6628498B2 (en) | 2000-08-28 | 2003-09-30 | Steven J. Whitney | Integrated electrostatic discharge and overcurrent device |
| US6498561B2 (en) * | 2001-01-26 | 2002-12-24 | Cornerstone Sensors, Inc. | Thermistor and method of manufacture |
| JP4898080B2 (ja) * | 2001-05-08 | 2012-03-14 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | セラミックの多層デバイス及びその製造方法 |
| US6759940B2 (en) * | 2002-01-10 | 2004-07-06 | Lamina Ceramics, Inc. | Temperature compensating device with integral sheet thermistors |
| US20090196327A1 (en) * | 2005-02-10 | 2009-08-06 | Innovative Sensor Technology | Sensor Connection Lead with Reduced Heat Conduction |
| US20090027821A1 (en) * | 2007-07-26 | 2009-01-29 | Littelfuse, Inc. | Integrated thermistor and metallic element device and method |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB545679A (en) * | 1939-06-23 | 1942-06-08 | Standard Telephones Cables Ltd | Resistance composition and method of making it |
| GB1337929A (en) * | 1972-05-04 | 1973-11-21 | Standard Telephones Cables Ltd | Thermistors |
| US4912450A (en) * | 1986-09-20 | 1990-03-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Thermistor and method of producing the same |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2886476A (en) * | 1956-10-19 | 1959-05-12 | Du Pont | Resistors |
| US4189760A (en) * | 1973-05-13 | 1980-02-19 | Erie Technological Products, Inc. | Monolithic capacitor with non-noble metal electrodes and method of making the same |
| US4454495A (en) * | 1982-08-31 | 1984-06-12 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Layered ultra-thin coherent structures used as electrical resistors having low temperature coefficient of resistivity |
| US4675644A (en) * | 1985-01-17 | 1987-06-23 | Siemens Aktiengesellschaft | Voltage-dependent resistor |
| US4766409A (en) * | 1985-11-25 | 1988-08-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Thermistor having a positive temperature coefficient of resistance |
| US4918421A (en) * | 1986-03-20 | 1990-04-17 | Lawless William N | Nonlinear resistor for low temperature operation |
| DE3725455A1 (de) * | 1987-07-31 | 1989-02-09 | Siemens Ag | Elektrisches vielschichtbauelement mit einem gesinterten, monolithischen keramikkoerper und verfahren zur herstellung des elektrischen vielschichtbauelementes |
-
1991
- 1991-09-19 CA CA002051824A patent/CA2051824A1/en not_active Abandoned
- 1991-09-19 EP EP91115954A patent/EP0476657A1/de not_active Ceased
-
1993
- 1993-02-22 US US08/020,435 patent/US5500996A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB545679A (en) * | 1939-06-23 | 1942-06-08 | Standard Telephones Cables Ltd | Resistance composition and method of making it |
| GB1337929A (en) * | 1972-05-04 | 1973-11-21 | Standard Telephones Cables Ltd | Thermistors |
| US4912450A (en) * | 1986-09-20 | 1990-03-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Thermistor and method of producing the same |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 13, no. 571 (E-862)(3919) 18. Dezember 1989 & JP-A-1 239 813 ( MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD ) * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0827160A1 (de) * | 1996-08-30 | 1998-03-04 | SIEMENS MATSUSHITA COMPONENTS GmbH & CO. KG | Elektro-keramisches Vielschichtbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5500996A (en) | 1996-03-26 |
| CA2051824A1 (en) | 1992-03-22 |
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