WO1989002586A1 - Temperature measuring apparatus - Google Patents

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WO1989002586A1
WO1989002586A1 PCT/JP1988/000908 JP8800908W WO8902586A1 WO 1989002586 A1 WO1989002586 A1 WO 1989002586A1 JP 8800908 W JP8800908 W JP 8800908W WO 8902586 A1 WO8902586 A1 WO 8902586A1
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WO
WIPO (PCT)
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effect element
photoelastic effect
temperature
stress
photoelastic
Prior art date
Application number
PCT/JP1988/000908
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Kyoichi Tatsuno
Ikuo Watanabe
Original Assignee
Kabushiki Kaisha Toshiba
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kabushiki Kaisha Toshiba filed Critical Kabushiki Kaisha Toshiba
Priority to DE3850126T priority Critical patent/DE3850126T2/de
Priority to EP19880907773 priority patent/EP0440790B1/en
Publication of WO1989002586A1 publication Critical patent/WO1989002586A1/ja

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K5/00Measuring temperature based on the expansion or contraction of a material
    • G01K5/48Measuring temperature based on the expansion or contraction of a material the material being a solid
    • G01K5/50Measuring temperature based on the expansion or contraction of a material the material being a solid arranged for free expansion or contraction
    • G01K5/52Measuring temperature based on the expansion or contraction of a material the material being a solid arranged for free expansion or contraction with electrical conversion means for final indication

Definitions

  • the present invention relates to an optical temperature measuring device, and more particularly, to a temperature measuring device capable of measuring a temperature using a photoelastic effect.
  • thermocouples As sensors. Temperature measuring devices using thermocouples are widely used, for example, when measuring temperature remotely. Thermocouples are inexpensive and easy to handle, and can still measure temperatures with high accuracy. However, thermocouples are susceptible to electromagnetic waves because they use the thermoelectromotive force generated between dissimilar metals. For this reason, it cannot be used in a high electric field or high magnetic field, for example.
  • a temperature measuring device that can be used even in a high electric field or a high magnetic field
  • a device that utilizes a change in the wavelength of an optical fundamental absorption edge of a semiconductor due to temperature is known. ing .
  • This temperature measuring device uses an optical signal for transmitting and receiving a signal to and from a sensor. Therefore, it can be used in high electric fields and high magnetic fields.
  • this temperature measuring device has extremely low sensitivity due to the small change in the wavelength of the optical fundamental absorption edge with temperature. For this reason, this temperature measuring device has the disadvantage that it cannot measure slight temperature changes. It was powerful.
  • the present invention is capable of accurately measuring the temperature even in a high electric field or a high magnetic field. It is intended to be provided.
  • the temperature measuring device is disposed in close contact with the photoelastic effect element and the photoelastic effect element, and is arranged around the photoelastic effect element due to a difference in thermal expansion between the photoelastic effect element and the photoelastic effect element.
  • a temperature-stress converter consisting of a force applying means for generating a stress corresponding to the ambient temperature with anisotropy and generating a stress, and a straight line in the photoelastic effect element of the temperature-stress converter.
  • Is comprised of means for detecting the phase difference between the orthogonally polarized components, and means for converting the phase difference detected by this means into a temperature and displaying the temperature. ing .
  • the force applied to the photoelastic effect element changes with the change in the ambient temperature.
  • the stress generated in the photoelastic effect element also changes.
  • This stress is anisotropic.
  • birefringence anisotropy of the refractive index
  • the magnitude of the birefringence of this photoelastic effect element depends on the photoelastic effect.
  • the linearly polarized light is made incident on the result element, and at this time, the polarization direction of the stress direction of the light transmitted through the photoelastic effect element, for example, the maximum stress direction, and Can be known by detecting the phase difference between the polarization components in the orthogonal direction. Therefore, the ambient temperature can be determined by detecting the phase difference.
  • the phase difference detection system can be realized by a known detection system.
  • the constituent materials of the photoelastic effect element and the force applying mechanism should be selected so that the rate of change in force applied to the photoelastic effect element with respect to the rate of temperature change becomes large. Thus, the detection sensitivity can be easily increased.
  • Temperature 'range can be measured with high accuracy.
  • FIG. 1 is a block diagram of a temperature measuring device according to one embodiment of the present invention:
  • FIG. 2 is a perspective view of a temperature-stress converter incorporated in the device
  • FIGS. Fig. 6 is a perspective view showing a modified example of the temperature-stress converter
  • Fig. 6 shows the relationship between the ambient temperature and the output of the amplifier when the temperature-stress converter shown in Fig. 5 is incorporated.
  • Figures 7 to 11 are end views of temperature-sensitive transducers according to further different modifications, as viewed from the light incident direction.
  • FIG. 1 shows a schematic configuration of a temperature measuring device according to one embodiment of the present invention.
  • reference numeral 10 denotes a sensor section arranged in the temperature measuring section. This sensor section 10 has a built-in temperature-stress converter 12.
  • the temperature-stress converter 12 has a vertical length ⁇ of 10 thighs, a horizontal length w of 7 thighs, and a thickness t of 4 mm.
  • a photoelastic effect element 14 formed of a glass plate, and within the photoelastic effect element 14, from the center 16 in the horizontal direction to a symmetrical position in the vertical direction. It is composed of embedded members 18 and 20 embedded in parallel, and a rectangular cylinder 21 closely mounted on the outer peripheral surface of the photoelastic effect element 14.
  • the embedding members 18 and 20 are composed of an epoxy resin formed in the photoelastic effect element 14, for example, filled in a through hole having a diameter of 1.5 female. It has been done.
  • the thermal expansion coefficient of the epoxy resin forming the embedded members 18 and 20 is about i50 times larger than that of the silica glass forming the photoelastic effect element 14. Good.
  • the photoelastic effect element 14 and the embedded members 18 and 20 both thermally expand.
  • the photoelastic effect element 14 and the embedded members 18 and 20 have a large thermal expansion coefficient and are different from each other, the light disposed in the rectangular cylindrical body 21 is different.
  • the amount of thermal expansion of the portion of the elastic effect element 14 located between the embedded members 18 and 20 is regulated by the embedded members 18 and 20f.
  • the stress in the portion of the photoelastic effect element 14 located between the embedded members 18 and 20 is smaller in the X-axis than in the y-axis direction on the orthogonal coordinates shown in FIG.
  • the stress in the direction increases.
  • the embedding members 18 and 20 impart anisotropic stress to the photoelastic effect element 14 according to the ambient temperature due to the difference in thermal expansion between the embedded elements 18 and 20.
  • a force application mechanism 22 that is generated by holding is configured.
  • a polarizer 26 is arranged at a position facing one end face 24 of the photoelastic effect element 14 in the vertical width direction.
  • the polarizer 26 is arranged so as to be inclined at 45 degrees with respect to its polarization surface force X $ on the orthogonal coordinates shown in FIG.
  • a lens 28 is arranged so that the optical axis coincides with the z-axis on the orthogonal coordinates shown in FIG.
  • One end of an optical fiber 30 is disposed outside the lens 28 so as to face the lens 28.
  • the other end of the optical fiber 3 ⁇ is guided to a position distant from the temperature measuring section, and is optically transmitted to a light source 34 composed of an LED or the like via a lens 32. Are properly connected.
  • the 1/4 wavelength plate 38, the analyzer 40, and the lens 42 are on the same optical axis. It is located in.
  • the quarter-wavelength ⁇ 38 is arranged so that one of its main axes is parallel to the X-axis on the rectangular coordinates shown in Fig. 2.
  • the analyzer 40 is arranged so that its polarization plane is perpendicular to that of the polarizer 26.
  • One end side of the optical fiber 44 is disposed outside the lens 42. The other end of the optical fiber 44 is guided to a position distant from the part to be measured and is a photodetector composed of a photo diode or the like. It is optically connected.
  • the output of the photodetector 46 is an amplifier. After being amplified in 48, it is introduced into a signal processor 50.
  • the signal processing device 50 performs the processing described below to calculate the ambient temperature of the portion where the sensor section 10 is located, and then calculates this temperature on the display device.
  • FIG. 5 Display on 2.
  • the sensor section 10 is schematically shown.
  • the sensor part 10 is actually mounted on a substrate (not shown) using an adhesive, and the elements are arranged and fixed in the above-described relationship.
  • the outer peripheral surface of the temperature-stress converter 12 is mounted. Only the # is exposed and the # part is covered with a cover.
  • the photoluminescent effect element 14 constituting the temperature-stress converter 12 and the embedded member 1820 embedded therein have a large thermal expansion coefficient. They are different. For this reason, when the ambient temperature increases, the stress in the portion of the photoelastic effect element 14 located between the embedded members 18 and 20 becomes smaller in the X-axis than in the y-axis. The stress in the direction increases. This stress corresponds to the ambient temperature. When such a stress is generated in the photoelastic effect element 14 composed of the anisotropic force silica glass, the photoelastic effect element 14 is different in birefringence, that is, in the refractive index. It produces anisotropy. .
  • the polarizer 26 emits linearly polarized light having a polarization component of 45 degrees with respect to the x-axis, that is, the maximum stress direction of the photoelastic effect element 14. This light passes through the inside of the photoelastic effect element 14 along the z-axis and is emitted to the opposite side.
  • the birefringence corresponding to the temperature of the photoelastic effect element 14 causes the X-axis polarization component EX and the y-axis polarization component of the light transmitted through the photoelastic effect element 14 to pass.
  • a phase difference ⁇ occurs between Ey and Ey.
  • the refractive index for polarized light in the X-axis direction is nx
  • the refractive index for polarized light in the y-axis direction is ny
  • the wavelength of light is
  • the photoelastic effect element 1 Assuming that the length in the light transmission direction of 4 is ⁇ , the phase difference ⁇ is
  • nx and ny vary depending on the ambient temperature.
  • the phase difference ⁇ also changes depending on the ambient temperature.
  • the light transmitted through the photoelastic effect element 14 passes through the analyzer 40 arranged so that the plane of polarization is orthogonal to that of the polarizer 26, and then continues to the lens. 4, the light is guided to the photodetector 46 via the light fin 44.
  • the intensity I of the guided light is
  • I ° I 0 (1-cos 2 ⁇ ) / 2).
  • I 0 is the intensity of the light emitted from the polarizer 26. Therefore, if I is measured, it is possible to know the phase difference ⁇ changed by the ambient temperature, and to obtain the relationship between the ambient temperature and the phase ⁇ in advance. For example, the ambient temperature can be measured.
  • a quarter-wave plate 38 is interposed so that the phase difference ⁇ is small in the region where the phase difference ⁇ is small.
  • the output of the photodetector 46 is amplified by an amplifier 48 and then introduced into a signal processing device 50.
  • the signal processing device 50 calculates the ambient temperature from the previously determined input-one-temperature calibration table, and displays this temperature value on the display device 52. With this force, the ambient temperature T can be immediately known.
  • the only signal that is input to and output from the sensor unit 10 for measuring temperature is an optical signal. Even when the atmosphere is in a high electric field or high magnetic field, the temperature can be measured without being affected by these.
  • a force application mechanism that generates a stress corresponding to the surrounding temperature in the photoelastic effect element 14 with anisotropy due to the difference in thermal expansion between the photoelastic effect element 14 and the photoelastic effect element 2 2 The detection sensitivity can be easily improved only by selecting the constituent materials.
  • FIG. 3 shows a modification of the temperature-stress converter.
  • the temperature-stress converter 60 is made of an epoxy resin made of a prism and similarly formed of a photoelastic effect element 62 made of a cylindrical force glass made of a prism.
  • a frame member formed between two members 64 and 66 and formed into a rectangular tube with a material having a smaller coefficient of thermal expansion than the _ constituent material of the photoelastic effect element 62. It is housed without any gaps inside.
  • the photoelastic effect element 62 is determined by the difference in the coefficient of thermal expansion between the photoelastic effect element 62 and the members 64, 66. It is possible to generate a stress corresponding to the ambient temperature with anisotropy. That is, the silica glass Compared to the coefficient of thermal expansion of epoxy resin, that of epoxy resin is much larger. In this example, it is possible to generate a larger stress in the photoelastic effect element 62 in the X-axis direction than in the y-axis direction in response to the change in the ambient temperature. .
  • the force applying mechanism 70 is composed of the frame 68 and the members 64 and 66 in this example. This temperature-stress converter 60 can be used in place of the temperature-stress converter 12 shown in FIG.
  • FIG. 4 shows another modification of the temperature-stress converter.
  • This temperature-stress converter 80 is a photoelastic effect element formed in the shape of a prism with a light-transmitting pyrex glass or polycarbonate.
  • An outer member 84 made of an invar alloy is closely attached to the outer peripheral surface except for both end surfaces of No. 2, and a symmetrical centering on the z axis of the photoelastic effect element 82 is further provided.
  • Through holes 86, 88 are provided in parallel at the positions.
  • the coefficient of thermal expansion of elixir glass and polycarbonate is greater than that of Innoku Alloy.
  • through holes 86 and 88 are formed on the X-ken. Therefore, in the temperature-stress converter 80, the y-axis direction is larger than the ⁇ $ ⁇ direction in the photoelastic effect element 82 in accordance with the change of the surrounding temperature in the temperature-stress converter 80. It can generate stress. That is, in this example, the force applying mechanism 90 is constituted by the outer member 84 and the through holes 86, 88.
  • FIG. 5 shows still another modification of the temperature-stress converter.
  • This temperature-stress converter 100 is a deformation of the temperature-stress converter 8 ° shown in Fig. 4. That is, this example In the through-hole formed in the photoelastic effect element 82, the inner members 102, 104 formed of a material having a higher coefficient of thermal expansion than the constituent material of the photoelastic effect element 82 Therefore, in this temperature-stress converter 100, the temperature-to-stress converter 100 stores the y-axis direction in the photoelastic effect element 82 in accordance with the change in the ambient temperature. In the X-axis direction, a much larger stress can be generated, contributing to the improvement of the temperature detection sensitivity.
  • the force applying mechanism 106 is constituted by the outer member 84 and the inner members 102 and 104.
  • Fig. 6 shows the relationship between the ambient temperature and the output of the amplifier 48 when the temperature-stress converter 100 is incorporated in place of the temperature-stress converter 12 shown in Fig. 1. Is shown. As shown in the drawing, the output of the amplifier 48 changes almost linearly with the change in temperature.
  • FIG. 7 shows a light incident side end face of a temperature-stress converter 110 according to still another modification.
  • the temperature-to-stress converter 110 is formed by removing the end faces of a photoelastic effect element 112 formed in the shape of a prism using a pyrex glass or a polycarbonate.
  • the outer member 114 made of invar-alloy is closely attached to the outer peripheral surface. Then, a material having a higher coefficient of thermal expansion than the constituent material of the photoelastic effect element 112 is formed between the both sides in the X-axis direction of the photoelastic effect element 112 and the outer member 114.
  • the inner part materials 116 and 118 intervened.
  • the force applying mechanism 120 is constituted by the outer member 114 and the inner members 116, 118.
  • FIG. 8 shows a light incident side end face of a temperature-stress converter 130 according to still another modification.
  • This temperature-to-stress converter 130 is no.
  • the outer member 13 4 made of an invar alloy is closely attached to the outer member 13.
  • the stress in the X-axis direction is smaller than the stress in the y-axis direction among the stresses generated in the photoelastic effect element 132 by the change in the ambient temperature. Can be very large. Therefore, it is possible to improve the temperature detection sensitivity.
  • the outer member 13 4, the space 13 6 formed between the outer member 13 4 and both side surfaces of the photoelastic effect element 13 2 in the y-axis direction This means that the force application mechanism 140 is constituted by 1 and 38.
  • FIG. 9 shows a light incident side end face of a temperature-stress converter 150 according to still another modification.
  • the temperature-to-stress converter 150 is composed of a prism glass or a polycarbonate, and is formed at both ends of a photoelastic effect element 152 formed in a prismatic shape.
  • the outer member 154 made of an invar alloy is closely attached to the outer peripheral surface except for both side surfaces in the y-axis direction, and the y-axis of the photoelastic effect element 15 A circle in the z-axis direction at a symmetrical center position Shaped through holes 1 5 6 and 1 5 8 are provided in parallel
  • the stress in the X-axis direction is larger than the stress in the y-axis direction.
  • the stress can be significantly increased.
  • the temperature detection sensitivity can be further improved.
  • a cavity 160 formed in the z-axis direction between the outer member 154 and the outer member 154 and both side surfaces of the photoelastic effect element 152 in the y-axis direction. , 162 and the through holes 1556, 158 constitute the force application mechanism 164.
  • a member formed of a material having a larger coefficient of thermal expansion than that of the constituent material of the photoelastic effect element 152 is filled in the through holes 156 and 158. You can do it.
  • FIG. 10 shows a light incident side end face of a temperature-stress converter 170 according to still another modification.
  • This temperature-to-stress converter 170 is no. Except for both end faces and one side face in the X-axis direction of the photoelastic effect element 172 formed in a prismatic shape by means of a plex glass or a polycarbonate component.
  • An outer member 174 made of an invar alloy is closely attached to the outer peripheral surface, and the outer member 174 is attached to the cylindrical body 176 without any gap. Then, a trapping member 178 is attached between the side of the photoelastic effect element 172 that is not in contact with the outer member 174 on the X-axis side and the cylinder 176.
  • a screw 180 that applies a biasing force in the X-axis direction to the trapping member 1778 from outside the cylinder 1776 is provided.
  • the z-axis is located at a symmetrical position around the y axis of the photoelastic effect element 172.
  • An inner member made of a material having a larger coefficient of thermal expansion than the material forming the photoelastic effect element 172 in these through holes is provided in parallel in the direction. It is filled with 18 2 and 18 4.
  • a force applying mechanism 1886 is constituted by the cylinder 1776, the outer member 174, and the inner members 182, 184. That's what you need.
  • the stress in the X-axis direction which is larger than the stress in the y-axis direction, of the stress generated in the photoelastic effect element 172 due to the change in the ambient temperature, can be increased. Wear .
  • the inner member may be moved from the outer member 174 to the inner member.
  • FIG. 11 shows a light incident side end face of a temperature-stress converter 190 according to still another modification.
  • the temperature-to-stress converter 190 forms a cylindrical body 1992 from the glass, and the prismatic cavity is located at a symmetrical position about the X axis of the cylindrical body 1992.
  • 194 and 196 are set in parallel in the z $ direction, and the part 198 located between the cavities 194 and 196 of the cylindrical body 192 is formed.
  • the elements such as Ge and B are doped to have a different coefficient of thermal expansion from that of the other parts, and the above-mentioned part 198 is used as a photoelastic effect element.
  • the parts other than the part 198 constitute the force applying mechanism 200.
  • the temperature-stress converter can be further modified as follows. That is, in the temperature-stress converter 130 shown in Fig. 8, the photoelasticity between the outer member 134 and both side surfaces of the photoelastic effect element 132 in the X-axis direction is increased. An inner member made of a material having a higher coefficient of thermal expansion than the constituent material of the effect element 13 2 may be interposed.
  • the force applying mechanism of each temperature-stress converter described above applies a compressive force to the photoelastic effect element. For example, in the example shown in FIG.
  • the outer member 84 is made of brass having a large coefficient of thermal expansion
  • the photoelastic effect element 82 is made of a plex.
  • the force applying mechanism may be configured to apply a tensile force to the photoelastic effect element.
  • the temperature measurement device is particularly suitable for the case where the temperature of a part exposed to a high electric field or a high magnetic field must be measured with high accuracy. Useful.

Description

明 細 書 温 度 測 定 装 置 技術分野
本発明 は, 光学式の温度測定装置 に係 り , 特 に, 光弾性 効果を利用 し て温度を測定で き る よ う に し た 温度測定装置 に関す る 。
背景技術
従来か ら , 種 々 の温度測定装置が知 ら れて い る 。 最 も 良 く 知 ら れて い る 温度測定装置 は, セ ン サ と し て熱電対を用 い た も の で あ る 。 熱電対を用 い た温度測定装置 は, 温度を 遠隔測定す る 場合な ど に広 く 使用 さ れて い る 。 熱電対 は安 価で扱 い易 く , し か も 精度の高い温度測定が可能で あ る 。 し か し , 熱電対 は, 異種金属 間 に生 じ. る 熱起電力 を利用 し て い る た め電磁波の影響を受け易 い。 こ の た め, た と え ば 高電界中 や高磁界中で は使用で き な い。
高電界中 や高磁界中で も 使用 で き る 温度測定装置 と し て は., た と え ば半導体の光学的基礎吸収端波長の温度 に よ る 変化を利用 し た も の が知 ら れて い る 。 こ の 温度測定装置 は セ ン サ と の 間の信号の授受 に光信号を用 い て い る 。 こ の た め, 高電界中 や高磁界中で も 使用 で き る 。 し か し , こ の 温 度測定装置 は, 温度 に よ る 光学的基礎吸収端の波長 の変化 の小 さ い こ と が原因 し て, 感度が極め て低い。 こ の た め, こ の温度測定装置 は, 僅か な温度変化を測定で き な い欠点 力 あ っ た 。
上述の如 く , 従来の光学式の温度測定装置 に あ っ て は, 温度変化に対す る 感度が低 く , 高い 精度で温度測定を行な えな い 問題があ っ た。
そ こ で本発明 は, た と え高電界中 や高磁界中で あ っ て も 温度を精度よ く 測定す る こ とがで き , し か も構成の簡単な 光学式の温度測定装置を提供す る こ と を 目 的 と し て い る 。
発明 の 開示
本発明 に係 る 温度測定装置は, 光弾性効果素子お よ び上 記光弾性効果素子に密接状態に配置 さ れて光弾性効果素子 と の 間の熱膨張の差で光弾性効果素子に周 囲温度に応 じ た 応力 を異方性を持たせて発生 さ せ る 力 印加手段か ら な る 温 度 - 応力変換器 と , こ の温度 一応力変換器の前記光弾性効 果素子 に 直線偏波光を入射 さ せ る 手段 と , 前記光弾性効果 素子を透過 し た光の う ち 上記光弾性効果素子の あ る 応力方 向, た と え ば最大応力方向の偏波成分 と 上記方向 と は直交 す る 方向 の偏波成分 と の 間の位相差を検出す る手段 と , こ の手段に よ っ て検出 さ れた位相差を温度 に換算 し て表示す る 手段 と で構成 さ れて い る 。
上記構成であ る と , 光弾性'効果素子に加え ら れ る 力 は, 周 囲温度の変化に伴 っ て変化す る 。 こ れに よ つ て光弾性効 果素子 に生 じ る 応力 も 変化す る 。 こ の応力 は異方性を持 つ て い る 。 光弾性効果素子 は, 内部 に異方性め応力が発生す る と , こ の応力 に対応 し た複屈折 (屈折率の異方性) を起 こ す。 こ の光弾性効果素子の複屈折の大 き さ は, 光弾性効 果素子 に 直線偏波光を入射 さ せ, こ の と き に光弾性効果素 子を透過 し た光の う ち の あ る 応力方向, た と え ば最大応力 方向 の偏波成分 と 上記方向 と は 直交す る 方向 の偏波成分 と の 間 の位相差を検出す る こ と に よ っ て知 る こ と がで き る 。 し た が っ て , 上記位相差を検出す る こ と に よ っ て周 囲温度 を知 る こ と がで き る 。 こ の場合, 位相差の検 出系 は, 公知 の検 出系で実現で き る 。 ま た , 温度変化の割合 に対 し て光 弾性効果素子に加わ る 力変化の割合が大 き く な る よ う に光 弾性効果素子お よ び力 印加機構の構成材料を選択す る こ と に よ っ て, 容易 に検出感度を上げ る こ と がで き る 。 し たが ' つ て, 半導体の光学的基礎吸収端の温度変化 に よ る 吸収, 発-光の 強度を利用 し た も の に比べて, た と え ば - 2ひ 〜 7 0 °C の温度'範囲 を高精度 に測定で き る 。
図面の簡単な 説明
第 1 図 は本発明 の一実施例 に係 る 温度測定装置 の構成図 : 第 2 図 は 同装置 に組込 ま れ た温度 — 応力変換器の斜視図, 第 3 図か ら 第 5 図 は そ れぞれ温度 - 応力変換器の変形例 を 示す斜視図, 第 6 図 は第 5 図 に'示す温度 - 応力変換器を組 込ん だ と き の周 囲温度 と 増幅器の 出 力 と の 関係を示す図, 第 7 図か ら 第 1 1 図 は さ ら に異な る 変形例 に係 る 温度 一 応 力変換器を そ れぞれ光の入射方向か ら み た端面図で あ る 。
発明 を実施す る た め の最良の形態
本発明 を添附図面を参照 し な が ら よ り 詳細 に説明す る 。 第 1 図 に は本発明 の一実施例 に係 る 温度測定装置 の 概略 構成が示 さ れて い る 。 同図に お いて, 番号 1 0 は被温度測定部に配置 さ れ る セ ン サ部を示 し て い る 。 こ の セ ン サ部 1 0 は, 温度 一 応力変 換器 1 2 を 内蔵 し て い る 。
温度 一 応力変換器 1 2 は, 第 2 図 に示す よ う に, た と え ば縦の長さ ^ が 10腿 , 横の長 さ wが 7 腿 , 厚 さ t が 4 丽 の シ リ カ ガラ ス板で形成 さ れた光弾性効果素子 1 4 と , こ の 光弾性効果素子 1 4 内で, そ の横幅方向 の中心 1 6 か ら対 称的 な位置 に縦幅方向 に 向 け て平行に埋め込 ま れた埋め込 み部材 1 8 , 2 0 と , 光弾性効果素子 1 4 の外周面に密接 状態に装着 さ れた角 筒体 2 1 と で構成 さ れて—い る 。 埋め込 み部材 1 8 , 2 0 は, 光弾性効果素子 1 4 に形成 さ れた, た と え ば直径 1.5 雌 の貫通孔内 に充填 さ れた エ ポ キ シ樹脂 ― に よ っ て構成 さ れて い る 。 埋め込み部材 1 8 , 2 0 を構成 ' し て い る エポ キ シ樹脂の熱膨張率は, 光弾性効果素子 1 4 を構成 し て る シ リ カ ガラ ス の それに比べて約 i 50 倍 と大 き い。 温度 - 応力変換器 1 2 が置かれて い る 場所の周 囲温度 が上昇す る と , 光弾性効果素子 1 4 と埋め込み部材 1 8 , 2 0 と は共に熱膨張す る 。 し か し , 光弾性効果素子 1 4 と 埋め込み部材 1 8, 2 0 と は熱膨張率が大 き く 異な っ て い る た め , 角 筒 体 2 1 内 に 配 置 さ れて い る 光弾性効果素子 1 4 の埋め込み部材 1 8 と 2 0 と の 間 に位置す る 部分の熱 膨張量は, 埋め込み部材 1 8, 2 0 fこ よ っ て規制 さ れ る 。 こ の た め , 光弾性効果素子 1 4 の埋め込み部材 1 8 と 2 0 と の 間 に位置す る 部分の応力 は, 第 2 図 に示す直交座標上 で y 軸方向 の応力 に比べて X 軸方向 の応力が大 き く な る 。 つ ま り , 埋 め込み部材 1 8 , 2 0 は, 光弾性効果素子 1 4 と の 間 の熱膨張の差で光弾性効果素子 1 4 に周 囲温度 に応 じ た応力 を異方性を持たせて発生 さ せ る 力 印加機構 2 2 を 構成 し て い る 。
光弾性効果素子 1 4 の縦幅方向 の一方の端面 2 4 に対向 す る 位置 に は, 偏光子 2 6 が配置 さ れて い る 。 こ の偏光子 2 6 は, 第 2 図 に示す直交座標上で, そ の偏光面力 X $由 に 対 し て 45度傾 く よ う に配置 さ れて い る 。 偏光子 2 6 の外側 に は光軸 を第 2 図 に示す直交座標上の z 軸 に一致 さ せ て レ ン ズ 2 8 が配置 さ れて い る 。 こ の レ ン ズ 2 8 の外側 に は光 フ ァ イ バ 3 0 の 一端側が対向配置 さ れて い る 。 こ の 光 フ ァ ィ バ 3 ◦ の他端側 は, 被温度測定部 と は離れ た位置 に導か れて, レ ン ズ 3 2 を介 し て LED 等で構成 さ れ た光源 3 4 に 光学的 に接続 さ れて い る 。
一方, 光弾性効果素子 1 4 の縦幅方向 の他方の端面 3 6 に対向す る 位置 に は, 1/4 波長板 3 8 , 検光子 4 0 , レ ン ズ 4 2 が同一の光軸上 に配置 さ れて い る 。 1/4 波長扳 3 8 は, そ の主軸 の 1 つ が第 2 図 に示す直交座標上の X 軸 と 平 行す る よ う に配置 さ れて い る 。 ま た, 検光子 4 0 は, そ の 偏光面が偏光子 2 6 の それに対 し て垂直 と な る よ う に 配置 さ れて い る 。 レ ン ズ 4 2 の外側 に は光フ ァ イ バ 4 4 の一端 側が対向配置 さ れて い る 。 こ の光 フ ァ イ バ 4 4 の他端側 は 被温度測定部か ら 離れた 位置 に導かれて フ ォ ト ダイ ォ — ド 等で構成 さ れ た フ ォ ト デ ィ テ ク 夕 4 6 に.光学的 に接続 さ れ て い る 。 そ し て , フ ォ ト デ ィ テ ク タ 4 6 の 出 力 は 増 幅器 4 8 で増幅 さ れた後, 信号処理装置 5 0 に導入 さ れ る 。 信 号処理装置 5 0 は後述す る処理を行な っ てセ ン サ部 1 0 が 位 置 し て い る 部分 の 周 囲 温度を算出 し , こ れを表示装置
5 2 に表示する 。 なお, 第 1 図で は セ ン サ部 1 0 が概略的 に示 さ れて い る 。 セ ン サ部 1 0 は, 実際に は図示 し な い基 板上に接着剤を使 っ て各要素を前述 し た関係 に配置固定 し こ の状態で温度 一応力変換器 1 2 の外周面だけを露出 さ せ #の部分を カ バ ー で覆 っ た も の と な っ てい る 。
次に, 上記の よ う に構成 さ れた温度測定装置の動作を説 明す る 。
前述の如 く , 温度 - 応力変換器 1 2 を構成 し て い る 光弹 性効果素子 1 4 と , こ れに埋め込ま れた埋め込み部材 1 8 2 0 と は, 熱膨張率力《大 き く 異な っ て い る 。 こ の ため, 周 囲温度が上昇す る と , 光弾性効果素子 1 4 の埋め込み部材 1 8 と 2 0 と の 間 に位置す る 部分の応力 は, y 軸方向の応 力 に比べて X 軸方向 の応力が大 き く な る 。 こ の応力 は周 囲 温度に対応 し た も の と な る 。 こ の よ う な応力 の異方性力 シ リ カ ガラ ス で構成さ れた光弾性効果素子 1 4 に発生す る と こ の光弾性効果素子 1 4 は複屈折, す な わ ち屈折率に異方 性を生 じ る 。 .
光源 3 4 か ら 一定強度の光を送出 さ せ る と , こ の光は レ ンズ 3 2 を介 し て光フ ァ イ ノく 3 0 に入射 し , こ の光 フ ア イ バ 3 0 に よ っ て被温度測定部 に位置 し て い る セ ン サ部 1 0 ま で送 ら れ る 。 そ し て, 光 フ ァ イ バ 3 0 力、 ら 出 た光は, レ ン ズ 2 8 に よ っ て平行 ビ ー ム に変換 さ れて偏光子 2 6 に入 射す る 。 偏光子 2 6 は x 軸, つ ま り 光弾性効果素子 1 4 の 最大応力方向 に対 し て 45度の偏波成分を持つ 直線偏波光を 射出す る 。 こ の光 は光弾性効果素子 1 4 内 を z 軸 に沿 っ て 透過 し て反対側 に 出射す る 。 こ の と き , 光弾性効果素子 1 4 の温度 に応 じ た複屈折 に よ っ て, 光弾性効果素子 1 4 を 透過 し た光の X 軸方向偏波成分 E X と y 軸方向 偏波成分 E y と の 間 に位相差 ø が生 じ る 。 こ こ で , X 軸方向 の 偏波光 に対す る 屈折率を n x と し , y 軸方向 の 偏波光 に対す る 屈 折率を n y と し , 光の波長を ; と し , 光弾性効果素子 1 4 の光透過方向 の長 さ を ^ と す る と , 位相差 ø は,
φ ^ 2 π £ ( n x - n y ) / λ …(1) で与え ら れ る 。 n x , n y は周 囲温度 に よ っ て変 化す る 。 し た力《 つ て, 位相差 ø も周 囲温度 に よ っ て変化す る 。 ' 光弾性効果素子 1 4 を透過 し た光 は偏光面が偏光子 2 6 の そ れ に対 し て 直交す る よ う に配置 さ れ た検光子 4 0 を通 り , 続 い て レ ン ズ 4 2 , 光 フ ァ イ ノく 4 4 を介 し て フ ォ ト デ ィ テ ク 夕 4 6 に導かれ る 。 こ の導かれ た光の 強度 I は,
I °= I 0 ( 1 - cos 2 Φ ) / 2 … ) と な る 。 な お, (2)式に お い て, I 0 は偏光子 2 6 の 出射光 強度で あ る 。 し た が っ て, I を測定すれば, 周 囲温度 に よ つ て変化 し た位相差 ø を知 る こ と がで き , 周 囲温度 と 位相 Φ と の関係 を予 め求め て お け ば, 周 囲温度を 測定で き る こ と に な る 。 こ の実施例で は, 位相差 ø が小 さ い領域で, I 力 ' ø に比例す る よ う に , 1 / 4 波長板 3 8 を介在 さ せて,
I °= I 0 ( 1 + sin 2 0 ) / 2 - (3) と な る よ う に し てい る 。
フ ォ ト デ ィ テ ク タ 4 6 の 出力 は, 増幅器 4 8 に よ っ て增 幅 さ れだ後, 信号処理装置 5 0 に導入 さ れ る 。 信号処理装 置 5 0 は, 予め求め ら れてい る 入力 一温度校正テ ー ブルか ら周 囲温度を算出 し , こ の温度値を表示装置 5 2 に表示す る 。 し た力く つ て, 周 囲温度 T を 直ち に知 る こ と がで き る 。
そ し て, こ の場合 に は, 温度を測定す る た め に セ ン サ部 1 0 に入出力 さ せ る 信号—は光信号だ けで よ い ので, セ ン サ 部 1 0 の置かれ る 雰囲気が高電界中 や高磁界中で あ っ て も こ れ ら の影響を受け る こ と な く 温度の測定を行な う こ と が で き る 。 ま た, 光弹性効果素子 1 4 と の 間の熱膨張の差で 光弾性効果素子 1 4 に周 囲温度に応 じ た応力 を異方性を持 たせて発生 さ せ る 力 印加機構 2 2 の構成材料を選択す る だ けで検出感度を容易 に 向上 さ せ る こ と がで き る 。
第 3 図 に は温度 一 応力変換器の変形例が示 さ れてい る 。 こ の温度 一 応力変換器 6 0 は, 角柱状に形成 さ れた シ リ 力 ガ ラ ス 製の光弾性効果素子 6 2 を同 じ く 角柱状に形成 さ れ た エ ポ キ シ樹脂製の 2 本の部材 6 4 , 6 6 で挟み, こ れ ら を光弾性効果素子 6 2 の _構成材料よ り 熱膨張率の小 さ い材 料で角筒状に形成 さ れた枠体 6 8 内 に隙間 を設け る こ と な く 収容 し た も の と な っ てい る 。
こ の よ う に構成 さ れた温度— 応力変換器 6 0 で は, 光弾 性効果素子 6 2 と部材 6 4 , 6 6 と の熱膨張率の差に よ つ て光弾性効果素子 6 2 に周囲温度に応 じ た応力 を異方性を 持たせ て発生 さ せ る こ と がで き る 。 す な わ ち , シ リ カ ガラ ス の熱膨張率に比べてエ ポ キ シ樹脂 の そ れ は は る か に大 き い。 こ の例で は周 囲温度の変化に対応 さ せ て光弾性効果素 子 6 2 内 に y 軸方向 よ り X 軸方向 の方が大 き い応力 を発生 さ せ る こ と がで き る 。 し た力 つ て, こ の例で は枠体 6 8 と 部材 6 4 , 6 6 と で力 印加機構 7 0 が構成 さ れて い る こ と に な る 。 こ の温度 一 応力変換器 6 0 を第 1 図 に示 し た温度 一 応力変換器 1 2 の代わ り に使用 す る こ と がで き る 。
第 4 図 に は温度 一 応力変換器の別の変形例が示 さ れて い る 。 こ の温度 — 応力変換器 8 0 は, 光透過性を有す る パ イ レ ッ ク ス ガ ラ ス ま た は ポ リ カ ー ボネ ー 卜 で角柱状 に形成 さ れた光弾性効果素子 8 2 の両端面を除 く 外周面に ィ ン バ ー 合金で形成 さ れた外側部材 8 4 を密接 に装着 し , さ ら に光 弾性効果素子 8 2 の z 軸 を 中心 と し た対称的 な 位置 に貫通 孔 8 6 , 8 8 を平行に設け た も の と な っ て い る 。
ノ、。 ィ レ ッ ク ス ガ ラ ス や ポ リ カ ー ボネ ー 卜 の熱膨張率 は ィ ン ノく一合金の そ れ よ り 大 き い。 そ し て, こ の例で は X 拳由上 に貫通孔 8 6 , 8 8 が形成 さ れて い る 。 し た力 つ て, こ の 温度 一 応力変換器 8 0 で は周 囲温度の変化 に対応 さ せて光 弾性効果素子 8 2 内 に χ $ώ方向 よ り y 軸方向 の方が大 き い 応力 を発生 さ せ る こ と がで き る 。 す な わ ち , こ の例で は外 側部材 8 4 と 貫通孔 8 6 , 8 8 と で力 印加機構 9 0 が構成 さ れて い る 。
第 5 図 に は温度 一 応力変換器の さ ら に別の変形例が示 さ れて い る 。 こ の温度 — 応力変換器 1 0 0 は, 第 4 図 に示 し た温度 一 応力変換器 8 ◦ の変形で あ る 。 す な わ ち , こ の例 では光弾性効果素子 8 2 に形成 さ れた貫通孔内 に光弾性効 果素子 8 2 の構成材料 よ り 熱膨張率が大 き い材料で形成 さ れた 内側部材 1 0 2 , 1 0 4 を埋め込ん だ も の と な っ て い し たが っ て, こ の温度 一応力変換器 1 0 0 で は周 囲温度 の変化に対応 さ せて光弾性効果素子 8 2 内 に y 軸方向 よ り X 軸方向 の方がは る か に大 き い応力 を発生 さ せ る こ と がで き , 温度検出感度の 向上に寄与で き る 。 こ の例 'で は外側部 材 8 4 と 内側部材 1 0 2 , 1 0 4 と で力 印加機構 1 0 6 が 構成 さ れてい る の であ る 。 第 6 図 は, 第 1 図 に示 し た温度 - 応力変換器 1 2 に代え て温度 - 応力変換器 1 0 0 を組込 んだ と き の周 囲温度と増幅器 4 8 の 出力 と の関係を示 し て い る 。 こ の 図力、 ら判力、 る よ う に, 増幅器 4 8 の 出力 は温度 の変化に対 し て ほ ぼ直線的 に変化 し て い る 。
第 7 図 に は さ ら に別 の 変形例 に 係 る 温度 一 応力変換器 1 1 0 の光入射側端面が示 さ れてい る 。 こ の温度 一 応力変 換器 1 1 0 は, パイ レ ッ ク ス ガラ ス ま た は ポ リ カ ー ボネ 一 ト で角柱状に形成さ れた光弾性効果素子 1 1 2 の両端面を 除 く 外周面 に ィ ン バ —合金で形成 さ れた外側部材 1 1 4 を 密接に装着 し て い る 。 そ し て, 光弾性効果素子 1 1 2 の X 軸方向 の両側面 と 外側部材 1 1 4 と の 間 に光弾性効果素子 1 1 2 の構成材料よ り 熱膨張率が大 き い材料で形成 さ れた 内側部'材 1 1 6 , 1 1 8 を介在 さ せて い る 。
こ の よ う な構成であ る と , 周 囲温度の変化に よ っ て光弾 性効果部材 1 1 2 に発生す る 応力 の う ち , y 軸方向の応力 に比べて x 軸方向 の応力 を は る か に大 き く で き る 。 し たが つ て, 温度の検出感度を向上 さ せ る こ と がで き る 。 こ の例 で は外側部材 1 1 4 と 内側部材 1 1 6 , 1 1 8 と で力 印加 機構 1 2 0 が構成 さ れて い る こ と に な る 。
第 8 図 に は さ ら に 別 の 変形 例 に 係 る 温度 一 応力 変換器 1 3 0 の光入射側端面が示 さ れて い る 。 こ の温度 一 応力変 換器 1 3 0 は, ノ、。 ィ レ ッ ク ス ガ ラ ス ま た は ポ リ 力 一 ボネ 一 ト で角 柱状 に形成 さ れた光弾性効果素子 1 3 2 の両端面お よ び y 軸方の両側面を除 く 外周面 に ィ ンバ ー 合金で形成 さ れた外側部材 1 3 4 を密接に装着 し た も の と な っ て い る 。
こ の よ う な構成で あ る と , 周 囲温度の変化 に よ っ て光弾 性効果素子 1 3 2 に発生す る 応力 の う ち , y 軸方向 の応力 に比べて X 軸方向の応力 を は る か に大 き く で き る 。 し たが つ て, 温度の検出感度を 向上 さ せ る こ と がで き る 。 こ の例 で は外側部材 1 3 4 と , こ の外側部材 1 3 4 と 光弾性効果 素子 1 3 2 の y 軸 方 向 の 両側面と の 間 に 形成.さ れ た 空涧 1 3 6 , 1 3 8 と で力 印加機構 1 4 0 が構成 さ れて い る こ と に な る 。
第 9 図 に は さ ら に 別 の 変形例 に 係 る 温度 一 応力 変換器 1 5 0 の光入射側端面が示 さ れて い る 。 こ の温度 一 応力変 換器 1 5 0 は, パ イ レ ッ ク ス ガラ ス ま た は ポ リ カ ー ボネ ー 卜 で角 柱状 に形成 さ れた光弾性効果素子 1 5 2 の両端面お よ び y 軸方の 両側面を 除 く 外周面に ィ ン バ ー 合金で形成 さ れた外側部材 1 5 4 を密接 に装着 し , さ ら に光弾性効果素 子 1 5 2 の y 軸を中心 と し た対称的 な 位置 に z 軸方向 に 円 形の貫通孔 1 5 6 , 1 5 8 を平行に設け た も の と な っ て い
O o
こ の よ う な構成で あ る と, 周 囲温度の変化に よ っ て光弾 性効果素子 1 5 2 に発生す る 応力 の う ち , y軸方向 の応力 に比ベて X 軸方向 の応力 を格段に大 き く で き る 。 し た力く つ て, 温度の検出感度を一層 向上 さ せ る こ と がで き る 。 こ の 例では外側部材 1 5 4 と , こ の外側部材 1 5 4 と光弾性効 果素子 1 5 2 の y 軸方向 の両側面 と の 間 に z 軸方向 に形成 さ れた空洞 1 6 0 , 1 6 2 と , 貫通孔 1 5 6 , 1 5 8 と で 力 印加機構 1 6 4 が構成 さ れてい る こ と に な る 。 な お, こ の例 に おい て, 貫通孔 1 5 6 , 1 5 8 内 に光弾性効果素子 1 5 2 の構成材料よ り 熱膨張率の大 き い材料で形成 さ れた 部材を充填す る よ う に し て も よ い 。
第 1 0 図 に は さ ら に別の変形例 に係 る 温度 一 応力変換器 1 7 0 の光入射側端面が示 さ れて い る 。 こ の温度一 応力変 換器 1 7 0 は, ノ、。 ィ レ ッ ク ス ガ ラ ス ま た は ポ リ カ ー ポネ 一 卜 で角柱状に形成 さ れた光弾性効果素子 1 7 2 の両端面お よ び X 軸 方の 一方 の 側面 を 除 く 外周 面 に ィ ン バ ー 合金で 形成 さ れ た 外 側部材 1 7 4 を 密接 に 装着 し , こ れを筒体 1 7 6 内 に隙間 な く 装着 し て い る。 そ し て, 光弾性効果素 子 1 7 2 の X 軸方向 の側面で外側部材 1 7 4 に接触 し て い な い側面 と筒体 1 7 6 と の 間 に捕助部材 1 7 8 を装着 し , こ の捕助部材 1 7 8 に対 し て筒体 1 7 6 外か ら X 軸方向 の バ イ ア ス 力 を与え る ネ ジ 1 8 0 を設けて い る 。 ま た, 光弾 性効果素子 1 7 2 の y 馳を 中心 と し た対称的 な 位置 に z 軸 方向 に 円形の貫通孔を平行に設け, こ れ ら 貫通孔内 に光弾 性効果素子 1 7 2 を構成 し て い る 材料 よ り 熱膨張率が大 き い材料で構成 さ れた 内側部材 1 8 2 , 1 8 4 を充填 し た も の と な つ て い る。
こ の よ う な 構 成 で あ る と , 筒 体 1 7 6 と , 外 側 部 材 1 7 4 と , 内側部材 1 8 2 , 1 8 4 と で力 印加機構 1 8 6 が構成 さ れて い る こ と に な る 。 し た力 つ て, 周 囲温度の変 化に よ っ て光弾性効果素子 1 7 2 に発生す る 応力 の う ち , y 軸方向 の応力 に比べて X 軸方向 の応力 を大 き く で き る 。 ま た, ネ ジ 1 8 0 を調整 し て光弾性効果素子 1 7 2 に X 軸 方 向 の 初 期 バ イ ア ス 応力 を 発生 さ せ て お く と , 外側部材 1 7 4 よ り 内側部材 1 8 2 , 1 8 4 の熱膨張率が小 さ い場 合 に, 外側部材 1 7 4 の方が縮小 し て も , 初期バ イ ア ス応 力 に よ り 歪み の異方性を維持 さ せ る こ と がで き る 。
第 1 1 図 に は さ ら に別の変形例 に係 る 温度 一 応力変換器 1 9 0 の光入射側端面が示 さ れて い る 。 こ の 温度 一 応力変 換器 1 9 0 は , ガ ラ ス で 円柱体 1 9 2 を形成 し , こ の 円柱 体 1 9 2 の X 軸 を 中心 と し た対称的 な 位置 に 角柱状の空洞 1 9 4 , 1 9 6 を z $由 方 向 に 平行 に 設 け , さ ら に 円 柱体 1 9 2 の空涧 1 9 4 と 1 9 6 と の 間 に位置す る 部分 1 9 8 に G e や B な ど を ド ー プ し て他の 部分 と は異な る 熱膨張率 に し , 上記部分 1 9 8 を光弾性効果素子 と し た も の と な つ て い る 。 し た 力く つ て, こ の 例で は部分 1 9 8 以外 の部分が 力 印加機構 2 0 0 を構成 し て い る 。 こ の よ う に構成 さ れた 温度 一 応力変換器 1 9 0 を使用 す る こ と も で き る 。 なお, 温度 一 応力変換器は さ ら に次の よ う に変形 さ せ た も の も 使用で き る 。 すな わ ち , 第 8 図に示す温度 一応力変 換器 1 3 0 に お い て , 外側部材 1 3 4 と 光弾性効果素子 1 3 2 の X 軸方向 の両側面 と の 間 に光弾性効果素子 1 3 2 の構成材料よ り 熱膨張率の大 き い材料で形成 さ れた 内側部 材を介在 さ せ る よ う に し て も よ い。 ま た, 上述 し た各温度 一応力変換器の力 印加機構は, 光弾性効果素子に圧縮力を 印加す る よ う に し て い る 。 し力、 し, た と えば第 4 図 に示す 例に おい て, 外側部材 8 4 を熱膨張率の大 き い黄銅で構成 し , 光弾性効果素子 8 2 をパ イ レ ッ ク ス な どで構成 し , こ の光弾性効果素子 8 2 と 外側部材 8 4 と を接着 してお く と 光弾性効果-素子 8 2 に 引張 り 力 を印加す る こ と がで き る。 こ の よ う に, 力印加機構は光弾性効果素子に引張 り 力 を印 加す る よ う に構成 さ れてい て も よ い。
産業上の利用可能性
以上の よ う に, ·本発明 に係 る 温度測定装置 は, 特に, 高 電界や高磁界に さ ら さ れて い る 部分の温度を高精度に測定 し な ければな ら な い場合に有用であ る 。

Claims

請 求 の 範 囲
(1) 光弾性効果素子お よ び上記光弾性効果素子 に密接状 態に配置 さ れて光弾性効果素子 と の 間 の熱膨張の差で光弾 性効果素子に周 囲温度 に応 じ た応力 を異方性を持た せ て発 生 さ せ る 力 印加手段か ら な る 温度 一 応力変換器 と , こ の温 度 - 応力変換器の前記光弾性効果素子 に 直線偏波光を 入射 さ せ る 手段 と , 前記光弾性効果素子を透過 し た光の う ち 上 記光弾性効果素子の あ る 応力方向 の偏波成分 と 上記方向 と は 直交す る 方向 の 偏波成分 と の 間 の 位相差を検出す る 手段 と , こ の手段 に よ っ て検出 さ れた位相差を温度 に換算 し て 表示す る 手段 と を具備 し て な る こ と を特徴 と す る 温度測定
(2) 力 印加手段は, 前記光弾性効果素子 に周 囲温度 に応 じ た応力 を異方性を持 っ て 印加す る 機構を備え て い る 請求 項 1 に記載の 温度測定装置。
(3) 力 印加手段 は, 前記光弾性効果素子 に異方性を持 つ たバ イ ア ス 力 を加 え る 機構を備 え て い る 請求項 1 , 2 の何 れか に記載の温度測定装置。
(4) 力 印加手段は, 前記光弾性効果素子を構成す る 材料 よ り 熱膨張率の大 き い材料で形成 さ れ た部材を光弾性効果 素子内 の前記直線偏波光の透過中心軸 を 中心 と す る 対称的 な 2 箇所 に 平行に埋 め込ん で構成 さ れて い る 請求項 1 に記 載の 温度測定装置。
(5) 力 印加手段 は, 前記光弾性効果素子を収容す る 枠体 と , 前記光弾性効果素子の構成材料よ り 熱膨張率の大 き い 材料で形成 さ れて前記枠体内 に上記光弾性効果素子 と 一体 に収容 さ れた部材 と で構成 さ れてい る 請求項 1 に記載の温 度測定装置。
(B) 力印加手段は, 前記光弾性効果素子の構成材料よ り 熱膨張率の小 さ い材料で形成 さ れて上記光弾性効果素子の 外周 に装着 さ れた外側部材 と , 上記光弾性効果素子内で, 前記直線偏波光の透過中心軸を中心 と す る 対称的 な 2 箇所 に平行に形成 さ れた貫通孔 と で構成 さ れてい る 請求項 1 に 記載の温度測定装置。
(7) 力 印加手段は, 前記光弾性効果素子の構成材料 よ り 熱膨張率の小 さ い材料で形成 さ れて上記光弾性効果素子の 外周 に装着 さ れた外側部材 と , 上記光弾性効果素子の構成 材料よ り 熱膨張率の大 き い材料で形成 さ れて上記光弾性効 果素子内 ま た は上記光弾性効果素子 と前記外側部材 と の 間 で前記直線偏波光の透過中心軸を中心 と す る 対称的 な 2 箇 所 に平行に埋め込ま れた 内側部材 と で構成 さ れて い る 請求 項 1 に記載の温度測定装置。
(8) 力 印加手段は, 前記光弾性効果素子の構成材料よ り 熱膨張率の小 さ い材料で形成 さ れて上記光弾性効果素子の 対向す る 2 側面の み に密接す る 関係 に配置 さ れた外側部材 で構成 さ れて い る 請求項 1 に記載の温度測定装置。
(9) 光弾性効果素子 と前記外側部材 と はべ — ス と な る 材 料が同 じで, かつ上記光弾性効果素子を構成す る 部分 も し く は外側部材を構成す る 部分の何れか に別の元素を ド ー プ し て熱膨張率を異な ら せ た も の で あ る 請求項 8 に記載の温 度測定装置。
( 1 0 ) 力 印加手段は, 前記光弾性効果素子の構成材料 よ り 熱膨張率の小 さ い材料で形成 さ れて上記光弾性効果素子 の外周面を覆 う よ う に配置 さ れた外側部材 と , 前記光弾性 効果素子の構成材料よ り 熱膨張率の大 き い材料で形成 さ れ て前記外側部材 と 上記光弾性効果素子の対向す る 2 側面 と の 間 に そ れぞれ揷設 さ れた 内側部材 と で構成 さ れて い る 請 求項 1 に記載の温度測定装置。
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