WO1989004507A1 - Pattern forming material and method for forming pattern - Google Patents

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WO1989004507A1
WO1989004507A1 PCT/JP1988/001127 JP8801127W WO8904507A1 WO 1989004507 A1 WO1989004507 A1 WO 1989004507A1 JP 8801127 W JP8801127 W JP 8801127W WO 8904507 A1 WO8904507 A1 WO 8904507A1
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south
forming
pattern
molecule
term
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PCT/JP1988/001127
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English (en)
French (fr)
Inventor
Naohiro Muramoto
Katsutoshi Mine
Original Assignee
Toray Silicone Co., Ltd.
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/075Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds

Definitions

  • lithography using Deep UV, electron beam, X-ray, etc. is also noted.
  • lithography such as ⁇
  • In order to form a fine resist pattern with a high aspect ratio and a high resolution, it is necessary to disperse in the front five directions and backward from the base plate. The thickness of the resist film must be thin and uniform, so that the effect of this is reduced.
  • wiring has already been formed before applying the resist, multi-layer wiring, elements with a three-dimensional array structure, etc.
  • the substrate that needs to form a resist nottern is not flat, as is often the case. Above, it is extremely difficult to form a thin resist layer without defects such as pinholes, and it reflects the steps of the substrate.
  • the resist surface is not flat, it is easy to be affected by changes in the irradiance / S-electron dose and the effects of scattering. It is difficult to control to form fine patterns. Therefore, it is necessary to increase the film thickness in order to flatten the resist surface. Also, for the widely used dry cutting products in recent years.
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  • H butane
  • Teflon-based filter with a pore size of 0.2 / m.
  • I passed.
  • Electron beam irradiation was performed at a power-supplying voltage of 20 kV.
  • ⁇ I-noise is imaged with n-heptane or ethanol (hereinafter referred to as “E”), an initial film that serves as a measure of sensitivity.
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  • Example 7> The pattern formed on the polyimide resin layer formed in Example 6 was subjected to the same operation as in Example 2 to obtain an oxygen ion beam. By performing the ringing, the upper layer of the volume organosilicon / S-san system, the turn layer is transferred almost completely without any film slippage. As a result, it was possible to form a submicron micro-turn with a film thickness of about 2.2 m.
  • Example 8> Reference Examples 6 ′, 7, 8, 9, 11 or 16 'years old; O rimer 10% by weight and the sensitizer (B) or ,

Description

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< 実 施 例 1 >
参 考 例 1 〜 1 6 で 得 ら れ た ボ リ マ ー を 酢 酸 イ ソ ァ ミ ル ( 以 下 「 I 」 と い う ) 、 メ チ ル イ ソ ブ チ ル ケ ト ン ( 以 下 「 M 」 と い う ) ま た は、 n —
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参 考 例 No.
ポリマー
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ポリマー
3 6 7 8 9 1 6 增 感 剤 B B B A A
5 現 像 液 E E E H H E H
D E X 50
350 300 240 250 200 ! 220 ' 210
(inj/ctn2)
最小 L / S
0.6! 0.5 0.6 ! 0.5 1.0 ! 0.8 ! 1.0
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く 実 施 例 7 〉 実 施 例 6 で 形 成 さ れ た ポ リ イ ミ ド 樹 脂 層 上 の パ タ ー ン を、 実 施 例 2 と 同 様 の 操 作 で 酸 素 イ オ ン ェ ツ チ ン グ を 行 う こ と に よ り、 ボ リ ォ ル ガ ノ シ ロ キ / S サ ン 系 の 上 層 ノ、' タ ー ン 層 は 殆 ど 膜 べ り す る こ と な く 転 写 さ れ、 膜 厚 約 2 . 2 mの サ フ" ミ ク ロ ン ゾヽ' タ ー ン を 形 成 す る こ と が で き た。 く 実 施 例 8 > 参 考 例 6'、 7、 8、 9、 1 1 も し く は 1 6' の 才; O リ マ ー 1 0 重 量 % と、 增 感 剤 ( B ) も し く は ミ ヒ 、
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Claims

請 求 の 範 囲
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料の
式 S i 0 2 で 表 わ ざ れ る シ ロ キ サ ン 単 位 と 少 な 量午ヽ 。
く と も 一 種 の オ ル ガ ノ シ ロ キ サ ン 単 位 と か ら 構 含
成 ざ れ、 分 子 中 に 少 な く と も 一 つ の 高 工 ネ ル ギ
t le項- 一 線 感 応 基 を 含 み、囲て 軟 化 温 度 が 常 溫 以 上 で あ り、 溶 剤 可 溶 性 で あ る ボ リ オ ル ガ ノ シ ロ キ サ ン を 主 る 1-ま
項料 料。 ノ ポ リ オ ル カ' ノ シ ロ キ サ ン 分 子 中 ノ徵のに S i 0 4 2単 位 範と
が 1 0 9 0 モ ル % 含 ま れ て い る こ と を 特 徴 と る す る 特 許 請 求 の 範 囲 第 1 項 記 載 の パ タ ー ン 形 成 寺 用 材 料 c 成項材キ ポ リ オ ル ガ ノ シ ロ キ サ ン 分 子 中 に S i が 1 0
軟 化 塭 度 が 1 0 0 て 以 上 で あ る こ と を 特 徴 と ± ^ Ά m M Έί ^ 2) ^ 2 m oz — / ⑦ 爵 ^ ¾ ~ a a.
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