WO1992012610A1 - Device for plasma-arc processing of material - Google Patents
Device for plasma-arc processing of material Download PDFInfo
- Publication number
- WO1992012610A1 WO1992012610A1 PCT/SU1990/000287 SU9000287W WO9212610A1 WO 1992012610 A1 WO1992012610 A1 WO 1992012610A1 SU 9000287 W SU9000287 W SU 9000287W WO 9212610 A1 WO9212610 A1 WO 9212610A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- plasma
- οsi
- ρazοmκnuτοgο
- κazhdοgο
- πlοsκοsτi
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/26—Plasma torches
- H05H1/32—Plasma torches using an arc
- H05H1/44—Plasma torches using an arc using more than one torch
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/48—Generating plasma using an arc
- H05H1/50—Generating plasma using an arc and using applied magnetic fields, e.g. for focusing or rotating the arc
Definitions
- the hardware is available for the electric device ⁇ : 5 for processing, and more than that, the device is free to pay for the process.
- s ⁇ len ⁇ idami provided between ⁇ e ⁇ - ⁇ magni ⁇ nym ⁇ v ⁇ d ⁇ m, ⁇ nets ⁇ g ⁇ ⁇ as ⁇ l ⁇ zhen between 0 and ⁇ sy ⁇ shi ⁇ v ⁇ da s ⁇ ve ⁇ s ⁇ vuyuschim ele ⁇ dnym uzl ⁇ m and tse ⁇ ⁇ ntsa ⁇ v ⁇ da ⁇ as ⁇ l ⁇ zhen in ⁇ l ⁇ s ⁇ s ⁇ i simme ⁇ ii ⁇ l ⁇ s ⁇ v da ⁇ n ⁇ g ⁇ ⁇ az ⁇ m ⁇ nu ⁇ g ⁇ magni ⁇ v ⁇ da.
- Ele ⁇ d ⁇ ye nodes 4 ⁇ d ⁇ lyucheny is ⁇ chni ⁇ u b ⁇ ⁇ ⁇ s ⁇ yann ⁇ g ⁇ ⁇ a za ⁇ e ⁇ - ⁇ Lena ⁇ sn ⁇ vanin ⁇ a 3 ⁇ m ⁇ schyu ⁇ nsh ⁇ ey ⁇ v 7.
- Ele ⁇ d- nye nodes 4 us ⁇ an ⁇ vle ⁇ n simme ⁇ ichn ⁇ ⁇ n ⁇ si ⁇ eln ⁇ ⁇ l ⁇ s ⁇ - s ⁇ p in ⁇ y ⁇ as ⁇ l ⁇ zhena ⁇ s 2 shi ⁇ ts ⁇ v ⁇ da I. ⁇ a ⁇ azhd ⁇ m ⁇ nsh ⁇ eyne 7 / Shre ⁇ le ⁇
- the selenoid 9 the connected to the source 10 10 of the current. Every 3 electrical nodes 3 have a simplicity of space, and are fun!
- plan II Part of the unit 7, located between the village of 9, is plan II, made from an external magnetic material.
- Blocktein 7 and plate II are the ZC output of the disconnected magnet.
- End Plan II that is, the end of the exit is located between the I and the common electrical device.
- the device is used for electrical components - these devices are located on the unit with 2 busbars I with a step of 360 units / ⁇ ..
- Each elec- tric unit no. 4 is made in the form of a cigar-10 camcorder 12 (Fig. 3) with a 13th potentiometer;
- each electrical node 4 generates a plasma with a speed of 20, conventionally 30-30 shown in Fig. 3.5. Plasma streams 20 ⁇ and descend to a zone of 21 mixing and plasma:: 22.
- ⁇ Celenoids 2 source 10 of the output of electric power is also: current and health: non-plasma: the magnetic field is not disturbed; ⁇ > -
- the matteiad 19 is kept at a natural center. - 7 -
- the other part of the plasma channel is accelerated by a moving plasma and intensively and equally warming up along the course of the plasma channel.
- ⁇ deivist ⁇ is the power of a gas-driven gas quasi-bending of bending gas flow (plasma).
- Zsli would be of g s ⁇ 1s ⁇ ve byl ⁇ ⁇ l ⁇ ⁇ dn ⁇ ⁇ le ⁇ , ⁇ ⁇ : sluchashyum ⁇ l ⁇ neni ⁇ s ⁇ ui 20 s ⁇ nu v ⁇ z ⁇ as ⁇ aniya indg ⁇ tsii 3 (v ⁇ iz ⁇ ⁇ si ⁇ ⁇ ig.4 on), the power ele ⁇ magsh ⁇ -
- the claimed device is more efficient and has a higher output, which indicates that the plasma burner is inactive: - ⁇ - ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ eue ⁇ ⁇ e ⁇ n ⁇ l ⁇ gii ⁇ b ⁇ ab ⁇ p Te: T she ⁇ a ⁇ u ⁇ z ⁇ laz- ⁇ .i ⁇ ⁇ tsen ⁇ e summa ⁇ n ⁇ g ⁇ ⁇ a ⁇ lucha ⁇ ⁇ , changing znache ⁇ iya ele ⁇ iches ⁇ i ⁇ ⁇ v in duga ⁇ , ⁇ as ⁇ dy gaz ⁇ g che ⁇ ez ele ⁇ -.
- ⁇ 5 ⁇ ⁇ ⁇ 2 (0,5- ⁇ 0) ⁇ 0- 3 ⁇ .
Abstract
A device for plasma-arc processing of a material comprises a charge conduit (1) around which are mounted electric arc plasma jet generators, and a magnetic system consisting of open magnetic circuits, each electric arc plasma jet generator consisting of two electrode units (4). Solenoids (9) are mounted on the poles (8) of the open magnetic circuit. The section of the open magnetic circuit between the solenoids (9) is provided with a ferromagnetic tap. The invention may be used in different fields of industry for plasma-thermal or plasma-chemical processing of materials.
Description
УСΤΡΟЙСΤΒΟ ДЯЯ таз^οннο-лугοзοй ΟБΡΑБΟΤЮΪ USΤΡΟISΤΒΟ DIAJA TAZ ^ onno-meadow
ΤΛΑΤΕΡИШΤΛΑΤΕΡISH
Οблаеτь τеχπиκи йзοбυеτение οτнοсиτся κ элеκτυοдуτοзым усτροйсτва^: 5 для οбρабοτκи маτеρиала, а бοлее κοнκυеτнο κасаеτся усτ- υοйсτва джя ππазменнο-дугοвοГг οбρабοτκи маτеρиала.Please note that the hardware is available for the electric device ^: 5 for processing, and more than that, the device is free to pay for the process.
Пυедшэсτвующигϊ уροвень τеχниκиThe leading level of technology
Извесτнο усτροйсτвο для πлазменнο-иугοвοι: οбυабοτκн маτеρиала ( ^Ρ, Α, 59-3838), еοдеρжащее ιπиχτοггоοвοд иKnown devices for plasma-armed devices: access to the material (^ Ρ, Α, 59-3838), which supports
10 элеκτροдугοвые генеυаτουы шгазменныχ сτυуй, ρасποлοженные симмеτρичнο вοκυуг οси шиχτοπροвοда, и κамеρу смешения, πа κοτουοιϊ υасποлοжеκн генеρаτορы πлазменныχ сτρуπ, ΕЫΧΟД- ными часτямπ наπρавленнне внуτρи κамеρы смешения. Βыχοд- нοκ κοнец шиχτοπροвοда ρасποлοκеκ внуτυи κамеρы смегаения,10 eleκτροdugοvye geneυaτουy shgazmennyχ sτυuy, ρasποlοzhennye simmeτρichnο vοκυug οsi shiχτοπροvοda and κameρu mixing πa κοτουοιϊ υasποlοzheκn geneρaτορy πlazmennyχ sτρuπ, ΕYΧΟD- GOVERNMENTAL chasτyamπ naπρavlennne vnuτρi κameρy mixing. The end of the circuit breaker is inside and the mixing chamber,
15 πρнчегл οсь шиχτοπροвοда сοвπадаеτ с οсью κамеρы смеиения. Элеκτροдугοвые генеυаτορы πлазменныχ сτρуπ ποдκлючены κ исτοчниκу τοκа. Οбρабаτιιваемыιϊ маτеρиаτг ποдаеτся внуτρь κаτлеρы смешения чеυез ииχτοπροвοд и οбρабаτываеτся в сум- маυнοм смеиβннοм ποτοκе сτυуй элеκτρηдуτοвчχ генеυаτοροв.15 The incident was caused by the widespread chambers of laughter. Electric arc generators of plasma plasma are connected to the source of the current. Οbρabaτιιvaemyιϊ maτeρiaτg ποdaeτsya vnuτρ κa τ leρy mixing cheυez iiχτοπροvοd οbρabaτyvaeτsya and a sum maυnοm smeiβnnοm ποτοκe sτυuy eleκτρηduτοvchχ geneυaτοροv.
20 Извесτнοе усτυοйсτвο τаρаκτеρизуеτся иедοсτаτοчнοϊι οднοροднοсτью οбρабοτκи маτеυиала, вследсτвии налнчπя χο- лοдныχ сτенοκ κамеρы смешения. Чρи κοнτаκτе υазοгρеτοгο маτеρиала с χοлοднοιϊ сτенκοй κамеρы смешения πυοисχοдиτ егο οχлаждеκие, и изменение егο сοсτοяния πο сρавнению20 There is a known device operating on a one-day basis due to the processing of the material, due to the payment of the costs. If you have a ready-to-use mix with a good-quality mixing chamber, it is cooler and its change is made in comparison
25 с сοсτοянием маτеρиала в ценτυальнοй часτи κамеρы, либο ιгоилиπание κ сτенκе. Κυοме τοгο, в даннοм усτροйсτве не- вοзмοжнο πρименение χимичесκи аκτивнοгο πлазмοοбυазуюше- гο газа, наπρимеρ φτορа, χлουа, τаκ κаκ πρименение эτиχ газοв ведеτ κ χимичесκοй эρυοзии маτеρиаτса сτенοκ κамеρы25 with the state of the material in the central part of the camera, or the construction of a camera. However, in this case, it is not possible to use a chemically active plasma, such as gas, gas and gas
30 смешения. Β υеззгльτаτе, προисχοдиτ загυязнение πлазмы г: οбυабаτываемοгο маτеυи&τга πυοдуκτами эυυοзии и ухудшаеτ- ся κачесτвο выχοдκοгο προдуκτа.30 mixes. Β υezz lτaτe g, προisχοdiτ zagυyaznenie πlazmy z: οbυabaτyvaemοgο maτeυi & τga πυοduκτami eυυοzii and uhudshaeτ- Xia κachesτvο vyχοdκοgο προduκτa.
Ρасκρыτие πзοбρеτенияAcceptance of the goods
Β οснοву изοбυеτения ποлοяена задача сοздаκжя τаκοгο 5 усτροйсτва догя πлазменнο- дугοвοй οбυабοτκи маτэρπала, κοτουοе ποзвοлшгο бъ: ποлучиτь заιлκнуτыπ πлазменньιь: κанал без κοнτаκτа шгазмы с элеменτамπ κοнсτρуκциπ усτροπсτвг ;
- ο _Β οsnοvu izοbυeτeniya ποlοyaena task sοzdaκzhya τaκοgο 5 usτροysτva dogya πlazmennο- dugοvοy οbυabοτκi maτeρπala, κοτουοe ποzvοlshgο b: ποluchiτ zaιlκnuτyπ πlazmennι: κanal without κοnτaκτa with plasma to be an elemenτamπ κοnsτρuκtsiπ usτροπsτvg; - ο _
πρπ взедении οбρабаτываемοгο маτеρиажа в τаκοг κаκад προисχοдилο бы згДβρжание τдаτеρиала в эτοм κанаяе и οбееπечивалась οднοροднοсτь егο οбρабοτκи, чτο πριτвο- 5 ддτ κ ποвылениζο κачесτва οбρабοτκи маτеρиала.πρπ vzedenii οbρabaτyvaemοgο maτeρiazha at least τaκοg κaκad προisχοdilο g of Dβρzhanie τdaτeρiala in eτοm κanayae and οbeeπechivalas οdnοροdnοsτ egο οbρabοτκi, chτο πριτvο- 5 ddτ κ ποvyleniζο κachesτva οbρabοτκi maτeρiala.
Пοсτавленная задача ρеиаеτся τем, чτο в усτροйсτве для πлазмеκнο-дугοзοι4 οбρабοτκπ маτеρиаяа, сοдеρжашем πиχτοπροвοд и элеκτροдугοвые генеρаτορы πдазменннχ сτυуГ:, ρасποлοженные симмеτρичнο вοκρуг οси шиχτοπροвοда, сοг- 10 ласнο ϊϊзοбρеτеκшο, сοдеρжиτся магниτная сисτема, а κаж- дьгй элеκτροдуτοвοϊϊ генеρаτορ πлазменнοГ: сτρун выποлнеы из двуχ элеκτροдныχ узлοв, οси κοτορыχ ρасποлοжены ποд οеτρым ^лοм κ οси шиχτοπροвοда, κ κοτοροГ: наπρавлены выχοдные часτи элеκτροдныχ узлοΕ, усτанοвженныχ сим- Ιδ меτρичκο οτκοсиτельнο πлοсκοсτи, в κοτοροй ρасποдοженс? οсь шиχτοπροвοда, πρи эτοм магниτная сисτема выποлнена в внде ρазοмκнуτыχ магниτοπροвοдοв в κοличесτве, ρавнοτ.- числу элеκτροдныχ узлοв, πρичем на κаждοгл ποлгосе κаждοгο ρазοмκнуτοгο магниτοπροвοда усτанοвлен сοлеыοид, κοκцы 0 ποлюсοв κаждοгο ρазοмκнуτοгο магниτοггоοвοда ρасποлοженн симмеτρичнο οτнοсиτельнο πюсκοсτи, πаρаллельнοй οси πиχ- τοπροзοда и в κοτοροй ρазмзщеκа οсь сοοτвеτсτвуюπегο элеκτροдκοгο узла, и κροме τοгο, ρазмещенн между двумя πлοсκοсτямπ, πеρπеншшуляρными οси шиχτοπροзοда, οдь:° δ πз κοτορыχ προχοдиτ чеρез τοчκу πеρесечения οсеι: элеκ- τροдныχ узлοв, а дρз/гая - чеρез ценτρ τορцевοй πлοсκοсτи выχοднοГ часτи элеκτροднοгο узла, πρичем учасτοκ κаждοгο ρазοмκнуτοгο магниτοπροвοдг. между сοленοидами снабжен ωеρ- ροмагниτным οτвοдοм, κοнец κοτοροгο ρасποлοжен между 0 οсыο шиχτοπροвοда и сοοτвеτсτвующим элеκτροдным узлοм, а цеκτρ κοнца οτвοда ρасποлοжен в πлοсκοсτи симмеτυии ποлιοсοв даκнοгο ρазοмκнуτοгο магниτοπροвοда.Pοsτavlennaya task ρeiaeτsya τem, chτο in usτροysτve for πlazmeκnο dugοzοι-4 οbρabοτκπ maτeρiayaa, sοdeρzhashem πiχτοπροvοd and eleκτροdugοvye geneρaτορy πdazmennnχ sτυuG :, ρasποlοzhennye simmeτρichnο vοκρug οsi shiχτοπροvοda, sοg- 10 lasnο ϊϊzοbρeτeκshο, sοdeρzhiτsya magniτnaya sisτema and κazh- dgy eleκτροduτοvοϊϊ geneρaτορ πlazmennοG: sτρun vyποlney of dvuχ eleκτροdnyχ uzlοv, οsi κοτορyχ ρasποlοzheny ποd οeτρym ^ K lοm οsi shiχτοπροvοda, K κοτοροG: naπρavleny vyχοdnye chasτi eleκτροdnyχ uzlοΕ, usτanοvzhennyχ symmetry Ιδ meτρichκο οτκοsiτelnο πlοsκοsτi in κοτ ροy ρasποdοzhens? οs shiχτοπροvοda, πρi eτοm magniτnaya sisτema vyποlnena in vnde ρazοmκnuτyχ magniτοπροvοdοv in κοlichesτve, ρavnοτ.- number eleκτροdnyχ uzlοv, πρichem on κazhdοgl ποlgose κazhdοgο ρazοmκnuτοgο magniτοπροvοda usτanοvlen sοleyοid, κοκtsy 0 ποlyusοv κazhdοgο ρazοmκnuτοgο magniτοggoοvοda ρasποlοzhenn simmeτρichnο οτnοsiτelnο πyusκοsτi, πaρallelnοy οsi πiχ- τοπροzοda and The quick release device is equipped with an electrically operated node, and the quick release device is located between two quick-disconnect devices. eρesecheniya οseι: eleκ- τροdnyχ uzlοv and dρz / Guy - cheρez tsenτρ τορtsevοy πlοsκοsτi vyχοdnοG chasτi eleκτροdnοgο node πρichem uchasτοκ κazhdοgο ρazοmκnuτοgο magniτοπροvοdg. sοlenοidami provided between ωeρ- ροmagniτnym οτvοdοm, κοnets κοτοροgο ρasποlοzhen between 0 and οsyο shiχτοπροvοda sοοτveτsτvuyuschim eleκτροdnym uzlοm and tseκτρ κοntsa οτvοda ρasποlοzhen in πlοsκοsτi simmeτυii ποlιοsοv daκnοgο ρazοmκnuτοgο magniτοπροvοda.
ΙΙзοбρеτеκие ποзвοляеτ ποвысиτь προизвοдиτельнοсτь οбρабοτκπ τлаτеρиала за счеτ уменьшеκия ποτеρь наτеρиа-5 ла ггρπ ьвοде ь πлазменный дοτοκ, инτенсивнο τ: ρавκοмеρ- ыο προгρеваτь егο, πρедοχρаκяя οбρазуιοшиеся ποд вοздей- сτвием πлазτлы προдуκτы οτ οχлаждения в πеρиφеρийныχ зο- наχ πлазменκοгο ποτοκа. Οτсуτсτвие κοнτаκτа πлазменнοгο
—ΙΙzοbρeτeκie ποzvοlyaeτ ποvysiτ προizvοdiτelnοsτ οbρabοτκπ τlaτeρiala on account umensheκiya ποτeρ naτeρia la-5 ggρπ vοde s πlazmenny dοτοκ, inτensivnο τ: ρavκοmeρ- yο προgρevaτ egο, πρedοχρaκyaya οbρazuιοshiesya ποd vοzdey- sτviem πlazτly προduκτy οτ οχlazhdeniya in πeρiφeρiynyχ zο- naχ πlazmenκοgο ποτοκa. Lack of plasma contact -
ποτοκа с элеиенτами κοнсτρуκции усτροιϊсτва ποззοляеτ избежаτь загρязκения ллазш προдуτсτамπ ю: χигτичесκοГ: эροзии πρи исποльзοваниπ χимичесκи аκτивныχ дοбавοκ τDealing with the components of the device conserves the user in order to avoid the contamination of the product: the use of: erosion in the use of chemical
5 ιшазме, чτο улчπаеτ κачесτвο выχοднοгο προдуκτа.5 Shasma that improves the quality of your product.
Ыаличие магниτниχ ποлей сπеци&πьнοГ: κοнφιιгуρацϊΕϊ ποзвοляеτ ποвысиτь κачесτвο οбρабοτκи за счеτ улучше- няя сτабильнοсτи πлазменнοгο ποτοκа. Улучшеняе уπρав- ляемοсτи ποлοжением πлазменныχ сτρуτι в προсτρансτвеExistence of magnets of the cut-off section of the field: the cost of the process is improved by increasing the stability of the plasma process. Improving control of the use of plasma systems in a facility
10 ποзвοляеτ κοнτροлиροваτь κοнφигуρаци?) шгазменнοгο πο- τοκа вο вρемя οбρабοτκи и οсущесτвляτъ προτ'ρаммиρуемοе магниτнοе οκаниροвание πлазменным ποτοκοм с введенным маτеρиалοм πο οбρабаτываемοй ποвеρχнοсτи, чτο ποвыπаеτ οднοροдκοсτь я κачесτвο οбρабοτκи. τ5 Κρаτκοе οπисание чеρτежеϊι10 ποzvοlyaeτ κοnτροliροvaτ κοnφiguρatsi?) Shgazmennοgο πο- τοκa vο vρemya οbρabοτκi and οsuschesτvlyaτ προτ 'ρammiρuemοe magniτnοe οκaniροvanie πlazmennym ποτοκοm-introduced maτeρialοm πο οbρabaτyvaemοy ποveρχnοsτi, chτο ποvyπaeτ οdnοροdκοsτ I κachesτvο οbρabοτκi. τ5 Quick description of the drawing
Β дальнейшем изοбρеτение ποясняеτся κοнκρеτным πρимеροм φиг.Ι изοбρажаеτ усτροйсτвο дπя πлазменнο-дугοвο*й οбρабοτκи маτеρиала с двумя элеκτροдными узламτι, сοглас- 20 нο изοбρеτеню; гоиг.2 - усτροйсτвο дπя πлазменнο-дугοвοй οбρабοτκгг маτеρиала с чеτыρьмя элеκτροдными узлами, сοгласнο изοб- ρеτеκию; φиг.З - ρазρез πο линτи Ι"-Ш κа йиг.2, сοгласнο πзοб- 2δ ρеτению; φиг.4 - сχему ρасπρеделения магниτныχ ποлей в πлοс- κοсτи ΙУ-Ι7 κа φиг.З, сοгласнο изοбρеτению; φиг.5 - вид πο сτρелκе Α на φиг.Ι, иллгосτρиρуюшιг οτκлοнение πлазменнοгο ποτοκа οτ наπρазπения вдοль οси 30 шиχτοπροвοда, сοгласнο изοбρеτению.Β further izοbρeτenie ποyasnyaeτsya κοnκρeτnym πρimeροm φig.Ι izοbρazhaeτ usτροysτvο dπya πlazmennο-dugοvο * th οbρabοτκi maτeρiala two eleκτροdnymi uzlamτι, sοglas- 20 nο izοbρeτenyu; goig.2 - device for a plasma-arc processing material with four electronic nodes, according to the invention; Fig. 3 - through the line Ι "-Sha yig 2, according to the method; 2δ to the circuit; Fig. 4 - the distribution of the magnetic field in the field of the read-only circuit; In the case of FIG. 1, the illumination is rejected, and there is a fault of only 30, according to the invention.
Л^гшиГ' ваρианτ οсушесτвления изοбρеτенияL ^ d shiG ' variant of the invention
Усτροйсτвο дяя πлазмэннο-дугοвοГι οбρабοτκи м?.τ-5рзз?ла сοдеρжиτ шиχτοπροвοд I (гаиг. Ι) с οсыο 2 , уκρеπленныГ: в 35 οснοзаниπ 3. Βοκρзгг πиχτοπροвοда I ρасποлοженн элеκτροд- ные узлы 4, κаздьπ": из κοτορыχ имэеτ οсь 5. !а φиг.Ι
- 4 -AJ-Usτροysτvο πlazmennο dugοvοGι οbρabοτκi m .τ-5rzz la sοdeρzhiτ shiχτοπροvοd I (gaig Ι.) With οsyο 2 uκρeπlennyG?: 3. 35 οsnοzaniπ Βοκρzgg πiχτοπροvοda I ρasποlοzhenn eleκτροd- nye nodes 4, κazdπ ": from κοτορyχ imeeτ οs 5.! And φig.Ι - 4 -
изοбρажеκο два элеκτροдныχ узла 4, ιτρедсτазлягοщиχ элеκ- τροдугοвοГ: генеρаτορ πлазмеκκοн сτρзги. Элеκτροдκые уз- лы 4 ποдκлючены κ исτοчниκу б ποсτοяннοгο τοκа κ заκρеπ- δ лены κа οснοванин 3 с ποмοщью κροншτейκοв 7. Элеκτροд- ные узлы 4 усτанοвлеκн симмеτρичнο οτнοсиτельнο πлοсκο- сτп, в κοτοροй ρасποлοжена οсь 2 шиχτοцροвοда I. Ηа κаждοм κροншτейне 7 /Шреπлеκκ ποлюса 8, на κаждοм из κο- τορыχ усτанοвлеκ сοленοид 9, ποдκлюченншϊ κ исτοчниκу 10 10 τοκа. Пοлгаса 3 κаждοгο элеκτροдκοгο узла 3 ρасποлο- жены симмеτρичнο οτнοсиτельнο πлοсκοсτи, πаρаτглельнο!' οси 2 шюсτοπροвοда I и в κοτοροй ρасποлοжена οсь 5 элеκτροднοгο узла 4. Κροншτейн 7 и ποлгаса 8 выποлнеκы ΙΪЗ φеρροмагннτнοгο маτеρиала и οбρазуюτ ρазοвшнуτы : магни- Ιδ τοπροвοд, πρедсτавляющиι магниτκую сисτему усτροйсτва для πлазменнο-дуτοвοЁ οбρабοτκи маτеρиала. Κοличееτвο ρазοмκнуτыχ магниτοπροвοдοв ρавнο числу элеκτροднκχ узлοв 4.izοbρazheκο two eleκτροdnyχ assembly 4 ιτρedsτazlyagοschiχ eleκ- τροdugοvοG: geneρaτορ πlazmeκκοn sτρz and g. Eleκτροdκye nodes 4 ποdκlyucheny isτοchniκu b κ κ ποsτοyannοgο τοκa zaκρeπ- δ Lena οsnοvanin κa 3 ποmοschyu κροnshτeyκοv 7. Eleκτροd- nye nodes 4 usτanοvleκn simmeτρichnο οτnοsiτelnο πlοsκο- sτp in κοτοροy ρasποlοzhena οs 2 shiχτοtsροvοda I. Ηa κazhdοm κροnshτeyne 7 / Shreπleκκ On the 8th, on each of the ko- tostry installed the selenoid 9, the connected to the source 10 10 of the current. Every 3 electrical nodes 3 have a simplicity of space, and are fun! ' οsi 2 shyusτοπροvοda I and κοτοροy ρasποlοzhena οs 5 eleκτροdnοgο node 4. Κροnshτeyn 7 and 8 ποlgasa vyποlneκy ΙΪZ φeρροmagnnτnοgο maτeρiala and οbρazuyuτ ρazοvshnuτy: magnetically Ιδ τοπροvοd, πρedsτavlyayuschiι magniτκuyu sisτemu usτροysτva for πlazmennο-duτοvοO οbρabοτκi maτeρiala. The large open magnets are equal to the number of electrical nodes 4.
Κοнцκ ποлюсοв 8 κаждοгο ρазοшнуτοгο магниτοπροвοда 20 ρасποлοжены симмеτρичнο οτнοсиτельнο шюсκοсτи, πаρаллелъ- нοπ οси 2 шиχτοπροвοда I и в κοτοροй ρазмещена οсь 5 сοοτ- веτсτвующегο элеκτροднοгο узла 4, и κροме τοгο ρазмешень: между двумя πлοοκοсτямκ, П9ρπендиκу.7ϊяρныι.ш οси 2 πιиχτο- προвοда I, οдκа из κοτορыχ προχοдиτ чеρез τοчκу πеρесе- 25 ченпя οсе?: 5 и элеκτροдныχ узлοв 4, а дυугая - чеρез ценτρ ΒЫΧΟДΗΟЁ часτи элеκτгοдκοгο узла 4.Κοntsκ ποlyusοv 8 κazhdοgο ρazοshnuτοgο magniτοπροvοda 20 ρasποlοzheny simmeτρichnο οτnοsiτelnο shyusκοsτi, πaρallel- nοπ οsi 2 shiχτοπροvοda I and κοτοροy ρazmeschena οs 5 sοοτ- veτsτvuyuschegο eleκτροdnοgο node 4 and κροme τοgο ρazmeshen: between two πlοοκοsτyamκ, P9ρπendiκu.7ϊyaρnyι.sh οsi 2 πιiχτο- Output I, the output from the drive goes through the main switch 25th time ?: 5 and the electrical nodes 4, and the other through the center of the power supply unit 4.
Κ учасτκу κροншτейκа 7, ρасποлοженκοму между сοле- нοидамκ 9, πρиκρеπлена πланκа II, выποлненная из οеρυο- магниτнοгο маτеρиала. Κροнгτейн 7 и πлаκκа II являюτся ЗС οτвοдοм ρазοмκκуτοгο магниτοπροвοда. Κοκец πланκп II, το есτь κοнец οτвοда, ρасποлοжен между шиχτοπροвοдοм I κ сοοτвеτсτв^οщим элеκτροдным ^злο 4.Part of the unit 7, located between the village of 9, is plan II, made from an external magnetic material. Blocktein 7 and plate II are the ZC output of the disconnected magnet. End Plan II, that is, the end of the exit is located between the I and the common electrical device. Evil 4.
Ценτρ κοнца πланκи II ρасποлοжен в πлοсκοсτ*^ симмеτ- ρ:-ш κοнцοв ποлюсοв 8 даκнοгο ρазοι._κκуτοгο магκиτοπροвοдс. οлζ κсποльзуеτся το. ьκο οдκа паρ'. злеκτροдκыχ узζοτ. 4, το οсь 2 шиχτοπροвοда I ρасποлοжена πлοсκοсτн π : сκммеτρшι.Tsenτρ κοntsa πlanκi II ρasποlοzhen in πlοsκοsτ * ^ p simmeτ-: -w κοntsοv ποlyusοv 8 daκnοgο ρazοι._κκuτοgο magκiτοπροvοd with. Well, it’s being used. bastard. cerebral frizz. 4, there are 2 main circuits I located on the surface:
ΙЪли κ ποлъзуеτся две πаρы элеκτροднκχ узлοз 4
- 5 -If you are using two pairs of electrical components 4 - 5 -
(тπг.2) , το эτи πаρы ρасποлагаοτся вοκυуг οси 2 ππχτο- προвοда I с шагαг. 180 гρадусοв.(tpg.2), that these pairs are disposed of with 2 ππχτο- input I from step a 180 gadusov.
Дяя τρеχ πаρ элеκτροдныχ узлοв 4 πаг усτанавлив - 5 еτся сοοτвеτсτвеннο, 120 гρадусοΕ.Due to the fact that there are a couple of electrical nodes, there are 4 steps to install - 5, respectively, 120 units.
Зслπ исποлъзуеτся η πаρ элеκτροдныχ узлοь -, το эτи πаρы ρасποлагаюτся вοκρуг οси 2 шиχτοπροвοда I с шагοм 360 гρадусοв/ι..The device is used for electrical components - these devices are located on the unit with 2 busbars I with a step of 360 units / ι ..
Κаждый элеκτροдныГι узел 4 выποлнен в виде цижыиρи- 10 чесκοй κамеρы 12 (φиг.З) с сοпποм 13 пο οси, ценτρаπь- ныπ элеκτροдοм 14, заκρеιьденным в диэлеκτυичесκοй κυыπκе 15, и πаτυубκοм 16 для ввοда πлазмοοбρазующегο газа.Each elec- tric unit no. 4 is made in the form of a cigar-10 camcorder 12 (Fig. 3) with a 13th potentiometer;
Οсь 5 κаясдοгο элеκτροднοгο узла 4 ρасποлοжена ποд οсτρьπ.ι уτлοπ °£ κ
2 шиχτοπροвοда I, κ κοτουοзϊ 15 наπυавлены выχοдные часτи 13 (сοπла) элеκτροдныχ уз- лοв 4.Only 5 electrical nodes 4 are located on the ground. Set ° £ κ 2, I, κοτουου 15, output parts 13 (s) of the electrical nodes 4 have been identified.
Κυοншτейн 7 уκρеπлен на οснοвании 3 с ποмοщыο κρе- πеяиοгο элеменτа 17. Планκа II πρиκρешιена κ κροнιπτеϊπιу 7 с ποмοщыο κρеπежнοгο элеменτа 13. 20 Οбρабаτываемьιй маτеρиал 19 ποдаеτся чеρез шиχτο- πυοвοд I в наπρавлении сτρелκи С.Κυοnshτeyn 7 uκρeπlen on οsnοvanii 3 ποmοschyο κρe- πeyaiοgο elemenτa 17. Planκa II πρiκρeshιena κ κροnιπτeϊπιu 7 ποmοschyο κρeπezhnοgο elemenτa 13. 20 Οbρabaτyvaemιy maτeρial 19 ποdaeτsya cheρez shiχτο- πυοvοd I in naπρavlenii sτρelκi C.
Усτροйсτвο дяя плазменнο-дугοвοп οбρабοτκи маτеρиаπг ρабοτаеτ следующим οбρазοм.Constructing a plasma-arc processing machine operates the following way.
Чеρез πаτρубκи 16 (φиϊ'.З) в элеκτροдные уз.πы 4 пο- 25 даοτ газ , κοτορый выχοдиτ чеυез сοπла 13. Μевду цеκτυаτь- ныгли элеκτροдами 14 в κанщοй πаρе элеκτυοдныχ узлοв 4 заясигаοτ элеκτυο-дугοвοГι υазρяд ποсτοяннοгο τοκа οτ ис- τοчниκοв 6 ποсτοянκοгο τοκа. Б ρезульτаτе, κаждый элеκτ- ροдκый узел 4 генеρиρуеτ πлазменнуτэ сτυуτο 20, услοвнο πο- 30 κазанную на φиг.3,5. Плазменные сτρуи 20 πυи сχοждени г οбρазуюτ зοну 21 смешения и πлазменныГ: ποτοκ 22.Cheρez πaτρubκi 16 (φiϊ'.Z) in eleκτροdnye uz.πy 4 pο- 25 daοτ gas κοτορy vyχοdiτ cheυez sοπla 13. Μevdu tseκτυaτ- nygli eleκτροdami 14 κanschοy πaρe eleκτυοdnyχ uzlοv zayasigaοτ eleκτυο 4-dugοvοGι υazρyad ποsτοyannοgο τοκa οτ used τοchniκοv 6th fast. As a result, each electrical node 4 generates a plasma with a speed of 20, conventionally 30-30 shown in Fig. 3.5. Plasma streams 20 πυ and descend to a zone of 21 mixing and plasma:: 22.
Β сοленοиды 2 οτ исτοчниκοв 10 τοκа ποдаτοτ элеκτρи- чесκш: τοκ и вοκρзτ κа-здοι: нлазменнοГ: сτρуи οбρазуτοτся магниτные ποля между οοοτреτсτвуюшигш κοнцаш ποлюсοв Г г .т-гч'. ττ >-Β Celenoids 2 source 10 of the output of electric power is also: current and health: non-plasma: the magnetic field is not disturbed; ττ> -
ΗаπρаΕление элеκτυичесκοгο τοκа в сοленοидаχ ? вьτбч- ρаюτ τаκим οбρазοιл, чτοбы сила Г * Ε (шиг.4) , дейсτв^ющая
- 6 -Is there an increase in electricity in the village? that is, so that the power of G * Ε (Shig. 4) is valid - 6 -
на данную πлазменную сτρую 20 (ηπг.З) сο сτοροκы .τаг- ниτнοгο ποля Β - (ωиг.4) нежду сοοτвеτсτвуюшмϊ- ποлгο- са.__г С, была нацρавлена οτ шиχτοπροвοда I. δ Βследсτвие οτвеτвления часτи магниτнοгο ποτοκа, сοздаваемοгο сοленοядами 9 (φиг.З), в οτвοд, между οτ- вοдοм и κаждοιϊ из сοοτвеτсτв^οιлей πаρы ποлюсοв 8 τаκ- же вοзниκаюτ магниτные ποля Β" τ и"Β9 (φиг.4), зследсτвπе чегο на шгазменную сτρую 20 дейсτвуюτ дοποлниτельные сκль:to this πlazmennuyu sτρuyu 20 (ηπg.Z) sο sτοροκy .τag- niτnοgο ποlya Β - (ωig.4) nezhdu sοοτveτsτvuyushmϊ- ποlgο- ca r .__ C was natsρavlena οτ shiχτοπροvοda I. δ Βsledsτvie οτveτvleniya chasτi magniτnοgο ποτοκa, sοzdavaemοgο sοlenοyadami 9 (fig. W), in the case, between the output and each of the components of the plus 8, it is also possible to observe the magnetic field Β " τ and " Β 9 immediately. :
10 IV __ Ρρ сοοτвеτсτвеннο. Β ρезульτаτе, на шгазменную сτρугο 20 дейсτвуеτ суτыаρная сила Ρ9, ρавная веκτορнοй сум- ме:10 IV __ сρ is relevant. Β As a result, for a long turn of 20, there is an effective force of, 9 , equal to the total amount:
Чοд дейсτвием сил *_?__ πлазменные сτρуи 20 (φиг.З) οτκлοняюτся οτ πеρвοначадьныχ наπρавлений вдοль οсеι: 15 элеκτροдныχ узлοв 4. Пοдбиρая значения τοκοв в сοленο- идаχ 9 наπρавляюτ все πлазменные сτρуи 20 τаκ, чτοбы иχ οси былπ πаρаιлельκο οси 2 шиχτοπροвοда I, или, ус- τанавливая значения τοκοв в сοленοидаχ 9 πο οπυеделеныοГ: χιροгρаше, οс*щесτвляюτ магниτнοе сκаниυοвание πлазмен- 20 κым ποτοκοм 22.Chοd deysτviem forces * _ __ πlazmennye sτρui 20 (φig.Z) οτκlοnyayuτsya οτ πeρvοnachadnyχ naπρavleny vdοl οseι: 15 eleκτροdnyχ uzlοv 4. Pοdbiρaya values τοκοv in sοlenο- idaχ 9 naπρavlyayuτ all πlazmennye sτρui 20 τaκ, chτοby iχ οsi bylπ πaρaιlelκο οsi 2 shiχτοπροvοda I, or, setting the values of the values in the selenoid 9 πο οπυdetermined: χιροграше, os * imitate magnetic scanning of plasma on the 20th 20.
Пρи эτοм мевду изгибаемыми πлазменκыми сτρуями 20 г месτе иχ сχοждения οбρазуеτся зοна 21 с.τешения с οб- ласτыο ποнижеκнοгο днвления. Βвοдшыи οбρабаτываемый ма- τеρиал 19, выχοдя из ιπиχτοцροвοда I, ποπадаеτ в οбласτьWith this bend of bendable plasma jets 20 g where there is a descent, a zone of 21 solutions from the low-pressure area will be used. Processed material 19, coming out of the output I, falls into the area
2δ ποниженыοгο давления и вτягиваеτся чеρез зοну 21 смеше- ния в πлазменный ποτοκ 22, сοсτοящии из πаρаτϊлельныχ πлазменκыχ сτρуй 20, ρасποлοженныχ вοκυуг οси 2 шиχτο- προвοда I. Смешиваясь дρуг с дρ*уτοм, πлазменκые сτρуτι 20 οбρазуюτ за^шнуτый шгазменный κанал, οсь κοτοροгο сοв-2δ ποnizhenyοgο pressure and vτyagivaeτsya cheρez zοnu 21 smeshe- Nia in πlazmenny ποτοκ 22 sοsτοyaschii of πaρaτϊlelnyχ πlazmenκyχ sτρuy 20 ρasποlοzhennyχ vοκυug οsi 2 shiχτο- προvοda I. Mixing dρug with dρ * uτοm, πlazmenκye sτρuτι 20 οbρazuyuτ for ^ shnuτy shgazmenny κanal, οs κοτοροг sov-
30 πадаеτ с οсью 2 шиχτοπροвοда I, вдοлъ κοτουыг ввο,дяτ οб- ρабаτываемыι: маτеρиад 19. Пρи ποπадании в πлазменныГ κя- κад маτеυиал 19 οκазываеτся οκρуженным сο всеχ сτουοн шгазменныии сτρуши 20 с бοлее высοκим диκамичесκш.' дав- леыием, чем в ценτρаπьнοϊ часτи ποτοκа 22. Β υезульτаτе30 is delivered with a 2-speed drive, along with the quick start, the hardware is 19. The fall in the game is completely unacceptable. more than in the central part of the process 22. Yes, as a result
Зδ οбρабаτьгоаемы∑ маτеυиад 19 удеρживаеτся в πρиοсевοГι ценτ-
- 7 -On the other hand, the matteiad 19 is kept at a natural center. - 7 -
ρальнοй часτи πлазменнοгο κанала, в το же вρемя ус- κορяясь деижущейся πлазмοϊϊ и инτенсивнο и ρавнοмеρнο προгρеваясь πο меρе движения вдοль πлазменнοгο κанала.The other part of the plasma channel, at the same time, is accelerated by a moving plasma and intensively and equally warming up along the course of the plasma channel.
5 Τаκигл οбρазοм, οτсуτсτвие элеменτοв κοнсτρуκции, усτροйсτва κοнτаκτιгоугощиχ с πлазменным κаналοπ, ποзвοля- еτ ввοдиτъ и οбρабаτываτь маτеρиалы, имеющие в πлазмен- κοм сοсτοянии высοκую χтшчесκую аκτивнοсτь.5 Playing, lack of elements of a compromise, devices for threatening with plasma
Пοдбиρая значения τοκοв сοленοидοв 9, мοжнο τаκжеBy adjusting the values of solenoids 9, it may also
10 наπρавиτь все πлазменные сτρуи 20 в κаπρавлении, οτли- чагощемся οτ ценτρаτгьнοгο наπρавления, сοвπадаιοщегο с οсью 2 шиχτοπροвοда I, на неκοτορκй угοл β (φиг.5), сοχρаняя πρи эτοм сτρуκτуρу πлазменнοгο ποτοκа Ε виде κанаа.10 naπρaviτ all πlazmennye sτρui 20 κaπρavlenii, οτli- chagoschemsya οτ tsenτρaτgnοgο naπρavleniya, sοvπadaιοschegο with οsyu 2 shiχτοπροvοda I, in neκοτορκy ugοl β (φig.5) sοχρanyaya πρi eτοm sτρuκτuρu πlazmennοgο ποτοκa Ε κanaa form.
15 Дοсτοинсτвο заявляеιюгο усτροйсτва в τοιл, чτο, еслп магниτнοе ποле Β (ωиг.4) сοздаеτся сοвмесτыο οбοими сοленοидами 9, το κаждοе ποле Βу и !.-> сοздаеτся τοльκο οдншл сοοτвеτсτвующим сοлзнοидοм 9. Τаκим οбρазοм, из- меняя сοοτнοшение величшι τοκοв в сοленοидаχ 9 οднοιϊ πаρы15 Dοsτοinsτvο zayavlyaeιyugο usτροysτva in τοιl, chτο, eslp magniτnοe ποle Β (ωig.4) sοzdaeτsya sοvmesτyο οbοimi sοlenοidami 9, το κazhdοe ποle Βu and! .-> sοzdaeτsya τοlκο οdnshl sοοτveτsτvuyuschim sοlznοidοm 9. Τaκim οbρazοm, by changing the sοοτnοshenie velichshι τοκοv in Selenoid x 9 paparay
20 нο не меняя величины суммы τοκοв в эτοιϊ πаρе (в πρедποлο- жении, чτο сοленοиды 9 οдшгаκοвы), мοжнο изменяτь сοοτ- веτсτвугощи... οбρазοм сοοτнοιгение значениκ сил ?_ и не изменяя значения силы "_?_, .20 nο without changing the value of the sum in τοκοv eτοιϊ πaρe (in πρedποlο- zhenii, chτο sοlenοidy 9 οdshgaκοvy) mοzhnο izmenyaτ sοοτ- veτsτvugoschi ... οbρazοm sοοτnοιgenie znacheniκ forces? _ And without changing the values of the force "_? _.
Эτο ποзвοляеτ смещаτь πлазмеκнуго сτρзπο 20, сοοτвеτ-This makes it possible to displace the plasma column 20, according to
25 сτвеннο, вдοль οси γ , не изменяя ее ποлοжение в наπρаь- лении οси I.25 p., Along the axis γ, without changing its location in the direction of axis I.
Β ρезульτаτе ρасшиρ τся φуκκциοналъные вοзмοянοсτл усτροπсτва, τаκ κаκ мοжнο независимο κορρеκτиροваτь ποлο- жение κаждοй πлазменнοй сτρуи для φοριяиροвания τρебуемο:"As a result, the functional capabilities of the device are expanded, as it is possible to independently operate the plasma platform for each plasma
30 πο τеχκοлοгии οбρабοτκи κοнφигуρации суммаρнοгο πлаз- меннοгο ποτοκа, чτο οсοбеннο важнο πρи значиτельныχ уг- лοвыχ οτκлοненияχ суммаρнοгο πлазменнοгο ποτοκа вο вρемя магниτнοгο сκаниροвания.30 methods of processing the total amount of plasma, which is especially important for significant angles of the magnitude of the increase
Εаличие магниτныχ ποлеι: Βτ и Б, τаκже οбесπечиваеτThe presence of magnetic fields: Β τ and B, also provides
35 сτаόилизацию плазменнοπ сτρуι-ι 20 в заданнοм ποлοженш:, πρи κοτοροм уρавнивагоτся προτивοποлοжнο ыаπρавленшιе сοс- τавляющие сил ¥-- и Τ2 вдοль οси Г . Сτабилизация
οбус.οвлена τеι._, чτο πρн случашшχ οτκ.τοненияχ π.τазмеκнοГ" сτρуζ 20 влевο или πρавο вдοль οс*τ χ вοзρасτаеτ сοοτ- ρэτсτвующая снда ϊ πлπ > ? ρезульτаτе чегο35 stabilization of plasma plasma-v 20 at a given location: at the same time, equilibrium is reliably equip- mented, which increases their strength and lasts 2 years. Stabilization οbus.οvlena τeι._, chτο πρn sluchashshχ οτκ.τοneniyaχ π.τazmeκnοG "sτρuζ 20 vlevο or πρavο vdοl οs * τ χ vοzρasτaeτ sοοτ- ρeτsτvuyuschaya snda ϊ πlπ>? ρezulτaτe chegο
5 с вοззρашаеτся κ заданнοму ποлοжению, в κοτοροм сοсτавляющие вдοль οси X эτиχ сπл κοгшенсиρуюτся.5 with a return to the given position, in the case of which, in addition to the X, these are unacceptable.
Заявляемοе ρасποлοжение ποлюсοв 8 ι.ιагниτыο сисτе_ы π κοκца οτвοда οбесπечиваюτ τаκ∑-се ποвыиение сτабилиза- цш κг θ!. πжазменнοϊ сτρуи 20 и в нацρавлении I.Declare the use of the advantages of the 8th and the hard drive systems ensure that the stabilization process is stabilized !. jailbrook 20 and nation I.
10 Иτазτ.енная сτρуя 20 смещаеτся вдοль οси I ποд деГ- сτвием суιялн τρеχ сил: сοздаваемοГ: магниτным ποлем 3 _: двух сοсτавляющиχ вдοль ΟСΕ X магниτнχ ποлеГ: Зτ н 3-, π занимаеτ в προсτρансτве ποлοжение, в κοτοροм згρа-?- κοвеΕШва-эτся суτлмаρκая сила элеκτροмагниτнοгο взаиглο-10 Iτazτ.ennaya sτρuya 20 smeschaeτsya vdοl οsi I ποd deG- sτviem suιyaln τρeχ forces: sοzdavaemοG: magniτnym ποlem 3 _: two sοsτavlyayuschiχ vdοl ΟSΕ X magniτnχ ποleG: W τ n 3-, π zanimaeτ in προsτρansτve ποlοzhenie in κοτοροm zgρa-? - The seam is the ultimate strength of an electromagnet ignited
Ιδ деιιсτвпя π сила газοдинаιличесκοЁ κвазиуπρугοсτи πзгиба- емοгο ποτοκа двшущегοся газа (πлазмы). _Ιδ deivist π is the power of a gas-driven gas quasi-bending of bending gas flow (plasma). _
Зсли бы в згсτρο1сτвэ былο τοльκο οднο ποле Β, το πρι: случашюм οτκлοнениπ сτρуи 20 в сτοροну вοзρасτания индгκции 3 (вκиз πο οси Σ на φиг.4), сила элеκτροмагшτ-Zsli would be of g sτρο1sτve bylο τοlκο οdnο ποle Β, το πρι: sluchashyum οτκlοneniπ sτρui 20 sτοροnu vοzρasτaniya indgκtsii 3 (vκiz πο οsi Σ φig.4 on), the power eleκτροmagshτ-
20 нοгο взаιшэдейсτвия ρезκο вοзρасτаеτ и πρевышаеτ силу газοдинаιτичесκοГ: κвазиуπρугοсτи. Β ρезульτаτе, величина
οτκлοнения сτρуζ 20 вοзρасτаеτ. Αналοгичнο вοзρасτаеτ неκелаτельнοе οτκлοнение сτρуи 20 и πρπ слу- чаГ∑нοм маτοм смещении в сτοροну уменьρгения шπτκциζ 320 nogo vzadeshadeystviya immediately grows and increases the power of gas dynamic: quasi-utilization. Β Result, the value Failure to get out of business takes place 20. Similarly, an unwanted deviation of line 20 and, in the case of a sudden small shift to a decrease in the length of 3, is generated.
25 (ввеρχ πο οси I κа ωиг.4) ζз-за снижения еилн элеκτρο- магκиτнοгο взаимοдеисτвия πο сρавненигэ с силοϊι гидρο,ди- намичесκοπ κвазщщρугοсτи.25 (at the end of the first Iig. 4) ζ due to the reduction of electronic power, the magnetic interaction is comparable with the strength of the hydraulics, which is dynamically coupled.
3 заявляемοм усτροйсτве ποлοκение сτρуи 20 бοлее сτабильнο. Пρи случашюм малοм смещении сτρуи 20 в сτο-3 Declared device positioning of the stream 20 is more stable. With a small displacement of the stream 20 in the case
ЗС ροну узеличения ποля Β" οд.ювρемэнκο уτ.ϊеньша_οτся Β- иZS to the extent of the narrowing of the field Β " ο.
"39, п наοбοροτ. Βследсτвнэ эτοгο суммаρная сила элеκτρο- магниτκοгο взаимοдеисτвия сτρуи 20 κ τяагниτныχ ποлег 3, 3-, З измеκяеτся κезь:ачπτе.τьκο, и случаϊ-шые ιлалые οτκ- лοненπя сτρуп 20 οτ ρавнοьесκοгο ποлοяεения нэ увелτчив?- η — *-**_' •ЭΤСЯ.. "3 9 n naοbοροτ Βsledsτvne eτοgο summaρnaya force eleκτρο- magniτκοgο vzaimοdeisτviya sτρui 20 κ τyaagniτnyχ ποleg 3, 3, W izmeκyaeτsya κez: achπτe.τκο and sluchaϊ-shye ιlalye οτκ- lοnenπya sτρup 20 οτ ρavnοesκοgο ποlοyaεeniya ne uvelτchiv - η - * - * * _ ' • ΤΤСЯ.
3 ρезульτаτе, заявляемοе усτροйсτвο οбэсπэчиваэτ бοлее высοκуιο вοсπροπзвοдиποсτ , задаκныχ ρежигяοΞ πлаз- меннοГ: οбρабοτκπ, Ε, сοοτвеτсτвенκο, κачесτвο выχοднοгο ιгοοдτΕτа.
- ο — ρеуеι.^ πο τеχнοлοгии οбρабοτκп τе:шеρаτуρзτ πлаз- ι.иι Ε ценτρе суммаρнοгο ποτοκа ποлучаτοτ, изменяя значеκия элеκτρичесκиχ τοκοв в дугаχ, ρасχοды газοг чеρез элеκ-3 The result is that the claimed device is more efficient and has a higher output, which indicates that the plasma burner is inactive: - ο - ^ πο ρeueι τeχnοlοgii οbρabοτκp Te: T sheρaτuρz πlaz- ι.iι Ε tsenτρe summaρnοgο ποτοκa ποlucha τ οτ, changing znacheκiya eleκτρichesκiχ τοκοv in dugaχ, ρasχοdy gazοg cheρez eleκ-.
5 τροдные узлы, величиι:ы οτκлοнениГ: πлазменныχ сτρуι: οτ οси суммаρнοгο ποτοκа и υассτοяниπ иэжду элеκτροднымι: Згзлами 4 и шиχτοπροвοдοм I ποлъзуясь извесτнымπ ρе- κοмеыдациями.5 τροdnye nodes velichiι: s οτκlοneniG: πlazmennyχ sτρuι: οτ οsi summaρnοgο ποτοκa and υassτοyaniπ iezhdu eleκτροdnymι: W 4 g evils and shiχτοπροvοdοm I ποlzuyas izvesτnymπ ρe- κοmeydatsiyami.
Дτя значениГ: элеκτρичесκиχ τοκοв в дуτаχ 80-250 ,For a value of: electric currents in 80-250,
Ю ρасχοдοв газοв (аρгοна, азοτа) - ΟД-6 ι/тϊη чеυез элеκτροдныГ: узел, ρассτοяншι межлу сυезами сοπел элеκτ- ροдныχ узлοв 0,02-0,1 т , углοв мемду οсями элеκτυοд- ныχ узлοв и οсыο шиχτοπυοвοда 30-60 гυад, ве.τичины ин- дуκциι: магниτныχ ποлеГ: сοсτавляли: Β=(2-Ι5)χΙ0~3 ~;South gas outlet (argon, nitrogen) - Ο Д-6 ι / тϊη through electrical units: unit, the distance between the units has been exhausted 0.02-0.1 tons , but the unit has to be operated gvad, the main reasons for the induction: the magnetic field: were: Β = (2-Ι5) χΙ0 ~ 3 ~ ;
Ι5 Βτ=Β2(0,5-Ι0)χΙ0-3 Τ. Ι5 Β τ = Β 2 (0,5-Ι0) χΙ0- 3 Τ.
Заявляемοе згсτροйсτρο ποзвοляеτ ποвысиτь κачесτвο πлазменнο-дуτοвοπ οбρабοτκи κаκ дисπеρсныχ маτеρπалοв, τаκ и ποвеυχнοсτеГ: издели:. за счеτ ул*учшения вοсπυοиз- вοдимοсτи πаρамеτροв πлазменнοгο ποτοκа, а τаκже ρас-Zayavlyaemοe g of sτροysτρο ποzvοlyaeτ ποvysiτ κachesτvο πlazmennο-duτοvοπ οbρabοτκi κaκ disπeρsnyχ maτeρπalοv, and τaκ ποveυχnοsτeG: product :. due to st * studies of the manufacture of plasma products, as well as
20 πиρиτь ΒΟЗΜΟΕΗΟСΤИ πρименеκия усτροйсτва πρи οбρабοτκе ποвеυχнοсτеπ издел й из-за улучшения уιιρавляемοсτπ πτаз- менныχ сτρуй πρи магниτнοм сκаниροвании. Пυοсτοτа згсτυοГ- сτва οбесπечиваеτ надезшοсτь эκсπлуаτации и егο деπевиз-20 TAKING USE THE APPLICATION OF USING YOUR PRODUCT BECAUSE OF THE IMPROVEMENT OF OPERATING THE VARIABLE STRUCTURE OF THE MAGNET Pυοsτοτa g of sτυοG- sτva οbesπechivaeτ nadezshοsτ eκsπluaτatsii and egο deπeviz-
25 Пροмышленная πρименимοс τь лзοбρеτеκие мοжеτ быτь исποльзοванο в χимичесκοι:, элеκτροннοй προмышлеκнοсτи, в машинοсτροэнии, πρибορο- сτροении, в меτаллуρгии, в сельсκοм χοзяйсτве , в меди- цине для πлазмο-τеρмичесκοГ и πлазιлο-χиг_ичесκοГ οбυабοτ-25 Pροmyshlennaya πρimenimοs τ lzοbρeτeκie mοzheτ byτ isποlzοvanο in χimichesκοι :, eleκτροnnοy προmyshleκnοsτi in mashinοsτροenii, πρibορο- sτροenii in meτalluρgii in selsκοm χοzyaysτve, in medicine for πlazmο τeρmichesκοG-and-πlazιlο χig_ichesκοG οbυabοτ-
30 κп мелκοдисπеρсныχ маτеρπгτοв, аэροзοлеГ, πаροз ρазлич- ныχ сοе,дннени__ πлн смесеГ газοв, наπρимеρ, на οπеρацιшτ- синτеза маτеυπалοз шш мοцисδиκации иχ СΒΟЙСΤΕ . Κροме τοгο, изοбρеτение мο;г.еτ быτь πρимеκенο для πлазменнοГ οбρабοτκн ποвеρχнοсτеГ πздс.τиГ:. наπρимеρ, ι:я οπеρацг-30 small components, aerosol, a variety of different days, a mixture of gases, for example, for the synthesis of processes. Otherwise, the invention is; it is not intended for a plasma processing unit. for example, ι: I οπеρацг-
35 я_ι наπыления πз πουοπκοв ιιли οса дения из πаροв πленοι. υаз лζчныχ сοединенπГ:, и.τи πτазмο-χим ϊчесκοгο τρавτения ποвеρ^ нοсτеι: деτалеπ.
35 I_ι spraying πз πουοπκο ιι or spraying from dust аз л аз л ч ч с:::::, и:, and it’s clean and tidy of the house of business: detail.
Claims
- 10 - οΟΡΜУЛ'Ι ΙΙ30Б?__Τ__Η_ΙЯ- 10 - οΟΡΜУЛ ' Ι ΙΙ30Б? __ Τ__Η_ΗЯ
Усτροйсτвο дзш πлазиеннο-τг^гοзοГ: οбρа-Зοτκ: г..аτеρ_τ- ала, сοдеρжацее шиχτοиροвοд (I) п элеκτροдугοвые генеρа- δ τορы шτазмеκκыχ сτρу.-, ρасπο_τοжен__ые симиеτριчнο вοκρуг οсн (2) шπχτοιгροвοд?. (I), ο τ ι и . а . π е е с .. τе_.:, чτο οнο сοдеρΕϊϊτ магниτную сисτему, а κацщ∑Ё элеκτροду- гοвοι: геκеρаτορ шгазменκοπ сτρуп выποлнен πз двуχ элеκτ- ροдныχ узлοв (4), οсιг (5) κοτορыχ, ρасποлο&ены ποд οсτ- 10 ρым уτлοм °° κ οсιг (2) шпχτοπροвοда (I), κ κοτοροπ наπ- ρавлены выχοдные часτи (13) элеκτροдκыχ узлοз (4), усτа- нοвленныχ сишеτρичнο οτнοсиτельнο πлοсκοсτχ, в κοτοροι: ρасποлοзсена οсь (2) шиχτοπροвοда (I), πρ: эτοм маг- ниτная сисτема выποлнена в виде ρазοмκнуτыχ 'магниτοцρο-Usτροysτvο differential bus protection πlaziennο-τg ^ gοzοG: οbρa-Zοτκ: g..aτeρ_τ- ala, sοdeρzhatsee shiχτοiροvοd (I) n eleκτροdugοvye geneρa- δ τορy shτazmeκκyχ sτρu.-, ρasπο_τοzhen__ye simieτριchnο vοκρug οsn (2) shπχτοιgροvοd ?. (I), ο τ ι and. a . more ... uτlοm °° κ οsιg (2) shpχτοπροvοda (I), κ κοτοροπ naπ- ρavleny vyχοdnye chasτi (13) eleκτροdκyχ uzlοz (4) usτa- nοvlennyχ sisheτρichnο οτnοsiτelnο πlοsκοsτχ in κοτοροι: ρasποlοzsena οs (2) shiχτοπροvοda (I), πρ : this magnetic system is implemented in the form of an open 'magnetic'
Ιδ ΒΟДΟБ в κοличесτве, ρавнοм числу элеκτροдннχ узлοв (4), цρичем на κацдσм ποлюсе (8) κаждοгο ρазοмκнуτοгο магκя- τοцροвοда усτанοвлен сοленοид (9), κοнцы ποлюсοв (ο) κаждοгο ρазοмκнуτοгο магниτοιгροвοда ρасποлοжеκн симмеτ- ρлчнο οτнοсиτельнο πлοсκοсτи, πаρаллельнοй οси (2) шиχ- 0 τοцροвοда (I) π в κοτοροГ∑ ρазмещена οсь (5) сοοτвеτсτв;гο- щегο элеκτροднοгο узла (4), и, κροме τοгο, ρазмещены глевду деумя ШΙΟСΚΟСΤЯΓШ, πеρπендиκуляρнымπ οси (2) шκχ- τοιгροвοда (I), οдна из κοτορыχ προχοдиτ чеρез τοчκу πеρе- сечеκия οееΙ: (δ) элеκτροдΕϊЫχ узлοв (4), а дρугая - чеρеε5 ценτρ τορцевοи πлοсκοсτи вκχοднοι. часτи (13) элеκτροдκο- гο узла (4), цρичем ^асτο κаждοгο ρазοмκнуτοгο магκι-ι- τοцροвοда между сοленοидагя. (8) снабяен ωеρροмагκиτны οτвοдοн, κοнец κοτοροгο ρасποлοжен ме ιу οсыα (2) шиχτο- προвοда (I) и сοοτвеτсτвлπ-Ц-Ш элеκτροдньιи узлοм (4), а0 ценτρ κοнца οτвοда ρасποлοκен в πлοсκοсτи сшιмеτρии πο- лζοсοв (Б) даннοгο ρазο.._κκуτοгο магниτοπροзοда.
Ιδ ΒΟDΟB in κοlichesτve, ρavnοm number eleκτροdnnχ uzlοv (4), on tsρichem κatsdσm ποlyuse (8) κazhdοgο ρazοmκnuτοgο magκya- τοtsροvοda usτanοvlen sοlenοid (9) κοntsy ποlyusοv (ο) κazhdοgο ρazοmκnuτοgο magniτοιgροvοda ρasποlοzheκn simmeτ- ρlchnο οτnοsiτelnο πlοsκοsτi, πaρallelnοy οsi (2 ) wider (0) circuit (I) in the room is located (5); the main electrical unit (4), and, moreover, is located One of the drive points is through the end of the cross-section: (δ) power nodes (4), and the other - more 5 center of the area in the area. parts (13) of the electric unit (4), therefore, it is always disconnected between the selenoidag. (8) snabyaen ωeρροmagκiτny οτvοdοn, κοnets κοτοροgο ρasποlοzhen IU ιu οsyα (2) shiχτο- προvοda (I) and sοοτveτsτvlπ-C-W eleκτροdnιi uzlοm (4), a0 tsenτρ κοntsa οτvοda ρasποlοκen in πlοsκοsτi sshιmeτρii πο- lζοsοv (B) dannοgο ρazο .._ a short magnet.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/SU1990/000287 WO1992012610A1 (en) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | Device for plasma-arc processing of material |
| GB9316309A GB2271044B (en) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | Apparatus for plasma-arc machining |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/SU1990/000287 WO1992012610A1 (en) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | Device for plasma-arc processing of material |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO1992012610A1 true WO1992012610A1 (en) | 1992-07-23 |
Family
ID=21617724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/SU1990/000287 WO1992012610A1 (en) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | Device for plasma-arc processing of material |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| GB (1) | GB2271044B (en) |
| WO (1) | WO1992012610A1 (en) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996023394A1 (en) * | 1995-01-26 | 1996-08-01 | ZAKRYTOE AKTSIONERNOE OBSCHESTVO PROIZVODSTVENNAYA FIRMA 'Az' | Device for generating a plasma stream |
| US5767627A (en) * | 1997-01-09 | 1998-06-16 | Trusi Technologies, Llc | Plasma generation and plasma processing of materials |
| US6040548A (en) * | 1996-05-31 | 2000-03-21 | Ipec Precision, Inc. | Apparatus for generating and deflecting a plasma jet |
| US6139678A (en) * | 1997-11-20 | 2000-10-31 | Trusi Technologies, Llc | Plasma processing methods and apparatus |
| US6168697B1 (en) | 1998-03-10 | 2001-01-02 | Trusi Technologies Llc | Holders suitable to hold articles during processing and article processing methods |
| US6238587B1 (en) | 1996-05-31 | 2001-05-29 | Ipec Precison, Inc. | Method for treating articles with a plasma jet |
| US6261375B1 (en) | 1999-05-19 | 2001-07-17 | Tru-Si Technologies, Inc. | Plasma processing methods and apparatus |
| US6423923B1 (en) | 2000-08-04 | 2002-07-23 | Tru-Si Technologies, Inc. | Monitoring and controlling separate plasma jets to achieve desired properties in a combined stream |
| US6660643B1 (en) | 1999-03-03 | 2003-12-09 | Rwe Schott Solar, Inc. | Etching of semiconductor wafer edges |
| US6749764B1 (en) | 2000-11-14 | 2004-06-15 | Tru-Si Technologies, Inc. | Plasma processing comprising three rotational motions of an article being processed |
| US7491344B2 (en) * | 2002-11-07 | 2009-02-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for etching an object using a plasma and an object etched by a plasma |
| JP2010511285A (en) * | 2006-11-28 | 2010-04-08 | ウラジミール・イー・ベラシュチェンコ | Plasma apparatus and system |
| EP2270846A2 (en) | 1996-10-29 | 2011-01-05 | Tru-Si Technologies Inc. | Integrated circuits and methods for their fabrication |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FI954843A (en) * | 1995-10-11 | 1997-04-12 | Valtion Teknillinen | Method and apparatus for forming plasma |
| WO1997018694A1 (en) * | 1995-11-13 | 1997-05-22 | Ist Instant Surface Technology S.A. | Plasma jet reactor |
| ES2150693T3 (en) * | 1995-11-13 | 2000-12-01 | Ist Instant Surface Technology | PLASMA GENERATOR WITH FOUR NOZZLES FOR THE FORMATION OF AN ACTIVATED JET. |
| AU4274196A (en) * | 1995-11-27 | 1997-06-19 | Volgogradskoe Otkrytoe Aktsionernoe Obschestvo "Khimprom" | Process for obtaining titanium dioxide and a plasmo-chemical reactor for carrying out said process |
| GB2324196B (en) * | 1997-04-09 | 2001-10-24 | Aea Technology Plc | Plasma processing |
| EP0914560B1 (en) * | 1997-05-23 | 2005-08-24 | Société Nationale d'Etude et de Construction de Moteurs d' Aviation | Ion thruster with a DEVICE FOR CONCENTRATING ION BEAMS |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2622029A1 (en) * | 1975-05-20 | 1976-12-02 | Soudure Autogene Elect | DEVICE FOR GENERATING A HIGH-TEMPERATURE PLASMA |
| GB1525393A (en) * | 1974-10-02 | 1978-09-20 | Daido Steel Co Ltd | Heat treating apparatus and method |
| EP0075953A1 (en) * | 1981-09-30 | 1983-04-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plasma devices |
| DE3805732A1 (en) * | 1988-02-24 | 1989-09-07 | Linde Ag | Plasma burner |
-
1990
- 1990-12-26 WO PCT/SU1990/000287 patent/WO1992012610A1/en unknown
- 1990-12-26 GB GB9316309A patent/GB2271044B/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1525393A (en) * | 1974-10-02 | 1978-09-20 | Daido Steel Co Ltd | Heat treating apparatus and method |
| DE2622029A1 (en) * | 1975-05-20 | 1976-12-02 | Soudure Autogene Elect | DEVICE FOR GENERATING A HIGH-TEMPERATURE PLASMA |
| EP0075953A1 (en) * | 1981-09-30 | 1983-04-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plasma devices |
| DE3805732A1 (en) * | 1988-02-24 | 1989-09-07 | Linde Ag | Plasma burner |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996023394A1 (en) * | 1995-01-26 | 1996-08-01 | ZAKRYTOE AKTSIONERNOE OBSCHESTVO PROIZVODSTVENNAYA FIRMA 'Az' | Device for generating a plasma stream |
| US6040548A (en) * | 1996-05-31 | 2000-03-21 | Ipec Precision, Inc. | Apparatus for generating and deflecting a plasma jet |
| US6238587B1 (en) | 1996-05-31 | 2001-05-29 | Ipec Precison, Inc. | Method for treating articles with a plasma jet |
| EP2270845A2 (en) | 1996-10-29 | 2011-01-05 | Tru-Si Technologies Inc. | Integrated circuits and methods for their fabrication |
| EP2270846A2 (en) | 1996-10-29 | 2011-01-05 | Tru-Si Technologies Inc. | Integrated circuits and methods for their fabrication |
| US5767627A (en) * | 1997-01-09 | 1998-06-16 | Trusi Technologies, Llc | Plasma generation and plasma processing of materials |
| WO1998031038A1 (en) | 1997-01-09 | 1998-07-16 | Trusi Technologies, Llc | Plasma generation and plasma processing of materials |
| US6627039B1 (en) | 1997-11-20 | 2003-09-30 | Tru-Si Technologies, Inc. | Plasma processing methods and apparatus |
| US6139678A (en) * | 1997-11-20 | 2000-10-31 | Trusi Technologies, Llc | Plasma processing methods and apparatus |
| US6323134B1 (en) | 1997-11-20 | 2001-11-27 | Tru-Si Technologies, Inc. | Plasma processing methods and apparatus |
| US7179397B2 (en) | 1997-11-20 | 2007-02-20 | Tru-Si Technologies, Inc. | Plasma processing methods and apparatus |
| US6168697B1 (en) | 1998-03-10 | 2001-01-02 | Trusi Technologies Llc | Holders suitable to hold articles during processing and article processing methods |
| US6660643B1 (en) | 1999-03-03 | 2003-12-09 | Rwe Schott Solar, Inc. | Etching of semiconductor wafer edges |
| US6287976B1 (en) | 1999-05-19 | 2001-09-11 | Tru-Si Technologies, Inc. | Plasma processing methods and apparatus |
| US6261375B1 (en) | 1999-05-19 | 2001-07-17 | Tru-Si Technologies, Inc. | Plasma processing methods and apparatus |
| US6541729B2 (en) | 2000-08-04 | 2003-04-01 | Tru-Si Technologies, Inc. | Monitoring and controlling separate plasma jets to achieve desired properties in a combined stream |
| US6423923B1 (en) | 2000-08-04 | 2002-07-23 | Tru-Si Technologies, Inc. | Monitoring and controlling separate plasma jets to achieve desired properties in a combined stream |
| US6749764B1 (en) | 2000-11-14 | 2004-06-15 | Tru-Si Technologies, Inc. | Plasma processing comprising three rotational motions of an article being processed |
| US7491344B2 (en) * | 2002-11-07 | 2009-02-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for etching an object using a plasma and an object etched by a plasma |
| JP2010511285A (en) * | 2006-11-28 | 2010-04-08 | ウラジミール・イー・ベラシュチェンコ | Plasma apparatus and system |
| KR101495199B1 (en) | 2006-11-28 | 2015-02-24 | 블라디미르 이. 벨라쉬첸코 | Plasma apparatus and system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB9316309D0 (en) | 1993-09-22 |
| GB2271044B (en) | 1995-06-21 |
| GB2271044A (en) | 1994-03-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO1992012610A1 (en) | Device for plasma-arc processing of material | |
| US6040548A (en) | Apparatus for generating and deflecting a plasma jet | |
| WO1992012273A1 (en) | Method and device for plasma processing of material | |
| KR100226381B1 (en) | System for magnetic ion beam scanning and implanting | |
| US7741577B2 (en) | Modular hybrid plasma reactor and related systems and methods | |
| US7031133B2 (en) | Aerosol charge altering device | |
| JP6284825B2 (en) | Plasma processing equipment | |
| KR100479374B1 (en) | Ion beam implantation using conical magnetic scanning | |
| TW200305185A (en) | Ion beam mass separation filter and its mass separation method, and ion source using the same | |
| KR930001351A (en) | Plasma Processors and Methods Using Electromagnetic RF Connections | |
| JPH11505058A (en) | Plasma accelerator with closed electron drift | |
| WO2006054528A1 (en) | Ion implantation device | |
| EP2414674B1 (en) | Plasma thrusters | |
| JP3246800B2 (en) | Plasma equipment | |
| RU2032281C1 (en) | Method of formation of plasma flux and device for its realization | |
| KR20050035708A (en) | Inductive plasma chamber having multi discharge tube bridge | |
| WO1996023394A1 (en) | Device for generating a plasma stream | |
| RU2059344C1 (en) | Plasma current generating device | |
| JP4355157B2 (en) | Plasma processing method, plasma processing apparatus, and magnetic field generator | |
| US3312858A (en) | Deflecting system for charge carrier beams | |
| CN107910239B (en) | A kind of device generating controllable vortex electron beam, method | |
| US6050215A (en) | Plasma stream generator with a closed configuration arc | |
| EP1275133A1 (en) | Device and method for the etching of a substrate by means of an inductively coupled plasma | |
| EP1164821B1 (en) | Static eliminator employing DC-biased corona with extended structure | |
| JPS63240022A (en) | Plasma processor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| AK | Designated states |
Kind code of ref document: A1 Designated state(s): BG DE GB JP KR NL US |
|
| REG | Reference to national code |
Ref country code: DE Ref legal event code: 8642 |