WO1994029069A1 - Appareil et procede d'usinage au laser, et panneau a cristaux liquides - Google Patents

Appareil et procede d'usinage au laser, et panneau a cristaux liquides Download PDF

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Tsutomu Ota
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    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/13439Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making

Definitions

  • the laser processing apparatus is configured to sequentially drive a plurality of pulsed laser oscillators while shifting the phase of an oscillation cycle, to make the beam qualities from the plurality of laser oscillators the same, By making the beam of elliptically polarized light,
  • FIG. 25 is a diagram showing a configuration of the deflection separation element.
  • FIG. 30 is a plan view showing the shape of a machining groove.
  • FIG. 34 is a plan view showing the shape of a machining groove.
  • the beam intensity uniformity after branching is 0.90 or more.
  • FIG. 10 shows a plan view of the groove obtained when the amplitude filter was used.
  • the width of the groove was approximately 6 m, and the aperture ratio and contrast ratio of the liquid crystal panel could be further increased compared to Example 1.
  • 32 diffraction beams were optically Fourier-transformed by an anamorphic condensing lens, and 32 processing marks of width lO / nu length were formed on the surface of the IT0 film by 200 111. Formed at intervals. Then, during the pulse intermittent time of 50 sec, the stage was moved by a distance equal to ⁇ ⁇ ⁇ , which is equivalent to half the length of the machining mark. In this way, if pulse beams from two oscillators were used to alternately and simultaneously form 32 processing traces of 20 zm in width and width of 20 zm, as shown in Fig. 14, an interval of 200 ⁇ 1, A groove with a width of lO m could be machined without intermittent portions.
  • the wedge angle of the polarization separation element is ⁇ , and the refractive index difference required for deflection is
  • FIG. 29 shows the configuration of the laser processing apparatus of this embodiment.
  • the configuration difference from the first embodiment is that, instead of forming a plurality of grooves at the same time, a long rod-like condensed light intensity distribution is formed in the stage moving direction, and the processing speed is increased by increasing the stage moving speed. It is in.
  • one beam having a peak power of 5.3 kW was split into two beams by a deflection separation element, and eight diffraction beams were obtained by a phase grating 8104 from the respective amplitude components. Then, a total of 16 diffracted beams were optically Fourier-transformed by the condenser lens, and a condensed light intensity distribution having a width of m and a length of 153 ⁇ 1 was formed on the surface of the ITO film. With this light intensity distribution, it was possible to remove the I T0 film over the width ⁇ ⁇ ⁇ length1.
  • the ITO film can be formed with a uniform width and depth without being affected by the anisotropy and non-uniformity of the ITO film and the deposits on the IT film. Since the film can be cut, the required processing quality can be constantly maintained.
  • the laser oscillator used is a lamp-pumped Q-switch YAG laser manufactured by Quantronix, with an oscillation wavelength of 532 nm and a rated average output of 8 W.
  • Q-switch YAG laser manufactured by Quantronix
  • the groove could be formed without damaging the ITO film and the underlying glass substrate if the Q switch frequency was set to ⁇ or less.
  • whether or not machining was possible was determined by the magnitude of the peak power, regardless of the Q switch frequency.
  • TAB Tape Automated Bonding
  • TAB tape is used to mean a tape on which the drive circuits are formed.
  • the electrode aperture ratio is the effective electrode area where light transmittance (or reflectance) can be controlled.
  • the contrast ratio is the ratio between the maximum and minimum values of light transmittance (or reflectance), and can be defined by the following equation.

Description

明細書
レーザ加工装置及びレーザ加工方法並びに液晶パネル 技術分野
本発明は、 加工品質が高く微細加工も可能で量産性に優れたレーザ加工装置及び前記レ —ザ加工方法、 そして、 このレーザ加工方法によりパターニングされた電極構造を有する 表示品質の優れた液晶パネルに関する。 背景技術
レーザ加工装置としては、 C 0 2レーザを使った金属板の切断 ' 穴あけ加工や、 Y A Gレ —ザによる金属薄板の精密加工が広く知られている。 とくに、 小型でメンテナンス性が良 く、 直径数 10 / mの集光スポッ トが容易に得られるという理由から、 Y A Gレーザは各種 の精密加工に適している。 さらに、 Y A Gレーザでは第 2高調波 (波長 532ππι) が得られる ので、 アブレーシヨン効果を利用した微細な薄膜加工へも応用できる。 レーザアブレーシ ヨンとは、 高分子材料にエキシマレーザや Y A G高調波などの短波長 ·短パルスレーザを 照射した時に、 瞬時に分解 ·気化 ·飛散が起こ り、 局所的に材料が除去される現象のこと である。 事実、 半導体製造用マスクの欠陥修正、 薄膜センサの検出部のパターンニング、 液晶パネルの電極パターンニング等に、 Qスィ ッチ Y A Gレーザが利用され始めた。 Qス ィ ツチを用いる理由は、 パルス幅が短く ピークパワーが大きいビームを利用することによ り、 被加工部材への熱的損傷がない高品質な加工が実現できるからである。 なお、 アブレ —シヨン加工については、 " 短波長 ·短パルスレーザによる除去加工に関する研究" (精 密ェ学会誌、 Vol . 3 , 473-478( 1993 ) ) に詳しい。
薄膜加工における最近の大きなニーズのひとつに、 液晶パネルの透明電極のパターン二 ングがあり、 加工品質かつ加工能力に優れた加工技術に対する期待が高まっている。 液晶 パネルの電極のパターンニングは、 一般には、 透光性導電膜が被着した基板をレーザビー ムに対して移動させながら、 導電膜を所定の間隔で切断することによ り行う。 この時の加 ェ品質すなわち導電膜の電気特性は、 Qスイ ッチ Y A Gレーザの特性 (主にピークパワー) から決まる。 そして、 レーザの特性は Qスィ ッチ周波数に左右される。 すなわち、 Qスィ ツチ周波数を低くすると、 パルス幅が狭くなり、 ピークパワーは大きくなる。 逆に、 Qス イ ッチ周波数を高くすると、 パルス幅が広がり、 ピークパワーは小さ くなる。 加工品質の観点からは、 Qスィ ッチ周波数を低く して、 ビームのピーク強度を高めるこ とが望ましい。 こうすると、 アブレーシヨン効果を介して、 瞬間的に加工部位を除去する ことができ、 加工部近傍や膜基板へ熱的損傷を与えることがない。 このような加工方法が、 特開昭 60- 261142、 特開平 2- 259727に開示されている。 しかし、 これらの加工方法には、 生 産性の点に問題がある。 なぜならば、 Qスィ ッチ周波数を下げることは、 そのぶんだけ、 ステージの送り速度を遅らせることにつながり、 その結果として、 加工速度が著しく低下 するからである。
他方、 加工速度の観点からは、 Qスィ ッチ周波数を高く して、 ステージをすばやく移動 させることが望ましい。 しかし、 Qスィ ッチ周波数を高くすると、 ビークパワーが低下し、 パルス幅が広がる。 このために、 液晶パネルの電極をパターンニングする時に、 電極基板 であるガラスに熱的損傷を与え、 微小なクラックやくぼみを発生させる。 このクラックや くぼみは、 液晶パネルの表示品質を損ねる要因となる。 また、 ガラスに微小量含まれてい るアルカリ金属イオンがクラック及びくぼみから液晶中に溶出し、 このことが液晶パネル の表示不良の原因となる。
本発明の目的は上記の問題を解决し、 加工品質に優れかつ加工能力の高いレーザ加工装 置および加工方法を提供することにある。 さらに、 同レーザ加工装置ならびに加工方法を 用いて製造した、 表示品質の高い液晶パネルを提供することにある。 発明の開示
本発明のレーザ加工装置は、 複数のパルスレーザ発振器を発振サイクルの位相をずらし て順次駆動することと、 前記複数のレーザ発振器からのビームの品質を同じにすることと、 前記複数のレーザ発振器からのビームを楕円偏光にすることにより、
( 1 ) 実効的な発振周波数を低下させることなく、 個々の発振器の発振周波数を下げるこ とが可能になり、
( 2 ) この結果、 所要のピークパワーとパルス幅を得て、 被加工物に熱的損傷を与えずに 高品質の加工を行うことができ、
( 3 ) ビームを楕円偏光にすることにより、 被加工物が有する異方性や被加工物上の付着 物に左右されることなく、' 所要'の加工品質を恒常的に維持することができる。
さらに、 位相変調作用を有する回折素子を使い、 前記レーザ発振器からのビームを複数 本に分岐することにより、 被加工物表面の複数部位を同時に加工することで、 加工能力を 大きく向上させることができる。 すなわち、 ビーム分岐数を Nとすると、 1本のビームで 加工した時の加工能力の N倍の加工能力を達成できる。
本発明のレーザ加工方法により、 上記の加工装置を使い、 基板上に被着された透光性導 電膜に複数のビームを選択的に照射し、 前記基板あるいは前記複数のビームを移動するこ とにより、 前記透光性導電膜に複数の開溝を同時に形成することができる。 分岐後の複数 ビームが等強度になるように設計された表面凹凸型 2値位相格子をビーム分岐手段に用い ることにより、 加工形状ならびに加工品質が均一な開溝を形成できる。
本発明の液晶パネルは、 上記のレーザ加工装置及び加工方法により加工されたス トライ プ状の電極構造を有する液晶パネルである。 電極間に存在する切断溝 (ギャップ) の幅が 10 / m以下であり、 かつ、 前記ギャップが所定の間隔で表示エリア内に一様に形成されて いるので、 液晶パネルの表示品質を左右する主要因であるところの、 コントラスト比なら びに視認性が大きく向上している。 また、 フォ トリソグラフィにより電極をパターニング する従来のやり方と比べても、 本発明の電極加工方法は、 工程数が少なくかつウエッ ト処 理工程を要しないという点で優れている。 したがって、 生産設備が簡素になり、 工程管理 も容易にかつ確実になることから、 液晶パネルの生産コス トの削減に大きく貢献すること ができる。 図面の簡単な説明
第 1図は、 実施例 1のレーザ加工装置の構成を示す図である。
第 2図は、 2台のレーザ発振機が交互に駆動されることを説明する図である。
第 3図は、 加工溝の形状を示す平面図である。
第 4図は、 加工された I T 0膜の平面図である。
第 5図は、 Qスィツチ周波数とビーム特性の関係を示す図である。
( a ) Qスィ ツチ周波数が Ι ΟΚΗζ
( b ) Qスィ ッチ周波数が 30KHz
第 6図は、 集光スポツ ト径と加工径の関係を説明する図である。
第 7図は、 I T 0膜及びガラス基板の断面図である。
第 8図は、 1次元位相格子の外観を示す図であ.る。
第 9図は、 実施例 2のレーザ加工装置の構成を示す図である。
第 1 0図は、 加工溝の形状を示す平面図である。 第 1 1図は、 空間フィルタの振幅透過率分布を示す図である。
第 1 2図は、 集光スポッ トの形状を示す断面図である。
(a) 空間フィルタあり
(b) 空間フィルタなし
第 1 3図は、 実施例 3のレーザ加工装置の構成を示す図である。
第 14図は、 加工溝の形状を示す平面図である。
第 1 5図は、 アナモルフィ ヅク集光レンズを説明する図である。
(a) アナモルフィ ック集光レンズの作用
(b) 光強度分布
第 1 6図は、 実施例 4のレーザ加工装置の構成を示す図である。
第 1 7図は、 加工溝の形状を示す平面図である。
第 1 8図は、 2次元位相格子の平面図である。
第 1 9図は、 加工速度比が向上することを説明する図である。
第 20図は、 実施例 5のレーザ加工装置の構成を示す図である。
第 2 1図は、 加工溝の形状を示す平面図である。
第 22図は、 偏光分離素子の構成を示す断面図である。
第 23図は、 実施例 6のレーザ加工装置の構成を示す図である。
第 24図は、 加工溝の形状を示す平面図である。
第 2 5図は、 偏向分離素子の構成を示す図である。
(a) は偏光分離素子の平面図。
(b) は偏光分離素子の断面図。
第 2 6図は、 実施例 7のレーザ加工装置の構成を示す図である。
第 2 7図は、 加工溝の形状を示す平面図である。
第 28図は、 スリ ヅ ト状の光強度分布をつく る方法を説明する図である。
(a) ビームの S偏向成分がつく る光強度分布。
( b ) ビームの P偏向成分がつく る光強度分布。
(c) (a) と (b) のコヒ一レン ト和
第 29図は、 実施例 8のレーザ加工装置の構成を示す図である。
第 30図は、 加工溝の形状を示す平面図である。
第 3 1図は、 スリ ッ ト状の光強度分布をつくる方法を説明する図である。 (a) ビームの S偏向成分がつく る光強度分布。
(b) ビームの: P偏向成分がつく る光強度分布。
( c ) (a) と (b) のコヒ一レン ト和
第 32図は、 実施例 9のレーザ加工装置の構成を示す図である。
第 33図は、 レーザ出力と時間の関係を説明する図である。
第 34図は、 加工溝の形状を示す平面図である。
第 35図は、 液晶パネルの実装方法を説明する図である。
( a ) T A Bテープをパネルの片側だけに実装する場合
(b ) TABテープをパネルの両側に千鳥状に実装する場合
( c ) TABテープを中間領域を介して実装する場合
第 36図は、 ス トライプ電極と TABテープを接続する中間領域の平面図である。 第 37図は、 液晶パネルの電極パターンの平面図である。
(a) 本発明の加工装置及び加工方法により加工した電極パターン
(b) 従来の加工方法により加工した電極パターン
(符号の説明)
1 1 0 1 a レーザ発振機
1 1 0 1 b レーザ発振機
1 1 02 a Qスイ ッチドラ
1 1 02 b Qスイ ッチドラ
1 1 03 コントローラ
1 1 0 a レーザビーム
1 1 04 b レーザビーム
1 1 05 a ェクスパンダコリメータ
1 1 05 b ェクスパンダコ リメ一夕
1 1 06 光路折り曲げミラー
1 1 07 偏光合成素子
1 1 08 波長板 ' '
1 1 09 1次元位相格子
1 1 1 0 集光レンズ 1 1 1 1 I T 0膜基板
1 1 1 2 精密ステージ
1 1 1 3 集光スポッ ト
1 2 0 1 加工溝
1 2 02 I Τ 0膜
1 3 0 1 加工溝
1 3 02 I Τ 0膜
14 0 1 I Τ 0膜
14 02 S i 02緩衝膜
14 03 ガラス基板
2 1 0 1 空間フィルタ
2 2 0 1 加工溝
2 2 02 I TO膜
3 1 0 1 アナモルフィ ック集光レンズ 32 0 1 加工溝
32 02 I T 0膜
33 0 1 非球面アナモルフィ ック集光レンズ
33 02 レーザビーム
3303 楕円形状の集光スポッ トの並び
4 1 0 1 2次元位相格子
42 0 1 加工溝
42 02 I T 0膜
5 1 0 1 偏光分離素子
52 0 1 加工溝
5 2 02 I T 0
530 1 くさび
5302 くさび
6 1 0 1 波長板
6 1 02 偏光分離素子
6 1 03 光路折り曲げミラ一 6 1 04 偏向分離素子
62 0 1 加工溝
62 02 I T 0膜
63 0 1 位相格子
63 02 格子べク トル
63 03 基板法線
63 04 ゥエッジ
63 05 ゥエツジ法線
7 1 0 1 偏光分離素子
7 1 02 1次元位相格子
7 2 0 1 加工溝
7 2 02 I TO膜
8 1 0 1 波長板
8 1 02 偏光分離素子
8 1 03 光路折り曲げミラ一
8 1 04 偏向分離素子
82 0 1 加工溝
82 02 I T 0膜膜
9 1 0 1 レーザ発搌器
9 1 02 Qスィ ッチドライノ、-
9 1 03 レーザビーム
9 1 04 ェクスパンダコ リメ一タ
9 1 0 5 光路折り曲げミラ一
9 1 06 波長板
9 1 07 位相格子
9 1 08 集光レンズ
9 1 09 I T 0膜基板
9 1 1 0 精密ステージ
9 1 1 1 集光スポヅ ト
10 1 0 1 画素電極 0 1 02 T ABテープ
0 2 0 1 画素電極
0 2 02 T ABテープ
0 3 0 1 画素電極
0 3 02 TABテープ
0 3 03 中間領域
04 0 1 加工溝
04 0 2 I T 0膜
1 1 0 1 上側電極ギヤップ
02 下側電極ギヤップ
1 2 0 1 上側電極ギヤップ
1 2 02 下側電極ギヤップ 発明を実施するための最良の形態
ここでは、 単純マト リクス駆動方式の液晶パネルに使用されるス トライプ電極を加工す る事例の中で、 本発明の構成及び特徴について詳しく説明する。
(実施例 1 )
本発明のレーザ加工装置の構成を図 1に示す。 レーザ発振機器 1 1 0 1 a、 1 1 0 1 b は Qスイ ッチ Y AGレーザであり、 直線偏光の T E M00モードを出射する。 レーザ発振器 の Qスィ ヅチ周波数は、 Qスィ ッチドライノ、 - 1 1 02 a、 1 1 02 bにより制御される。 1 1 0 3は Qスイ ッチコントローラであり、 Qスィ ッチドライバが与える駆動信号の位相 を制御する。 発振器内のブリュースター素子の設置形態を工夫して、 あるいは、 発振器の 外に波長板を配置して、 発振器から出射される 2本のビーム 1 1 04 a、 1 1 04 bが互 いに直交する直線偏光となるようにする。 ェクスパンダコリメータ 1 1 05 a及び 1 1 0 5 bにより、 それそれのビームを拡大し、 さらに、 偏光合成素子 1 1 07を用いて、 2本 のビームの光路を共通にする。 そして、 波長板 1 1 0 8によりビームの偏光を楕円偏光に した後に、 ビームを位相格子 1 1 09へ入射させる。 位相格子 1 1 0 9は、 1本の入射ビ —ムを 32本の回折ビームに分岐する作用を有する。 位相格子 1 1 0 9から出射された 3 2本のビームは、 集光レンズ 1 1 1 0を介して、 精密ステージ 1 1 1 2の上に保持された 透光性導電膜 ( I T 0膜) 基板 1 1 1 1の表面に、 3 2個の集光スポッ ト 1 1 1 3を等し い間隔で形成する。 そして、 精密ステージ 1 1 1 2を移動することにより、 直線状あるい は曲線状に I T O膜を切断する。 図中、 1 1 0 6は光路折り曲げミラ一である。
2本のビーム 1 1 0 4 aと 1 1 04 bを、 それぞれ、 倍率可変なェクスパンダコリメ一 タ 1 1 0 5 aと 1 1 0 5 bに通すことにより、 発振器の個体差に起因するビーム品質 (広 がり角、 ビーム径) を等しくする。 こうすることによ り、 後で詳しく述べるように、 均一 な溝幅で電極膜を切断することができる。 また、 波長板を用いてビームを楕円偏光にする ことにより、 I T 0膜が有する異方性、 不均一性や、 I T 0膜上の付着物に左右されるこ となく、 均一な幅と深さで I T 0膜を切断できるので、 所要の加工品質を恒常的に維持す ることが可能となる。
本実施例の構成に用いる位相格子は、 1次元の表面凹凸型位相格子である。 断面形状は ほぼ矩形であり、 学問的には、 2値位相格子として分類されるものである。 本実施例の位 相格子の位相分布 ( 1周期分) を図 8に模式的に示す。 図中、 白部分の位相値が 7rrad、 斜 線部分の位相値が 0 radである。
位相格子の主要な設計事項は、 ① 1周期の長さ、 ②全体の大きさ、 ③ 1周期内の位相分 布の 3つである。 1周期の長さは I T 0膜上に形成する開溝の間隔から決まり、 全体の大 きさは入射ビーム径から決まる。 そして、 1周期内の位相分布は、 所要のビーム分岐数及 び所要のビーム強度の均一性から決まる。
回折理論から、 位相格子の周期は次式で与えられる。
P = πιλ ί / Δ χ ; m= 1 (ビーム分岐数が奇数の時) ( 1 )
m= 2 (ビーム分岐数が偶数の時) ただし、 λはレーザ波長 (532nm) 、 f は集光レンズの焦点距離、 xは開溝の間隔である 例えば、 分岐数を偶数として、 f =100 、 とすると、 p = 532〃mとなる。 位相格子の全体の大きさ Dは、 波動光学の理論から、 次式のように決まる。 ただし、 dは入射ビーム径 (1/e2) 、 wは所要の集光スポッ ト径 (1/e2) である。 例えば、 f 4mmとなる。 位相格子の位相分布の計算には、 シミュレ一テッ ドアニーリング法 (Science 220, 671 -680(1983)、 以後、 S A法と略す) を用いた。 これまでにも、 S A法を用いて位相格子を 設計した事例がいくつか報告されている (Appl. Opt. 32, 2512-2518( 1993)、 Appl. Opt. 31, 3320-3336( 1992)、 Appl. Opt. 31, 27-37(1992)、 ) 。 しかし、 S A法の運用に必要 なルールの構築には経験が必要であり、 このルールの出来不出来が、 " 良い解" が得られ るかどうかを大きく左右する。 " 良い解" とは位相格子に要求される光学性能を満足する 解のことであり、 前記の光学性能は位相格子の使用目的から決まる。
S A法を用いて位相格子を設計するには、 少なく とも、 ①評価関数の定義と重みの設定、 ②温度スケジューリング、 ③平衡状態の判定について、 運用のルールを定めなければなら ない。 なお、 評価関数とは位相格子の性能に関する推定値と目標値の差に対応する量であ り、 この関数値が最も小さくなる時の解が最適解である。
本実施例で用いる位相格子に要求される光学性能を以下にあげる。
( 1 ) 光利用効率が 80%以上であること。
(2) 分岐後のビーム強度均一性が 0.90以上であること。
ここで、 光利用効率とは、 所要の回折次数のビームに供給し得る光エネルギーの割合を意 味する。 ビーム強度均一性とは、 分岐された複数の回折ビームにおける強度の最小と最大 の比を意味する。 上記 ( 1 ) と (2) の条件は、 後で述べるように、 レーザ発振器出力と、 加工閾値と、 要求される加工均一性から決まる。
実際の計算では、 ( 1 ) と ( 2) の条件を評価関数の中に取り入れて、 ( 1 ) と ( 2) の条件を満足する解の中から、 さらに、 位相格子の作製誤差を考慮して、 以下の (3) と (4) の条件を満足する解を選択した。
(3) 位相格子の最小線幅ができるだけ太いこと。
(4 ) 位相格子の性能が作製誤差に大きく左右されないこと。
上記 ( 3) と (4) の条件は、 位相格子の作製に使用するフォ トマスク描画装置、 露光 · 現像装置、 及びエッチング装置の各装置のパターン転写能力から決まる。
以上のことからも理解できるように、 S A法により求めた位相格子の位相分布データに は、 設計者の創造性が反映されていると言える。 この状況は、 レンズ設計におけるレンズ データの立場とよく似ている。 このような親点から、 本出願においては、 発明の実施に際 して用いた位相格子の位相分布データを全て開示することにした。
以下、 表 1、 表 2、 表 3においては、 位相値が Oradから Trrad (この逆でもよい) に変 化する位置の座標を 1周期分について示した。 表 4、 表 5、 表 6においては、 1周期を 25 6または 128の区間に等分割して、 各区間の位相値を 0と 1で示した。 0が 0rad、 1が ΤΓΓ adに対応する (この逆でもよい) 。
(位相格子 1 )
- 分岐数 : 32
表 1. 位相格子 1の位相分布データ
0.000000 0. 246840 0.595123 0
0.048074 0. 269661 0.613153 0 .844038
0.079016 0. 282296 0.628190 0.863233
0.095123 0. 318825 0.648391 0 .967033
0.113153 0. 344038 0.670533 1 . o0o00000
0.128190 0. 363233 0.686777
0.148391 0. 467033 0.701824
0.170533 0. 500000 0.746840
0.186777 0. 548074 0.769661
0.201824 0. 579016 0.782296
(位相格子 2 )
•分岐数: 1 6
表 2. 位相格子 2の位相分布データ
0.000000 0 253173 0 542033 0 .781582
0.042033 0 281582 0 580009 0 .828336
0.080009 0 328336 0 660926 0 .843765
0.160926 0 343765 0 711175 0 .900757
0.211175 0 400757 0 753173 1 .000000 (位相格子 3 )
•分岐数: 2
表 3. 位相格子 3の位相分布データ
0 000000
0 500000
1 000000
(位相格子 4 )
•分岐数: 1 6
表 4. 位相格子 4の位相分布データ
(位相格子 5 )
•分岐数 : 8
表 5. 位相格子 5の位相分布データ
1~ 16 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 1 0 0 17~ 32 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 33〜 48 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 49~ 64 0 1 1 0 0 0 0 0 0 1 0 1 0 65~ 80 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 81~ 96 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 97〜112 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 113~128 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 129〜144 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 1 145~160 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 161~176 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 177〜192 0 0 0 1 0 0 1 1 1 1 1 1 0 1 0 1 193-208 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 209-224 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 225-240 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 241~256 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
(位相格子 6 )
• 分岐数 : 5
表 6. 位相格子 6の位相分布データ
1~ 16 1 1 1 ] 1 1 1 1 1 1 1
17- 32 1 1 1 1 0 1 0 0 1 0 1
33- 48 1 1 0 〗 1 1 1 1 1 1 1
49~ 64 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
65~ 80 1 1 1 ] 1 0 0 0 0 0 0
81- 96 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
97〜112 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1
113-128 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
表 1から表 6に示したデータを使い、 以下の工程にしたがって、 高品質な石英基板へ表 面凹凸型位相格子を形成した。
( 1 ) フォトマスクデータ作成
( 2 ) フォ トマスク作製
(3) レジス ト露光及び現像
(4 ) 反応性イオンエッチング及びレジスト除去
作製した回折格子は、 どれも、 光利用効率 80%以上、 ビーム強度均一性 0.90以上であり、 所要の光学性能を満足した。 さらに、 偏光依存性は存在しなかった。 偏光依存性がないと いうことは入射光の偏光状態に関係なく、 所要の光利用効率及びビーム強度均一性が得ら れるということであり、 楕円偏光ビームを用いる薄膜加工には欠かせない性質である。 以上のようにして作製した位相格子を図 1のレーザ加工装置へ搭載し、 ガラス基板上の I T 0膜を間隔 200 / 01、 幅 10 mで切断することにより、 液晶パネルのス トライプ電極を 形成した。 図 7に、 I T 0膜及びガラス基板の断面を示す。 ガラス基板 140 3の材質は ソーダガラスであり、 このガラス基板上に、 S i 02の緩衝膜 14 0 2を介して、 I TO膜 140 1を 1500Aだけ堆積させてある。
ビーム分岐に用いた位相格子は、 先に示した位相格子 1のデ一夕から作製したものであ る。 10 mの幅の開溝を 200 の間隔で I T 0膜上に形成するために、 集光レンズの焦点 距離を 100議、 位相格子の 1周期の長さを SSZ^ mと定め、 集光レンズの収差を考慮して、 ビーム径を 12丽、 位相格子の大きさを 15匪と定めた。 この時の位相格子における最小線幅 は 6.4 mであり、 先に述べた作製工程にしたがい、 設計寸法に忠実に、 位相格子の凹凸構 造を石英基板へ形成できることを確認している。
使用したレーザ発振器は Quantronix社製のランプ励起型 Qスィ ツチ Y A Gレーザであり、 発振波長 532nm、 定格平均出力 8Wである。 加工条件とガラス基板への損傷について調べる ために、 位相格子を使用せずに、 Qスィ ッチ周波数を変えて 1本の開溝を加工する実験を 繰り返した。 その結果、 Qスィ ッチ周波数を Ι ΟΚΗζ以下に設定すれば、 I T O膜及び下地の ガラス基板にダメージを与えることなく、 開溝を形成できることが判明した。 また、 加工 できるかどうかは、 Qスィッチ周波数に依らずに、 ピークパワーの大小から決まることが 判明した。
図 5 ( a ) ( b ) に、 それそれ、 Qスィ ッチ周波数が ΙΟΚΗζと 30KHzの時のレーザ出力と 時間の関係を示した。 加工時のピークパワーを 150Wとすると、 Qスィ ッチ周波数が ΙΟΚΗζの 時のパルス幅とパルスエネルギーは、 それそれ、 150nsec、 である。 他方、 Qスイ ツ チ周波数が 30KHzの時のパルス幅とパルスエネルギーは、 それそれ、 300nsec、 45 Jである。 これらのレーザ発振条件でガラス基板上の I T 0膜を加工すると、 Qスィ ツチ周波数が 10 KH zの条件では損傷は生じなかったが、 30KH zの条件では溝周縁部ならびにガラス基板表面 に微細な損傷が発生した。 30KHzの時に損傷が発生した理由は、 パルス幅が広がり、 過剰の エネルギーが投入されたからである。 すなわち、 ピークパワーが加工閾値に達している場 合でも、 Qスィ ッチ周波数から決まるパルス幅が許容値以上に広がっていると、 加工時の 損傷が避けられないのである。 このような場合には、 損傷を避けることを目的として、 ノ ルスエネルギーを小さ くすることは効果がない。 なぜならば、 ビークパワーが加工閾値を 超えなくなり、 加工できなくなるからである。
以上の結果をふまえ、 ビームの分岐数及び加工速度に配慮して、 2台のレーザ発振器の Qスイ ッチ周波数を 10KHz、 定格平均出力を 8Kに定めた。 この時のパルス幅は 150nsec、 ピ —クパワーは定格出力時の 5.3KWである。 そして、 Qスイ ッチコン トローラ 1 1 0 3から制 御信号を送り、 それぞれめ Qス 'イッチドライバを SO^ secづっ位相をずらして駆動すること にした。 図 2は、 本実施例におけるレーザ出力と時間の関係を示す図である。 2台の発振 器を位相をずらして交互に駆動することにより、 個々の発振器は Ι ΟΚΗζで発振しながら、 実 効的には、 20KHZで駆動した時と同じ加工速度が得られることになる。
厚み 1500Aの I T O膜に 1本の開溝を形成するには、 110W以上ののピークパワーを要す る。 そこで、 先に述べた位相格子 1 1 09を使い、 ピークパワー 5.3KWのビームを 3 2本の ビームに分岐することにした。 そして、 集光レンズで 32本のビームを光学的にフーリエ 変換して、 I T 0膜の表面に間隔が ΖΟΟ^πιの 32個の集光スポッ トを照射した。 この時の 集光スポッ ト径は 18〃mであり、 I T 0膜上に形成された加工痕の径は lO mである。 こ うして、 1発のパルスにより、 直径 10 mの加工痕を 32個同時に形成することができた。 集光スポッ ト径と加工径の関係を図 6に示した。 I T 0膜が有する閾値特性のために、 集 光スポッ ト径よりも小さい加工痕が得られる点に注目されたい。
次のパルスが発振するまでの 50 zsecの間欠時間に、 精密ステージを使い、 加工痕の直径 の半分に相当する に等しい距離だけ基板を移動させる。 こう して 2台の発振器からの パルスビームで、 交互に、 直径 10 mの加工痕を 32個同時に形成することを続けると、 図 3に示すように、 間隔 200 m、 幅 lOy mの溝を間欠部分なく加工することができた。 こ の間のステージの移動速度は毎秒 100腿であり、 常に一定である。 加工速度を、 (加工速度) = (ビーム分岐数) X (ステージ移動速度) と定義すると、 同時に 3 2本の溝を加工する ことにより、 毎秒 3200mmの加工速度を達成したことになる。 図 4に、 以上のようにして得 た電極パターンを示した。
32個の集光スポヅ トの並びの方向をステージ移動方向に対して傾けることにより、 ス ポッ トの間隔すなわち加工溝の間隔を調節することができる。 スポッ トの並び方向を傾け るには、 回転ステージを使い、 位相格子をその面内で回転させればよい。 この時の回転角 度を Θとすると、 加工溝の間隔 'は次式で与えられる。
^x ' =mAf COS (0) /p ; m= 1 (ビーム分岐数が奇数の時) ···· (3 )
m= 2 (ビーム分岐数が偶数の時) このような調節機構を備えることにより、 液晶パネルの仕様に合わせて、 高精度に電極パ ターニングを行うことが可能になり、 さらに、 電極間隔が異なる液晶パネルの試作へも容 易に対応できる。 したがって、 商品開発のリ一.ドタイムを大幅に短縮できることになる。 本実施例の加工装置ならびに加工方法によれば、 I T 0膜を 以下の切断幅でパタ —ニングすることができる。 このことにより、 液晶パネルの表示品質を支配する主要因で あるところの開口率ならびにコントラス ト比が大きく向上する。 他方、 従来のフオ ト リソ グラフィによる電極加工で得られる電極ギヤップは 30 /z mであり、 液晶パネルの開口率な らびにコン トラス ト比を低下させる大きな原因となっていた。
本実施例では、 ランプ励起型 Qスイ ッチ Y A Gレーザを用いたが、 半導体レーザ励起型 Qスイ ッチ Y A Gレーザを用いてもよい。 また、 Y A Gレーザの代わりに Y L Fレーザを 使用した場合でも、 同等の効果が得られる。 さらに、 固体レーザに限らずに、 パルス発振 が可能な気体レーザを用いることもできる。 また、 加工に適した Qスィ ッチ周波数はレー ザ発振器の特性に依存し、 本実施例において引用した ΙΟΚΗζに限るものではない。 使用する レーザ発振器の特性ならびに被加工物の特性に合わせて、 最適な Qスィ ツチ周波数を決定 しなければならない。
上記の実施例では、 間隔 200 z m、 幅 10 mの溝加工について発明の効果を説明したが、 これらの条件が異なる溝加工についても、 ①位相格子の周期を変えることにより、 あるい は、 ②集光レンズの焦点距離を変えることにより、 容易に対応することができる。 ビーム 分岐数も、 3 2本に限るものではなく、 レーザ加工装置の仕様に合わせて決定すればよい。 例えば、 表 2あるいは表 4のデータを使い、 1 6分岐用の位相格子を作製して用いること もできる。 '①被加工物の物性、 ②使用するレーザ発振器の出力及び台数を考慮し、 加工能 力の観点から最適な分岐数を定め、 所要の位相格子を設計、 製作することによ り、 多くの 加工用途へ容易に対応することができる。
(実施例 2 )
本実施例のレーザ加工装置の構成を図 9に示す。 実施例 1に対する構成上の違いは、 空 間フィルタを光路上に配置した点にある。 空間フィルタでビーム波面に変調を加えること により、 集光スポッ トの形状を制御する。
空間フィルタを使用する目的は、 開溝の幅を狭く して、 液晶パネルの表示品質をさらに 高めることにある。 開溝の幅を狭くするには、 他に、 ①集光レンズの焦点距離を短くする、 あるいは、 ②集光レンズへの入射ビーム径を太くする、 という方法もある。 しかし、 ①の 方法には、 最小線幅が著しく細い (2 /z m以下) 位相格子が必要になり、 所要の性能を満足 する位相格子を作製することが難しいという欠点がある。 また、 ②についても、 大口径か つ無収差の集光レンズの設計ならびに作製が困難になり、 レンズコス トが大きく膨らむこ とにつながる。 本実施例では、 空間フィルタとして、 図 1 1に示す振幅透過率分布を有する振幅フ ィル タを用いた。 振幅フィルタとは、 このフィルタを透過するビームの位相を変化させず振幅 のみを変調する素子である。 この振幅フィルタ 2 1 0 1を位相格子 1 1 0 9の直前に配置 して、 ビーム波面に振幅変調を加えた。 振幅フィルタを使用した時と使用しない時の集光 スポッ トの形状を、 それぞれ、 図 1 2 ( a ) 、 ( b ) に示す。 ビームの外側の強度を相対 的に高めることにより、 図 1 2 ( a ) に示すように、 集光後のスポッ ト径を細くすること ができた。
振幅フィルタを使用した時に得られた開溝の平面図を図 1 0に示す。 溝の幅はおよそ 6 mであり、 実施例 1 と比べて、 より一層、 液晶パネルの開口率とコン トラス ト比を高める ことができた。
なお、 上記の振幅フィルタの他にも、 透過率分布が異なるいくつもの振幅フィルタを用 意しておき、 要求に合わせて交換して使用することにより、 加工溝の幅を太く したり細く したりすることができる。 また、 蒸着等の手段により所要の透過率分布を位相格子基板の 裏面 (格子が形成されていない面) に形成した場合でも、 同様の効果が得られる。
(実施例 3 )
本実施例のレーザ加工装置の構成を図 1 3に示す。 実施例 1に対する構成上の違いは、 非点収差を有する集光レンズを備えている点にある。 非点収差を有する集光レンズを使い、 ステージ移動方向に長い楕円状の集光スポツ トを発生させる。
集光レンズ 3 1 0 1はアナモルフィ ックであり、 直交する 2方向 (x、 y ) における波 面変換作用が異なる。 例えば、 X方向には位相格子の透過波面をフーリエ変換する作用を 有し、 y方向には透過波面の強度分布を制御する作用を有する。 このようなアナモルフィ ヅク集光レンズは、 ①非球面レンズにより、 あるいは、 ②球面レンズと円筒レンズの組み 合わせにより実現できる。 アナモルフィ ック集光レンズにより、 ステージ移動方向に長い 楕円状の集光スポッ トを得て、 ステージ移動速度を速めることにより、 加工速度を向上さ せることができる。
図 1 5に、 非球面アナモルフィ ヅク集光レンズを用いて集光スポヅ トを発生させた時の 様子を示す。 図 1 5 ( a ) で、 1 1 0 9は位相格子、 3 3 0 1は非球面アナモルフィ ック 集光レンズ、 3 3 0 2はレーザビーム、 3 3 0 3は 3 2個の集光スポッ トの並びである。 位相格子は X方向にだけ周期構造を有する 1次元格子であり、 実施例 1で使用した位相格 子と同じものである。 非球面アナモルフィ ック集光レンズは、 X方向には波面のフーリエ 変換作用を有し、 y方向には波面の強度分布をガウス分布から矩形分布へ変換する作用を 有する。 図 1 5 ( b ) に、 得られた集光スポッ トの y軸方向の光強度分布を示す。 集光ス ポッ トの幅は 18 zm、 長さは 28 Ζ Π1である。 ただし、 ピーク強度の 1/e2以上を与える部分 の幅であり、 長さである。 この集光スポッ トを I T〇膜上へ照射することにより、 幅 10 m、 長さ 20 mにわたり、 I T 0膜を除去することができた。
本実地例では、 アナモルフィ ック集光レンズで 3 2本の回折ビームを光学的にフーリェ 変換して、 I T 0膜の表面に幅 lO/ nu 長さ の 3 2個の加工痕を 200 111の間隔で形 成した。 そして、 50 secのパルス間欠時間に、 加工痕の長さの半分に相当する ΙΟ^πιに等 しい距離だけステージを移動させた。 こうして 2台の発振器からのパルスビームで、 交互 に、 幅 で長さ 20 zmの加工痕を 3 2個同時に形成することを続けると、 図 1 4に示 すように、 間隔 200 ^^1、 幅 lO mの溝を間欠部分なく加工することができた。 この間のス テージの移動速度は毎秒 200醒であり、 毎秒 6400匪の加工速度を達成したことになる。 なお、 個々の加工痕が分離しない程度までステージ移動量を大きくすることは可能であ り、 こうすることにより加工速度を最大限大きくできる。
(実施例 4 )
本発明のレーザ加工装置の構成を図 1 6に示す。 実施例 1に対する構成上の相違は、 1 次元格子の代わりに 2次元位相格子を用いる点にある。 2次元位相格子 4 1 0 1を使うこ とにより、 2列以上のスポッ ト並びを同時に発生させることができる。
2次元格子の位相分布を決定するには、 2つの 1次元格子を直交させて重ねればよい。 1次元格子の位相値は 0または 7Γであるから、 以下の規則にしたがい、 2次元格子の位相 分布も 0または 7Γとなる。
0 + 0 = 0、 0 + 7Γ= 7Γ、 π+ π= 2 π (= 0 ) (4 ) 本実施例では、 実施例 1において示した位相格子 1 と位相格子 3のデータを用いて、 3 2 X 2個の集光スポッ トを同時に発生させ得る 2次元格子を設計、 作製した。 位相格子の 位相分布の平面図を図 1 8に示した。
1列目と 2列目の集光スポッ トの間隔を ( 2 k+ l ) y、 パルス間欠時間におけるス テ一ジ移動量を 2 yとする。 集光スポッ ト間隔とステージ移動量との関係を詳細に調べ ると、 加工を始めた初期の部分に円形の加工部分がつながらない箇所が生じる。 これを考 慮すると、 1列で加工した時の加工速度に対する加工速度比 ?は次式で与えられる。 3= 2 { 1 -k/n} (kは自然数) ···· ( 5 ) ただし、 は集光スポッ ト径を考慮して泱める量、 nは照射したレーザパルスの数であ る。 1列目と 2列目の集光スポッ トの間には位相差があるので、 この位相差に起因する集 光スポッ ト形状の変化が加工に悪影響を与えない程度に、 集光スポッ トの間隔 ( 2 k+ l ) yを広げる必要がある。
式 ( 5 ) の関係を図 1 9に示した。 液晶パネルの画素部を縦断するために要するステ一 ジ移動距離 (レーザパルス照射数 nとステージ移動量 2 の積に等しい) と比べると、 集光スポッ ト並びの間隔 ( 2 k + 1 ) yは無視し得るく らいに短いので、 加工速度比/? は実効的に 2に等しくなる。 すなわち、 1次元格子の場合の 2倍の加工速度が得られるこ とになる。
本実地例では、 ステージ移動方向のスポッ ト間隔を 15Aimに定め、 50 secのパルス間欠 時間に、 10 /mだけステージを移動させた (k = l , y =5 zmに相当する) 。 こうして 2台の発振器からのパルスビームで、 交互に、 直径 10 mの加工痕を 3 2 X 2個同時に形 成することを続けると、 図 1 7に示すように、 間隔 ΖΟΟ ΠΚ 幅 10 /mの溝を間欠部分なく 加工することができた。 この間のステージの移動速度は毎秒 200腿であり、 毎秒 6400mraの加 ェ速度を達成したことになる。 図 1 7の左端において加工されていない部分が残っている が、 ステージ移動速度と 2列のスポッ ト間隔との関係で生じるものであり、 無視し得る程 度のものである。
さらに、 ステージ移動方向のビーム分岐数を増やし、 集光スポッ トの並びの数を m、 そ れぞれの間隔を (mk+ 1 ) とすると、 加工速度比 5は次式で与えられる。
/3 = m { 1 - (m- 1 ) k/n} (kは自然数) ·'·· ( 6 ) すなわち、 集光スポッ トを 1列だけ並べて加工する時と比べて、 加工速度比 /5は m倍とな り、 加工速度を大きく向上させることができる。 (実施例 5 )
本発明のレーザ加工装置の構成を図 20に示す。 実施例 1に対する構成上の相違は、 1 次元格子と偏光分離素子を組み合わせることにより、 複数列のスポッ ト並びを同時に発生 させる点にある。
レーザ発振機 1 1 0 1 a、 1 1 0 1 bは Qスィ ツチ Y AGレーザであり、 直線偏光の T E M00モードを出射する。 発振器の内のブリュースター素子の姿勢を違えて、 あるいは、 発振器の外に波長板を配置して、 発振器から出射される 2本のビーム 1 1 04 a、 1 1 0 4 bが互いに直交する直線偏光となるようにする。 2本のビーム 1 1 04 aと 1 1 04 b は、 それぞれ、 ェクスパンダコリメ一タ 1 10 5 aと 1 1 05 bで拡大される。 偏光合成 素子 1 1 07を通過した後に、 ビームは共通の光路を進み、 偏光分離素子 5 1 0 1へ入射 する。
偏光分離素子 5 1 0 1の進相軸 (あるいは遅相軸) の方位を、 ビームの偏光方位に対し て 45 ° になるように定める。 ビームの直交する 2つの偏光成分は、 所定の角度だけ分離 された後に、 波長板 1 1 08により楕円偏光になり、 位相格子 1 1 0 9へ入射する。 位相 格子 1 1 09は、 実施例 1で使用した位相格子と同じものであり、 1本のビームを 3 2本 のビームに分岐する作用を有する。 この後で、 集光レンズ 1 1 0を介して、 ステージ移動 方向に所定の間隔だけ離して、 32個の集光スポッ トの並びを 2列、 I TO膜上に形成す る。 1列目と 2列目の集光スポッ トの間には位相差があるので、 この位相差に起因する集 光スポッ ト形状の変化が加工に悪影響を与えない程度に、 集光スポッ トの間隔を広げる必 要がある。 こう して、 2次元格子の場合と同じく (実施例 4) 、 加工速度比を 2倍に向上 させることができる。
本実施例に用いた偏光分離素子の構成を図 2 2に示す。 この素子は、 屈折率が異なる 2 つのくさび ( 5 30 1、 530 2 ) が張り合わされて成る。 一方のくさびの屈折率を n e, ηιθ、 もう片方の屈折率を ri2e、 n2oとおいて、 !!^: !! 。、 n 2e≠ n 2o= n ieなる関係 を満足するように、 く さび材料を選ぶ。 ただし、 添字の e、 oは異常光線、 常光線を表す c このようにすると、 S偏光成分から得た 32本の回折ビームは直進し、 P偏光成分から得 た 3 2本の回折ビームは所定の角度だけ偏向される。 なお、 屈折率の組み合わせを違える ことにより、 2本のビームをともに互いに反対方向へ所定の角度だけ偏向させることもで きる。 1列目と 2列目のスポッ ト並びの間隔 ( 2 k + 1 ) yと、 偏光分離素子が与える分離 角度 Θ、 の間には次の関係がある。
(2 k+ l ) -d y=f - 0 ( 7 ) 式 ( 7 ) から、 分離角度 0は、
Θ = ( 2 k + 1 ) ^ y/f ( 8 ) となる。 例えば、 f = 100画、 ( 2 k + l ) l y = とすると、 0 = 0.15radとなる, 偏光分離素子のくさびの角度を ø、 偏向に要する屈折率差を nとすると、 · Δ τ.≡ Θ ( 9 ) であるから、 0=15Omradとすると η = 0.001となる。 ηとしては、 十分に実現できる 値である。
本実地例では、 ステージ移動方向のスポッ ト間隔を Ιδ ιηに定め、 50 secのパルス間欠 時間に、 lO^inだけステージを移動させた。 こうして 2台の発振器からのパルスビームで、 交互に、 直径 10 mの加工痕を 3 2 X 2個同時に形成することを続けると、 図 1 7に示す ように、 間隔 200 m、 幅 10 zmの溝を間欠部分なく加工することができた。 この間のステ —ジの移動速度は毎秒 200匪であり、 毎秒 6400匪の加工速度を達成したことになる。
なお、 本実施例では、 1枚の偏光分離素子を使い、 3 2 X 2個の集光スポッ トを同時に 発生させたが、 複数の偏光分離素子を波長板を挟んで重ねることによ り、 3 2個の集光ス ポッ トの並びを 2列以上同時に発生させることもできる。
(実施例 6 )
本発明のレーザ加工装置の構成を図 2 3に示す。 実施例 1に対する構成上の相違は、 1 次元格子と偏向分離素子を組み合わせることにより、 集光スポッ トの並びを 2列同時に発 生させる点にある。
レーザ発振機 1 1 0 1 a、 1 1 0 1 bは Qスィツチ YAGレーザであり、 直線偏光の T E M o oモードを出射する。 レーザ発振器内のブリュースタ一偏光素子の姿勢を違えて、 あ るいは、 波長板を用いて、 レーザ発振器から出射される 2本のビーム 1 1 0 4 a、 1 1 0 4 bが互いに直交する直線偏光となるようにする。 2本のビームはェクスパンダコリメ一 タ 1 1 0 5 aと 1 1 0 5 bで拡大される。 偏光合成素子 1 1 0 7によ り合成され、 先のふ たつのビームは共通の光路を進む。 波長板 6 1 0 1を用いて、 ビームの偏光方位を、 偏光 分離素子 6 1 0 2の進相軸 (あるいは遅相軸) の方位に対して 4 5 ° に定める。 こうする ことにより、 偏光分離素子 6 1 0 2へ入射したビームは、 等しく振幅分割される。 分割さ れたそれそれの成分は、 波長板 1 1 0 8により楕円偏光になり、 偏向分離素子 6 1 0 4へ 入射する。
偏向分離素子 6 1 0 4の構造を図 2 5に示した。 偏向分離素子 6 1 0 4の表面には位相 格子が形成されていて、 裏面にはゥエツジが形成されている。 位相格子 6 3 0 1は 2つの 領域 (図中の A、 B ) を有し、 領域 Aは偏向分離素子により分割された半分の振幅成分を、 領域 Bは残りの半分の振幅成分を受ける。 領域 A、 Bに形成した位相格子はどちらも、 実 施例 1に示した位相データ 1から作製した位相格子であり、 等しく振幅分割された 2つの 成分のそれぞれを 3 2本のビームに分岐する作用を有する。 ゥエッジ 6 3 0 4のゥエッジ 法線 6 3 0 5は、 位相格子の格子べク トル 6 3 0 2と基板法線 6 3 0 3がっく る平面内に ある。
偏向分離素子 6 1 0 4の裏面に形成されたゥッジ 6 3 0 4により、 位相格子を透過した 2つの振幅成分の間には所定の角度が与えられる。 この結果、 半分の振幅成分から得た 3 2本のビームと残りの半分の振幅成分から得た 3 2本のビームは、 それぞれ、 集光レンズ 1 1 1 0を介して、 ステージ移動方向に所定の間隔だけ離れた位置に、 3 2個の集光スポ ッ トの並びを I T 0膜上に形成する。
本実施例では、 スポッ ト間隔を に定め、 50/ secのパルス間欠時間に、 10 mだけ ステージを移動させた。 この結果、 図 2 4に示すように、 幅 10/z mの溝を間欠部分なく加 ェすることができた。 この間のステージの移動速度は毎秒 200mmであり、 毎秒 6400卿の加工 速度を達成したことになる。 こうして、 2次元格子の場合と同じく、 加工速度比を 2倍に 向上させることができた。
(実施例 7 )
本発明のレーザ加工装置の構成を図 2 6に示す。 実施例 1に対する構成上の相違は、 複 数の開溝を同時に形成する代わりに、 ステージ移動方向に長い棒状の集光強度分布をつく り、 ステージをより速く移動させることで、 加工速度を高める点にある。
レーザ発振機 1 1 0 1 a、 1 1 0 1 bは Qスイ ッチ YAGレーザであり、 直線偏光の T EM00モードを出射する。 発振器の内のブリュースタ一素子の姿勢を違えて、 あるいは、 発振器の外に波長板を配置して、 それぞれの発振器から出射される 2本のビーム 1 1 04 a、 1 1 04 bが互いに直交する直線偏光となるようにする。 2本のビーム 1 1 04 aと 1 1 04 bは、 それぞれ、 ェクスパンダコリメ一タ 1 1 05 aと 1 1 05 bで拡大される。 この後で、 ビームは、 偏光合成素子 1 107により合成され、 共通の光路を進み、 偏光分 離素子 7 1 0 1へ入射する。 本実施例で用いた偏光分離素子の構造は、 基本的には、 先に 図 22に示したものと同じである。 なお、 図 2 6の構成には、 ビームを楕円偏光化するた めの波長板は使用しない。
各々のビームの直交するふたつの偏光成分は、 所定の角度だけ分離された後に、 位相格 子 7 1 02へ入射する。 位相格子 7 1 02は、 実地例 1に示した位相格子 6のデータから 作製した位相格子であり、 1本のビームを 5本のビームに分岐する作用を有する。 そして、 一方の偏光成分から得た 5本の回折ビームと、 もう一方の偏光成分から得た 5本の回折ビ —ムに集光レンズ 1 1 1 0を作用させることにより、 I TO膜の表面に、 スポッ ト間隔の 半分だけ互いにずれたスポッ ト列を、 ステージ移動方向と平行な同一直線上に形成する。 図 2 8に、 集光スポッ トが照射される I T 0膜の表面における光強度分布を示す。 図 2 8 (a) は、 一方の偏光成分がつくる光強度分布、 図 28 (b) は、 もう一方の偏光成分 がっく る光強度分布である。 それぞれの光強度分布は互いに、 スポッ ト間隔の半分だけ位 置がずれている。 これらの光強度分布をコヒーレントに足し合わせると (振幅と位相を配 慮して足し合わせる) 、 図 28 ( c ) のにようになる。 すなわち、 幅がスポヅ ト径にほぼ 等しく、 長さがスポヅ ト径のおよそ 5.5倍の光強度分布をつくることができる。 図 28 (a) ( b ) に示した光強度分布は、 偏光方向が互いに直交するので、 干渉することがない。 し たがって、 隣接する集光スポッ ト間の位相差の影響を受けることがないので、 ほぼ均一な 光強度分布が得られる。
均一な幅と深さの溝を形成するには、 I T 0膜上での光強度分布を均一にする必要があ る。 I T 0膜上での光強度分布の均一性は、 位相格子とビームの相対的な大きさから決ま る。 本実施例では、 位相格子へ入射するビーム径を格子周期の長さのほぼ 2倍に等しく し、 ェクスパンダコリメータを用いてビーム径を調節することにより、 スポヅ トの並びの複素 振幅分布の形状を最適化した。 ビーム径を 12mra (1/e2) とすると、 位相格子の周期 Pは、 p = 6.5mmとなる。
集光スポッ トのずらし量 と偏光分離素子が与える分離角度 0の間には、 つぎの関係 がある。 s = f ' 6 ---- ( 1 0 ) これから、 スポッ ト径の半分だけスポッ トの並びをステージ移動方向へずらすには、
= w/2から、 w lO m : =100画とすると、 0 = radとなる。
偏光分離素子のくさびの角度を ø、 偏向に要する屈折率差を
nとすると、 · Α η= θ ( 1 1 ) であるから、 =50mradとすると η = 0.001となる。 ηとしては、 十分に実現できる値 である。
本実施例では、 ピークパワー 5.3KWのビーム 1本を偏光分離素子で 2本に分岐して、 それ それの偏光成分から、 位相格子 7 1 0 2により 5本の回折ビームを得た。 そして、 集光レ ンズ 1 1 1 0により、 合計 1 0本の回折ビームを光学的にフーリエ変換し、 I T O膜の表 面に、 幅 Ιδ ΐηで長さ θθ ζπιの集光強度分布を形成した。 この集光強度分布により、 幅 10 zn 長さ にわたり、 I T O膜を除去することができた。
本実施例では、 50 zsecのパルス間欠時間にステ一ジを 45 mだけ移動させた。 こうして、 図 2 7に示すように、 幅 ΙΟ ^ιηの溝を間欠部分なく、 I Τ 0膜の表面に加工することがで きた。 この時の加工速度は、 ステージの移動速度に等しく、 毎秒 900咖である。
本実施例では 5分岐用の位相格子を用いたが、 ステージ制御系からの要求に合わせて、 分岐数を増減することは可能である。
①被加工物の閾値特性、 ②使用するレーザ発振器の出力及び台数、 ③ステージ制御系への 負荷を考慮してビーム径と位相格子の大きさを決めることにより、 集光スポッ 卜の並びの 複素振幅分布を最適化して均一な加工溝を得ることができる。 (実施例 8 )
本実施例のレーザ加工装置の構成を図 29に示す。 実施例 1に対する構成上の相違は、 複数の開溝を同時に形成する代わりに、 ステージ移動方向に長い棒状の集光強度分布をつ く り、 ステージ移動速度を速くすることにより加工速度を高める点にある。
レーザ発振機 1 1 0 1 a、 1 1 0 1 bは Qスィ ヅチ YAGレーザであり、 直線偏光の T EM00モードを出射する。 レーザ発振器内のブリュースター偏光素子の姿勢を違えて、 あ るいは、 発振器の外に波長板を配置して、 それぞれの発振器から出射されるビームが互い に直交する直線偏光となるようにする。 2本のビーム 1 1 04 aと 1 1 04 bは、 ェクス パンダコリメータ 1 1 05 aと 1 1 0 5 bで拡大される。 この後で、 偏光合成素子 1 1 0 7により合成され、 先のふたつのビームは共通の光路を進む。 波長板 8 1 0 1を用いて、 ビームの偏光方位を、 偏光分離素子 8 1 02の進相軸 (あるいは遅相軸) の方位に対して 45° に定める。 こうすることにより、 偏光分離素子 8 1 02へ入射したビームは、 等し く振幅分割される。 分割されたそれぞれの成分は、 偏向分離素子 8 1 04へ入射する。 本実施例で用いた偏向分離素子の構造は、 基本的には、 先に図 2 5に示したものと同じ である。 位相格子が形成されていて、 裏面にはゥエッジが形成されている。 位相格子は 2 つの領域を有し、 一方の領域は偏光分離された半分の振幅成分を、 もう一方の領域は残り の半分の搌幅成分を受ける。 ふたつの領域に形成した位相格子はどちらも、 実施例 1に示 した位相格子 4のデータから作製した位相格子である。
偏向分離素子 8 10 3の裏面に形成されたゥエツジにより、 位相格子を透過した 2つの 振幅成分の間には所定の角度が与えられるので、 半分の振幅成分から得た 8本のビームと、 残りの半分の振幅成分から得た 8本のビームに集光レンズ 1 1 1 0を作用させることによ り、 I TO膜の表面に、 スポッ ト間隔の半分だけ互いにずれたスポッ ト列を、 ステージ移 動方向と平行な同一直線上に形成する。
図 3 1に、 集光スポッ トが照射される I T 0膜の表面における照射強度分布を示す。 図 3 1 (a) は、 一方の偏光成分がつく る光強度分布、 図 3 1 (b) は、 もう一方の偏光成 分がつくる光強度分布である。 それそれの光強度分布は互いに、 スポッ ト間隔の半分だけ 位置がずれている。 これらの照射強度分布を足し合わせると、 図 3 1 (c) のにようにな る。 すなわち、 幅がスポッ ト径にほぼ等しく、 長さがスポッ ト径のおよそ 8.5倍の光強度分 布をつくることができる。 図 3 1 (a) (b) に示した光強度分布は、 偏光方向が互いに 直交するので、 干渉することがない。 したがって、 隣接する集光スポッ ト間の位相差の影 響を受けることがないので、 ほぼ均一な光強度分布が得られる。 なお、 図 2 9の構成には、 ビーム 1 1 1 3を楕円偏光化するための波長板は使用しない。
均一な幅と深さの溝を形成するには、 I T 0膜上での光強度分布を均一にする必要があ る。 I T 0膜上での光強度分布の均一性は、 位相格子とビームの相対的な大きさから決ま る。 本実施例では、 位相格子へ入射するビーム径を格子周期の長さと等しく し、 ェクスパ ンダコ リメータを用いてビーム径を調節することによ り、 スポッ トの並びの複素振幅分布 の形状を最適化した。 ビーム径を 12mm (1/e2) とすると、 位相格子の周期 pは、 p = 12匪 となる。
集光スポッ トのずらし量 と偏光分離素子が与える分離角度 0の間には、 つぎの関係 がある。 I s = f - Θ ( 1 2 ) これから、 スポッ ト径の半分だけスポッ トの並びをステージ移動方向へずらすには、 = w/2から、 w = 10um、 f =100顧とすると、 0 = 50 radとなる。
偏光分離素子のくさびの角度を?5、 偏向に要する屈折率差を
nとすると、 φ · Δ τι = θ ( 1 3 ) であるから、 ø =50mradとすると η =0.001となる。 ηとしては、 十分に実現できる値 である。
本実施例では、 ピークパワー 5.3KWのビーム 1本を偏向分離素子で 2本に分岐して、 それ それの振幅成分から、 位相格子 8 1 04で 8本の回折ビームを得た。 そして、 集光レンズ により、 合計 1 6本の回折ビームを光学的にフーリエ変換し、 I T O膜の表面に、 幅 mで長さ 153 ^1の集光強度分布を形成した。 この集光強度分布により、 幅 ΙΟ^πκ 長さ 1 にわたり、 I T 0膜を除去することができた。
本実施例では、 SO^secのパルス間欠時間にステージを ΪΟ^απιだけ移動させた。 こうして、 図 3 1に示すように、 幅 lO^ mの溝を間欠部分なく、 I T 0膜の表面に加工することがで きた。 この時の加工速度は、 ステージの移動速度に等しく、 毎秒 1400匪である。 本実施例では 8分岐用の位相格子を用いたが、 ステージ制御系からの要求に合わせて、 分岐数を増減することは可能である。 ①被加工物の閾値特性、 ②使用するレーザ発振器の 出力及び台数、 ③ステージ制御系への負荷を考慮してビーム径と位相格子の大きさを決め ることにより、 集光スポッ トの並びの複素振幅分布を最適化して均一な加工溝を得ること ができる。
(実施例 9 )
本発明のレーザ加工装置の構成を図 3 2に示す。 実施例 1ないし 8に対する構成上の相 違点は、 レーザ発振器を 1台だけ備えている点にある。
レーザ発振機器 9 1 0 1は Qスィッチ Y A Gレーザであり、 直線偏光の T E M 0 0モード を出射する。 レーザ発振器の Qスィ ッチ周波数は、 Qスイ ッチ ドライバ 9 1 0 2により制 御される。 ェクスパンダコリメータ 9 1 0 4により、 発振器から出射されるビーム 9 1 0 3を拡大する。 波長板 9 1 0 6により ビームの偏光を楕円偏光にした後に、 位相格子 9 1 0 7へ入射させる。 位相格子 9 1 0 7は、 1本の入射ビームを 3 2本の回折ビームに分岐 する作用を有する。 位相格子 9 1 0 7から出射された 3 2本のビームは、 集光レンズ 9 1 0 8を介して、 精密ステージ 9 1 1 0の上に保持された I T O膜 9 1 0 9の表面に、 3 2 個の集光スポヅ ト 9 1 1 1を所定の間隔で形成する。 そして、 精密ステージ 9 1 1 0を移 動することにより、 直線状あるいは曲線状に I T O膜を切断する。 図中、 9 1 0 5は光路 折り曲げミラ一である。
波長板を用いてビームを楕円偏光にすることにより、 I T O膜が有する異方性、 不均一 性や、 I T 0膜上の付着物に左右されることなく、 均一な幅と深さで I T 0膜を切断でき るので、 所要の加工品質を恒常的に維持することが可能となる。
使用したレーザ発振器は Quantronix社製のランプ励起型 Qスィ ツチ Y A Gレーザであり、 発振波長 532nm、 定格平均出力 8Wである。 加工条件とガラス基板への損傷について調べるた めに、 位相格子を使用せずに、 Qスィ ッチ周波数を変えて 1本の開溝を加工する実験を繰 り返した。 その結果、 Qスィッチ周波数を Ι ΟΚΗζ以下に設定すれば、 I T O膜及び下地のガ ラス基板にダメージを与えることなく、 開溝を形成できることが判明した。 また、 加工で きるかどうかは、 Qスィッチ周波数に依らずに、. ピークパワーの大小から決まることが判 明した。
図 5 ( a ) ( b ) に、 それぞれ、 Qスイ ッチ周波数が ΙΟΚΗζと 30KHzの時のレーザ出力と 時間の関係を示した。 加工時のピークパワーを 150Wとすると、 Qスィ ッチ周波数が Ι ΟΚΗζの 時のパルス幅とパルスエネルギーは、 それぞれ、 150nsec、 23 Jである。 他方、 Qスイ ツ チ周波数が 30KHzの時のパルス幅とパルスエネルギーは、 それそれ、 300nsec、 45〃<1である, これらのレーザ発振条件でガラス基板上の I T〇膜を加工すると、 Qスィ ツチ周波数が 10 KH zの条件では損傷は生じなかったが、 3 OKH zの条件では溝周縁部ならびにガラス基板表面 に微細な損傷が発生した。 30KHzの時に損傷が発生した理由は、 パルス幅が広がり、 過剰の エネルギーが投入されたからである。 すなわち、 ピ一クパワーが加工閾値に達している場 合でも、 Qスィ ッチ周波数から決まるパルス幅が許容値以上に広がっていると、 加工時の 損傷が避けられないのである。 このような場合には、 損傷を避けることを目的に、 パルス エネルギーを小さくすることは効果がない。 なぜならば、 ピークパワーが加工閾値を超え なくなり、 加工できなくなるからである。
以上の結果をふまえ、 ビームの分岐数及び加工速度に配慮して、 レーザ発振器の Qスィ ツチ周波数を 10KHz、 定格平均出力を 8Wに定めた。 この時のパルス幅は 150nsec、 ピークパ ヮ一は定格出力時の 5.3KWである。 図 3 3は、 本実施例におけるレーザ出力と時間の関係を 示す図である。
厚み 1500Aの I T 0膜に 1本の開溝を形成するには、 110W以上ののピークパワーを要す る。 そこで、 先に述べた位相格子 1 1 0 9を使い、 ピークパワー 5 .3KWのビームを 3 2本の ビームに分岐することにした。 そして、 集光レンズで 3 2本のビームを光学的にフ一リェ 変換して、 I T 0膜の表面に間隔が 200 ^1の 3 2個の集光スポッ トを照射した。 この時の 集光スポッ ト怪は 18/ mであり、 I T 0膜上に形成された加工痕の径は lO mである。 こ う して、 1発のパルスにより、 直径 l O U mの加工痕を 3 2個同時に形成することができる のである。 集光スポッ ト径と加工径の関係を図 6に示した。 I T 0膜が有する閾値特性の ために、 集光スポッ ト径よりも小さい加工痕が得られる点に注目されたい。
次のパルスが発振するまでの lOO secの間欠時間に、 精密ステージを使い、 加工痕の直 径の半分に相当する に等しい距離だけ基板を移動させる。 こうして 2台の発振器から のパルスビームで、 交互に、 直径 の加工痕を 3 2個同時に形成することを続けると、 図 3 4に示すように、 間隔 200 ^1、 幅 10 z mの溝を間欠部分なく加工することができた。 この間のステージの移動速度は毎秒 50咖であり、-常に一定である。 同時に 3 2本の溝を加 ェすることにより、 毎秒 1600讓の加工速度を達成したことになる。
3 2個の集光スポッ トの並び方向をステージ移動方向に対して傾けることにより、 スポ ッ トの間隔すなわち加工溝の間隔を自由に調節することもできる。 スポッ トの並び方向を 傾けるには、 回転ステージを使い、 位相格子をその面内で回転させればよい。 このような 調節機構を備えることにより、 液晶パネルの仕様に合わせて、 高精度に電極パターニング を行うことが可能になり、 さらに、 電極間隔が異なる液晶パネルの試作へも容易に対応で きる。 したがって、 商品開発のリードタイムを大幅に短縮できることになる。
本実施例の加工装置ならびに加工方法によれば、 I T 0膜を 10 z m以下の切断幅でパタ 一二ングすることができる。 このことにより、 液晶パネルの表示品質を支配する主要因で あるところの開口率ならびにコントラス ト比が大きく向上する。 他方、 従来のフォト リソ グラフィによる電極加工で得られる電極ギヤップは 30 Ζ ΙΠであり、 液晶パネルの開口率な らびにコントラス ト比を低下させる大きな原因となっていた。
本実施例では、 ランプ励起型 Qスィ ッチ Y A Gレーザを用いたが、 半導体レーザ励起型 Qスィ ッチ Y A Gレ一ザを用いてもよい。 また、 Y A Gレーザの代わりに Y L Fレーザを 使用した場合でも、 同等の効果が得られる。 さらに、 固体レーザに限らずに、 パルス発振 が可能な気体レーザを用いることもできる。 また、 加工に適した Qスィッチ周波数はレー ザ発振器の特性に依存し、 本実施例において引用した ΙΟΚΗζに限るものではない。 使用する レーザ発振器の特性ならびに被加工物の特性に合わせて、 最適な Qスィツチ周波数を決定 . しなければならない。
上記の実施例では、 間隔 200 m、 幅 10 mの溝加工について発明の効果を説明したが、 これらの条件が異なる溝加工についても、 ①位相格子の周期を変えることにより、 あるい は、 ②集光レンズの焦点距離を変えることによ り、 容易に対応することができる。 ビーム 分岐数も、 3 2本に限るものではなく、 レーザ加工装置の仕様に合わせて決定すればよい。 例えば、 表 2あるいは表 4のデータを使い、 1 6分岐用の位相格子を作製して用いること もできる。 ①被加工物の物性、 ②使用するレーザ発振器の出力及び台数を考慮し、 加工能 力の観点から最適な分岐数を定め、 所要の位相格子を設計、 製作することにより、 多くの 加工用途へ容易に対応することができる。
(実施例 1 0 )
実施例 1ないし 9の加土装置'により加工された I T 0膜基板上に配向膜を形成し、 この 配向膜に対して所要の配向処理 (例えば、 ラビング処理) を加える。 配向処理を終えた、 電極パターンが直交する 2枚の I T 0膜基板の間に液晶を封入し、 液晶パネルを組み立て る。 組み上げた液晶パネルに駆動回路を実装するには、 図 3 5に示すように、 3つの方法 がある。 なお、 以下の説明で用いる TABなる語は、 Tape Automated Bonding の略称であ り、 一般には、 駆動回路をテープ上に形成することを意味する。 ここでは、 駆動回路が形 成されたテープという意味で、 TABテープなる語を用いる。
( 1 ) TABテープをパネルの片側だけに実装する方法
TABテープ 1 0 1 02における配線間隔は、 液晶パネルの画素電極 1 0 1 0 1の間 隔に等しい。 この実装方法によれば、 液晶パネルと TABテープをつなぐ中間領域
(例えば、 図 36において開溝が傾斜している領域) が不要になり、 液晶パネルの上 下の一方ならびに左右の一方だけに TABテープを配置すれば足りるので、 液晶パネ ルの収納スペースを大幅に節約できる。 液晶パネルの収納スペースを節約することに より、 表示装置を小さくかつ軽くできる、 多彩なオプション機能を付加できる、 とい つた効果が生まれる (図 3 5 (a) 参照)
( 2 ) TABテープをパネルの両側に千鳥状に実装する方法
TABテープには熱収縮があるので、 液晶パネルの一辺の長さにわたり、 TABテ一 プの配線間隔の精度を確保することが難しい場合がある。 この点に、 上記 ( 1 ) の実 装方法の技術的困難さがある。 そこで、 適当な長さの TABテープ 1 02 02を複数 用意して、 液晶パネルの上下及び左右に千鳥状に配置することにより、 TABテープ の配線精度を確保することができる。 このような実装方法でも、 画素電極 1 02 0 1 と TABテープ 1 0202をつなぐ中間領域が不要になるので、 液晶パネルの収納ス ペースを節約する効果は大きい。 (図 3 5 (b) 参照)
(3) TABテープを中間領域を介して実装する方法
例えばガルバノミラーを使い、 ステージ移動方向と直交する方向にビームをふること により、 図 36に示すような電極パターンを形成する。 このような電極パターンを中 間領域 1 0 303として設けて、 画素電極 1 03 0 1と TABテープ 1 0 302を接 続する。 この方法は、 液晶パネルの収納スペースを節約する効果は小さいが、 従来の 実装部品をそのまま使用できるので、 上記 ( 1 ) ( 2) の方法に比べて、 実装コスト を低く抑える効果は格段に大きい。 (図 3 5 (c ) 参照) 実施例 1ないし 9の加工装置により加工された、 単純マトリクス駆動型液晶パネルのス トライプ電極の平面図を図 37 (a) に示した。 電極ピッチは 200^ m、 電極ギヤップは 1 0 /mである。 図中、 1 1 1 0 1は上側基板の電極ギャップであり、 1 1 1 02は下側基板 の電極ギャップである。 上側と下側の区別は、 液晶パネルの前に立った視認者から見た時 に、 手前が上側、 奥が下側というふうに定めた。
他方、 従来のやり方にしたがい、 フォ トマスク露光によりパターニングされたス トライ プ電極の拡大図を図 3 7 (b) に示す。 図中、 1 1 2 0 1は上側基板の電極ギャップであ り、 1 1 202は下側基板の電極ギャップである。 電極ピッチは 200 /m、 電極ギャップは 30 111である。
液晶パネルの表示品質を决定する主たる要因は、 電極開口率と、 コン トラス ト比である。 電極開口率とは、 光の透過率 (あるいは反射率) を制御することが可能な有効電極面積の ことである。 電極開口率を次式により定義する。 = (P-g) VP2= (1- g/P) 2 ··'· ( 14 ) ただし、 Pは電極ビヅチ、 gは電極ギャップである。 当然、 α<1である。 他方、 コントラス ト比とは、 光の透過率 (あるいは反射率) の最大値と最小値の比のこ とであり、 次式により定義できる。
C = - P [P2- (P- g) 2] = Χ/ (1- ) ···· ( 1 5) ただし、 は、 主に、 液晶の配向条件、 液晶層の厚さ、 駆動条件から決まる変数である。 式 ( 1 4) と式 ( 1 5 ) から、 電極開口率とコントラス ト比の間には、 大きな相関がある ことが理解できる。
式 ( 14 ) と式 ( 1 5 ) を使い、 図 37に示した 2種類の液晶パネルの電極開口率とコ ントラス ト比を計算した。 本発明の液晶パネルについては、 電極開口率 0.90、 コントラス ト比 20を得た。 他方、 従来の液晶パネルでは、 電極開口率 0.72、 コン トラスト比 3.6を得た。 これらの計算値に対して、 実測値は、 本発明の液晶パネルが、 電極開口率 0.90、 コン トラ スト比 45であり、 従来の液晶パネルが、 電極開口率 0.70、 コン トラス ト比 30であった。 本発明のレーザ加工装置及び加工方法を用いて液晶パネルの電極パターニングを行うこ とによ り、 電極ギャップを従来の 3分の 1以下 (10 m以下) 狭め、 電極開口率を〗.3倍に、 コン トラス ト比を 1 .5倍にできた。 この結果、 本発明の液晶パネルの視認性は、 従来の液晶 パネルと比べて、 格段に向上した。 産業上の利用可能性
以上のように、 本発明のレーザ加工装置は、 微細切断加工や微細穴開け加工へ幅広く利 用できる。 本発明のレーザ加工方法は、 とくに、 液晶パネルの電極パターニングに適して いる。 本発明の液晶パネルは、 開口率およびコントラス ト比が高く、 従来の液晶パネルよ りも表示品質において格段に優れている。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 少なく とも、 複数のパルスレーザ発振器と、 前記複数のパルスレーザ発振器のそれぞ れの発振位相をずらして前記複数のパルスレーザ発振器を順次駆動する手段と、 前記複数 のパルスレーザ発振器から出射されるビームのそれぞれを複数のビームに分岐する手段を 備え、 前記分岐する手段により得られた複数のビームを被加工物に照射することを特徴と するレーザ加工装置。
2 . 前記複数のパルスレーザ発振器が、 Qスィ ッチレーザ発振器であることを特徴とする 請求の範囲第 1項記載のレーザ加工装置。
3 . 前記複数の Qスィ ッチレーザ発振器が、 第 2高調波を出射する固体レーザ発振器であ ることを特徴とする請求の範囲第 2項記載のレーザ加工装置。
4 . 前記複数の固体レーザ発振器がランプ励起型発振器であることを特徴とする請求の範 囲第 3項記載のレーザ加工装置。
5 . 前記複数の固体レーザ発振器が半導体レーザ励起型発振器であることを特徴とする請 求の範囲第 3項記載のレーザ加工装置。
6 . 前記複数のレーザ発振器から出射されるビームの光路を一致させる手段を備えて成る ことを特徴とする請求の範囲第 1項記載のレーザ加工装置。
7 . 被加工物を照射する前記複数のビームを楕円偏光にする手段を備えて成ることを特徴 とする請求の範囲第 1項記載のレーザ加工装置。
8 . 前記分岐する手段を少なく とも光路と直交する面内で回転させる手段を備えて成るこ とを特徴とする請求の範囲第 1項記載のレーザ加工装置。
9 . 前記分岐する手段が位相格子であることを特徴とする請求の範囲第 1項記載のレーザ 加工装置。
1 0 . 前記複数のレーザ発振器から出射されるビームに振幅変調または位相変調を加える 空間フィルタを備えて成ることを特徴とする請求の範囲第 1項記載のレーザ加工装置。
1 1 . 前記分岐する手段により得られた複数のビームのそれぞれに少なく とも非点収差を 加える手段を備えて成ることを特徴とする請求の範囲第 1項記載のレーザ加工装置。
1 2 . 前記分岐する手段の他に、 ビームを偏向分離する手段を備え、 分岐方向と分離方向 が異なることを特徴とする請求の範囲第 1項記載のレーザ加工装置。
1 3 . 前記分岐する手段の他に、 ビームを偏向分離する手段を備え、 分岐方向と分離方向 が同じであることを特徴とする請求の範囲第 1項記載のレーザ加工装置。
1 4 . 少なく とも、 パルスレーザ発振器と、 前記パルスレーザ発振器を駆動する手段と、 前記パルスレーザ発振器から出射されるビームを複数のビームに分岐する手段を備え、 前 記分岐する手段により得られた複数のビームを被加工物に照射することを特徴とするレ一 ザ加工装置。
1 5 . 前記パルスレーザ発振器が、 Qスィッチレーザ発振器であることを特徴とする請求 の範囲第 1 4項記載のレーザ加工装置。
1 6 . 前記 Qスィ ッチレーザ発振器が、 第 2高調波を出射する固体レーザ発振器であるこ とを特徴とする請求の範囲第 1 5項記載のレーザ加工装置。
1 7 . 前記複数の固体レーザ発振器がランプ励起型発振器であることを特徴とする請求の 範囲第 1 6項記載のレーザ加工装置。
1 8 . 前記固体レーザ発振器が半導体レーザ励起型発振器であることを特徴とする請求の 範囲第 1 6項記載のレーザ加工装置。
1 9 . 被加工物を照射する前記複数のビームを楕円偏光にする手段を備えて成ることを特 徴とする請求の範囲第 1 4項記載のレーザ加工装置。
2 0 . 前記分岐する手段を少なく とも光路と直交する面内で回転させる手段を備えて成る ことを特徴とする請求の範囲第 1 4項記載のレーザ加工装置。
2 1 . 前記分岐する手段が位相格子であることを特徴とする請求の範囲第 1 4項記載のレ 一ザ加工装置。
2 2 . 前記レーザ発振器から出射されるビームに振幅変調または位相変調を加える空間フ ィルタを備えて成ることを特徴とする請求の範囲第 1 4項記載のレーザ加工装置。
2 3 . 前記分岐する手段により得られた複数のビームのそれぞれに少なく とも非点収差を 加える手段を備えて成ることを特徴とする請求の範囲第 1 4項記載のレーザ加工装置。
2 4 . 前記分岐する手段の他に、 ビームを偏向分離する手段を備え、 前記分岐する手段に より分岐されたビームの分岐方向と前記偏光分離する手段により偏光分離されたビームの 分岐方向が異なることを特徴とする請求の範囲第 1 4項記載のレーザ加工装置。
2 5 . 前記分岐する手段の他に、 ビームを偏向分離する手段を備え、 前記分岐する手段に より分岐されたビームの分岐方向と前記偏光分離する手段により偏光分離されたビームの 分岐方向が同じであることを特徴とする請求の範囲第 1 4項記載のレーザ加工装置。
2 6 . 少なく とも、 第 2高調波を出射する 2台の Qスィ ツチ固体レーザ発振器と、 前記 2 台のレーザ発振器のそれぞれの Qスィ ツチの位相をずらしてレーザ発振器を順次に駆動す る手段と、 前記 2台のレーザ発振器から出射されるビームの光路を一致させる手段と、 前 記ビームを複数のビームに分岐する透過型位相格子を備え、 前記透過型位相格子により得 られた複数のビームを被加工物に照射することを特徴とするレーザ加工装置。
2 7 . 前記 2台の Qスィ ツチ固体レーザ発振器がランプ励起型発振 ¾であることを特徴と する請求の範囲第 2 6項記載のレーザ加工装置。
2 8 . 前記 2台の Qスィ ツチ固体レーザ発振器が半導体レーザ励起型発振器であることを 特徴とする請求の範囲第 2 6項記載のレーザ加工装置。
2 9 . 被加工物を照射する前記複数のビームを楕円偏光にする手段を備えて成ることを特 徴とする請求の範囲第 2 6項記載のレーザ加工装置。
3 0 . 前記透過型位相格子を少なく とも光路と直交する面内で回転する手段を備えて成る ことを特徴とする請求の範囲第 2 6項記載のレーザ加工装置。
3 1 . 前記 2台の Qスィ ツチ固体レーザ発振器から出射されるビームに振幅変調または位 相変調を加える空間フィルタを備えて成ることを特徴とする請求の範囲第 2 6項記載のレ —ザ加工装置。
3 2 . 前記透過型位相格子により得られた複数のビームのそれそれに少なく とも非点収差 を加える手段を備えて成ることを特徴とする請求の範囲第 2 6項記載のレーザ加工装置。
3 3 . 前記透過型位相格子に加えて、 他のビーム分岐手段を備え、 それぞれの分岐方向が 互いに平行であることを特徴とする請求の範囲第 2 6項記載のレーザ加工装置。
3 4 . 前記透過型位相格子に加えて、 他のビーム分岐手段を備え、 それそれの分岐方向が 互いに直交することを特徴とする請求の範囲第 2 6項記載のレーザ加工装置。
3 5 . 複数のパルスレーザ発振器のそれぞれの発振位相をずらして前記複数のパルスレー ザ発振器を順次駆動し、 前記複数のパルスレーザ発振器から出射されるビームのそれぞれ を複数のビームに分岐し、 分岐された複数のビームを、 基板上に被着された透光性導電膜 に照射し、 前記基板または前記複数のビームを移動することにより、 前記透光性導電膜に 溝を形成することを特徴とするレーザ加工方法。
3 6 . 前記透光性導電膜膜が I T O膜であることを特徴とする請求の範囲第 3 5項記載の レーザ加工方法。
3 7 . 前記レーザ発振器が第 2高調波用 Y A Gレーザ発振器であることを特徴とする請求 の範囲第 3 5項記載のレーザ加工方法。
3 8 . 前記レーザ発振器が第 2高調波用 Y L Fレーザ発振器であることを特徴とする請求 の範囲第 3 5項記載のレーザ加工方法。
3 9 . 前記複数のビームをほぼ垂直に前記透光性導電膜に照射することを特徴とする請求 の範囲第 3 5項記載のレーザ加工方法。
4 0 . 前記複数のビームを斜めに前記透光性導電膜に照射することを特徴とする請求の範 囲第 3 5項記載のレーザ加工方法。
4 1 . 前記分岐する手段により得られたひとつのビーム列を前記透光性導電膜に照射する ことを特徴とする請求の範囲第 3 5項記載のレーザ加工方法。
4 2 . 前記分岐する手段により得られた複数のビーム列を前記透光性導電膜に照射するこ とを特徴とする請求の範囲第 3 5項記載のレーザ加工方法。
4 3 . パルスレーザ発振器から出射されるビームを複数のビームに分岐し、 分岐された複 数のビームを、 基板上に被着された透光性導電膜に照射し、 前記基板または前記複数のビ —ムを移動することにより、 前記透光性導電膜に溝を形成することを特徴とするレーザ加 ェ方法。
4 4 . 前記透光性導電膜膜が I T O膜であることを特徴とする請求の範囲第 4 3項記載の レーザ加工方法。
4 5 . 前記レーザ発振器が第 2高調波用 Y A Gレーザ発振器であることを特徴とする請求 の範囲第 4 3項記載のレーザ加工方法。
4 6 . 前記レーザ発振器が第 2高調波用 Y L Fレーザ発振器であることを特徴とする請求 の範囲第 4 3項記載のレーザ加工方法。
4 7 . 前記複数のビームをほぼ垂直に前記透光性導電膜に照射することを特徴とする請求 の範囲第 4 3項記載のレーザ加工方法。
4 8 . 前記複数のビームを斜めに前記透光性導電膜に照射することを特徴とする請求の範 囲第 4 3項記載のレーザ加工方法。
4 9 . 前記分岐する手段により得られたひとつのビーム列を前記透光性導電膜に照射する ことを特徴とする請求の範囲第 4 3項記載のレーザ加工方法。
5 0 . 前記分岐する手段により得られた複数のビーム列を前記透光性導電膜に照射するこ とを特徴とする請求の範囲第 4 3項記載のレーザ加工方法。
5 1 . 第 2高調波を出射する 2台の Qスィ ツチ固体レーザ発振器のそれぞれの Qスィ ヅチ の位相をずらしてレーザ発振器を順次に駆動し、 前記 2台のレーザ発振器から出射される ビームの光路を一致させ、 前記ビームを複数のビームに分岐する透過型位相格子により得 られた複数のビームを、 基板上に被着された透光性導電膜に照射し、 前記基板または前記 複数のビームを移動することにより、 前記透光性導電膜に溝を形成することを特徴とする レーザ加工方法。
5 2 . 前記透光性導電膜膜が I T O膜であることを特徴とする請求の範囲第 5 1項記載の レーザ加工方法。
5 3 . 前記レーザ発振器が第 2高調波用 Y A Gレーザ発振器であることを特徴とする請求 の範囲第 5 1項記載のレーザ加工方法。
5 4 . 前記レーザ発振器が第 2高調波用 Y L Fレーザ発振器であることを特徴とする請求 の範囲第 5 1項記載のレーザ加工方法。
5 5 . 前記複数のビームをほぼ垂直に前記透光性導電膜に照射することを特徴とする請求 の範囲第 5 1項記載のレーザ加工方法。
5 6 . 前記複数のビームを斜めに前記透光性導電膜に照射することを特徴とする請求の範 囲第 5 1項記載のレーザ加工方法。
5 7 . 前記分岐する手段により得られたひとつのビーム列を前記透光性導電膜に照射する ことを特徴とする請求の範囲第 5 1項記載のレーザ加工方法。
5 8 . 前記分岐する手段により得られた複数のビーム列を前記透光性導電膜に照射するこ とを特徴とする請求の範囲 5 1項記載のレーザ加工方法。
5 9 . 複数のパルスレーザ発振器のそれぞれの発振位相をずらして前記複数のパルスレ一 ザ発振器を順次駆動し、 前記複数のパルスレーザ発振器から出射されるビームのそれぞれ を複数のビームに分岐し、 分岐された複数のビームを、 基板上に被着された透光性導電膜 に照射し、 前記基板または前記複数のビームを移動することにより、 前記透光性導電膜に ス トライプ状の溝を形成された電極を備えて成ることを特徴とする液晶パネル。
6 0 . パルスレーザ発振器から出射されるビームを複数のビームに分岐し、 分岐された複 数のビームを、. 基板上に被着された透光性導電膜に照射し、 前記基板または前記複数のビ ームを移動することにより、 前記透光性導電膜にス トライプ状の溝を形成された電極を備 えて成ることを特徴とする液晶パネル。
6 1 . 第 2高調波を出射する 2台の Qスィ ツチ固体レーザ発振器のそれぞれの Qスィ ツチ の位相をずらしてレーザ発振器を順次に駆動し、 前記 2台のレーザ発振器から出射される ビームの光路を一致させ、 前記ビームを複数のビームに分岐する透過型位相格子により得 られた複数のビームを、 基板上に被着された透光性導電膜に照射し、 前記基板または前記 複数のビームを移動することにより、 前記透光性導電膜にス トライプ状の溝を形成された 電極を備えて成ることを特徴とする液晶パネル。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0734809A1 (de) * 1995-03-28 1996-10-02 Carl Baasel Lasertechnik GmbH Gerät zur Substratbehandlung, insbesondere zum Perforieren von Papier
JPH11503880A (ja) * 1996-02-09 1999-03-30 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ 半導体材料のウエファに形成された半導体素子のレーザ分割方法
US6228311B1 (en) 1996-01-18 2001-05-08 Xaar Technology Limited Method of and apparatus for forming nozzles
JP2002301581A (ja) * 2001-02-05 2002-10-15 Denso Corp レーザによる溝加工方法及びハニカム構造体成形用金型の製造方法
US7164098B2 (en) 2001-02-05 2007-01-16 Denso Corporation Method for machining grooves by a laser and honeycomb structure forming die and method for producing the same die
WO2022091253A1 (ja) * 2020-10-28 2022-05-05 株式会社ニコン 光加工装置

Families Citing this family (127)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69415484T2 (de) * 1993-06-04 1999-06-24 Seiko Epson Corp Vorrichtung und verfahren zum laserbearbeiten
JP3159906B2 (ja) * 1995-10-23 2001-04-23 アルプス電気株式会社 液晶表示素子の製造方法
US6624382B2 (en) * 1997-01-30 2003-09-23 Anvik Corporation Configured-hole high-speed drilling system for micro-via pattern formation, and resulting structure
JPH11207477A (ja) * 1998-01-26 1999-08-03 Mitsubishi Electric Corp きさげ加工装置およびきさげ加工方法
FR2779579B1 (fr) * 1998-06-09 2000-08-25 Thomson Csf Dispositif de commande optique pour l'emission et la reception d'un radar large bande
DE19840926B4 (de) * 1998-09-08 2013-07-11 Hell Gravure Systems Gmbh & Co. Kg Anordnung zur Materialbearbeitung mittels Laserstrahlen und deren Verwendung
US6252197B1 (en) 1998-12-01 2001-06-26 Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. Method and apparatus for separating non-metallic substrates utilizing a supplemental mechanical force applicator
US6259058B1 (en) * 1998-12-01 2001-07-10 Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. Apparatus for separating non-metallic substrates
US6555781B2 (en) 1999-05-10 2003-04-29 Nanyang Technological University Ultrashort pulsed laser micromachining/submicromachining using an acoustooptic scanning device with dispersion compensation
US6285002B1 (en) * 1999-05-10 2001-09-04 Bryan Kok Ann Ngoi Three dimensional micro machining with a modulated ultra-short laser pulse
US20060249491A1 (en) * 1999-09-01 2006-11-09 Hell Gravure Systems Gmbh Laser radiation source
ES2200460T3 (es) * 1999-12-23 2004-03-01 Leister Process Technologies Procedimiento y dispositivo para el calentamiento de por lo menos dos elementos mediante rayos laser con elevada densidad de energia.
US6541731B2 (en) * 2000-01-25 2003-04-01 Aculight Corporation Use of multiple laser sources for rapid, flexible machining and production of vias in multi-layered substrates
WO2001074529A2 (en) * 2000-03-30 2001-10-11 Electro Scientific Industries, Inc. Laser system and method for single pass micromachining of multilayer workpieces
DE10026567A1 (de) * 2000-05-30 2001-12-06 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Verfahren zur Beschriftung von Quarzglaslampen und damit hergestellte Quarzglaslampen
DE10026960B4 (de) * 2000-05-31 2008-10-02 Institut für Oberflächenmodifizierung e.V. Verfahren zur Abschwächung eines in einem optischen Strahlengang geführten Lichtstroms
JP2001354439A (ja) * 2000-06-12 2001-12-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd ガラス基板の加工方法および高周波回路の製作方法
JP3820930B2 (ja) * 2000-08-02 2006-09-13 セイコーエプソン株式会社 レーザー加工方法及び加工装置
JP2002066780A (ja) * 2000-08-30 2002-03-05 Canon Inc レーザ加工装置
IL138347A (en) * 2000-09-08 2003-09-17 Sarin Technologies Ltd Laser marking on diamonds
JP4659300B2 (ja) * 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
AU2002210860A1 (en) * 2000-12-15 2002-06-24 Xsil Technology Limited Laser machining of semiconductor materials
US6639177B2 (en) * 2001-03-29 2003-10-28 Gsi Lumonics Corporation Method and system for processing one or more microstructures of a multi-material device
JP3903733B2 (ja) * 2001-04-27 2007-04-11 株式会社デンソー ハニカム構造体成形用金型
KR101012913B1 (ko) * 2001-06-13 2011-02-08 오르보테크 엘티디. 다중빔 미세가공 시스템 및 방법
JP2003145761A (ja) * 2001-08-28 2003-05-21 Seiko Epson Corp 液体噴射ヘッド及びその製造方法並びに液体噴射装置
JP2003305585A (ja) * 2001-09-11 2003-10-28 Seiko Epson Corp レーザー加工方法および加工装置
JP2003200279A (ja) * 2001-10-24 2003-07-15 Seiko Epson Corp 基板の電気配線切断方法及びその装置、並びに電子デバイスの製造方法及びその装置
JP2003130808A (ja) * 2001-10-29 2003-05-08 Hitachi Ltd 欠陥検査方法及びその装置
GB0127410D0 (en) * 2001-11-15 2002-01-09 Renishaw Plc Laser substrate treatment
JP3925169B2 (ja) * 2001-11-26 2007-06-06 株式会社デンソー レーザー光による材料の同時一括溶融方法及び装置
KR20040063079A (ko) * 2001-12-07 2004-07-12 소니 가부시끼 가이샤 광 조사 장치 및 레이저 어닐 장치
ATE362653T1 (de) 2002-03-12 2007-06-15 Hamamatsu Photonics Kk Methode zur trennung von substraten
TWI326626B (en) * 2002-03-12 2010-07-01 Hamamatsu Photonics Kk Laser processing method
EP2272618B1 (en) 2002-03-12 2015-10-07 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting object to be processed
JP4228114B2 (ja) * 2002-05-07 2009-02-25 独立行政法人科学技術振興機構 微小物体の回収方法及び装置
DE10236854B4 (de) * 2002-08-07 2004-09-23 Samsung SDI Co., Ltd., Suwon Verfahren und Vorrichtung zur Strukturierung von Elektroden von organischen lichtemittierenden Elementen
KR100451951B1 (ko) * 2002-09-23 2004-10-08 김진곤 위상판 제조방법 및 그 제조장치
US7875414B2 (en) * 2002-09-27 2011-01-25 Canon Machinery Inc. Cyclic structure formation method and surface treatment method
US20040104980A1 (en) * 2002-12-02 2004-06-03 Xerox Corporation Ink jet apparatus
TWI520269B (zh) 2002-12-03 2016-02-01 Hamamatsu Photonics Kk Cutting method of semiconductor substrate
FR2852250B1 (fr) * 2003-03-11 2009-07-24 Jean Luc Jouvin Fourreau de protection pour canule, un ensemble d'injection comportant un tel fourreau et aiguille equipee d'un tel fourreau
WO2004080643A1 (ja) 2003-03-12 2004-09-23 Hamamatsu Photonics K.K. レーザ加工方法
US6867388B2 (en) * 2003-04-08 2005-03-15 Branson Ultrasonics Corporation Electronic masking laser imaging system
US6947454B2 (en) * 2003-06-30 2005-09-20 Electro Scientific Industries, Inc. Laser pulse picking employing controlled AOM loading
JP4563097B2 (ja) 2003-09-10 2010-10-13 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
US7085057B2 (en) * 2003-10-15 2006-08-01 Invenios Direct-write system and method for roll-to-roll manufacturing of reflective gratings
JP2005144487A (ja) * 2003-11-13 2005-06-09 Seiko Epson Corp レーザ加工装置及びレーザ加工方法
KR100813350B1 (ko) * 2004-03-05 2008-03-12 올림푸스 가부시키가이샤 레이저 가공 장치
WO2005093801A1 (en) 2004-03-26 2005-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation method and laser irradiation apparatus
JPWO2005102638A1 (ja) * 2004-04-27 2008-03-13 三星ダイヤモンド工業株式会社 脆性基板の垂直クラック形成方法および垂直クラック形成装置
US20060279793A1 (en) * 2004-07-30 2006-12-14 Hell Gravure Systems Gmbh Printing form processing with a plurality of engraving tool tracks forming lines
DE102004047798A1 (de) * 2004-09-29 2006-04-06 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Reinigung eines Resonators
US7820937B2 (en) * 2004-10-27 2010-10-26 Boston Scientific Scimed, Inc. Method of applying one or more electromagnetic beams to form a fusion bond on a workpiece such as a medical device
US20060114948A1 (en) * 2004-11-29 2006-06-01 Lo Ho W Workpiece processing system using a common imaged optical assembly to shape the spatial distributions of light energy of multiple laser beams
JPWO2006095411A1 (ja) * 2005-03-08 2008-08-14 富士通株式会社 光空間通信方法、光送信装置、光受信装置、光空間通信システム
US8395084B2 (en) * 2005-05-02 2013-03-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus and laser irradiation method
JP2011079057A (ja) * 2005-06-08 2011-04-21 Seiko Epson Corp レーザ加工装置およびレーザ加工方法
EP1910014A1 (en) * 2005-06-29 2008-04-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Laser welding system and method
JP2007021528A (ja) * 2005-07-15 2007-02-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd レーザ加工装置およびその調整方法
US7626138B2 (en) 2005-09-08 2009-12-01 Imra America, Inc. Transparent material processing with an ultrashort pulse laser
US9138913B2 (en) * 2005-09-08 2015-09-22 Imra America, Inc. Transparent material processing with an ultrashort pulse laser
JP2007110064A (ja) * 2005-09-14 2007-04-26 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd レーザアニール方法及び装置
US7767930B2 (en) * 2005-10-03 2010-08-03 Aradigm Corporation Method and system for LASER machining
JP4568205B2 (ja) * 2005-10-14 2010-10-27 株式会社東芝 受信装置
US7977601B2 (en) * 2005-11-28 2011-07-12 Electro Scientific Industries, Inc. X and Y orthogonal cut direction processing with set beam separation using 45 degree beam split orientation apparatus and method
WO2007072837A1 (en) * 2005-12-20 2007-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus and method for manufacturing semiconductor device
WO2007088795A1 (en) 2006-02-03 2007-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of memory element, laser irradiation apparatus, and laser irradiation method
US8580700B2 (en) 2006-02-17 2013-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP4808106B2 (ja) * 2006-08-23 2011-11-02 日東電工株式会社 光学フィルムの切断方法
JP2008085118A (ja) * 2006-09-28 2008-04-10 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US20080090396A1 (en) * 2006-10-06 2008-04-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light exposure apparatus and method for making semiconductor device formed using the same
DE102007019812B4 (de) 2007-04-26 2021-08-26 Carl Zeiss Meditec Ag Laserchirurgische Vorrichtung zur Augenbehandlung
JP2009072789A (ja) * 2007-09-18 2009-04-09 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工装置
JP4854684B2 (ja) * 2008-01-22 2012-01-18 日本発條株式会社 ヘッドサスペンションの修正方法及び製造方法、ヘッドサスペンション、並びに薄板の加工方法
JP5580826B2 (ja) * 2009-08-11 2014-08-27 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
US20120120059A1 (en) * 2009-10-27 2012-05-17 Alexandre Bratkovski Display for 3d holographic images
JP4961468B2 (ja) * 2009-10-29 2012-06-27 三星ダイヤモンド工業株式会社 レーザー加工方法、被加工物の分割方法およびレーザー加工装置
CN102612420A (zh) * 2009-11-19 2012-07-25 深圳市大族激光科技股份有限公司 多头激光加工方法及其装置
US8946590B2 (en) * 2009-11-30 2015-02-03 Corning Incorporated Methods for laser scribing and separating glass substrates
CN102139484B (zh) * 2010-01-29 2015-05-20 西进商事股份有限公司 激光划线方法以及装置
KR101135537B1 (ko) * 2010-07-16 2012-04-13 삼성모바일디스플레이주식회사 레이저 조사 장치
US9023461B2 (en) * 2010-10-21 2015-05-05 Electro Scientific Industries, Inc. Apparatus for optically laser marking articles
US10429712B2 (en) 2012-04-20 2019-10-01 View, Inc. Angled bus bar
JP5904590B2 (ja) 2012-10-05 2016-04-13 株式会社日本製鋼所 結晶質半導体の製造方法および結晶質半導体の製造装置
WO2014079478A1 (en) 2012-11-20 2014-05-30 Light In Light Srl High speed laser processing of transparent materials
US9346122B1 (en) * 2013-01-08 2016-05-24 Universal Laser Systems, Inc. Multi-wavelength laser processing systems and associated methods of use and manufacture
EP2754524B1 (de) 2013-01-15 2015-11-25 Corning Laser Technologies GmbH Verfahren und Vorrichtung zum laserbasierten Bearbeiten von flächigen Substraten, d.h. Wafer oder Glaselement, unter Verwendung einer Laserstrahlbrennlinie
EP2781296B1 (de) 2013-03-21 2020-10-21 Corning Laser Technologies GmbH Vorrichtung und verfahren zum ausschneiden von konturen aus flächigen substraten mittels laser
CN105324708B (zh) * 2013-06-18 2020-02-14 唯景公司 非矩形形状上的电致变色设备
US9815730B2 (en) 2013-12-17 2017-11-14 Corning Incorporated Processing 3D shaped transparent brittle substrate
US9701563B2 (en) 2013-12-17 2017-07-11 Corning Incorporated Laser cut composite glass article and method of cutting
US10293436B2 (en) 2013-12-17 2019-05-21 Corning Incorporated Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom
US9676167B2 (en) 2013-12-17 2017-06-13 Corning Incorporated Laser processing of sapphire substrate and related applications
US11556039B2 (en) 2013-12-17 2023-01-17 Corning Incorporated Electrochromic coated glass articles and methods for laser processing the same
US20150165560A1 (en) 2013-12-17 2015-06-18 Corning Incorporated Laser processing of slots and holes
US9850160B2 (en) 2013-12-17 2017-12-26 Corning Incorporated Laser cutting of display glass compositions
US10442719B2 (en) 2013-12-17 2019-10-15 Corning Incorporated Edge chamfering methods
WO2015131102A1 (en) * 2014-02-28 2015-09-03 The General Hospital Corporation System and method for processing radiation detectors using laser beams
JP2017521259A (ja) 2014-07-08 2017-08-03 コーニング インコーポレイテッド 材料をレーザ加工するための方法および装置
EP3169479B1 (en) 2014-07-14 2019-10-02 Corning Incorporated Method of and system for arresting incident crack propagation in a transparent material
WO2016010949A1 (en) 2014-07-14 2016-01-21 Corning Incorporated Method and system for forming perforations
KR20170028943A (ko) 2014-07-14 2017-03-14 코닝 인코포레이티드 조정가능한 레이저 빔 촛점 라인을 사용하여 투명한 재료를 처리하는 방법 및 시스템
WO2016010991A1 (en) 2014-07-14 2016-01-21 Corning Incorporated Interface block; system for and method of cutting a substrate being transparent within a range of wavelengths using such interface block
US10047001B2 (en) 2014-12-04 2018-08-14 Corning Incorporated Glass cutting systems and methods using non-diffracting laser beams
TWI532560B (zh) * 2015-01-09 2016-05-11 位元奈米科技股份有限公司 透明導電板的雷射蝕刻方法及其所製成的透明導電板
CN107406293A (zh) 2015-01-12 2017-11-28 康宁股份有限公司 使用多光子吸收方法来对经热回火的基板进行激光切割
KR102546692B1 (ko) 2015-03-24 2023-06-22 코닝 인코포레이티드 디스플레이 유리 조성물의 레이저 절단 및 가공
EP3274313A1 (en) 2015-03-27 2018-01-31 Corning Incorporated Gas permeable window and method of fabricating the same
US11186060B2 (en) 2015-07-10 2021-11-30 Corning Incorporated Methods of continuous fabrication of holes in flexible substrate sheets and products relating to the same
EP3368314A4 (en) * 2015-10-30 2019-05-01 Seurat Technologies, Inc. MULTIFUNCTIONAL INGESTER SYSTEM FOR GENERATIVE MANUFACTURING
MY194570A (en) 2016-05-06 2022-12-02 Corning Inc Laser cutting and removal of contoured shapes from transparent substrates
US10410883B2 (en) 2016-06-01 2019-09-10 Corning Incorporated Articles and methods of forming vias in substrates
US10794679B2 (en) 2016-06-29 2020-10-06 Corning Incorporated Method and system for measuring geometric parameters of through holes
JP7090594B2 (ja) 2016-07-29 2022-06-24 コーニング インコーポレイテッド レーザ加工するための装置および方法
WO2018044843A1 (en) 2016-08-30 2018-03-08 Corning Incorporated Laser processing of transparent materials
JP6923284B2 (ja) 2016-09-30 2021-08-18 コーニング インコーポレイテッド 非軸対称ビームスポットを用いて透明被加工物をレーザ加工するための装置及び方法
JP7066701B2 (ja) 2016-10-24 2022-05-13 コーニング インコーポレイテッド シート状ガラス基体のレーザに基づく加工のための基体処理ステーション
US10752534B2 (en) 2016-11-01 2020-08-25 Corning Incorporated Apparatuses and methods for laser processing laminate workpiece stacks
CN109922962B (zh) * 2016-11-11 2021-04-27 株式会社Lg化学 大面积液晶装置的图案的形成方法
US10580725B2 (en) 2017-05-25 2020-03-03 Corning Incorporated Articles having vias with geometry attributes and methods for fabricating the same
US11078112B2 (en) 2017-05-25 2021-08-03 Corning Incorporated Silica-containing substrates with vias having an axially variable sidewall taper and methods for forming the same
US10626040B2 (en) 2017-06-15 2020-04-21 Corning Incorporated Articles capable of individual singulation
DE102018216507A1 (de) 2017-09-29 2019-04-04 Carl Zeiss Meditec Ag Vorrichtung und Verfahren zur Materialbearbeitung mittels Laserstrahlung
US11554984B2 (en) 2018-02-22 2023-01-17 Corning Incorporated Alkali-free borosilicate glasses with low post-HF etch roughness
US11318558B2 (en) 2018-05-15 2022-05-03 The Chancellor, Masters And Scholars Of The University Of Cambridge Fabrication of components using shaped energy beam profiles
CN115091107B (zh) * 2022-08-24 2023-04-25 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 一种用于激光加工的高精度装夹装置及装夹方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61249693A (ja) * 1985-04-24 1986-11-06 シ−メンス、アクチエンゲゼルシヤフト プラスチツクフイルム上の金属の無い帯状部の形成方法
JPH01254392A (ja) * 1987-12-11 1989-10-11 Nippon Steel Corp 製品表面のダル加工法
JPH0489192A (ja) * 1990-07-31 1992-03-23 Sigma Koki Kk レーザ加工装置
JPH04266492A (ja) * 1991-02-20 1992-09-22 Sanyo Electric Co Ltd レ−ザ加工装置

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1561258A (ja) * 1968-01-15 1969-03-28
DE2754104A1 (de) * 1977-12-05 1979-06-13 Hauni Werke Koerber & Co Kg Vorrichtung zum herstellen einer zone gewuenschter luftdurchlaessigkeit in einem huellmaterialstreifen fuer stabfoermige artikel der tabakverarbeitenden industrie
US4404454A (en) * 1978-09-20 1983-09-13 Philip Morris Incorporated Light energy perforation apparatus and system
JPS6033595B2 (ja) * 1983-03-31 1985-08-03 株式会社東芝 レ−ザ加工装置
JPS60196282A (ja) * 1984-03-19 1985-10-04 Sanyo Electric Co Ltd レ−ザ加工装置
JPS60261142A (ja) * 1984-06-08 1985-12-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置作製方法
JPS6189636A (ja) * 1984-10-08 1986-05-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光加工方法
US5708252A (en) * 1986-09-26 1998-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Excimer laser scanning system
WO1988006504A1 (en) * 1987-02-24 1988-09-07 Nippon Steel Corporation Method and apparatus for dull finish of roll with pulse laser
JPH01245993A (ja) * 1988-03-27 1989-10-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜加工装置
JPH01296623A (ja) * 1988-05-25 1989-11-30 Nec Corp 薄膜除去方法
DE3831743A1 (de) * 1988-09-17 1990-03-29 Philips Patentverwaltung Vorrichtung zur bearbeitung eines werkstueckes mit laserlicht und verwendung dieser vorrichtung
US4870244A (en) * 1988-10-07 1989-09-26 Copley John A Method and device for stand-off laser drilling and cutting
US5017755A (en) * 1988-10-26 1991-05-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of repairing liquid crystal display and apparatus using the method
JPH02259727A (ja) * 1989-03-31 1990-10-22 Ricoh Co Ltd 液晶表示素子におけるパターン形成法
JPH0771756B2 (ja) * 1989-05-26 1995-08-02 松下電器産業株式会社 レーザトリミング装置
US5057664A (en) * 1989-10-20 1991-10-15 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for laser processing a target material to provide a uniformly smooth, continuous trim profile
US4997250A (en) * 1989-11-17 1991-03-05 General Electric Company Fiber output coupler with beam shaping optics for laser materials processing system
EP0513359B1 (en) * 1990-07-31 1994-07-20 Materials And Intelligent Devices Research Co., Ltd. Yag laser working machine for precision working of thin film
JP2919037B2 (ja) * 1990-09-26 1999-07-12 日本電気株式会社 レーザパターン形成装置
US5362940A (en) * 1990-11-09 1994-11-08 Litel Instruments Use of Fresnel zone plates for material processing
US5237149A (en) * 1992-03-26 1993-08-17 John Macken Laser machining utilizing a spacial filter
JP2588281Y2 (ja) * 1992-11-25 1999-01-06 株式会社小松製作所 レーザマーキング装置
US5463200A (en) * 1993-02-11 1995-10-31 Lumonics Inc. Marking of a workpiece by light energy
DE69415484T2 (de) * 1993-06-04 1999-06-24 Seiko Epson Corp Vorrichtung und verfahren zum laserbearbeiten
US5521628A (en) * 1993-08-30 1996-05-28 Lumonics Corporation Laser system for simultaneously marking multiple parts
US5373137A (en) * 1994-01-28 1994-12-13 Litton Systems, Inc. Multiple-line laser writing apparatus and method
US5571429A (en) * 1994-02-25 1996-11-05 Litel Instruments Apparatus and process for high speed laminate processing with computer generated holograms
JP3141715B2 (ja) * 1994-12-22 2001-03-05 松下電器産業株式会社 レーザ加工方法
DE19511393B4 (de) 1995-03-28 2005-08-25 Carl Baasel Lasertechnik Gmbh Gerät zur Substratbehandlung, insbesondere zum Perforieren von Papier
JPH11503880A (ja) * 1996-02-09 1999-03-30 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ 半導体材料のウエファに形成された半導体素子のレーザ分割方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61249693A (ja) * 1985-04-24 1986-11-06 シ−メンス、アクチエンゲゼルシヤフト プラスチツクフイルム上の金属の無い帯状部の形成方法
JPH01254392A (ja) * 1987-12-11 1989-10-11 Nippon Steel Corp 製品表面のダル加工法
JPH0489192A (ja) * 1990-07-31 1992-03-23 Sigma Koki Kk レーザ加工装置
JPH04266492A (ja) * 1991-02-20 1992-09-22 Sanyo Electric Co Ltd レ−ザ加工装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0734809A1 (de) * 1995-03-28 1996-10-02 Carl Baasel Lasertechnik GmbH Gerät zur Substratbehandlung, insbesondere zum Perforieren von Papier
US5684617A (en) * 1995-03-28 1997-11-04 Carl Baasel Lasertechnik Gmbh Device for treating substrates, in particular for perforating paper
US6228311B1 (en) 1996-01-18 2001-05-08 Xaar Technology Limited Method of and apparatus for forming nozzles
US7473387B2 (en) 1996-01-18 2009-01-06 Xaar Technology Limited Method of and apparatus for forming nozzles
JPH11503880A (ja) * 1996-02-09 1999-03-30 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ 半導体材料のウエファに形成された半導体素子のレーザ分割方法
JP2002301581A (ja) * 2001-02-05 2002-10-15 Denso Corp レーザによる溝加工方法及びハニカム構造体成形用金型の製造方法
US7164098B2 (en) 2001-02-05 2007-01-16 Denso Corporation Method for machining grooves by a laser and honeycomb structure forming die and method for producing the same die
WO2022091253A1 (ja) * 2020-10-28 2022-05-05 株式会社ニコン 光加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20020139786A1 (en) 2002-10-03
EP0656241A4 (en) 1995-10-25
EP0656241B1 (en) 1998-12-23
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