WO1997015066A2 - Verfahren zur herstellung eines coriolis-drehratensensors - Google Patents

Verfahren zur herstellung eines coriolis-drehratensensors Download PDF

Info

Publication number
WO1997015066A2
WO1997015066A2 PCT/DE1996/001969 DE9601969W WO9715066A2 WO 1997015066 A2 WO1997015066 A2 WO 1997015066A2 DE 9601969 W DE9601969 W DE 9601969W WO 9715066 A2 WO9715066 A2 WO 9715066A2
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
wafer
etching
rate sensor
projections
rotation rate
Prior art date
Application number
PCT/DE1996/001969
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
WO1997015066A3 (de
Inventor
Horst Muenzel
Franz LÄRMER
Michael Offenberg
Andrea Schilp
Markus Lutz
Original Assignee
Robert Bosch Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch Gmbh filed Critical Robert Bosch Gmbh
Priority to DE59605992T priority Critical patent/DE59605992D1/de
Priority to US09/051,878 priority patent/US6214243B1/en
Priority to JP9515420A priority patent/JPH11513844A/ja
Priority to KR1019980702860A priority patent/KR19990066938A/ko
Priority to EP96945505A priority patent/EP0856143B1/de
Publication of WO1997015066A2 publication Critical patent/WO1997015066A2/de
Publication of WO1997015066A3 publication Critical patent/WO1997015066A3/de

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C19/00—Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
    • G01C19/56—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C19/00—Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
    • G01C19/56—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
    • G01C19/5719—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using planar vibrating masses driven in a translation vibration along an axis
    • G01C19/5733—Structural details or topology
    • G01C19/574—Structural details or topology the devices having two sensing masses in anti-phase motion
    • G01C19/5747—Structural details or topology the devices having two sensing masses in anti-phase motion each sensing mass being connected to a driving mass, e.g. driving frames
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0035—Constitution or structural means for controlling the movement of the flexible or deformable elements
    • B81B3/0051—For defining the movement, i.e. structures that guide or limit the movement of an element
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C19/00—Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
    • G01C19/56—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
    • G01C19/5719—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using planar vibrating masses driven in a translation vibration along an axis
    • G01C19/5769—Manufacturing; Mounting; Housings
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0228—Inertial sensors
    • B81B2201/0242—Gyroscopes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/05—Type of movement
    • B81B2203/058—Rotation out of a plane parallel to the substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Gyroscopes (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Coriolis-Drehratensensors, nit federnd an einem Substrat aufgehängten, schwingenden Trägermassen sowie Antriebsmitteln zur Anregung einer planaren Schwingung der Trägermassen und Auswertemitteln zum Erfassen einer Coriolis-Beschleunigung. Es ist vorgesehen, daß die schwingenden Trägermassen (12, 14), sowie die Antriebsmittel (20) und integrierte Anschläge (36, 38) in einem gemeinsamen Arbeitsgang mittels Plasmaätzens aus einem Silicon-on-Insulater (SOI)-Wafer strukturiert werden.

Description

Verfahren zur Herstellung eines Coriolis-Drehraten- sensors
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Coriolis-Drehratensensors, nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Stand der Technik
Als Coriolis-Drehratensensoren ausgebildete Sensoren sind an sich bekannt. Diese weisen federnd an einem Substrat aufgehängte, auslenkbare Schwingmassen auf, die Auswertemittel zum Erfassen von Coriolisbeschleu- nigungen tragen.
Es ist bekannt, derartige Coriolis-Drehratensensoren mittels Plasmaätzen der Trägerstruktur (Resonator) aus einer zuvor durch zeitkontrollierteε Rückseiten- Naßätzen hergestellten Bulk-Siliciummembran zu struk- turieren. Hierbei iεt nachteilig, daß durch das zeit¬ kontrollierte Naßätzen der Membran exakte Verfahrens¬ bedingungen eingehalten werden müssen, da ansonsten die Membrandicke und damit die Strukturhöhen, also auch die für den Plasmaätzvorgang benötigten Ätz- zeiten zum Durchätzen von der Vorderseite nicht kon¬ trolliert werden können.
Vorteile der Erfindung
Das erfindungsgemäße Verfahren mit den im Anspruch 1 genannten Merkmalen bietet demgegenüber den Vorteil, daß die schwingungsfähigen Trägerstrukturen, die die Eeschleunigungssensoren zur Messung der Coriolisbe- εchleunigung tragen, einfach und genau strukturiert werden können. Dadurch, daß die schwingende Träger¬ struktur, die die Auswertemittel sowie die Antriebs¬ mittel trägt mittels Plaεmaätzens aus einem Silicon- on-Insulator (SOI) -Wafersubstrat strukturiert werden, ist eε vorteilhaft möglich, die Strukturierung weit¬ gehend unabhängig von Ätzzeiten vorzunehmen. Der Ätz¬ vorgang stoppt, εowohl der Naßätzschritt von der Wafer-Rückseite als auch der Plasmaätzschritt von der Wafervorderseite, automatisch am Buried Oxide, εo daß die eingestellten Strukturhöhen ausschließlich von der Dicke der SOI-Schicht bestimmt werden. Hiermit wird es möglich, ein sogenanntes Überätzen durchzu¬ führen, das heißt, der jeweilige Ätzvorgang kann für einen längeren Zeitraum alε an sich notwendig wäre, durchgeführt werden, so daß insgesamt die Prozeßsich¬ erheit bei der Strukturierung erhöht wird. Daε Buried-Oxid gewährleistet neben der Stoppfunktion für
BΛD 0WG*NAL I die Ätzprozesse gleichzeitig einen Schutz der Struk¬ turunterseiten während des Plasmaätzprozesses. An¬ sonsten würden nach dem Durchätzen der Membranfenster im Plasma durch Ätzgase (Fluorradikale) , die um die Kanten herumgreifen, die Strukturunterseiten attak- kiert . Insbesondere wird es somit vorteilhaft mög¬ lich, auf dem Wafersubstrat zuerst die Wafervorder- seite im Plasma fertig zu strukturieren, so daß während der Herstellung bis zuletzt ein stabiler Wafer erhalten bleibt. Die Erzeugung der Membranen kann sehr vorteilhaft erst anschließend - alε letzter Schritt - mittels eines Naß- oder Trockenätzvorgangε von der Waferrückεeite erfolgen, wobei das Buried Oxid - wie erwähnt - eine Abdichtung zur bereitε fertig εtrukturierten Wafervorderseite übernimmt. Mittels deε Buried Oxidε erfolgt quaεi eine Abdich¬ tung der Wafervorderεeite zur Waferrückεeite, waε durch eine zusätzliche Vorderεeitenbelackung noch unterεtützt werden kann.
Sehr vorteilhaft iεt weiterhin, daß das Buried Oxid während der Opferschichtätzung der Coriolisbeschleu- nigungεaufnehmer auf den Träσerstrukturen ohne zu¬ sätzlichen Aufwand sehr leicht entfernt werden kann.
In bevorzugter Ausgestaltung der Erfindung ist vorge¬ sehen, daß gleichzeitig mit den schwingenden Träger¬ massen, die die Coriolisbeschleunigungεsensoren tra¬ gen, an diese integrierte Überlastanschläge εtruk- turiert werden. Die integrierten Überlastanschläge lassen sich sehr vorteilhaft gemeinsam mit den Schwingmassen und deren Federn, mittels des Plasma-
BAD OR1GINA' ^ ätzprozesses von der Wafervorderεeite auε dem SOI- Wafersubstrat herausstrukturieren, ohne daß aufwendi¬ ge Zusatzmaßnahmen zur Ausbildung externer Überlast¬ anschläge erforderlich sind. Insgesamt läßt sich so¬ mit mittels eines Plasmatiefenätzprozesεeε von der Wafervorderεeite eine sehr kompakte Trägerstruktur für einen Drehratensensor mit integrierten Überlast- anεchlägen in einfacher Weise strukturieren.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den übrigen in den Unteranspruchen genannten Merkmalen.
Zeichnungen
Die Erfindung wird nachfolgend in Ausführungsbeispie¬ len anhand der zugehörigen Zeichnungen näher erläu¬ tert. Es zeigen:
Figur 1 eine schematische Draufsicht auf eine Trägerstruktur eineε Drehratensensor;
Figur 2 eine Schnittdarstellung durch den Drehratensensor gemäß Figur 1;
Figur die Schaffung von Strukturen des Drehraten- 3a und 3b sensors nach einer ersten Ausführungsvariante;
Figur die Schaffung von Strukturen des Drehraten- 4a und 4b sensors nach einer zweiten Ausführungsvariante;
^ ORIGINAL * Figur optionale zusätzliche Verfahrensschritte 5a und 5b zur Schaffung der Strukturen;
Figur optionale zusätzliche Verfahrensschritte 6a und 6b zur Schaffung der Strukturen nach einer weiteren Ausführungsvariante;
Figur 7 eine εchematische Draufsicht auf eine
Trägerstruktur eines Drehratensensorε nach einer weiteren Ausführungsvariante und
Figur 8 eine Teilschnittdarstellung durch den Drehratensensor gemäß Figur 7.
Beschreibung der Ausführungsbeiεpiele
Figur 1 zeigt eine Draufsicht auf einen Drehratensen¬ sor 10. Der Drehratensenεor 10 weist zwei Schwingmas- εen 12 beziehungεweise 14 auf. Die Schwingmassen 12 und 14 sind über Federn 16 mit einer Basis (Subεtrat) 18 verbunden. Die Federn 16 weiεen ein hoheε Aspekt- Verhältnis auf, das heißt, ihre Höhe ist im Verhäl¬ tnis zu ihrer Dicke möglichst groß. Die Federn 16 sind somit in einer planaren Schwingungsebene weich und senkrecht zur planaren Schwingungsebene steif ausgebildet. Die Schwingmassen 12 und 14, die gleich¬ zeitig Beschleunigungssensoren 15 zum Beschleuni¬ gungsnachweis tragen, sind somit in der planaren Schwingungsebene weich und senkrecht zur planaren Schwingebene steif aufgehängt . Den Schwingmassen 12 und 14 können jeweils Kammstrukturen 20 beziehungs¬ weise 22 für einen elektrostatischen Schwingungsan-
BAD ORIGINAL OW trieb zugeordnet sein. Es sind aber auch andere An¬ triebe denkbar. Die Kammstrukturen 20 und 22 besitzen jeweils einen fest mit den Schwingmaεεen 12 bezie¬ hungεweise 14 verbundenen Kamm 26 εowie einen mit dem Kamm 26 in Eingriff εtehenden, mit der Basis 18 ver¬ bundenen Kamm 28. Der Kamm 28 ist an einem Sockel 30 befestigt, der in einer Ausnehmung 32 der Basiε 18 angeordnet iεt. Durch die Anordnung des Sockels 30 in der Ausnehmung 32 wird dieser von einer grabenförmi- gen Struktur 34 umgeben und lateral elektriεch iεo¬ liert; die vertikale Isolation übernimmt daε vergra¬ bene Oxid deε SOI-Waferaufbaus .
Die Schwingmaεεen 12 und 14 weisen ferner an ihren Stirnseiten fingerförmig ausgebildete Vorsprünge 36 auf, die in Ausnehmungen 38 der Basiε 18 eingreifen. Die in die Ausnehmungen 38 eingreifenden Vorεprünge 36 werden von einer grabenförmigen Struktur 40 um¬ geben. Wie noch erläutert wird, besitzen die Sockel 30 an ihrer Unterseite eine feste, elektrisch iso¬ lierende Verbindung zu der Basis 18, während die Vor¬ sprünge 36 nach Abschluß der Prozessierung, das heißt, der Opferoxidätzung, frei in die Ausnehmungen 38 hineinragen, alεo keine Verbindung mit der Baεiε 18 mehr beεitzen. Die Ausnehmungen 32 und 38 gehen von einem Durchbruch 42 aus, innerhalb dem die Schwingmasεen 12 und 14 εowie die Federn 16 angeord¬ net sind. Wie in der in Figur 2 gezeigten Schnittdar¬ stellung noch deutlich wird, liegen die Oberflächen der Basis 18 sowie der Schwingmassen 12 und 14, der Kammstrukturen 20 beziehungsweise 22 und der Vor¬ sprünge 36 in etwa auf einer planaren Ebene.
BAD ORIGINAL Die in Figur 1 gezeigte Trägerstruktur (Schwingmassen 12, 14 und Federn 16) dient der Erzeugung von Coriolis-Beschleunigungen, die von den zusätzlich aufgebrachten OMM(Oberflächen-Mikromechanik) -Be¬ schleunigungssensoren 15 erfaßt werden. Mittels der Kammstrukturen 20 werden die Schwingmaεεen 12 und 14 durch Anlegen einer elektriεchen Wechεelspannung durch elektrostatische Kräfte in eine planare Schwingbewegung versetzt. Selbstverständlich sind auch andere Antriebsarten, beispielsweise elektro¬ magnetisch durch die Lorenzkraft auf einen εtrom- durchflossenen Leiter im Magnetfeld, denkbar. Im Rah¬ men der hier vorliegenden Beschreibung soll auf die Wirkungsweiεe deε Drehratenεensorε 10 nicht weiter eingegangen werden, da diese allgemein bekannt ist.
Die in die Ausnehmungen 38 eingreifenden Vorsprünge 36 dienen einer vertikalen Bewegungsbegrenzung für die Schwingmassen 12 beziehungsweiεe 14. Hierdurch werden untere Anschläge für die Schwingmasεen 12 und 14 gebildet, die einen Überlaεt/Schock-Schutz bilden.
In der Figur 2 ist ein Querschnitt durch den Dreh¬ ratensensor 10 gezeigt. Gleiche Teile wie in Figur 1 sind mit gleichen Bezugszeichen versehen und nicht nochmals erläutert. Anhand des Querschnitts wird der schichtformige Aufbau des Drehratensensors 10 deut¬ lich. Der Drehratensensor 10 weist ein Bulk-Substrat 44 auf, auf dem eine Siliciumoxidεchicht (Siθ2) als unteres Buried-Oxid 46 ausgebildet ist. Auf dem Buried-Oxid 46 ist eine SOI-Schicht 48 vorgesehen, an die sich eine EpiPoly-Schicht 50 anschließt. Das
BAD ORIGINAL Bulk-Substrat 44 weist den Durchbruch 42 auf, der von der SOI-Schicht 48 und der EpiPoly-Schicht 50 membranartig überspannt wird. Innerhalb der SOI- Schicht 48 und der EpiPoly-Schicht 50 εind die Schwingmasεen 12 und 14, die Federn 16, die Kamm- εtrukturen 20 und 22, die Sockel 30, die Vorεprünge 36 εowie die Ausnehmungen 32 und 38 strukturiert. Die Grenze zwiεchen dem Bulk-Substrat 44 und den Struk¬ turelementen deε Drehratenεensors 10 wird von dem unteren Buried-Oxid 46 gebildet. Durch das untere Buried-Oxid 46 wird der Drehratensensor 10 in eine Waferrückseite 52 und eine Wafervorderseite 54 auf¬ geteilt. Die Schwingmasεen 12 und 14 und die Federn 16 können auε der relativ dicken SOI-Schicht 48 be¬ stehen, auf die eine obere Siliciumoxid-Schicht als oberes Buried-Oxid 56 strukturiert ist. Auf dem oberen Buried-Oxid 56 εind die Beschleunigungsauf¬ nehmer 15 in EpiPoly-Technik aufgebracht. Somit wer¬ den die Schwingmassen 12 und 14 von einer Träger¬ struktur aus der SOI-Schicht 48 und den darauf ange¬ ordneten Beschleunigungεaufnehmern 15 gebildet.
Nach einer weiteren Ausführungsvariante können . an¬ stelle der Ausbildung der Beschleunigungsaufnehmer 15 aus EpiPoly diese ebenfalls in der SOI-Technik (SOI2- Ansatz) strukturiert werden. Die Buried-Oxid-Schich- ten 46 beziehungsweise 56 können in allgemein be¬ kannter Weise mittels einer thermischen Oxidation und darauffolgenden Bond- und Schleif- oder Bond- und Rückätzprozessen erzeugt werden.
BAD ORIGINAL g Anhand der Figuren 3a und 3b wird die Herstellung des Drehratensensors 10 in einem ersten Ausführungε- beispiel erläutert. Gemäß Figur 3a wird von einem SOI-Wafer 60 mit einer Buried-Oxid-Schicht 46 ausgegangen. Von der Waferrückεeite 52 erfolgt ein naßchemiεcheε Ätzen. Das Naß-Ätzmedium (Kalilauge) wird über eine hier nicht dargestellte Maske an die Waferrückseite 52 herangeführt, εo daß εich aufgrund der Kriεtallεtruktur deε Siliciumwaferε 60 die V- förmige Öffnung 62 ergibt. Daε Buried-Oxid 46 iεt gegenüber dem verwendeten Ätzmedium (heiße Lauge) reεistent und dient εomit alε Ätzstopp für den Naß- Ätzvorgang. Durch die Ausbildung dieseε definierten Ätzstoppes für den Naßätzvorgang wird erreicht, daß die an der Wafervorderεeite 54 verbleibende Membran (SOI-Schicht 48) , in der später die Trägerstruktur des Drehratensensors 10 strukturiert wird, eine definierte Dicke besitzt, die ausschließlich von der Dicke der SOI-Schicht 48 bestimmt wird. Die Dicke der Schicht 48 iεt somit unabhängig von der Ätzzeit, mit der daε Ätzen der Öffnung 62 von der Waferrückεeite 52 erfolgt. Durch das Buried-Oxid 46 wird gleichzei¬ tig eine Schutzschicht für die Wafervorderseite 54 vor den Ätzmedien, beispielsweiεe KOH, Flußsäure + HNO3 oder Plasmaätzgasen TMAH (Tetramethylammonium- hydroxid) gebildet. Auf die Trägerstruktur sind noch die hier nicht dargestellten Beschleunigungssensoren 15 (Figur 2) aufgebracht.
In einem nächsten Verfahrensschritt, der in Figur 3b gezeigt ist, wird an der Wafervorderseite 54 ein anisotroper Plasmatiefenätzprozeß durchgeführt. Hier-
BAD onβlNAL ß bei wird auf die Wafervorderseite 54 eine nicht dar¬ gestellte Maskierung, beispielεweiεe ein Photolack, aufgebracht, wobei die Maskierung der späteren Struk¬ turierung des Drehratensensors 10 entspricht. Über die Maskierung wird also die Geometrie der Schwing¬ massen 12 und 14, der Kammεtrukturen 20 und 22, der Sockel 30, der Vorεprünge 36, der Ausnehmungen 32 und 38 sowie der Federn 16 (Figur 1) bestimmt. Durch das ansetzende Plasmatiefenätzen werden die nicht mas¬ kierten Bereiche aus der SOI-Schicht 48 herausge- trencht . Für diesen Plasmatiefenätzprozeß von der Wafervorderseite 54 dient wiederum daε Buried-Oxid 46 alε Stopp. Die Buried-Oxid-Schicht 46 kann abεchlie- ßend in den Bereichen in einfacher Weiεe entfernt werden, in denen, gemäß der in Figur 2 gezeigten Schnittdarstellung, die frei schwingenden Strukturen des Drehratensenεors 10 vorgesehen sind. Insgesamt läßt sich somit in einfacher Weise ein Drehraten- εenεor 10 strukturieren.
Gleichzeitig mit der Strukturierung des Drehratenεen- εorε 10 können die in Figur 1 dargestellten Vorsprün¬ ge 36 strukturiert werden, die einen Überlast/Schock- Schutz für den Drehratensensor 10 bilden. Durch eine entsprechende Ausbildung der Maske während des Plas- matiefenätzprozesses werden die grabenförmigen Struk¬ turen 40 (Figur 1) mit herausgeätzt, εo daß die Vor¬ εprünge 36 entstehen, wobei dieεe einstückig mit den Schwingmassen 12 beziehungsweiεe 14 ausgebildet sind. Die Vorsprünge 36 können somit ohne aufwendige Zu¬ sätzmaßnahmen aus dem bereits vorhandenen Aufbau des Wafers 60 erhalten werden. Da die Vorsprünge 36 mit
BAD ORIGINAL J> den Schwingmassen 12 beziehungsweise 14 mitschwingen, dürfen diese keine Verbindung zu dem Bulk-Substrat 44 aufweisen. Hierzu muß später eine Freilegung, das heißt, eine Ablösung der Vorsprünge 36 von dem Bulk- Substrat 44 durch Unterätzen deε Buried-Oxid 46 im Bereich der Vorsprünge 36 erfolgen. Dies geschieht ebenfalls ohne zuεätzlichen Aufwand während der Opferoxidätzung der OMM-Beschleunigungsaufnehmer 15. Je nach Dicke der Buried-Oxid-Schicht 46 kann hier eine Diεtanz von ca. 1 biε 3 μm geεchaffen werden. Dies wird im allgemeinen genügen, um ein freieε Schwingen der Trägerεtruktur 12, 14 zu erlauben.
In einer anderen, anhand der Figuren 4a und 4b ver¬ deutlichten Ausführungsvariante der Erfindung wird es vorteilhaft möglich, den Ätzprozeß von der Waferrück- seite 52 erst nach Abschluß der vollständigen Pro- zeεεierung der Wafervorderεeite 54 durchzuführen. Dies hat den Vorteil, daß für die Prozessierung der Wafervorderseite 54 ein insgesamt stabiler Wafer 60 ohne rückseitige Ätzöffnungen zur Verfügung steht, der in seiner Stabilität noch nicht durch die Öffnung 62 beeinflußt ist. Hinsichtlich der Einzelheiten der Vorderseitenprozeßierung und des Ätzens von der Rück¬ seite wird auf das vorhergehende Ausführungsbeispiel verwiesen. Das Verbleiben der Buried-Oxid-Schicht 46 unter den auf der Wafervorderseite 54 geschaffenen Strukturen gewährleistet gleichzeitig einen sehr guten Schutz gegenüber dem Ätzangriff von der Wafer- rückseite 52.
ß4D ORIGINAL Sollte dies Distanz zwischen der Buried-Oxid-Schicht 46 und der geschaffenen Trägerstruktur in bestimmten Anwendungsfällen nicht ausreichen, kann gemäß der Figuren 5c und 5b der Abstand zwischen den Vor¬ sprüngen 36 und dem Bulk-Substrat 44 durch ein iεo- tropes Plasma-Unterätzen der Vorsprünge 36 im Bulk- Subεtrat 44 vergrößert werden. Hierbei werden die Seitenwände der geεchaffenen Trenchgräben 64, in die¬ sem speziellen Fall der die später die grabenförmigen Struktur 40 ergebenden Trenchgräben 64, gegenüber einem iεotrop angreifenden Fiasmamedium paεsiviert. Hierzu können die Seitenwänce beispielsweiεe mit einem teflonartigen Plaεmafilm 66 versehen werden. Anεchließend erfolgt daε iεotrope Plasmaunterätzen im Bulk-Substrat 44, so daß dort Freiräume 68 entstehen. Die Freiräume 68 verbinden hierbei jeweils zwei benachbarte Trenchgräben 64, εo daß der zwischen den Trenchgräben 64 verbleibende Bereich 70, im gewählten Beispiel also die Vorsprünge 36, keinen Berührungs¬ kontakt mehr mit dem Bulk-Subεtrat 44 beεitzen.
Nach einer weiteren Auεführungsvariante kann gemäß der in Figur 6a und 6b verdeutlichten Verfahrens- schritte nach dem Plasmatiefenätzen der Trenchgräben 64 und das Entfernen des Buried-Oxids 46 am Grund der Trenchgräben 64 an daε Bulk-Substrat 44 eine anodi¬ sche Spannung 70 angelegt werden. Die freigelegte Oberfläche des Bulk-Substratε 44 in den Trenchgräben 64 wird mit einem Elektrolyten 72, beispielsweiεe wäßriger Flußsäure und Isopropanol beaufschlagt. Hierdurch erfolgt ein elektrochemisches Auflösen von Bereichen des Bulk-Substrats 44, die ebenfallε zur
BAD ORIGINAL Ausbildung der Freiräume 68 (Figur 4b) führen. Die auf der Wafervorderseite 54, die geschaffenen Struk¬ turen aufweisende SOI-Schicht 48 wird hierbei vor dem elektrochemischen Zersetzen bewahrt, da diese über das Buried-Oxid 46 von dem anodischen Potential 70 elektrisch iεoliert ist.
Insgeεamt ergibt sich somit die Möglichkeit, mittels eines einfach beherrschbaren Plaεmatiefenätzprozeεεeε in der SOI-Schicht 48 einen Drehratenεenεor 10 zu strukturieren, der einen effizienten elektroεta- tischen Kammantrieb 20 zur Anregung der planaren Schwingungsbewegung der Schwingmaεεen 12 und 14 be- ziehungεweiεe einen kapazitiven Kammabgriff 22 zur Detektion der Schwingungsbewegung aufweist. Selbst¬ verständlich sind auch andere Antriebsarten, bei¬ spielsweiεe elektromagnetiεch über die Lorentzkraft auf eine Leiterschleife im äußeren Magnetfeld, denk¬ bar. Durch das Buried-Oxid 46 ist eine hochwertige dielektrische Isolation der Strukturen gegeneinander gegeben. Die laterale Iεolation wird in einfacher Weiεe durch das Tiefentrenchen der grabenförmigen Strukturen 32 um die Sockel 30 herum erreicht. Die Sockel 30 werden bei der Opferoxidätzung nicht ab¬ geätzt, da diese größere Dimensionen aufweisen.
In den Figuren 7 und 8 ist ein weiteres Ausfuhrungs- beispiel eines Drehratensensors 10 gezeigt, wobei gleiche Teile wie in den vorhergehenden Figuren mit gleichen Bezugszeichen versehen und nicht nochmals erläutert sind. Zusätzlich zu der Ausbildung des unteren Anschlages gegen Überlast/Schock des Be-
BAD ORIGINAL schleunigungssensorε 10 durch daε Eingreifen der Vor- εprünge 36 in die Auεnehmungen 38 iεt hier ein oberer Anschlag 74 vorgeεehen, der die Vorεprünge 36 über¬ greift. Der obere Anschlag 74 wird erzielt, indem die Vorsprünge 36 bis zum oberen Buried-Oxid 56 (Figur 6) abgeätzt werden. Dieseε Abätzen kann εehr vorteilhaft gleichzeitig mit dem Plaεmatiefenätzprozeß zur Aus¬ bildung der Strukturen der oberen Beschleunigungε- εenεoren 15 (Trenchgräben 64 gemäß Figur 3 und 4) erfolgen und erfordert keinen zusätzlichen Proze߬ schritt .
Das Buried-Oxid kann im Fall von oberem EpiPoly vor Abscheidung der dicken Polyschicht entweder geeignet vorεtrukturiert werden, oder eε wird während deε Tieftrenchprozesses zur Ätzung der schwingenden Trä- gerεtruktur durch Wechsel der Ätzplasmachemie zu einer Oxidätzchemie durchgeätzt, was speziell beim SOI5 -Prozeß vorteilhaft ist. Es entεteht εo zwischen Oberfläche Vorsprung 36 (=unteres SOI) und Oberfläche des umgebenden Festland-Siliciums (Basis 18) (=EpiPoly oder oberes SOI) eine Höhendifferenz von der Dicke der oberen EpiPoly- oder SOI-Schicht, zum Beispiel 12 μm. Dann werden durch Aufbringen eines Festresists brückenförmige Anschläge 74 so über den Vorsprüngen 36 erzeugt, daß diese bei Auslenkung nach oben um die Dicke der oberen EpiPoly- oder SOI-Schicht an der Unterseite der Anschläge 74 anschlagen. Der Feεtre- siεt kann entweder vor dem Laminieren photolitho- graphiεch vorstrukturiert und danach justiert aufge¬ bracht werden, oder die Aufbringung und anschließende Photolithographie deε Festresists geschieht ganz-
BAD ORIGINAL 4 flächig vor der Opferεchichtätzung der OMM-Senεor- εtrukturen, wo eine Naßentwicklung auf dem Wafer noch zuläεεig iεt.
Die Anεchläge 74 laεεen sich beispielsweise derge¬ stalt erzeugen, daß ein geschlosεener Feεtreεist- rahmen 76 die gesamte Senεorεtruktur umεchließt, wie dieε die Abbildung 5 εchematisch darstellt.
Nach einem anderen, nicht dargestellten Ausführungε¬ beiεpiel, iεt eε auch möglich, eine Kappe εo auf die Basis 18 aufzubringen, beispielsweise durch Kleben oder Löten, daß der Kappenrand die Anschläge 36 so überdeckt, daß die entsprechende Anεchlagwirkung ent¬ steht. Der Kappenrand entspricht damit sinngemäß dem überlappenden Festresiεtrahmen 74, 76.
QAD ORIGINAL (f

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zur Herstellung eineε Drehratensensors, mit federnd an einem Substrat aufgehängten, auslenk¬ baren Schwingmaεsen, die Auswertemittel zum Erfasεen von Coriolis-Beεchleunigungen tragen, sowie Antriebs¬ mitteln zur Anregung einer planaren Schwingung der Schwingmasεen, dadurch gekennzeichnet, daß eine auε den Schwingmaεsen (12, 14) und den Federn (16) beεtehende Trägerstruktur für die Auswertemittel
(15) , sowie die Antriebsmittel (20) in einem gemein¬ samen Arbeitsgang mittels Plasmaätzens aus einem Silicon-on-Insulater (SOI) -Wafer (60) strukturiert werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Waferaufbau (60) eine Buried-Oxid-Schicht (46) beinhaltet, die als Ätzstopp für das vorder¬ seitige Plasmaätzen und das rückseitige Ätzen dient.
BAD ORIGINAL fij
3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Buried-Oxid-Schicht
(46) gleichzeitig als Ätzstopp für einen Ätzprozeß zur Erzeugung einer SOI-Membranschicht (48) in dem Wafer (60) von der Waferrückεeite (52) dient.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Anεprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Freilegung der SOI- Membranεchicht (48) mit den Strukturen (12, 14, 16, 20, 22, 36) des Drehratensensors (10) durch das naßchemische Ätzen von der Waferrückεeite (52) nach Abεchluß der Strukturierung deε Drehratensensorε (10) von der Wafervorderεeite (54) erfolgt.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Anεprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Drehratensensor- Trägerstruktur (10) in der SOI-Membranεchicht (48) strukturiert wird.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß gleichzeitig mit den Schwingmasεen (12, 14) Überlaεtanεchläge für die Drehratensensor-Trägerstruktur (10) strukturiert wer¬ den.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß zur Ausbildung der Überlastanschläge grabenför- mige Strukturen (40) um Vorsprünge (36) strukturiert werden, und daß das Buried-Oxid (46) unter den Vorsprüngen (36) in einem späteren Prozeßschritt als Opferoxid entfernt wird.
BAD
ORIGINAL /$
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 und 7, da¬ durch gekennzeichnet, daß ein Bulk-Subεtrat (44) unter den Vorsprüngen (36) zur Ausbildung von Frei- räumen (68) , bei geschützter Seitenwand, beispiels¬ weise teflonbeschichteter Seitenwand, isotrop plasma- unterätzt wird, um den Abstand der Vorεprünge (36) von der Basiε (18) und damit die vertikale Beweg¬ lichkeit der Schwingmaεsen (12, 14) zu vergrößern.
9. Verfahren nach einem der Anεprüche 6 und 7, da¬ durch gekennzeichnet, daß das Bulk-Subεtrat (44) unter den Vorsprügen (36) zur Ausbildung der Frei¬ räume (68) elektrochemisch angeätzt wird, und Frei¬ räume für eine vertikale Beweglichkeit damit ver¬ größert werden.
10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprü¬ che, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich zu den unteren Anschlägen obere Anschläge für die εeiε- mischen Massen (12, 14) erzeugt werden.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeich¬ net, daß über die Vorsprünge (36) brückenförmige An¬ schläge (74) strukturiert werden.
12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeich¬ net, daß die brückenformigen Anschläge (74) als ein die gesamte Struktur deε Drehratensensorε (10) um¬ schließender Festresiεtrahmen (76) ausgebildet wer¬ den. 13. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprü¬ che, dadurch gekennzeichnet, daß eine Kappe so auf¬ gebracht wird, daß der Kappenrand den Anschlag (74) bildet.
PCT/DE1996/001969 1995-10-20 1996-10-17 Verfahren zur herstellung eines coriolis-drehratensensors WO1997015066A2 (de)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE59605992T DE59605992D1 (de) 1995-10-20 1996-10-17 Verfahren zur herstellung eines coriolis-drehratensensors
US09/051,878 US6214243B1 (en) 1995-10-20 1996-10-17 Process for producing a speed of rotation coriolis sensor
JP9515420A JPH11513844A (ja) 1995-10-20 1996-10-17 コリオリ回転速度センサの製造方法
KR1019980702860A KR19990066938A (ko) 1995-10-20 1996-10-17 코리올리 회전속도 센서의 제조 방법
EP96945505A EP0856143B1 (de) 1995-10-20 1996-10-17 Verfahren zur herstellung eines coriolis-drehratensensors

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19539049A DE19539049A1 (de) 1995-10-20 1995-10-20 Verfahren zur Herstellung eines Coriolis-Drehratensensors
DE19539049.0 1995-10-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
WO1997015066A2 true WO1997015066A2 (de) 1997-04-24
WO1997015066A3 WO1997015066A3 (de) 1997-06-12

Family

ID=7775319

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/DE1996/001969 WO1997015066A2 (de) 1995-10-20 1996-10-17 Verfahren zur herstellung eines coriolis-drehratensensors

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6214243B1 (de)
EP (1) EP0856143B1 (de)
JP (1) JPH11513844A (de)
KR (1) KR19990066938A (de)
DE (2) DE19539049A1 (de)
WO (1) WO1997015066A2 (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004016547A1 (de) * 2002-08-02 2004-02-26 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur herstellung einer mikromechanischen vorrichtung, insbesondere einer mikromechanischen schwingspiegelvorrichtung
US6766689B2 (en) 2001-04-27 2004-07-27 Stmicroelectronics S.R.L. Integrated gyroscope of semiconductor material
US6928872B2 (en) 2001-04-27 2005-08-16 Stmicroelectronics S.R.L. Integrated gyroscope of semiconductor material with at least one sensitive axis in the sensor plane

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19652002C2 (de) * 1995-12-15 2003-03-27 Flowtec Ag Schwingungs-Meßgerät
US5945599A (en) * 1996-12-13 1999-08-31 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Resonance type angular velocity sensor
US6122961A (en) 1997-09-02 2000-09-26 Analog Devices, Inc. Micromachined gyros
DE19844686A1 (de) * 1998-09-29 2000-04-06 Fraunhofer Ges Forschung Mikromechanischer Drehratensensor und Verfahren zur Herstellung
DE19847305B4 (de) * 1998-10-14 2011-02-03 Robert Bosch Gmbh Herstellungsverfahren für eine mikromechanische Vorrichtung
DE19847455A1 (de) * 1998-10-15 2000-04-27 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Bearbeitung von Silizium mittels Ätzprozessen
DE19939318A1 (de) 1999-08-19 2001-02-22 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements
DE19949605A1 (de) * 1999-10-15 2001-04-19 Bosch Gmbh Robert Beschleunigungssensor
KR100374812B1 (ko) * 1999-11-04 2003-03-03 삼성전자주식회사 두개의 공진판을 가진 마이크로 자이로스코프
US6742389B2 (en) 2001-01-24 2004-06-01 The Regents Of The University Of Michigan Filter-based method and system for measuring angular speed of an object
FR2834055B1 (fr) * 2001-12-20 2004-02-13 Thales Sa Capteur inertiel micro-usine pour la mesure de mouvements de rotation
US6865944B2 (en) * 2002-12-16 2005-03-15 Honeywell International Inc. Methods and systems for decelerating proof mass movements within MEMS structures
US7514283B2 (en) * 2003-03-20 2009-04-07 Robert Bosch Gmbh Method of fabricating electromechanical device having a controlled atmosphere
JP2004294332A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Denso Corp 半導体力学量センサ
US8912174B2 (en) * 2003-04-16 2014-12-16 Mylan Pharmaceuticals Inc. Formulations and methods for treating rhinosinusitis
US7075160B2 (en) * 2003-06-04 2006-07-11 Robert Bosch Gmbh Microelectromechanical systems and devices having thin film encapsulated mechanical structures
US6936491B2 (en) 2003-06-04 2005-08-30 Robert Bosch Gmbh Method of fabricating microelectromechanical systems and devices having trench isolated contacts
US6952041B2 (en) * 2003-07-25 2005-10-04 Robert Bosch Gmbh Anchors for microelectromechanical systems having an SOI substrate, and method of fabricating same
FR2860865B1 (fr) * 2003-10-10 2006-01-20 Thales Sa Gyrometre micromecanique infertiel a diapason
US7068125B2 (en) * 2004-03-04 2006-06-27 Robert Bosch Gmbh Temperature controlled MEMS resonator and method for controlling resonator frequency
JP2005283393A (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Fujitsu Media Device Kk 慣性センサ
US7102467B2 (en) * 2004-04-28 2006-09-05 Robert Bosch Gmbh Method for adjusting the frequency of a MEMS resonator
EP1617178B1 (de) * 2004-07-12 2017-04-12 STMicroelectronics Srl Mikroelektromechanische Struktur mit elektrisch isolierten Gebieten und Verfahren zu ihrer Herstellung
KR100652952B1 (ko) * 2004-07-19 2006-12-06 삼성전자주식회사 커플링 스프링을 구비한 멤스 자이로스코프
US7232701B2 (en) * 2005-01-04 2007-06-19 Freescale Semiconductor, Inc. Microelectromechanical (MEM) device with a protective cap that functions as a motion stop
US7140250B2 (en) * 2005-02-18 2006-11-28 Honeywell International Inc. MEMS teeter-totter accelerometer having reduced non-linearty
US20070170528A1 (en) * 2006-01-20 2007-07-26 Aaron Partridge Wafer encapsulated microelectromechanical structure and method of manufacturing same
KR100868759B1 (ko) * 2007-01-25 2008-11-17 삼성전기주식회사 멤스 디바이스 및 이의 제조방법
JP2009074979A (ja) * 2007-09-21 2009-04-09 Toshiba Corp 半導体装置
US8011247B2 (en) * 2008-06-26 2011-09-06 Honeywell International Inc. Multistage proof-mass movement deceleration within MEMS structures
DE102009000429B4 (de) * 2009-01-27 2021-01-28 Robert Bosch Gmbh Mikromechanische Vorrichtung und Herstellungsverfahren hierfür
JP2014076527A (ja) * 2012-10-12 2014-05-01 Seiko Epson Corp Ｍｅｍｓセンサー、および電子機器、ロボット、移動体
JP6195051B2 (ja) * 2013-03-04 2017-09-13 セイコーエプソン株式会社 ジャイロセンサー、電子機器、及び移動体
JP6175868B2 (ja) * 2013-04-03 2017-08-09 株式会社豊田中央研究所 Ｍｅｍｓ装置
WO2018135211A1 (ja) 2017-01-17 2018-07-26 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 センサ
DE102020205616A1 (de) 2020-05-04 2021-11-04 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Mikromechanische Sensoranordnung, Verfahren zur Verwendung einer mikromechanischen Sensoranordnung

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0618450A1 (de) * 1993-03-30 1994-10-05 Siemens Aktiengesellschaft Beschleunigungssensor
EP0664438A1 (de) * 1994-01-25 1995-07-26 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Mikromechanischer Stimmgabelumdrehungsmesser mit kammförmigen Antriebselemente

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5734105A (en) * 1992-10-13 1998-03-31 Nippondenso Co., Ltd. Dynamic quantity sensor
DE4315012B4 (de) * 1993-05-06 2007-01-11 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung von Sensoren und Sensor
US5488862A (en) * 1993-10-18 1996-02-06 Armand P. Neukermans Monolithic silicon rate-gyro with integrated sensors
US5484073A (en) * 1994-03-28 1996-01-16 I/O Sensors, Inc. Method for fabricating suspension members for micromachined sensors
US5640133A (en) * 1995-06-23 1997-06-17 Cornell Research Foundation, Inc. Capacitance based tunable micromechanical resonators
US5600065A (en) * 1995-10-25 1997-02-04 Motorola, Inc. Angular velocity sensor

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0618450A1 (de) * 1993-03-30 1994-10-05 Siemens Aktiengesellschaft Beschleunigungssensor
EP0664438A1 (de) * 1994-01-25 1995-07-26 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Mikromechanischer Stimmgabelumdrehungsmesser mit kammförmigen Antriebselemente

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6766689B2 (en) 2001-04-27 2004-07-27 Stmicroelectronics S.R.L. Integrated gyroscope of semiconductor material
US6928872B2 (en) 2001-04-27 2005-08-16 Stmicroelectronics S.R.L. Integrated gyroscope of semiconductor material with at least one sensitive axis in the sensor plane
WO2004016547A1 (de) * 2002-08-02 2004-02-26 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur herstellung einer mikromechanischen vorrichtung, insbesondere einer mikromechanischen schwingspiegelvorrichtung
US7261825B2 (en) 2002-08-02 2007-08-28 Robert Bosch Gmbh Method for the production of a micromechanical device, particularly a micromechanical oscillating mirror device

Also Published As

Publication number Publication date
DE59605992D1 (de) 2000-11-16
WO1997015066A3 (de) 1997-06-12
DE19539049A1 (de) 1997-04-24
EP0856143A2 (de) 1998-08-05
JPH11513844A (ja) 1999-11-24
KR19990066938A (ko) 1999-08-16
US6214243B1 (en) 2001-04-10
EP0856143B1 (de) 2000-10-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0856143A2 (de) Verfahren zur herstellung eines coriolis-drehratensensors
EP0976005B1 (de) Herstellungsverfahren für mikromechanische vorrichtung
DE19537814B4 (de) Sensor und Verfahren zur Herstellung eines Sensors
EP2100179B1 (de) Mikrospiegel-aktuator mit kapselungsmöglichkeit sowie verfahren zur herstellung
US20020185737A1 (en) Multi-level integrated circuit for wide-gap substrate bonding
DE102016221251A1 (de) System und Verfahren für ein Differenzialkammantrieb-MEMS
WO2008052762A2 (de) Halbleiteranordnung und verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung
WO1995009366A1 (de) Mikromechanische vorrichtung und verfahren zu deren herstellung
DE102014103341A1 (de) Halbleiterbauelemente und Verfahren zu ihrer Bildung
EP1169650B1 (de) Unterschiedliche opferschichtdicken unter festen und beweglichen elektroden ( kapazitiver beschleunigungssensor )
WO2001058803A2 (de) Verfahren zur herstellung eines mikromechanischen bauelements sowie ein nach dem verfahren hergestelltes bauelement
WO1992001941A1 (de) Mikromechanischer drehratensensor
DE10003066A1 (de) Halbleitersensor für eine physikalische Größe und Verfahren zum Herstellen desselben
DE60117458T2 (de) Integrierter Druckwandler
EP1105344B1 (de) Mikromechanischer sensor und verfahren zu seiner herstellung
JP4146850B2 (ja) 垂直段差構造物の製作方法
DE4003473C2 (de)
DE102010061782B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Bauelements
DE69836813T2 (de) Verfahren zur Herstellung von Winkelgeschwindigkeitsmessern
DE19913683C2 (de) Verfahren zur Herstellung großflächiger Membranmasken
DE10231730B4 (de) Mikrostrukturbauelement
DE102016216870B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Bauteils mit einer freigestellten Drucksensoreinrichtung
TW201632455A (zh) 採用複合基材的微機電元件以及其製作方法
DE102010039180B4 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterchips und entsprechender Halbleiterchip
DE19812583B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Bauelementes

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): JP KR US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): AT BE CH DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE

AK Designated states

Kind code of ref document: A3

Designated state(s): JP KR US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A3

Designated state(s): AT BE CH DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE

DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1996945505

Country of ref document: EP

ENP Entry into the national phase

Ref country code: JP

Ref document number: 1997 515420

Kind code of ref document: A

Format of ref document f/p: F

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1019980702860

Country of ref document: KR

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1996945505

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 09051878

Country of ref document: US

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1019980702860

Country of ref document: KR

WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 1996945505

Country of ref document: EP

WWR Wipo information: refused in national office

Ref document number: 1019980702860

Country of ref document: KR