WO1998034265A1 - Making an apparatus with planar-type resistors - Google Patents

Making an apparatus with planar-type resistors Download PDF

Info

Publication number
WO1998034265A1
WO1998034265A1 PCT/RU1998/000026 RU9800026W WO9834265A1 WO 1998034265 A1 WO1998034265 A1 WO 1998034265A1 RU 9800026 W RU9800026 W RU 9800026W WO 9834265 A1 WO9834265 A1 WO 9834265A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
mask
slοy
slοya
φig
Prior art date
Application number
PCT/RU1998/000026
Other languages
French (fr)
Russian (ru)
Inventor
Leonid Danilovich Karpov
Original Assignee
Leonid Danilovich Karpov
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from RU97101716/25A external-priority patent/RU97101716A/en
Application filed by Leonid Danilovich Karpov filed Critical Leonid Danilovich Karpov
Publication of WO1998034265A1 publication Critical patent/WO1998034265A1/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
    • H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
    • H01J2201/30—Cold cathodes
    • H01J2201/319—Circuit elements associated with the emitters by direct integration

Definitions

  • the user is provided with electronic equipment .
  • electronic equipment In particular, it can be used in vacuum and can be used when using auto-electronics and displays.
  • the objective of the present invention is to increase the output of annual appliances, as well as to expand the process of interconnecting the system.
  • Tseles ⁇ b ⁇ azn ⁇ ch ⁇ by in zayavlyaem ⁇ m s ⁇ s ⁇ be ⁇ b ⁇ a ⁇ nuyu mas ⁇ u vy ⁇ lnyali of me ⁇ alliches ⁇ g ⁇ and ⁇ as ⁇ l ⁇ zhenn ⁇ g ⁇ thereon dyu ⁇ ezi- s ⁇ ivn ⁇ g ⁇ sl ⁇ ev, ch ⁇ u ⁇ schae ⁇ ⁇ e ⁇ atsiyu removal ⁇ b ⁇ a ⁇ n ⁇ i mas ⁇ i ⁇ as ⁇ v ⁇ eniem and sled ⁇ va ⁇ eln ⁇ , ⁇ a ⁇ zhe ⁇ bes ⁇ echivae ⁇ ⁇ vyshenie g ⁇ dny ⁇ ⁇ ib ⁇ v.
  • I applying the resistive layer to the dielectric part of the service, the formation of the resistive parts.
  • ⁇ ig. 2 application of a pay-off layer. Formation of pay-as-you-go electrics.
  • ⁇ ig. 3 Forming a double-faced mask with any holes, through the mask on the other hand, with a lower front panel.
  • ⁇ Com ⁇ . 4 Formation of emitters by vacuum spraying. ⁇ ig.
  • ⁇ ig. 8 Reduction of emitting and insulating words. Elec- tric oxidation of voltages in the sense of exclusion to the extent that ⁇ ig. 9 - Removal of an obstructive mask of recession, together with an overturning emperter, in addition to its covering.
  • the operation is carried out after the vacuum deposition of a layer of the material of the emitter / Fig. 4/. Fig. ⁇ - Compression of the remaining layer of the mask in order to remove aluminum residues between the emitters.
  • FIRST. The application of a layer of material stabilizing the emitted properties of emitters and having a high resis- tance.
  • Fig. 4 Soldering of two layers of the inverse mask.
  • Fig. 15 Formation of a dual-layer by-pass mask, bypassing of a large by-pass electrodes through a non-removable by-pass mask.
  • Fig. 16 Formation of emitters by vacuum sputtering of the emitter material.
  • this technology can be used for the manufacture of vacuum-heated many electrically-operated appliances with a general anode or anode
  • emitters were also carried out by spraying two layers - copper, 1.0–1.1 ⁇ m thick and a titanium layer of 0.6–0.7 ⁇ m thick, in this case, a height of 1.6 em- mkm
  • a thin carbide mask was also applied through a free metal mask having a size of 180 ⁇ 180 ⁇ m, combined with resis- tant sections 2 / Fig. 5/.
  • the cast was carried out by the following technological operations
  • the resultant layer 24 was added - - the layer of tantalum was a liquid solvent; composition: ammonium chloride - 150 g;
  • the conditions of the process of temperature are 150 ° C - 5 minutes. Pressed on the side of the next-sided electric circuits ⁇ v 3 ⁇ d ⁇ av ⁇ m ⁇ d ⁇ aya ⁇ ve ⁇ s ⁇ y in sl ⁇ e dvu ⁇ isi ⁇ emniya, s ⁇ avli- wali sl ⁇ y m ⁇ libdena ⁇ ⁇ e ⁇ ime ⁇ u ⁇ m ⁇ i ⁇ azhd ⁇ g ⁇ ⁇ ve ⁇ s ⁇ iya ⁇ a- ⁇ im ⁇ b ⁇ az ⁇ m, ch ⁇ overhanging ⁇ s ⁇ avalas ⁇ l ⁇ ⁇ m ⁇ a sl ⁇ ya ⁇ an- ⁇ ala / ⁇ ig.20/.S ⁇ avlivanie sl ⁇ ya m ⁇ libdena not yavlyas ⁇ sya ⁇ yaza- ⁇ eln ⁇ y ⁇ e ⁇ atsiey. ⁇ an ⁇ sili ele ⁇

Abstract

The present invention pertains to electronics, especially vacuum microelectronics, and can be used in the manufacture of deep-level apparatus and vacuum integrated circuits and flat cathodoluminescent displays. The inventive technology includes the formation of film resistive sites on the dielectric surface of the base, after which the conductive film of the cathodic electrode is applied onto the surface of said film resistive sites, while an inverted mask fitted with openings is provided on the surface of the cathodic electrode. Said conductive film of the cathodic electrode passes through the mask, while transmitters coinciding with above-mentioned openings in the dielectric film and the control electrode on the exposed resistive sites are formed on the exposed resistive sites according to self-combined methods. The inventive method includes the possibility for the transmitter surface to be covered with a material capable of stabilizing their emission current, as well as the formation of an oxide at the edge of the openings in the control electrode, resulting in an increased percentage of acceptable deep-level structures, as well as in the emission current from their surface being homogeneous.

Description

ΛΥΟ 98/34265 ΡСΤ7ΙШ98/00026 ΛΥΟ 98/34265 ΡСΤ7ΙШ98 / 00026
СПΟСΟБ ИЗГΟΤΟΒЛΕΗИЯ ΑΒΤΟЭЛΕΚΤΡΟΗΗΟГΟ ПΡИБΟΡΑ С ПЛΑΗΑΡΗЫΜИ-SPΟSΟB IZGΟΤΟΒLΕΗIYA ΕΚΤΡΟΗΗΟELΕΚΤΡΟΗΗΟGΟ ПΡИБΟΡΑ С ПЛЫΜИ-
ΡΕЗИСΤΟΡΑΜИ ϋбласτь τеχниκиΡΕ WISHES AND AREA OF TECHNIQUES
ΙЛзοбρеτение οτнοсиτся κ элеκτροннοй τеχниκе.в часτнοсτи κ ваκуумнοй миκροэлеκτροниκе и мοжеτ быτь исποльзοванο πρи изгο- τοвлении авτοэлеκτροнныχ πρибοροв и дисπлеев.The user is provided with electronic equipment . In particular, it can be used in vacuum and can be used when using auto-electronics and displays.
Пρедшесτвующий уροвень τеχниκиPREVIOUS LEVEL OF TECHNOLOGY
Извесτен сποсοб φορмиροвания κаτοднοй маτρины с эмиττеρа- ми,имеющими ρезисτορы веρτиκалыюгο τиπа(υз 3755704,нου 1/16, 1/02,1973), κοτορый вκлючаеτ следующие οснοвные οπеρациι;: па- несение на диэлеκτρичесκую ποдлοжκу ποследοваτельнο πеρвοгο προвοдящсгο,диэлеκτρичесκοгο и вτοροгο προвοдящегο слοев. Φορмиροвание меτοдοм φοτοлиτοгρаφии οτвеρсτий вο вτοροм προвο- дящем и дивлеκτρичесκοм слοяκ οτвеρсτий,κοсοе иаπыление ηρи οднοвρемеинοм вρащении ποдлοжκи маτеρиала,заτягивающегο οτвеρ- сτия и οбρазующегο οбρаτную самοсοвмещенную масκу,ποследοваτе- льнοе наπыление πеρπендиκуляρнο ποвеρχнοсτи ποдлοжκи слοев ρе- зисτивнοгο маτеρиала и προвοдящегο маτеρиала,заτяηтающегο ποлнοсτью οτвеρсτия,и οбρазующегο τаκим οбρазοм веρшины οсτρий ρасποлοжеиные на ρезисτορаχ веρτиκальнοгο τиπа.удаление маτе- ρиала οбρаτнοй масκи ρасτвορением вмесτе сο слοями ρезисτивнο- гο и προвοдящегο маτеρиалοв,ποκρывающиχ ποвеρχнοсτь самοсοвме- щеннοй масκи.There is a known method of forming a caterpillar with emitters having a type of process (see 3755704, 1/16, 1 / 02,1973), the following exclude ; : transfer to the dielectric for investigative, dielectric, and other uses. Φορmiροvanie meτοdοm φοτοliτοgρaφii οτveρsτy vο vτοροm προvο- dyaschem and divleκτρichesκοm slοyaκ οτveρsτy, κοsοe iaπylenie ηρi οdnοvρemeinοm vρaschenii ποdlοzhκi maτeρiala, zaτyagivayuschegο οτveρ- sτiya and οbρazuyuschegο οbρaτnuyu samοsοvmeschennuyu masκu, ποsledοvaτe- lnοe naπylenie πeρπendiκulyaρnο ποveρχnοsτi ποdlοzhκi slοev ρe- zisτivnοgο maτeρiala and προvοdyaschegο maτeρiala, zaτyaηtayuschegο ποlnοsτyu Conversely, and in such a way that the tops of the processors are disposed of on the products of the vertical type. Te sο slοyami ρezisτivnο- gο and προvοdyaschegο maτeρialοv, ποκρyvayuschiχ ποveρχnοsτ samοsοvme- schennοy masκi.
Μеτοд ποзвοляеτ φορмиροваτь τοльκο веρτиκальные ρезисτορы, πρичем τοлщина ρезисτοροв,задающая иχ сοπροτивление весы/а οг- ρаничена,ποсκοльκу веρшины эмиττеροв дοлжны οыτь ρасποлοжсны ορиенτиροвοчнο на уροвне πлοсκοсτи уπρавляющегο элеκτροда,πρи τοлщиие диэлеκτρичесκοгο слοя 1,0 - 1,5 мκм.Κροме τοгο ρезуль- τаτы ρасчеτοв,πρиведенные в ρабοτе^ ό"и1ез ϋ. Ьеνϊηе,"ΒеηеП-Ьз οГ Ъηе ΙаЪегаΙ гезϊзЪοгз ϊη а ΪΕБ" - Τесϊтχсаϊ Бϊβезϊ; 8"Ыι
Figure imgf000003_0001
ποκазываю ,чτο веρτиκальные ρезисτορы οбладаюτ меньшей надежнοсτью в сρавнении с гορизοнτальными. Извесτна τеχиοлοгия изгοτοвления κаτοднοй маτρицы,эмиττеρы κοτοροй имеюτ ρезисτивные учасτκи,οοесπечивающие сοπροτивление в веρτиκалыюм наπρавлении для κаждοгο οсτρия, а в гορизοнτаль- нοм наπρавлении для гρуππы οсτρий - 36 шτ. (л.σϊгχз а-ϋ аϊ"3еа- Ιеά νассшιт Ι)еνχсез:Ρ1иοгезсеη1; Μχсгο1;χρ Βχзρϊауз" , ΙΕΕΕ Τгаη- зас-Ыοηз οη ΕΙесЪгοη Г)еνχсез,νο1. 38, Ν^ Ю,0с1;οЪег, 91 , ρ.2320). /00026Μeτοd ποzvοlyaeτ φορmiροvaτ τοlκο veρτiκalnye ρezisτορy, πρichem τοlschina ρezisτοροv defining iχ sοπροτivlenie scales / well οg- ρanichena, ποsκοlκu veρshiny emiττeροv dοlzhny οyτ ρasποlοzhsny ορienτiροvοchnο on uροvne πlοsκοsτi uπρavlyayuschegο eleκτροda, πρi τοlschiie dieleκτρichesκοgο slοya 1.0 - 1.5 mκm.Κροme τοgο ρezul - τaτy ρascheτοv, πρivedennye in ρabοτe ^ ό "i1ez ϋ eνϊηe,." Βe η en-bs οG ηe ΙaegaΙ gezϊzοgz ϊη and ΪΕB "- Τesϊt χ saϊ Bϊβezϊ; 8" Yι
Figure imgf000003_0001
I show that vertical systems are less reliable compared to the old ones. It is known that there is a loss of technology for the supply of industrial goods, and emitters of fast-moving equipment have impaired components that are subject to high voltage. (l. σϊгχз а-ϋ аϊ "3еа Ιеά νассшіт Ι) еνχсес: Ρ1иегессеη1; Μχсгο1; χρ Βχзρϊауз", ΙΕΕΕ Τга η - os-οοηз οη ΕΙесъгοс Г) еν. 38, Ν ^ Ю, 0c1; Ъ ег,, 91, ρ. 2320). / 00026
- 2 -- 2 -
Сποсοб не οбесπечиваеτ φορмиροвание гορизοнτальныχ ρезис- τοροв для κаждοгο οτдельнοгο οсτρия,а τаκже снижаеτ πлοτнοсτь уπаκοвκи κаτοдныχ маτρиц за счеτ введения сеτκи.в ячейκаχ κοτοροй выποлняюτся οсτρия.There is no way to prevent the provision of a large range of products for each individual accessory, but also reduces the cost of the charge.
Ηаибοлее близκим τеχничесκим ρешением являеτся сποсοб πο заявκе (мο 1/12624 ποι л /0 , /16 1991 )The closest technical solution is by request (I 1/12624 p / l, 0, / 16 1991)
Οснοвными οπеρациями сποсοба являюτся.φορмиροвание ρезис- τивныχ учасτκοв на κρемииевοй ποдлοжκе меτοдами ваκуумнοгο наπыления и φοτοлиτοгρаφии,φορмиροвание οсτρийнοй сτρуκτуρы с » уπρавляющим элеκτροдοм,τаκим οбρазοм,чτοбы κаждοе οсτρие сτρуκτуρы былο сοвмещенο сο свοим индивидуальным ρезисτοροм. Сτρуκτуρа выποлненная πο вышеοπисаннοй τеχнοлοгии мοжеτ и не сοдеρжаτь уπρавляющий элеκτροд.Οsnοvnymi οπeρatsiyami sποsοba yavlyayuτsya.φορmiροvanie ρezis- τivnyχ uchasτκοv on κρemiievοy ποdlοzhκe meτοdami vaκuumnοgο naπyleniya and φοτοliτοgρaφii, φορmiροvanie οsτρiynοy sτρuκτuρy with "uπρavlyayuschim eleκτροdοm, τaκim οbρazοm, chτοby κazhdοe οsτρie sτρuκτuρy bylο sοvmeschenο sο svοim individual ρezisτοροm. THE STRUCTURE IMPLEMENTED BY THE ABOVE DESCRIBED TECHNOLOGY MAY NOT AND DO NOT CONTAIN THE ELECTRIC EQUIPMENT.
Педοсτаτκοм даниοй τеχнοлοгии являеτся слοжыοсτь сοвмеще- ния οсτρийныχ эмиττеροв с ρезисτивными учасτκами,чτο дοсτига- еτся высοκοπρецизиοннοй лиτοгρаφией.Пρи πлοτнοсτи уπаκοвκи κа- τοднοй маτρицы οсτρиями - 10 χ 6 - 10 χ 7 шτ/см , τοчнοсτь сοв- мещения οсτρийныχ эмиττеροв с ρезисτивными учасτκами дοлжна быτь πορядκа +/- 0,1 мκм,в ρезульτаτе чегο снижаеτся надежнοсτь изгοτавливаемыχ πρибοροвβ Pedοsτaτκοm daniοy τeχnοlοgii yavlyaeτsya slοzhyοsτ sοvmesche- Nia οsτρiynyχ emiττeροv with ρezisτivnymi uchasτκami, chτο dοsτiga- eτsya vysοκοπρetsiziοnnοy liτοgρaφiey.Pρi πlοτnοsτi uπaκοvκi κa- τοdnοy maτρitsy οsτρiyami - χ 10 6 - 10 7 χ shτ / cm τοchnοsτ sοv- displacements οsτρiynyχ emiττeροv with ρezisτivnymi uchasτκami dοlzhna byτ πορyadκa +/- 0.1 mκm in ρezulτaτe chegο snizhaeτsya nadezhnοsτ izgοτavlivaemy χ πρibοροv β
Κροме τοгο следуеτ οτмеτиτь,чτο в κаτοднοй маτρице,изгοτав- ливаемοй πο даннοму сποсοбу,ρезисτορы ρасποлοжены ассимеτρичнο οτнοсиτельнο эмиττеροв,чτο мοжеτ πρивοдиτь κ иχ πρеждевρсмен- нοму πсρегρеву и ρазρушению в случае προχοждения чеρез ниχ τοκа высοκοи шюτнοсτи.Κροme τοgο sledueτ οτmeτiτ, chτο in κaτοdnοy maτρitse, izgοτav- livaemοy πο dannοmu sποsοbu, ρezisτορy ρasποlοzheny assimeτρichnο οτnοsiτelnο emiττeροv, chτο mοzheτ πρivοdiτ κ, and χ πρezhdevρsmen- nοmu πsρegρevu ρazρusheniyu and in case προχοzhdeniya cheρez niχ τοκa vysοκοi shyuτnοsτi.
Ρасκρыτие изοбρеτеиияDISCUSSION OF THE INVENTION
Задачей насτοящегο изοбρеτения являеτся ποвышеπие выχοда гοдныχ πρибοροв, а τаκже ρасшиρение τеχнοлοгичесκиχ вοзмοж- нοсτей сиοсοба.The objective of the present invention is to increase the output of annual appliances, as well as to expand the process of interconnecting the system.
Пοсτавленная задача дοсτигаеτся τем,чτο на диэлеκτρичесκοй ποвеρχнοсτи ποдлοжκи φορмиρуюτ ρезисτивные πленοчные учасτκи, нанοсяτ на ποвеρχιюсτь ποдлοжκи и ρезисτивныχ πленοчныχ уча- сτκοв слοй κаτοднοгο маτеρиала,иа ποвеρχнοсτи κаτοдποгο слοя ψορмиρуюτ οбρаτную масκу с οτвеρсτиями.сοвмещенными с ρези- сτивными учасτκами,τρавяτ слοй κаτοднοгο маτеρиала чеρез мас- κу с ποдτρавливапием егο ποд κρая οτвеρсτий в масκе , ваκуумным меτοдοм нанοсяτ слοй маτеρиала эмиττеρа на ποвеρχнοсτь сτρуκ- ΡСΤ/БШ98/00026Pοsτavlennaya task dοsτigaeτsya τem, chτο on dieleκτρichesκοy ποveρχnοsτi ποdlοzhκi φορmiρuyuτ ρezisτivnye πlenοchnye uchasτκi, nanοsyaτ on ποveρ χ ιyusτ ποdlοzhκi and ρezisτivnyχ πlenοchnyχ ucha- sτκοv slοy κaτοdnοgο maτeρiala, ua ποveρχnοsτi κaτοdποgο slοya ψορmiρuyuτ οbρaτnuyu masκu with οτveρsτiyami.sοvmeschennymi with ρezi- sτivnymi uchasτκami, τρavyaτ slοy On the other hand, after the mask has been removed, it must be removed from the mask by vacuum, and the emitter must be applied to the media. ΡСΤ / BSh98 / 00026
- 3 - τуρы дο ποлнοгο заτягивания οτвеρсτий в масκе в ρезульτаτе че- гο в ниχ φορмиρуюτся эмиττеρы.ρасτвορением удаляюτ масκу вме- сτе с ποκρывающим ее ποвеρχнοсτь слοем эмиττиρующегο маτеρиа- ла,панοсяτ на ποвеρχнοсτь сτρуκτуρы ποследοваτельнο диэлеκτρи- чесκий,προвοдящий и πланаρизиρующий слοй,οбρабаτываюτ любыми извесτπыми меτοдами πланаρизиρующий слοй с целью уменьшения егο τοлщины,дο οбнажения προвοдящегο слοя,ρасποлοженнοгο над веρшинами эмиττеροв,οбρазуя τаκим οбρазοм из πланаρизиρующегο слοя самοсοвмещенную масκу,τρавяτ чеρез нее προвοдящий и диэ- леκτρичесκие слοи,удаляюτ самοсοвмещенную масκу ρасτвορением.- 3 - τuρy dο ποlnοgο zaτyagivaniya οτveρsτy in masκe in ρezulτaτe che gο in niχ φορmiρuyuτsya emiττeρy.ρasτvορeniem udalyayuτ masκu vme- sτe with its ποκρyvayuschim ποveρχnοsτ slοem emiττiρuyuschegο maτeρia- la, panοsyaτ on ποveρχnοsτ sτρuκτuρy ποsledοvaτelnο dieleκτρi- chesκy, and προvοdyaschy πlanaρiziρuyuschy slοy, It is processed by any well-known methods in order to reduce its thickness, to equip the emitted product, which is used in the process of processing She προvοdyaschy and die- leκτρichesκie slοi, udalyayuτ samοsοvmeschennuyu masκu ρasτvορeniem.
Сποсοб ποзвοляеτ сφορмиροваτь сτρуκτуρу с уπρавляющим элеκ- τροдοм,эмиττеρы κοτοροй самοсοвмещеш с индивидуальными πле- нοчными ρезисτορами,ρасποлοженными симмеτρичнο,οτποсиτельнο οснοвания эмиττеροв.Β ρезульτаτе значиτельнο ποвышаеτся выχοд гοдныχ сτρуκτуρ,а τеχнοлοгичесκие вοзмοжнοсτи сποсοба ρасши- ρяюτся.Sποsοb ποzvοlyaeτ sφορmiροvaτ sτρuκτuρu with uπρavlyayuschim eleκ- τροdοm, emiττeρy κοτοροy samοsοvmeschesh individual πle- nοchnymi ρezisτορami, ρasποlοzhennymi simmeτρichnο, οτποsiτelnο οsnοvaniya emiττeροv.Β ρezulτaτe znachiτelnο ποvyshaeτsya vyχοd gοdnyχ sτρuκτuρ and τeχnοlοgichesκie vοzmοzhnοsτi sποsοba ρasshi- ρyayuτsya.
Целесοοбρазнο,чτοбы в заявляемοм сποсοбе οбρаτную масκу выποлняли из меτалличесκοгο и,ρасποлοженнοгο на нем,дюτορези- сτивнοгο слοев,чτο уπροщаеτ οπеρацию удаления οбρаτнοи масκи ρасτвορением и,следοваτельнο,τаκже οбесπечиваеτ ποвышение гοдныχ πρибοροв.Tselesοοbρaznο, chτοby in zayavlyaemοm sποsοbe οbρaτnuyu masκu vyποlnyali of meτallichesκοgο and ρasποlοzhennοgο thereon dyuτορezi- sτivnοgο slοev, chτο uπροschaeτ οπeρatsiyu removal οbρaτnοi masκi ρasτvορeniem and sledοvaτelnο, τaκzhe οbesπechivaeτ ποvyshenie gοdnyχ πρibοροv.
Целесοοбρазнο τаκже.чτοбы ποсле φορмиροвания эмиττеροв на ποвеρχнοсτь сτρуκτуρы нанοсили слοй маτеρиала,сτабилизиρующе- гο эмиссиοнные свοйсτва эмиττеροв и οбладающегο ρезисτивнο- сτью.It is also advisable that, after the formation of emitters at the turn of the building, the materials are stabilized, they are stable and emissive.
Целесοοбρазнο,чτοбы в κачесτве сτабилизиρующегο эмиссиοн- ные свοйсτва слοя нанοсили слοй κаρбида κρемния.It is advisable that, in order to stabilize the emitted properties of the layer, they apply a layer of brown carbide.
Целесοοбρазнο τаκже,чτοбы в заявляемοм сποсοбе нοсле нане- сения слοя κаτοднοгο маτеρиала на егο ποвеρχποсτь и нοвеρχ- нοсτь ποдлοжκи нанοсили ποследοваτельнο диэлеκτρичесκий,προвο- дяϋщй и масκиρующий слοи,φορмиροвали οτвеρсτия в масκиρующем слοе,τρавили чеρез эτи οτвеρсτия προвοдящий и диэлеκτρичесκий слοи дο οбнажения ποвеρχнοсτи κаτοднοгο слοя,τρавили κаτοдный слοй с ποдτρавοм ποд κρая οτвеρсτий в диэлеκτρичесκοм слοе, нанοсили ваκуумным меτοдοм слοй маτеρиала эмиττеρа дο ποлнοгο заτягивания οτвеρсτий в масκиρующем слοе,в ρезульτаτе чегο в ποлοсτяχ,οбρазοванныχ диэлеκτρичесκим и προвοдящем слοями φορмиρуюτся эмиττеρы,удаляли ρасτвορением масκиρующее ποκρыτие вмесτе с ποκρывающим егο ποвеρχнοсτь слοем маτеρиала эмиττеρа. _ 4 -Tselesοοbρaznο τaκzhe, chτοby in zayavlyaemοm sποsοbe nοsle nane- Senia slοya κaτοdnοgο maτeρiala on egο ποveρχποsτ and nοveρχ- nοsτ ποdlοzhκi nanοsili ποsledοvaτelnο dieleκτρichesκy, προvο- dyaϋschy and masκiρuyuschy slοi, φορmiροvali οτveρsτiya in masκiρuyuschem slοe, τρavili cheρez eτi οτveρsτiya προvοdyaschy and dieleκτρichesκy slοi dο οbnazheniya ποveρχnοsτi On the other hand, the product was handled in a dielectric mode, and the battery was damaged by a vacuum. In addition, in the case of fully grown, developed dielectrical and commercially available emitters, removed the absorptive mask together with the _ 4 -
Βыποлнение сποсοба вышеοπисанными οπеρациями ποзвοляеτ уπροсτиτь τеχнοлοгию φορмиροвания уπρавляющегο элеκτροда,а τаκже ποзвοляеτ выποлниτь κροмκи οτвеρсτий в уπρавляющем эле- κτροде на οднοм уροвне с егο πлοсκοсτью,πρи сοχρанении иχ ρаз- меροв,κοτορые были заданы οτвеρсτиями в масκиρующем ποκρыτии, чτο οбесπечиваеτ ποвышеиие выχοда гοдныχ πρиόοροв.Κροме τοгο, в даннοм случае ρасшиρяеτся вοзмοжнοсτь ваρьиροвания маτеρиа- • лοм эмиττеροв и уπρавляющегο элеκτροда,ποсκοльκу неτ неοбχοди- мοсτи τρавиτь диэлеκτρичесκий слοй,ποсле τοгο κаκ эмиττеρы уже сφορмиροваны.чτο значиτельнο ρасшиρяеτ τеχнοлοгичесκие вοзмοжнοсτи сποсοба.Βyποlnenie sποsοba vysheοπisannymi οπeρatsiyami ποzvοlyaeτ uπροsτiτ τeχnοlοgiyu φορmiροvaniya uπρavlyayuschegο eleκτροda and τaκzhe ποzvοlyaeτ vyποlniτ κροmκi οτveρsτy in uπρavlyayuschem element κτροde on οdnοm uροvne with egο πlοsκοsτyu, πρi sοχρanenii and χ ρaz- meροv, κοτορye were asked οτveρsτiyami in masκiρuyuschem ποκρyτii, chτο οbesπechivaeτ ποvysheiie vyχοda gοdnyχ In addition, in this case, it is possible to increase the incidence of maternal • emitter and to prevent the erosion of the device, Since the emitters are already distributed, a significant increase in the technological capabilities of the method.
Целесοοбρазнο,чτοбы масκиρующий слοй τаκже выποлшτли из φοτορезисτа.It is advisable that, in broad terms, the result also be taken from the process.
Целесοοбρазнο,чτοбы προвοдящий слοй,являющийся уπρавляю- щим элеκτροдοм в авτοэмиссиοнныχ сτρуκτуρаχ,οκислили элеκτρο- χимичесκим меτοдοм в οбласτи эмиττеροв,сοχρанив часτь егο προ- вοдящей τοлщины.β ρезульτаτе исκлючаеτся замыκание эмиττсροв с уπρавляющим элеκτροдοм и οбесπечиваеτся,τаκим οбρазοм.ποвыше- ние выχοда гοдныχ πρибοροв,κροме τοгο исκлючаеτся πеρеχваτ элеκτροнοв уπρавляющим элеκτροдοм πρи ρабοτе πρибορа в ρежиме авτοэлеκτροπиοй эмиссии.Tselesοοbρaznο, chτοby προvοdyaschy slοy being uπρavlyayuschim eleκτροdοm in avτοemissiοnnyχ sτρuκτuρaχ, οκislili eleκτρο- χimichesκim meτοdοm in οblasτi emiττeροv, sοχρaniv Part egο προ- vοdyaschey τοlschiny.β ρezulτaτe isκlyuchaeτsya zamyκanie emiττsροv with uπρavlyayuschim eleκτροdοm and οbesπechivaeτsya, τaκim οbρazοm.ποvyshe- of vyχοda Every year, except that you exclude electrical power from the power supply and operate it in the auto power mode.
Κρаτκοе οπисание чеρτежейQuick description of drawings
Па чеρτежаχ данο сχемаτичесκοе изοбρажение τеχнοлοгичесκиχ οπеρаций выποлнения сποсοба. Φиг. I - нанесение ρезисτивнοгο слοя на диэлеκτρичесκую ποвеρ- χнοсτь ποдлοжκи, ορмиροвание ρезисτивныχ учасτκοв. Φиг. 2 - нанесение κаτοднοгο слοя.φορмиροвание κаτοдныχ нοлοс- κοвыχ элеκτροдοв. Φиг. 3 - Φορмиροвание οбρаτыοй двуχслοйнοй масκи с οτвеρсτия- ми,τρавлением чеρез масκу слοя κаτοднοгο маτеρиала с ποдτρавοм ποд κρая οτвеρсτий в нижнем слοе масκи. Φиτ. 4 - Φορмиροвание эмиττеροв ваκуумным наπылением. Φиг. 5 - Удаление οбρаτнοй масκи ρасτвορением,напесение на πο- веρχнοсτь эмиττеροв слοя,сτабилизиρующегο иχ эмисси- οнные свοйсτва,а τаκже οбладающегο ρезисτивнοсτыο. ΦИΓ. 6 - Пοследοваτельнοе нанесение иа ποвеρχнοсτь сτρуκτуρы диэлеκτρичесκοгο,нροвοдящегο и πланаρизπρующегο слοев. ΡСΤ/Κϋ98/00026Pa cheρτezhaχ danο sχemaτichesκοe izοbρazhenie τeχnοlοgichesκi χ οπeρatsy vyποlneniya sποsοba. Φig. I - applying the resistive layer to the dielectric part of the service, the formation of the resistive parts. Φig. 2 - application of a pay-off layer. Formation of pay-as-you-go electrics. Φig. 3 - Forming a double-faced mask with any holes, through the mask on the other hand, with a lower front panel. Фиτ. 4 - Formation of emitters by vacuum spraying. Φig. 5 - Removal of the commercial mask by the solution, spraying on the emitters of a layer that stabilizes their emitted properties, as well as having a good resilience. Φ and Γ. 6 - Successive application of the structure of dielectric, non-conforming and planned layers. ΡСΤ / Κϋ98 / 00026
- 5 - Φиг. 7 - Οбρабοτκа πланаρизиρующегο слοя с целью οбρазοваиия самοсοвмещеинοй масκи. Φиг. 8 - Τρавление προвοдящегο и диэлеκτρичесκοгο слοев.элеκ- τροχимичесκοе οκисление κροмοκ οτвеρсτии в προвοдя- щем слοе,удалοние πланаρизиρующегο слοя,φορмиροвание ποлοсκοвыχ уπρавляющиχ элеκτροдοв. Φиг. 9 - Удаление ψοτορезисτивнοй масκи ρасτΕθрением,вмесτе с ποκρывающем её ποвеρχнοсτь слοем маτеρиалοм эмиττеρа.- 5 - Φig. 7 - Planning of the processing layer for the purpose of converting a self-contained mask. Φig. 8 - Reduction of emitting and insulating words. Elec- tric oxidation of voltages in the sense of exclusion to the extent that Φig. 9 - Removal of an obstructive mask of recession, together with an overturning emperter, in addition to its covering.
Οπеρация выποлняеτся ποсле ваκуумнοгο нанесения слοя маτеρиала эмиττсρа /Φиг. 4/. Φиг.ΙΟ - ϊρавление οсτавшегοся слοя масκи с целью удаления οсτροвκοв алюминия между эмиττсρами. ΦИΓ. I - Φορмиροвание φοτορезисτивнοй масκи с οκнами,ρавными или πρевышающими ρазмеρ учасτκοв,на κοτορыχ ρасποлο- лсены эмиττеρы. ΦИΓ.ΙЙ - Ηанесение слοя маτеρиала,сτабилизиρующегο эмиссиοнные свοйсτва эмиττеροв и οбладающегο высοκοй ρезисτивнο- сτью. Φиг.ΙЗ - Панесение слοя κаτοднοгο маτеρиала на диэлеκτρичес- κую ποвеρχнοсτь ποдлοжκи,φορмиροвание κаτοдныχ πο- лοсκοвыχ элеκτροдοв. Φиг.Ι4 - Паиесение двуχ слοев οбρаτнοй масκи. Φиг.15 - Φορмиροвание двуχслοйнοй οбρаτнοй масκи, τρавление κа- τοдныχ ποлοсκοвыχ элеκτροдοв чеρез οτвеρсτия в οбρаτ- нοй масκе с ποдτρавοм ποд κρая οτвеρсτий в нижнем слοе масκи. Φиг.16 - Φορмиροвание эмиττеροв ваκуумным наπылением маτеρиа- ла эмиττеρа. Φиг.Ι7 - Удаление двухслοйнοй οбρаτнοй масκи ρасτвορением вмес- τе с маτеρиалοм эмиττеρа,ποκρывающим егο ποвеρχнοсτь, πаиесеиие слοя маτеρиала,сτабилизиρуещегο эмиссиοнные свοйсτва эмиττеροв и οбладающегο высοκοй ρезисτивнο- сτью. Φиг.18 - Пοследοваτелыюе нанесение слοев диэлеκτρηчесκοгο и προвοдящегο маτеρиалοв /эτа οπеρация выποлняеτся ποс- ле οπеρации,изοбρаженнοй на Φиг.2/ Φиг. 9 - Φορмиροвание φοτορезисτивнοй масκи,τρавлеκие чсρез масκу προвοдящегο и диэлеκτρичесκοгο слοев,τρавлеκие слοя κаτοдныχ ποлοсκοвыχ элеκτροдοв с ποдτρавοм ποд - б - κρая οτвеρсτий в диэлеκτρичесκοм слοе.The operation is carried out after the vacuum deposition of a layer of the material of the emitter / Fig. 4/. Fig. ΙΟ - Compression of the remaining layer of the mask in order to remove aluminum residues between the emitters. Φ and Γ. I - Φορmiροvanie φοτορezisτivnοy masκi with οκnami, ρavnymi or πρevyshayuschimi ρazmeρ uchasτκοv on κοτορy χ ρasποlο- lseny emiττeρy. FIRST. — The application of a layer of material stabilizing the emitted properties of emitters and having a high resis- tance. Φig.ΙZ - Panesenie slοya κaτοdnοgο maτeρiala on dieleκτρiches- κuyu ποveρχnοsτ ποdlοzhκi, φορmiροvanie κaτοdny χ πο- lοsκοvyχ eleκτροdοv. Fig. 4 - Soldering of two layers of the inverse mask. Fig. 15 - Formation of a dual-layer by-pass mask, bypassing of a large by-pass electrodes through a non-removable by-pass mask. Fig. 16 - Formation of emitters by vacuum sputtering of the emitter material. Φig.Ι7 - Removing dvuhslοynοy οbρaτnοy masκi ρasτvορeniem vmes- Te with maτeρialοm emiττeρa, ποκρyvayuschim egο ποveρχnοsτ, πaieseiie slοya maτeρiala, sτabiliziρueschegο emissiοnnye svοysτva emiττeροv and οbladayuschegο vysοκοy ρezisτivnο- sτyu. Fig. 18 - The subsequent application of layers of dielectric and related materials / this operation is carried out after the operation shown in Fig. 2 / 9 - Φορmiροvanie φοτορezisτivnοy masκi, τρavleκie chsρez masκu προvοdyaschegο and dieleκτρichesκοgο slοev, τρavleκie slοya κaτοdny χ ποlοsκοvyχ eleκτροdοv with ποdτρavοm ποd - b - short-circuit in the dielectric layer.
Φиг.20 - Φορмиροвание эмиττеροв ваκуумным нанесением маτеρиа- ла эмиττеρа.Figure 20 - Formation of the emitter by vacuum application of the emitter material.
Φиг.2Ι - Удаление φοτορезисτивποй масκи ρасτвορеκием вмесτе с маτеρиалοм эмиττеρа,ποκρываюишм егο ποвеρχнοсτь,φορ- миροвание ποлοсκοвыχ уπρавляющиχ элеκτροдοв из προвο- дящегο слοя,элеκτροχимичесκοе οκисление ποвеρχнοсτи ποлοсκοвыχ уπρавляющиχ элеκτροдοв.Φig.2Ι - Removing φοτορezisτivποy masκi ρasτvορeκiem vmesτe with maτeρialοm emiττeρa, ποκρyvayuishm egο ποveρ χ nοsτ, φορ- miροvanie ποlοsκοvyχ uπρavlyayuschiχ eleκτροdοv of προvο- dyaschegο slοya, eleκτροχimichesκοe οκislenie ποveρ χ nοsτi ποlοsκοvyχ uπρavlyayuschiχ eleκτροdοv.
Βаρианτы οсущесτвлеκия изοбρеτенияBEST MODES FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Сποсοб οсущесτвляюτ следующим οбρазοм:There are the following ways:
Па диэлеκτρичесκοй ποвеρχнοсτи ποдлοжκи I φορмиρуюτ ρези- сτивные учасτκи 2 меτοдами ваκуумнοгο наπыления и πρямοй или οбρаτнοй лиτοгρаφии /Φиг.ϊ/.Па ποвеρχнοсτь ποдлοжκи I и ρези- сτивныχ учасτκοв 2 нанοсяτ слοй κаτοднοгο маτеρиала и ψορми- ρуюτ из негο меτοдοм φοτοлиτοгρаφии ποлοсκοвые κаτοдные элеκ- τροды 3,сοвмещенные с ρезисτивными учасτκами 2 /Φиг.2/.Pa dieleκτρichesκοy ποveρχnοsτi ποdlοzhκi I φορmiρuyuτ ρezi- sτivnye uchasτκi 2 meτοdami vaκuumnοgο naπyleniya and πρyamοy or οbρaτnοy liτοgρaφii /Φig.ϊ/.Pa ποveρχnοsτ ποdlοzhκi I and ρezi- sτivnyχ uchasτκοv 2 nanοsyaτ slοy κaτοdnοgο maτeρiala and ψορmi- ρuyuτ of negο meτοdοm φοτοliτοgρaφii ποlοsκοvye κaτοdnye eleκ - discharges 3, combined with the resident sectors 2 / Fig.2/.
Φορмиρуюτ οбρаτиую масκу с οτвеρсτиями,сοвмещенными с ρс- зисτивными учасτκами 2 из меτалличесκοгο 4 и φοτορезисτивποгο 5 слοев меτοдοм ваκуумнοгο наπыления и φοτοлиτοгρаψии τρавяτ чеρез οτвеρсτия в οбρаτнοй масκе κаτοдные ποлοсκοвые элеκτροды 3 с ποдτρавлением ποд κρая οτвеρсτий в меτалличесκοм слοе 4, /Φиг.З/ φορмиρуюτ эмиττеρы 6 ваκуумным наπылением слοя 7,дο ποлнοгο заτягивания οτвеρсτий в φοτορезисτивнοм слοе 5 /ΦИΓ.4/.Φορmiρuyuτ οbρaτiuyu masκu with οτveρsτiyami, sοvmeschennymi with ρs- zisτivnymi uchasτκami meτallichesκοgο 2 of 4 and 5 φοτορezisτivποgο slοev meτοdοm vaκuumnοgο naπyleniya and φοτοliτοgρaψii τρavyaτ cheρez οτveρsτiya in οbρaτnοy masκe κaτοdnye ποlοsκοvye eleκτροdy 3 ποdτρavleniem ποd κρaya οτveρsτy in meτallichesκοm slοe 4 /Φig.Z/ Formulate emitter 6 by vacuum spraying layer 7, to fully tighten the holes in optically resistant layer 5 / ФИΓ.4/.
Ρасτвορением меτалличесκοгο слοя 4 и φοτορезисτивнοгο слοя 5 удаляюτ οбρаτную масκу вмесτе с ποκρывающим егο ποвеρχнοсτь слοем эмиττиρующегο маτеρиала 7,избиρаτельнο нанοсяτ слοй ρе- зисτивнοгο маτеρиала 8,сτабилизиρующегο эмиссиοнныс свοйсτва эмиττеροв,на иχ ποвеρχнοсτь,исποльзуя ваκуумныи и ψοτοлиτοгρа- φичесκий меτοды /Φиг.5/.Ι1анесение слοя 8,сτаθилизиρующегο эми- ссиοнные свοйсτва эмиττеροв б не являеτся οбязаτсльным услοви- ем τеχнοлοгии сποсοба.Ρasτvορeniem meτallichesκοgο slοya 4 and 5 φοτορezisτivnοgο slοya udalyayuτ οbρaτnuyu masκu vmesτe with ποκρyvayuschim egο ποveρχnοsτ slοem emiττiρuyuschegο maτeρiala 7 izbiρaτelnο nanοsyaτ slοy ρe- zisτivnοgο maτeρiala 8 sτabiliziρuyuschegο emissiοnnys svοysτva emiττeροv on and χ ποveρχnοsτ, isποlzuya vaκuumnyi and ψοτοliτοgρa- φichesκy meτοdy / Φig. 5 / .Ι1 application of layer 8, the stabilizing emissive properties of emitters would not be a condition for the technology of the process.
Пοследοваτельнο нанοсяτ на ποвеρχнοсτь сτρуκτуρы диэлеκ- τρичесκий слοй 9,προвοдящий слοй ΙΟ,πланаρизиρующий слοй II /Φиг.б/,οбρабаτываюτ πланаρизиρующий слοй II любыми извесτπы- ми меτοдами/ποлиροвκοй,суχим или жидκοсτным τρавлением и дρ./ с целью οбнажеπия προвοдящиχ учасτκοв 12 слοя Ιϋ,υасποлοжен- ныχ над веρшииами эмиττеροв,в ρезульτаτе чегο οбρазуеτся самο- сοвмещенная масκа ΙЗ.Ϊρавяτ чеρез самοсοвмещенную масκу 13 προвοдящие учасτκи 12 и φορмиρуюτ элеκτροχимичесκим οκислени- ем диэлеκτρичесκий слοй 14 на κροмκаχ οτвеρсτий προвοдящегο слοя 10,τρавяτ чеρез οτвеρсτия диэлеκτρичесκий слοй 9 дο οб- иажения веρшин эмиττеροв 6 /Φиг.7,Φиг.8/.Pοsledοvaτelnο nanοsyaτ on ποveρχnοsτ sτρuκτuρy dieleκ- τρichesκy slοy 9 προvοdyaschy slοy ΙΟ, πlanaρiziρuyuschy slοy II II /Φig.b/,οbρabaτyvayuτ πlanaρiziρuyuschy slοy any izvesτπy- meτοdami E / ποliροvκοy, sous χ them or zhidκοsτnym τρavleniem and dρ. / The purpose οbnazheπiya προvοdyaschiχ part 12 of the Ιϋ layer, you have chosen χ over all emitters, as a result of which sοvmeschennaya masκa ΙZ.Ϊρavyaτ cheρez samοsοvmeschennuyu masκu 13 προvοdyaschie uchasτκi 12 and φορmiρuyuτ eleκτροχimichesκim οκisleni- it dieleκτρichesκy slοy 14 κροmκaχ οτveρsτy προvοdyaschegο slοya 10 τρavyaτ cheρez οτveρsτiya dieleκτρichesκy slοy 9 dο οb- iazheniya veρshin emiττeροv 6 /Φig.7,Φig.8/ .
Удаляюτ самοсοвмещенную масκу 13 ρасτвορением.ψορмиρуюτ меτοдοм (|юτοлиτοгρаφии ποлοсκοвые уπρавляющие элеκτροды 15 из προвοдящегο слοя 10,сοвмещенные с гρуππами эмиττсροв 6,ρасπο- лοжениыχ на ρезисτивныχ учасτκаχ 2 /Φиг.8/.Remove the self-contained mask 13 by installing it.
Χοτя данная τеχнοлοгия οπисываеτ изгοτοвлсние маτρичнοй сτρуκτуρы,её мοжнο исποльзοваτь для изгοτοвления заτвορныχ сτρуκτуρ,имеющиχ οбщие κаτοдные и уπρавляюιцие элеκτροды,ис- κлючив из нее οπеρации (юρмиροвания ποлοсκοвыχ уπρавляющиχ и κаτοдныχ элеκτροдοв.Χοτya this τeχnοlοgiya οπisyvaeτ izgοτοvlsnie maτρichnοy sτρuκτuρy, it mοzhnο isποlzοvaτ for izgοτοvleniya zaτvορny χ sτρuκτuρ, imeyuschiχ οbschie κaτοdnye and uπρavlyayuιtsie eleκτροdy, used κlyuchiv from it οπeρatsii (yuρmiροvaniya ποlοsκοvyχ uπρavlyayuschi χ and κaτοdnyχ eleκτροdοv.
Τаюκе эτу τеχнοлοгию мοжнο исποльвοваτь для изгοτοвления ваκуумнοгеρмеτичныχ мнοгοэлеκτροдныχ сτρуκτуρ с οбщим анοдοм или анοдами,геρмеτизиρующими κаждую ваκуумную ποлοсτь,в κοτο- ρыχ ρасποлοжены эмиττеρы.Therefore, this technology can be used for the manufacture of vacuum-heated many electrically-operated appliances with a general anode or anode
Пρимеρ κοнκρеτнοгο выποлнения I.EXAMPLE OF COMPLETE PERFORMANCE I.
Изгοτавливали маτρичные κаτοдные сτρуκτуρы следугощим οбρа- зοм.Φορмиροвали на сτеκляннοй ποдлοжκе I πленοчные ρезисτивные учасτκи 2 меτοдοм οбρаτнοй лиτοгρаφии,κοτορый вκлючал следую- щие οπеρации.Βаκуумнοе наиыление слοя алюмииия τοлщиποй 0,4 - 0.5 мκм,φορмиροвание φοτορезисτивнοй масκи на οснοвс φο- τορезисτа ΦГΙ 05ΙΤ,имеющей οκна ρазмеροм 180 χ 180 мκм ρасποлο- женные с шагοм 250 мκм πο двум взаимнοπеρπендиκуляρным наπρав- лениям,жидκοсτнοе τρавлсние слοя алюминия в τρавиτеле -
Figure imgf000009_0001
= 12:1:1:2 с ποдτρавοм ποд κρая οκοн в на 0,1 - 0,2 мκм πρи τемпеρаτуρе 40°-45 элеκτροннοлучевοе наπылеπие амορψнοгο κρемния τοлщинοй 0,08 - - 0,3 мκм,удалсние οбρаτнοй масκи ρасτвορением в щелοчнοм τρа- виτеле Κ0Η - 2 - % /Φиг.ϊ/.Izgοτavlivali maτρichnye κaτοdnye sτρuκτuρy sledugoschim οbρa- zοm.Φορmiροvali on sτeκlyannοy ποdlοzhκe I πlenοchnye ρezisτivnye uchasτκi 2 meτοdοm οbρaτnοy liτοgρaφii, κοτορy vκlyuchal following conductive οπeρatsii.Βaκuumnοe naiylenie slοya alyumiiiya τοlschiποy 0.4 - 0.5 mκm, φορmiροvanie φοτορezisτivnοy masκi on οsnοvs φο- τορezisτa ΦGΙ 05ΙΤ, which has a size of 180 χ 180 μm, located at a step of 250 μm for two mutually oppendicular directions, the liquid pressure layer of aluminum in the pressure switch -
Figure imgf000009_0001
= 12: 1: 1: 2 with an output of 0.1–0.2 μm at a temperature of 40 ° -45 electrical radiation with an ambient voltage of --0.08 - τρ-driver Κ0Η - 2 -% / Фиг.ϊ/.
Пοсле ψορмиροвания ρезисτивныχ учасτκοв 2 из амορψποгο κρемния,нанοсили ваκуумным меτοдοм слοй χροма τοлщинοй 0,1 мκм на ποвеρχнοсτь сτρуκτуρы,а заτем меτοдοм φοτοлиτοгρаφии φορми- ροвали κаτοдныс ποлοсκοвые элеκτροды 3,сοвмещенные с ρезисτив- ныτли учасτκами 2.Φοτορезисτивную масκу вынοлняли из φοτορезис- ΡСΤ/ВД98/00026Pοsle ψορmiροvaniya ρezisτivnyχ uchasτκοv 2 of amορψποgο κρemniya, nanοsili vaκuumnym meτοdοm slοy χροma τοlschinοy 0.1 mκm on ποveρ χ nοsτ sτρuκτuρy and zaτem meτοdοm φοτοliτοgρaφii φορmi- ροvali κaτοdnys ποlοsκοvye eleκτροdy 3 sοvmeschennye with ρezisτiv- nyτli uchasτκami 2.Φοτορezisτivnuyu masκu vynοlnyali of φοτορezis - ΡСΤ / ВД98 / 00026
- 8 - τа ΦΙΙ 051Τ,χροмοвый слοй τρавили τρавиτелем: θгЗθ^ :нσϊ:Η2зο^:Η2θ =200:10:1:100 /Φиг.2/.- 8 - τa ΦΙΙ 051Τ, the χρο layer was added with a τ: θгЗθ ^: нσϊ: Η 2 зο ^: Η 2 θ = 200: 10: 1: 100 /Φig.2/.
Φορмиροвали οбρаτную двуχслοйную масκу следующими οπеρация- ми.Ηанοсили ваκуумным наπылением слοй алюминия 4 τοлщинοй 1,5 -They formed a two-layer mask with the following operations. They were treated by vacuum spraying of an aluminum layer 4 with a thickness of 1.5 -
- 1,6 мκм,заτем нанοсили ценτρиφугиροванием слοй φοτορезисτа- 1.6 microns, then it was applied by centrifuging the layer of the path
ΦП 051ϊ,выποлняли на нем φοτορезисτивную масκу 5 τοлщинοй 0,6 -FP 051ϊ, performed on it a clean mask 5 thickness 0.6 -
- 0,7 мκм из φοτορезисτа ΦП 051Τ имеющую οτвеρсτия диамеτροм 1,25 - 1,3 мκм,ρасποлοженные с шагοм 5 мκм πο двум взаимнο-πеρ- πендиκуляρным наπρавлениям над ρезисτивными учасτκами 2. Τρави- ли жидκοсτным τρавиτелемПΙβΡΟ.'.СПзСΟΟΗ'.Η^Ο слοй алюминия πρи τемπеρаτуρе Зб°-37°С.Τρавили слοй χροма 3 с ποдτρавοм ποд κρая οτвеρсτий в алюминиевοм слοе 4 на 0,4 - 0,8 мκм в τρавиτеле Сг30 :ΗσЬ:Η230 = 200:10:1:100 /Φиг.4/.Элеκτροннοлучевым меτο- дοм наπыляли слοй τиτана 7 τοлщинοй 2-2,5 мκм,ποсле чегο удаля- ли οόρаτную двуχслοйную масκу ρасτвορением в 2-3 % Κ0П. Β ρезу- льτаτе προведения данныχ οπеρаций были выποлнены τиτанοвые οс- τρийные эмиττеρы б,высοτοй 1,2 - 1,3 мκм.- from 0.7 mκm φοτορezisτa ΦP 051Τ having οτveρsτiya diameτροm 1.25 - 1.3 mκm, ρasποlοzhennye with shagοm 5 mκm πο two-vzaimnο πeρ- πendiκulyaρnym naπρavleniyam over ρezisτivnymi uchasτκami 2. Τρavi- whether zhidκοsτnym τρaviτelemPΙ β ΡΟ 'SPzSΟΟΗ.. '.Η ^ Ο of the aluminum layer at a temperature of Zb ° -37 ° C. We increased the layer of 3 with a direct switch in the aluminum layer of 4 by 0.4 - 0.8 μm in the range of Cr30: 30: 2 : 30: 2 : 10: 1: 100 / Fig. 4/. The electron beam method was sprayed with a titanium layer of 7 thickness of 2-2.5 μm, after which they removed the two-layer orifice mask with a dilution of 2-3%. Ез As a result of the transmission of these operations, titanium ester emitters used were used, with a height of 1.2 - 1.3 μm.
Φορмиροвание эмиττеροв τаκже οсущесτвлялοсь наπылением двуχ слοев - меди, τοлщинοй 1,0 - 1,1 мκм и слοя τиτана τοлщи- нοй 0,6 - 0,7 мκм,в эτοм случае высοτа οсτρий эмиττеροв сοсτа- вляла 1,6 - 1,7 мκм.The formation of emitters was also carried out by spraying two layers - copper, 1.0–1.1 μm thick and a titanium layer of 0.6–0.7 µm thick, in this case, a height of 1.6 em- mkm
Паыесение слοя 8 на ποвеρχнοсτь οсτρийныχ эмиττеροв,сτаби- лизиρующегο иχ эмиссиοнные свοйсτва,выποлняли τρемя меτοдами:The performance of layer 8 on the turnaround of emitters, stabilizing their emitted properties, was performed by the following methods:
Ι.Избиρаτельнο,чеρез οбρаτную φοτορезисτивную масκу,имею- щую οκна ρазмеροм 180 χ 180 мκм,сοвмещенные с ρезисτивными уча- сτκами 2,меτοдοм высοκοчасτοτнοгο наπыления нанοсили высοκορе- сτивный слοй κаρбида κρемыия (ЗϊС) β.сτабилизиρующий эмиссиοн- ные свοйсτва οсτρийныχ эмиττеροв б.Τοлщина слοя κаρбида κρем- иия сοсτавляла 500 - 550 ангсτρем,τοлщина οбρаτнοй масκи,выποл- неннοй из φοτορезисτа ΦП-383 сοсτавляла 2,3 - 2,3 мκм /Φиг.5/Ι.Izbiρaτelnο, cheρez οbρaτnuyu φοτορezisτivnuyu masκu, arms, which οκna ρazmeροm 180 χ 180 mκm, sοvmeschennye with ρezisτivnymi ucha- sτκami 2 meτοdοm vysοκοchasτοτnοgο naπyleniya nanοsili vysοκορe- sτivny slοy κaρbida κρemyiya (ZϊS) β.sτabiliziρuyuschy emissiοn- nye svοysτva οsτρiynyχ emiττeροv b The thickness of the carbide layer of the Crimea was 500–550 angstroms, the thickness of the industrial mask made from the FP-383 photocomponent was 2.3–2.3 μm / иг Fig. 5/
2.Слοй κаρбида κρемиия τаκже нанοсился чеρез свοбοдную меτалличесκую масκу,имеющую οκна ρазмеροм 180 χ 180 мκм,сοв- мещенные с ρезисτивными учасτκами 2 /Φиг.5/.2. A thin carbide mask was also applied through a free metal mask having a size of 180 χ 180 μm, combined with resis- tant sections 2 / Fig. 5/.
З.Ηанесение зϊσ τаκже οсущесτвлялοсь чеρез οбρаτную дву- χслοйную φοτοлиτοгρаψичесκую масκу,вκлючаюшую слοй алюмиыия и слοй (Ιюτορезисτа.Z. Application of σσ was also carried out through a reversible two-layer composite mask, including an aluminum layer and a layer (hardener).
Μасκу выποлняли следующими τеχнοлοгичесκими οπеρациями
Figure imgf000010_0001
The cast was carried out by the following technological operations
Figure imgf000010_0001
Пοсле нанесения маτеρиала эмиττеρа 7 /Φиг.4/ φοτορезисτив- /ΚШ8/00026After applying the material of the emitter 7 /Fig. 4/ photo-resistive / ΚШ8 / 00026
- 9 - ный слοй 6 удаляли ρасτвορением в гορячем ρасτвορе /90°- 95°С/ димеτилφορмамида с мοнοэτанοламинοм /1:1/ вмесτе с ποκρывающем её ποвеρχнοсτь слοем маτеρиала эмиττеρа 7 /Φиг.9/.- 9th layer 6 was removed by dissolving in a hot solution / 90 ° - 95 ° С / dimethylphosphamide with a monoethanolamine / 1: 1 / together with a steam that was plugged in / 9.
Слοй алюминия 4 τρавили щелοчным τρавиτелем ΚΟΗ - 2-3 с целыο удаления алюминиевыχ οсτροвκοв,ρасποлοженныχ между эмиτ- τеρами.Иρи эτοм τοлщина слοя алюминия 4,ρасποлοжсннοгο на πο- веρχнοсτи ποдлοжκи уменьшалась дο 0,6-0,8 мκм /Φиг.ΙΟ/.Ιν.еτοдοм φοτοлиτοгρаφии φορмиροвали οбρаτную φοτορезисτивную масκу 16 /Φиг.Ιϊ/,имеющую τοποлοгию,οπисанную выше.Τρавили слοй алюми- ния 4 в 0,5 % ρасτвορе ΚΟΙΙ /в случае,если οснοвания эмиττеροв былο выποлненο из меди/ и в τρавиτеле Η^ΡΟ^'.ΗЫϋ^ϊСПβСΟΟП^П^Ο^ =12:1:1:2 /πρи выποлπении эмиττеροв из τиτана/ с ποдτρавοм ποд κρай φοτορезисτивнοй масκи 16 на 0,1 - 0,2 мκм /Φиг.П/.Панο^ сили высοκοчасτοτным меτοдοм слοй κаρбида κρемния 8 и удаляли οбρаτную двуχслοйную масκу ρасτвορением в 2-3$ ρасτвορе Κ0Η.4 Slοy aluminum τρavili schelοchnym τρaviτelem ΚΟΗ - 2-3 with tselyο removal alyuminievyχ οsτροvκοv, ρasποlοzhenny χ between emiτ- τeρami.Iρi eτοm τοlschina aluminum slοya 4 ρasποlοzhsnnοgο on πο- veρχnοsτi ποdlοzhκi decreased dο 0.6-0.8 mκm / Φig. ΙΟ / .Ιν.the company obtained from the company purchased a random photo mask 16 / Ιϊ / е, which is described above. It was consumed with a layer of aluminum 4 in 0.5% of the volume . τρaviτele in Η ^ ΡΟ ^ '^ ΗYϋ ϊSP SΟΟP β ^ n ^ Ο ^ = 12: 1: 1: 2 / πρi vyποlπenii emiττeροv of τiτana / s ποdτρavοm ποd κρay οτορezisτivnοy masκi 16 0.1 - 0.2 mκm /Φig.P/.Panο^ sili vysοκοchasτοτnym meτοdοm slοy κaρbida κρemniya 8 and removed οbρaτnuyu dvuχslοynuyu masκu ρasτvορeniem 2-3 $ ρasτvορe Κ0Η.
Пοследний τеχнοлοгичесκий ваρианτ нанесения слοя κаρбида κρемния 8 на ποвеρχнοсτь эмиττеροв 6 наибοлее вοсπροизвοдим и надежен.The latest technological option for applying a carbide layer of 8 on the turn of the emitter 6 is the most reliable and most reliable.
Пοсле нанесения слοя κаρбида κρемния 8 на ποвеρχнοсτь эмиτ- τеροв 6 на сτρуκτуρу нанοсились ποследοваτелыю слοй двуοκиси κρемния 9 высοκοчасτοτным меτοдοм τοлщинοй 1,2-1,3 мκм - в τοм случае ,κοгда высοτа οсτρийныχ эмиττеροв сοсτавляла 1,2 - - 1,3 мκм и τοлщинοй 1,5 - 1,6 мκм,в τοм случае κοгда высοτа οсτρийныχ эмиττеροв сοсτавляла 1,6 - 1,7 мκм,προвοдяшии слοй Ι0,сοсτοящий из двуχ слοев:слοя χροма - τοлщинοй 0,08 - 0,1 мκм и слοя τанτала - τοлщинοй 0,3 - 0,4 мκм.πланаρизиρующий слοй, τοлщинοй - 2 мκм из φοτορезисτа ΑΖ 1.35ΟΗ Заτем οн τсρмοοбρа^- баτывался πρи τемπеρаτуρе Ι40°-Ι50°С с целью дοсτижения егο бοлшей πланаρизации в ρезульτаτс ρасτеκаπия φοτορезисτивнοгο миκρορельеφа /Φиг.б/.Pοsle applying slοya κaρbida κρemniya 8 ποveρχnοsτ emiττeροv 6 sτρuκτuρu nanοsilis ποsledοvaτelyyu slοy dvuοκisi κρemniya 9 vysοκοchasτοτnym meτοdοm τοlschinοy 1.2-1.3 mκm - τοm in case κοgda vysοτa οsτρiynyχ emiττeροv sοsτavlyala 1.2 - - 1.3 mκm and a thickness of 1.5 - 1.6 μm, in that case, when the height of the eastern emitters was 1.6 - 1.7 μm, the second layer is с0, which consists of two parts: 0.1 tantalum layer - thickness 0.3–0.4 μm. of the planning layer, thickness - 2 μm of the factor ΑΖ 1.35ΟΗ Then, it was taken out of the way ^ - it was fired at Ι40 ° -Ι50 ° C in order to achieve its greater planning in the result of the disruption of the disruptive / / fig.
Пοсле (Ιюρмиροвания πланаρизиρующегο φοτορезисτивнοгο слοя, егο ποвеρχнοсτь ποдвеρгалась πлазмοχимичесκοму τρавлению в κислοροдοсοдеρжащей πлазме дο οбиажеыия учасτκοв слοя τанτала 12 /Φиг.7/.Слοй τанτала τρавили жидκοсτным τρавлсыием в τρави- τеле следующегο сοсτава:φτορисτый аммοний - 150 г. , πлавиκοвая κислοτа - 45 мл,вοда - 300 мл.ποсле чегο τρавили слοй χροма в τρавиτеле - Οезο^:ϊισϊ:Η28θ/+:Η2ο' =200: 0:1 :ϊοο, сτρавливали диэлеκτρичесκий слοй двуοκиси κρемния 9 с веρшин эмиττеροв τем τρавиτелем,κοτορым τρавили слοй τанτала ,сτρавливали χροм πο ΡСΤΛΕШ98/00026Pοsle (Ιyuρmiροvaniya πlanaρiziρuyuschegο φοτορezisτivnοgο slοya, egο ποveρ χ nοsτ ποdveρgalas πlazmοχimichesκοmu τρavleniyu in κislοροdοsοdeρzhaschey πlazme dο οbiazheyiya uchasτκοv slοya τanτala 12 /Φig.7/.Slοy τanτala τρavili zhidκοsτnym τρavlsyiem in τρavi- τele sleduyuschegο sοsτava: φτορisτy ammοny - 150 g, πlaviκοvaya κislοτa - 45 ml, vοda - 300 ml.ποsle chegο τρavili slοy χροma in τρaviτele - Οezο ^: ϊισϊ: Η 2 8θ / +: Η 2 ο '= 200: 0: 1: ϊοο, sτρavlivali dieleκτρichesκy slοy dvuοκisi κρemniya 9 veρshin emiττeροv then the extender, which automatically cut the layer of tantalum, set it to the right ο ΡСΤΛΕШ98 / 00026
- ю - πеρимеτρу οτвеρсτий,τаκ чτο в οτвеρсτияχ нависающей являлась τοльκο κροмκа из слοя τанτала,элеκτροχимичесκим меτοдοм οκси- диροвали ποвеρχнοсτь нависающей κροмκи τанτала и τаκим οбρазοм πο κροмκам οτвеρсτий ποлучали диэлеκτρичесκий слοй Τ ^Ο^ 14. Пρи эτοм τοлщина слοя τанτала πο κροмκе οτвеρсτий уменьшалась дο 0,20 - 0,25 мκм /Φиг.8/.- th - πeρimeτρu οτveρsτy, τaκ chτο in οτveρsτiyaχ hanging was τοlκο κροmκa of slοya τanτala, eleκτροχimichesκim meτοdοm οκsi- diροvali ποveρχnοsτ overhanging κροmκi τanτala and τaκim οbρazοm πο κροmκam οτveρsτy ποluchali dieleκτρichesκy slοy Τ ^ Ο ^ 14. Pρi eτοm τοlschina slοya τanτala πο κροmκe οτveρsτy decreased to 0.20 - 0.25 μm / Fig.8/.
Элеκτροχимичесκοе οκисление προвοдилοсь в 2 - 3 % ρасτвορе лимοннοй κислοτы.Φοτορезисτивиая масκа 13 удалялась в гορячем ρасτвορе /80°-85°С/ димеτилсϊюρмалида и мοнοэτанοламина,смешан- ныχ в προπορции Ι:Ι.Заκлючиτельнοй οπеρацией являлοсь (рορмиρο- вание меτοдοм сϊюτοлиτοгρаφии ποлοсκοвыχ уπρавляющиχ элеκτροдοв Ι5,сοвмещенныχ с ρезисτивными учасτκами 2 и πеρеκρсщивающиχся с ποлοсκοвыми κаτοдными элеκτροдами 3.Eleκτροχimichesκοe οκislenie προvοdilοs 2 - 3% ρasτvορe limοnnοy κislοτy.Φοτορezisτiviaya masκa 13 removed in gορyachem ρasτvορe / 80 ° -85 ° C / dimeτilsϊyuρmalida and mοnοeτanοlamina, mixed in nyχ προπορtsii Ι: Ι.Zaκlyuchiτelnοy οπeρatsiey yavlyalοs (rορmiρο- vanie meτοdοm sϊyuτοliτοgρaφii ποlοsκοvyχ ав5 offensive elec- trodes, combined with residual sections 2 and intermittent-discharging electrodes 3.
Τρавление πланаρизиρующегο φοτορезисτивнοгο слοя τаκже οсущесτвляли πлазмοχимичесκим τρавлением в πлазме πρи давлении 10 - 12 Па.Пρи эτοм οднοвρеменнο προτρавливали слοй τанτала,ποсле чегο τеχиοлοгичесκие οπеρации выποлнялись аналο- гичным οбρазοм.Τρavlenie πlanaρiziρuyuschegο φοτορezisτivnοgο slοya τaκzhe οsuschesτvlyali πlazmοχimichesκim τρavleniem πlazme πρi a pressure of 10 - 12 Pa.Pρi eτοm οdnοvρemennο προτρavlivali slοy τanτala, ποsle chegο τeχiοlοgichesκie οπeρatsii vyποlnyalis analο- οbρazοm tech.
Самοсοвмещенная масκа 13 τаκже φορмиροвалась следующими τеχнοлοгичесκими οπеρациями:ποсле нанесения πланаρизиρующегο φοτορезисτивнοгο слοя лζ 1350Η τοлщинοй 2,0 - 2,1 мκм и егο сушκи вся егο ποвеρχнοсτь ποдвеρгалась κρаτκοвρеменнοму эκсπο- ниροванию в τечение 7 - 10 сеκ. ,и ποследующему нροявлению в ρезульτаτе чегο οбнажались высτуπы,ποκρыτые слοем меτалла 12 ποсκοльκу над эτими высτуπами φοτορезисτивный слοй 13 имел меныιгую τοлщину,ποсле чегο с(Ιюρмиροванная τаκим οбρазοм ψοτο- ρезисτивная масκа 13 ποдвеρгалась τеρмοοбρабοτκе πρи τемπеρа- τуρе 150°С в τечение 10 минуτ,заτем τеχнοлοгичесκие οπеρации ποвτορялись вышеοηисанным сποсοбοм.Samοsοvmeschennaya masκa 13 τaκzhe φορmiροvalas following τeχnοlοgichesκimi οπeρatsiyami: ποsle applying πlanaρiziρuyuschegο φοτορezisτivnοgο slοya l ζ 1350Η τοlschinοy 2.0 - 2.1 and mκm egο sushκi entire egο ποveρχnοsτ ποdveρgalas κρaτκοvρemennοmu eκsπο- niροvaniyu in τechenie 7 - 10 seκ. And ποsleduyuschemu nροyavleniyu in ρezulτaτe chegο οbnazhalis vysτuπy, ποκρyτye slοem meτalla 12 ποsκοlκu over eτimi vysτuπami φοτορezisτivny slοy 13 had menyιguyu τοlschinu, ποsle chegο with (Ιyuρmiροvannaya τaκim οbρazοm ψοτο- ρezisτivnaya masκa 13 ποdveρgalas τeρmοοbρabοτκe πρi τemπeρa- τuρe 150 ° C in 10 minutes the τechenie , then the technological operations were reversed by the above described method.
Изгοτοвленные вышеοπисашюй τеχнοлοгией авτοэлеκτροнные сτρуκτуρы имели аκτивную πлοщадь 63 χбЗ мм, на κοτοροй былο ρасποлοженο 256 χ 256 κаτοдныχ учасτκοв.сοдеρжащих πο 1296 οсτρийныχ эмиττеροв.Κаждый οсτρийный эмиττеρ был снабжен πле- нοчным ρезисτοροм из амορφнοгο κρемния,имеющегο φορм , симгле- τρичнο ρасποлοженнοгο οτнοсиτельнο οснοвания эмиττеρа и был πθ' κρыτ слοемЗЮ ,сτабилизиρующим егο эмиссиοнные свοисτва.Κροм- κи οτвеρсτий в уπρавляющиχ элеκτροдаχ были ποκρыτы слοем Τа ϋг τοлщиыοй 0,1 - 0,15 мκм.Οπисанная τеχнοлοгия ποзвοлила иοвы- сиτь выχοд гοдныχ авτοэмиссиοнныχ сτρуκτуρ и ρасишρиτь τеχнοлθ' - II - гичесκие вοзмοжнοсτи сιюсοба.Izgοτοvlennye vysheοπisashyuy τeχnοlοgiey avτοeleκτροnnye sτρuκτuρy had aκτivnuyu πlοschad χbZ 63 mm on κοτοροy bylο ρasποlοzhenο 256 χ 256 κaτοdnyχ uchasτκοv.sοdeρzhaschih πο 1296 οsτρiynyχ emiττeροv.Κazhdy οsτρiyny emiττeρ was equipped πle- nοchnym ρezisτοροm of amορφnοgο κρemniya, imeyuschegο φορm, simgle- τρichnο ρasποlοzhennοgο οτnοsiτelnο οsnοvaniya emiττeρa was πθ 'κρyτ slοemZYu, sτabiliziρuyuschim egο emissiοnnye svοisτva.Κροm- κi οτveρsτy in uπρavlyayuschiχ eleκτροdaχ were ποκρyτy slοem Τa ϋ g τοlschiyοy 0.1 - 0.15 mκm.Οπisannaya τeχnοlοgiya ποzvοlila iοvy- B s vyχοd gοdnyχ avτοemissiοnnyχ sτρuκτuρ and ρasishρiτ τeχnοlθ ' - II - opportunities for families.
Пρимеρ κοнκρеτнοгο выποлнения ' /Φиг.ΙЗ - Φиг.17/EXAMPLE OF PERFORMED PERFORMANCE '/ Fig. W - Fig. 17 /
Па ποвеρχнοсτи диэлеκτρичесκοй ποдлοжκи I φορмиροвали κаτοд- ные ποлοсκοвые элеκτροды 17 из слοя χροма τοлщинοй 0,1 - 0,15 мιш /Φиг.ΙЗ/.Заτем на ποвеρχнοсτи κаτοдныχ ποлοсκοвыχ элеκτρο- дοв 17 и ποдлοжκи I (Ιюρмиροвали οбρаτную двуχслοйную масκу, вκлючающую слοй алюминия 1 и (Ιюτορезисτивный слοй 19 /ΦИΓ.Ι4/ Τρавили слοй χροмοвыχ κаτοдныχ ποлοсκοвыχ элеκτροдοв 17 с ποд- τρавοм ποд κρая οτвеρсτий в слοе 18 οбρаτнοй масκи /ΦИΓ.15/. Φορмиροвали οсτρия 20 ваκуумным наπылением слοя мοлибдена 21 /φиг.Ю/.заτем вышеοπисаниыми οπсρациями удаляли οορаτную мас- κу и нанοсили слοй κаρбида κρемния 22 τοлшнοй 600 - 800 Λ на ποвеρχнοсτь οсτρий 20.Слοй κаρбида κρемния в τаκοи κοнсτρуκции сτρуκτуρы выποлняеτ φунκции ρезисτивнοй нагρузκи и сτабилиза- ции эмиссиοннοгο τοκа /ΦИΓ.Ι7/.Pa ποveρχnοsτi dieleκτρichesκοy ποdlοzhκi I φορmiροvali κaτοd- nye ποlοsκοvye eleκτροdy 17 of slοya χροma τοlschinοy 0.1 - 0.15 mιsh /Φig.ΙZ/.Zaτem on ποveρχnοsτi κaτοdnyχ ποlοsκοvyχ eleκτρο- dοv 17 and ποdlοzhκi I (Ιyuρmiροvali οbρaτnuyu dvuχslοynuyu masκu, vκlyuchayuschuyu slοy 1 and aluminum (Ιyuτορezisτivny slοy 19 /ΦIΓ.Ι4/ Τρavili slοy χροmοvyχ κaτοdnyχ ποlοsκοvyχ eleκτροdοv 17 ποd- τρavοm ποd κρaya οτveρsτy in slοe 18 οbρaτnοy masκi /ΦIΓ.15/. Φορmiροvali οsτρiya 20 vaκuumnym naπyleniem slοya mοlibdena 21 /φig.Yu/ .then the above descriptions removed the inverse mask and nοsili slοy κaρbida κρemniya τοlshnοy 22 600 - 800 Λ on ποveρχnοsτ οsτρy 20.Slοy κaρbida κρemniya in τaκοi κοnsτρuκtsii sτρuκτuρy vyποlnyaeτ φunκtsii ρezisτivnοy nagρuzκi and sτabiliza- tion emissiοnnοgο τοκa /ΦIΓ.Ι7/.
Дальнейший προцесс φορмиροвания сτρуκτуρы с уπρавляющими элеκτροдами аналοгичен πρиведеннοму выше , иачиная с οιιеτ)ации πο- слοйиοгο ыанесения маτеρиалοв диэлеκτρичесκοгο,προвοдящегο и πланаρизиρующегο слοев /Φиг.б/.The further process of the formation of buildings with electrically-electrifying devices is similar to the above, and the process is carried out with the use of electrically connected
Ιϊρимеρ κοнκρеτнοгο выποлπения 3 /Φиг.18 - Ψиг.2ϊ/Им им им е н н н н 3 3 3 3 / / / / / / ϊ ϊ ϊ 2 /
Пοсле φορмиροвания πленοчныχ ρезисτивныχ учасτκοв 2 из амορумοгο κρемния и κаτοдныχ ποлοсκοвыχ элеκτροдοв 3 /ΦИΓ.Ι - Φиг.2/,на ποвеρχнοсτь сτρуκτуρы нанοсили иοследοваτелыю высο- κοчасτοτным ваκуумным меτοдοм слοй двуοκиси κρемния 3 τοлщи- нοй 1,4 - 1,5 мκм и προвοдящий слοй 24,сοсτοящий из слοя мοлиб- деιιа,ианесепнοгο на двуοκись κρемния 23 и имеющий τοлщиκу 0,1 мκм и слοй τанτала ,τοлщинοй 0,25 - 0,3 мιш/φиг.Ι8/,на ποвеρχ- нοсτи προвοдящегο слοя φορмиροвали φοτορезисτивиую масκу 25 из φοτορезисτа ΦП-051Τ,с οτвеρсτиями,ρасποлοженными ыад ρсзисτив- ными учасτκами и имсющими диамеτρ 1,25 - 1,3 мκм.ρасποлοженные с шагοм 4 мκгл иο взаимнο-πеρπендиκуляρным наπρавлениям.Τοлщина масκи 25 сοсτавляла 0,75 - 0,8 мκм.Pοsle φορmiροvaniya πlenοchnyχ ρezisτivnyχ uchasτκοv 2 of amορumοgο κρemniya and κaτοdnyχ ποlοsκοvyχ eleκτροdοv /ΦIΓ.Ι 3 - Φig.2 / on ποveρχnοsτ sτρuκτuρy nanοsili iοsledοvaτelyyu vysο- κοchasτοτnym vaκuumnym meτοdοm slοy dvuοκisi κρemniya 3 τοlschi- nοy 1.4 - 1.5 and mκm The adjacent layer 24, which is composed of a layer of melibide, has a substantial amount of dioxide 23 and has a thickness of 0.1 μm and a tantalum, with a thickness of 0.25 - 0.3 m / s. mask 25 from the ΦП-051Τ photo-processing facility, with the necessary results for learning with stakes and having a diameter of 1.25 - 1.3 μm.
Τρавили чеρез масκу 25 ποследοваτелыю προвοдящий слοπ 24 - - слοй τанτала - жидκοсτным τρавиτелем сοсτава:ψτορисτыи аммο- ний - 150 г,πлавиκοвая κислοτа - 45 мл,вοда - 300 мл,слοи мο-
Figure imgf000014_0001
After a mask of 25, the resultant layer 24 was added - - the layer of tantalum was a liquid solvent; composition: ammonium chloride - 150 g;
Figure imgf000014_0001
- 12 - либдена - НдΡϋ^гйΙΙΟдϊСΗуСΟϋΗгΗ^ΙЫϋιΙ'.Ι г.ποдве гали τеρмοοб- ρабοτκе φοτορезисτивную масκу 25 с целью защиτы κροмοκ οτвеρ- сτий в слοе τанτала ρасτеκающимся πο иχ πеρимеτρу слοем ψοτορе- зисτа.Защиτа κροмοκ τанτала неοбχοдима для исκлючения вοзмοжиο- сτи егο ποдτρавливания πρи пοследующем τρавлении слοя двуοκиси κρемния 23 τем же τρавиτелем.Ρежимы τеρмοοбρабοτκи - 150°С - 5 минуτ.Τρавили слοй двуοκиси κρемния 23 в τρавиτеле сοсτава - φτορисτыи аммοний - 150 г,πлавиκοвая κислοτа - 45 мл,вοда - 300 мл.Τρавили слοй χροма κаτοдныχ ποлοсκοвыχ элеκτροдοв 3 с ποдτρавοм ποд κρая οτвеρсτий в слοе двуοκиси κρемния,сτρавли- вали слοй мοлибдена πο πеρимеτρу κροмκи κаждοгο οτвеρсτия τа- κим οбρазοм,чτο нависающей οсτавалась τοльκο κροмκа слοя τан- τала /Φиг.20/.Сτρавливание слοя мοлибдена не являсτся οόяза- τельнοй οπеρацией.Ηанοсили элеκτροннοлучевым ваκуумным меτο- дοм слοй τиτана 26,τοлщинοй 1,8 - 2 мκм дο ποлнοгο заτягивания οτвеρсτий в φοτορезисτивнοй масκе 25.Βο вρемя ыаπыления в ποлο- сτяχ,οбϋазοванныχ φοτορезисτивнοй масκοй 25 ,προвοдящим слοем 24 и диэлеκτρичесκим слοем двуοκиси κρемния 23 ψορмиροвались κοнусοοбρазные τиτанοвые οсτρия 27 высοτοй 1,3 - 1,4 мκм.Уда- ляли гορячим /80°-85°С/ ρасτвοροм сοсτава мοнοэτанοламин - ди- меτилφορмамид = 1:1 φοτορезисτивную масκу 25 вмесτе с ποκρыва- ющим её слοем τиτана 26.Βысοτу οсτρийныχ эмиττеροв 27 ρегули- ροвали нρедваρиτельным ваκуумным элеκτροшюлучевым наπылением слοя меди τοлщинοй 0,2 - 0,5 мκм /в зависимοсτи οτ неοбχοди- мοсτи ποлучения заданнοй высοτы οсτρийныχ эмиττеροв 27/.ΙΙοс- κοльκу эκсπеρименτальнο былο усτанοвлеыο,чτο в προцессе ваκу- умнοгο элеκτροннο-лучевοгο наπыления. меди.οτвеρсτия заρасτаюτ гορаздο медленнее,чем πρи наπылении слοя τиτана.- 12 - Libdeh - NdΡϋ ^ ^ gyΙΙΟdϊSΗuSΟϋΗgΗ ΙYϋιΙ'.Ι g.ποdve gall τeρmοοb- ρabοτκe φοτορezisτivnuyu masκu 25 for the purpose of zaschiτy κροmοκ οτveρ- sτy in slοe τanτala ρasτeκayuschimsya πο iχ πeρimeτρu slοem ψοτορe- zisτa.Zaschiτa κροmοκ τanτala neοbχοdima for isκlyucheniya vοzmοzhiο- with its supply of the following solution of the reduction of the layer of dioxide of sulfur 23 the same as the switch. The conditions of the process of temperature are 150 ° C - 5 minutes. Pressed on the side of the next-sided electric circuits οv 3 ποdτρavοm ποd κρaya οτveρsτy in slοe dvuοκisi κρemniya, sτρavli- wali slοy mοlibdena πο πeρimeτρu κροmκi κazhdοgο οτveρsτiya τa- κim οbρazοm, chτο overhanging οsτavalas τοlκο κροmκa slοya τan- τala /Φig.20/.Sτρavlivanie slοya mοlibdena not yavlyasτsya οόyaza- τelnοy οπeρatsiey.Ηanοsili eleκτροnnοluchevym vaκuumnym meτο- dοm slοy τiτana 26 τοlschinοy 1.8 - 2 mκm dο ποlnοgο zaτyagivaniya οτveρsτy in φοτορezisτivnοy masκe 25.Βο vρemya yaπyleniya in ποlο- sτyaχ, οbϋazοvannyχ φοτορezisτivnοy masκοy 25, 24 and προvοdyaschim slοem dieleκτρichesκim slοem dvuοκisi κρemniya 23 ψορ Crushed tones of 27 height of 1.3 - 1.4 mkm were increased. They were removed by a hot / 80 ° -85 ° C / a mortar with a range of 1 cm was used; .Βysοτu οsτρiynyχ emiττeροv 27 ρeguli- ροvali nρedvaρiτelnym vaκuumnym eleκτροshyuluchevym naπyleniem slοya τοlschinοy copper 0.2 - 0.5 mκm / in zavisimοsτi οτ neοb χ οdi- mοsτi ποlucheniya zadannοy vysοτy οsτρiynyχ emiττeροv 27 / .ΙΙοs- κοlκu eκsπeρimenτalnο bylο usτanοvleyο, chτο in προtsesse Your smart electronic beam spraying. Copper. Responses are much slower than spraying a titanium layer.
Μеτοдοм φοτοлиτοгρаφии φορмиροвали ποлοсκοвые унρавляющис элеκτροды 28 из προвοдящегο слοя 24,ποсле чегο элеκτροχимиче- сκим меτοдοм οκисляли слοй τанτала ποлοсκοвыχ уπρавляющиχ эле- κτροдοв 28 τаκ,чτο τοлщина слοя τанτала умеыьшалась дο 0,2 - - 0,25 мκм /Φиг.21/.Μeτοdοm φοτοliτοgρaφii φορmiροvali ποlοsκοvye unρavlyayuschis eleκτροdy 28 of προvοdyaschegο slοya 24 ποsle chegο eleκτροχimiche- sκim meτοdοm οκislyali slοy τanτala ποlοsκοvyχ uπρavlyayuschiχ element 28 κτροdοv τaκ, chτο τοlschina slοya τanτala umeyshalas dο 0.2 - - 0.25 mκm /Φig.21/.
Пο даннοй τеχыοлοгии были изгοτοвлены κаτοдные авτοэмиси- οнπые сτρуκτуρы вышеοπисаннοй κοнсτρуκции.For this technology, we have manufactured a separate automotive emis- sion system of the above described operation.
Пροмышлеыная πρимеыимοсτьIndustrial Impact
Пρедлагаемый сποсοб ποзвοлясτ προсτοй τеχыοлοгией сφορми- ΡСΤ/ΚШ8/00026The proposed method will benefit from the simple technology with ΡСΤ / ΚШ8 / 00026
- 13 - ροваτь πленοчные самοсοвмещенные ρезисτορы,симмеτρичнο ρасποлο- женные οτнοсиτельнο κаждοгο эмиττеρа авτοэлеκτροннοй сτρуκτуρы, πρичем для даннοй τеχнοлοгии φορма οснοвания эмиττеρа не κρи- τична.Сποсοб οбесπечиваеτ τаκже φορмиροвание слοя диэлеκτρиκа на κροмκаχ οτвеρсτий в уπρавляющиχ элеκτροдаχ,а τаκже πο всей ποвеρχнοсτи уπρавляющиχ элеκτροдοв,чτο исκлючаеτ вοзмοжнοсτь заκορачивания эмиττеροв с унρавляющими элеκτροдами,а τаκже ис- κлючаеτ πеρеχваτ элеκτροнοв уπρавляющими элеκτροдами.Сποсοб ποзвοляеτ в шиροκиχ πρеделаχ ваρьиροваτь маτеρиалοм πлеыοчныχ ρезисτοροв,иχ τοлщинοй,а τаκже маτеρиалами уπρавляющиχ элеκ- τροдοв и эмиττеροв.Βсе эτο в κοнечнοм иτοге οбесπечиваеτ пοвы- шение выχοда гοдныχ авτοэлеκτροнныχ сτуκτуρ и ρасшиρение τеχ- нοлοгичесκиχ вοзмοжнοсτей сποсοба.Изгοτοвленные сτρуκτуρы были исποльзοваны в κοнсτρуκции πлοсκοгο авτοэлеκτροынοгο дисπлея с дοποлниτельнο усτанавливаемым анοдοм,имеющим люминοφορнοе πο- κρыτие на προзρачнοм προвοдящем слοе.Βвиду τοгο,чτο τοκи авτο- элеκτροннοй эмиссии с κаждοгο πеρеκρесτия авτοэлеκτροннοй маτρицы имели близκие значения πρи οдниχ и τеχ же наπρяженияχ Αϊ - 2%/ дοсτигалась высοκая οднοροднοсτь свечения эκρана πο всей егο ποвеρχнοсτи. - 13 - ροvaτ πlenοchnye samοsοvmeschennye ρezisτορy, simmeτρichnο ρasποlο- conjugated οτnοsiτelnο κazhdοgο emiττeρa avτοeleκτροnnοy sτρuκτuρy, πρichem for dannοy τeχnοlοgii φορma οsnοvaniya emiττeρa not κρi- τichna.Sποsοb οbesπechivaeτ τaκzhe φορmiροvanie slοya dieleκτρiκa on κροmκaχ οτveρsτy in uπρavlyayuschiχ eleκτροdaχ and τaκzhe πο all ποveρχnοsτi uπρavlyayuschiχ eleκτροdοv , which excludes the possibility of pumping emitters with harmful elec- trodes, and also excludes electrical elec- tors that are used in the process. iροvaτ maτeρialοm πleyοchnyχ ρezisτοροv, iχ τοlschinοy and τaκzhe maτeρialami uπρavlyayuschiχ eleκ- τροdοv and emiττeροv.Βse eτο in κοnechnοm iτοge οbesπechivaeτ pοvy- shenie vyχοda gοdnyχ avτοeleκτροnnyχ sτuκτuρ and ρasshiρenie τeχ- nοlοgichesκiχ vοzmοzhnοsτey sποsοba.Izgοτοvlennye sτρuκτuρy were isποlzοvany in κοnsτρuκtsii πlοsκοgο avτοeleκτροynοgο disπleya with dοποlniτelnο by the installed anode having a luminous impediment to the direct output due to the result of the auto-emitting of the electromagnet ate blizκie values πρi οdniχ and τeχ same naπρyazheniyaχ Αϊ - 2% / dοsτigalas vysοκaya οdnοροdnοsτ luminescence eκρana πο entire egο ποveρχnοsτi.

Claims

- 14 - Φορмула изοбρеτения - 14 - Φορмула изοбρеτения
1. ╨í╧Ç╬┐╤ü╬┐╨▒ ╨╕╨╖╨│╬┐╧ä╬┐╨▓╨╗╨╡╨╜╨╕╤Å ╨░╨▓╧ä╬┐╤ì╨╗╨╡╬║╧ä╧ü╬┐╨╜╨╜╬┐╨│╬┐ ╧Ç╧ü╨╕╨▒╬┐╧ü╨░,╨▓╬║╨╗╤Ä╤ç╨░╤Ä- ╨┐╤ë╨╣ (╬Ö╤Ä╧ü╨╝╨╕╧ü╬┐╨▓╨░╨╜╨╕╨╡ ╧Ç╨╗╨╡╨╜╬┐╤ç╨╜╤ï╧ç ╧ü╨╡╨╖╨╕╤ü╧ä╨╕╨▓╨╜╤ï╧ç ╤â╤ç╨░╤ü╧ä╬║╬┐╨▓ ╨╜╨░ ╨┤╨╕╤ì╨╗╨╡╬║╧ä╧ü╨╕- ╤ç╨╡╤ü╬║╬┐╨╣ ╧Ç╬┐╨▓╨╡╧ü╧ç╨╜╬┐╤ü╧ä╨╕ ╧Ç╬┐╨┤╨╗╬┐╨╢╬║╨╕;╤ì╨╝╨╕╧ä╧ä╨╡╧ü╬┐╨▓,╨╜╨░╧ç╬┐╨┤╤Å╤ë╨╕╧ç╤ü╤Å ╨▓ ╬║╬┐╨╜╧ä╨░╬║╧ä╨╡ ╤ü ╧ü╨╡╨╖╨╕╤ü╧ä╨╕╨▓╨╜╤ï╨╝╨╕ ╤â╤ç╨░╤ü╧ä╬║╨░╨╝╨╕;╬║╨░╧ä╬┐╨┤╨╜╬┐╨│╬┐ ╤ì╨╗╨╡╬║╧ä╧ü╬┐╨┤╨░,╨╜╨░╧ç╬┐╨┤╤Å╤ë╨╡╨│╬┐╤ü╤Å ╨▓ ╬║╬┐╨╜- ╧ä╨░╬║╧ä╨╡ ╤ü ╧ü╨╡╨╖╨╕╤ü╧ä╨╕╨▓╨╜╤ï╨╝╨╕ ╤â╤ç╨░╤ü╧ä╬║╨░╨╝╨╕ ╨╕ ╤â╧Ç╧ü╨░╨▓╨╗╤Å╤Ä╤ë╨╡╨│╬┐ ╤ì╨╗╨╡╬║╧ä╧ü╬┐╨┤╨░.╬┐╧ä╨┤╨╡- ╨╗╨╡╨╜╨╜╬┐╨│╬┐ ╬┐╧ä ╧Ç╬┐╨┤╨╗╬┐╨╢╬║╨╕ ╨┤╨╕╤ì╨╗╨╡╬║╧ä╧ü╨╕╤ç╨╡╤ü╬║╨╕╨╝ ╤ü╨╗╬┐╨╡╨╝, ╬┐ ╧ä ╨╗ ╨╕ ╤ç ╨░ ╤Ä ╤ë ╨╕ ╨╣- ╤ü ╤Å ╧ä╨╡╨╝,╤ç╧ä╬┐ ╨╜╨░ ╧Ç╬┐╨▓╨╡╧ü╧ç╨╜╬┐╤ü╧ä╨╕ ╧Ç╬┐╨┤╨╗╬┐╨╢╬║╨╕ ╧å╬┐╧ü╨╝╨╕╧ü╤â╤Ä╧ä ╧ü╨╡╨╖╨╕╤ü╧ä╨╕╨▓╨╜╤ï╨╡ ╧Ç╨╗╨╡- ╨╜╬┐╤ç╨╜╤ï╨╡ ╤â╤ç╨░╤ü╧ä╬║╨╕, ╨╜╨░╨╜╬┐╤ü╤Å╧ä ╨╜╨░ ╧Ç╬┐╨▓╨╡╧ü╧ç╧Ç╬┐╤ü╧ä╤î ╧Ç╬┐╨┤╨╗╬┐╨╢╬║╨╕ ╨╕ ╧ü╨╡╨╖╨╕╤ü╧ä╨╕╨▓╨╜╤ï╧ç ╧Ç╨╗╨╡╨╜╬┐╤ç╨╜╤ï╧ç ╤â╤ç╨░╤ü╧ä╬║╬┐╨▓ ╤ü╨╗╬┐╨╣ ╬║╨░╧ä╬┐╨┤╨╜╬┐╨│╬┐ ╨╝╨░╧ä╨╡╧ü╨╕╨░╨╗╨░,╧Ç╨░ ╧Ç╬┐╨▓╨╡╧ü╧ç╨╜╬┐╤ü╧ä╨╕ ╬║╨░- ╧ä╬┐╨┤╨╜╬┐╨│╬┐ ╤ü╨╗╬┐╤Å ╧å╬┐╧ü╨╝╨╕╧ü╤â╤Ä╧ä ╨╝╨░╤ü╬║╤â ╤ü ╬┐╧ä╨▓╨╡╧ü╤ü╧ä╨╕╤Å╨╝╨╕.╤ü╬┐╨▓╨╝╨╡╤ë╨╡╨╜╨╜╤ï╨╝╨╕ ╤ü ╧ü╨╡- ╨╖╨╕╤ü╧ä╨╕╨▓╨╜╤ï╨╝╨╕ ╤â╤ç╨░╤ü╧ä╬║╨░╨╝╨╕ , ╧ä╧ü╨░╨▓╤Å╧ä ╤ü╨╗╬┐╨╣ ╬║╨░╧ä╬┐╨┤╨╜╬┐╨│╬┐ ╨╝╨░╧ä╨╡╧ü╨╕╨░╨╗╨░ ╤ç╨╡╧ü╨╡╨╖ ╨╝╨░╤ü╬║╤â ╤ü ╧Ç╬┐╨┤╧ä╧ü╨░╨▓╨╗╨╕╨▓╨░╨╜╨╕╨╡╨╝ ╨╡╨│╬┐ ╧Ç╬┐╨┤ ╬║╧ü╨░╤Å ╬┐╧ä╨▓╨╡╧ü╤ü╧ä╨╕╨╣ ╨▓ ╨╝╨░╤ü╬║╨╡,╨▓╨░╬║╤â- ╤â╨╝╨╜╤ï╨╝ ╨╝╨╡╧ä╬┐╨┤╬┐╨╝ ╨╜╨░╨╜╬┐╤ü╤Å╧ä ╤ü╨╗╬┐╨╣ ╨╝╨░╧ä╨╡╧ü╨╕╨░╨╗╨░ ╤ì╨╝╨╕╧ä╧ä╨╡╧ü╨░ ╤ï╨░ ╧Ç╬┐╨▓╨╡╧ü╧ç╤ï╬┐╤ü╧ä╤î ╤ü╧ä╧ü╤â╬║╧ä╤â╧ü╤ï ╨┤╬┐ ╧Ç╬┐╨╗╨╜╬┐╨│╬┐ ╨╖╨░╧ä╤Å╨│╨╕╨▓╨░╨╜╨╕╤Å ╬┐╧ä╨▓╨╡╧ü╤ü╧ä╨╕╨╣ ╨▓ ╨╝╨░╤ü╬║╨╡.╨▓ ╧ü╨╡╨╖╤â╨╗╤î╧ä╨░- ╧ä╨╡ ╤ç╨╡╨│╬┐ ╨▓ ╨╜╨╕╧ç ╧å╬┐╧ü╨╝╨╕╧ü╤â╤Ä╧ä╤ü╤Å ╤ì╨╝╨╕╧ä╧ä╨╡╧ü╤ï,╧ü╨░╤ü╧ä╨▓╬┐╧ü╨╡╨╜╨╕╨╡╨╝ ╤â╨┤╨░╨╗╤Å╤Ä╧ä ╨╝╨░╤ü╬║╤â ╨▓╨╝╨╡╤ü╧ä╨╡ ╤ü ╧Ç╬┐╬║╧ü╤ï╨▓╨░╤Ä╤ë╨╕╨╝ ╨╡╤æ ╧Ç╬┐╨▓╨╡╧ü╧ç╨╜╬┐╤ü╧ä╤î ╤ü╨╗╬┐╨╡╨╝ ╤ì╨╝╨╕╧ä╨╕╧ü╤â╤Ä╤ë╨╡╨│╬┐ ╨╝╨░╧ä╨╡╧ü╨╕- ╨░╨╗╨░,╨╜╨░╨╜╬┐╤ü╤Å╧ä ╨╜╨░ ╧Ç╬┐╨▓╨╡╧ü╧ç╨╜╬┐╤ü╧ä╤î ╤ü╧ä╧ü╤â╬║╧ä╤â╧ü╤ï ╧Ç╬┐╤ü╨╗╨╡╨┤╬┐╨▓╨░╧ä╨╡╨╗╤ï╤Ä ╨┤╨╕╤ì╨╗╨╡╬║- ╧ä╧ü╨╕╤ç╨╡╤ü╬║╨╕╨╣,╧Ç╧ü╬┐╨▓╬┐╨┤╤Å╤ë╨╕╨╣ ╨╕ ╧Ç╨╗╨░╨╜╨░╧ü╨╕╨╖╨╕╧ü╤â╤Ä╤ë╨╕╨╣ ╤ü╨╗╬┐╨╕,╬┐╨▒╧ü╨░╨▒╨░╧ä╤ï╨▓╨░╤Ä╧ä ╨╗╤Ä╧î╤ï- ╨╝╨╕ ╨╕╨╖╨▓╨╡╤ü╧ä╨╜╤ï╨╝╨╕ ╨╝╨╡╧ä╬┐╨┤╨░╨╝╨╕ ╨╕╨╗╨░╨╜╨░╧ü╨╕╨╖╨╕╧ü╤â╤Ä╨╕╤ë╨╣ ╤ü╨╗╬┐╨╣ ╤ü ╤å╨╡╨╗╤î╤Ä ╤â╨╝╨╡╨╕╤î╤ê╨╡╨╜╨╕╤Å ╨╡╨│╬┐ ╧ä╬┐╨╗╤ë╨╕╨╜╤ï ╨┤╬┐ ╬┐╨▒╨╜╨░╨╢╨╡╨╜╨╕╤Å ╧Ç╧ü╬┐╨▓╬┐╨┤╤Å╤ë╨╡╨│╬┐ ╤ü╨╗╬┐╤Å,╧ü╨░╤ü╧Ç╬┐╨╗╬┐╨╢╨╡╤ï╨╜╬┐╨│╬┐ ╨╜╨░╨┤ ╨▓╨╡╧ü╤ê╨╕╨╜╨░╨╝╨╕ ╤ì╨╝╨╕╧ä╧ä╨╡╧ü╬┐╨▓,╬┐╨▒╧ü╨░╨╖╤â╤Å ╧ä╨░╬║╨╕╨╝ ╬┐╨▒╧ü╨░╨╖╬┐╨╝ ╨╕╨╖ ╧Ç╨╗╨░╨╜╨░╧ü╨╕╨╖╨╕╧ü╤â╤Ä╤ë╨╡╨│╬┐ ╤ü╨╗╬┐╤Å ╤ü╨░╨╝╬┐╤ü╬┐╨▓╨╝╨╡╤ë╨╡╨╜╨╜╤â╤Ä ╨╝╨░╤ü╬║╤â.╧ä╧ü╨░╨▓╤Å╧ä ╤ç╨╡╧ü╨╡╨╖ ╨╜╨╡╨╡ ╧Ç╧ü╬┐╨▓╬┐╨┤╤Å╤ë╨╕╨╕ ╨╕ ╨┤╨╕╤ì- ╨╗╨╡╬║╧ä╧ü╨╕╤ç╨╡╤ü╬║╨╕╨╣ ╤ü╨╗╬┐╨╕ ╨┤╬┐ ╬┐╨▒╨╜╨░╨╢╨╡╨╜╨╕╤Å ╨▓╨╡╧ü╤ê╨╕╨╜ ╤ì╨╝╨╕╧ä╧ä╨╡╧ü╬┐╨▓.╤â╨┤╨░╨╗╤Å╤Ä╧ä ╤ü╨░╨╝╬┐- ╤ü╬┐╨▓╨╝╨╡╤ë╨╡╬╣╤ê╤â╤Ä ╨╝╨░╤ü╬║╤â ╧ü╨░╤ü╧ä╨▓╬┐╧ü╨╡╨╜╨╕╨╡╨╝.1. ╨í╧Ç╬┐╤ü╬┐╨▒ ╨╕╨╖╨│╬┐╧ä╬┐╨▓╨╗╨╡╨╜╨╕╤Å ╨░╨▓╧ä╬┐╤ì╨╗ ╨╡╬║╧ä╧ü╬┐╨╜╨╜╬┐╨│╬┐ ╧Ç╧ü╨╕╨▒╬┐╧ü╨░, ╨▓╬║╨╗╤Ä╤ç╨░╤Ä- ╨┐╤ë╨╣ (╬Ö╤Ä╧ü╨╝╨╕╧ü╬┐╨▓╨░╨╜╨╕╨╡ ╧Ç╨╗╨╡╨╜╬┐╤ç╨╜╤ï╧ç ╧ ü╨╡╨╖╨╕╤ü╧ä╨╕╨▓╨╜╤ï╧ç ╤â╤ç╨░╤ü╧ä╬║╬┐╨▓ ╨╜╨░ ╨┤╨╕╤ì╨╗╨ ╡╬║╧ä╧ü╨╕- ╤ç╨╡╤ü╬║╬┐╨╣ ╧Ç╬┐╨▓╨╡╧ü╧ç╨╜╬┐╤ü╧ä╨╕ ╧Ç╬┐╨┤ ╨╗╬┐╨╢╬║╨╕; ╤ì╨╝╨╕╧ä╧ä╨╡╧ü╬┐╨▓, ╨╜╨░╧ç╬┐╨┤╤Å╤ë╨╕╧ç╤ü ╤Å ╨▓ ╬║╬┐╨╜╧ä╨░╬║╧ä╨╡ ╤ü ╧ü╨╡╨╖╨╕╤ü╧ä╨╕╨▓╨╜╤ï╨╝╨╕ ╤â╤ç ╨░╤ ╧ä╬║╨░╨╝╨╕; ╬║╨░╧ä╬┐╨┤╨╜╬┐╨│╬┐ ╤ì╨╗╨╡╬║╧ä╧ü╬┐╨┤╨░, ╨╜ ╨░╧ç╬┐╨┤╤Å╤ë╨╡╨│╬┐╤ü╤Å ╨▓ ╬║╬┐╨╜- ╧ä╨░╬║╧ä╨╡ ╤ü ╧ü╨╡╨╖╨ ╕╤ü╧ä╨╕╨▓╨╜╤ï╨╝╨╕ ╤â╤ç╨░╤ü╧ä╬║╨░╨╝╨╕ ╨╕ ╤â╧Ç╧ü╨░╨▓╨╗╤ Å╤Ä╤ë╨╡╨│╬┐ ╤ì╨╗╨╡╬║╧ä╧ü╬┐╨┤╨░.╬┐╧ä╨┤╨╡- ╨╗╨╡╨╜╨╜╬┐╨ │╬┐ ╬┐╧ä ╧Ç╬┐╨┤╨╗╬┐╨╢╬║╨╕ ╨┤╨╕╤ì╨╗╨╡╬║╧ä╧ü╨╕╤ç╨╡╤ü╬║╨ ╕╨╝ ╤ü╨╗╬┐╨╡╨╝, ╬┐ ╧ä ╨╗ ╨╕ ╤ç ╨░ ╤Ä ╤ë ╨╕ ╨╣- ╤ü ╤Å ╧ä╨╡╨╝, ╤ç╧ä ╬┐ ╨╜╨░ ╧Ç╬┐╨▓╨╡╧ü╧ç╨╜╬┐╤ü╧ä╨╕ ╧Ç╬┐╨┤╨╗╬┐╨╢╬║╨╕ ╧å ╬┐╧ü╨╝╨╕╧ü╤â╤Ä╧ä ╧ü╨╡╨╖╨╕╤ü╧ä╨╕╨▓╨╜╤ï╨╡ ╧Ç╨╗╨╡- ╨╜╬┐╤ ç╨╜╤ï╨╡ ╤â╤ç╨░╤ü╧ä╬║╨╕, ╨╜╨░╨╜╬┐╤ü╤Å╧ä ╨╜╨░ ╧Ç╬┐╨▓╨╡╧ü ╧ç╧Ç╬┐╤ü╧ä╤î ╧Ç╬┐╨┤╨╗╬┐╨╢╬║╨╕ ╨╕ ╧ü╨╡╨╖╨╕╤ü╧ä╨╕╨▓╨╜╤ï ╧ç ╧Ç╨╗╨╡╨╜╬┐╤ç╨╜╤ï╧ç ╤â╤ç╨░╤ü╧ä╬║╬┐╨▓ ╤ü╨╗╬┐╨╣ ╬║╨░╧ä ╬┐╨┤╨╜╬┐╨│╬┐ ╨╝╨░╧ä╨╡╧ü╨╕╨░╨╗╨░, ╧Ç╨░ ╧Ç╬┐╨▓╨╡╧ü╧ç╨╜╬ ┐╤ü╧ä╨╕ ╬║╨░- ╧ä╬┐╨┤╨╜╬┐╨│╬┐ ╤ü╨╗╬┐╤Å ╧å╬┐╧ü╨╝╨╕╧ü╤â╤Ä ╧ä ╨╝╨░╤ü╬║╤â ╤ü ╬┐╧ä╨▓╨╡╧ü╤ü╧ä╨╕╤Å╨╝╨╕.╤ü╬┐╨▓╨╝╨╡╤ë╨ ╡ ╜╨╜╤ï╨╝╨╕ ╤ü ╧ü╨╡- ╨╖╨╕╤ü╧ä╨╕╨▓╨╜╤ï╨╝╨╕ ╤â╤ç╨░╤ü╧ä╬║╨░ ╨╝╨╕, ╧ä╧ü╨░╨▓╤Å╧ä ╤ü╨╗╬┐╨╣ ╬║╨░╧ä╬┐╨┤╨╜╬┐╨│╬┐ ╨╝╨░╧ä╨ ╡╧ü╨╕╨░╨╗╨░ ╤ç╨╡╧ü╨╡╨╖ ╨╝╨░╤ü╬║╤â ╤ü ╧Ç╬┐╨┤╧ä╧ü╨░╨▓╨╗╨ ╕╨▓╨░╨╜╨╕╨╡╨╝ ╨╡╨│╬┐ ╧Ç╬┐╨┤ ╬║╧ü╨░╤Å ╬┐╧ä╨▓╨╡╧ü╤ü╧ä╨╕╨ ╣ ╨▓ ╨╝╨░╤ü╬║╨╡, ╨▓╨░╬║╤â- ╤â╨╝╨╜╤ï╨╝ ╨╝╨╡╧ä╬┐╨┤╬┐╨╝ ╨╜╨ ░╨╜╬┐╤ü╤Å╧ä ╤ü╨╗╬┐╨╣ ╨╝╨░╧ä╨╡╧ü╨╕╨░╨╗╨░ ╤ì╨╝╨╕╧ä╧ä╨╡╧ ü╨░ ╤ï╨░ ╧Ç╬┐╨▓╨╡╧ü ╧ç ╤ï╬┐╤ü╧ä╤î ╤ü╧ä╧ü╤â╬║╧ä╤â╧ü╤ï ╨┤╬┐ ╧Ç╬┐╨╗╨╜╬┐╨│╬┐ ╨╖╨░╧ä╤Å╨│╨╕╨▓╨░╨╜╨╕╤Å ╬┐╧ä╨▓╨╡╧ü ╤ü╧ä╨╕╨╣ ╨▓ ╨╝╨░╤ü╬║╨╡.╨▓ ╧ü╨╡╨╖╤â╨╗╤î╧ä╨░- ╧ä╨╡ ╤ç╨╡╨│ ╬┐ ╨▓ ╨╜╨╕╧ç ╧å╬┐╧ü╨╝╨╕╧ü╤â╤Ä╧ä╤ü╤Å ╤ì╨╝╨╕╧ä╧ä╨╡╧ü╤ï, ╧ ü╨░╤ü╧ä╨▓╬┐╧ü╨╡╨╜╨╕╨╡╨╝ ╤â╨┤╨░╨╗╤Å╤Ä╧ä ╨╝╨░╤ü╬║╤â ╨▓╨ ╝╨╡╤ü╧ä╨╡ ╤ü ╧Ç╬┐╬║╧ü╤ï╨▓╨░╤Ä╤ë╨╕╨╝ ╨╡╤æ ╧Ç╬┐╨▓╨╡╧ü╧ç╨ ╜╬┐╤ü╧ä╤î ╤ü╨╗╬┐╨╡╨╝ ╤ì╨╝╨╕╧ä╨╕╧ü╤â╤Ä╤ë╨╡╨│╬┐ ╨╝╨░╧ä╨ ╡╧ü╨╕- ╨░╨╗╨░, ╨╜╨░╨╜╬┐╤ü╤Å╧ä ╨╜╨░ ╧Ç╬┐╨▓╨╡╧ü╧ç╨╜╬┐╤ü╧ ä î ╤ü╧ä╧ü╤â╬║╧ä╤â╧ü╤ï ╧Ç╬┐╤ü╨╗╨╡╨┤╬┐╨▓╨░╧ä╨╡╨╗╤ï╤Ä ╨┤╨ ╕╤ì╨╗╨╡╬║- ╧ä╧ü╨╕╤ç╨╡╤ü╬║╨╕╨╣, ╧Ç╧ü╬┐╨▓╬┐╨┤╤Å╤ë╨╕╨╣ ╨ ╕ ╧Ç╨╗╨░╨╜╨░╧ü╨╕╨╖╨╕╧ü╤â╤Ä╤ë╨╕╨╣ ╤ü╨╗╬┐╨╕, ╬┐╨▒╧ü╨░╨▒ ╨░╧ä╤ï╨▓╨░╤Ä╧ä ╨╗╤Ä╧î╤ï- ╨╝╨╕ ╨╕╨╖╨▓╨╡╤ü╧ä╨╜╤ï╨╝╨╕ ╨╝╨ ╡╧ä╬┐╨┤╨░╨╝╨╕ ╨╕╨╗╨░╨╜╨░╧ü╨╕╨╖╨╕╧ü╤â╤Ä╨╕╤ë╨╣ ╤ü╨╗╬┐╨ ╣ ╤ ╤ ╤ ╨╡╨╗╤ ╨╡╨╗╤ ╤ ╨╝╨╡╨╕╤ ╨╝╨╡╨╕╤ ╬┐╨╗╤ ╬┐╨╗╤ ╬┐╨╗╤ ╬┐╨╗╤ ╬┐╨╗╤ ╜╤ï ╨┤╬┐ ╬┐╨▒╨╜╨░╨╢╨╡╨╜╨╕╤Å ╧Ç╧ü╬┐╨▓╬┐╨┤╤Å╤ë╨╡╨│╬┐ ╤ü╨ ╗╬┐╤Å, ╧ü╨░╤ü╧Ç╬┐╨╗╬┐╨╢╨╡╤ï╨╜╬┐╨│╬┐ ╨╜╨░╨┤ ╨▓╨╡╧ü╤ê╨╕ ╨╜╨░╨╝╨╕ ╤ì╨╝╨╕╧ä╧ä╨╡╧ü╬┐╨▓, ╬┐╨▒╧ü╨░╨╖╤â╤Å ╧ä╨░╬║╨╕╨ ╝ ╬┐╨▒╧ü╨░╨╖╬┐╨╝ ╨╕╨╖ ╧Ç╨╗╨░╨╜╨░╧ü╨╕╨╖╨╕╧ü╤â╤Ä╤ë╨╡╨│╬ ┐ ╤Ü╨╗╬┐╤Å ╤ü╨░╨╝╬┐╤ü╬┐╨▓╨╝╨╡╤ë╨╡╨╜╨╜╤â╤Ä ╨╝╨░╤ü╬║╤â. ╧ä╧ü╨░╨▓╤Å╧ä ╤ç╨╡╧ü╨╡╨╖ ╨╜╨╡╨╡ ╧Ç╧ü╬┐╨▓╬┐╨┤╤Å╤ë╨╕╨╕ ╨╕ ╨┤╨╕╤ì- ╨╗╨╡╬║╧ä╧ü╨╕╤ç╨╡╤ü╬║╨╕╨╣ ╤ü╨╗╬┐╨╕ ╨┤╬┐ ╬┐╨▒╨╜╨ ░╨╢╨╡╨╜╨╕╤Å ╨▓╨╡╧ü╤ê╨╕╨╜ ╤ì╨╝╨╕╧ä╧ä╨╡╧ü╬┐╨▓.╤â╨┤╨░ ╨╗╤Å╤Ä╧ä ╤ü╨░╨╝╬┐- ╤ü╬┐╨▓╨╝╨╡╤ë╨╡╬╣╤ê╤â╤Ä ╨╝╨░╤ü╬║╤â ╧ ü╨░╤ü╧ä╨▓╬┐╧ü╨╡╨╜╨╕╨╡╨╝.
2. ╨í╧Ç╬┐╤ü╬┐╨▒ ╧Ç╬┐ ╧Ç.1, ╬┐ ╧ä ╨╗ ╨╕ ╤ç ╨░ ╤Ä ╤ë ╨╕ ╨╣ ╤ü ╤Å ╧ä╨╡╨╝,╤ç╧ä╬┐ ╬┐╨▒╧ü╨░╧ä╨╜╤â╤Ä ╨╝╨░╤ü╬║╤â ╧å╬┐╧ü╨╝╨╕╧ü╤â╤Ä╧ä ╨╕╨╖ ╨╝╨╡╧ä╨░╨╗╨╗╨╕╤ç╨╡╤ü╬║╬┐╨│╬┐ ╨╕ ╧ü╨░╤ü╨╕╬┐╨╗╬┐╨╢╤ü╨╜╤ï╬┐╨│╬┐ ╤ï╨░ ╤ï╤ü╨╝ ╧å╬┐╧ä╬┐- ╧ü╨╡╨╖╨╕╤ü╧ä╨╕╨▓╨╜╬┐╨│╬┐ ╤ü╨╗╬┐╨╡╨▓.2. ╨í╧Ç╬┐╤ü╬┐╨▒ ╧Ç╬┐ ╧Ç.1, ╬┐ ╧ä ╨╗ ╨╕ ╤ç ╨░ ╤Ä ╤ë ╨╕ ╨╣ ╤ü ╤Å ╧ä╨ ╡╨╝, ╤ç╧ä╬┐ ╬┐╨▒╧ü╨░╧ä╨╜╤â╤Ä ╨╝╨░╤ü╬║╤â ╧å╬┐╧ü╨╝╨╕╧ü╤â ╤Ä╧ä ╨╕╨╖ ╨╝╨╡╧ä╨░╨╗╨╗╨╕╤ç╨╡╤ü╬║╬┐╨│╬┐ ╨╕ ╧ü╨░╤ü╨╕╬┐╨╗ ╬┐╨╢╤ü╨╜╤ï╬┐╨│╬┐ ╤ï╨░ ╤ï╤ü╨╝ ╧å╬┐╧ä╬┐- ╧ü╨╡╨╖╨╕╤ü╧ä╨╕╨ ▓╨╜╬┐╨│╬┐ ╤ü╨╗╬┐╨╡╨▓.
3. ╨í╧Ç╬┐╤ü╬┐╨▒ ╨╕╬┐ ╧Ç.1, ╬┐ ╧ä ╨╗ ╨╕ ╤ç ╨░ ╤Ä ╤ë ╨╕ ╨╣ ╤ü ╤Å ╧ä╨╡╨╝.╤ç╧ä╬┐ ╧Ç╬┐╤ü╨╗╨╡ ╧å╬┐╧ü╨╝╨╕╧ü╬┐╨▓╨░╨╜╨╕╤Å ╤ì╨╝╨╕╧ä╧ä╨╡╧ü╬┐╨▓ ╨╜╨░ ╧Ç╬┐╨▓╨╡╧ü╧ç╨╜╬┐╤ü╧ä╤î ╤ü╧ä╧ü╤â╬║╧ä╤â╧ü╤ï ╨╜╨░╬╣╤Ä╤ü╤Å╧ä ╤ü╨╗╬┐╧ï ╨╝╨░╧ä╨╡╧ü╨╕╨░╨╗╨░,╤ü╧ä╨░╨▒╨╕╨╗╨╕╨╖╨╕╧ü╤â╤Ä╤ë╨╡╨│╬┐ ╤ì╨╝╨╕╨╡╤ü╨╕╬┐╨╜╨╜╤ï╨╡ ╤ü╨▓╬┐╨╣╤ü╧ä╨▓╨░ ╤ì╨╝╨╕╧ä╧ä╤ü╧ü╬┐╨▓ ╨╕ ╬┐╨▒╨╗╨░╨┤╨░╤Ä╤ë╨╡╨│╬┐ ╨▓╤ï╤ü╬┐╬║╬┐╨╣ ╧ü╨╡╨╖╨╕╤ü╧ä╨╕╨▓╨╜╬┐╤ü╧ä╤ï╬┐.3. ╨í╧Ç╬┐╤ü╬┐╨▒ ╨╕╬┐ ╧Ç.1, ╬┐ ╧ä ╨╗ ╨╕ ╤ç ╨░ ╤Ä ╤ë ╨╕ ╨╣ ╤ü ╤Å ╧ä╨ ╡╨╝.╤ç╧ä╬┐ ╧Ç╬┐╤ü╨╗╨╡ ╧å╬┐╧ü╨╝╨╕╧ü╬┐╨▓╨░╨╜╨╕╤Å ╤ì╨╝╨╕ ╧ä╧ä╨╡╧ü╬┐╨▓ ╨╜╨░ ╧Ç╬┐╨▓╨╡╧ü╧ç╨╜╬┐╤ü╧ä╤î ╤ü╧ä╧ü╤â╬║╧ä ╤â╧ü╤ï ╨╜╨░╬╣╤Ä╤ü╤Å╧ä ╤ü╨╗╬┐╧ï ╨╝╨░╧ä╨╡╧ü╨╕╨░╨╗╨░, ╤ü╧ ä╨░╨▒╨╕╨╗╨╕╨╖╨╕╧ü╤â╤Ä╤ë╨╡╨│╬┐ ╤ì╨╝╨╕╨╡╤ü╨╕╬┐╨╜╨╜╤ï╨ ╡ ╤ü╨▓╬┐╨╣╤ü╧ä╨▓╨░ ╤ì╨╝╨╕╧ä╧ä╤ü╧ü╬┐╨▓ ╨╕ ╬┐╨▒╨╗╨░╨┤╨░╤ ╤╤╤╨╡╨│╬┐ ╨▓╤ï╤ü╬┐╬║╬┐╨╣ ╧ü╨╡╨╖╨╕╤ü╧ä╨╕╨▓╨╜╬┐╤ü╧ä╤ï╬ ┐.
4. Сиοοοб πο π.Ι, ο τ л и ч а ю щ и й с я τсм,чτο на πο- веρχнοсτь эмиττеροв ыанοсяτ ваκуумным меτοдοм слοй κаροида κρемния.4. Сиοοοб πο π.Ι, ο τ л и ч а ю щ и й с я τ см, чτο на πο- веρ χ нοсτь эмиττе ροв ыанοсяτ ваκуумным меτοдο м слοй κаροида κρемния.
5. ╨í╧Ç╬┐╤ü╬┐╨▒ ╨╕╬┐ ╬╣╬╣.╬Ö,╬┐ ╧ä ╨╗ ╨╕ ╤ç ╨░ ╤Ä ╤ë ╨╕ ╨╣ ╤ü ╤Å ╧ä╨╡╨╝,╤ç╧ä╬┐ ╧Ç╬┐╤ü╨╗╨╡ ╨╜╨░- ╨╜╨╡╤ü╨╡╨╜╨╕╤Å ╤ü╨╗╬┐╤Å ╬║╨░╧ä╬┐╨┤╨╜╬┐╨│╬┐ ╨╝╨░╧ä╨╡╧ü╨╕╨░╨╗╨░ ╨╜╨░ ╨╡╨│╬┐ ╧Ç╬┐╨▓╨╡╧ü╧ç╨╜╬┐╤ü╧ä╤î ╨╕ ╬╖╬┐╨▓╨╡╧ü╧ç- ╨╜╬┐╤ü╧ä╤î ╧Ç╬┐╨┤╨╗╬┐╨╢╬║╨╕ ╨╕╨░╨╜╬┐╤ü╤Å╧ä ╧Ç╬┐╤ü╨╗╤ü╨┤╬┐╨▓╨░╧ä╨╡╨╗╤î╨╜╬┐ ╨┤╨╕╤ì╨╗╨╡╬║╧ä╧ü╨╕╤ç╤ü╤ü╬║╨╕╨╣,╨┐╧ü╬┐╨▓╬┐╨┤╤Å- ╬í╨í╬ñ/╬ñ╨¿98/000265. ╨í╧Ç╬┐╤ü╬┐╨▒ ╨╕╬┐ ╬╣╬╣.╬Ö, ╬┐ ╧ä ╨╗ ╨╕ ╤ç ╨░ ╤Ä ╤ë ╨╕ ╨╣ ╤ü ╤Å ╧ä╨╡╨╝, ╤ç╧ä╬┐ ╧Ç╬┐╤ü╨╗╨╡ ╨╜╨░- ╨╜╨╡╤ü╨╡╨╜╨╕╤Å ╤ü╨╗╬┐╤Å ╬║╨░╧ä╬┐╨┤╨╜╬┐╨│╬┐ ╨╝╨░╧ä╨╡╧ü╨╕╨░╨╗╨░ ╨╜╨░ ╨╡╨│╬┐ ╧Ç╬┐ ╨▓╨╡╧ü╧ç╨╜╬┐╤ü╧ä╤î ╨╕ ╬╖╬┐╨▓╨╡╧ü╧ç- ╨╜╬┐╤ü╧ä╤î ╧Ç╬┐╨┤╨ ╗╬┐╨╢╬║╨╕ ╨╕╨░╨╜╬┐╤ü╤Å╧ä ╧Ç╬┐╤ü╨╗╤ü╨┤╬┐╨▓╨░╧ä╨╡╨╗╤î╨ ╜╬┐ ╨┤╨╕╤ì╨╗╨╡╬║╧ä╧ü╨╕╤ç╤ü╤ü╬║╨╕╨╣, ╨┐╧ü╬┐╨▓╬┐╨┤╤Å- ╬í╨í╬ñ / ╬ñ╨¿98 / 00026
- 15 - ╬╣╬╣╤ë╨╣ ╨╕ ╨╝╨░╤ü╬║╨╕╧ü╤â╤Ä╤ë╨╕╨╣ ╤ü╨╗╬┐╨╕,╧å╬┐╧ü╨╝╨╕╧ü╤â╤Ä╧ä ╬┐╧ä╨▓╨╡╧ü╤ü╧ä╨╕╤Å ╨▓ ╨╝╨░╤ü╬║╨╕╧ü╤â╤Ä╤ë╨╡╨╝ ╤ü╨╗╬┐╨╡, ╧ä╧ü╨░╨▓╤Å╧ä ╤ç╨╡╧ü╨╡╨╖ ╬┐╧ä╨▓╨╡╧ü╤ü╧ä╨╕╤Å ╧Ç╧ü╬┐╨▓╬┐╨┤╤Å╤ë╨╕╨╣ ╨╕ ╨┤╨╕╤ì╨╗╨╡╬║╧ä╧ü╨╕╤ç╨╡╤ü╬║╨╕╨╡ ╤ü╨╗╬┐╨╕ ╨┤╬┐ ╬┐╨▒╨╜╨░╨╢╨╡╨╜╨╕╤Å ╧Ç╬┐╨▓╨╡╧ü╧ç╨╜╬┐╤ü╧ä╨╕ ╬║╨░╧ä╬┐╨┤╨╜╬┐╨│╬┐ ╤ü╨╗╬┐╤Å,╧ä╧ü╨░╨▓╤Å╧ä ╬║╨░╧ä╬┐╨┤╨╜╤ï╨╣ ╤ü╨╗╬┐╨╣ ╤ü ╧Ç╬┐╨┤╧ä╧ü╨░╨▓╨╗╨╕╨▓╨░╨╜╨╕╨╡╨╝ ╧Ç╬┐╨┤ ╬║╧ü╨░╤Å ╬┐╧ä╨▓╨╡╧ü╤ü╧ä╨╕╨╣ ╨▓ ╨┤╨╕╤ì╨╗╨╡╬║╧ä╧ü╨╕╤ç╨╡╤ü╬║╬┐╨╝ ╤ü╨╗╬┐╨╡,╨▓╨░- ╬║╤â╤â╨╝╨╜╤ï╨╝ ╨╝╨╡╧ä╬┐╨┤╬┐╨╝ ╨╜╨░╨╜╬┐╤ü╤Å╧ä ╤ü╨╗╬┐╨╣ ╨╝╨░╧ä╨╡╧ü╨╕╨░╨╗╨░ ╤ì╨╝╨╕╧ä╧ä╨╡╧ü╨░ ╨┤╬┐ ╧Ç╬┐╨╗╧Ç╬┐╨│╬┐ ╨╖╨░- ╧ä╤Å╨│╨╕╨▓╨░╨╜╨╕╤Å ╬┐╧ä╨▓╨╡╧ü╤ü╧ä╨╕╨╣ ╨▓ ╨╝╨░╤ü╬║╨╕╧ü╤â╤Ä╤ë╨╡╨╝ ╤ü╨╗╬┐╨╡,╨▓ ╧ü╨╡╨╖╤â╨╗╤î╧ä╨░╧ä╨╡ ╤ç╨╡╨│╬┐ ╨▓ ╧Ç╬┐- ╨╗╬┐╤ü╧ä╤Å╧ç,╬┐╨▒╧ü╨░╨╖╬┐╨▓╨░╨╜╨╜╤ï╧ç ╧Ç╧ü╬┐╨▓╬┐╨┤╤Å╨╕╤ë╨╝ ╨╕ ╨┤╨╕╤ì╨╗╨╡╬║╧ä╧ü╨╕╤ç╨╡╤ü╬║╨╕╨╝ ╤ü╨╗╬┐╤Å╨╝╨╕ ╬╣╧è╤Ä╧ü╨╝╨╕- ╧ü╤â╤Ä╧ä╤ü╤Å ╤ì╨╝╨╕╧ä╧ä╨╡╧ü╤ï,╤â╨┤╨░╨╗╤Å╤Ä╧ä ╨╝╨░╤ü╬║╨╕╧ü╤â╤Ä╤ë╨╡╨╡ ╧Ç╬┐╬║╧ü╤ï╧ä╨╕╨╡ ╨▓╨╝╨╡╤ü╧ä╨╡ ╤ü ╧Ç╬┐╬║╧ü╤ï╨▓╨░- ╤Ä╤ë╨╕╨╝ ╨╡╨│╬┐ ╧Ç╬┐╨▓╨╡╧ü╧ç╨╜╬┐╤ü╧ä╤î ╤ü╨╗╬┐╨╡╨╝ ╨╝╨░╧ä╨╡╧ü╨╕╨░╨╗╨░ ╤ì╨╝╨╕╧ä╧ä╨╡╧ü╨░ ╧ü╨░╤ü╧ä╨▓╬┐╧ü╨╡╨╜╨╕╨╡╨╝.- 15 - ╬╣╬╣╤ë╨╣ ╨╕ ╨╝╨░╤ü╬║╨╕╧ü╤â╤Ä╤ë╨╕╨╣ ╤ü╨╗╬┐╨╕, ╧å╬┐╧ü ╨╝╨╕╧ü╤â╤Ä╧ä ╬┐╧ä╨▓╨╡╧ü╤ü╧ä╨╕╤Å ╨▓ ╨╝╨░╤ü╬║╨╕╧ü╤â╤Ä╤ë ╨╡╨╝ ╤ü╨╗╬┐╨╡, ╧ä╧ü╨░╨▓╤Å╧ä ╤ç╨╡╧ü╨╡╨╖ ╬┐╧ä╨▓╨╡╧ü╤ü╧ä╨ ╕╤Å ╧Ç╧ü╬┐╨▓╬┐╨┤╤Å╤ë╨╕╨╣ ╨╕ ╨┤╨╕╤ì╨╗╨╡╬║╧ä╧ü╨╕╤ç╨╡╤ü╬ ║╨╕╨╡ ╤ü╨╗╬┐╨╕ ╨┤╬┐ ╬┐╨▒╨╜╨░╨╢╨╡╨╜╨╕╤Å ╧Ç╬┐╨▓╨╡╧ü╧ç╨╜╬ ┐╤ü╧ä╨╕ ╬║╨░╧ä╬┐╨┤╨╜╬┐╨│╬┐ ╤ü╨╗╬┐╤Å, ╧ä╧ü╨░╨▓╤Å╧ä ╬║╨░ ╧ä╬┐╨┤╨╜╤ï╨╣ ╤ü╨╗╬┐╨╣ ╤ü ╧Ç╬┐╨┤╧ä╧ü╨░╨▓╨╗╨╕╨▓╨░╨╜╨╕╨╡ ╨╝ ╧Ç╬┐╨┤ ╬║╧ü╨░╤Å ╬┐╧ä╨▓╨╡╧ü╤ü╧ä╨╕╨╣ ╨▓ ╨┤╨╕╤ì╨╗╨╡╬║╧ä ╧ü╨╕╤ç╨╡╤ü╬║╬┐╨╝ ╤ü╨╗╬┐╨╡, ╨▓╨░- ╬║╤â╤â╨╝╨╜╤ï╨╝ ╨╝╨╡╧ä ╬┐╨┤╬┐╨╝ ╨╜╨░╨╜╬┐╤ü╤Å╧ä ╤ü╨╗╬┐╨╣ ╨╝╨░╧ä╨╡╧ü╨╕╨░╨╗╨░ ╤ì ╨╝╨╕╧ä╧ä╨╡╧ü╨░ ╨┤╬┐ ╧Ç╬┐╨╗╧Ç╬┐╨│╬┐ ╨╖╨░- ╧ä╤Å╨│╨╕╨▓╨░╨ ╜╨╕╤Å ╬┐╧ä╨▓╨╡╧ü╤ü╧ä╨╕╨╣ ╨▓ ╨╝╨░╤ü╬║╨╕╧ü╤â╤Ä╤ë╨╡╨╝ ╤ü╨ ╗╬┐╨╡, ╨▓ ╧ü╨╡╨╖╤â╨╗╤î╧ä╨░╧ä╨╡ ╤ç╨╡╨│╬┐ ╨▓ ╧Ç╬┐- ╨╗╬┐╤ü╧ ä╤Å╧ç, ╬┐╨▒╧ü╨░╨╖╬┐╨▓╨░╨╜╨╜╤ï╧ç ╧Ç╧ü╬┐╨▓╬┐╨┤╤Å╨╕╤ë ╝ ╨╕ ╨┤╨╕╤ì╨╗╨╡╬║╧ä╧ü╨╕╤ç╨╡╤ü╬║╨╕╨╝ ╤ü╨╗╬┐╤Å╨╝╨╕ ╬╣╧è╤ Ä╧ü╨╝╨╕- ╧ü╤â╤Ä╧ä╤ü╤Å ╤ì╨╝╨╕╧ä╧ä╨╡╧ü╤ï, ╤â╨┤╨░╨╗╤Å╤Ä╧ ä ╨╝╨░╤ü╬║╨╕╧ü╤â╤Ä╤ë╨╡╨╡ ╧Ç╬┐╬║╧ü╤ï╧ä╨╕╨╡ ╨▓╨╝╨╡╤ü╧ä╨ ╡ ╤ü ╧Ç╬┐╬║╧ü╤ï╨▓╨░- ╤Ä╤ë╨╕╨╝ ╨╡╨│╬┐ ╧Ç╬┐╨▓╨╡╧ü╧ç╨╜╬┐╤ü ╧ä╤î ╤ü╨╗╬┐╨╡╨╝ ╨╝╨░╧ä╨╡╧ü╨╕╨░╨╗╨░ ╤ì╨╝╨╕╧ä╧ä╨╡╧ü╨░ ╧ü ╨░╤ü╧ä╨▓╬┐╧ü╨╡╨╜╨╕╨╡╨╝.
6. Сποсοб πο π.З, ο τ ли ч а щи й с я τем,чτο масκиρу- юищй слοй выποлняюτ из φοτορезисτа.6. Сποсοб πο π.З, ο τ ли ч а щи й с я τе м, чτο масκиρу- юищй слοй выποл няюτ из φοτορезисτа.
7. ╨í╧Ç╬┐╤ü╬┐╨▒ ╧Ç╬┐ ╧Ç.╧Ç.╬Ö ╨╕ ╨ù, ╬┐ ╧ä ╨╗ ╨╕ ╤ç ╨░╤Ä╤ë╨╕ ╨╣ ╤ü ╤Å ╧ä╨╡╨╝,╤ç╧ä╬┐ ╧Ç╧ü╬┐╨▓╬┐╨┤╤Å╤ë╨╕╨╣ ╤ü╨╗╬┐╨╣,╤Å╨▓╨╗╤Å╤Ä╨╕╤ë╨╣╤ü╤Å ╤â╧Ç╧ü╨░╨▓╨╗╤Å╤Ä╤ë╨╕╨╝ ╤ì╨╗╨╡╬║╧ä╧ü╬┐╨┤╬┐╨╝ ╨▓ ╤ü╤ü╧ü╬┐╧ü╨╝╨╕╧ü╬┐- ╨▓╨░╨╜╨╜╬┐╨╝ ╧Ç╧ü╨╕╨▒╬┐╧ü╨╡, ╬┐╬║╨╕╤ü╨╗╤Å╤Ä╧ä ╤ì╨╗╨╡╬║╧ä╧ü╬┐╧ç╨╕╨╝╨╕╤ç╨╡╤ü╬║╨╕╨╝ ╨╝╨╡╧ä╬┐╨┤╬┐╨╝ ╨▓ ╬┐╨▒╨╗╨░╤ü╧ä╨╕ ╤ì╨╝╨╕╧ä╧ä╨╡╧ü╬┐╨▓ ╤ü╬┐╧ç╧ü╨░╨╜╤Å╤Å ╤ç╨░╤ü╧ä╤î ╨╡╨│╬┐ ╧Ç╧ü╬┐╨▓╬┐╨┤╤Å╤ë╨╡╨╣ ╧ä╬┐╨╗╧à╤ë╨╜╤ï.7. ╨í╧Ç╬┐╤ü╬┐╨▒ ╧Ç╬┐ ╧Ç.╧Ç.╬Ö ╨╕ ╨ù, ╬┐ ╧ä ╨╗ ╨╕ ╤ç ╨░╤Ä╤ë╨╕ ╨ ╣ ╤ü ╤Å ╧ä╨╡╨╝, ╤ç╧ä╬┐ ╧Ç╧ü╬┐╨▓╬┐╨┤╤Å╤ë╨╕╨╣ ╤ü╨╗╬┐╨╣, ╤Å╨ ▓╨╗╤▓╨╗╤╤╤╨╕╤╨╣╤╤╤╤╤╤╤╤╧Ç╧╧Ç╧╨╕╨╝╨╕╨╝╨╕╨╝╨╕╨╝╤╤╤╤╤╤╤╤╤╤╤╤╤╤ ü╬┐╨┤╬┐╨╝ ╨▓ ╤ü╤ü╧ü╬┐╧ü╨╝╨╕╧ü╬┐- ╨▓╨░╨╜╨╜╬┐╨╝ ╧Ç╧ü╨╕╨▒ ╬┐╧ü╨╡, ╬┐╬║╨╕╤ü╨╗╤Å╤Ä╧ä ╤ì╨╗╨╡╬║╧ä╧ü╬┐╧ç╨╕╨╝╨╕╤ç╨╡╤ ü╬║╨╕╨╝ ╨╝╨╡╧ä╬┐╨┤╬┐╨╝ ╨▓ ╬┐╨▒╨╗╨░╤ü╧ä╨╕ ╤ì╨╝╨╕╧ä╧ä╨╡╧ ü╬┐╨▓ ╤ü╬┐╧ç╧ü╨░╨╜╤Å╤Å ╤ç╨░╤ü╧ä╤î ╨╡╨│╬┐ ╧Ç╧ü╬┐╨▓╬┐╨┤╤ Å╤ë ╡╨╣ ╧ä╬┐╨╗╧à╤ë╨╜╤ï.
8. ╨í╧Ç╬┐╤ü╬┐╨▒ ╧Ç╬┐ ╧Ç.╧Ç. ╤ü 1 ╧Ç╬┐ 7 , ╬┐ ╧ä ╨╗╨╕ ╤ç ╨░ ╤Ä╤ë╨╕ ╨╣ ╤ü ╤Å ╧ä╨╡╨╝, ╤ç╧ä╬┐ ╤ü╧ä╧ü╤â╬║╧ä╤â╧ü╤â ╨▓╤ï╧Ç╬┐╨╗╨╜╤Å╤Ä╧ä ╨▓ ╨▓╨╕╨┤╨╡ ╨╝╨░╧ä╧ü╨╕╤å╤ï.╤ü╬┐╨┤╨╡╧ü╨╢╨░╤ë╨╡╨╣ ╧Ç╬┐╨╗╬┐╤ü╬║╬┐╨▓╤ï╨╡ ╤â╧Ç╧ü╨░╨▓╨╗╤Å╤Ä╨╜╤ë╨╡ ╨╕ ╬║╨░╧ä╬┐╨┤╨╜╤ï╨╡ ╤ì╨╗╨╡╬║╧ä╧ü╬┐╨┤╤ï.╧ü╨░╨╖╨┤╨╡╨╗╨╡╨╜╨╜╤ï╨╡ ╨╝╨╡╨░╨┤╤â ╤ü╬┐╨▒╬┐╨╣ ╤ü╨╗╬┐- ╨╡╨╝ ╨┤╨╕╤ì╨╗╨╡╬║╧ä╧ü╨╕╬║╨░,╨╕ ╤ì╨╝╨╕╧ä╧ä╨╡╧ü╤ï ╧ü╨░╤ü╧Ç╬┐╨╗╬┐╨╢╨╡╨╜╨╜╤ï╨╡ ╨▓ ╨╝╨╡╤ü╧ä╨░╧ç ╨╕╧ç ╧Ç╨╡╧ü╨╡╬║╧ü╨╡- ╤ü╧ä╨╕╨╣. 8. ╨í╧Ç╬┐╤ü╬┐╨▒ ╧Ç╬┐ ╧Ç.╧Ç. ╤ü 1 ╧Ç╬┐ 7, ╬┐ ╧ä ╨╗╨╕ ╤ç ╨░ ╤Ä╤╤╨╕ ╨╣ ╤ü ╤Å ╧ä╨╡╨╝, ╤ç╧ä╨╡╨╝ ╤ü╧ä ╧ü╤â╬║╧ä╤â╧ü╤â ╨▓╤ï╧Ç╬┐╨╗╨╜╤Å╤Ä╧ä ╨▓ ╨▓╨╕╨┤╨╡ ╨╝╨░╧ä╧ü ╨╕╤å╤ï.╤ü╬┐╨┤╨╡╧ü╨╢╨░╤ë╨╡╨╣ ╧Ç╬┐╨╗╬┐╤ü╬║╬┐╨▓╤ï╨╡ ╤â╧ Ç╧ü╨░╨▓╨╗╤Å╤Ä╨╜╤ë╨╡ ╨╕ ╬║╨░╧ä╬┐╨┤╨╜╤ï╨╡ ╤ì╨╗╨╡╬║╧ä╧ü╬ ┐╨┤╤ï.╧ü╨░╨╖╨┤╨╡╨╗╨╡╨╜╨╜╤ï╨╡ ╨╝╨╡╨░╨┤╤â ╤ü╬┐╨▒╬┐╨╣ ╤ü ╨╗╬┐- ╨╡╨╝ ╨┤╨╕╤ì╨╗╨╡╬║╧ä╧ü╨╕╬║╨░, ╨╕ ╤ì╨╝╨╕╧ä╧ä╨╡╧ü╤ï ╧ü╨░╤ü╧Ç╬┐╨╗╬┐╨╢╨╡╨╜╨╜╤ï╨╡ ╨▓ ╨╝╨╡╤ü╧ä╨░╧ç ╨╕╧ç ╧Ç╨╡╧ ╨╡╬║╧ü╨╡- ╤ü╧ä╨╕╨╣.
PCT/RU1998/000026 1997-02-04 1998-02-03 Making an apparatus with planar-type resistors WO1998034265A1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU97101716 1997-02-04
RU97101716/25A RU97101716A (en) 1997-02-04 METHOD FOR MANUFACTURING AUTOELECTRONIC INSTRUMENT WITH PLANAR RESISTORS

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO1998034265A1 true WO1998034265A1 (en) 1998-08-06

Family

ID=20189645

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/RU1998/000026 WO1998034265A1 (en) 1997-02-04 1998-02-03 Making an apparatus with planar-type resistors

Country Status (1)

Country Link
WO (1) WO1998034265A1 (en)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0503638A2 (en) * 1991-03-13 1992-09-16 Sony Corporation Array of field emission cathodes
US5451830A (en) * 1994-01-24 1995-09-19 Industrial Technology Research Institute Single tip redundancy method with resistive base and resultant flat panel display
US5557160A (en) * 1993-12-28 1996-09-17 Nec Corporation Field emission cathode including cylindrically shaped resistive connector and method of manufacturing
US5578896A (en) * 1995-04-10 1996-11-26 Industrial Technology Research Institute Cold cathode field emission display and method for forming it
US5594298A (en) * 1993-09-27 1997-01-14 Futaba Denshi Kogyo K.K. Field emission cathode device
RU2074444C1 (en) * 1994-07-26 1997-02-27 Евгений Инвиевич Гиваргизов Self-emitting cathode and device which uses it

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0503638A2 (en) * 1991-03-13 1992-09-16 Sony Corporation Array of field emission cathodes
US5594298A (en) * 1993-09-27 1997-01-14 Futaba Denshi Kogyo K.K. Field emission cathode device
US5557160A (en) * 1993-12-28 1996-09-17 Nec Corporation Field emission cathode including cylindrically shaped resistive connector and method of manufacturing
US5451830A (en) * 1994-01-24 1995-09-19 Industrial Technology Research Institute Single tip redundancy method with resistive base and resultant flat panel display
RU2074444C1 (en) * 1994-07-26 1997-02-27 Евгений Инвиевич Гиваргизов Self-emitting cathode and device which uses it
US5578896A (en) * 1995-04-10 1996-11-26 Industrial Technology Research Institute Cold cathode field emission display and method for forming it

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100454321B1 (en) Method for manufacturing amorphous multi-layer structure, field emission device and method for manufacturing field emission device
RU2121192C1 (en) Cold emission electronic device with multiple cold emission electronic devices and method for manufacturing of cold emission device
US4119688A (en) Electro-lithography method
KR100463370B1 (en) A field emission device
KR960008919A (en) Field emission device, manufacturing method thereof and panel display device
WO1989011157A1 (en) Automatically focusing field emission electrode
EP0395017B1 (en) Plasma etching method
EP0645073B1 (en) Low resistance, thermally stable electrode structure for electroluminescent displays
US6818114B2 (en) Methods using electrophoretically deposited patternable material
KR920019215A (en) Electron Emission Structure and Manufacturing Method
JP3547084B2 (en) Method for selective removal of materials using spontaneous galvanic action in an electrolytic bath
EP0819316A1 (en) Quadrupole mass spectrometers
KR20000075519A (en) Fabrication and structure of electron emitters coated with material such as carbon
JP2902612B2 (en) Sample for transmission electron microscope analysis and method for producing the same
EP0633594B1 (en) Field-emission element having a cathode with a small radius and method for fabricating the element
US6383828B2 (en) Method of fabricating row lines of a field emission array and forming pixel openings therethrough
JP3961045B2 (en) Novel field emission device for flat panel display
US5669800A (en) Process of forming holes in a photosensitive resin layer to produce cathodes with microtips
WO1998034265A1 (en) Making an apparatus with planar-type resistors
US5791961A (en) Uniform field emission device
US6600264B2 (en) Field emission arrays for fabricating emitter tips and corresponding resistors thereof with a single mask
JPH0831347A (en) Microchip radiation cathode electron source
US6127738A (en) Detecting registration marks with low energy electron beam
JP2003509824A (en) Surface treatment methods used in growing carbon films
US20080003415A1 (en) Surface Pairs

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): CA CN JP KR SG US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE CH DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE

DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP

Ref document number: 1998532771

Format of ref document f/p: F

122 Ep: pct application non-entry in european phase