WO2000063756A1 - Dispositif d'alimentation en fluide du type derivation parallele, et procede et dispositif de commande du debit d'un systeme de pression du type a fluide variable utilise dans ledit dispositif - Google Patents

Dispositif d'alimentation en fluide du type derivation parallele, et procede et dispositif de commande du debit d'un systeme de pression du type a fluide variable utilise dans ledit dispositif Download PDF

Info

Publication number
WO2000063756A1
WO2000063756A1 PCT/JP2000/002160 JP0002160W WO0063756A1 WO 2000063756 A1 WO2000063756 A1 WO 2000063756A1 JP 0002160 W JP0002160 W JP 0002160W WO 0063756 A1 WO0063756 A1 WO 0063756A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
flow
flow rate
gas
pressure
type
Prior art date
Application number
PCT/JP2000/002160
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Tadahiro Ohmi
Satoshi Kagatsume
Kazuhiko Sugiyama
Yukio Minami
Kouji Nishino
Ryousuke Dohi
Katsunori Yonehana
Nobukazu Ikeda
Michio Yamaji
Jun Hirose
Kazuo Fukazawa
Hiroshi Koizumi
Hideki Nagaoka
Akihiro Morimoto
Tomio Uno
Eiji Ideta
Atsushi Matsumoto
Toyomi Uenoyama
Takashi Hirose
Original Assignee
Fujikin Incorporated
Tokyo Electron Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP10868999A external-priority patent/JP3626874B2/ja
Priority claimed from JP12910999A external-priority patent/JP3387849B2/ja
Application filed by Fujikin Incorporated, Tokyo Electron Ltd. filed Critical Fujikin Incorporated
Priority to EP00913087A priority Critical patent/EP1096351A4/en
Publication of WO2000063756A1 publication Critical patent/WO2000063756A1/ja
Priority to US09/734,640 priority patent/US6422264B2/en
Priority to US10/162,552 priority patent/US6820632B2/en
Priority to US10/775,104 priority patent/US6848470B2/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05DSYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D7/00Control of flow
    • G05D7/06Control of flow characterised by the use of electric means
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05DSYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D7/00Control of flow
    • G05D7/06Control of flow characterised by the use of electric means
    • G05D7/0617Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials
    • G05D7/0629Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means
    • G05D7/0635Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by action on throttling means
    • G05D7/0641Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by action on throttling means using a plurality of throttling means
    • G05D7/0658Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by action on throttling means using a plurality of throttling means the plurality of throttling means being arranged for the control of a single flow from a plurality of converging flows
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05DSYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D7/00Control of flow
    • G05D7/06Control of flow characterised by the use of electric means
    • G05D7/0617Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials
    • G05D7/0629Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means
    • G05D7/0635Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by action on throttling means
    • G05D7/0641Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by action on throttling means using a plurality of throttling means
    • G05D7/0664Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by action on throttling means using a plurality of throttling means the plurality of throttling means being arranged for the control of a plurality of diverging flows from a single flow
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/935Gas flow control
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00Fluid handling
    • Y10T137/0318Processes
    • Y10T137/0396Involving pressure control
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00Fluid handling
    • Y10T137/7722Line condition change responsive valves
    • Y10T137/7758Pilot or servo controlled
    • Y10T137/7759Responsive to change in rate of fluid flow
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00Fluid handling
    • Y10T137/7722Line condition change responsive valves
    • Y10T137/7758Pilot or servo controlled
    • Y10T137/7761Electrically actuated valve
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00Fluid handling
    • Y10T137/8593Systems
    • Y10T137/86389Programmer or timer
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00Fluid handling
    • Y10T137/8593Systems
    • Y10T137/877With flow control means for branched passages
    • Y10T137/87877Single inlet with multiple distinctly valved outlets
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00Fluid handling
    • Y10T137/8593Systems
    • Y10T137/87917Flow path with serial valves and/or closures

Definitions

  • the present invention relates to an apparatus for supplying gas or the like used in the manufacture of semiconductors, chemicals, chemicals, precision mechanical members, and the like. More specifically, an arbitrary flow path among a plurality of flow paths arranged in parallel is provided.
  • the present invention relates to a parallel split type fluid supply device which is capable of minimizing flow rate fluctuations in other flow paths due to this effect when fluid is supplied after being switched from closed to open.
  • the present invention relates to a method for controlling the flow rate of various gases used in a supply device for gases and the like used in the manufacture of semiconductors, chemicals, chemicals, precision mechanical parts, and the like.
  • the present invention relates to a fluid variable pressure type flow control method and a fluid variable pressure type flow rate control device which enable highly accurate flow rate control of various gases by the same pressure type flow rate control device.
  • Figure 1 4 shows a conventional example of a single flow path type fluid supply apparatus
  • the material gas G such as H 2 and 0 2 is the pressure adjusted to the secondary pressure from the primary pressure by Regiyureta RG, the flow path Supplied.
  • the primary pressure is usually high pressure and pressure gauge P.
  • the secondary pressure is a low pressure that can be supplied, and is detected by the pressure gauge.
  • Valve V between V 2 is disposed a mass flow controller MFC for flow rate control, a mass flow meter MFM is al provided a flow meter for measuring the flow rate.
  • the material gas G is used for the processing reaction in the reaction chamber C, and then exhausted by the vacuum pump VP via the valve VV.
  • valve V! V 2 is open, the material gas is supplied steadily, and a predetermined reaction is in progress in the reaction chamber C.
  • the valve V 3, V 4 in the flow path S 2 is closed, the closed state.
  • the valves V 3 and V 4 are opened and the mass flow controller MF C 2 set to the predetermined flow rate is immediately operated to start supplying gas to the flow path S 2 , the flow path in a stable state is obtained. 5 what kind of impact has examined whether appear to 1.
  • FIG. 16 is a time chart of various signals at this time. At the moment when the valves V 3 and V 4 are closed to open, the MFC 2 signal and the MFM 2 signal in the flow path S 2 cause a high peak-like overshoot, and thereafter converge to a constant value.
  • This fluctuation affects the reaction rate in the reaction chamber C, and the steady-state reaction in the reaction chamber C in the flow path 5: is disturbed by the disturbance of the flow path S 2 force.
  • lattice defects may occur in the semiconductor, and in the case of etching plasma, the process may be affected.
  • the concentration of the produced substance is disturbed due to the excess or deficiency of the raw material gas G, and there is a case in which it is impossible to predict how the disturbance will evolve through a chaos phenomenon.
  • the regulators RG and RG 2 are arranged in both the flow path and S 2 as shown in FIG. That way this, even if the flow path 5 2 side is circulated suddenly, not transmitted pressure fluctuations on the upstream side by the presence of Regiyureta RG 2, affect the steady supply of the fluid in the channel Absent. Conversely, the opening and closing of the flow path 5 Interview is also to have no effect on the flow path S 2 side.
  • the regulator RG is a device that converts pressure into low-pressure fluid that can supply high-pressure fluid, and the device itself is considerably expensive.
  • FIG. 18 shows an example of a conventional high-purity water generator for a semiconductor manufacturing apparatus.
  • the three types of H 2 gas, O 2 gas and N 2 gas are introduced into the reactor RR through valves V 1a to V 3a while controlling the flow rate by mass flow controllers MFC1a to MFC3a.
  • purge valve V 3 a to open, the V ia 'V2 a reaction furnace RR in the closed with N 2 gas.
  • the mass flow controller generally performs the linearizer correction for each gas type and each flow range, it has a drawback that it cannot be used for gases other than the adjusted gas type.
  • the mass flow controller has a problem that the equipment cost and running cost of gas supply equipment are high because the product price is high and replacement parts are expensive. You.
  • each flow path is provided with a mass flow controller for flow control
  • one flow path is provided.
  • the operation from closing to opening of the path will cause an excessive change in the flow rate of the other flow path in the steady flow state.
  • the transient fluctuation affects the process of the reaction chamber in the flow path, and causes various troubles.
  • a parallel flow type fluid supply device is provided with a regulator RG for adjusting the pressure of the fluid, and the regulator RG sends out the fluid.
  • the parallel split type fluid supply device according to claim 2 is the parallel split type fluid supply device according to claim 1, wherein the delay time ⁇ t can be variably adjusted.
  • a fluid supply device of a parallel split type comprising: a regulator RG for adjusting the pressure of the fluid; and a plurality of parallel feeders for splitting the fluid delivered from the regulator RG in parallel.
  • the pressure type flow rate control apparatus FCS provided in each flow path is composed of FCS 2 Prefecture, this pressure type flow rate control device and the orifice OR, control valve CV provided on the upstream side
  • FCS 2 Prefecture this pressure type flow rate control device and the orifice OR
  • control valve CV provided on the upstream side
  • a calculation control circuit CCC that outputs the difference between the calculated flow rate Qc and the set flow rate Qs to the drive section DV of the control valve CV as a control signal Qy.
  • the valve is opened and closed to control the flow rate downstream of the orifice.
  • Fluid variable pressure-type flow rate control method according to the flow factor of claim 4, the upstream side pressure of Orifice office P: calculation of gas through the Orifi scan in a state in which a was kept more than about twice the downstream pressure P 2
  • the flow rate control method that calculates the flow rate Q c as Q c KP: ( ⁇ is a constant)
  • the flow factor FF is set for each gas type.
  • a fluid variable type pressure type flow control device having a flow factor comprising a control valve, an orifice, a pressure detector for detecting an upstream pressure therebetween, and a flow rate setting circuit.
  • Pressure type flow controller that controls the opening and closing of the valve
  • the calculated if the calculated flow rate of the gas species a storage unit for storing a specific full opening one factor (FF B / ⁇ F A) provided for the A, a reference gas type A gas species B is Q A, the When the gas type B flows under the condition of one orifice, the same upstream pressure, and the same upstream temperature, the calculated flow rate Q B
  • a sixth aspect of the present invention is the parallel flow splitting type fluid supply device according to the third aspect, wherein the pressure type flow rate control device provided in any of the flow paths is the fluid variable type flow rate control device based on the flow factor according to the fifth aspect. Things.
  • the present inventors have 1 6 and 1 5 results of sharpness meaning study the operating characteristics of the mass flow controller from the, if you open control until immediately set flow rate value a mass flow controller, a large amount of the material gas to the flow path S 2 As a result, it was concluded that the pressure A in the flow path transiently decreased, causing transient fluctuations in the signals MFC and MFMi.
  • the mass flow controller MFC 2 may be controlled to increase the power from “0” to the set flow rate over time.
  • This time is called the delay time ⁇ t, and the longer the delay time ⁇ t, the smaller the transient effect. That is, if the delay time ⁇ t is made variable, it is possible to cope with transient fluctuations occurring under various conditions.
  • the delay time ⁇ t depends on the size of the set flow rate Q s, the pipe diameter, the type of fluid such as gas, etc. Therefore, it is better to empirically determine the delay time ⁇ t in these given conditions.
  • the present inventors have considered that the mass flow controller has an inherent property that it is difficult to absorb the transient influence, and have intensively studied other methods not using the mass flow controller.
  • the mass flow controller measures the flow rate from the amount of heat transfer carried by the fluid, so if the flow rate fluctuation is faster than the flow velocity, the flow rate control cannot easily follow the flow rate fluctuation. I came to think that it was hard to absorb.
  • this pressure type flow controller is as follows. That is, when the orifice upstream pressure is about twice the orifice downstream pressure P 2 , the flow velocity through the orifice is sonic, and the flow rate Q c through the orifice is proportional to the orifice upstream pressure P: .
  • the flow rate can be calculated immediately if only the upstream pressure is measured.
  • the mass flow controller measures the flow rate through the phenomenon of heat transfer, but this pressure type flow control device utilizes the theoretical properties of the fluid, and can perform pressure measurement at high speed.
  • the calculated flow rate Qc is calculated by Qc, and the control valve is opened and closed so that the difference from the set flow rate Qs becomes zero.
  • the calculated flow rate Qc can be immediately matched with the set flow rate Qs. This was made possible as a result of the high-speed pressure measurement of the upstream pressure of the orifice, and fluctuations of the degree shown in Fig. 16 could be sufficiently absorbed.
  • the present inventors used the pressure type flow rate control device in place of the conventional mass flow controller to reduce the number of gas types.
  • the pressure type flow control device (hereinafter, also abbreviated as FCS device) developed earlier by the inventors of the present invention makes the upstream pressure P i of the orifice approximately twice or more the downstream pressure P 2 as described above. Controls the flow rate of the fluid while holding it, and detects the orifice, the control valve provided upstream of the orifice, the pressure detector provided between the control valve and the orifice, and the detection of the pressure detector
  • an arithmetic and control unit that outputs the pressure to the orifice.
  • the orifice pressure is adjusted by opening and closing the control valve to control the orifice downstream flow rate.
  • the proportional constant K is initially set by determining the orifice and gas type, the upstream pressure P! Of the orifice will be independent of the fluctuation of the downstream pressure P 2 of the orifice.
  • the actual flow rate can be calculated.
  • the subject of the present invention is how to determine the flow rate when the upstream pressure is obtained when the gas type to be circulated under these set conditions is changed.
  • Q (m 3 Z sec ) is the volume flow rate in the standard state
  • S (m 2 ) is the orifice cross-sectional area
  • P (kgm 2 abs) is the upstream absolute pressure
  • K is the upstream gas temperature
  • FF (m 3 K 1/2 / kgsec) is the flow factor
  • k is the proportionality constant
  • 7 s (kg / m 3 ) is the density of the gas in the standard state
  • ⁇ ( (Dimensionless) is the specific heat ratio of the gas
  • R (m / K) is the gas constant.
  • the flow factor FF depends on the standard density of states y s , the specific heat ratio / c and the gas constant R, it is a factor determined only by the gas type.
  • FF A and FF B are the flow factors of gas types A and B, respectively.
  • the flow rate Q B during the gas species changes can be calculated by simply Komu multiplied by the ratio flow factor one FF B / FF A (hereinafter abbreviated as the ratio FF) to the flow rate Q A .
  • the underlying gas type A can be arbitrarily selected.
  • N 2 gas is used by convention. Therefore, FF / FF N is adopted as the ratio FF.
  • FF N means the flow factor of N 2 gas. Table 1 shows the physical properties and flow factors of each gas type.
  • Q N KP: holds, but the upstream pressure is proportional to the control valve opening.
  • the ratio FF2FF / FF is used.
  • This formula for calculating the flow rate is effective for obtaining the actual gas flow rate Q from the opening of the control valve. However, it is easy to see that it is substantially the same as the above-mentioned Q ratio FF XQ N.
  • FIG. 1 is a configuration diagram of a parallel flow dividing type fluid supply device using a time delay type mass flow controller according to an embodiment of claim 1.
  • FIG. 2 is a specific configuration diagram of the time delay type mass flow controller of FIG.
  • FIG. 3 is a time chart of various signals in the apparatus of FIG. 1 when the delay time At is 0.5 seconds.
  • FIG. 4 is a time chart of various signals in the apparatus of FIG. 1 when the delay time ⁇ t is 1 second.
  • FIG. 5 is a time chart of various signals in the apparatus of FIG. 1 when the delay time ⁇ t is 4 seconds.
  • FIG. 6 is a time chart of various signals in the apparatus of FIG. 1 when the delay time ⁇ is 7.5 seconds.
  • FIG. 7 is a configuration diagram of a parallel split type fluid supply device using a pressure type flow rate control device according to an embodiment of claim 3.
  • FIG. 8 is a specific configuration diagram of the pressure type flow control device of FIG.
  • FIG. 9 is a time chart of various signals of the device of FIG.
  • Fig. 10 is a layout diagram showing one of the possible uses of the variable fluid pressure type flow controller FCS, in which three types of fluids with different flow rates are supplied using two FCSs. It is.
  • Fig. 11 shows another example of the use of the variable fluid pressure type flow controller FCS, in which four types of fluids with different flow rates are supplied using two FCSs. is there.
  • FIG. 12 is a block diagram of the block of the fluid variable pressure type flow rate control device according to the fifth embodiment.
  • FIG. 13 is a block diagram of another variable fluid pressure type flow control device according to the fifth embodiment.
  • FIG. 14 is a configuration diagram of a single-channel type conventional fluid supply device.
  • FIG. 15 is a configuration diagram of a conventional two-channel type fluid supply device.
  • FIG. 16 is a time chart of various signals in the apparatus of FIG.
  • FIG. 17 is another configuration diagram of a conventional two-channel type fluid supply device.
  • FIG. 18 is a layout view of a conventional high-purity water generator for a semiconductor manufacturing apparatus. Explanation of reference numerals
  • AMP ⁇ AP ⁇ AP 2 an amplifier
  • a / D is AD converter
  • BG Purijji circuit
  • BP bypass circuit C is a reaction chamber
  • CC comparison circuit CV is a control valve
  • DMFd-DMFC 2 is a time delay type mass flow controller
  • DP is a display unit
  • DT is a time delay unit
  • DS is a downstream sensor
  • DV a drive unit
  • FCS FCS 2 is a pressure type flow controller
  • M is the temperature compensation unit
  • MFC! 'MFC 3 - MFC 2 are mass flow controllers
  • MFM' MFM ⁇ MFM 2 is a mass flow meter
  • OR orifice P.
  • ⁇ P 1 A, P, B are pressure gauges, is orifice upstream pressure, P 2 is orifice downstream pressure, P s is power supply, Qc is operation flow, Q s is set flow, RG 'RG and RG 2 are regulators ⁇ S 2 is the flow path, SP is Sensor part, SS ⁇ ST is flow rate setting part, t. Small downtime, delta t is the delay time, US upstream sensor, vp valve unit, V ⁇ 4 ' ⁇ ' ⁇ ! ⁇ ⁇ 2 valves,
  • VPj 'VP 2 is a vacuum pump, 2 is a control valve, 4 is a drive unit, 6 is a pressure detector, 8 is an orifice, 12 is a gas extraction joint, 14 is a flow rate calculation circuit, 15 is a gas type selection circuit, 16 Is the flow rate setting circuit, 17 is the ratio FF storage section, 18 is the flow rate calculation section, 19 is the flow rate display section, 20 is the calculation control circuit, 21 is the inverse ratio FF calculation cycle, 22 ⁇ 24 is the amplifier, 23 is Temperature detectors, 26 and 28 are AZD converters, 30 is a temperature compensation circuit, 33 is a computation circuit, 34 is a comparison circuit, 36 is an amplification circuit, FCS 1 is a pressure type flow control device, FCS 2a is a fluid variable type pressure type flow rate control device, Q c is calculated flow rate signal, Qe flow rate setting signal, Q k is N 2 gas equality signal, V 1 a ⁇ V4 a is a valve. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE
  • Embodiment 1 Time delay type mass flow controller
  • FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a parallel flow dividing type fluid supply device according to claim 1, using a time delay type mass flow controller.
  • FIG. Pressure gauge for measuring feed pressure Pa A - P, B pressure gauge for measuring the primary pressure, V ⁇ V 4 valves, DMFd - DMF C 2 is the time delay type mass flow controller for flow control, MFM -MFM 2 is a mass flow meter for flow measurement, C is a reaction chamber, VV-VV 2 is a valve, VP,-VP 2 is a vacuum pump, and-S 2 is a flow path.
  • the arrows indicate the gas flow, and the subscripts of each member are changed according to the flow path.
  • the overall configuration is the same as in FIG.
  • Figure 2 is a block diagram of a time-delayed type mass flow controller in the flow path S 2, is the same as in the channel 1.
  • VC valve detecting section for detecting the opening from closing of the valve V 3 ⁇ V 4 ST is the flow rate setting unit, DT is the time delay unit, PS is the power, DP is the display unit, AM P amplifiers, BG is a bridge circuit, CC is a comparison circuit, and VP is a valve section.
  • BP indicates a bypass unit
  • SP indicates a sensor unit
  • US indicates an upstream sensor
  • DS indicates a downstream sensor.
  • Valve V ⁇ V 2 is opened are gas constant supply, and stable gas reaction at reaction ⁇ C is performed.
  • valve section VP is completely closed.
  • valve detector VC detects a change in the opening from the closed valve v 3 ⁇ V 4
  • a small stop time t. The time delay section DT starts to operate.
  • This short stop time t. May be zero, but is set as a time during which the turbulence of the gas flow caused by the opening of the valve V 3 ⁇ ⁇ 4 stops.
  • the time delay section D # gives a delay time ⁇ t, and this time is a time when the valve section VP is gradually opened until the set flow rate Qs set by the flow rate setting section ST is reached. Since this delay time ⁇ t slowly opens the valve section VP, the influence on other flow paths is reduced. Therefore, the above short stop time t. And the delay time ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ can suppress disturbance, and each time t. By making ⁇ t variable, a more appropriate time can be adjusted.
  • both valves V 3 and V 4 are simultaneously opened and the small stop time t is set. Is set to a relatively long time of 2 to 3 seconds, but the relevant short stop time t. Is set to zero or a very short time of 0.5 seconds or less, the other flow path S, is given to the other flow path S, due to the time difference when the two valves V 3 and V 4 open (or close). The effect of flow rate fluctuations changes significantly.
  • the main body gas flow is divided into a bypass part BP and a sensor part SP.
  • the sensor part SP heat generated by the upstream sensor U S is detected by the downstream sensor DS, and an instantaneous flow Q is calculated by the bridge circuit BG.
  • Figures 3 to 6 show time charts of various signals when the delay time ⁇ t is changed.
  • the delay time ⁇ t is defined as the 8 ⁇ % arrival time. That is, the time when the instantaneous flow rate Q reaches 80% of the set flow rate Qs is defined as the delay time ⁇ t.
  • Various other definitions can be adopted, but all of these definitions are included in the delay time of the present invention.
  • Small stop time t. Can be set for a reason, and in Figs. 3 to 6, it is set to 3 to 5 seconds. Small stop time t. May be even smaller.
  • FIG. 7 is a block diagram showing an embodiment of a parallel flow dividing type fluid supply device according to claim 3, wherein a pressure type flow control device is used. Time delayed the lifting port one controller port over La DMFd ⁇ DMF C 2 in FIG. 1 is only changed to the pressure type flow rate control device FC Si ⁇ FCS 2, because the other members are the same as FIG. 1, the Description is omitted.
  • FIG. 8 is a block diagram of a pressure type flow control apparatus FCS in the flow path S, is the same as in the flow path S 2.
  • OR is the orifice
  • AZD is the AD converter
  • M is the temperature compensation unit
  • SS is the flow rate setting unit
  • CC is the comparison circuit
  • AP 2 is the amplifier
  • DV is the drive unit.
  • CV is a control valve-SS
  • CC, M, and AP 2 are collectively referred to as an arithmetic control circuit CCC.
  • the drive unit DV controls the opening and closing of the control valve CV so that the control signal Qy becomes zero.
  • the opening and closing control of the control valve CV can be controlled at electronic speed. In other words, high-speed control is possible up to the limit opening / closing speed of the control valve in a mechanical sense.
  • FIG. 9 is a time chart of various signals in the embodiment of FIG.
  • FCS 2 and the valve V 3 ⁇ V 4 in the open FCS 2 signal is also M FM 2 signal also reaches a steady value from momentarily zero.
  • FCS, signal and MFM signal in the channel 5 keep almost no change.
  • Embodiment 3 Application example of a variable fluid pressure type flow controller
  • FIG. 10 shows an example of the use of the fluid variable pressure type flow rate control device according to claim 5, which corresponds to the previous FIG. 18 using a mass flow controller.
  • FCS 2a variable pressure type pressure type flow controller
  • three types of H 2 gas, ⁇ 2 gas, and N 2 gas can be generated by two pressure type flow controllers FCS 2 and FCS 2a. Control the flow rate.
  • FCS 2a for delivery to the reactor RR H 2 and 0 2 at the same time, two pressure type flow control apparatus FCS, requires a FC S 2a, and 0 2 and N 2
  • the flow control ⁇ 2 and N 2 are combined fluid variable pressure type flow rate control device FC S 2a.
  • valve V3 When moisture is generated, first, the valve V3 is opened, Via ⁇ V2a is closed, and the reactor RR is purged with N 2 gas. Next, the valves V la and V 2a are opened, V 3a is closed, and H 2 gas and O 2 gas are sent into the reactor RR. In the reactor RR, steam is generated by the catalyst without excess or shortage, and this clean steam is sent to the subsequent equipment.
  • the H 2 gas and the O 2 gas are supplied simultaneously into the reactor RR.However, when the supply of the O 2 gas is started first and the H 2 gas is supplied with a desired time delay. There is also.
  • Embodiment 4 Another application example of a variable fluid pressure type flow controller
  • FIG. 11 shows another example of the use of the fluid variable type flow control device FCS 2a according to claim 5, which is applied to a so-called single chamber multi-process method in a semiconductor device. This shows the case where FCS 2a is applied.
  • if Si is to be oxidized immediately after being oxidized first purge the system with N 2 gas and then add H 2 gas and ⁇ 2 gas to the process chamber. (1) Feed into PR to oxidize Si. Then, N 2 O gas is supplied to nitride the Si oxide film. Finally, N 2 gas is supplied to purge the system.
  • the flow control device shown in Fig. 11 requires one pressure type flow control device FC Si and one fluid variable type pressure type flow control device FCS 2a (two in total);
  • FC Si the fluid supply device
  • FCS 2a the fluid variable type pressure type flow control device
  • the fluid supply device is configured using a conventional mass flow controller, four mass flow controllers are required even if spare parts are not included, resulting in a large increase in equipment costs.
  • Embodiment 5 First example of a variable fluid pressure type flow controller
  • FIG. 12 is a block diagram of a block of a first embodiment of the variable fluid pressure type flow controller according to claim 5.
  • This fluid variable pressure type flow controller FCS 2a is a control valve 2, its drive unit 4, a pressure detector 6, an orifice 8, a gas extraction joint 12, a flow calculation circuit 14, and a gas type selection circuit 15. It comprises a flow rate setting circuit 16, a ratio FF storage section 17, a flow rate calculation section 18, a flow rate display section 19, and a calculation control circuit 20.
  • the flow calculation circuit 14 includes a temperature detector 23, an amplification circuit 22 ⁇ 24, an A / D converter 26 2628, a temperature correction circuit 30, and a calculation circuit 32.
  • the arithmetic control circuit 20 includes a comparison circuit 34 and an amplification circuit 36.
  • a so-called direct touch type metal diaphragm valve is used for the control valve 2, and a piezoelectric element type driving device is used for the driving section 4.
  • a magnetostrictive element type driving device, a solenoid type driving device, a motor type driving device, a pneumatic type driving device, and a thermal expansion type driving device are used as these driving units.
  • a semiconductor strain type pressure sensor is used for the pressure detector 6
  • other types of pressure detectors include a metal foil strain type pressure sensor, a capacitance type pressure sensor, and a magnetoresistive type pressure sensor. Use is also possible.
  • thermocouple type temperature sensor is used for the temperature detector 23
  • various known temperature sensors such as a resistance temperature sensor can be used.
  • an orifice having a hole formed by cutting a plate-shaped thin metal gasket is used.
  • a hole is formed in the metal film by etching and electric discharge machining. Orifices can be used.
  • the gas type selection circuit 15 selects H 2 gas, O 2 gas, and N 2 gas, and the flow rate setting circuit 16 commands the flow rate setting signal Q to the arithmetic and control circuit 20.
  • the FF ratio storage unit 1 7 memory for storing the ratio FF for N 2 gas, N 2 gas is 1, ⁇ 2 gas FF. / ⁇ F N, H 2 gas is set to a value of FF H / ⁇ F N.
  • FF N , F Fo, and FF H are N 2 , O 2 , and H 2 gas flow fatters.
  • an FF calculation unit (not shown) may be provided, and data may be read from the FF storage unit storing the FF value to calculate the ratio FF value, and stored in the ratio FF storage unit 17.
  • variable fluid pressure type flow controller FCS 2a Next, the operation of the variable fluid pressure type flow controller FCS 2a will be described. Initially, it is assumed that the entire apparatus is initialized based on N 2 gas.
  • N 2 gas is selected by the gas type selection circuit 15 and a flow rate setting signal is commanded from the flow rate setting circuit 16.
  • the control valve 2c is opened, the gas pressure P, on the upstream side of the orifice 8 is detected by the pressure detector 6, and the digitized signal is output to the arithmetic circuit 32 via the amplifier 22 and the / 0 converter 26.
  • the gas temperature T: on the upstream side of the orifice is detected by the temperature detector 23, and the digitized temperature signal is input to the temperature correction circuit 30 via the amplifier 24 and the A / D converter 28.
  • the arithmetic circuit 32 using the pressure signal, the flow rate Q is calculated as Q-KPi, temperature compensation of the flow rate Q using a correction signal from the temperature correction circuit 30 is performed, the calculated flow rate Q c Is output to the comparison circuit 34.
  • the constant K in this equation is set for N 2 gas.
  • Difference signal Q y to the calculated flow rate Qc and the flow rate setting signal Q e is outputted from the comparison circuit 34 via the amplifier 3 6, to open and close the control valve 2 by the drive unit 4 so that the difference signal Q y is zero.
  • a predetermined amount of N 2 gas is sent to the reactor RR in FIG.
  • the flow rate set flow rate Q E is commanded from the flow rate setting circuit 16. Since the above-described constant K is initially set to correspond to the N 2 gas, in this embodiment the signal is set to a value which is converted to N 2 gas. Like the above, the calculated flow rate Qc is off adjusted until the control valve 2 Do equals Q e takes place via Qc.
  • Embodiment 6 Second example of variable fluid type pressure type flow controller
  • FIG. 13 is a block diagram of a block diagram of a second embodiment of the fluid variable type pressure type flow rate control device in which this point is improved.
  • the only difference from FIG. 3 is that an inverse ratio FF operation circuit 22 having a ratio FF storage unit 17 is added.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiments, but encompasses various modifications, design changes, and the like within the technical scope thereof without departing from the technical idea of the present invention.
  • the operation of the mass flow controller in the flow path is time-delayed, so that the transient fluctuation in the other flow path is performed. Can be minimized. Therefore, the steady flow of the other flow paths can be stably maintained, and the steady control of a plurality of flow paths can be realized by one regulator.
  • the delay time of the mass flow controller can be arbitrarily variably set, so that the most effective steady control can be realized.
  • the pressure type flow control device is introduced as the flow control device, the speed of the flow control of each flow path can be increased, and the interfering transient fluctuation between the flow paths is absorbed by the high speed.
  • steady control of each flow path can be realized at high speed and reliably.
  • the pressure type flow control device is initially set to the gas type A (for example, N 2 gas)
  • the gas type B is controlled through the flow factor. Because it can be easily converted to a flow rate, a method is provided in which a single pressure type flow controller can be used for various types of gases. Therefore, compared to a conventional flow control device using a mass flow meter or a flow control method in which a mass flow meter is simply replaced with a pressure type flow control device, the flow rate is inexpensive and can respond to a wide range of gas types with high accuracy. The control method was realized.
  • the method of claim 4 can be immediately applied, and the same utility as in claim 4 can be obtained.

Description

明 細 書
並列分流型の流体供給装置と、 これに用いる流体可変型圧力式流量制御方法及 び流体可変型圧力式流量制御装置
技術分野
本発明は半導体や化学品、 薬品、 精密機械部材等の製造に用いるガス等の供給 装置に関するものであり、 より詳細には、 並列配置された複数の流路のうちの任 意の流路が、 閉から開に切換えられて流体が供給されたとき、 この影響による他 の流路に於ける流量変動を極減化できるようにした並列分流型の流体供給装置に 関するものである。
また、 本発明は半導体や化学品、 薬品、 精密機械部品等の製造に用いるガス等 の供給装置で使用する各種ガスの流量制御方法に関するものであり、 より詳細に は、フローファクターを用いることにより、同一の圧力式流量制御装置によって、 各種のガスに対して高精度な流量制御ができるようにした流体可変型圧力式流量 制御方法及び流体可変型圧力式流量制御装置に関するものである。
背景技術
一般に、 半導体製造施設や化学薬品製造施設の流体供給装置であって高精度な 流量制御を必要とするものは、 そのほとんどが所謂マスフローコントローラを用 いている c
図 1 4は単流路型の流体供給装置の従来例を示すもので、 H 2 や 0 2 等の材料 ガス Gはレギユレータ R Gにより 1次圧から 2次圧へと圧力調整され、 流路に供 給される。 1次圧は通常高圧であって圧力計 P。 により、 また、 2次圧は供給可 能な低圧であって圧力計 により、 夫々検出される。
バルブ V 、 V 2 の間には流量制御用のマスフローコントローラ M F Cが配置 され、 その流量を計測するために流量計であるマスフローメータ M F Mが設けら れている。 材料ガス Gは反応室 Cで処理反応等に用いられた後、 バルブ V Vを介 して真空ポンプ V Pにより排気される。
この単流路型の流体供給装置では、 材料ガス Gが定常の状態で供給されている ときには、 外乱による流量変動がないため、 反応室 Cでは安定した処理反応が持 続できる。 問題は、 1つのレギユレ一タ RGにより 2本以上の流路に材料ガス Gを供給す る場合に発生する。 図 1 5は、 2本の流路33 、 S2 へ 1個のレギユレータ RG によりガス Gを供給する場合を示す。 流路 S2 には反応室 Cを配置していないが、 実際には反応室 Cを配置して、 両反応室でのガス反応を並行して制御しようとす るものである。 尚、各部材は図 14同様であるから、流路毎に添字を変えて示し、 説明は省略する。
今、 流路3, ではバルブ V! 、 V2 が開で材料ガスが定常供給され、 反応室 C で所定の反応が進行中であるとする。 一方、 流路 S2 ではバルブ V3 、 V4 は閉 であり、 閉鎖状態にある。 この様な中でバルブ V3 、 V4 を開にし、 所定流量に 設定されたマスフローコントローラ MF C2 を直ちに作動させて流路 S2 にガス を供給し始めたとき、 安定状態にある流路51 にどの様な影響が現れるかを検討 した。
図 16はこのときの各種信号のタイムチャートである。 バルブ V3 、 V4 が閉 から開になった瞬間、 流路 S2 側の MFC2 信号と MFM2 信号が高いピーク状 のオーバーシュートを起し、 その後一定 に収束してゆく。
この過渡状態のオーバーシュートが圧力 A、 P, Bの変動を介して流路8! の MFd 信号と MFM! 信号に大きな変動を生起していることが分る。
この変動は反応室 Cでの反応速度に影響を与え、 流路5: の反応室 Cに於ける 定常反応が流路 S2 力 の外乱により阻害されることになる。 例えば、 半導体の 製造中であれば、 半導体中に格子欠陥を生起したり、 エッチングプラズマの場合 にはプロセスに影響を与える。 また、 化学反応であれば、 原料ガス Gの過不足に よって生成物質の濃度に乱れを生じ、 この乱れがカオス現象を通してどの様に展 開してゆくか予測を許さないものがある。 但し、 レギユレ一タ RGの上流側圧力 Po にはほとんど過渡的影響を与えないのは、 レギユレータ RGが存在している からである。
この図 16に示したような外乱を失くすためには、 図 1 7に示すように、 流路 、 S2 の両方にレギユレ一タ RG 、 RG2 を配置することが望ましい。 こ うすれば、 流路52 側を突然に流通させても、 レギユレータ RG2 の存在により 圧力変動が上流側に伝達されず、 流路 における流体の定常供給に影響を与え ない。 逆に、 流路5ュ の開閉が流路 S2 側に影響を与えないことも同様である。 ところが、 レギュレータ RGは高圧流体を供給可能な低圧流体に圧力変換する 装置であり、 装置自体が相当に高価なものである。
従って、 流路の本数が増えれば、 それと同数だけのレギユレ一タ RGが必要に なり、 流体供給装置全体の複雑 ·大形化とコス トアップを招来する。
一方、 前記図 14や図 1 5の流体供給装置では、 一種類だけの原料ガス Gが反 応室 Cへ供給されているが、 一般に、 半導体製造施設等の反応室 Cに於いては、 複数の種類の原料ガス Gが夫々単独に、 若しくは同時に反応室 C内へ供給されて いる。
また、 一般に、 半導体製造施設や化学品製造使節の流体供給装置であって、 高 精度な流量制御を必要とするものは、 その殆んどがマスフローコントローラを用 いている。
図 18は従来の半導体製造装置用の高純度水分発生装置の一例を示すものであ る。 3種類の H2 ガス、 02 ガスおよび N2 ガスは、 マスフローコントローラ M FC 1 a〜MFC3 aにより流量制御されながらバルブ V 1 a〜V 3 aを通して 反応炉 RRへ導入される。 まず、 バルブ V 3 aを開、 V i a ' V2 aを閉にして 反応炉 RRを N2 ガスでパージする。 次いで、 バルブ V 3 aを閉、 V i a - V 2 aを開にして反応炉 RR内に H2 ガスと〇2 ガスを所定流量で供給し、 ここで白 金触媒により非燃焼下で H 2 Oガスを生成し、 この高純度水蒸気を後方の図示し ない設備に供給する。
ところで、 マスフローコントローラは、 一般にガスの種類毎および流量レンジ 毎にリニァライザ補正をしているため、 調整したガス種以外のガスには使用でき ないという欠点がある。
そのため、図 18に示されているように、 H2 ガス、 〇2 ガス、 N2 ガス毎に、 夫々マスフローコントロ一ラ MFC 1 a〜MFC 3 aが配置されている。 そして、 図 18のようなガス供給設備では、 通常夫々のマスフローコントローラ MF C 1 a〜MFC 3 a毎に、 予備品が備えられている c
し力 し、 マスフローコントローラは、 製品価格が高い上に交換用部品も高価で あるため、 ガス供給設備の設備費やランニングコストが高くつくと云う問題があ る。
尚、 もしもガス種変更の際に、 マスフ口一コントローラを交換しないで、 ガス 種の変更の毎にリニアライザ補正をし直した場合には、 迅速な対応ができないた めに製造プラントの一時停止という最悪の事態を招きかねない。 そのため、 上述 のように、 ガス種毎の予備のマスフローコントローラを、 常に在庫として保持し ておく必要がある。
上述したように、 圧力調整用の 1個のレギュレ一タから複数本の流路を並列的 に分岐し、 各流路に流量調整用のマスフ口一コントローラを設けた場合には、 1 つの流路の閉から開への操作が、 定常流通状態にある他の流路の流量に過度的変 動を与えることになる。 そして、 この過渡的変動は、 その流路での反応室のプロ セスに影響を与えるため、 各種の障害の原因となる。
又、 この過渡的変動を防止するために、 各流路にレギユレータを 1個づっ配置 してゆくと、 装置全体の複雑 ·大形化とコストアップを招来することになる。 更に、 高価なマスフローコントローラを予備品として多数在庫しなければなら ず、 これによつてガス供給設備の設備費やランニングコストが高かくつくことに なる。
発明の開示
本発明は上記各欠点を解消するために創作されたものであり、 請求項 1の並列 分流型の流体供給装置は、 流体を圧力調整するレギユレータ R Gと、 このレギュ レ一タ R Gから送出される流体を並列的に分流させる複数本の流路5 , 、 S 2 と、 各流路に設けられた流量制御用のマスフローコントローラ DM F d 、 DM F C 2 とから構成され、 ある流路のマスフローコントローラを動作させてその流路を流 体の閉鎖状態から設定流量での流通状態に流通制御するとき、 このマスフローコ ントローラが動作開始点から設定流量値 Q sに到るまでに遅延時間 Δ tを有する ように設定したことを特徴とする。
また、 請求項 2の並列分流型の流体供給装置は、 請求項 1の並列分流型流体供 給装置に於いて、 遅延時間 Δ tを可変調整できるようにしたものである。
請求項 3の並列分流型の流体供給装置は、 流体を圧力調整するレギュレータ R Gと、 このレギユレ一タ R Gから送出される流体を並列的に分流させる複数本の 流路 ュ 、 S2 と、各流路に設けられた圧力式流量制御装置 FCS, 、 FCS2 と から構成され、 この圧力式流量制御装置はオリフィス ORと、 その上流側に設け たコントロール弁 CVと、 オリフィスとコントロ一ル弁の間に設けた圧力検出器 と、 オリフィス上流側圧力 を下流側圧力 P2 の 2倍以上に設定しながら圧力 検出器の検出圧力 から流量を Q c=KP1 (但し Kは定数) として演算し、 この演算流量 Q cと設定流量 Q sとの差を制御信号 Qyとしてコントロール弁 C Vの駆動部 D Vに出力する演算制御回路 C C Cとからなり、 コント口一ル弁を開 閉してオリフィス下流側流量を制御することを特徴とするものである。
請求項 4のフローファクターによる流体可変型圧力式流量制御方法は、 オリフ ィスの上流側圧力 P: を下流側圧力 P 2 の約 2倍以上に保持した状態でォリフィ スを通過するガスの演算流量 Q cを Q c =KP: (Κは定数) として演算する流 量制御方法において、 ガス種毎にフローファクター FFを
1/2 F F = Ύ ) {2/ ( κ + 1 { + R} ] y s : ガスの標準状態に於ける密度
κ : ガスの比熱比
R : ガス定数
k : ガス種に依存しない比例定数
より計算し、 ガス種 Aの演算流量が QA の場合に、 同一オリフィス、 同一上 側圧力および同一上流側温度の条件下でガス種 Bを流通させたとき、 その演算流 量 QB
QB = (F FB / F F a ) QA
F FA : ガス種 Aのフローファクター
F FB : ガス種 Bのフ口一ファクター
として算出することを特徵とするものである。
請求項 5のフローファクタ一による流体可変型圧力式流量制御装置は、 コント ロール弁とオリフィスとこれらの間の上流側圧力を検出する圧力検出器と流量設 定回路からなり、 上流側圧力 Pユ を下流側圧力 P2 の約 2倍以上に保持しながら 特定のガス種 Aに関し下流側の流量 Q cを Q c = K P: (Κ:定数) で演算でき るように設定し、 この演算流量 Qcと設定流量 Q sとの差信号によりコントロー ル弁を開閉制御する圧力式流量制御装置において、 ガス種毎にフロー'
F Fを
FF= (k/y s ) [ 2/ ( c + 1 ) } 1/ →) {κ/ { R} 〕 1/2 y s : ガスの標準状態に於ける密度
κ : ガスの比熱比
R : ガス定数
k : ガス種に依存しない非礼定数
により計算し、 ガス種 Bのガス種 Aに対する比フ口一ファクター (FFB /¥ FA ) を記憶する記憶部を設け、 基準となるガス種 Aの演算流量が QA の場合に、 同 一オリフィス、 同一上流側圧力および同一上流側温度の条件下でガス種 Bを流通 させたとき、 その演算流量 QB
Figure imgf000008_0001
として算出する演算部を設けたことを特徴とするものである。
請求項 6は請求項 3の並列分流型の流体供給装置に於いて、 何れかの流路に設 ける圧力式流量制御装置を請求項 5に記載のフローファクターによる流体可変型 流量制御装置としたものである。
本発明者等は、 図 1 6及び図 1 5からマスフローコントローラの作動特性を鋭 意研究した結果、 マスフローコントローラを直ちに設定流量値にまで開放制御す ると、 流路 S2 に大量の材料ガスが一気に流入する結果、 流路 の圧力 A が過渡的に小さくなり、 信号 MFC , と信号 MFMi に過渡的変動を生起すると 考えるに到った。
流路52 の流路51 に対する反射的な過渡的影響を極小化するためには、 ガス を流路 S2 内へ漸次増加する状態下で流通させることが重要になる。 即ち、 バノレ ブ V3 、 V4 を開放後、 マスフローコントローラ MF C2 を時間をかけて "0" 力 ら設定流量 にまで増大するよう制御すればよいと云うことである。
この時間を遅延時間 Δ tといい、 遅延時間 Δ tを長くするに従って過渡的影響 は小さくなつてゆく。 即ち、 この遅延時間 Δ tを可変自在にすれば、 各種の条件 下で生起する過渡的変動に対応することができる。
前記遅延時間 Δ tは設定流量値 Q sの大きさ、 管径、 ガス等流体の種類等に依 存し、 これらの与えられた諸条件の中で遅延時間 Δ tを経験的に決めてゆくのが よい。
尚、 上記に於いては流路 S 2 の流路 1 に対する影響を述べたが、 逆に流路 S i の流路5 2 に対する影響も同様に考えられる。 流路が 2本だけでなく、 更に本数 が増えていった場合でも同様に考えることが出来る。
即ち、 流路が複数本存在する場合には、 流路毎に配置されている全てのマスフ ローコントローラを遅延制御しておけば、 どの流路を閉から開に設定した場合で も、 他の流路への過渡的影響を極減化できることになる。
また、 本発明者等は、 マスフローコントローラには前記過渡的影響を吸収出来 にくい固有の性質があると考え、 マスフローコントローラを用いない他の方法を も鋭意研究した。
その結果、 マスフローコントローラは流体によって運ばれる熱移動量から流量 を計測するため、 流量変動が流速よりも高速の場合には、 流量制御が流量変動に 追随できにくく、 そのためマスフローコントローラは過渡的影響を吸収できにく いと考えるに至った。
また、 同時に、 流量変動に高速追随できる圧力式流量制御装置を用いれば、 こ の問題を解決できると考え、 本発明者等が先きに開発をし、 特開平 8— 3 3 8 5 4 6号として公開している圧力式流量制御装置を上記問題を解決するために適用 することにした。
この圧力式流量制御装置の特徴は次の点にある。 つまり、 オリフィス上流側圧 力 がオリフィス下流側圧力 P 2 の約 2倍においては、 オリフィスを通過する 流速は音速となり、 オリフィスを通過する流量 Q cはオリフィス上流側圧力 P: に比例するというものである。 基本式は Q c = K P : (但し K:定数) であり、 上流側圧力 さえ計測しておけば、 流量を直ちに算出することができる。 マス フローコントローラでは熱移動という現象を介して流量計測したが、 この圧力式 流量制御装置では、 流体の理論的性質を活用しており、 しかも圧力計測は高速で 行うことができる。
オリフィス上流側にコントロール弁を置き、 演算流量 Q cを Q c で算 出し、設定流量 Q sとの差がゼロになるようにコントロール弁を開閉制御すれば、 演算流量 Q cを設定流量 Q sに直ちに一致させることができる。 これは、 オリフ イス上流側圧力 の圧力計測の高速性の結果可能となったものであり、 図 1 6 に示される程度の変動であれば、 これを十分に吸収することができる。
更に、 本願発明者等は、 当該圧力式流量制御装置を用いた流体供給装置の開発 過程に於いて、 従前のマスフローコントローラに替えてこの圧力式流量制御装置 を用いることにより、 複数のガス種に対しても基本設定を変えることなく流量制 御ができる方法を着想した。
即ち、 本願発明者等が先に開発をした圧力式流量制御装置 (以下、 F C S装置 とも略称する) は、 前述の通りオリフィスの上流側圧力 P i を下流側圧力 P 2 の 約 2倍以上に保持した状態で流体の流量制御を行ない、 オリフィスと、 オリフィ スの上流側に設けたコント口ール弁と、 コント口一ル弁とオリフィス間に設けた 圧力検出器と、 圧力検出器の検出圧力 力 ら流量 Q cを Q c = K P i (但し K は定数) として演算すると共に、 設定流量信号 Q sと前記演算した流量信号 Q c との差を制御信号 Q yとして前記コントロール弁の駆動部へ出力する演算制御装 置とから構成され、 コントロール弁の開閉によりオリフィス上流側圧力 を調 整し、 オリフィス下流側流量を制御することを特徴とする。
当該 F C S装置の最大の特徴点は、 オリフィスを流れているガスの流量 Q cが 上流側圧力 にのみ依存し、同一のオリフィスとガス種に対しては Q c K P ( Kは定数) として演算で算出できることである。
つまり、 オリフィスとガス種を決めて比例定数 Kを初期設定すれば、 オリフィ スの下流側圧力 P 2 の変動に関係なくオリブイスの上流側圧力 P! を測定するだ けで、 実際の流量を演算で算出できる。 この設定条件の下で流通させるガス種を 変更した場合に、 上流側圧力 が得られたとき、 流量がどのように求められる かが本発明の主題である。
この問題を解くために、 以下に定数 Kの意味を明らかにする。
高圧領域からオリフィスを介して低圧領域へとガスが流出しているとき、 ガス の流管に連続の法則、 エネルギー保存則および気体の状態方程式 (気体の非粘性) を適用し、 しかも流出時にガスの断熱変化を前提とする。
更に、 オリフィス流出時のガスの流速が、 そのガス温度での音速に達すると仮 定する。 この音速条件は P , ≥約 2 P2 ということであり、 換言すれば圧力比 P2 /P , が臨界圧力比約 1Z2以下ということに相当する。
これらの条件下でガスのオリフィス通過流量 Qは
Q= S P i / y s { 2/ (κ + 1 ) } l/ 'l {2gZ (RT: ) · κ/ (κ + 1) } 1/2
として得られる。 この流量 Qを詳しく分解すると、
Q=F F · S P ( 1/T, ) 1/2
F F= (k/γ s ) { 2/ ( κ + 1 ) { (K + 1) 1/2
R} ] k = (2 X 9. 8 1 ) 1/2 =4. 4 2 9
となることが分る。
ここで、 単位を含めて物理量を説明すると、 Q (m3 Z s e c ) は標準状態に 於ける体積流量、 S (m2 ) はオリフィス断面積、 P ( k g m2 a b s ) は 上流側絶対圧力、 (K) は上流側ガス温度、 F F (m3 K1/2 /k g s e c ) はフローファクタ一、 kは比例定数、 7 s (k g/m3 ) はガスの標準状態に於 ける密度、 κ (無次元) はガスの比熱比、 R (m/K) はガス定数である。 従って、 演算流量 Q c (=KP, ) を前記流量 Qと等しいと考えると、 定数 K は K=F F ■ 1 2 で表わされ、 ガス種、 上流側ガス温度およびオリフィ ス断面積に依存することが分る。 つまり、 上流側圧力 P, 、 上流側温度 およ びオリフィス断面積 Sが同一の条件下では、 演算流量 Q cはフローファクター F Fにのみ依存することが明らかである。
フローファクター F Fは標準状態密度 y s 、 比熱比/ cおよびガス定数 Rに依存 するから、ガス種のみによって決まる因子である。結果として、上流側圧力 P i 、 上流側温度 T, およびオリフィスが同一のとき、 ガス種 Aの演算流量が QA とす ると、 ガス種 Bを流通させた場合には、 その演算流量 QB は QB = (F FB /¥ FA ) QA で与えられることになる。 ここで、 F FA、 F FB は各々ガス種 A、 Bのフローファクターである。
換言すると、 ガス種以外の条件が同一のときには、 ガス種変更時の流量 QB は 比フローファクタ一 F FB /F FA (以下比 F Fと略称する) を流量 QA に掛け 込むだけで演算できる。 一般に基礎となるガス種 Aは任意にとり得るが、 本発明 では慣例から N2 ガスとする。 従って、 比 F Fとして F F/F FN を採用する。 ここで、 F FN は N2 ガスのフローファクターを意味する。 各ガス種の物性値と フローファクタ一は表 1に示される。
比 F Fの計算では、 比例定数 kは約分により消去されるから、 F Fの計算にお いては定数 kは任意の値をとつてよい。 単純には k = 1としておくと計算は簡単
\
になる。 従って、 各請求項における比例定数 kの値にはそれだけの任意性が含ま れている。
1 ]
表 1 各ガス種の物性値とフローファクター F F ガス種 κ 比 F. F.
\ K
(無次元) (無次元)
N2 1. 2 5 0 5 0 1. 4 0 0 3 0. 2 8 0. 3 1 1 6 7 1. 0 0 0 0
H e 0. 1 7 8 5 0 1. 6 6 0 2 1 1. 8 0 0. 8 7 4 3 9 2. 8 0 5 5
A r 1. 7 8 3 4 0 1. 6 6 0 2 1. 2 2 0. 2 7 6 4 9 0. 8 8 7 1 o2 1. 4 2 8 9 5 1. 3 9 7 2 6. 4 9 0. 2 9 1 3 9 0. 9 3 4 9 o b
C〇2 1. 9 7 6 8 0 1. 3 0 1 1 9. 2 7 0. 2 4 0 9 0 0. 7 7 3 0
H2 0. 0 8 9 8 7 1. 4 0 9 4 2 0. 6 2 1. 1 6 6 1 5 3. 7 4 1 6
CO 1. 2 5 0 0 0 1. 4 0 0 3 0. 2 9 0. 3 1 1 7 4 1. 0 0 0 2
NO 1. 3 4 0 2 0 1. 3 8 4 2 8. 2 7 0. 2 9 9 7 8 0. 9 6 1 8
N2 O 1. 9 8 7 8 0 1. 2 8 5 1 9. 2 7 0. 2 3 8 5 3 0. 7 6 5 3
HC 1 1. 6 3 9 1 0 1. 4 0 0 2 3. 2 5 0. 2 7 1 3 6 0. 8 7 0 7
NH3 0. 7 7 1 3 0 1. 3 1 2 4 9. 7 9 0. 3 8 5 2 5 1. 2 3 6 1
N2 ガスを流通させて FC S装置の初期設定を行い、 ≥ 2 P2 の条件下で Q c =KP: の線形性が成立することを確認する。次に、〇 2 ガスを流通させて、 同一オリフィス下で上流側圧力 、 上流側温度 を設定したとき、 同条件で の Ν2 ガス流量 QN に比 FF = 0. 9349を掛けて 02 ガス流量 Q。2を Q=比 F F XQN を用いて算出する。 一方、 この〇2 ガス流量をビルドアップ法で実測 した値と比較し、 1%の誤差範囲内にあることを確認した。 即ち、 このことは、 上記理論の妥当性を証明していることになる。
上述したように、 各ガス種の流量 Qは、 N2 ガスの流量 QN から Q=比 FFX QN として演算できる。
一方、 QN =KP: が成立しているが、 上流側圧力 はコントロール弁の開 度に比例している。 開度 100%の N2 ガス流量を QN10。とすると、 ある開度で の N2 ガス流量 QN は QN =QN1。。X (開度/ 100) で与えられる。 従って、 各ガス種の流量 Qは Q==比 F F XQN100X (開度/ /100) として求めることが できる。 ここで比 F F二 F F/F Fを用いている。
この流量算出式はコントロール弁の開度から実際のガス流量 Qを求める場合に 有効である。 しカゝし、 実質上、 前述した Q二比 F F XQN と同一であることは容 易に分るであろう。
図面の簡単な説明
図 1は、 請求項 1の実施例である時間遅延型のマスフローコントローラを用い た並列分流型の流体供給装置の構成図である。
図 2は、 図 1の時間遅延型マスフローコントローラの具体的な構成図である。 図 3は、 遅延時間 A tが 0. 5秒の時の図 1の装置における各種信号のタイム チヤ一ト図である。
図 4は、 遅延時間 Δ tが 1秒の時の図 1の装置における各種信号のタイムチヤ —ト図である。
図 5は、 遅延時間 Δ tが 4秒の時の図 1の装置における各種信号のタイムチヤ 一ト図である。
図 6は、 遅延時間 ΔΤが 7. 5秒の時の図 1の装置における各種信号のタイム チヤ一ト図である。 図 7は、 請求項 3の実施例である圧力式流量制御装置を用いた並列分流型の流 体供給装置の構成図である。
図 8は、 図 7の圧力式流量制御装置の具体的構成図である。
図 9は、 図 7の装置の各種信号のタイムチャート図である。
図 10は、 流体可変型圧力式流量制御装置 F C Sの使用可能例の一つを示す配 置図であり、 3種類の各流量の異なる流体を 2基の F C Sを用いて供給する場合 を示すものである。
図 1 1は、 流体可変型圧力式流量制御装置 F C Sの他の使用例を示すものであ り、 4種類の各流量の異なる流体を 2基の FC Sを用いて供給する場合を示すも のである。
図 12は、 請求項 5の実施例に係る流体可変型圧力式流量制御装置のプロック 構成図である。
図 13は請求項 5の実施例に係る他の流体可変型圧力式流量制御装置のプロッ ク構成図である。
図 14は、 単流路型の従来の流体供給装置の構成図である。
図 1 5は、 二流路型の従来の流体供給装置の構成図である。
図 16は、 図 15の装置における各種信号のタイムチヤ一ト図である。
図 1 7は、 二流路型の従来の流体供給装置の別の構成図である。
図 18は、 従来の半導体製造装置用の高純度水分発生装置の配置図である。 符号の説明
AMP · AP: · AP2 は増幅器、 A/Dは AD変換器、 BGはプリッジ回路、 BPはバイパス回路、 Cは反応室、 CCは比較回路、 CVはコントロール弁、 C CCは演算制御回路、 DMFd - DMFC2 は時間遅延型マスフ口一コント口 ーラ、 DPは表示部、 DTは時間遅延部、 DSは下流側センサ、 DVは駆動部、 F C S , · F C S 2 は圧力式流量制御装置、 Mは温度補正部、 M F C ' M F C 3 - MFC2 はマスフローコントローラ、 MFM ' MFM! · MFM2 はマスフロー メータ、 ORはオリフィス、 P。 ■ P1 A · P, Bは圧力計、 はオリフィス 上流側圧力、 P2 はオリフィス下流側圧力、 P sは電源、 Qcは演算流量、 Q s は設定流量、 RG ' RG · RG2 はレギユレータ、 · S2 は流路、 S Pは センサ部、 S S · STは流量設定部、 t。 は小停止時間、 Δ tは遅延時間、 US は上流側センサ、 vpはバルブ部、 V 〜ν4 'νν'νν! ·νν2 はバルブ、
VPj ' VP2 は真空ポンプ、 2はコントロール弁、 4は駆動部、 6は圧力検出 器、 8はオリフィス、 1 2はガス取出用継手、 14は流量演算回路、 15はガス 種選択回路、 16は流量設定回路、 1 7は比FF記憶部、 18は流量演算部、 1 9は流量表示部、 20は演算制御回路、 21は逆比 F F演算回、 22 ■ 24は増 幅器、 23は温度検出器、 26 · 28は AZD変換器、 30は温度補正回路、 3 3は演算回路、 34は比較回路、 36は増幅回路、 F C S 1は圧力式流量制御装 置、 F C S 2 aは流体可変型圧力式流量制御装置、 Qc は演算流量信号、 Qe は 流量設定信号、 Qk は N2 ガス相等信号、 V 1 a〜V4 aはバルブである。 発明の実施するための最良の形態
実施例 1 :時間遅延型マスフローコントローラの場合
図 1は、 請求項 1の並列分流型の流体供給装置の実施例を示した構成図で、 時 間遅延型マスフ口一コントローラを用いたものである。
図 1において、 P。 は供給圧計測用の圧力計、 Pa A - P, Bは 1次圧計測用 の圧力計、 V 〜V4 はバルブ、 DMFd - DMF C2 は流量制御用の時間遅 延型マスフローコントローラ、 MFM - MFM2 は流量計測用のマスフローメ —タ、 Cは反応室、 VV - VV2 はバルブ、 VP, - VP2 は真空ポンプ、 - S2 は流路を示す。 矢印はガスの流れを示し、 流路に応じて各部材の添字が変 えてある。 全体構成は図 1 5の場合と同様である。
図 2は、流路 S2 における時間遅延型マスフローコントローラの構成図であり、 流路 1 におけるものも同様である。 VCはバルブ V3 · V4 の閉から開を検知 するバルブ検出部、 STは流量設定部、 DTは時間遅延部、 PSは電源、 DPは 表示部、 AM Pは増幅器、 B Gはブリッジ回路、 C Cは比較回路、 V Pはバルブ 部である。 又、 BPはバイパス部、 S Pはセンサ部、 USは上流側センサ、 DS は下流側センサを示している。
次に、 図 1の実施例の作動について説明する。
今、 流路51 はバルブ V: · V2 が開放されてガスが定常供給されており、 反 応室 Cにて安定なガス反応が行なわれているとする。 この段階で閉鎖されていたバルブ V 3 · V4 が開放され、 ガスが時間遅延型マ スフ口一コントローラ DMFC2 に流入してきたとする。
当初、バルブ部 VPは完全に閉鎖されている。バルブ検出部 VCがバルブ v3 · V4 の閉から開への変化を検出すると、 小停止時間 t。 を置いた後、 時間遅延部 DTが作動し始める。 この小停止時間 t。 はゼロでもよいが、バルブ V 3 ·ν4 の 開により生じるガス流の乱れが収まる時間として設けられている。
前記時間遅延部 D Τは遅延時間 Δ tを与え、 この時間は流量設定部 S Tにより 設定された設定流量 Q sになるまでバルブ部 VPを次第に開放してゆく時問であ る。 この遅延時間 Δ tはバルブ部 VPをゆつく りと開放してゆくから、 他の流路 への影響を小さくする。 従って、 上記の小停止時間 t。 と遅延時間 Δ ΐにより外 乱を押えることができ、 各々の時間 t。 、 Δ tを可変にすることでより適切な時 間を調整することが可能となる。
尚、 本実施例に於いては、 両バルブ V3 · V4 を同時に開放すると共に小停止 時間 t。 を比較的長い 2〜3秒に設定しているが、 当該小停止時間 t。 を零若し くは 0. 5秒以下の極く短い時間に設定した場合には、 両バルブ V3 · V4 の開 (又は閉) の際の時間差によって、 他方の流路 S, に与える流量変動の影響が大 きく変化する。
そのため、 通常、 小停止時間 t。 が極く短い場合には、 流路 s2 側の開放時に は先ずバルブ V4 を開にし、 その約 1秒後にバルブ v3 を開にする。 また、 流路 S2 側の閉鎖時には先ずバルブ V3 を閉にし、 その約 1秒後にバルブ V4 を閉に する。 即ち、 流路 S2 側のマスフローコントローラ DMFC2 に直に大きな流体 圧をかけないようにするのが望ましい。
ガスの本体流はバイパス部 B Pとセンサ部 S Pに分流され、 センサ部 S Pでは 上流側センサ U Sによって生じた熱が下流側センサ D Sにより検知されて瞬間流 量 Qがブリッジ回路 BGにより算出される。 増幅器 AMPを通した後、 瞬間流量
Qは比較回路 CCにより設定流量 Q sと比較され、 前記遅延時間 Δ tだけかかつ てバルブ部 VPを開放してゆく。 そして設定流量 Q sに到達するとその状態で維 持される。
図 3〜図 6は遅延時間 Δ tを変化させた場合の各種信号のタイムチャートを示 す。 これらの測定例では、 遅延時間 Δ tを 8◦ %到達時間として定義している。 即ち、瞬間流量 Qが設定流量 Q sの 80%に到達した時間を遅延時間 Δ tとする。 この他にも各種の定義が採用できるが、 これらの定義の全ては本発明の遅延的時 間に包含されるものである。
図 3は Δ t = 0. 5秒、 図 4は Δ t = 1. 8秒、 図 5は Δ t = 4秒、 図 6は厶 t = 7. 5秒の場合を示している。 小停止時間 t。 は事由に設定でき、 図 3〜図 6では 3〜5秒に設定している。 小停止時間 t。 は更に小さく してもよい。
図 3から図 6において測定されている信号は図 12における信号と同様であり、 その中でマスフ口一コントローラ MFd - MF C2 が時間遅延型マスフローコ ントローラ DMFd · DMF C2 に変更されているだけである。 これらの図を 比較すると、 遅延時間 Δ tを長くする程各種信号の過渡的変動が急減しているこ とが分る。 特に流路 , における信号 P 2 A、 DMFd 、 MFMi の過渡的変 動の極減化は、 流路 S2 の開による流路 Si への影響を抑制するという本発明の 目的が十分に達成されていることを示している。
実施例 2 :圧力式流量制御器の場合
図 7は、請求項 3の並列分流型の流体供給装置の実施例を示した構成図であり、 圧力式流量制御装置を用いたものである。 図 1の時間遅延型マスフ口一コント口 ーラ DMFd · DMF C 2 を圧力式流量制御装置 F C Si · F C S 2 に変更し ただけであり、 他の部材は図 1と同様であるから、 その説明を省略する。
図 8は流路 S , における圧力式流量制御装置 F C S の構成図であり、流路 S 2 におけるものも同様である。 図中、 ORはオリフィス、 はオリフィス上流側 圧力計、 は増幅器、 AZDは AD変換器、 Mは温度補正部、 S Sは流量設 定部、 CCは比較回路、 AP2 は増幅器、 DVは駆動部、 CVはコントロール弁 である- また S S、 CC、 M、 AP2 を全体として演算制御回路 CCCという。 次に上記図 7の実施例の作動について説明する。 今、 流路32 が突然に閉から 開になり、 その圧力変動が流路31 に逆流したとする。 圧力式流量制御装置 FC S! では、 オリフィス上流側圧力 P がオリフィス下流側圧力 P 2 の約 2倍以上 に設定されておれば、 オリフィス ORを通過する瞬問流量 Qは Q = K · Pi (但 し、 Kは定数) で与えられることが理論的に保証されている。 オリフィス上流側圧力計 により測定された上流側圧力は、 増幅器 A Pi を 介した後 AZD変換される。 この後、 温度補正部 Mにより温度補正されて演算流 量 Qcとなる。この演算流量 Qcは前述の瞬間流量 Qであるから、 Q が 成立している。
流量設定部 S Sからは設定流量 Q sが入力されており、 前述の演算流量 Q cと の差が比較回路 CCにより制御信号 Qy (Qy=Q s— Qc) として算出される。 この制御信号 Q yをゼロにするように駆動部 DVがコントロール弁 CVを開閉制 御する。
オリフィス上流側圧力 は瞬間的に測定できるものであるから、 コントロー ル弁 CVの開閉制御は電子的速度で制御可能である。 換言すれば機械的な意味で のコントロール弁の限界的開閉速度にまで高速制御可能である。
従って、 流路 S2 のガス流通によって流路 の圧力 Pi Aが過渡的変動をし ても、 コントロール弁 CVが高速に応答して、 オリフィス通過流量は指令流量 Q sに高速に復帰制御される。 つまり、 圧力式流量制御器を用いる場合には、 流路 間の過渡的な相互変動は直ちに高速補正され、 定常流を保持できるのである。 図 9は、図 7の実施例における各種信号のタイムチャートである。バルブ V3 · V4 を開にして圧力式流量制御装置 FCS2 を作動させると、 FCS2 信号も M FM2 信号も瞬間的にゼロから定常値に到達する。 しかも流路5, の FCS, 信 号および M F M 信号はほとんど変動することなく定常値を保持し続ける。 尚、 圧力式流量制御装置 FCS2 · FCS, を用いる場合には、 前記バルブ V3
' V4 を開放した後の小停止時間 t。 は不要であり、 t。 =◦としている。 以上の結果から、 圧力式流量制御装置を用いると、 流路間の開閉による干渉的 相互作用は高速に補正でき、 流体の定常供給状態を保持することができる。 実施例 3 :流体可変型圧力式流量制御装置の適用例
図 10は、 請求項 5の流体可変型圧力式流量制御装置の使用の一例を示すもの であり、 マスフ口一コントローラを用いる従前の図 18に対応するものである。 流体可変型圧力式流量制御装置を F C S 2 aで表わすと、 F C S 2 、 及び F C S 2 aの 2台の圧力式流量制御装置でもって、 3種の H2 ガス、 〇2 ガス、 N2 ガスを 流量制御する。 尚、 図 10では、 反応炉 RR内へ H2 と 02 を同時に供給するため、 2台の圧 力式流量制御装置 FCS, 、 FC S2aを必要とするが、 02 と N2 とを同時に反 応炉 RRへ供給することは無いため、 〇2 及び N2 の流量制御には流体可変型圧 力式流量制御装置 FC S2aが兼用される。
水分の発生に際しては、 まずバルブ V 3を開、 V i a · V 2 aを閉にして反応 炉 RR内を N2 ガスでパージする。 次に、 バルブ V l a · V 2 aを開、 V 3 aを 閉にして反応炉 RR内に H 2 ガスと 02 ガスを送る。 反応炉 RR内では触媒によ り水蒸気を過不足なく生成し、 この清浄な水蒸気を後続の装置へ送出する。 尚、 ここでは、 H2 ガスと 02 ガスを同時に反応炉 RR内へ供給するようにし ているが、 先に 02 ガスの供給を開始し、 所望時間遅れて H2 ガスが供給される 場合もある。
また、 流体可変型圧力式流量制御装置 FCS2aにより 02 の流量を制御する場 合には、 前記 Q=比 FFXQN の関係式が利用されることは勿論である。
実施例 4 :流体可変型圧力式流量制御装置の他の適用例
図 1 1は、 請求項 5の流体可変型流量制御装置 F C S 2 aの使用の他の例を示す ものであり、 半導体装置に於ける所謂シングルチヤンバーマルチプロセス方式へ 流体可変型圧力式流量制御 F C S 2aを適用した場合を示すものである。
例えば、 図 1 1に於いて、 S iを酸化したあと直にこれを窒化しようとする場 合、 先ず N2 ガスで系内をパージし、 次に H2 ガスと〇2 ガスをプロセスチャン バ一 PR内へ供給して S iを酸化する。 その後 N2 Oガスを供給して S i酸化膜 を窒化し、 最後に N2 ガスを供給して系内をパージする。
その結果、 図 1 1の流量制御装置に於いては、 1台の圧力式流量制御装置 F C Si と 1台の流体可変型圧力式流量制御装置 FCS2a (合計 2台) を必要とする 力;、 もしも当該流体供給装置を従前のマスフローコントローラを用いて構成する とすれば、 予備品を除いても 4基のマスフローコントローラを必要とし、 設備費 の大幅な高騰を招くことになる。
実施例 5 :流体可変型圧力式流量制御装置の第 1例
図 12は、 請求項 5の流体可変型圧力式流量制御装置の第 1実施例のプロック 構成図である。 この流体可変型圧力式流量制御装置 FCS2aはコント口ール弁 2、 その駆動部 4、 圧力検出器 6、 オリフィス 8、 ガス取出用継手 12、 流量演算回路 14、 ガ ス種選択回路 1 5、 流量設定回路 16、 比 FF記憶部 1 7、 流量演算部 18、 流 量表示部 1 9および演算制御回路 20から構成されている。
流量演算回路 14は温度検出器 23、増幅回路 22■ 24、 A/D変換器 26 ■ 28、 温度補正回路 30および演算回路 32から構成される。 また、 演算制御回 路 20は比較回路 34および増幅回路 36から構成される。
前記コントロール弁 2には、 所謂ダイレクトタツチ型のメタルダイヤフラム弁 が使用されており、 また、 その駆動部 4には圧電素子型駆動装置が使用されてい る。 尚、 これらの駆動部としてはこの他に、 磁歪素子型駆動装置やソレノイド型 駆動装置、 モータ型駆動装置、 空気圧型駆動装置、 熱膨張型駆動装置が用いられ る。
前記圧力検出器 6には半導体歪型圧力センサーが使用されているが、 圧力検出 器としてはこの他に、 金属箔歪型圧力センサーや静電容量型圧力センサ一、 磁気 抵抗型圧力センサー等の使用も可能である。
前記温度検出器 23には熱電対型温度センサーが使用されているが、 測温抵抗 型温度センサ一等の公知の各種温度センサ一が使用できる。
前記オリフィス 8には、 板状の金属薄板製ガスケットに切削加工によって孔部 を設けたオリフィスが使用されているが、 オリフィスとしてはこの他に、 エッチ ング及び放電加工により金属膜に孔を形成したオリフィスを使用することができ る。
ガス種選択回路 15は H2 ガス、 02 ガス、 N2 ガスを選択するもので、 流量 設定回路 16はその流量設定信号 Q を演算制御回路 20に指令する。
比 FF記憶部 1 7は N2 ガスに対する比 FFを記憶したメモリーで、 N2 ガス は 1、 〇2 ガスは FF。 /¥ FN 、 H2 ガスは FFH /¥ FN の値に設定されて いる。 ここで、 FFN 、 F Fo 、 F FH は N2 、 02 、 H2 ガスのフローファタ ターである。 例えば、 図示しない F F計算部があり、 その FF値を保存した FF 記憶部からデータを読み込んで比 F F値を計算し、 この比 F F記憶部 1 7に記憶 させてもよい。 流量演算部 18では比 FFのデータを用いて、 流通しているガス種の流量 Qを Q =比 F F XQN (QN は相当 N2 ガス流量) で演算し、 この値を流量表示部 1 9に表示する。
次に、 この流体可変型圧力式流量制御装置 F C S 2aの作動について説明する。 初めに、 この装置全体は N2 ガスを基準に初期設定されているとする。
まず、 ガス種選択回路 1 5で N2 ガスを選択し、 流量設定信号 を流量設定 回路 16から指令する。 コントロール弁 2 cを開き、 オリフィス 8の上流側の気 体圧力 P, が圧力検出器 6によって検出され、 増幅器 22、 /0変換器26を 経て、 デジタル化された信号が演算回路 32へ出力される。
同様に、 オリフィス上流側の気体温度 T: が温度検出器 23で検出され、 増幅 器 24および A/D変換器 28を経て、 デジタル化された温度信号が温度補正回 路 30に入力される。
演算回路 32では、 圧力信号 を用いて、 流量 Qが Q-KPi として演算さ れると共に、 前記温度補正回路 30からの補正信号を用いて前記流量 Qの温度補 正が行なわれ、 演算流量 Qc が比較回路 34へ出力される。 この式の定数 Kは N2 ガスに対して設定されていることは前述の通りである。
演算流量 Qc と流量設定信号 Qe との差信号 Qy が比較回路 34から増幅器 3 6を介して出力され、 差信号 Qy が零になるように駆動部 4によりコントロール 弁 2を開閉する。 この一連の動作によって所定量の N2 ガスが図 1の反応炉 RR に送出される。
また、 比 FF記憶部 1 7では N2 ガスの比フローファクタ一である 1が選択さ れ、 流量演算部 18では Q= 1 XQc から Q = QC が計算され、 流量表示部 19 でその N2 ガス流量 Qc が表示される。
つづいて、 ガス種選択回路 1 5で〇2 ガスを選択し、 その流量設定流量 QE が 流量設定回路 16から指令される。 前述した定数 Kは N2 ガスに対応するように 初期設定されているから、 本実施例では信号 は N2 ガスに換算された値に設 定される。 上述と同様に、 Qc を介して演算流量 Qc が Qe に等しくな るまでコントロール弁 2の開閉調整が行なわれる。
演算流量 Qc が流量設定信号 Qe に等しくなつても、 実際に流通しているのは 02 ガスであり、 実ガス流量 Qは Q=F F。 ZF FN XQc だけオリフィス 8を 流れている。
従って、 比 F F記憶部 1 7では比フローファクターとして F F。 /F FN が選 択され、 流量演算部 1 8では Q = F F。 ZF FN XQC として 02 ガス流量が計 算され、 流量表示部 1 9でその数値が表示される。
上記実施例では、 たとえ〇2 ガスを選択しても、 流量設定回路 1 6からはその 実際の流量が指令されるのではなく、 その N2 ガス相等量に換算された流量設定 信号 Qe が出力されている。
実施例 6 :流体可変型圧力式流量制御装置の第 2例
図 1 3はこの点を改善した流体可変型圧力式流量制御装置の第 2実施例のプロ ック構成図である。 図 3と異なる点だけを説明すると、 比 F F記憶部 1 7を有し た逆比 FF演算回路 2 2を付カ卩していることである。
例えば、 ガス種選択回路 1 5により 02 ガスを選択すると、 流量設定回路 1 6 からは実際の 02 ガス流量を流量設定信号 として出力する。 この信号 Qe を 比 FF記憶部 1 7の比 FFを使って逆比 FF演算回路 2 1により N2 ガス相等量 に換算する。 即ち、 Qe に比フローファクターの逆数を掛け、 Qk = / (FFo ZF FN ) XQ から N2 ガス相等信号 Qk に変換する。 流体可変型圧力式流量 制御装置が N 2 ガスで初期設定されているからである。
この図 1 3の実施例では、流量演算部 1 8は必要としない。流量設定信号 Q = 自 体が 02 ガス流量であるから、 この流量設定信号 QE を流量表示部 1 9で表示す るだけでよレ、。 H2 ガス、 N2 ガスに対しても同様であることは云うまでもない。 本発明は上記各実施例に限定されるものではなく、 本発明の技術的思想を逸脱 しない範囲における種々の変形例、 設計変更等をその技術的範囲内に包含するも のである。
発明の効果
請求項 1によれば、 ある流路を閉から開にして流体を供給する場合に、 その流 路のマスフローコントローラの動作に時間遅延作用を施こしたから、 他の流路に 対する過渡的変動を極減化することができる。 従って、 他の流路の定常流を安定 に保持でき、 1個のレギユレータによって複数の流路の定常制御を実現できる。 請求項 2によれば、 マスフローコントローラの遅延時間を任意に可変設定でき るから、 最も有効な定常制御を実現できる。
請求項 3によれば、 流量制御装置として圧力式流量制御装置を導入したので、 各流路の流量制御の高速化を実現でき、 流路間の干渉的な過渡的変動をその高速 性により吸収でき、 各流路の定常制御を高速且つ確実に実現できる。
請求項 4の発明によれば、 圧力式流量制御装置がガス種 A (例えば N 2 ガス) で初期設定されていても、任意のガス種 Bを流通させたときにフローファクター を通してガス種 Bの流量に容易に変換できるから、 一台の圧力式流量制御装置を 多種類のガス種に対して使用できる方法を与えている。 従って、 従前のマスフ口 一メータを用いた流量制御装置や、 マスフローメータを単に圧力式流量制御装置 に置き換えした流量制御方式に比較して、 安価で広範囲のガス種に対し高精度に 対応できる流量制御方法が実現できた。
請求項 5によれば、 請求項 4の方法を直ちに応用することができ、 請求項 4の 場合と同一の効用が得られる。

Claims

請 求 の 範 囲
1. 流体を圧力調整するレギユレ一タ (RG) と、 このレギユレータ (RG) か ら送出される流体を並列的に分流させる複数本の流路 (Si ) 、 (S2 ) と、 各 流路に設けられた流量制御用のマスフローコントローラ (DMFd ) 、 (DM FC2 ) とから構成され、 ある流路のマスフローコントローラを動作させてその 流路を流体の閉鎖状態から設定流量での流通状態に流通制御するとき、 このマス フローコントローラが動作開始点から設定流量値 (Q S) に到るまでに遅延時間
(厶 t) を有するように設定したことを特徴とする並列分流型の流体供給装置。
2. 前記遅延時間 (A t) を調節できるようにした請求項 1に記載の並列分流型 の流体供給装置。
3. 流体を圧力調整するレギユレータ (RG) と、 このレギユレ一タ (RG) 力、 ら送出される流体を並列的に分流させる複数本の流路 (Si ) 、 (S2 ) と、 各 流路に設けられた圧力式流量制御装置 (FCSi ) 、 (FCS2 ) とから構成さ れ、 この圧力式流量制御装置はオリフィス ORと、 その上流側に設けたコント口 ール弁 (CV) と、 オリフィスとコントロール弁の間に設けた圧力検出器と、 ォ リフィス上流側圧力 Pi を下流側圧力 P2 の 2倍以上に設定しながら圧力検出器 の検出圧力 Pi から流量を Qc-KPi (但し Kは定数) として演算し、 この演 算流量 Q cと設定流量 Q sとの差を制御信号 Qyとしてコントロール弁 (CV) の駆動部 (DV) に出力する演算制御回路 (CCC) とからなり、 コントロール 弁を開閉してオリフィス下流側流量を制御することを特徴とする並列分流型の流 体供給装置。
4. オリフィスの上流側圧力 Pi を下流側圧力 P 2 の約 2倍以上に保持した状態 でオリフィスを通過するガスの演算流量 Q cを Q c =KPュ (Κは定数) として 演算する流量制御方法において、 ガス種毎にフローファクター FFを
FF= (k/vs ) {2/ (Κ + 1) { κ / { ( κ + l ) R} 〕 1/2
Ύ ガスの標準状態に於ける密度
κ ガスの比熱比
R ガス定数
k ガス種に依存しなレ、比例定数 により計算し、 ガス種 Aの演算流量が QA の場合に、 同一オリフィス、 冋ー上 流側圧力および同一上流側温度の条件下でガス種 Bを流通させたとき、 その演 算流量 QB
QB = (F FB /F FA ) QA
F FA : ガス種 Aのフローファクター
F FB : ガス種 Bのフローファクター
として算出することを特徴とするフローファクタ一による流体可変型圧力式流 量制御方法。
5. コント口ール弁とオリフィスとこれらの間の上流側圧力を検出する圧力検出 器と流量設定回路からなり、 上流側圧力 を下流側圧力 P 2 の約 2倍以上に保 持しながら特定のガス種 Aに関し下流側の流量 Q cを Q c (K:定数) で演算できるように設定し、 この演算流量 Q cと設定流量 Q sとの差信号により コントロール弁を開閉制御する圧力式流量制御装置において、 ガス種毎にフロー ファクター F Fを
F F= (k/y s ) [ 2/ (κ + 1 ) } 1/ '1} [κ/ { (κ + l ) R} 〕 1/2
7 s : ガスの標準状態に於ける密度
κ : ガスの比熱比
R : ガス定数
k : ガス種に依存しない比例定数
により計算し、 ガス種 Bのガス種 Aに対する比フローファクター (F FB ZF FA ) を記憶する記憶部を設け、 基準となるガス種 Aの演算流量が QA の場合 に、 同一オリフィス、 同一上流側圧力および同一上流側温度の条件下でガス種 Bを流通させたとき、 その演算流量 QB
QB = (F FB /¥ FA ) QA
として算出する演算部を設けたことを特徴とするフローファクターによる流体 可変型圧力式流量制御装置。
6. 何れかの流路に設けた圧力式流量制御装置を請求項 5に記載の流体可変型圧 力式流量制御装置とするようにした請求項 3に記載の並列分流型の流体供給装置。
PCT/JP2000/002160 1999-04-16 2000-04-03 Dispositif d'alimentation en fluide du type derivation parallele, et procede et dispositif de commande du debit d'un systeme de pression du type a fluide variable utilise dans ledit dispositif WO2000063756A1 (fr)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP00913087A EP1096351A4 (en) 1999-04-16 2000-04-03 FLUID SUPPLY DEVICE OF THE PARALLEL BYPASS TYPE, AND METHOD AND DEVICE FOR CONTROLLING THE FLOW OF A VARIABLE FLUID TYPE PRESSURE SYSTEM USED IN SAID DEVICE
US09/734,640 US6422264B2 (en) 1999-04-16 2000-12-13 Parallel divided flow-type fluid supply apparatus, and fluid-switchable pressure-type flow control method and fluid-switchable pressure-type flow control system for the same fluid supply apparatus
US10/162,552 US6820632B2 (en) 1999-04-16 2002-06-06 Parallel divided flow-type fluid supply apparatus, and fluid-switchable pressure-type flow control method and fluid-switchable pressure-type flow control system for the same fluid supply apparatus
US10/775,104 US6848470B2 (en) 1999-04-16 2004-02-11 Parallel divided flow-type fluid supply apparatus, and fluid-switchable pressure-type flow control method and fluid-switchable pressure-type flow control system for the same fluid supply apparatus

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11/108689 1999-04-16
JP10868999A JP3626874B2 (ja) 1999-04-16 1999-04-16 並列分流型の流体供給装置
JP11/129109 1999-05-10
JP12910999A JP3387849B2 (ja) 1999-05-10 1999-05-10 フローファクターによる流体可変型流量制御方法およびその装置

Related Child Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US09/734,640 Continuation US6422264B2 (en) 1999-04-16 2000-12-13 Parallel divided flow-type fluid supply apparatus, and fluid-switchable pressure-type flow control method and fluid-switchable pressure-type flow control system for the same fluid supply apparatus
US09/734,640 A-371-Of-International US6422264B2 (en) 1999-04-16 2000-12-13 Parallel divided flow-type fluid supply apparatus, and fluid-switchable pressure-type flow control method and fluid-switchable pressure-type flow control system for the same fluid supply apparatus
US10/162,552 Division US6820632B2 (en) 1999-04-16 2002-06-06 Parallel divided flow-type fluid supply apparatus, and fluid-switchable pressure-type flow control method and fluid-switchable pressure-type flow control system for the same fluid supply apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2000063756A1 true WO2000063756A1 (fr) 2000-10-26

Family

ID=26448522

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2000/002160 WO2000063756A1 (fr) 1999-04-16 2000-04-03 Dispositif d'alimentation en fluide du type derivation parallele, et procede et dispositif de commande du debit d'un systeme de pression du type a fluide variable utilise dans ledit dispositif

Country Status (5)

Country Link
US (3) US6422264B2 (ja)
EP (2) EP2028577A2 (ja)
KR (1) KR100427563B1 (ja)
TW (1) TW445401B (ja)
WO (1) WO2000063756A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008136042A1 (ja) * 2007-04-17 2008-11-13 Fujikin Incorporated 水分発生用反応炉の並列運転方法
WO2009085866A2 (en) * 2007-12-27 2009-07-09 Lam Research Corporation Gas transport delay resolution for short etch recipes
CN108007925A (zh) * 2017-11-16 2018-05-08 国网福建省电力有限公司泉州供电公司 Sf6气体分解物比色法检测仪

Families Citing this family (97)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000063756A1 (fr) * 1999-04-16 2000-10-26 Fujikin Incorporated Dispositif d'alimentation en fluide du type derivation parallele, et procede et dispositif de commande du debit d'un systeme de pression du type a fluide variable utilise dans ledit dispositif
JP2002143751A (ja) * 2000-10-17 2002-05-21 L'air Liquide Sa Pour L'etude & L'exploitation Des Procede S Georges Claude 処理液分配装置及び方法
WO2002061179A1 (en) * 2001-01-19 2002-08-08 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for gas injection system with minimum particulate contamination
US6752166B2 (en) 2001-05-24 2004-06-22 Celerity Group, Inc. Method and apparatus for providing a determined ratio of process fluids
JP3856730B2 (ja) * 2002-06-03 2006-12-13 東京エレクトロン株式会社 流量制御装置を備えたガス供給設備からのチャンバーへのガス分流供給方法。
AU2003262953A1 (en) * 2002-08-27 2004-03-19 Celerity Group, Inc. Modular substrate gas panel having manifold connections in a common plane
TWI344525B (en) 2003-01-17 2011-07-01 Applied Materials Inc Combination manual/pneumatics valve for fluid control assembly
US20040168719A1 (en) * 2003-02-28 2004-09-02 Masahiro Nambu System for dividing gas flow
JP4454964B2 (ja) * 2003-06-09 2010-04-21 東京エレクトロン株式会社 分圧制御システム及び流量制御システム
KR100541050B1 (ko) * 2003-07-22 2006-01-11 삼성전자주식회사 가스공급장치 및 이를 이용한 반도체소자 제조설비
JP4331539B2 (ja) * 2003-07-31 2009-09-16 株式会社フジキン チャンバへのガス供給装置及びこれを用いたチャンバの内圧制御方法
US20050075685A1 (en) * 2003-10-02 2005-04-07 Forsberg John W. Medical device programmer with infrared communication
JP4399227B2 (ja) * 2003-10-06 2010-01-13 株式会社フジキン チャンバの内圧制御装置及び内圧被制御式チャンバ
US7437944B2 (en) 2003-12-04 2008-10-21 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for pressure and mix ratio control
US20050120805A1 (en) * 2003-12-04 2005-06-09 John Lane Method and apparatus for substrate temperature control
US7628861B2 (en) * 2004-12-17 2009-12-08 Mks Instruments, Inc. Pulsed mass flow delivery system and method
US7628860B2 (en) * 2004-04-12 2009-12-08 Mks Instruments, Inc. Pulsed mass flow delivery system and method
CN102895663A (zh) 2004-04-14 2013-01-30 健泰科生物技术公司 含有用于调节血管发育的egfl7拮抗剂的组合物及方法
KR101230712B1 (ko) 2004-08-03 2013-02-07 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
US20060130755A1 (en) * 2004-12-17 2006-06-22 Clark William R Pulsed mass flow measurement system and method
US9921089B2 (en) 2005-06-27 2018-03-20 Fujikin Incorporated Flow rate range variable type flow rate control apparatus
US9383758B2 (en) 2005-06-27 2016-07-05 Fujikin Incorporated Flow rate range variable type flow rate control apparatus
JP4856905B2 (ja) * 2005-06-27 2012-01-18 国立大学法人東北大学 流量レンジ可変型流量制御装置
JP4690827B2 (ja) * 2005-08-26 2011-06-01 株式会社フジキン ガスケット型オリフィス及びこれを用いた圧力式流量制御装置
JP2007102754A (ja) * 2005-09-09 2007-04-19 Advance Denki Kogyo Kk 流量制御装置
US20070205384A1 (en) * 2006-03-02 2007-09-06 Smc Kabushiki Kaisha Flow Rate Control Apparatus
JP4814706B2 (ja) * 2006-06-27 2011-11-16 株式会社フジキン 流量比可変型流体供給装置
CA2678331A1 (en) * 2007-01-30 2008-08-07 Bradley University A heat transfer apparatus and method
US7775236B2 (en) * 2007-02-26 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling gas flow to a processing chamber
US8074677B2 (en) 2007-02-26 2011-12-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling gas flow to a processing chamber
US7846497B2 (en) * 2007-02-26 2010-12-07 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling gas flow to a processing chamber
JP5134841B2 (ja) * 2007-03-16 2013-01-30 Ckd株式会社 ガス供給ユニット
US20080302426A1 (en) * 2007-06-06 2008-12-11 Greg Patrick Mulligan System and method of securing removable components for distribution of fluids
JP5054500B2 (ja) * 2007-12-11 2012-10-24 株式会社フジキン 圧力制御式流量基準器
JP5027729B2 (ja) * 2008-04-25 2012-09-19 株式会社フジキン 流量自己診断機能を備えた圧力式流量制御装置の圧力制御弁用駆動回路
KR101162546B1 (ko) * 2008-05-21 2012-07-05 가부시키가이샤 후지킨 압력식 유량 제어 장치를 이용한 유체의 비연속식 유량 스위칭 제어 방법
JP5177864B2 (ja) * 2008-06-04 2013-04-10 株式会社フジキン 熱式質量流量調整器用自動圧力調整器
US8340827B2 (en) * 2008-06-20 2012-12-25 Lam Research Corporation Methods for controlling time scale of gas delivery into a processing chamber
DK2307938T3 (da) * 2008-06-26 2013-12-16 Belparts Strømningsstyresystem
US20100084023A1 (en) * 2008-10-07 2010-04-08 Chris Melcer Flow control module for a fluid delivery system
CN102459338A (zh) 2009-05-08 2012-05-16 霍夫曼-拉罗奇有限公司 人源化抗egfl7抗体及其使用方法
US8307854B1 (en) 2009-05-14 2012-11-13 Vistadeltek, Inc. Fluid delivery substrates for building removable standard fluid delivery sticks
TWI534922B (zh) * 2009-06-10 2016-05-21 威士塔戴爾泰克有限責任公司 極端流量和/或高溫流體輸送基板
US9127361B2 (en) * 2009-12-07 2015-09-08 Mks Instruments, Inc. Methods of and apparatus for controlling pressure in multiple zones of a process tool
US8321060B2 (en) * 2010-04-27 2012-11-27 Hitachi Metals, Ltd Method and system of on-tool and on-site MFC optimization providing consistent response
JP5562712B2 (ja) * 2010-04-30 2014-07-30 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置用のガス供給装置
US9348339B2 (en) 2010-09-29 2016-05-24 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for multiple-channel pulse gas delivery system
US8997686B2 (en) * 2010-09-29 2015-04-07 Mks Instruments, Inc. System for and method of fast pulse gas delivery
EP2458358B1 (en) * 2010-11-29 2017-09-27 Corning Incorporated In-line contactless pressure sensors and methods of measuring pressure
US10031531B2 (en) 2011-02-25 2018-07-24 Mks Instruments, Inc. System for and method of multiple channel fast pulse gas delivery
US10353408B2 (en) 2011-02-25 2019-07-16 Mks Instruments, Inc. System for and method of fast pulse gas delivery
US10126760B2 (en) 2011-02-25 2018-11-13 Mks Instruments, Inc. System for and method of fast pulse gas delivery
US9958302B2 (en) 2011-08-20 2018-05-01 Reno Technologies, Inc. Flow control system, method, and apparatus
US9188989B1 (en) 2011-08-20 2015-11-17 Daniel T. Mudd Flow node to deliver process gas using a remote pressure measurement device
US9644796B2 (en) 2011-09-29 2017-05-09 Applied Materials, Inc. Methods for in-situ calibration of a flow controller
US9772629B2 (en) 2011-09-29 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Methods for monitoring a flow controller coupled to a process chamber
JP5754853B2 (ja) * 2012-01-30 2015-07-29 株式会社フジキン 半導体製造装置のガス分流供給装置
US9062993B2 (en) * 2012-05-22 2015-06-23 E I Du Pont De Nemours And Company Method and apparatus for liquid flow calibration check
US9004107B2 (en) * 2012-08-21 2015-04-14 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for enhanced gas flow rate control
US10031005B2 (en) 2012-09-25 2018-07-24 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for self verification of pressure-based mass flow controllers
US20140230910A1 (en) * 2013-02-20 2014-08-21 Agilent Technologies, Inc. Split-channel gas flow control
US9454158B2 (en) 2013-03-15 2016-09-27 Bhushan Somani Real time diagnostics for flow controller systems and methods
ES2786903T3 (es) * 2013-09-04 2020-10-14 Rubicon Res Pty Ltd Procedimiento de gestión y control de la demanda de redes de tuberías de fluido
JP6289997B2 (ja) * 2014-05-14 2018-03-07 株式会社堀場エステック 流量センサの検査方法、検査システム、及び、検査システム用プログラム
CN104142695A (zh) * 2014-07-02 2014-11-12 苏州宏瑞净化科技有限公司 一种合流式气体流量控制装置
WO2016010035A1 (ja) 2014-07-15 2016-01-21 日立金属株式会社 流体の流量を制御する方法、当該方法を実行する質量流量制御装置及び当該質量流量制御装置を用いた質量流量制御システム
JP6415889B2 (ja) * 2014-08-01 2018-10-31 株式会社堀場エステック 流量制御装置、流量制御装置用プログラム、及び、流量制御方法
TW201634738A (zh) * 2015-01-22 2016-10-01 應用材料股份有限公司 用於在空間上分離之原子層沉積腔室的經改良注射器
GB2542650B (en) * 2015-06-10 2018-05-30 Waters Technologies Corp Sensor body for a flow through pressure sensor
US10957561B2 (en) * 2015-07-30 2021-03-23 Lam Research Corporation Gas delivery system
US10192751B2 (en) 2015-10-15 2019-01-29 Lam Research Corporation Systems and methods for ultrahigh selective nitride etch
US10825659B2 (en) 2016-01-07 2020-11-03 Lam Research Corporation Substrate processing chamber including multiple gas injection points and dual injector
US10651015B2 (en) 2016-02-12 2020-05-12 Lam Research Corporation Variable depth edge ring for etch uniformity control
US10147588B2 (en) 2016-02-12 2018-12-04 Lam Research Corporation System and method for increasing electron density levels in a plasma of a substrate processing system
US10699878B2 (en) 2016-02-12 2020-06-30 Lam Research Corporation Chamber member of a plasma source and pedestal with radially outward positioned lift pins for translation of a substrate c-ring
US10438833B2 (en) 2016-02-16 2019-10-08 Lam Research Corporation Wafer lift ring system for wafer transfer
WO2017146558A1 (es) * 2016-02-23 2017-08-31 Electro Controles Del Noroeste S.A. De C.V. Sistema modular dosificador de fluidos y su proceso
US11144075B2 (en) 2016-06-30 2021-10-12 Ichor Systems, Inc. Flow control system, method, and apparatus
US10838437B2 (en) 2018-02-22 2020-11-17 Ichor Systems, Inc. Apparatus for splitting flow of process gas and method of operating same
US10679880B2 (en) 2016-09-27 2020-06-09 Ichor Systems, Inc. Method of achieving improved transient response in apparatus for controlling flow and system for accomplishing same
US10303189B2 (en) 2016-06-30 2019-05-28 Reno Technologies, Inc. Flow control system, method, and apparatus
US20180046206A1 (en) * 2016-08-13 2018-02-15 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling gas flow to a process chamber
US10410832B2 (en) 2016-08-19 2019-09-10 Lam Research Corporation Control of on-wafer CD uniformity with movable edge ring and gas injection adjustment
JP6600854B2 (ja) * 2016-08-24 2019-11-06 株式会社フジキン 圧力式流量制御装置、その流量算出方法および流量制御方法
KR102177916B1 (ko) * 2016-09-12 2020-11-12 가부시키가이샤 후지킨 유체제어장치, 이것에 사용하는 베이스 블록 및 유체제어장치의 제조 방법
FR3056314B1 (fr) * 2016-09-21 2018-09-07 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Procede et appareil de regulation de plusieurs fluides
KR102208101B1 (ko) * 2016-10-14 2021-01-27 가부시키가이샤 후지킨 유체 제어 장치
US10663337B2 (en) 2016-12-30 2020-05-26 Ichor Systems, Inc. Apparatus for controlling flow and method of calibrating same
US10983538B2 (en) 2017-02-27 2021-04-20 Flow Devices And Systems Inc. Systems and methods for flow sensor back pressure adjustment for mass flow controller
JP6670791B2 (ja) * 2017-03-30 2020-03-25 東京エレクトロン株式会社 流量制御器を検査する方法及び被処理体を処理する方法
JP7270988B2 (ja) * 2018-02-26 2023-05-11 株式会社フジキン 流量制御装置および流量制御方法
CN111174095A (zh) * 2020-01-06 2020-05-19 阜阳国祯燃气有限公司 一种天然气输送气流调压系统
CN111736488A (zh) * 2020-07-02 2020-10-02 上海核工程研究设计院有限公司 一种自动搜索并联通道流动不稳定性边界的方法
KR20230150309A (ko) 2021-03-03 2023-10-30 아이커 시스템즈, 인크. 매니폴드 조립체를 포함하는 유체 유동 제어 시스템
CN112938937B (zh) * 2021-03-25 2022-05-31 安徽晟捷新能源科技股份有限公司 一种基于碳纳米管生产的气体加热流量控制设备
US11199861B2 (en) * 2021-03-26 2021-12-14 CleanNesta LLC Integrated variable pressure and flow regulator
EP4105555A1 (en) 2021-06-14 2022-12-21 Siemens Aktiengesellschaft Gas valve assembly

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08286760A (ja) * 1995-04-13 1996-11-01 Inax Corp 給水制御方法
JPH08338546A (ja) * 1995-06-12 1996-12-24 Fujikin:Kk 圧力式流量制御装置
JP2000066732A (ja) * 1998-08-24 2000-03-03 Tadahiro Omi 流体可変型流量制御装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4275752A (en) * 1978-09-22 1981-06-30 Collier Nigel A Fluid flow apparatus and method
JPS60155091A (ja) * 1984-01-25 1985-08-14 アルバツクサ−ビス株式会社 流体用微小流量調節器
US5146941A (en) * 1991-09-12 1992-09-15 Unitech Development Corp. High turndown mass flow control system for regulating gas flow to a variable pressure system
DE4216075C2 (de) * 1992-05-15 1997-09-18 Martin Umwelt & Energietech Löteinrichtung
JPH05341849A (ja) * 1992-06-12 1993-12-24 Toshiba Corp 蒸気タービン発電プラントの流体流量制御装置
JPH0710935U (ja) * 1993-07-24 1995-02-14 ヤマハ株式会社 縦型熱処理炉
JP2837112B2 (ja) * 1995-06-09 1998-12-14 株式会社平井 音速ノズルを用いた質量流量制御方法および装置
JP3442604B2 (ja) * 1996-02-15 2003-09-02 株式会社フジキン 混合ガスの供給方法及び混合ガス供給装置並びにこれらを備えた半導体製造装置
US5868159A (en) * 1996-07-12 1999-02-09 Mks Instruments, Inc. Pressure-based mass flow controller
JP3580645B2 (ja) * 1996-08-12 2004-10-27 忠弘 大見 圧力式流量制御装置
US5944048A (en) * 1996-10-04 1999-08-31 Emerson Electric Co. Method and apparatus for detecting and controlling mass flow
US5911238A (en) * 1996-10-04 1999-06-15 Emerson Electric Co. Thermal mass flowmeter and mass flow controller, flowmetering system and method
JP3808975B2 (ja) * 1997-06-17 2006-08-16 忠弘 大見 半導体製造用水分の発生方法
WO2000063756A1 (fr) 1999-04-16 2000-10-26 Fujikin Incorporated Dispositif d'alimentation en fluide du type derivation parallele, et procede et dispositif de commande du debit d'un systeme de pression du type a fluide variable utilise dans ledit dispositif
US6210482B1 (en) * 1999-04-22 2001-04-03 Fujikin Incorporated Apparatus for feeding gases for use in semiconductor manufacturing

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08286760A (ja) * 1995-04-13 1996-11-01 Inax Corp 給水制御方法
JPH08338546A (ja) * 1995-06-12 1996-12-24 Fujikin:Kk 圧力式流量制御装置
JP2000066732A (ja) * 1998-08-24 2000-03-03 Tadahiro Omi 流体可変型流量制御装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1096351A4 *

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008136042A1 (ja) * 2007-04-17 2008-11-13 Fujikin Incorporated 水分発生用反応炉の並列運転方法
US8469046B2 (en) 2007-04-17 2013-06-25 Fujikin Incorporated Method for parallel operation of reactors that generate moisture
JP5315235B2 (ja) * 2007-04-17 2013-10-16 株式会社フジキン 水分発生用反応炉の並列運転方法
WO2009085866A2 (en) * 2007-12-27 2009-07-09 Lam Research Corporation Gas transport delay resolution for short etch recipes
WO2009085866A3 (en) * 2007-12-27 2009-10-01 Lam Research Corporation Gas transport delay resolution for short etch recipes
US8794267B2 (en) 2007-12-27 2014-08-05 Lam Research Corporation Gas transport delay resolution for short etch recipes
CN108007925A (zh) * 2017-11-16 2018-05-08 国网福建省电力有限公司泉州供电公司 Sf6气体分解物比色法检测仪

Also Published As

Publication number Publication date
US20010004903A1 (en) 2001-06-28
US6422264B2 (en) 2002-07-23
US20040154664A1 (en) 2004-08-12
KR100427563B1 (ko) 2004-04-27
US6820632B2 (en) 2004-11-23
EP1096351A4 (en) 2004-12-15
EP2028577A2 (en) 2009-02-25
US6848470B2 (en) 2005-02-01
TW445401B (en) 2001-07-11
US20020179149A1 (en) 2002-12-05
KR20010052885A (ko) 2001-06-25
EP1096351A1 (en) 2001-05-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2000063756A1 (fr) Dispositif d'alimentation en fluide du type derivation parallele, et procede et dispositif de commande du debit d'un systeme de pression du type a fluide variable utilise dans ledit dispositif
JP5174032B2 (ja) 質量流量コントローラのコントローラ利得スケジューリング
EP2065779B1 (en) Pressure regulator and vibration isolator
US10031005B2 (en) Method and apparatus for self verification of pressure-based mass flow controllers
EP1026566B1 (en) Versatile flow rate controller
JP4594728B2 (ja) より高い正確度の圧力に基づく流れコントローラ
US7461549B1 (en) Mass flow verifiers capable of providing different volumes, and related methods
KR101930304B1 (ko) 유량계
JPH11212653A (ja) 流体供給装置
JP5372353B2 (ja) 半導体製造装置用ガス供給装置
US6074691A (en) Method for monitoring the flow of a gas into a vacuum reactor
JP3387849B2 (ja) フローファクターによる流体可変型流量制御方法およびその装置
JP7131561B2 (ja) 質量流量制御システム並びに当該システムを含む半導体製造装置及び気化器
JP3626874B2 (ja) 並列分流型の流体供給装置
JPWO2020026784A1 (ja) 流量制御システム及び流量測定方法
JP3311762B2 (ja) マスフローコントローラと半導体装置の製造装置
JP2023080611A (ja) 流量制御装置、流量制御方法、及び、流量制御装置用プログラム
TW200523532A (en) Device, method, and system for controlling fluid flow

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): KR US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2000913087

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 09734640

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020007014228

Country of ref document: KR

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2000913087

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020007014228

Country of ref document: KR

ENP Entry into the national phase

Ref country code: US

Ref document number: 2002 162552

Date of ref document: 20020606

Kind code of ref document: A

Format of ref document f/p: F

WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 1020007014228

Country of ref document: KR