WO2001025843A1 - Element a cristaux liquides, dispositif afficheur a cristaux liquides et procedes de fabrication s'y rapportant - Google Patents

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WO2001025843A1
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liquid crystal
electrode
film
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crystal element
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Kazuhiro Nishiyama
Junko Asayama
Kazunori Komori
Yukio Tanaka
Akio Takimoto
Kazuo Inoue
Katsuhiko Kumagawa
Ichiro Sato
Hirofumi Wakemoto
Noriyuki Kizu
Masanori Kimura
Keisuke Tsuda
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Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
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    • G02F1/134363Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]

Definitions

  • Fine liquid crystal element Fine liquid crystal element, liquid crystal display device, and manufacturing method thereof Technical field
  • the present invention relates to a liquid crystal device, and particularly to a liquid crystal device of an in-plane switching method. Background technology
  • Liquid crystal devices especially liquid crystal display devices, include notebook type personal computer and desktop personal computer monitors, and video camera viewfinders. First, it is used for the display of various devices such as projection displays and related parts, and recently it is used as a display for TV. I'm getting started.
  • liquid crystal elements are most often used for display devices, and the liquid crystal display mode is TN (twisted state nematic) mode.
  • TN twisted state nematic
  • VA vertical orientation
  • IPS In-Plane-Switching
  • the IPS mode is also called a horizontal electric field method or a comb-shaped electrode method, in which liquid crystal molecules are oriented almost parallel to the substrate surface, and an electric field parallel to the substrate surface. Since the liquid crystal molecules are rotated in the substrate surface by generating the liquid crystal, the change in brightness depending on the viewing angle is small, and the viewing angle characteristics are excellent. (See “LCD Display Technology”). 4 ”, Industrial Books, etc., and Japanese Patent Application Laid-Open No. H10-206686 7” 3 ⁇ 4 f. In addition to the above, as an improved version of the IPS method, the electrode spacing is narrowed and the oblique power is reduced.
  • FFS mode Ringe Field Switching Mode
  • HS mode Hybrid Switching Mode
  • an electrode is formed on the opposite substrate side to use an oblique electric field for IJ
  • both of these methods have some aspects that are not strictly or purely technically included in the IPS method, the present invention will be described later.
  • the purpose, structure, and effect are common (or the idea of the present invention is used) .
  • the F.FS mode and the HS mode shall be included.
  • FIG. 1 is an array substrate.
  • 2 is a counter substrate.
  • 3 is a liquid crystal.
  • 6 is a source wire.
  • the technical contents of each of these modes are so-called well-known technologies, and a description thereof will be omitted.
  • the filling of the liquid crystal into the liquid crystal panel is performed by first printing the seal resin band 2 on one glass substrate 2 by printing. 01 is printed thinly in a square, then a cell is formed together with the other glass substrate 1, and then the liquid crystal is injected into the cell from the injection port formed by removing a part of the sealing resin. After vacuum filling, the liquid crystal is sealed by applying UV curable resin 202 to the injection port. Thereafter, the resin for sealing was cured by irradiation with ultraviolet light (UV).
  • UV ultraviolet light
  • the display may be a white dot-like display, and if the display is a color display, the display may be uneven.
  • the color of black and white is not necessarily limited to black and white.Therefore, "black dot-like display unevenness" and the like in this specification are caused by a decrease in the voltage holding ratio.
  • Fig. 4 schematically shows the plane of one pixel on the array substrate of one liquid crystal display device. This is the figure shown.
  • (1) and (2) in FIG. 5 are views showing cross sections A--A and B--B in FIG. 4, respectively.
  • (1), (2) and (3) in FIG. 6 are cross-sectional views taken along lines C—C, D—D, and E—E in FIG. 1, respectively.
  • the counter substrate is the same as in (1), so that the illustration thereof is omitted.
  • 5 is a common electrode, 7 is a gate signal wiring, and these are formed in the same layer.
  • an insulating layer 8 is formed on the upper layer (the liquid crystal layer side), and a thin-film transistor (TFT) 17 composed of a semiconductor layer and a source signal are further formed.
  • a wiring 6 and a pixel electrode 4 are formed in a pattern, and a protective layer 10 is deposited thereon to form an array substrate 1.
  • An alignment film 9 is formed on this array substrate and on an opposing (color-filling) substrate 2 facing the array substrate, and an alignment film 9 is formed between the two substrates.
  • Layer 3 is formed to constitute a liquid crystal display panel.
  • Figure 6 is a slightly more precise cross section. This will be explained later.
  • the IPS and the PN-type cells have electrodes on the same plane.
  • the electrode connected to the drain of the thin-film transistor is called the pixel electrode, and the electrode not connected to the drain is called the common electrode.
  • the electrode material when forming the gate signal wiring and the common electrode on the same surface, the electrode material is usually formed by a sputtering method or the like. After depositing the material, the photolithography method is used to form a turn.
  • the photolithography method is used to form a turn.
  • Fig. 7 and Fig. 8 when 5 contained in the resist 'material was present at a place where the electrode material should be removed, the foreign material could not be exposed.
  • the parts that should be removed and formed as separate wiring and electrodes remain, resulting in continuous wiring and short-circuiting. There are times when you do.
  • the short section is cut with a laser or the like.
  • the electrode at that location was also cut, and the insulating film on the gate electrode was also destroyed. As a result, the gate electrode is exposed.
  • a cyano-based liquid crystal in which a wide viewing angle is achieved by applying an electric field parallel or oblique to the substrate, a cyano-based liquid crystal has conventionally been used.
  • cyano-based liquid crystals are advantageous for high-speed operation, although they are qualitative, the amount of ions in the liquid crystal is likely to increase because the liquid crystal is decomposed. However, there is a possibility that black spot-like mura is easily generated from this surface.
  • the thickness of the I ⁇ 'protective film or the insulating film 8 should be made at least 04 / im thicker than the thickness of the electrode in contact with this protective film. I prefer it.
  • the protective film may be destroyed even if the protective film is thick. As a result, black spots will occur.
  • JP-open flat 1 0 - In 1 8 6 3 9 1 discloses, in the specific resistance of the liquid crystal is 1 0 1 3 Omega ⁇ cm or higher, cause the Do that insulating film of the optical voltage holding ratio lowered There has been proposed a method in which a portion of an electrode structure that generates an electric field is formed by directly contacting an alignment film by removing the above.
  • the size of the black spot is smaller than that in the case where all the electrodes are covered with the insulating film. Weak crown is reduced. However, in this method, the effect of reducing black spots is small, and is insufficient to satisfy the recent high level of display performance.
  • the display burn-in phenomenon (a phenomenon in which a certain pattern is displayed for a long time and then the previous pattern remains even after switching to another pattern) is remarkable. Will appear in
  • the inventors of the present application have conducted an investigation and found that the reason is as follows. That is, as shown schematically in FIG. 10, the ionizable substance in the liquid crystal that causes the black spot-like mura is not only on the array substrate 1 side, but also on the opposite substrate 2 side. Side (the color filter and the board side). For this reason, it is not sufficient to form an electrode from which the insulating film has been removed on only one substrate side (array substrate side).
  • a positive potential is directly supplied to the liquid crystal layer from the pixel electrode, source signal wiring, common wiring, and the common electrode to the liquid crystal layer, and the generated ionic substance is discharged.
  • Neutralization may be considered, but these wirings and electrodes are Both are necessary to drive the liquid crystal layer, and it is shown that the potential required for driving these wirings and electrodes changes due to the electrode reaction with the liquid crystal. This is not only a problem in terms of image quality, but also unfavorable in terms of long-term reliability.
  • the conductive black matrix is made to have substantially the same potential as the common electrode.
  • a method of forming a conductive film having substantially the same potential as a common electrode on a black matrix Japanese Patent Application Laid-Open No. H10-206686). No. 04 has been proposed.
  • the ionic substance in the liquid crystal that causes the black spot-like mura is, as schematically shown in FIG. Since it spreads not only on the filter substrate) but also on the array substrate, it is not sufficient to form an electrode from which the insulating film has been removed on only one substrate side (opposite substrate side). there were.
  • the curing time of the resin by ultraviolet irradiation can be set arbitrarily, but care must be taken to protect the eyes of workers. For this reason, there is also a request that some other resin be used.
  • black display does not occur during the long-term use period, does not adversely affect the opening ratio, does not adversely affect other display characteristics, and does not affect manufacturing.
  • the process is not complicated and the cost is easy. 'Liquid crystal display element' and equipment of IPs system
  • the present invention has been made with the aim of solving the above problems.
  • the first large invention group consists of the two invention groups.
  • a liquid crystal element sandwiching liquid crystal between two substrates was filled with liquid crystal between the substrates at the time of manufacturing. It is characterized by using a resin having a viscosity of 20 Pa ⁇ s or less, and preferably 1 OPa ⁇ s or less, for sealing the injection port used frequently.
  • the temperature is raised to 50 by 80 and preferably from 80 to 9 from the viewpoint of degassing by infrared rays or the like. . Heating with infrared light is because the process is easy in terms of facilities.
  • Ultrasonic waves of 20 KHz or more and 1 MHz are used to escape the air inside and after the application of resin, and foreign matter such as minute dust and moisture floating in the air. It is characterized in that the resin is vibrated using the above megasonics.
  • the air inside is released below the atmospheric pressure to allow air to escape, for example, 0.5 atm, preferably 0.1 atm. , More preferably below 0.11 atm.
  • the resin is characterized in that, at the time of applying the resin to the inlet or after that, the wiping and re-application of the resin are repeated at least twice.
  • the resin is given a kneading speed at or after the application of the resin so that the internal air is exhausted to the outside.
  • Another characteristic is that an acrylic or epoxy UV-curable resin is used as the resin. This makes it possible to arbitrarily set the timing of the curing of the resin and to increase the curing speed.
  • the second invention uses an anaerobic resin as a sealing resin.
  • the anaerobic resin is a resin that does not cure while in contact with air, but cures by blocking the air in a small gap. In general, it is used as a nail lock or the like, and there are other types that are hardened by shutting off air and pressing or heating.
  • the principle is that, by shutting off air, dimethacrylate is polymerized to form polyacrylate and hardens. For this reason, a polymer is formed on the bonding surface and a strong bonding force is generated, and the maximum strength is reached within a few hours after the air is shut off. For this reason, it has a property that it is not necessary to irradiate ultraviolet rays and it is hard to generate uneven curing due to impurities inside.
  • the second large invention group is composed of eight invention groups. In each invention group, the above-described broad-field in-plane electric field type liquid crystal element is referred to as The common goal is to eliminate black inversion.
  • the substrate on one side of the conventional color filter is the lowest. It has a structure such as a conductive layer of ITO etc. on the surface, followed by a glass substrate, a light shielding layer, a color filter, an overcoat layer, and an alignment film. (Conductivity There is no exposed portion of the material, and the ion filter and ionized components that cause black spot defects are completely recovered on the color filter side substrate. I knew it wasn't done. For this reason, it has been determined that some sort of means, such as ions, can be reliably and almost completely erased.
  • the first invention when the sum of the thicknesses of the insulating layer (film) on this electrode and the alignment film is extremely small in the in-plane switching mode liquid crystal device, In this method, ions and charges in the liquid crystal layer are erased through pores and the like generated in the insulating film, so that black spots are hardly generated.
  • an insulating layer, an alignment film, and others are provided between a liquid crystal layer and a metal layer composed of electrodes or signal wiring.
  • a third layer such as a protective film, which may also serve as a protective layer.
  • the thickness of the insulating layer and the orientation film is 100,000 or less, preferably 500,000 or less.
  • the electrode is a pixel electrode, a storage capacitor electrode attached to (attached to) the pixel electrode, and a common electrode in the pure lateral electric field method. In the case of a horizontal electric field method such as H S, other electrodes and the like are further included.
  • the alignment film, and the like is less than 500 A, if there is a portion that does not particularly exist, it is still necessary. Good. If the alignment film does not exist, or if there is a region where the alignment film does not exist, it is preferable that some other alignment means is provided in the portion. Let's go. Of course, if the lower part of the black matrix (anti-user side), etc., these measures are unnecessary.
  • a liquid crystal material that does not require a directing film may be used with the development of technology in the future.
  • a light-shielding film such as a black matrix is conductive.
  • the conductive light-shielding film is formed on a counter substrate.
  • the alignment film and the protective film are conductive material films. It is characterized by:
  • the ions and the electric field move in the liquid crystal, thereby erasing the liquid crystal molecules and the ions and charges in the liquid crystal layer, and the alignment of the liquid crystal molecules at the insulation defect portion or the like becomes irregular. And so on are erased, resulting in a good display.
  • the switching element, the electrodes of the parts that are not related to the effect of the present invention, and the wiring also serve as an insulating film or other insulation to prevent a short-circuit. It is a theory that all the protective films are formed. Of course, in order to exhibit the function and effect of the other groups, some protective films and the like may not be formed. It is even better if a configuration for giving a predetermined potential to the conductive light-shielding film is additionally provided.
  • a lithography process for removing a part of the alignment film, and further, the alignment film remaining after that is aligned by ultraviolet irradiation or the like is characterized by the fact that there is a process for processing.
  • the alignment film is rubbed, and at least a part of the electrode or the alignment film on the wiring is peeled off (only the whole is removed). In addition, only the upper part (the liquid crystal layer side) is removed, including the formation of pores and cracks. If the indentation is set to 0.5 mm or more as the rubbing condition at this time, the alignment film is easily peeled off, and better results can be obtained.
  • the focus is on turning off ions with a neutral electrode.
  • the source signal wiring, the gate signal wiring, the pixel electrode, the common electrode, the common wiring, and the like are, in principle, a conductive layer made of metal.
  • a neutral electrode made of a conductive material that is in contact with the electrode is, of course, provided at a position that is, in principle, irrelevant to the display.
  • the cause of the occurrence of black spot unevenness is that the generated ion is not neutralized, and the ion concentration in the liquid crystal near the defect increases, resulting in an increase in the ion concentration. As a result, the voltage holding ratio may decrease.
  • a neutral electrode that is directly exposed to the liquid crystal layer, or that is electrically connected to the liquid crystal layer through a directing film made of a conductive material. In such a case, electrons can be given to the electrode again by the neutral electrode, so that the ion concentration in the vicinity of the defect in the insulating layer does not increase so much and the decrease in the voltage holding ratio is minimized. Suppression, and eventually, the occurrence of sunspot unevenness can be suppressed.
  • the neutral electrode is formed so as to be in contact with the liquid crystal layer or the direction layer, and the neutral electrode has a positive potential with respect to the gate signal wiring. There is a means to supply this.
  • a neutralizing electrode is formed along the gate signal wiring so as to be in contact with the liquid crystal layer or the direction layer, and the neutralizing electrode is formed on the neutralizing electrode.
  • a means is provided to supply a positive potential to the gate signal wiring.
  • a neutralizing electrode is formed on the substrate opposite to the substrate on which the gate signal wiring is formed so as to be in contact with the liquid crystal layer or the alignment layer along the gate signal wiring.
  • a means for supplying a positive potential to the gate signal wiring is provided to this neutral electrode.
  • a gate signal wiring was formed, and a neutralizing electrode was formed on a substrate facing the substrate so as to be in contact with the liquid crystal layer or the alignment layer.
  • a means for supplying a positive potential to the gate signal wiring to this neutral electrode is provided, and the neutral electrode is shielded from light such as black matrix. Make it a membrane or part of it.
  • the neutralizing electrode is also used as black matrix and the like, and the number of steps for forming the electrode can be reduced.
  • the conductive light-shielding film may be appropriately made of Cr, Ti, graphite, or a conductive resin, or may have a two-layer structure of molybdenum oxide and molybdenum. Yes.
  • the neutral electrode is formed in the direction of the source line or the gate line, and formed at the same time as these lines. Needless to say, the number of processes is reduced.
  • the structure is such that a predetermined potential is applied to the neutral electrode.
  • the third invention group is characterized in that it has an opening portion (exposed portion, a portion having no insulating film) and a neutralizing electrode of the opposing substrate.
  • At least a part of at least a pixel electrode, a common electrode, and a signal wiring electrode is not formed with an insulating film on at least one of the electrodes.
  • the electrode is in direct contact with the liquid crystal or only through the alignment film, and the pixel electrode and the common electrode are further formed.
  • a neutralizing electrode is formed on the substrate side where no insulating film is formed or even if no insulating film is formed on this neutralizing electrode. It is characterized by this.
  • the ion which is unevenly distributed in the gate potential portion is caused by the portion where the potential other than the gate is exposed due to the portion where the potential other than the gate is exposed. Electrons are applied (or given) to the electrodes, de-ionized and erased Therefore, the uneven distribution of ions does not occur, and the generation of black spot-like mura is suppressed. In particular, since there is an area where no insulating film is formed on both substrates (the substrate on the array side and the substrate on the opposite side), the ions are deionized on both sides. The second is the inhibition hardening of the generation of black dot-like mura.
  • the display burn-in phenomenon (after displaying a certain pattern for a long time and then switching to another pattern, the previous pattern remains) Phenomenon) can be suppressed.
  • the neutral electrode is set at the same potential as the common electrode.
  • the neutralizing electrode is set to the same potential as the common electrode, there is no need to provide a special potential supply means as the neutralizing electrode, so the structure and process can be simplified. You can do it.
  • the neutral electrode is also used as a black matrix and a color filter.
  • the material of the alignment film is also devised.
  • a switching element such as a TFT is formed on the liquid crystal panel, and an insulating film is formed above the switching element. .
  • a switching element such as a TFT is formed on the liquid crystal panel, and an insulating film is formed above the switching element.
  • an opening is formed in the insulating film, and thereby the liquid crystal is neutralized. I'm looking forward to doing it.
  • the pixel electrode and the counter electrode are not at the same layer, for example, an insulating film is formed on a lower (opposite liquid crystal) counter electrode. Is formed, and no insulating film is formed on the upper pixel electrode.
  • the pixel electrode and the counter electrode are not in the same layer, an insulating film is formed on the pixel electrode, and no insulating film is formed on the counter electrode. It is characterized by:
  • Le Ru characterized the other outgoing Akiragun and the liquid crystal of the resistivity is 1 0 1 3 ⁇ ⁇ cm by small Les This also Ri, which is sealed in the liquid crystal panel the same rather.
  • an insulating film is formed over the switching element, the signal wiring, and the scanning wiring (on the liquid crystal layer side).
  • the insulating film is present in the portion along the rubbing direction.
  • the insulating film does not interfere with rubbing, so that The LCD panel will have good display quality.
  • the light-shielding layer (film) and the black matrix have a concave-convex structure in at least a part of the surface on the liquid crystal layer side.
  • the pixel electrode, the common electrode, the signal wiring, the scanning wiring, and the like are formed on one of the substrates, and the pixel electrode, the common wiring, the scanning wiring, and the like are formed on the other substrate.
  • a light-shielding film such as a light-shielding layer is formed to prevent malfunction of the semiconductor and to protect it, and at least the surface of the light-shielding film on the liquid crystal layer side is formed. It is characterized by having a concave-convex structure.
  • ions that are unevenly distributed in the gate potential portion emit electrons in a portion where a potential other than the gate is exposed (for example, a black matrix portion).
  • a potential other than the gate for example, a black matrix portion.
  • the ions are not ionized, uneven distribution of ions does not occur, and the occurrence of black spot-like mura can be suppressed.
  • the concave and convex portions are formed on the liquid crystal side surface of the black matrix, etc., so that the opening ratio remains large and the surface area for collecting ions is large. Therefore, a sufficient effect can be obtained.
  • a light shielding film such as a black matrix is formed on the side of the substrate on which the pixel electrodes are formed or on the side of the opposite substrate on which the pixel electrodes are not formed. Is formed, and the surface thereof has a concave-convex structure.
  • a neutral electrode is formed on the substrate side where no pixel electrode or the like is formed or on the substrate side where the pixel electrode or the like is formed, and the surface of the electrode has a concave-convex structure. It is characterized by having
  • the convex and concave portions are formed on the surface of the neutral electrode: since the surface is large, the surface area for recovering ions is large, and a sufficient effect can be obtained.
  • the surface of the counter electrode has a concave-convex structure.
  • the light-shielding film such as black matrix is conductive.
  • ions localized in the gate potential portion apply electrons to the electrode in a portion where the potential other than the gate is exposed, and the ions are deionized. It is possible to suppress the occurrence of shape irregularities.
  • the specific resistance of the liquid crystal sealed in the panel of the liquid crystal element is smaller than 10 13 ⁇ ⁇ c.
  • At least one of the light shielding films such as a black matrix on one side of the color filter used in the image display device preferably has a concave-convex structure on the liquid crystal side.
  • it is characterized by having a structure with many holes and concave and convex. According to the above configuration, uneven distribution of ions does not occur, and generation of black spot-like mura can be suppressed.
  • the difference between the concave and convex portions of the concave-convex structure is 0.1 m or more, preferably 0.3 // m or more.
  • the surface area for recovering ions can be increased, so that a sufficient effect can be obtained.
  • a light-shielding film, a neutral electrode, or both are characterized by being in contact with a liquid crystal via an alignment film or directly.
  • the ions can be recovered from the pores of the oriented membrane or directly.
  • the ions can be reliably collected.
  • the sixth invention group basically has a conductive light-shielding film (layer).
  • a liquid crystal is sandwiched between a pair of substrates, and a pixel electrode and a common electrode are formed on one of the substrates.
  • the light-shielding film is in contact with the liquid crystal layer, or in particular, is electrically conductive. It is characterized in that it is in contact with the liquid crystal layer via a facing film.
  • the light-shielding layer is in contact with the liquid crystal in a stripe shape extending in the signal line direction or the scanning line direction, or in a lattice shape extending in the signal line direction and the scanning line direction. It is characterized by the existence of such an area.
  • the light-shielding film can also be used as a black matrix and the like, and the aperture ratio is improved.
  • any material can be used as long as it has a light-shielding property and a conductive property.
  • Cr, Ti, a conductive resin, or the like can be used. In this case, the light blocking effect is higher and better.
  • an organic conductive film is used, the process becomes easier.
  • wiring that has almost the same potential as the light-shielding film or the light-shielding film extending from the light-shielding film are almost the same potential.
  • the wiring between the pair of substrates is electrically connected by at least one or more conductive materials. It is characterized by being connected to a computer.
  • At least one wiring extending from the light-shielding film or the light-shielding film and having a potential substantially the same as that of the common electrode or the common electrode extending from the common electrode is provided between at least one pair of substrates. It is characterized by being electrically connected by one or more conductive substances.
  • a photosensitive material is used for the overcoat layer, and the overcoat layer on the conductive light-shielding film is used. Is peeled off by photolithography to create an area where no overcoat layer exists on the light-shielding film.
  • Another invention is characterized in that a substantially same potential as that of the common electrode is applied to the conductive light-shielding film.
  • the seventh invention group is characterized by having a light-shielding layer (film) on the opening and the opposing substrate.
  • a liquid crystal is sandwiched between a pair of substrates, and at least one of the substrates is provided with a pixel electrode, a common electrode, a signal wiring electrode, and a scanning wiring electrode.
  • a horizontal electric field type liquid crystal device such as changing the alignment of liquid crystal molecules by applying a voltage between the pixel electrode and the common electrode. It is characterized in that a conductive material or the like is formed on both substrates.
  • ions localized in the gate potential portion give electrons to the electrode in portions where the potential other than the gate is exposed, and the ions are deionized.
  • uneven distribution of ions does not occur, and the occurrence of black spot-like mura can be suppressed.
  • the electrode is in contact with the liquid crystal only through the orientation film or directly, and the pixel electrode and the common electrode are formed.
  • a conductive black matrix on the side of the board that does not have a conductive black matrix, and some or all of the conductive black matrix in the display area
  • One feature of the alignment film is that it is in direct contact with the liquid crystal.
  • Electrons are applied to the electrode at the portion where the ion is present, and the ion is not ionized.
  • the ion is deionized on both sides.
  • the insulating film is not formed entirely on the pixel electrode, and the pixel electrode is located only on the alignment film in the portion where the insulating film is not formed. Is in direct contact with the liquid crystal. Also, a conductive black matrix is formed on the substrate side where the pixel electrode and the common electrode are not formed, and the conductive black matrix in the display area is formed. Part or all of the matrix is in direct contact with the alignment film or liquid crystal.
  • the insulating film is not formed entirely on the common electrode, and the common electrode is provided only through the alignment film due to the portion where the insulating film is not formed. Or directly in contact with the liquid crystal. Then, a conductive black matrix is formed on the substrate side where the pixel electrode and the common electrode are not formed, and a part or all of the conductive black matrix is formed. It is characterized by being in direct contact with the alignment film or liquid crystal! ⁇
  • a conductive black matrix is formed on the substrate side where the pixel electrodes and the like are not formed, and the black matrix is formed. It is characterized in that part or all of it is in direct contact with the orientation film or liquid crystal.
  • a switching element is formed in the liquid crystal element to drive the liquid crystal element, and an insulating film is formed on the switching element. This can prevent the deterioration of semiconductors and the like.
  • the black matrix is characterized in that a positive potential is applied to the minimum voltage level of the scanning wiring.
  • the generated ions can be made non-ionized more effectively, and the occurrence of black spot-like mura can be suppressed.
  • the black matrix is set to have substantially the same potential as the common electrode. By doing so, it is possible to deionize the ion that has been generated more effectively, and to suppress the occurrence of black spots. I can do it. Also, set the black matrix to the same potential as the common electrode. In this case, there is no need to provide a special electric potential :: supply means for black matrix, so that the structure and process can be simplified. .
  • the conductive black matrix is formed of a conductive resin. 'For this reason, it can be manufactured in the same process as forming a color filter. Also, unlike the formation of metals such as Cr, there is no need for high-temperature formation, so the black matrix is formed after the formation of the color filter. The black matrix can be formed at the position where the liquid crystal is in contact with the alignment film or the liquid crystal.
  • pillars are formed at specific locations as spacers for maintaining a constant spacing between substrates of the liquid crystal element.
  • the cell structure (extremely small) of a foaming agent is formed on at least a part of the surface of the alignment film or at least a part of the surface of the neutral electrode. It has a sponge structure having a space with a diameter, and absorbs the ions generated by the sponge structure.
  • FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a liquid crystal element of an in-plane switching mode of each mode.
  • FIG. 2 is a view showing the state of filling of the liquid crystal into the liquid crystal panel and the curing of the resin in the sealing port after that in the conventional technique.
  • FIG. 3 is a diagram showing a state in which ultraviolet rays for curing the resin are refracted by bubbles in the sealing resin.
  • FIG. 4 is a diagram showing a plane view of a conventional IPS mode liquid crystal display device.
  • FIG. 5 is a view showing a cross section A-A and B-B of the liquid crystal display device.
  • FIG. 6 is a diagram showing cross sections C_C, D-D, and E-E of the liquid crystal display device.
  • FIG. 7 is a plan view showing a state in which foreign matter adheres to the liquid crystal display device.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing the state of foreign matter adhesion on the liquid crystal display device.
  • FIG. 9 is a diagram schematically showing the mechanism of occurrence of sunspot unevenness.
  • FIG. 10 is a diagram schematically showing a mechanism of enlargement of the occurrence of sunspot unevenness.
  • FIG. 11 is a diagram showing each embodiment of the first large invention group of the present invention.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view of the liquid crystal element according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view of the liquid crystal device according to the second-second embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 is a sectional view of a liquid crystal device according to the second to eleventh embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view of a liquid crystal device according to the second to eleventh embodiment of the present invention.
  • FIG. 16 is a diagram showing a main part of a method for manufacturing a liquid crystal element according to the second to fifth embodiments of the present invention.
  • FIG. 17 is a plan view of an array substrate of a liquid crystal element according to the second-two-first embodiment of the present invention.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view taken along the line AA of the liquid crystal element.
  • FIG. 19 is a plan view of a modification of the liquid crystal element of the above embodiment.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view of a modified example of the liquid crystal element of the above embodiment. oro
  • FIG. 38 is a diagram showing an example of a modification of the liquid crystal panel according to the second to third to sixth embodiments of the present invention.
  • FIG. 39 is a diagram showing the structure of the liquid crystal panel according to the second to third embodiment of the present invention.
  • FIG. 40 is a diagram showing a structure of a modified example of the liquid crystal panel according to the second to third to eighth embodiments of the present invention.
  • FIG. 41 is a diagram showing a structure of a liquid crystal panel according to the second to fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 42 is a structural diagram of a liquid crystal panel as a comparative example of the above embodiment.
  • FIG. 43 is a diagram showing the structure of the liquid crystal panel according to the second to fourth embodiments of the present invention.
  • FIG. 44 is a diagram showing the structure of the liquid crystal panel according to the second to fourth and third embodiments of the present invention.
  • FIG. 45 is a diagram showing the structure of the liquid crystal panel according to the second to fourth to fifth embodiments of the present invention.
  • FIG. 46 is a diagram showing the structure of the liquid crystal panel of the second to fourth and sixth embodiments of the present invention.
  • FIG. 47 is a diagram showing a structure of a liquid crystal panel according to the second to fourth to eighth embodiments of the present invention.
  • FIG. 48 is a diagram showing the structure of the opposite substrate of the liquid crystal element according to the second-5-1-1 embodiment of the present invention.
  • FIG. 49 is a diagram showing the structure of the concave and convex portions of the black matrix in the above embodiment.
  • FIG. 50 shows an array of a liquid crystal element according to the second to fifth and second embodiments of the present invention.
  • FIG. 3 is a view showing a structure on a substrate side.
  • FIG. 51 is a diagram showing a modified example of the above embodiment.
  • FIG. 52 is a diagram showing a modified example of the above embodiment.
  • FIG. 53 is a diagram showing a structure of a liquid crystal element according to the second to fifth to third embodiments of the present invention on the side opposite to the substrate. .
  • FIG. 54 is a diagram showing the structure of a conventional IPS and HS mode.
  • FIG. 55 is a diagram showing the structure of the liquid crystal element according to the second to fifth to fifth embodiments of the present invention.
  • FIG. 56 is a diagram of a modified example of the above embodiment.
  • FIG. 57 is a diagram of a modified example of the above embodiment.
  • FIG. 58 is a diagram of a modified example of the above embodiment.
  • FIG. 59 is a diagram showing the structure of the liquid crystal element according to the second to fifth to seventh embodiments of the present invention.
  • FIG. 60 is a diagram showing a liquid crystal device according to an embodiment 2-6-1 of the present invention.
  • FIG. 61 is a schematic diagram of a color filter-side substrate of a liquid crystal element according to the above embodiment.
  • FIG. 62 is a cross-sectional view of a liquid crystal element according to the second to sixth to fourth embodiments of the present invention.
  • FIG. 63 is a view showing the structure of the array side substrate of the liquid crystal element according to the second to seventh embodiment of the present invention.
  • FIG. 64 is a structural diagram of the opposite substrate according to the above embodiment.
  • FIG. 65 is a diagram showing the difference between the above embodiment and a comparative example.
  • FIG. 66 is a diagram showing a structure of a liquid crystal element-facing substrate according to the second to seventh embodiment of the present invention.
  • Fig. 67 shows a modification example of the embodiment of the second-7-1-1 and the second _ 7 _ 2. It is a diagram.
  • FIG. 68 is a diagram of another modification similarly.
  • FIG. 69 is a diagram of another modified example, similarly.
  • FIG. 70 is a diagram of another modified example similarly.
  • FIG. 71 is a diagram showing the structure of the liquid crystal element on the array substrate side according to the second to seventh embodiment of the present invention.
  • FIG. 72 is a diagram of a modification of the array-side substrate according to the above embodiment.
  • FIG. 73 is a diagram showing a structure of an array-side substrate of a liquid crystal device according to the second to seventh embodiments of the present invention.
  • FIG. 74 is a diagram showing a modification of the array-side substrate according to the above embodiment.
  • FIG. 75 is a diagram showing the structure of the liquid crystal device on the array substrate side according to the second to seventh embodiment of the present invention.
  • FIG. 76 is a diagram of a modified example of the array-side substrate according to the above embodiment.
  • FIG. 77 is a diagram showing the array substrate side as the main part of the liquid crystal element according to the second to seventh to sixth embodiments of the present invention.
  • FIG. 78 is a diagram showing a configuration of a main part of an embodiment of the second to eighth embodiments of the present invention.
  • FIG. 79 is a diagram showing a configuration of a main part of a reflection type liquid crystal display device adopting the present invention.
  • FIG. 80 is a configuration diagram of a liquid crystal optical logic element adopting the present invention.
  • FIG. 81 is a configuration diagram of an LE display adopting the present invention.
  • FIG. 82 is a diagram showing a modified example of the embodiment of the first to second embodiment of the present invention.
  • FIG. 83 is a diagram showing a modified example of the embodiment of each of the second large invention group of the present invention. (Explanation of code)
  • the group of the present invention consists of 2 groups of inventions and relates to the resin that seals the liquid crystal injection port.
  • the present invention relates to the prevention of air bubbles and the like from entering the resin, such as an ultraviolet curable resin, used for sealing a liquid crystal injection port.
  • the one embodiment of the present invention refers to the first embodiment of the first invention group of the first large invention group.
  • a UV-curable resin having a low viscosity is selected as a UV-curable resin for sealing a liquid crystal inlet. If the viscosity is low, the likelihood of trapping air bubbles when applying resin to the injection port is reduced. Especially, if the viscosity is 20 Pas or less, almost air bubbles It's better because you don't have to carry it.
  • the substrate side when applying the UV curable resin to the injection port, the substrate side should be warmed with infrared (IR) or the like, or only the resin after the application or the entire substrate It is effective to substantially reduce the viscosity of the resin by heating such as warming the resin.
  • IR infrared
  • the UV curable resin may be heated to an appropriate temperature, for example, 70: -8, and the viscosity may be reduced to apply the resin. If the heating temperature is too high, the resin will begin to cure, so 8 O: up to 90 or less, depending on the resin, but preferably from 50 X: More preferably, 40: is better. Also, it is desirable that the viscosity of the resin when heated and heated is 20 Pa ⁇ s or less.
  • an ultraviolet curable resin is applied by a conventional method, and after holding air bubbles, acceleration (g) is applied to the entire substrate or the resin portion to generate gravity.
  • acceleration g
  • An example of this method is to use a rotating device such as a dehydrator of a washing machine.
  • this method is not limited to this method. By doing so, air bubbles, foreign matter, and other moisture are transferred in the direction opposite to the acceleration direction. It will move and disappear.
  • the upper and lower substrates are not held by glass spheres or fibers, but the TFT section is formed on one of the substrates using a photo-song graph. It is preferable to use a support pole for holding the gap, which is formed as far as possible and fixed directly below the black matrix part (on the back side as viewed from the user).
  • the entire substrate or the resin part is evacuated (V) with a vacuum pump or the like, and the pressure is reduced to atmospheric pressure. Exposure to a very low environment, for example, 0.1 atm. As a result, the diameter of the bubble increases, and finally the bubble bursts and disappears.
  • the UV curable resin 202 As shown in FIG. 11, after applying the UV curable resin 202 to the injection port by such various methods, and then irradiating with UV light, the UV curable resin remains in the UV curable resin. Since there are no air bubbles, the irradiated ultraviolet light is irradiated evenly without undergoing a large refraction in the UV-curable resin (however, the attenuation is small). The entire resin is completely cured.
  • the liquid crystal device manufactured in this manner shows a voltage holding ratio of 99% as an initial characteristic, and has a high temperature test (70) of 100 hours. It was confirmed that there was no change in the 10000 time characteristics even in a stable and continuous drive test.
  • an anaerobic resin is used for the sealing resin after the liquid crystal is sealed as shown in FIG.
  • a thin plate is used in place of UV irradiation for curing.
  • the second large invention group relates to the prevention of the generation of black spots in a horizontal electric field type liquid crystal element.
  • the thickness of an insulating film on the upper side (liquid crystal side) of an electrode or the like formed on a substrate, a protective film also serving as an insulating film, and the like are reduced. It is a thing.
  • the 2_1-1-1 means the first embodiment of the first invention group of the second large invention group.
  • FIG. 12 shows a liquid crystal element of this embodiment.
  • this liquid crystal element has a pixel electrode 4 and a common electrode 5 that generate an electric field substantially parallel to the surface of an insulating film 81 formed on the entire surface of the array-side substrate 1.
  • a metal layer composed of the pixel electrode 4, the common electrode 5, the signal wiring 6, and the like (strictly, an electrode composed of a non-metal such as ITO.
  • the insulating material and the lower part of the alignment film exist at the same height from the substrate surface between the metal electrodes.)
  • the above-mentioned metal layer is provided between the liquid crystal layer 3 and the liquid crystal layer 3.
  • An insulating layer 8 and an alignment film 9 exist as a third layer different from the liquid crystal layer. There is a region where the thickness of the alignment film 9 is less than 50 OA.
  • the electrodes such as the pixel electrode 4, the common electrode 5, and the signal wiring 6, there is a manufacturing convenience, and other ordinary insulating films 81 and protective films (not shown) are provided. And so on.
  • the total thickness of the insulating layer, the directing film, and the like as the third layer between the liquid crystal layer and the metal layer is extremely thin. 100,000 or less, preferably less than 50 OA. Incidentally, in the figure, it is 400 ,.
  • the thickness of the insulating layer on the electrode and the thickness of the alignment film are made as thin as possible, and the ion species that pass through them or concentrate from their pores Is made easier to take in by the electrode.
  • the thin region having a thickness of less than 500 A does not need to be formed over the entire surface of the electrode, and it is sufficient if a portion of the thin region having a thickness of less than 500 A exists. .
  • the alignment film and especially the insulating layer may be in any number of layers.
  • a switching element such as a TFT is provided on the array side substrate in a matrix form, and the signal wiring is switched. It includes a video signal wiring for supplying a video signal to the switching element and a scanning signal wiring for controlling the switching element. Then, the TFT transmits the video signal voltage from the video signal wiring to the pixel electrode in synchronization with the scanning signal.
  • a storage capacitor is provided to hold the voltage of the pixel electrode during the TFT cut-off period. Further, one electrode of the storage capacitor is connected to the pixel electrode.
  • the electrode for recovering the above-mentioned ion species may be any electrode formed on the substrate, including the storage capacitor electrode.
  • the electrodes for collecting ion species are used as electrodes and signal wiring, but if the pixel electrode 4 or the common electrode 5 is used, the total electrode area is also large. It is good that it is easy to form a region in which the total thickness of the insulating layer and the alignment film is less than 500 A partially and partially. Furthermore, if the total thickness of the insulating layer and the alignment film on both the pixel electrode and the common electrode is less than 50 OA, the area of the electrode for collecting ion species is increased, and furthermore. Good.
  • the liquid crystal element of the present embodiment is a case where some alignment films are missing.
  • the insulating layer 8 exists between the liquid crystal layer 3 and the pixel electrode 4, the common electrode 5 or the signal wiring 6, and the insulating layer 8 is formed.
  • a region where the alignment film does not exist, such as on the pixel electrode 4, is partially present, and the insulating layer or the insulating film at that portion is usually insulative.
  • the thickness of certain protective layers is less than 50 OA. This is achieved by making the insulating layer on the electrodes thinner and providing an area that partially eliminates the alignment film. The ion species that are more concentrated than the morphology can be more easily taken up by the electrode.
  • the insulating layer may be in any number of layers, and the electrodes are not limited to storage capacitor electrodes, pixel electrodes, common electrodes, and signal lines.
  • the black matrix in an area irrespective of the opening ratio and display characteristics of the lower part of the black matrix. is there .
  • the part without this alignment film was placed directly under the black matrix (not shown) of the opposing substrate, or the electrodes were given directivity by irradiation with ultraviolet rays separately.
  • the shape be a very thin band or dot (pinhole). For this reason, a material that matches the position of the black matrix, or has a predominant orientation as an electrode, or a material that can be used It is good to do pinholes in tossing graphs and so on! ⁇ .
  • an electrode or the like is in contact with the liquid crystal layer via only the alignment film 9.
  • FIG. 14 illustrates a liquid crystal element of this embodiment.
  • this liquid crystal element has only an alignment film 9 between the pixel electrode 4, the common electrode 5 or the signal wiring 6 and the liquid crystal layer 3, and has a thickness of 50.
  • an insulating film or a protective film is usually present on the pixel electrode 4, the common electrode 5, the signal wiring 6, and the like, but a region without these films is partially included. And that part is only the alignment film, but its thickness is less than 500 A.
  • the focused ion species can be used as an electrode.
  • the black spots are eliminated through the process.
  • the orientation film on the electrode is made thinner,
  • FIG. 15 shows a liquid crystal element of this embodiment mode.
  • this liquid crystal element has a region where the liquid crystal layer 3 is in direct contact with the pixel electrode 4, the common electrode 5, or the signal wiring 6 (the pixel electrode in the figure).
  • an insulating film or an alignment film is present on a pixel electrode, a common electrode, a signal wiring, or the like, but a region where these layers or films do not exist at all is defined as an area. It is what it is forming.
  • a region where the electrode or the like and the liquid crystal are in direct contact with each other is provided, so that a more concentrated ion species is applied to the electrode than in the previous several embodiments. It is easy to take in.
  • the present embodiment relates to a method of manufacturing a liquid crystal element according to each of the above embodiments. As one of them, an embodiment in which a region where an alignment film is not present will be described as an example.
  • the method for manufacturing a liquid crystal element of the present invention includes a step of removing or dropping a part of the applied alignment film after the step of applying the alignment film. ⁇
  • a distinctive feature Note that the process of forming electrodes, TFTs, and other insulating films on the array side substrate and forming an alignment film is different from a normal horizontal electric field type liquid crystal element. Absent . Therefore, a description of these will be omitted.
  • the specific contents of the process of removing or dropping the once formed alignment film include the following means and methods as shown in FIG. 16. .
  • the alignment film in only a predetermined area is thinned or removed.
  • the alignment film surface is rubbed with a rayon or cotton cloth, and the alignment film is partially forcibly peeled off by rubbing. If the pushing amount of the lapping at this time is 0.5 mm or more, a stronger force is applied to the alignment film, and the alignment film is easily peeled.
  • the alignment film on the electrode has a protruding shape because it is applied, but only this part is the row for rubbing. It will be pushed more strongly by the wire 21.
  • the second invention group forms a neutral electrode.
  • FIG. 17 shows a plane on the array side of the liquid crystal element of this embodiment
  • FIG. 18 shows a cross-sectional view taken along line AA of FIG.
  • the liquid crystal element of this embodiment mode is an IPS mode TFT liquid crystal having a diagonal of the screen of 15.2 inches, an aspect ratio of 16: 9, and a resolution of 768.times.1364.times.RGB.
  • the panel was a display panel, and this panel and a liquid crystal element were manufactured as follows.
  • Gate signal wiring 7, common wiring 5, and common electrode 5 are formed of a metal film containing aluminum as the main component, and then the parts required for photolithography By leaving only the pattern, a pattern was formed on the same plane.
  • the material of the gate signal wiring is desirably a metal with low wiring resistance, but it is not limited to aluminum-based metal. Of course, it may be a multilayer film. ,
  • an anodized layer of aluminum film and silicon nitride (SiNX) are deposited as the insulating layer '8, and amorphous silicon is deposited as the semiconductor layer 17.
  • a part of the insulating layer on the gate signal wiring 7 is removed, and the aluminum layer is removed by the sputtering method.
  • the pixel electrode 4 was patterned by the photolithography method, and the storage capacitance 41 was formed between the pixel electrode and the common wiring (see FIG. 18 for the illustration). Zu) Further, as shown in FIG.
  • silicon nitride (SiN x) 10 is deposited as a protective layer (film) 10 by the CVD method, and a neutral electrode 3 is formed on the silicon nitride (SiN x) 10.
  • a metal film containing aluminum as a main component is formed as 0, and a pattern is formed along the gate signal wiring 7 by a photolithography method. Each neutral electrode is connected outside the display area. Further, the orientation film 9 was formed thinly on the upper part.
  • the array substrate 1 thus formed, the black matrix 12 facing the array substrate, and the red, green, and blue (R, G, B) La-fi Orientation (color filter) on which the substrate 11 is formed (color filter)
  • the orientation film 9 (AL5417: made by JSR) is formed by printing on the opposite side of the substrate 2, and the wrapping is performed. After the application, both substrates were pasted together at a gap of 3.5 / m, and liquid crystal 3 was vacuum-injected into the inside to form an IPS panel.
  • the injected liquid crystal is a p-type nematic liquid crystal whose main component is a cyano-substituted phenylcyclohexane as a p-type component.
  • the liquid crystal is oriented without twist between the upper and lower substrates when no electric field is applied, and the direction of the direction is at an angle of 80 degrees with the gate signal wiring 7 in one direction.
  • the polarizing plate which is not shown because it has no direct relation to the gist of the present invention, has the polarization axes perpendicular to each other on the upper and lower sides of the substrate, and one of the polarization axes is arranged on a liquid crystal display.
  • the gate signal wiring section is used in the same manner as when performing laser reverberation. Was irradiated with a laser beam to expose the gate signal wiring to the liquid crystal layer.
  • a drive circuit was connected to this panel, and the panel was driven continuously for up to 300 hours at an ambient temperature of 60, but until about 300 hours, an insulating layer on the gate signal wiring was used. No black spots were observed from the deficient part, and minute black spots were observed at 300 hours.
  • the insulating layer does not exist on the pixel electrode and the source signal wiring and the electrode is exposed, there is a defect in the insulating layer on the gate signal wiring. Also, it was possible to minimize the occurrence of sunspot mura.
  • the neutralizing electrode is formed of a metal having aluminum as a main component, but may be formed of an electrode material such as ITO.
  • the neutral electrode 30 is also formed on the source signal wiring 6, but as shown partially in (1) of FIG. 19, the neutral electrode 30 is formed on the gate signal wiring 7. Alternatively, it may be formed so that each neutral electrode is connected outside the display area. In this case, the parasitic element formed between the source signal wiring and the neutralizing electrode The capacity can be reduced, and the delay of the source signal can be suppressed.
  • the neutral electrode 30 may be formed so as to be shifted from above the gate signal wiring 7.
  • the parasitic capacitance formed between the gate signal wiring and the neutral electrode can be reduced, and the delay of the gate signal can be suppressed.
  • the protective layer formed between the gate signal wiring and the neutralizing electrode it is recommended that the protective layer be formed thick from the viewpoint of suppressing parasitic capacitance and reducing the probability of occurrence of pinholes. However, it is better to form it with a thickness of 200 OA or more, preferably 350 OA or more.
  • a neutral electrode a light-shielding material mainly composed of a conductive polymer such as metal chrome or polypropylene is used. As shown in FIG. G. It may be formed so as to block the gap between the signal wiring 7 and the common electrode 3 and the gap between the source signal wiring and the common electrode. In this case, it is not necessary to form a black matrix on the color filter substrate, and the man-hour and cost can be reduced.
  • the surface of the alignment film is strictly convex and concave. For this reason, it is good to select a resin that will have orientation when irradiated with ultraviolet light.
  • the liquid crystal display panel of the present embodiment and the silicon nitride (Si NX) were deposited as a protective layer over the entire pixel portion, and then the neutral electrode was not formed.
  • a liquid crystal display panel that differs only in the points was manufactured.
  • the plane of the array shape in the pixel portion of this panel is the same as that shown in FIG. 4 and the cross section is the same as that shown in FIG.
  • a drive circuit is connected to the liquid crystal display panel created in the first embodiment (hereinafter, “second—two—” is omitted in such a case), and a neutral electrode is also provided. Is connected to the power supply circuit of this drive circuit, so that a potential of +6 V is applied.
  • the panel was driven continuously for up to 500 hours in an atmosphere temperature of 6 O :, but black spots were found to be generated from the defective portion of the insulating layer on the gate signal wiring. It was not.
  • the neutral electrode is formed on the counter substrate side. For this reason, an array substrate similar to that of the first embodiment was manufactured except for the formation of the neutralizing electrode. Then, on the black matrix 12 of the color filter substrate 2 facing the substrate, the neutralizing electrode 3 is formed in the same manner as in the previous embodiment. 0 is patterned. Further, an alignment film (AL55417: manufactured by JSR) is printed and formed on the opposing surfaces of both substrates, and rubbing is performed. Thereafter, the same steps as those of the previous embodiment are performed. It is made. Similarly, the laser beam is applied to the gate signal wiring portion so that the gate signal wiring portion is exposed to the liquid crystal layer in the same manner as the laser revving is performed. .
  • A55417 manufactured by JSR
  • a drive circuit was connected to this panel, and one end of the neutral electrode was connected to the power supply of the drive circuit so that a potential of +6 V was impressed on the panel.
  • the liquid crystal display panel was driven continuously for up to 500 hours at an ambient temperature of 60 hours. However, no black spots were observed from the defective portion of the insulating layer on the gate signal wiring.
  • the neutral electrode since the neutral electrode is formed, even if there is a defective portion of the insulating layer on the gate signal wiring, it is possible to prevent the occurrence of black spot unevenness.
  • the neutral electrode since the neutral electrode is not formed on the array substrate but on the color filter substrate, the parasitic capacitance of the gate signal wiring and the video signal wiring is substantially reduced. A liquid crystal display panel with little increase and no signal delay can be obtained.
  • the neutralizing electrode is also formed on the source signal wiring. However, as shown partially in FIG. 22 (1), only the neutralizing electrode is formed on the gate signal wiring 7. Alternatively, it may be formed only in that direction.
  • the neutral electrode was formed separately on the black matrix, the black matrix was electrically conductive as shown in part (2) of Fig. 22. It is formed mainly of a conductive material such as a metal chrome or a conductive polymer such as polypropylene, and is used to form a black matrix 12 with a neutral electrode 3 It can be set to 0. In this case, since it is not necessary to separately form a neutralizing electrode, the number of man-hours and costs can be reduced.
  • the present invention is a combination of an opening such as an insulating film and a neutral electrode on the opposite side.
  • FIG. 23 is a plan view of the liquid crystal panel of the present embodiment on the array substrate side.
  • FIG. 24 (1) of FIG. 24 is an A-A cross-sectional view of FIG. 23, (2) is a B-B cross-sectional view, and (3) is a C-C cross-sectional view of FIG.
  • a video signal line (source) 6 and a scanning signal line (gate) 7 are formed as a metal wiring on the glass substrate 1 in a matrix form, and an operation is performed at the intersection.
  • a semiconductor layer (TFT: Thin Fi 1 m Transis 't' orj) is formed as a device (switching device).
  • a gate electrode 7 and a common electrode 5 are selectively formed (at predetermined positions) on a glass substrate 1 by using a metal such as A1.
  • a plasma CVD method is used to form a first gate insulating film and a protective film 10 of SiN x with a thickness of 300 OA, and a transistor is formed.
  • a semiconductor layer (a layer of amorphous silicon) serving as a channel portion of the transistor is formed with a thickness of 50 OA, and the etching stop and the protective film 1 are formed.
  • the SiN x that becomes 0 0 is formed sequentially with a thickness of 150 OA.
  • the insulating film SiNx on the gate electrode is gated.
  • N + amorphous silicon which is formed smaller than the electrode and is etched using a plasma CVD method.
  • a silicon layer is formed with a thickness of 50 OA to obtain an ohmic junction. (N + : High concentration doping, a percentage of n-type impurity addition There are many).
  • a contact hole is formed in a peripheral portion where an electrode and the like are formed, so that a contact with a wiring portion is obtained.
  • the signal wiring (source wire) 6, the drain wire, and the pixel electrode 4 are formed with a thickness of 400 A by using a metal such as Al / Ti. .
  • Si NX is used as the second insulating film (passivation film) or the protective film 10 using plasma CVD method. And formed with a thickness of 350 A.
  • Passive base Ion film 10 is selectively formed (in a part of the region), and in the pixel part, the region where the part of the insulating film (or the protective film 10) is not formed is formed. So that there are 80. More specifically, as shown in the center of FIG. 23 and as shown in (1) of FIG. 24, a second insulating film (passive base) is formed on one area 80 above the storage capacity section 4. (Shion film) 10 so as not to form.
  • the image is dried, dried, and further, the resist is removed after performing dry cutting by RIE (reactivieionetetchihing).
  • the black matrix 12 on the opposite side of the glass substrate 2 with the color filter 11 was used as the neutral electrode and the A1 electrode as a neutral electrode.
  • Form 30 the black matrix 12 on the opposite side of the glass substrate 2 with the color filter 11 was used as the neutral electrode and the A1 electrode as a neutral electrode.
  • SiNx is selectively formed (only in a part of the region) as an insulating film. At this time, a part of the insulating film is removed so that the generated ions can be deionized even on the counter electrode side.
  • FIG. 25 is a top view showing the configuration of the opposite glass substrate side.
  • FIG. 26 (1) in FIG. 26 is a cross-sectional view taken along the line A-A in FIG. 25, and (2) is a cross-sectional view taken along the line B-B.
  • reference numeral 82 denotes an insulating film on the opposite substrate side, and reference numeral 82 denotes a film located immediately below the neutral electrode and black matrix 12. That part is the missing part.
  • 9 is a directing film
  • 10 is a protective film
  • 11 is a color J letter.
  • a directing film 9 (AL5417: JSR ) was printed, cured, and subjected to rubbing.
  • seal resin (Stroke Bond: made by Mitsui Toatsu) is printed on the edge of the glass substrate.
  • the seal resin contains 4.0 ⁇ m glass phenyl (made by Nippon Electric Glass) as a spacer.
  • the two substrates were bonded together, and the sealing resin was cured by heating at 150: 2 for 2 hours.
  • a liquid crystal 3 having a positive dielectric anisotropy is injected into the empty panel prepared as described above by a vacuum injection method (the empty panel is placed in a depressurized tank, and the inside of the panel is evacuated. After that, the injection port was brought into contact with the liquid crystal, and the liquid was injected into the panel by returning the inside of the tank to normal pressure.
  • Table 1 shows the liquid crystal used and its specific resistance.
  • polarizing plates NPF-HEG1425DU: manufactured by Nitto Denko, not shown
  • NPF-HEG1425DU manufactured by Nitto Denko, not shown
  • Comparative Example 2 uses non-ionized ions that are unevenly distributed at the gate potential. The black dots are large because the electrodes are not exposed.
  • Comparative Example 3 Although the insulating film of the array substrate was not removed, a black dot-like mura was formed because an electrode for non-ionization was formed on the counter substrate side. Is smaller than Comparative Examples 1 and 2, but still insufficient.
  • the black dot-shaped mura is a comparative example because no electrode for non-ionization was formed on the substrate or the electrode on the counter substrate side was not exposed. It is smaller than 1 and 2, but still not enough.
  • the insulating film of the array substrate has been removed, and an electrode for non-ionization has been formed on the opposite substrate side, so that a black dot is formed. Is sufficiently small to be 0.1 mm or less.
  • FIG. 27 conceptually shows the difference between the present embodiment and the comparative example.
  • a laser is applied to the gate portions of these panels to expose the potential of the gates, put them in a high-temperature bath at 70, drive them for 12 hours, and then adjust Was displayed and evaluated.
  • the potential of the neutral electrode on the opposing substrate was set to be the same as that of the common electrode on the array substrate.
  • Comparative Example 3 the insulating film of the array substrate was not removed, but the non-ionized electrode was formed on the opposing substrate side. Is smaller than Comparative Examples 1 and 2, but still insufficient.
  • the insulating film of the array substrate has been removed, and the electrode for non-ionization has been formed on the opposing substrate side as well, so that black spots are generated. It was sufficiently small, less than 0.1 mm.
  • FIG. 28 shows the configuration of the liquid crystal panel of the present embodiment on the glass substrate side facing the liquid crystal panel.
  • (1) of this drawing is a plan view, and (2) is a cross-sectional view of (1).
  • a part of the insulating film on the neutral electrode on the counter substrate side was removed, but in the present embodiment, the black matrix and neutralization on the counter substrate side were removed. No insulating film is formed on the electrode 12.
  • the insulating film on the pixel electrode above the storage capacitor was removed as shown in FIG. 23, and the portion 80 to be removed is as shown in FIGS. 29 and 30.
  • Other combinations such as over the signal wiring electrode 6 (upward and downward in the figure), over the pixel electrode 4 (in the figure, at the center of the pixel), or over those electrodes, etc. You can leave! ⁇ .
  • a common electrode 5 is formed above the pixel electrode 4. Then, a part of the insulating film on the common electrode may be removed.
  • the common electrode 5 and the pixel electrode 4 may be formed in the same layer, and a part of the insulating film thereon may be removed.
  • the electrodes formed on the counter substrate side are formed in a matrix shape on the black matrix portion as shown in FIGS. 25 and 28.
  • the direction and the portion corresponding to the signal wiring electrode 6 indicated by the arrow as shown in FIG. 33 (3) and the scanning wiring as shown in (2) of FIG. It may be formed only in the portion corresponding to 7, the direction, etc., or may be formed in an island shape as shown in FIG.
  • FIG. 10 As shown in (1), a second insulating film (nossivation film) 10 is formed only on the TFT which is a switching element. (As shown in (2), no insulating film is formed on the pixel electrode 4). Others are the same as the previous embodiment.
  • FIG. 35 shows the configuration of the liquid crystal panel of the present embodiment.
  • (1) is a plan view and (2) is a cross-sectional view.
  • no insulating film is formed on the counter substrate side.
  • Others are the same as the previous embodiment. That is, the insulating film is not formed on the opposing substrate side as shown in FIG. 28, and the TFT is a switching element on the array substrate side as shown in FIG. 35.
  • a second insulating film (passivation film) 10 is formed only on the portion (ie, no insulating film is formed on the pixel electrode 4).
  • the counter substrate side may be as shown in FIGS. 33 and 34, and the array substrate side is shown in FIG. 36.
  • the insulating film 10 may be formed on the scanning wiring electrode, the signal wiring electrode, or the scanning wiring electrode and the signal wiring electrode.
  • FIG. 37 shows the structure of the liquid crystal panel of the present embodiment.
  • ' forms a scanning line and a common electrode on a glass substrate, forms a first insulating film thereon, and forms a semiconductor layer, a signal line, and a pixel electrode thereon.
  • a signal line, a drain, a pixel electrode, and a semiconductor layer are formed on a glass substrate, a first insulating film is formed thereon, and scanning is performed thereon.
  • the lines and common electrodes are selectively formed.
  • the insulating film was not formed on a part of the pixel electrode and the insulating film was formed on the common electrode.
  • An insulating film is formed on the elementary electrode, and the insulating film is not formed on the common electrode.
  • the formation of the opposing substrate is the same as that of the first embodiment.
  • a portion where an insulating film is formed is provided on the counter substrate side, but in the present embodiment, no insulating film is formed.
  • the other points are the same as those in the fifth embodiment.
  • insulating film is formed on the opposing substrate side as shown in FIG. 28, and the TFT substrate, which is a switching element, is formed on the array substrate side as shown in FIG. 37.
  • An insulating film (passivation film) is formed only on the portion (that is, no insulating film is formed on the common electrode).
  • the counter substrate side may be as shown in FIGS. 33 and 34.
  • a protective film or an insulating film 10 serving also as a protective film is formed on the scanning wiring electrode, and the signal wiring electrode or the scanning wiring is formed on the scanning wiring electrode.
  • An insulating film may be formed on the electrodes and the signal wiring electrodes.
  • FIG. 39 shows the configuration of the liquid crystal panel of the present embodiment.
  • a scanning line and a common electrode are formed on a glass substrate 1, a first insulating film is formed thereon, and a semiconductor layer, a signal line, Although the pixel electrodes are formed, in the present embodiment, the signal lines 6 and A drain, a pixel electrode 4, and a semiconductor layer are formed, a first insulating film is formed thereon, and a scanning line 7, a common electrode 5, and a pixel electrode 4 are selectively formed thereon.
  • the pixel electrode and the common electrode are formed in the same layer as in the first embodiment.
  • the ions localized in the gate potential area are removed. Since the liquid crystal was diffused into the pixel electrode portion and deionized, it was possible to obtain a liquid crystal panel of good display quality without black spots.
  • a portion where an insulating film is formed is provided on the counter substrate side.
  • no insulating film is formed on the counter substrate side.
  • no insulating film is formed on the opposing substrate side as shown in FIG. 28, and the upper part of the TFT which is a switching element on the array substrate side as shown in FIG. 39. Only an insulating film (passivation film) is formed (ie, no insulating film is formed on the common electrode).
  • the black spot is smaller than in the previous embodiment. It is possible to further suppress the occurrence of shape irregularity.
  • the counter substrate may have a shape as shown in FIGS. 33 and 34, and the array substrate may have a shape as shown in FIG. 40.
  • an insulating film may be formed on the scanning wiring electrode, the signal wiring electrode, the scanning wiring electrode, and the signal wiring electrode.
  • the metal layer (electrode signal line) at the top (liquid crystal layer side) except for the TFT section is the opening.
  • FIG. 41 shows the configuration of the liquid crystal panel according to the present embodiment.
  • (1) is a plan view
  • (2) is a sectional view taken along the line A-A.
  • (3) is a diagram of the array-side substrate having a B-B cross section.
  • (4) is a diagram of the array-side substrate having the same C-C cross section.
  • the opposite substrates of the B-B cross section and the C-C cross section are the same as the A-A cross section, and therefore, the illustration is omitted.
  • liquid crystal panel will be described with reference to this drawing.
  • a video signal line (source) 6 and a scanning signal line (gate) 7 are formed as metal wiring on the glass substrate 1 in a matrix form, and the active points are formed at the intersections.
  • a semiconductor layer (TFT) 16 was formed as a device (switching device).
  • a gate electrode 7 and a counter electrode 5 were selectively formed on a glass substrate 1 by using a metal such as A1.
  • a SiN x to be the first gate insulating film 8 is formed to a thickness of 300 OA, and the channel of the transistor is formed.
  • the semiconductor layer (amorphous silicon layer) as a part is formed with a thickness of 50 OA, and the Si NX as a etching stop is formed with a thickness of 50 OA.
  • the gate is formed as a method of forming the channel part of the transistor.
  • the insulating film SiNx on the gate electrode is formed smaller than the gate electrode to form an etching horn, and the plasma CVD method is used on top of it!
  • An n + amorphous silicon layer containing phosphorus was formed at a thickness of 50 OA to obtain an omic junction (n + : high-concentration doped silicon). And the proportion of n-type impurity addition is high).
  • the signal wiring (source line) 6, the drain line, and the pixel electrode 4 were formed with a thickness of 400 OA by using a metal such as A1 Ti. .
  • a second insulating film (nossivation film) 10 was formed only on the upper part of the TFT (that is, as shown in the cross-sectional view of FIG. 41). An insulating film was not formed on the pixel electrode 4).
  • the image was dried, the resist was dried by RIE, and then the resist was removed.
  • a panel in which a second insulating film was formed on the entire pixel as shown in FIG. 42 was also produced.
  • orientation film 9 (AL5417: JSR) is formed on the opposite glass substrate 2 with the color filter 11 and the substrate 1 on which the array is formed. ) was printed and rapped.
  • the rubbing is performed in the direction along the signal wiring (source line) 6 of the array substrate, and the array substrate 1 and the color filter substrate 2 The direction of the lab is now parallel.
  • a 4.0 m glass fiber is used as a spacer in the seal resin. (Made by this electric glass).
  • the substrate 1 and the opposite substrate 2 were bonded together, and heated with 15 O: for 2 hours to cure the sealing resin.
  • a liquid crystal 3 having a positive dielectric anisotropy is vacuum-injected into the vacant panel prepared as described above (by placing the vacant panel in a depressurized tank and evacuating the panel). After that, the injection port was brought into contact with the liquid crystal, and the liquid crystal was injected into the panel by returning the inside of the tank to normal pressure.
  • Table 1 shows the used liquid crystals and their specific resistance.
  • a polarizing plate (NPF—HEG14425DU: manufactured by Nitto Denko) was attached to the top and bottom of these substrates 1 and 2 (outside the glass substrate).
  • the specific resistance of the liquid crystal is reduced to less than 10 3 ⁇ ⁇ cm, so that the display is not burned-in. I was able to get the indication.
  • the second insulating film is formed on the entire surface of the pixel portion, but is not formed on the peripheral portion from which the electrode is taken out. For this reason, a process for that is necessary.
  • a portion where the second insulating film is not formed is formed in the pixel.
  • the number of steps is changed only by changing the conventional mask. No.
  • FIG. 43 shows the configuration of the liquid crystal panel of the present embodiment.
  • (1) in this drawing is a plan view, and (2) to (4) are cross-sectional views.
  • the B-B cross section and C-C cross section on the counter substrate side are the same as the A-A cross section.
  • This embodiment is the same as the previous embodiment except that the second insulating film 81 is formed on the TFT and the signal wiring (source wiring) 6.
  • the lapping direction is along the signal wiring (source line) 6 of the array board, and the rubbing is performed between the array board and the color filter board.
  • the direction is now parallel.
  • the TFT and the (source) signal wiring 6 can be protected.
  • the second insulating film is formed along the signal wiring, and the rubbing also goes along the source signal wiring, the insulating film is formed when the rubbing is performed. Good orientation can be obtained because it does not get in the way. (Embodiment of the 2 _ 4-3)
  • FIG. 44 (1) shows the configuration of the liquid crystal panel of the present embodiment.
  • 81 is an insulating film on the TFT.
  • This second insulating film 81 is formed on the TFT 17 and the scanning wiring (gate wiring) 7 and the same as the first embodiment except for the rubbing direction and the liquid crystal. It is.
  • the TFT and the scanning wiring 7 can be protected.
  • the second insulating film 81 is formed along the scanning wiring 7 and the rubbing also runs along the scanning wiring, the insulating film is formed at the time of the rubbing. Good orientation can be obtained because it is not in the way.
  • a liquid crystal having a positive dielectric anisotropy is used.
  • a liquid crystal having a negative dielectric anisotropy is used.
  • the scanning direction can be set to the scanning wiring direction.
  • Fig. 44 (2) shows the configuration of the liquid crystal panel of the present embodiment.
  • This embodiment is the same as the first embodiment except that the second insulating film 81 is formed on the TFT 17, the signal wiring (source wiring) 6 and the scanning wiring (gate wiring) 7. Same as form.
  • the TFT, the signal wiring, and the scanning wiring can be protected.
  • FIG. 45 shows the configuration of the liquid crystal panel of the present embodiment.
  • the counter substrate side is the same as the A-A cross section.
  • a scanning line and a counter electrode are formed on a glass substrate 1, a first insulating film is formed thereon, and a semiconductor layer, a signal line, and a pixel are formed thereon. An electrode was formed, and a second insulating film was partially formed on the electrode.
  • a signal line 6, a drain, a pixel electrode 4, and a semiconductor layer 16 are formed on a glass substrate, and a first insulating film 8 is formed thereon.
  • a scanning line 7 and a counter electrode 5 are selectively formed thereon, and a second insulating film 81 is partially formed thereon.
  • the insulating film was not formed on the pixel electrode 4 and the insulating film was formed on the counter electrode, but in the present embodiment, the image is formed in the first embodiment.
  • An insulating film 81 is formed on the elementary electrode 4, and an insulating film is not formed on the counter electrode 5, so that the structure is unlikely.
  • Figure 46 (1) shows the configuration of the liquid crystal panel in this embodiment.
  • This embodiment is the same as the fifth embodiment except that the second insulating film is formed on the TFT and the signal wiring (source wiring) 6.
  • the direction of the rubbing should also be along the signal wiring (source line) of the array board, and the laying of the array board and the color filter board should be done. Bing direction is now parallel.
  • the second insulating film is formed along the signal wiring, and the rubbing also runs along the signal wiring, so that the insulating film obstructs the rubbing. It is possible to obtain a good orientation because it does not become difficult.
  • Fig. 46 (2) shows the configuration of the liquid crystal panel of the present embodiment.
  • the second insulating film is formed on the TFT and the scanning wiring (gate wiring). 7 is the same as that of the fifth embodiment except for the structure formed thereon, the rubbing direction, and the liquid crystal.
  • the TFT and the scan wiring can be protected.
  • the second insulating film is formed along the scanning wiring, and the rubbing also runs along the scanning wiring, so that the ⁇ ⁇ film disturbs the rubbing. Therefore, a good orientation can be obtained.
  • FIG. 47 shows the configuration of the liquid crystal panel of the present embodiment.
  • This embodiment is the same as the fifth embodiment except that the second insulating film is formed on the TFT, the signal wiring (source wiring), and the scanning wiring (gate wiring). It is.
  • the TFT, the signal wiring, and the scanning wiring can be protected.
  • the portion where the second insulating film is not formed is too small, ions localized in the gate potential portion cannot be recovered, so the second insulating film is formed.
  • the non-existing portions need not be formed all over the pixel electrode or all over the counter electrode.
  • the present invention relates to providing a concave-convex structure in a black matrix or the like.
  • FIG. 48 shows a configuration of the liquid crystal element of the present embodiment on the opposite (color filter side) substrate side.
  • the liquid crystal element will be described with reference to this figure.
  • the array substrate side is manufactured by the same method as the conventional one shown in Fig.4.
  • a video signal line (source) and a scanning signal line (gate) are formed in a matrix on the glass substrate 1 as metal wiring, and the metal wiring is formed.
  • a semiconductor layer (TFT)- was formed as an active element (switching element).
  • a gate electrode and a common electrode 5 were selectively formed on a glass substrate 1 by using a metal such as A1.
  • the first gate insulating film Si NX is formed to a thickness of 300 OA using plasma CVD, and the channel portion of the transistor is formed.
  • the semiconductor layer amorphous silicon layer
  • the Si NX that becomes the etching horn is formed with a thickness of 50 OA.
  • the insulating film SiNx on the gate electrode is formed to be smaller than the gate electrode.
  • the etching stopper is then used as the etching stopper, and the n + morphological silicon layer 41 containing the phosphorus is formed thereon by plasma CVD using a plasma CVD method. It is formed with a thickness of 0 OA, and obtains a good junction (n +: high concentration doping, with a large percentage of n-type impurities added).
  • a contact hole was formed in a peripheral portion where an electrode and the like were formed so that a contact with a wiring portion could be obtained.
  • the signal wiring (source wire) 6, drain wire, and pixel electrode were formed with a thickness of 400 OA.
  • Si NX was used as the second insulating film (passivation film) using plasma CVD method for 350 OA. It was formed by thickness.
  • the black matrix 12 of the counter substrate 2 has concave and convex portions as shown in (2) of FIG. 48, so that the surface area is increased and the black matrix 12 has a large surface area. Also, make sure that the generated information can be deionized.
  • a conductive metal was mixed in a resin.
  • the concave-convex structure was fabricated by partially patterning the black matrix twice.
  • the configuration of the concave and convex portions is such that the difference between the concave portion and the convex portion is 0.1 m, and the difference between the concave portion and the convex portion is 0.3 m. Two types were formed. A schematic diagram showing the configuration of the concave and convex portions is shown in (2) of this figure.
  • an alignment film (AL5417: made by JSR) is formed on the inner surface (liquid crystal) side of the opposing glass substrate 2 with the color filter and the substrate 1 on which the array is formed. ) was printed, cured, and rubbed.
  • the seal resin contained 4.0 m of glass phenyl (made by Nippon Electric Glass) as a spacer.
  • the substrate 1 and the opposing substrate 2 were bonded together, and the sealing resin was cured by heating at 150: 2 for 2 hours.
  • a liquid crystal having a positive dielectric anisotropy is injected into the vacant panel fabricated as described above by a vacuum injection method (by placing the vacant panel in a depressurized tank and evacuating the panel). After that, the liquid crystal is brought into contact by bringing the inlet into contact with the liquid crystal and returning the pressure in the tank to normal pressure. How to inject into the panel).
  • Table 1 shows the liquid crystals used and their specific resistances.
  • a light-curing resin (Locktime 352 ⁇ : made by Nippon Rock-Yet) is used as a sealing resin at the inlet of the liquid crystal element. coated cloth, and the light was morphism irradiation between 1 0 m W / cm? 5 minutes and hardening the sealing resin.
  • Polarizers (NPF-HEG14425DU: manufactured by Nitto Denko) were attached to the top and bottom of both substrates (outside of the glass substrate).
  • the potential of the gate is exposed, and it enters the high-temperature bath at 70, and it is 12 hours. After driving, the halftone was displayed and evaluated.
  • the potential of the black matrix on the opposite substrate side was set to be the same as the common electrode on the array substrate side.
  • the black matrix has concaves and convexes, the area for recovering the ions increases as much as possible. As a result, it was possible to reduce black spot-like mura.
  • the straight diameter of the black dot-shaped mura is 0.1 mm or less, and the difference between the concave and convex portions is 0.3. m, no black spots were generated, whereas the panel used in the comparative example was 3 'mm in size. Black spot-like mura occurred.
  • the specific resistance of the liquid crystal is made smaller than 10 13 ⁇ cm, so that it is good that the display is not burned. We were able to obtain a good display.
  • Fig. 49 shows the configuration of the liquid crystal element of this embodiment on the array substrate side.
  • (1) and (2) in Fig. 50 show the cross sections.
  • the black matrix 12 is formed on the opposite substrate side. In this embodiment, as shown in FIG. 50 (3). As described above, the concave and convex black matrix 12 was formed on the array substrate side. Others are the same as the first embodiment.
  • the black matrix has concave and convex portions, so that the area for collecting ions can be increased. As a result, good display was obtained without black spot-like mura.
  • the black matrix is configured to surround the pixel, but as shown in FIG. 51, the black matrix corresponds to the scanning line (gate line) 7. It can be formed only on the part corresponding to the signal wiring (source line) 6 or formed only on the part corresponding to the signal wiring (source line) 6.
  • FIG. 52 it may be formed in an island shape. This is the black matrix, but it is not only in the pixel for each color of the color filter, but also in the TFT. It is a matter of course that a light-shielding film (layer) that also plays a role of protecting and preventing malfunction due to light may be used.
  • the concave and convex portions are narrower than the pure black matrix of the color filter side substrate, the concave and convex portions are formed on the upper surface which is originally in contact with the liquid crystal. Needless to say, it is good that the side surface is also formed.
  • FIG. 53 shows the configuration of the liquid crystal device according to the second to fifth embodiment of the present invention. Show.
  • the conductive black matrix is formed with concave and convex, but in the present embodiment, the black matrix of the opposing substrate is formed.
  • An overcoat is formed on the portion, and a concave-convex neutralizing electrode 30 is formed on the overcoat. Then, the electric potential of the concave-convex electrode was set to be the same as that of the common electrode. Others are the same as those of the first embodiment.
  • a concave-convex neutral electrode is formed on the counter substrate side.
  • the cross section is upside down from that shown in FIG. 53. Since they are almost the same, they are not shown in the figure but are formed on the array substrate side. Others are the same as those of the third embodiment.
  • the neutralizing electrode is formed separately from the pixel electrode and each signal wiring.
  • Fig. 54 (1) is a diagram showing the cross-sectional configuration of a conventional IPS, and (2) is an improved version of the conventional IPS, which is an HS mode (Fig. 54) with an electrode formed on the counter substrate side.
  • Cross section showing the configuration of Hybrid Switching Mode It is a diagram.
  • Fig. 55 shows the configuration of the liquid crystal element of the present embodiment.
  • the concave-convex neutral electrode 30 is formed in the black matrix portion on the opposite substrate side, but in this embodiment, Then, as shown in (2) of Fig. 55, a concave-convex neutral electrode is formed in a portion other than the black matrix. Others are the same as the third embodiment described above.
  • the electrode since the electrode has concaves and convexes, the area for collecting ions is large, and black spots are not generated. Display was obtained.
  • no electrode is formed at the black matrix portion, but an electrode is formed at the black matrix portion as shown in FIG. You can do it.
  • only the electrodes formed in the black matrix may be made concave and convex, and as shown in FIG. 58.
  • both the electrode formed on the black matrix portion and the electrode formed on the other portion may be formed in a concave and convex shape.
  • the concave-convex neutral electrode is formed on the opposing substrate, but in the fifth embodiment, the concave-convex neutral electrode is formed on the array substrate.
  • the other components are the same as those of the fifth embodiment.
  • the concave and convex portions are formed on the electrodes, so that the area for collecting ions is large, and black dots are not generated. Obtained.
  • Fig. 59 (1) shows the cross-sectional configuration of the liquid crystal element according to the present embodiment.
  • a concave-convex neutral electrode is formed on the opposite substrate side.
  • the black matrix on the opposite substrate side is formed in a concave-convex shape, and the others are the same as those of the fifth embodiment. It looks like.
  • the black matrix has a large area for collecting ions due to the formation of concaves and convexes in the black matrix. Good display was obtained without the occurrence of la.
  • both the neutral electrode 30 and the black matrix 12 formed on the opposing substrate side are concave and convex.
  • an electrode or black matrix may be formed on the overcoat as shown in (3) and (4).
  • the black matrix is formed on the opposite substrate, but in this embodiment, the black matrix is formed on the array substrate. Others are the same as in the seventh embodiment.
  • the black matrix has a large area for collecting ions due to the formation of concaves and convexes in the black matrix. Good display was obtained without the occurrence of any.
  • the method of forming the concave and convex was to use a method of partially repetition of the nodding and stacking twice.
  • a sand blaster or the like or to form the dot by other methods such as vapor deposition.
  • halftone exposure it is possible to form a film having a different height by one exposure.
  • the shape of the concave and convex may be a dot shape, and may be a pattern such as a stripe shape, a circular shape, a polygonal shape, and the like. is there .
  • the present invention uses a conductive light-shielding film. 'Hereinafter, the liquid crystal elements of the present invention will be described based on the embodiments thereof.
  • the liquid crystal element of this embodiment mode is called a black matrix on a glass substrate having a transparent conductive film 13 formed on the upper outer surface as shown in FIG.
  • the color filter side substrate 2 on which the light shielding layer 12, the color filter 11, and the alignment film 9 are formed for example, a common electrode 5, an insulating layer on a glass substrate 8, signal wiring 6, pixel electrode 4, and thin film transistor for the purpose of the in-plane switching (IPS) mode including the upper second insulating layer 81.
  • IPS in-plane switching
  • a TFT substrate (TFT) substrate 1 (a TFT portion is omitted in the drawing), a light-shielding layer 12 is directly formed on the liquid crystal 3. It is designed so that there is a contact area 120.
  • the liquid crystal is in direct contact with the conductive light-shielding layer in this way, even if ionic impurities are generated and concentrated in the liquid crystal, the The conductive light-shielding layer exchanges ions with the ionic substance contained in the liquid crystal, and the ionic impurities become non-ionic. As a result, black spot defects do not occur.
  • the area where the liquid crystal is in direct contact with the conductive light-shielding layer may be in any part and in any number of areas, but the contact area of the total is large. The effect is second.
  • Fig. 61 (1) shows a drawing of the board on the color filter side only.
  • the liquid crystal element of the present embodiment has an alignment film layer between the light-shielding layer and the liquid crystal layer. That is, the liquid crystal is in direct contact with the alignment film, and the alignment film is in direct contact with the light-shielding film.
  • the orientation film is usually very thin and has a thickness of less than 200 A, the orientation film has many pinholes. For this reason, for example, when there is an ionic impurity which is the cause of the occurrence of spot defects in the liquid crystal, the same as when the alignment film is not present Then, the ion is transferred between the conductive light-shielding film and the ionic impurity.
  • the orientation film particularly the orientation film used in the IPs mode, generally has a large polarity, it easily adsorbs ionic impurities. For this reason, once the ionic impurities have been adsorbed on the alignment film, the electrons are transferred to and from the conductive light-shielding film, thereby removing the impurity ions more efficiently. You can do it.
  • This embodiment relates to removal of an overcoat layer.
  • the overcoat layer is not mentioned at all, but the overcoat layer may be present in the opening part or the like. Of course it is. However, in the region where the light-shielding layer and the liquid crystal layer are in contact, or in the region where the light-shielding layer and the liquid crystal layer are in contact with each other through the orientation film, the presence of an overcoat layer is not effective. There is no.
  • the overcoat layer is The part that becomes the structure of the light-shielding layer / overcoat layer / liquid crystal or the part that becomes the light-shielding layer / overcoat layer / alignment film / liquid crystal
  • the photo-coat layer is removed in advance by photolithography.
  • the conductive light-shielding layer is set at almost the same potential as the common electrode.
  • the conductive light-shielding layer by providing a potential to the light-shielding layer, it is possible to prevent a reduction in contrast due to light leakage from a pixel portion, and the like.
  • the ion species move more easily than when no potential is applied, so the ion removal rate increases.
  • the liquid crystal element according to the present embodiment has a light-shielding layer 12 or a wiring 122 and a common electrode, which have almost the same potential as the light-shielding layer extending therefrom.
  • the wiring 51 extending almost from the same potential is formed between the color filter substrate and the TFT substrate by at least one or more conductive substances 123. It is electrically connected. By doing so, the potential of the light-shielding layer can be driven at the same time as the common potential of the array substrate, and the number of new extraction wirings can be reduced.
  • the conductive material may be any conductive material such as a metal or a conductive resin, but a resin having a conductive property mixed with carbon or the like may be used. It is very easy to use.
  • the present invention utilizes the black matrix and the like of the opening and the counter substrate. (Form of implementation of 2nd-7-1)
  • Fig. 63 shows the flat surface of the substrate on the array side of the liquid crystal element in this embodiment.
  • Si NX is used as the second insulating film (no. Until a plasma CVD method is used to form a layer with a thickness of 350 OA, the configuration is the same as that of the second embodiment. '
  • the resist is applied by a spinner, and a mask is exposed to light, thereby forming a second insulating film.
  • a base film was selectively formed to form a region where a part of the insulating film was not formed in the pixel portion. Specifically, as shown in the A-A cross section in FIG. 63, do not form the second insulating film (passivation film) on the storage capacity portion 4. What they do is different.
  • removing the resist is the second-four-first implementation. It is the same as the form.
  • a conductive metal was mixed with a resin to form the black matrix.
  • Fig. 64 shows the configuration of the glass substrate facing the glass substrate.
  • Comparative Example 2 Although the insulating film of the array substrate was not removed, a black matrix for non-ionizing was formed on the opposite substrate side. For this reason, the black spots are smaller than in Comparative Example 1, but still insufficient.
  • Comparative Example 3 since the insulating film of the array substrate was removed, ions that were unevenly distributed to the gate potential to some extent could not be ionized, but the non-ion on the opposite substrate side could be eliminated.
  • the black dots are smaller than in Comparative Example 1 because the black matrix for ionization is not exposed, but they are still smaller. Is not enough.
  • the insulating film on the array substrate has been removed, and an electrode for non-ionization has been formed on the opposing substrate side. It can be suppressed as small as 1 mm or less.
  • Fig. 65 shows the difference between the present invention and the comparative example.
  • a laser is applied to the gates of these panels to expose the zeros of the gates, put them in a high-temperature bath of 70, drive them for 12 hours, and then adjust the middle tone. It was displayed and evaluated.
  • the potential of the neutral electrode on the counter substrate side was set to be the same as the potential of the common electrode on the array substrate side.
  • Comparative Example 1 was unevenly distributed in the gate potential. Since the electrode for de-ionizing the electrode is not exposed, the black dot-like mura becomes large.
  • Comparative Example 2 Although the insulating film of the array substrate was not removed, a black matrix for non-ionization was formed on the opposite substrate side. As a result, the black spots are smaller than in Comparative Example 1, but still insufficient.
  • Comparative Example 3 since the insulating film of the array substrate was removed, ions that were localized to a certain extent to the gate potential could be deionized. No black matrix for non-ionizing is exposed on the substrate side, or the electrodes on the opposite substrate side are exposed. As a result, the black dot-like mura was smaller than in Comparative Example 1, but still insufficient.
  • the insulating film of the array substrate has been removed, and the conductive black matrix for preventing non-ionization on the opposite substrate side as well.
  • a conductive material for collecting ions that is, a conductive material for collecting ions, is formed on both substrates, and the conductive material is oriented in the direction described above. Due to the direct contact with the film or liquid crystal, the black spot-like mura was suppressed to 0.1 mm or less, which was sufficiently small.
  • the specific resistance of the liquid crystal is made smaller than 10 13 ⁇ cm, so that it is good that there is no sticking of the display. The display was able to be obtained.
  • Fig. 66 shows the configuration of the liquid crystal element of this embodiment (glass substrate).
  • the black matrix on the opposite substrate side is configured to surround the pixel around, but in the present embodiment, the opposite substrate is used.
  • the black matrix on the side is configured along the signal wiring (source line) 6.
  • the insulating film of the array substrate has been removed, and the conductive black mask is also formed on the opposing substrate side so that it is not ionized.
  • a matrix is formed with a conductive material for collecting ions, that is, a conductive material is formed on both substrates, and the conductive material has no alignment film. Because it is in direct contact with the liquid crystal, black spots can be suppressed small.
  • the insulating film on the pixel electrode above the storage capacitor was removed as shown in FIG. 63. As shown in FIG. 7, it may be removed so as to cover the signal wiring electrode, the pixel electrode, or even over those electrodes.
  • the common electrode may be formed above the pixel electrode, and a part of the insulating film over the common electrode may be removed.
  • 16 is a semiconductor layer
  • 161 is a drain
  • 162 is a second semiconductor layer.
  • the common electrode and the pixel electrode may be formed in the same layer, and a part of the insulating film thereon may be removed.
  • black matrices formed on the counter substrate side are shown in FIG. 64 (1) and FIG. 66 (1).
  • FIG. 64 (1) and FIG. 66 (1) black matrices formed on the counter substrate side are shown in FIG. 64 (1) and FIG. 66 (1).
  • FIG. 64 (2) of FIG. 66 it is permissible to form only the portion corresponding to the scanning wiring (gate line). It may be formed in an island shape as shown in FIG.
  • FIG. 71 shows a configuration of the liquid crystal element of this embodiment.
  • the switch is used.
  • the second insulating film (passivation film) 81 is formed only on the TFT which is a switching element (that is, the insulating film is formed on the pixel electrode). Completely Do not form). Others are the same as the first embodiment.
  • a conductive black matrix is formed as shown in Fig. 62, and the conductive black matrix is directly distributed. Make contact with the membrane.
  • the shape of the facing substrate side as shown in FIGS. 66 and 70 may be used.
  • an insulating film is provided on the array substrate side on the scanning wiring electrode, the signal wiring electrode, or on the scanning wiring electrode and the signal wiring electrode. It may be formed.
  • FIG. 73 shows the configuration of the liquid crystal element according to the present embodiment.
  • the scanning line 7 and the common electrode 5 are formed on the glass substrate 1, and the first insulating film is formed on the scanning line 7 and the common electrode 5.
  • the semiconductor layer, the signal line, and the pixel electrode are formed on the substrate, but in the present embodiment, the signal line 6, the drain, the pixel electrode 4, and the pixel electrode 4 are formed on the glass substrate 1.
  • a semiconductor layer 16 is formed, a first insulating film is formed thereon, and a scanning line 6 and a common electrode 5 are selectively formed thereon.
  • the insulating film was not formed on a portion of the pixel electrode, and the insulating film was formed on the common electrode.
  • An insulating film is formed on the elementary electrode, and no insulating film is formed on the common electrode.
  • an insulating film (passivation film) is formed only on the upper part of the TFT which is a switching element. Form .
  • the method of forming the opposite substrate is the same as that of the first embodiment.
  • a conductive black matrix is formed as shown in Fig. 64, and the conductive black matrix directly contacts the alignment film. I'm sorry.
  • the counter substrate side may have a shape as shown in FIGS. 66 and 70, and the array substrate side may have a shape as shown in FIG. 74.
  • An insulating film may be formed on the scanning wiring electrode, the signal wiring electrode, the scanning wiring electrode and the signal wiring electrode.
  • FIG. 75 is a diagram showing a configuration of a liquid crystal element according to the second-715 embodiment of the present invention.
  • a scanning line 7 and a common electrode 5 are formed on a glass substrate, a first insulating film is formed thereon, and a semiconductor layer 16 is formed thereon.
  • the signal line 6 and the pixel electrode 4 are formed, in the present embodiment, the signal line 6, the drain, the pixel electrode 4, and the semiconductor layer 16 are formed on the glass substrate 1, and the first and second layers are formed thereon.
  • the insulating film 1 is formed, and the scanning line 7, the common electrode 5, and the pixel electrode 4 are selectively formed thereon.
  • the pixel electrode 4 and the common electrode 5 are formed in the same layer.
  • an insulating film (passivation film) is formed only on the TFT, which is a switching element.
  • the method of forming the counter substrate is the same as that of the first embodiment. That is, as shown in FIG. 64, a conductive black matrix is formed, and the conductive black matrix is formed. The black matrix should be in direct contact with the membrane.
  • the insulating film on the pixel electrode and the common electrode has been removed, and a conductive black matrix is formed on the opposing substrate. Since the ions that are unevenly distributed in the gate potential portion diffuse to the pixel electrode portion and become non-ionized, it is possible to obtain a liquid crystal element with good display quality without fuzzy spots. You can get it.
  • the counter substrate side may have a shape as shown in FIG. 66.
  • an insulating film may be formed on the array substrate side on the scanning wiring electrode, the signal wiring electrode, and the scanning wiring electrode and the signal wiring electrode.
  • FIG. 77 shows the configuration of the liquid crystal element according to the second to seventh embodiment of the present invention.
  • resin balls are sprayed as spacers for keeping the substrate interval constant, but in the present embodiment, the resin filter is disposed on the color filter side.
  • the projections (columns) 60 are formed. Otherwise, it is the same as the other embodiments.
  • the projections were formed by the following method using a photosensitive acrylic resin (PC335: manufactured by JSR).
  • the projection was formed at a location on the array side where the electrode was covered with the first insulating film and the second insulating film.
  • concave and convex portions are formed on a black matrix, a neutral electrode, and the like, it is possible to avoid such portions to form the concave and convex portions.
  • the internal beads are moved when acceleration is applied to the liquid crystal panel. Elimination occurs.
  • the spacer for keeping the substrate interval constant may be formed on the array substrate side. Of course, depending on the case, it may be formed on both substrates. Further, in the case of a multistage display device, it may be formed on each substrate.
  • the present invention relates to the adsorption and absorption of ions and the like by a foaming agent.
  • a fine spongy resin layer made of a foaming agent is formed on a neutral electrode.
  • Fig. 78 shows the main parts of its manufacture and formation. Hereinafter, the technical contents of the present embodiment will be described with reference to this figure.
  • a foaming agent layer 91 is formed on the neutral electrode 30 by applying a filter or the like by coating or the like.
  • This foaming agent is mixed into base rubber and resin, and is decomposed by heating to generate nitrogen, carbonic acid gas, and the like.
  • a fine bubble structure having a diameter of 2, 3 or the like is formed on the base.
  • it is azo-carbon amide, N, N-dinitrosopenta methylentetramin, benzenesulhonirhihi. Drazide, sodium hydrogen carbonate, etc. are available.
  • the large surface area due to the bubble structure and the charge through the neutral electrode collect ions and impurities in the liquid crystal.
  • a transparent liquid crystal display device is taken as an example of a liquid crystal element. Although it has been described, nothing is limited to this, for example, the following may be acceptable.
  • Fig. 79 it is a reflection type liquid crystal display device.
  • 91 is a mirror
  • 92 is a transparent insulating film.
  • T F T 1 T 1
  • the light-shielding layer is not a black matrix that exists between the color filters, but also has the function of preventing erroneous operation due to the TFT light. It is a protective film.
  • the concave and convex portions of the light-shielding layer depend on the dimensions and size of the original (between pixels) black matrix, but the entire surface of the liquid-crystal side of the light-shielding film depends on the size and size of the black matrix. It may be installed on the side.
  • FIG. 80 it is a liquid crystal optical element.
  • an optical logic element 792 has been developed which outputs an operation result of the incident light 790 as a transmitted light 791, as shown in FIG. .
  • This requires a high contrast ratio when applied to an optical computer.However, the display characteristics of a device using a lateral electric field type liquid crystal are improved. High reliability was obtained by the improvement. '
  • Fig. 81 it is an EL display.
  • 911 is a glass substrate.
  • Reference numeral 912 denotes a thin-film transistor.
  • 9 13 is an extreme layer.
  • 9 14 are wiring electrodes.
  • 9 1 5 is the shade It is a pole.
  • Reference numeral 917 denotes an organic EL layer.
  • 918 is an anode.
  • 920 is a support pillar.
  • 9 2 1 is a color filter.
  • 922 is a fluorescence conversion layer.
  • 9 23 is a transparent plate. However, since this principle is a well-known technique, its explanation is omitted.
  • the anaerobic resin 2021 and mechanical means are used in combination for sealing after the liquid crystal is injected into the panel.
  • the anaerobic resin 2021 is applied to the liquid crystal injection pores 212 of the panel, and the stopper 211 is applied to the anti-liquid crystal side and to the outer periphery.
  • the pressed plate 2 110 is pushed in and pressed.
  • a female screw for applying an anaerobic resin 202 to the head side is screwed into a female U 2 14 for liquid crystal injection of the panel.
  • this resin is of a type that is cured by a pressing means, thereby making it possible to adjust the sealing time of the liquid crystal injection portion.
  • the voltage applied to the neutral electrode is of various types. 1) in this figure is the same voltage as the gate. As a result, the voltage becomes substantially negative. 2) is not only connected to the gate signal line or source signal line, but also displays the voltage of both signal lines to prevent the liquid crystal from being charged up. Even if it changes alternately every time, it is connected to the diode so that it has only plus or minus charges. An alignment film 91 using a foaming agent is formed on the liquid crystal side surface.
  • the present invention has been described based on some of the embodiments, but it goes without saying that the present invention is not limited to these embodiments. That is, for example, the following is acceptable.
  • the liquid crystal is not a nematic liquid crystal, but another type of liquid crystal such as a ferroelectric liquid crystal or an anti-ferroelectric liquid crystal.
  • the active element is not a three-terminal element TFT, but a two-terminal element MIM (Metal-Insulator-Metal), a ZnO diode, or a SiNx die. , A_S i diode and so on.
  • the structure of the TFT is not a channel protection type but a channel etch type.
  • a drive circuit is formed around the substrate.
  • One or both of the substrates are made of film or plastic. 8) A color filter is formed on the array substrate side as a substrate.
  • the opposite side of the neutral electrode is formed of a transparent electrode such as ITO, and the neutral electrode is formed at a place other than the black matrix, thereby opening the area. And improve it.
  • the neutral electrode on the opposite substrate side also serves as the color filter on the opposite substrate side.
  • a method for forming the cell thickness use a method other than the spacer spraying method (for example, a method of forming pillars using resin). The thickness is formed.
  • Black matrices and color files The pigment method, printing method, dyeing method, electrodeposition method, ink jet method, film transfer It is formed by a method such as a method.
  • the cell structure caused by the foaming agent is smaller or more continuous in cell size.
  • the relationship between the voltage plus and minus applied to the pixel electrode and common electrode can be inverted at predetermined intervals.
  • the voltage applied to the neutral electrode can be adjusted and controlled at the same time.
  • the total film thickness of the third layer such as the insulating layer and the alignment film on the electrode interposed between the liquid crystal layer and the layer made of a conductive material is 5%.
  • At least one pixel electrode, common electrode, and signal wiring electrode there is at least a part of the upper part where the insulating film is not formed, and the electrode contacts the liquid crystal directly or directly to the liquid crystal due to the part.
  • a neutral electrode having a portion where an insulating film is not formed is formed on the substrate side where no pixel electrode or the like is formed.
  • the electrode is unevenly distributed in the gate potential portion. Since ON diffuses into the pixel electrode portion and becomes non-ionized, a liquid crystal element with good display quality without display glare can be obtained.
  • a concave-convex structure is formed on the surface of the black matrix on the substrate side where the pixel electrode is not formed, thereby increasing the surface area, thereby increasing the gate area. Since the ions that are unevenly distributed in the potential portion are deionized, the occurrence of black spot-like mura can be suppressed. In particular, when concaves and convexes are formed on the surface of the black matrix, the surface area for recovering ions is large, and a sufficient effect can be obtained.
  • the ionic impurities in the liquid crystal are recovered from the light-shielding layer, and the black light is removed. Eliminates the occurrence of spot defects.

Description

明 細
細 液晶素子、 液晶表示装置及びそれ ら の 製造方法 技 術 分 野
本発 明 は、 液晶素子 に 関 し 、 特 に横電界方式の液晶 素子 に 関す る も の で あ る 。 背 景 技 術
(一般的な背景技術)
液晶素子、 特 に液晶表示装置 は、 ノ 一 卜 型パ ソ コ ンやデス ク ト ッ プ パ ソ コ ン の モ ニ タ ー を は じ め 、 ビデオカ メ ラ の ビ ュ ー フ ア イ ン ダ一、 投写型 の ディ ス プ レイ な ど様 々 な機器の表示部や こ れ に 関連 し た部分 等 に使われて お り 、 最近で はテ レ ビの表示部 と し て も 用 い ら れる よ う に な っ て き た。 ま た さ ら に 、 光 プ リ ン タ ーヘ ッ ド 、 光 フ ー リ エ変換素 子、 ラ イ ト ノ、'ルブな ど 、 オ プ ト エ レ ク ト ロ ニ ク ス 関連素子 と し て も 利 用 さ れて レ る 。
さ て 、 現在 にお い て は、 液晶素子 は表示装置 に使われる の が最 も 多 く 、 液晶表示モー ド と し て T N ( ッ イ ス テ ツ ド ネ マ テ ィ ッ ク ) モ ー ド 、 V A (垂直配 向) モ ー ド 、 I P S ( I n — P l a n e — S w i c h i n g ) モー ド 等が一般的で あ る 。
な かで も I P S モー ド は、 横電界方式 あ る い は櫛形電極方式 と も 呼 ばれ、 こ れは液晶分子 を 基板面 に対 し て ほ ぼ平行 に配向 さ せ、 基板面 に平行な電界 を発生 さ せ る こ と に よ り 液晶分子 を 基板面内 で回転 さ せ る た め 、 視角方 向 に よ る 明 る さ の変化が少な く 、 ひ い て は視野角特性 が優れて い る と い う 特徴 を 有す る も の で あ る ( 「液晶ディ ス プ レイ 技 術」 4 頁 産業 図書刊、 そ の他特開平 1 0 — 2 0 6 8 6 7"¾公報 f 。 以上の 他、 I P S 方式の改良 版 と し て 、 電極 間 隔 を狭 く し て斜め電 界 を利用 し て駆動す る F F S モー ド ( F r i n g e F i e l d S w i c h i n g M o d e ) や対向基板側 に 電極 を形成 し て斜め電界 を禾 IJ用 す る H S モー ド( H y b r i d S w i c h i n g M o d e ) 等があ る 。 なお 、 こ れ ら 両方式 は、 厳密 に は あ る い は純技術的 に は I P S 方式 に含 ま れな い 面 も 有す る が、 後 に 説明す る 本願発 明 の 目 的 、 構成、 効果 に 関 し て は共通す る ( あ る い は、 本願発明 の思想 を利用 し う る ) 。 こ の た め 、 本明細書で は、 特 に そ の 請求の範囲で は、 I P S 方式あ る い は横電界方式 と 記載 し た場合 、 こ れ ら F. F S モ ー ド や H S モー ド を も含め る も の と す る 。
参考 ま で に 、 こ れ ら 3 モー ド を 図 1 に示す。 本図 に お い て 、 1 は、 ア レイ 基板で あ る 。 2 は、 対向基板で あ る 。 3 は、 液晶で あ る 。 6 は、 ソ ース 線で あ る 。 7 は、 走査線で あ る 。 1 7 は、 薄膜半導体で あ る 。 た だ し 、 こ れ ら 各モー ド の技術的 内容 は、 い わ ゆ る 周知技術な の で 、 そ の説明 は省略す る 。 - さ て 、 I P S 方式の みな ら ず、 液晶パ ネ ル内へ の液晶の充填 は、 図 2 に示すよ う に、 先ず 1 枚 の ガ ラ ス 基板 2 に 印刷 に よ り シール樹脂 の 帯 2 0 1 を 薄 く 四角 に 印刷 し 、 次 に他方 の硝子基板 1 と 併せてセ ル を 形成 し 、 そ の後 シール樹脂の 一部 を 欠 い て形成 し た注入 口 よ り セル内 へ液晶 を真空充填 し 、 そ の後注入 口 に紫外線硬化性 の樹脂 2 0 2 を 塗 布 し て液晶 を封入す る 。 そ の後、 該封 ロ 用 樹脂 を 、 紫外線 ( U . V . ) 照射 に よ り 硬化 さ せて い た。
し か し こ の よ う な方法で は、 紫外線樹脂 を 塗布す る と き に注入 口 の 2 枚の ガ ラ ス 基板 の 間 隙部分 に気泡 1 5 1 や異物 1 5 が残 る こ と が あ つ た。 そ し て 、 こ の よ う な気泡等が残 る と 、 図 3 に示すよ う に 、 紫外 線照射す る 際 に紫外線硬化樹脂 内 に 残 っ た気泡や異物等が紫外線 を散 乱屈折 さ せた り 吸収 し た り し 、 紫外線照射方向 か ら みて気泡 の後 ろ 側 に存在す る 紫外線硬化樹脂が紫外線の 照射不足 と な る 。 そ の結果、 そ の ま ま で は単 に 照射不足部分 の紫外線樹脂が未硬化 と な る だ けでな く 使用 時 に未硬化の樹脂が液晶 中 に拡散 し て い く た め 、 液晶 素子 の長期 信頼性 の低下の 一因 と も な つ て い た。 そ し て 、 こ の対策 と し て各方 向 か ら 紫外線 を 照射す る の は、 工程が複雑 と な る 。
次 に 、 こ の I P S モー ド の T F T 液晶表示装置 を連続 し て使用 し て い る と 、 白 黒表示な ら ば本来 白 表示で あ る べ き な の に黒 い点状 に見 え る 表示む ら が発生す る 場合が あ る 。 こ の 、 い わ ゆ る 黒点状 の む ら は、 表示品位 を大 き く 低下 さ せかねな い た めそ の解消 を 図 る 必要が あ る 。 そ し て こ の黒点状の表示む ら の対策、 解決方法 に つ い て は、 特 開平 1 0 — 2 0 6 8 5 7 号 に て言及 さ れて い る 。 それ に よ れ ば、 黒点状の む ら は画素電極、 ソ ー ス 信号配線の保護層 の ク ラ ッ ク 部分で電気化学反 応が起 こ り 、 イ オ ン性物質が生成す る こ と に よ っ て液晶層 の電圧保持 率が低下 し 、 液晶の配列 が変化 し て発 生す る と し て い る (従 っ て、 い わ ゆ る ノ 一マ リ ホ ワ イ ト や ノ ー マ リ ブ ラ ッ ク の表示モ ー ド の如何等 に よ っ て は、 白 い点状の表示む ら の場合 も あ り う る 。 ま た、 カ ラ ー表示 な ら ば、 表示む ら の色彩 は何 も 黒 白 と は限 ら な い 。 こ の た め 、 本明細 書で い う 「黒 い点状 の表示む ら 」 等 は、 「電圧の保持率の低下 に起 因 す る 白 や色彩の付 い た点状 の表示む ら 」 を も含む概念で あ る 。 ) 。 そ の 結果、 保護'層 の厚み を 電極厚み に 比べて厚 く す る か 、 ま た は有機高 分子の保護層 を形成す る こ と で、 黒点む ら を解消 出来 る と し て い る 。
以下、 従来の こ の I P S 方式の液晶表示装置 に つ い て 図面 を 用 い て 説明す る 。
図 4 は、 一の液晶表示装置の ア レイ 基板の 1 画素 の 平面 を模式的 に 示 し た 図で あ る 。 図 5 の ( 1 ) と ( 2 ) は、 各 々 図 4 の A — A 、 B — B 断面 を 示す図で あ る 。 図 6 の ( 1 ) 、 ( 2 ) 、 ( 3 ) は各 々 図 1 の C — C 、 D — D 、 E — E 断面 を 示す図で あ る 。 た だ し 、 ( 2 ) と ( 3 ) に お い て は、 対向基板 は ( 1 ) と 同一で あ る た め 、 そ の 図示 は省略 し て あ る 。
さ て 、 図 4 と 図 5 に お い て 、 5 は共通電極、 7 はゲー ト 信号配線で あ り 、 こ れ ら は同 じ 層 に 形成 さ れて い る 。 次 い で、 絶縁層 8 がそ の 上 層 (液晶層側) に形成 さ れ、 更 に 半導.体層 か ら な る 薄膜 ト ラ ン ジ ス タ ( T F T ) 1 7 、 ソ ー ス 信号配線 6 、 画素電極 4 がパ タ ー ン 形成 さ れ、 そ の上層 に保護層 1 0 が堆積 さ れて ア レイ 基板 1 を構成 し て レゝ る 。 こ の ア レ イ 基板及び こ の ア レ イ 基板 に対向す る 対向 (カ ラ 一 フ ィ ル 夕 ) 基板 2 の対向面側 に配向膜 9 が形成 さ れ、 更 に 両基板 間 に は液晶 層 3 が形成 さ れ液晶表示パ ネ ル を 構成 し て い る 。 図 6 は、 少 し 精密 な 断面 図で あ る 。 な お、 こ の 内容 は追 っ て説明す る 。
こ れ ら 3 図 に示すよ う に 、 T N 型液晶パ ネル と 異な り 、 I P S ノ、 ' ネ ル は電極が同一平面上 に存在 し て い る 。
ま た 、 薄膜 ト ラ ン ジ ス タ の ド レイ ン と接続 さ れた電極 を 画素.電極 と 呼 び、 ド レイ ン と 接続 さ れて い な い電極 を共通電極 と 呼んで い る 。
と こ ろ で、 こ の よ う な液晶表示パ ネ ルの製造工程 に お い て は非常 に 微細な加工が要求 さ れ る た め 、 製造 中 に 異物が混入 し た場合 、 こ れ に 起 因 し てゲー ト 信号配線 と ソ ー ス 信号配線の交差部分ゃゲー ト 信号配 線 と 共通電極の近接部分等で シ ョ ー 卜 が発生 し 、 生産歩留 ま り を 低下 さ せ る 大 き な要因 と な て い る 。
すなわ ち 、 図 4 〜 図 6 に 示すよ う に 、 同 一面上 にゲー ト 信号配線 と 共通電極 を 形成す る と き に は、 通常ス パ ッ タ リ シ グ法等 に よ り 電極材 料 を堆積 さ せた後、 フ ォ ト リ ソ グ ラ フ 法 を 用 い てノ、 タ ー ン 形成 を 行 う が、 図 7 及び図 8 に 示すよ う に 、 レ ジ ス ド'材料等 に含あれた 5 が電極材料 を 除去すべ き 箇所 に存在 し た場合 、 こ の 異物 に よ っ て露光 が出来ず、 本来図 4 に示すよ う に 除去 さ れ別 々 の 配線 · 電極 と し て形 成 さ れ る べ き 箇所が残 り 、 連続 し た配線 と な っ て シ ョ ー ト を起 こ し て し ま う こ と があ る 。
通常、 こ の シ ョ ー ト 箇所 は液晶表示パ ネル 中 で数 ケ 所程度の こ と が 多 い。 そ し て 、 こ の対策 と し て は、 レーザー等 に よ っ て シ ョ ー ト 部分 の切断 を行 う こ と がな さ れて い る 。
し か し 、 レ ーザー で異物 に よ る シ ョ ー ト 部分 を 除去 し た と き に は、 その箇所の電極 も 切断 さ れてお り 、 併せてゲー ト 電極上部の絶縁膜が 破壊 さ れ、 ゲー ト 電極が露出 し て し ま う 。
と こ ろ で、 ゲー ト 電極が露出 し た状態で液晶表示装置の 高温動作 を し た場合 に はそ の部分 に黒点状 の表示ム ラ が発生す る のがわか っ た 。 こ の原 因 と し て は、 液晶層 を駆動す る た め充電す る と き以外 はゲー ト 電位 は負電位 に な っ て い る 、 すなわ ち ほ と ん ど の期 間が、 液晶 中 へ 電子の注入が起 こ り 、 液晶層 中 にイ オ ンが多数生成す る 、 あ る い は液 晶層 中 のイ オ ンがゲー 卜 が露 出 し た部分 に集 ま り 、 イ オ ン の偏在が起 こ る た めで あ る と 考え ら れる 。 こ の発生 メ カ ニ ズム を模式的 に 図 9 に 示す。 本図で は液晶 中 へ注入 さ れる 電子 を e - と し 、 液晶 中 の物質 A がイ オ ン化 さ れて A _ と な る 様子 を模式的 に示 し て い る 。
特 に 、 基板 と 平行 あ る い は斜め の電界 を 印加 し て広視野角 を 実現す る 液晶モー ド で は、 従来 シ ァ ノ 系 の液晶 を 用 い て い た。 し か し 、 シ ァ ノ 系 の液晶 は高速化 に有利で あ る が、 定性 的で は あ る が、 液晶が分解 し ゃす い た め に液晶 内 の イ オ ン量が増加 し やす く 、 こ の面か ら は黒点 状の ム ラ が発 生 し やす い 恐れが あ る 。
と こ ろ で 、 こ の黒点状の ム ラ の発生の 防止 に 関 し て も 、 上記特 開 平 1 0 _ 2 0 6 8 5 7 号公報で言及 さ れ T レ る 。 こ.の公報 に よ れ ば、 I粜' 護膜 あ る い は絶縁膜 8 の 膜厚 を こ の保護膜 に接す る 電極の膜厚よ り 0 4 /i m以上厚 く する こ と が好 ま し い と し て い る 。 し か し 、 こ の 方法で は シ ョ ー ト 対策の た め に レーザー を 照射 し て電極 を切 断す る と 保護膜 が い く ら 厚 く て も 保護膜 は破壊 さ れて し ま う の で黒点状の ム ラ は発生 し て し ま う 。
ま た 、 特 開 平 1 0 — 1 8 6 3 9 1 号公報で は、 液晶 の比抵抗が 1 0 1 3 Ω · c m以上で、 光学的な電圧保持率低下の 原 因 と な る 絶縁膜 を 除 去 し 、 電界 を 発生 さ せ る 電極構造の 一部 を 配向膜 に直接接 し て形成す る 方法が提案 さ れて い る 。
こ の よ う に 、 電極構造の 一部 を配向膜 に 直接接 し て 形成す る 方法で は、 全電極が絶縁膜で被覆 さ れて い る 場合 よ り は黒点状斑点 の大 き さ は弱冠低減 さ れる 。 し か し 、 こ の方法で は黒点状斑点低減 の効果 は小 さ く 、 近年 の 高度な水準の表示性能 を 充たす に は不十分で あ る 。
ま た 、 表示の焼き 付 き現象 ( あ る 一定パ タ ー ン を長時間表示 し た後、 他のパ タ ー ン に切 り 替え て も 前 の パ タ ー ン が残 る 現象) が顕著 に現れ て し ま う 。
こ の た め 、 本願発明者 ら が検討 を行 っ た 結果、 その理 由 と し て以下 の事が判 明 し た。 すなわ ち 、 黒点状 の ム ラ の原因 と な る 液晶 中 の ィ ォ ン性物質 は図 1 0 に模式的 に 示すよ う に 、 ア レイ 基板 1 側だ けで はな く 、 対向基板 2 側 (カ ラ ー フ ィ ル 夕 基板側) に も 広が る 。 こ の た め 、 い く ら 片方 の 基板側 ( ア レイ 基板側) だ け絶縁膜 を 除去 し た電極 を 形 成 し て も 不十分で あ る こ と に よ る 。
こ の対策 と し て、 画素電極、 ソ ー ス 信号配線、 共通配線、 共通電極 か ら 液晶層 へ直接ゲー ト 信号配線 に 対 し 正 の 電位 を 供給 し 、 生成 し た イ オ ン性物質 を 中和す る こ と も 考 え ら れ る が、 こ れ ら の配線 · 電極 は いずれ も 液晶層 を駆動す る の に必要な も の で あ り 、 'こ の配線 · 電極の 駆動 に必要な電位が液晶 と の電極反応 に よ っ て変化 し て し ま う の は表 示画質 の点 で問題 と な る ばか り でな く 、 長期 に 亘 る 信頼性 の観点か ら も 好 ま し く な い。
ま た 、 た だ単に電極 を 形成す る だけで は、 液晶 中 の イ オ ン性物質 の 中 和 、 回収用 の面積が小 さ い た め 、 黒点状 の ム ラ の発生防止 に は不充 分 で あ る 。
ま た横電界方式の液晶パ ネル に お い て 開 口 率 を 高 く す る た め に 、 導 電性 の ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス を 共通電極 と 略 同電位 に し た り 、 ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス の上 に共通電極 と 略 同電位 の 導電膜 を 形成す る 方法 (特 開 平 1 0 — 2 0 6 8 6 7 号公報ゃ特開平 9 — 2 6 9 5 0 4 号公報) が提 案 さ れて い る 。 し か し 先 に述べた よ う に 黒点状の ム ラ の原 因 と な る 液 晶 中 の イ オ ン性物質 は図 1 0 に模式的 に示すよ う に 、 対向基板側 (力 ラ ー フ ィ ルタ 基板側) だ けで はな く 、 ア レイ 基板側 に も 広が る の で、 片方の基板側 (対向基板側) だけ絶縁膜 を 除去 し た電極 を 形成 し て も 不十分で あ っ た。
更 に 、 こ れ ら の方法で は、 黒斑点欠陥 は多少は改善 は さ れ る も の の 、 長期連続駆動 に お い て完全 に な く す こ と はでき な か っ た。
(発明が解決 し ょ う と す る 課題 の面か ら 見た 背景技術)
こ の た め 、 2 枚 の基板間 の確実、 信頼性が高 い液晶注入用 孔 ( 口 ) の封止技術の 開発が望 ま れて い た。
ま た 、 紫外線照射 に よ る 樹脂 の硬化 は、 硬化時期 を任意 に設定 し え る が、 作業者の 目 の保護への 配慮が必要で あ る 。 こ の た め 、 何か他の 樹脂 に し た い と 言 う 要望 も あ る 。
ま た 、 長期 に 渡 る 使用 期 間 を 通 じ て黒表示が発 生 し な い 、 し か も 開 口 率 に 悪影響 を与えず、 他の表示特性 に悪影響 を 与えず、 し か も 製造 工程 が複雑 と な ら ず、 コ ス ト も 易 レ I P s 方式の '液晶表示素-子'や装置
/
の 開発が望 ま れて い た。
ま た 、 近年 の表示装置 の 大型 、 高価格化の 下で、 そ の使用 期 間が極 く 長期 に成 る 場合が あ る 。 こ の場合、 上述 の理 由 に よ る イ オ ン の発生 の他 に 、 ユーザの過誤や 自 然放射線 に よ る 液晶 の分解、 加水分解がた と え在 っ た と し て も 、黒表示が発 生 し な い技術の 開発が望 ま れて い た。 発 明 の 開 示
本発 明 は、 以上 の課題 を解決す る こ と を 目 的 と し て な さ れた も ので あ る 。
第 1 の大発明群 は、 2 の発 明群 か ら な る 。 そ し て、 第 1 の 発 明群 に お い て は、 2 枚の基板 間 に液晶 を 狭持 し た液晶素子 に お い て 、 そ の製 造時 に基板間へ液晶 を 充た し た 際用 い た注入 口 の封止 に 、 粘度が 2 0 P a · s 以下、 好 ま し く は 1 O P a · s 以下の樹脂 を 用 レ る こ と を特 徴 と し て レ、 る 。
ま た 、 樹脂の粘度が低下す る よ う に 、 8 0 で 〜 5 0 で 、 脱気の 面か ら は好 ま し く は 8 0 で 〜 9 に赤外線等で力 Π温 し て い る 。 な お 、 赤 外線で加温する の は、 工程 が設備 の 面カゝ ら 容易 な こ と に よ る 。
ま た 、 樹脂の塗布時や塗布後 に 内部の 空気、 空気 中 に浮遊す る 微小 な塵埃や水分か ら な る 異物 を外へ逃すた め 、 2 0 K H z 以上 の超音波 や 1 M H z 以上の メ ガ ソ ニ ッ ク を 用 いて樹脂 に振動 を 与え る こ と を特 徴 と し て レ る 。
ま た 、 樹脂の塗布時若 し く はそ の後 に 、 そ の 内部の 空気 を 逃すた め 大気圧よ り 低 い環境、 例 え ば 0 . 5 気圧、 好 ま し く は 0 . 1 気圧、 よ り 好 ま し く は 0 . 0 1 気圧以下 に お く こ と を特徴 と し て い る 。
ま た 、 樹脂の塗布時若 し く はそ の後 に 、 内部の 空気 を外へ出すた め l g 、 2 g 等の力!]速度 を 与 え る こ と を特徴 と し て い る 。
ま た 、 注入 口 への樹脂 の 塗布時若 し く はそ の後 に 、 樹脂 の拭き 取 り と 再度 の 塗布 を 少な く と も 2 回繰 り 返す こ と を 特徴 と し て い る 。
ま た 、 樹脂 の塗布時若 し く はそ の後 に 、 内部 の 空気 を外へ出すた め カ卩速度 を 与え る こ と を特徴 と し て レ る 。
ま た 、 樹脂 と し て ばァ ク リ ル系やエ ポキ シ 系 の紫外線硬化樹脂 を 用 い る こ と に特徴が あ る 。 こ れ に よ り 、 樹脂 の硬化 の タ イ ミ ン グ を任意 に 設定 し え 、 ま た硬化速度 も 迅速 に な る 。
ま た 、 本発 明群 の他 の発 明で は物の 面か ら 発 明 を と ら え て い る 。 第 2 の発 明群 は、 封止用 樹脂 と し て嫌気性樹脂 を使用 す る も の で あ る 。 こ こ に 嫌気性樹脂 と は、 空気 に触れて い る 間 は硬化せず、 僅か な 隙 間で空気 を 遮断す る こ と に よ り 硬化す る 樹脂 を 言 う 。 一般的 に は 、 ネ ッ ジ ロ ッ ク 等 に し ょ う さ れ る も の で あ り 、 そ の他空気の遮断 と 押圧 や加熱で硬化す る も の も あ る 。
そ の原理で あ る が、 空気 の遮断 に よ り 、 ジ メ タ ァ ク リ レー ト が重合 し てポ リ ア ク リ レー ト に な っ て硬化す る も の で あ る 。 こ の た め 、 接着 面 に ポ リ マ ーが形成 さ れて強大な接着力 が発 生 し 、 空気の遮断後数 時 間で最大強度 に達す る も の で あ る 。 こ の た め 、 紫外線照射が必要で な く 、内部 に 不純物 に よ る 硬化む ら が発生 し に く い と 言 う 性質 を 有す る 。 第 2 の大発 明群 は、 8 つ の発 明群か ら な り 、 各発明群 に お い て は、 前述の ご と く 広義の横電界方式の液晶素子 に お い て、 いわ ゆ る 黒反転 を 消す こ と を 共通 の 目 的 と し て い る 。
従来の方法では、 長期 に渡 っ て の黒表示 防止 の効果がな い の は、 一 般的 に 図 5 等 に示す よ う に従来の カ ラ ー フ ィ ル タ 一側 の基板 は、 最表 面に I T O 等 の導電層 、 次 に ガ ラ ス 基板、 遮光層 、 カ ラ 一 フ ィ ル タ 一 、 オー バー コ ー ト 層 、 配向膜 と い う 構成 に な っ てお り 、 電極の (導電性 の物質) の 露出 し て い る 箇所が存在せず、 黒斑点欠陥 の原 因 で あ る ィ オ ンやイ オ ン化 し た成分がカ ラ ー フ ィ ル タ ー側基板で全 く 回収 さ れな い た め だ と わ か っ た 。 こ の た め 、 何 ら か の 手段でイ オ ン等 を確実 に 、 そ し て ほ と ん ど全て 消去 し続 け る こ と と し た も の で あ る 。
まず、 第 1 の発 明群 に お い て は、 横電界方式の液晶 素子 に お い て 、 こ の電極上 の絶縁層 (膜) と 配向膜の 膜厚 の 和 が非常 に薄 い 時 に は 、 絶縁膜 に 生 じ た細孔等 を 通 じ て液晶層 中 の イ オ ン 、 電荷の 消去がな さ れ る た め 、黒斑点が発生す る こ と がほ ぼな く な る こ と に着 目 し て い る 。 本発 明群 の第 1 の 発 明 にお い て は、 電極 ま た は信号配線か ら な る 金 属層 と 液晶層 と の 間 に絶縁層及び配向膜、 そ の他 こ れ ら を.兼ね る こ と も あ る 保護膜等の 第 3 の 層 が存在す る が、 こ れ ら 絶緣層 と 配 向膜 の厚 みが合わせて 1 0 0 0 · 以下、 好 ま し く は 5 0 0 A よ り 少な い領域が 存在す る こ と を 特徴 と し て レゝ る も ので あ る 。 こ こ に 、 電極 と は純粋な 横電界方式で は画素電極や こ れに付属 (付随) し て の 蓄積容量電極、 共通電極の こ と で あ る 。 H S 等広義の横電界方 式な ら ば、 こ れ に更 に 他の電極等 を含め る 。 ま た 、 画素電極、 共通電極共 に液晶層 と の 間 の 絶縁層 、 配向膜等 の 合計 の膜厚が 5 0 0 A よ り 少な ければ、 特 に 存在 し な い部分があ れ ばなお 良 い 。 なお 、 配向膜が存在 し な い 場合、 一部 存在 し な い領域が在 る 場合、 当 該部 に は何か他 の配向手段が講 じ ら れ て い る のが好 ま し い で あ ろ う 。 勿論、 ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス の 下部 (反 使用 者側) 等で あ れ ば、 こ れ ら の対策 は不必要で あ る 。 ま た 、 将来 の 技術発達の 下で、 配 向膜 の不必要な液晶材料が使用 さ れて も 良 い 。
以下、 各発明 に お い て は、
同 じ く 、 例 え ばブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス 等の遮光膜が導電性で あ る こ と を特徴 と し て い る 。 ま た 、 導電性遮光膜 は対向基板 に 形成 さ れ る こ と を 特徴 と し て い る 。 ま た 、 配向膜や保護膜 は導電性物質膜で あ る こ と を 特徴 と し て い る 。
こ れ ら に よ り 、 液晶 中 を イ オ ン 、 電界が移動 し て 、 液晶分子や液晶 層 中 の イ オ ン 、 電荷 を 消去 し 、 絶縁欠 陥部等での液晶分子 の 配列 の不 揃 い 等が消去 さ れ、 ひ い て は 良好な表示がな さ れる 。
以上 の他、 ス イ ッ チ ン グ素子、 本発 明 の効果の発揮 に無関係 と な る 部分 の 電極、 配線上 に は シ ョ ー ト 防止 の た め の絶縁膜やそ の他絶縁 を 兼ねて の 保護膜等が形成 さ れて い る の は 論で あ る 。 勿論 、 他 の 発 明 群 の作用 、 効果 を発揮す る た め 、 一部保護膜等が形成 さ れて い な い こ と も あ り う る 。 ま た 、 導電性遮光膜 に所定の電位 を与え る 構成が付設 さ れた り し て おれば、 なお 良 い 。
同 じ く 、 横電界方式の液晶素子の製造方法 にお い て 、 配向膜 を 塗布 す る 工程 と 、 表示品質 に無関係 の ブ ラ ッ ク マ 卜 リ ク ス 直下部やそ の 中 央部等 の配 向膜 を 除去す る 工程 と を含む こ と を特徴 と す る 。
同 じ く 、 配向膜 を塗布す る 土程 の後 に 、 配向膜 の 一部 を 除去す る ェ ツ チ ン グ工程 、 更 に そ の後 に 残 っ た配向膜 に 、 紫外線照射等で配向処 理 を す る 工程 が存在す る こ と を特徴 と す る 。
同 じ く 、 配向膜の ラ ビ ン グ を行 い 、 電極若 し く は配線上 の 配 向膜 の 少 く も 一部 を 剥離す る (単 に 、 全体 を は ぎ取 る だ けでな く 、 上部 (液 晶層側) の み取 る 、 細孔や亀裂 を 形成す る こ と を含む) こ と を 特徴 と す る 。 こ の 時の ラ ビ ン グの 条件 と し て、 押 し込み量 を 0 . 5 m m以上 にす る と 、 配向膜の剥離が生 じ やす く よ り 良 い結果が得 ら れ る 。
第 2 の 発 明群 にお い て は、 中 和電極でイ オ ン を 消す こ と に着 目 し て' い る 。
本発 明群 の 1 の発明 に お い て は、 ソ ー ス 信号配線、 ゲー ト 信号配線、 画素電極、 共通電極、 共通配線等 の 多 く の 場合原則 と し て金属 か ら な る 導電層 以外 に、 液晶層 に直接 あ る い は配 向層 (膜) を介 し て 間接 的 に接す る 導電性物質か ら な る 中 和電極が、 そ し て 勿論原則 と し て表示 に無 関係 と な る 位置 に 設 け ら れて い る 。
さ て 、 黒点 む ら の発生原 因 は、 生成 し たイ オ ン は 中 和 さ れ る こ と が な い た め 欠 陥部近傍の液晶 中 の イ オ ン 濃度が高 く な り 、 こ の た め電圧 保持率が低下す る こ と に あ る 。 し か し 、 液晶 層 へ直接露出 し て い る か 、 あ る い は導電性物質か ら な る 配 向膜 を 介 し て液晶層 と 電気的 に 通 じ て い る 中 和電極があ る と 、 中 和電極で再び電子 を電極 に 与え る こ と が出 来 る た め 、 絶縁層欠陥部近傍の イ オ ン濃度 は あ ま り 増大せず、 電圧保 持率 の低下 を 最小限 に抑 え 、 ひ い て は黒点む ら の発生 を抑制で き る 。
以下、 各発 明 に お い て は、 中 和電極 を 液晶層 あ る い は配 向層 に 接す る よ う に 形成 し 、 こ の 中 和電極 に ゲー ト 信号配線 に対 し正の 電位 を 供 給す る 手段 を 設 けて い る 。
こ れ に よ り 、 よ り 効果的 に 生成 し た ァ ニ オ ン を 中和 し 、 黒点 む ら の 発 生 を 抑制す る 。
ま た他の発 明 に お い て は、 ゲ一 卜 信号配線 に 沿 っ て 中和電極 を 液晶 層 あ る い は配 向層 に接す る よ う に形成 し 、 こ の 中 和電極 にゲー ト 信号 配線 に対 し 正 の電位 を供給す る 手段 を 設 けて い る 。
こ れ に よ り 、 ァ ニオ ン発生源か ら 画素 へ拡散 し て い く 前 に 、 よ り 効 率的 に 生成 さ れた ァ ニオ ン を 中 和 で き る 。
ま た 、 ゲー ト 信号配線 を 形成 し た基板 と 対向す る 基板上 に 、 ゲー ト 信号配線 に 沿 っ て 中和電極 を液晶層 あ る い は配向層 に接す る よ う に 形 成 し 、 こ の 中 和電極 にゲー ト 信号配線 に対 し 正の電位 を供給す る 手段 を 設 けて レ る 。
こ れ に よ り 、 ゲー ト 信号線 と の 間 隔が広が り ゲー ト 信号配線 と の 間 に 形成 さ れ る 寄生容量 を 低減出来、 ゲ一 ト 信号の遅延 に対す る 影響 を 無 く す る 。 ま た他の 発 明 にお い て は、 ゲー ト 信号配線 を 形成 し た.基板 と 対向す る 基板上 に 、 中和電極 を 液晶層 あ る い は配向層 に接す る よ う に 形成 し 、 こ の 中 和電極 に ゲー ト 信号配線 に対 し 正の電位 を 供給す る 手段 を設 け る と と も に 、 こ の 中 和電極が ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス 等 の遮光膜 あ る い は そ の 一部 と な る よ う に し て レ、 る 。
こ れ に よ り 、 中和電極が ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス 等 と 兼用 さ れ、 該電極 形成工数 を低減でき る 。
以上 の他、 導電性 の遮光膜 と し て、 適宜 C r 、 T i 、 黒鉛、 導電性 樹脂 と し た り 、 酸化モ リ ブデ ン と モ リ ブデ ン の 2 層構造 と し た り し て い る 。 その他、 中 和電極 の 形成 を ソ ー ス 線若 し く はゲー ト 線方向 と し て 、 こ れ ら の線 と 同 時 に 形成す る 等の こ と を も 採用 し た り し て 、 必要 な 工程 の 削減 を 図 っ て い る の は勿論で あ る 。
ま た 、 中 和電極 に所定の 電位 を 与え る 構造 と し た り し て い る の も 勿 論で あ る 。
第 3 の発明群で は、 開 口 部 (露 出部、 絶縁膜の な い部分) と 対向基 板 の 中和電極 と を有す る こ と を特徴 と し て い る 。
本発 明群 の 1 の発 明で は、 画素電極、 共通電極、 信号配線電極 の 少 な く と も いずれか の電極の 上 の 少な く と も 一部分 に絶縁膜 の 形成 さ れ て い な い箇所、 領域が あ り 、 こ の部分 に お い て電極が配向膜の み を 介 し て、 あ る い は直接液晶 に 接 し 、 更 に画素電極及 び前記共通電極が形 成 さ れて い な い基板側 に 中和電極が形成 さ れて お り 、 こ の 中 和電極 の 上 に も 絶縁膜の形成 さ れて い な い 箇所があ る か 、 全 く 形成 さ れて い な レ こ と を特徴 と し て い る 。
上記構成 に よ り 、 ゲー ト 以外の電位が露 出 し て い る 部分の た め に 、 ゲー ト 電位部 に偏在 し たイ オ ンがゲー ト 以外の電位が露出 し て い る 部 分で電子 を 電極 に与え ( あ る い は与え ら れ) 、 非イ オ ン化 さ れ、 消去 さ れる た め イ オ ン の偏在が起 こ ら ず、黒点状ム ラ の発 生が抑 え ら れ る 。 特 に 両基板 ( ア レイ 側基板 と 対向側基板) に絶縁膜 の形成 さ れて い な い箇所が あ る た め 、 イ オ ンが両基板側で非イ オ ン化 さ れ る た め 、 黒 点状 の ム ラ の発生の抑止硬化が第で あ る 。
ま た、 液晶パ ネル に封入 さ れ る 液晶 の 比抵抗が 1 0 ' 3 Ω · c m よ り も 小 さ く し て る 。
こ れに よ り 、 表示 の焼 き付き現象 ( あ る 一定パ タ ー ン を長時 間表示 し た後、 他の パ タ ー ン に 切 り 替 え て も 前のパ タ ー ンが残る 現象) を 抑 え る こ と がで き る 。
ま た 、 中 和電極 に 走査配線の最小の電圧 レ ベル に対 し正の電位が印 カロ さ れ る こ と を 特徴 と し て い る 。
こ れ に よ り 、 効果 的 に 生成 し たイ オ ン を非イ オ ン化す る.こ と がで き る 。
ま た 、 中 和電極が共通電極 と (略) 同電位 に 設定 さ れて い る 。
こ れ に よ り 、 よ り 効果的 に 生成 し たイ オ ン を非イ オ ン化する こ と が で き 、 黒点状ム ラ の 発生 を抑え る こ と がで き る 。 ま た 、 中和電極 を共 通電極 と 同 じ 電位 にす る 場合 に は 中和電極 と し て特別 の電位供給手段 を設 け る 必要がな い の で、 構造 · 工程 の簡略化 を 図 る こ と がで き る 。 ま た、 中 和電極が ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス や カ ラ ー フ ィ ル夕 と 兼用 で あ る こ と を特徴 と し て レ る 。
ま た、 配向膜 の材質 に も 工夫 を 凝 ら し て い る 。
ま た 、液晶パ ネル に T F T 等の ス イ ッ チ ン グ素子が形成 さ れてお り 、 こ の ス イ ッ チ ン グ素子の 上部 に は絶縁膜が形成 さ れる 等 と し て い る 。 こ れ に よ り 、 ト ラ ン ジス タ 、 ノ リ ス 夕 一等の ス イ ッ チ ン グ素子劣化 を 防 ぐ こ と がで き る 。
第 4 の発 明群 で は、 絶縁膜 に 開 口 部 を 有 し 、 こ れ に よ り 液晶 を 中 和 す る こ と に 着 目 し て い る 。
本発 明群 の 1 の発 明 に お い て は、 画素電極及 び対向電極が同 一層 に な く 、 例 え ば下位の (反液晶側 と な る ) 対 向電極の上 に は絶縁膜が形 成 さ れてお り 、 上位 の 画素電極の上 に は全 く 絶縁膜が形成 さ れて い な レ こ と を 特徴 と し て レ る 。
上記構成 に よ り 、 ゲー ト 以外の電位が露 出 し て い る た め 、 ゲー ト 電 位部 に偏在 し たイ オ ン が導電層 の 露出部分 に 拡散 さ れ、 非イ オ ン化 さ れる た め 、 表示ム ラ の 発生 し な い 良好な表示品位 の液晶パ ネル を 得 る こ と がで き る 。
し か も 対向電極の 上 に は絶縁膜があ る の で、 シ ョ ー ト 欠陥が増大す る こ と も な レ 。
ま た 、 画素電極及 び対向電極が同一層 に な く 、 画素電極 の 上 に は絶 縁膜が形成 さ れてお り 、 対向電極の 上 に は全 く 絶縁膜が形成 さ れて い な い こ と を 特徴 と し て レ、 る 。
上記構成 に よ り 、 同様 に シ ョ ー ト 欠 陥が増大す る こ と な く 良好な表 示品位 の液晶パ ネル を 得 る こ と がで き る 。
ま た 、 他の発 明群 と 同 じ く 液晶パ ネル に封入 さ れる 液晶 の 比抵抗が 1 0 1 3 Ω · c mよ り も 小 さ レ こ と を特徴 と し て レ る 。
こ れ に よ り 、 表示 の焼 き 付き現象 を 抑 え る こ と がで き る 。
ま た 、 ス イ ッ チ ン グ素子、 信号配線、 走査配線の上部 (液晶層側) に絶縁膜 を 形成す る こ と を特徴 と し て い る 。
こ れに よ り 、 ト ラ ン ジス タ 等の劣化等 を 防 ぐ こ と がで き 、 ま た 各部 の 保護がな さ れ る 。
ま た、 ラ ビ ン グ方 向 に 沿 っ た部分 に絶縁膜が存在 し て い る こ と を特 徴 と し て レ る 。
上記構成 に よ り 、 絶縁膜が ラ ビ ン グの 際 に 邪魔 に な ら な い の で、 良 好な表示 品位 の液晶パ ネ ル と な る 。
第 5 の 発 明群 では、 遮光層 (膜) や ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス の 少 く も 液 晶層側 の 面の 少 く も 一部 に 凹 凸 の構造 を 有す る よ う に し て い る こ と に 特徴が あ る 。
本発 明群 の 1 の発明 で は、 一方 の基板 に画素電極、 共通電極、 信号 配線、 走査配線等が形成 さ れて お り 、 画素電極等が形成 さ れて い な い 基板側 に ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス ゃ 半 導体の誤作動防止 の た め と 保護 の た め 等の遮光層等の遮光膜が形成 さ れ、 こ の遮光膜 の少 く も 液晶層側の 表面が 凹 凸構造 を有 し て い る こ と を 特徴 と し て い る 。
上記構成 に よ り 、 ゲー ト 電位部 に偏在 し たイ オ ンがゲー ト 以外の電 位が露 出 し て い る 部分 (例 え ばブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス 部) で電子 を 与 え 、 非イ オ ン化 さ れる た め に イ オ ン の偏在が起 こ ら ず、 黒点状ム ラ の発生 を.抑 え る こ と がで き る 。 特 に ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス 等の液晶側表面 に 凹 凸が形成 さ れて い る ので、 開 口 率 はそ の ま ま でイ オ ン を 回収す る 表面 積が大 き く 、 十分な効果 を 得 る こ と ができ る 。
ま た 、 各発 明で は、 画素電極が形成 さ れて い る 基板側 に 、 あ る い は 形成 さ れて い な い対向基板側 に ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス 等の遮光膜が形成 さ れ、 そ の表面が凹 凸構造 を 有 し て い る こ と を特徴 と し て い る 。
上記構成 に よ り 、 先の発 明 と 似た作用 がな さ れ、 効果が発揮 さ れ る 。 更 に 、ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス 等が画素電極が形成 さ れて い る 基板側( ァ レイ 側) に 形成 さ れて い る と き に は、 貼 り 合わせ の マ ー ジ ンが不用 に な り 、 開 口 率 を 大 き く と る こ と がで き る 。
ま た 、 画素電極等が形成 さ れて い な い 基板側若 し く は画素電極等が 形成 さ れて い る 基板側 に 中 和電極が形成 さ れ、 こ の電極の表面が 凹 凸 構造 を 有 し て い る こ と を 特徴 と し て い る 。
上記構成 に よ り 、 イ オ ン の偏在が起 こ ら ず、 黒点状 ム ラ の 発生 を抑 え る こ と がで き る 。 特 に 、 中 和電極の表面 に 凹 凸 が形成 さ れ: Γ い る の で、 イ オ ン を 回収す る 表 面積が大 き く 、 十分 な効果 を 得る こ と がで き る 。
ま た 、 対向電極の表面が 凹 凸構造 を 有 し て い る こ と を特徴 と し て い る 。
上構成 に よ り 、 斜め電界方式 を採用 し た液晶 モ ー ド (念 め た め 記載 す る な ら ば、 横電界方式 に含 ま れる 。 ) に お い て も ゲー ト 電位部 に偏 在 し たイ オ ンがゲー ト 以外 の電位が露出 し て い る 部分で電子 を 電極 に 与 え 、 非イ オ ン化 さ れ る た め に イ オ ン の偏在が起 こ ら ず、 黒点状ム ラ の 発生 を抑え る こ と がで き る 。 特 に 、 対向電極 の表面 に 凹 凸が形成 さ れて い る の で、 イ オ ン を 回収す る 表面積が大 き く 、 十分な効果 を 得 る こ と ができ る 。
ま た 、 ブ ラ ッ ク マ 卜 リ ク ス 等の遮光膜が導電性で あ る こ と を 特徴 と し て レ る 。
上記構成 に よ り 、 ゲー ト 電位部 に偏在 し た イ オ ンがゲー ト 以外の電 位が露出 し て い る 部分で電子 を電極 に 与え 、 非イ オ ン化 さ れ る た め 、 黒点状ム ラ の発生 を 抑 え る こ と がで き る 。
ま た 、 液晶素子のパ ネル に封入 さ れる 液晶 の 比抵抗が 1 0 1 3 Ω · c よ り も 小 さ レ こ と を 特徴 と し て い る 。
こ れ に よ り 、 他の発 明 と 同 じ く 表示の焼 き付 き現象 を 抑 え る こ と が で き る 。
ま た 、 画像表示装置 に使用 さ れ る カ ラ ー フ ィ ル タ 一側部の ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス 等の遮光膜の 少 く も 液晶側の表面が凹 凸構造 を 、 好 ま し く は多数の孔、 凹 凸 の あ る 構造 を 有 し て い る こ と を特徴 と し て い る 。 上記構成 に よ り 、 イ オ ン の偏在が起 こ ら ず、 黒点状ム ラ の発生 を抑 え る こ と ができ る 。 ま た 、 凹 凸構造の 凹部 と 凸部の差が 0 . 1 m以上好 ま し ぐ は 0 . 3 // m以上で あ る こ と を特徴 と し て い る 。
上記構成 に よ り 、 イ オ ン を 回収す る 表面積 を 大 き く と る こ と がで き る の で十分な効果 を 得 る こ と がで き る 。
ま た 、 遮光膜 あ る い は 中 和電極 あ る い は両方 が配向膜 を介 し て あ る い は直接液晶 と 接 し て レゝ る こ と を特徴 と し て い る 。 こ れに よ り 、 配 向 膜の細孔か ら の 、 あ る い は直接のイ オ ン の 回収がな さ れる 。
上記構成 に よ り 、 確実 に イ オ ン を 回収す る こ と がで き る 。
第 6 の 発 明群 に お い て は、 導電性遮光膜 (層 ) を 有する こ と を 基本 と し て る 。
本発 明群 の 第 1 の 発明で は、 一対の基板間 に液晶 を 狭持 し 、 前記基 板の 一方の基板 に画素電極及び共通電極が形成 さ れてお り 、 画素電極 及び共通電極 間 に電圧 を 印加 し て液晶 を 駆動 し 、 他方 の基板 に導電性 の遮光膜 を有す る 液晶素子 に お いて 、 該遮光膜が液晶層 と 接 し て い る か 、 特 に導電性 の配 向膜 を 介 し て液晶層 と 接 し て い る こ と を特徴 と し て い る 。
ま た 、 信号線方向若 し く は走査線方向 に の びる ス ト ラ イ プ状 に 、 あ る い は信号線方向及び走査線方向 に の びる 格子状 に遮光層が液晶 と 接 し て い る 領域が存在す る こ と を 特徵 と す る も の で あ る 。
こ の た め 、 遮光膜が ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス 等 と 兼用 可能 と な り 、 開 口 率 も 向上す る 。
こ れ ら の 液晶素子 に 用 い る 導電性の遮光膜 と し て は、 遮光性 と 導電 性 の あ る 材料で あれ ば何で も 良 い が、 C r 、 T i 、 導電性樹脂等 を 用 い る と 遮光性 も 高 く よ り 良 い 。 ま た、 有機導電膜な ら ば、 工程が楽 に な る 。
ま た、 遮光膜若 し く は遮光膜か ら 伸びる 遮光膜 と ほ ぼ同電位 の配線 と 共通電極若 し く は共通電..極か ら 伸 びる 共通電極 と ほ ぼ同電.位 の配線 がー対 の 基板 間で少な く と も 1 つ 以上 の 導電性物質 に よ り 電気的 に接 続 さ れて レ る こ と を 特徴 と し て い る 。
ま た 、 遮光膜若 し く は遮光膜か ら 伸 びる 配線 と 共通電極若 し く は共 通電極か ら 伸 びる 共通電極 と ほ ぼ同電位 の配線が一対の基板間 で少な く と も 1 つ 以上 の導電性物質 に よ り 電気的 に 接続 さ れて い る こ と を 特 徴 と し て レ る 。
' ま た 、 遮光膜及びオーバー コ ー ト 層 を 有す る 液晶素子 に お い て 、 ォ 一バー コ ー ト 層 に感光性材料 を 用 い 、 導電性の遮光膜上オーバ一 コ 一 ト 層 を フ ォ ト リ ソ グ ラ フ ィ 一 に よ つ て 剥 が し 、 遮光膜上でォ一バー コ 一 ト 層 が存在 し な い領域 を つ く る こ と を 特徴 と し て い る 。 '
他 の 発明で は、 導電性 の遮光膜 に共通電極 と ほ ぼ同電位 の 電位 を 与 え る こ と を特徴 と し て い る 。
第 7 の発 明群で は、 開 口 と 対向基板 に遮光層 (膜) を有 し て い る こ と に特徴が あ る 。
本発 明群 の 1 の発明 は、 一対 の基板 間 に液晶 を挟持 し て お り 、 基板 の 少な く と も 一方の基板 に画素電極、 共通電極、 ' 信号配線電極、 走査 配線電極が形成 さ れてお り 、 画素電極及 び共通電極の 間 に電圧 を 印加 し て液晶分子の配列 を変化 さ せ る 等 の横電界方式の液晶素子 に お い て イ オ ン を 回収す る た め の 導電性物質等が両基板 に形成 さ れて い る こ と を特徴 と し て い る 。
上記構成 に よ り 、 ゲー ト 電位部 に偏在 し たイ オ ンがゲ一 ト 以外 の 電 位が露出 し て い る 部分で電子 を 電極 に 与 え 、 非イ オ ン化 さ れ る た め 、 イ オ ン の偏在が起 こ ら ず、 黒点状ム ラ の発 生 を 抑 え る こ と がで き る 。
ま た 、 画素電極、 共通電極、 信号配線電極の 少な く と も い ずれか の 電極の上の 少な く と も 一部分 に絶縁膜 の 形成 さ れて い な い 箇所が あ り 絶縁膜 の形成 さ れて い な い部分 に よ り 電極が配 向膜 の みを-介 し て あ る い は直接液晶 に接 し てお り 、 画素電極及び共通電極が形成 さ れて い な い基板側 に 導電性の ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス が形成 さ れてお り 、 表示領 域内 の 導電性 の ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス の 一部 あ る い は全部が配向膜 あ る レ は液晶 と 直接接 し て い る こ と を特徴 と し て い る 。
か か る 構成 にす る こ と に よ り 、 ゲー ト 以外 の電位が露出 し て い る た め 、 ゲー ト 電位部 に偏在 し た イ オ ンがゲー ト 以外 の電位が露 出 し て い る 部分で電子 を電極 に与え 、 非イ オ ン化 さ れ る た め に イ オ ン の偏在が 起 こ ら な く な る 。
特 に 両基板 (ア レイ 側基板 と 対向側基板) に絶縁膜 の形成 さ れて い な い 箇所があ る た め にイ オ ン が両基板側で非イ オ ン化 さ れ る た め に 黒 点状ム ラ の発生 を抑 え る こ と がで き る 。
ま た 、 画素電極の 上 に は絶縁膜が全 く 形成 さ れてお ら ず、 絶縁膜 の 形成 さ れて い な い部分で は画素電極が配向膜 の み を 介 し て 、 あ る い は 直接液晶 に接 し て い る 。 ま た 、 画素電極及び共通電極が形成 さ れて い な い基板側 に 導電性 の ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス が形成 さ れてお り 、 表示領 域内 の 導電性 の ブ ラ ッ ク マ ト リ タ ス の 一部 あ る い は全部が配向膜 あ る い は液晶 と 直接接 し て い る 。
上記構成 に す る こ と に よ り 、 黒点状 の ム ラ の発生が抑止 さ れ る 。 ま た 、 共通電極の 上 に は絶縁膜が全 く 形成 さ れてお ら ず、 絶縁膜の 形成 さ れて い な い部分 に よ り 共通電極が配向膜 の み を 介 し て、 あ る い は直接液晶 に接 し て い る 。 そ し て 、 画素電極及び共通電極が形成 さ れ て い な い基板側 に導電性の ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス が形成 さ れてお り 、 そ の 一部 あ る い は全部が配向膜 あ る い は液晶 と 直接接 し て い る こ と を 特 徴 と し て !^ る 。
上記構成 に よ り 、 共通電極 の 上 に は絶縁膜が全 く 形成 さ れてお ら ず ま た対向基板側 に導電性 の ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス が形成 さ れて い る の で イ オ ン の 消滅 に よ り 黒点状 の ム ラ の発 生 を 抑 え る こ と がで き る 。
ま た 、 画素電極及 び共通電極の上 に は絶縁膜が全 く 形成 さ れてお ら ず、 そ の部分 に て画素電極及び共通電極が配 向膜 の み を介 し て 、 あ る い は直接液晶 に接 し て い る 。 そ し て、 画素電極等が形成 さ れて い な い 基板側 に導電性の ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス が形成 さ れてお り 、 そ の ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス の 一部 あ る い は全部が配 向膜 あ る い は液晶 と 直接接 し て レ る こ と を 特徴 と し て い る 。
上記構成 に よ り 、 黒点状の ム ラ の発 生 を 抑 え る こ と がで き る 。 (た だ し 、 画素電極 の上 と 共通電極の上 に は絶縁膜がな い ので電極間 の シ ョ ー ト は発 生 し やす く な る 。 )
ま た他の 発 明群 と 同 じ く 、 液晶素子 に封入 さ れ る 液晶 の 比抵抗が 1 0 1 3 Ω · c m よ り も 小 さ ぐ し て表示の焼 き 付 き 現象 ( あ る 一定ノ、 タ ー ン を長時 間表示 し た後、 他のパ タ ー ン に切 り 替え て も 前の パ タ ー ンが 残 る 現象) を抑 え て い る 。
ま た 、 液晶素子 に はそ の駆動の た め ス ィ ツ チ ン グ素子が形成 さ れて お り 、 その上部 に は絶縁膜が形成 さ れて い る 。 こ れ に よ り 半導体等の 劣化 を 防 ぐ こ と がで き る 。
ま た 、 ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス に 走査配線の最小 の電圧 レベル に対 し 正 の電位が印力 Π さ れる こ と を特徴 と し て い る 。
上記構成 に よ り 、 よ り 効果的 に 生成 し たイ オ ン を非イ オ ン化す る こ と がで き 、 黒点状ム ラ の発生 を 抑 え る こ と がで き る 。
ま た、 ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス が共通電極 と 略 同電位 に 設定 さ れて い る こ と を特徴 と し て レ る 。 こ の よ う にす る こ と に よ り 、 よ り 効果的 に 生 成 し たイ オ ン を非イ オ ン化す る こ と がで き 、 黒点状ム ラ の発生 を 抑 え る こ と がで き る 。 ま た ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス を 共通電極 と 同 じ 電位 にす る 場合 に は、 ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス 用 と し て特別 の電位::供給手段 を 設 け る 必要がな い の で、 構造 ' 工程 の簡略化 を 図 る こ と がで き る 。
ま た 、 導電性 の ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス が導電性の樹脂 に よ り 形成 さ れ て い る 。 ' こ の た め 、 カ ラ ー フ ィ ルタ ー を 形成す る の と 同一工程 で作製 で き る 。 ま た C r な ど の 金属 を 形成す る の と 異な り 高温形成 の必要が な い の で、 カ ラ 一 フ ィ ル 夕 一 を 形成 し た後 に ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス を 形 成す る こ と がで き る.、 ひ い て は ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス を 配向膜 あ る い は 液晶 と 接する 箇所 に 形成す る こ と がで き る 。
ま た 、 液晶素子の 基板 間 隔 を 一定 に保持す る ス ぺーサ一 と し て特定 の 箇所 に柱 を 形成す る こ と を 特徴 と し て い る 。 こ の よ う に規制す る こ と に よ り 上下基板が シ ョ 一 ト し に く い箇所 を選んでス ぺーサ一 を 設置 す る こ と がで き る の で、 両基板 に導電性物質が形成 さ れて い て も シ ョ ー ト し に く く な る 。
第 8 の発明群では、 配向膜 と し て あ る い はそ の 少 く も 一部表面、 中 和電極 の少 く も 一部表面等 に発泡剤 に よ る 細胞構造 (非常 に 小 さ い 径 の 空間 を有す る ス ポ ン ジ構造) を有 し 、 こ れに よ り 発生 し たイ オ ン の 吸収 を 図 っ て い る 。 図 面 の 簡 単 な 説 明
図 1 は、 各方式の横電界方式の液晶 素子の構成 を示す図で あ る 。 図 2 は、 従来技術 に お け る 液晶パ ネル内への液晶の充填そ し てそ の後の封入 口 の樹脂の硬化の様子 を 示す図で あ る 。
図 3 は、 封 口 樹脂 中 の気泡で、 樹脂硬化用 紫外線が屈折す る 様子 を 示す図で あ る 。
図 4 は、 従来技術の I P S モ ー ド の液晶表示装置の平面 を 示す図 で あ る 。 図 5 .は、 上記液晶表示装置 の A — A 、 B — B 断面 を示す 図 で あ る 。 図 6 は、 上記液晶表示装置 の C _ C 、 D — D 、 E — E 断面 を 示す 図で あ る 。
図 7 は、 液晶表示装置の 異物付着 の様子 を 示す平面図 で あ る 。 図 8 は、 液晶表示装置の 異物付着 の様子 を示す断面図で あ る 。 図 9 は、 黒点む ら の 発生 メ カ ニズム を示す模式的 に示 し た 図で あ る 。
図 1 0 は、 黒点 む ら の発生 の拡大 の メ カ ニ ズム を 示す模式的 に 示 し た 図 で あ る 。
図 1 1 は、 本発明 の第 1 の大発 明群 の 各実施の形態 を 示す図 で あ る 。
図 1 2 は、 本発明 の第 2 _ 1 - 1 の実施の 形態の液晶素 子 の 断面 図で あ る 。
図 1 3 は、 本発明 の第 2 — 1 — 2 の 実施の形態の液晶素 子 の 断面 図で あ る 。
図 1 4 は、 本発明 の第 2 — 1 一 3 の実施の 形態の液晶素 子 の 断面 図で あ る 。
図 1 5 は、 本発明 の第 2 — 1 一 4 の 実施の形態の液晶素 子 の 断面 図で あ る 。
図 1 6 は、 本発 明 の第 2 — 1 — 5 の実施の形態の液晶素子 の 製造 方法の要部 を 示す図で あ る 。
図 1 7 は 、 本発明 の第 2 — 2 — 1 の 実施の形態の液晶素 子の ァ レ ィ 基板の平面 図 で あ る 。
図 1 8 は、 上記液晶素子 の A _ A 断面の 図で あ る 。
図 1 9 は、 上記実施の形態 の液晶 素子の変形例 の 平面図 で あ る 。 図 2 0 は、 上記実施の形態 の液晶 素子の変形例 の 断面図 で あ る 。 o r o
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造 を 示 す 図 で あ る 。
図 3 8 は 、 本発 明 の 第 2 — 3 — 6 の 実施 の 形 態 の 液 晶 パ ネ ル の 変 形 例 を 示 す 図 で あ る 。
図 3 9 は 、 本発 明 の 第 2 - 3 一 7 の 実施 の 形態 の 液 晶 パ ネ ル の 構 造 を 示 す 図 で あ る 。
図 4 0 は 、 本発 明 の 第 2 — 3 — 8 の 実施 の 形 態 の 液 晶 パ ネ ル の 変 形例 の 構造 を 示す 図 で あ る 。
図 4 1 は 、 本発 明 の 第 2 — 4 — 1 の 実施 の 形態 の 液 晶 パ ネ ル の 構 造 を 示す 図 で あ る 。
図 4 2 は 、 上記 実施 の 形態 の 比 較例 と し て の 液 晶 パ ネ ル の 構 造 図 で あ る 。
図 4 3 は 、 本発 明 の 第 2 — 4 一 2 の 実施 の 形態 の 液晶 パ ネ ル の 構 造 を 示す 図 で あ る 。
図 4 4 は 、 本発 明 の 第 2 — 4 — 3 と 第 2 — 4 — 4 の 実施 の 形態 の 液 晶 パ ネ ル の 構造 を 示す 図 で あ る 。
図 4 5 は 、 本発 明 の 第 2 — 4 — 5 の 実施 の 形態 の 液 晶 パ ネ ル の 構 造 を 示す 図 で あ る 。
図 4 6 は 、 本発 明 の 第 2 — 4 — 6 と 第 2 — 4 — 7 の 実施 の 形態 の 液 晶 パ ネ ル の 構造 を 示 す 図 で あ る 。
図 4 7 は 、 本発 明 の 第 2 — 4 — 8 の 実施 の 形態 の 液 晶 パ ネ ル の 構 造 を 示す 図 で あ る 。
図 4 8 は 、 本発 明 の 第 2 — 5 — 1 の 実施 の 形態 の 液 晶 素 子 の 対 向 基板 の 構 造 を 示す 図 で あ る 。
図 4 9 は 、 上記実 施 の 形 態 の ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス の 凹 凸部 の 構造 を 示す 図 で あ る 。
図 5 0 は 、 本発 明 の 第 2 — 5 — 2 の 実施 の 形態 の 液 晶 素 子 の ァ レ ィ 基板側 の 構 造 を 示す 図 で あ る 。
図 5 1 は 、 上記 実 施 の 形態 の 変 形例 を 示 し た 図 で あ る 。
図 5 2 は 、 上 記 実施 の 形 態 の 変 形例 を 示 し た 図 で あ る 。
図 5 3 は 、 本発 明 の 第 2 — 5 — 3 の 実施 の 形態 の 液 晶 素 子 の 対 向 基 板側 の 構造 を 示す 図 で あ る 。 .
. 図 5 4 は 、 従来 の I P S と H S モ ー ド の 構 造 を 示 す 図 で あ る 。 図 5 5 は 、 本発 明 の 第 2 — 5 — 5 の 実施 の 形態 の 液 晶 素 子 の 構 造 を 示す 図 で あ る 。
図 5 6 は 、 上記 実 施 の 形態 の 変 形例 の 図 で あ る 。
図 5 7 は 、 上 記 実施 の 形 態 の 変 形 例 の 図 で あ る 。
図 5 8 は 、 上記 実 施 の 形 態 の 変 形 例 の 図 で あ る 。
図 5 9 は 、 本発 明 の 第 2 _ 5 — 7 の 実施 の 形態 の 液 晶 素 子 の 構造 を 示す 図 で あ る 。
図 6 0 は 、 本発 明 の 第 2 _ 6 — 1 の 実施 の 形態 の 液 晶 素 子 を 示 す 図 で あ る 。
図 6 1 は 、 上記 実施 の 形態 の 液 晶 素 子 の カ ラ 一 フ ィ ル タ ー 側 基板 の 概 略 図 で あ る 。
図 6 2 は 、 本発 明 の 第 2 — 6 — 4 の 実施 の 形態 の 液 晶 素 子 の 断 面 図 で あ る 。
図 6 3 は 、 本発 明 の 第 2 — 7 — 1 の 実施 の 形態 の 液 晶 素 子 の ァ レ ィ 側基板 の 構 造 を 示 す 図 で あ る 。
図 6 4 は 、 上記 実施 の 形態 の 対 向 基板 の 構造 図 で あ る 。
図 6 5 は 、 上記 実施 の 形態 と 比 較例 の 相 違 を 示す 図 で あ る 。
図 6 6 は 、 本発 明 の 第 2 _ 7 — 2 の 実施 の 形態 の 液 晶 素 子 の 対 向 基板 の 構造 を 示す 図 で あ る 。
図 6 7 は 、 第 2 — 7 — 1 と 第 2 _ 7 _ 2 の 実施 の 形態 の 変 形例 の 図 で あ る 。
図 6 8 は 、 同 じ く 、 他 の 変 形例 の 図 で あ る 。
図 6 9 は 、 同 じ く 、 他 の 変 形例 の 図 で あ る 。
図 7 0 は 、 同 じ く 、 他 の 変 形例 の 図 で あ る 。
図 7 1 は 、 本発 明 の 第 2 — 7 — 3 の 実施 の 形態 の 液晶 素 子 の ァ レ ィ 基板 側 の 構 造 を 示 す 図 で あ る 。
図 7 2 は 、 上 記 実 施 の 形態 の ア レ イ 側基板 の 変 形 例 の 図 で あ る 。 図 7 3 は 、 本発 明 の 第 2 _ 7 _ 4 の 実施 の 形態 の 液 晶 素 子 の ァ レ ィ 側基板 の 構造 を 示す 図 で あ る 。
図 7 4 は 、 上記 実施 の 形態 の ア レ イ 側 基 板 の 変 形例 を 示 し た 図 で あ る 。
図 7 5 は 、 本発 明 の 第 2 — 7 — 5 の 実施 の 形態 の 液晶 素 子 の ァ レ ィ 基板側 の 構 造 を 示す 図 で あ る 。
図 7 6 は 、 上記 実施 の 形態 の ア レ イ 側基板 の 変 形例 の 図 で あ る 。 図 7 7 は 、 本発 明 の 第 2 — 7 — 6 の 実施 の 形態 の 液 晶 素 子 の 主 と し て ア レ イ 基板側 を 示す 図 で あ る 。
図 7 8 は 、 本発 明 の 第 2 — 8 _ 1 の 実施 の 形 態 の 要部 の 構成 を 示 す 図 で あ る 。
図 7 9 は 、 本発 明 を 採用 し た 反 射型 の 液 晶 表 示 装 置 の 要部 の 構成 を 示す 図 で あ る 。
図 8 0 は 、 本発 明 を 採用 し た 液 晶 光論 理 素 子 の 構成 図 で あ る 。 図 8 1 は 、 本発 明 を 採用 し た L E デ ィ ス プ レ イ の 構成 図 で あ る 。 図 8 2 は 、 本発 明 の 第 1 — 2 — 1 の 実施 の 形 態 の 変 形例 を 示す 図 で あ る 。
図 8 3 は 、 本発 明 の 第 2 の 大 発 明 群 の 各実 施 の 形態 の 変形例 を 示 す 図 で あ る 。 (符号の説明 )
1 ア レイ 基板 -
2 対向基板
2 6 対向基板側電''極
2 0 1 シール樹脂 の帯
2 0 2 封 口 用 樹脂
2 0 2 1 嫌気性 の封 口 用 樹脂
2 1 1 封 口 部の 治具
2 1 2 封 口 部 の栓
2 1 3 封 口 部の 雄ね じ
2 1 4 封 口 部 の雌ね じ
3 液晶 (層 )
4 画素電極
4 1 蓄積容量電極 (部)
5 共通電極 (対向電極)
5 1 共通電極
6 信号配線 ( ソ ース 線)
7 走査配線 (ゲー ト 線)
8 絶縁層 (膜)
8 0 絶縁膜 の な い部分
8 1 絶縁層 (膜)
8 2 絶縁膜 の な い 部分
9 酉己向膜
9 1 発泡剤 を 使用 し た 、 あ る い は含ん だイ オ ン回収兼配 向用 の樹脂
1 0 保護膜 (兼絶縁膜等) 1 0 0 保護膜 ( 兼絶縁膜 等 )
1 1 カ ラ ー フ ィ ル タ ー
1 2 ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス 、 遮光 層
1 2 3 導電性 樹脂膜
1 3 透 明 導 電 膜
1 4 コ ン タ ク ト ホ ー ル
1 5 異物
1 5 1 封 口 樹脂 中 の 空気
1 6 半 導体 層 '
1 7 薄膜 ト ラ ン ジ ス タ
1 7 1 ダイ オ ー ド
1 8 ド レ イ ン
1 9 フ ォ ト レ ジ ス 卜
1 9 1 残 っ た フ ォ ト レ ジ ス ト
2 0 露光 マ ス ク
2 1 ラ ピ ン グ用 ロ ー ラ
3. 0 中 和 電極
6 0 基板 間 隔保持 用 突起物
7 0 ブ ラ シ 発 明 の 実 施 の 形 態
以 下 、 本発 明 を そ の 実施 の 形態 に 基 づ い て 説 明 す る 。
( 第 1 の 大発 明群 }
本大発 明 群 は 2 の 発 明 群 か ら な り 、 液 晶 注入 口 を 封止 す る 樹脂 に 関 す る
(第 1 の 大 発 明群 ) 本発 明群 は、 液晶注入 口 を封止す る の に 用 い る 紫外線硬化性等の樹 脂 の 内部 に 気泡等が入 ら な い よ う に す る こ と に 関す る 。
(第 1 の実施の形態)
( こ こ に 1 一 1 一 1 の実施の形態 と は 、 第 1 の大発 明群 の第 1 の発 明群 の 第 1 の 実施の 形態 を指す も の と す る 。 )
本実施の 形態 は、 液晶 の注入 口 を封止す る た め の紫外線硬化樹脂 と し て、 粘度が低 い も の を選択す る も の で あ る 。 粘度が低 けれ ば注入 口 に樹脂 を 塗布す る と き に気泡 を 抱え込んで し ま う 可能性が少な く な る 特 に 2 0 P a · s 以下の粘度で あ ればほ と ん ど気泡 を 抱え込む こ と は な く な る た め よ り 良 い 。
第 2 に注入 口 に紫外線硬化樹脂 を 塗布す る と き に基板側 を 赤外線 ( I . R . ) 等で暖め てお く 、 ま た は塗布 し てか ら 樹脂の み、 ま た は 基板全体 を 暖め る 等の加温 を行 い 実質的 に樹脂の粘度 を低下 さ せてや る と 効果が あ る 。 ま た こ のカ卩温 に よ り 樹脂 の温度が 2 0 P a · s 以下 の粘度 に なれ ばほ と ん ど気泡 を抱え込む こ と はな く な る た め よ り 良 い 第 3 に あ ら か じ め紫外線硬化樹脂 を適 当 な温度例 え ば 7 0 : 〜 8 に 暖め て お き粘度 を低下 さ せて塗布 し て も 良 い 。 加熱温度 は あ ま り 高す ぎる と 樹脂の硬化が始 ま る た め 8 O : 〜 9 0 で 以下、 樹脂 に よ る が、 作業 の 面か ら は好 ま し く は 5 0 X: 、 よ り 好 ま し く は 4 0 : が良 い。 ま た力 Π熱 し た と き の樹脂 の粘度 は 2 0 P a · s 以下 に な る こ と が 望 ま し い 。
第 4 に従来 の方法で紫外線硬化樹脂 を 塗布 し 、 気泡 を抱え込 ん だ あ と に 、 基板全体、 も し く は樹脂部分 に加速度 ( g ) を与え 重 力 を 発 生 さ せ る 。 こ の 方法 と し て は例 え ば洗濯機 の脱水機 の よ う に 回転す る 装 置 を利用 す る 方法が あ る が、 こ の方法でな く て も 良 い。 こ の よ う に す る こ と に よ っ て気泡や異物そ の他水分 は加速度方 向 と 反対の方 向 に移 動 し 、 消滅す る こ と に な る 。
なお こ の場合 に は、 上下 の基板間 隔 を保持す る の は ガ ラ ス 球や繊維 でな く 、 フ オ ッ ト ソ ン グ ラ フ ィ を使用 し て 一方 の基板上、 T F T 部 を 極力 避 け、 ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス 部直下 (ユーザか ら 見て背面側) に 固 定 し て 形成 し た 間 隔保持用 支持極 と す る の が好 ま し い 。
第 5 に従来の方法で紫外線硬化樹脂 を 塗布 し 、 気泡 を 抱え込んだ あ と に基板全体、 も し く は樹脂部分 に振動 を与 え気泡 を 除去 し てや る と よ い。 ま た こ の時の 振動 を 力!] え る 方法 と し て 、 超音波 ( U . W ) ゃ メ ガ ソ ニ ッ ク ( M . W ) を 用 レ i る と効率的でな お よ 。
なお こ の 際 、 基板 を あ ら か じ め温め てお く と 、 樹脂 の粘度が低下す る た め 、 な お好 ま し い 。 " 第 6 に従来 の方法で紫外線硬化樹脂 を塗布 し 、 気泡 を抱え込んだ あ と に 、 剛体や繊維、 ブ ラ シ 7 0 の よ う な物体で気泡部分 を 接触 さ せ気 泡 を 取 り 除 い て も 良 い 。
第 7 に従来の方法で紫外線硬化樹脂 を 塗布 し 、 気泡 を 抱え込 んだ後 に 、 基板全体、 も し く は樹脂部分 を真空ポ ン プ等で真空 ( V ) 引 き し 、 大気圧よ り も低 い環境、 例 え ば 0 . 1 気圧 に 晒す。 そ う す る と 、 気泡 の 径が大 き く な り 、 最後 に は破裂 し て気泡が消滅す る 。
第 8 に従来の方法で紫外線硬化樹脂 を 塗布 し 、 気泡 を抱え込んだ あ と に 、 布等で一度樹脂 を 軽 く 拭 き 取 る 。 そ う す る と 、 注入 口 付近の ガ ラ ス 表面 は空気が存在 し な い ま ま 薄 く 樹脂が残 り 、 ま た 2 枚 の ガ ラ ス 基板の 隙間 に は樹脂が埋め 込 ま れて し ま う 。 そ し てそ の後 さ ら に紫外 線硬化樹脂 を塗布す る と 、 樹脂 の塗れ性が非常 に 良 く な り 、 気泡が残 ら な く な る 。 ま た こ の 工程 は繰.り 返 し行 っ て も 良 い。
図 1 1 に示すよ う に 、 こ の よ う な種々 の方法で注入 口 に紫外線硬化 樹脂 2 0 2 を 塗布 し た後紫外線 を 照射す る と 、 紫外線硬化樹脂内 に は 全 く 気泡が混入 し て い な い た め 、 照射 さ れた紫外線 は紫外線硬化樹脂 中 を 大 き な屈折 を受 け る こ と な く ほ ぼ均等 に 照射 さ れ (た だ し 減衰 は あ る ) 樹脂全体が完全 に硬化す る 。
こ の よ う に し て作製 さ れた液晶素子 は、 初期特性 と し て は、 電圧保 持率 9 9 % を示 し 、 し か も 高温試験 ( 7 0 ) で は 1 0 0 0 0 時間安 定 、 ま た連続駆動試験 に お い て も 1 0 0 0 0 時 間特性 に変化がな い こ と が確認 さ れた。
(第 2 の発 明群)
(第 1 — 2 — 1 の 実施の 形態)
本実施の形態 は、 図 2 に 示す液晶封入後の封止用 樹脂 に 嫌気性樹脂
'を 使用 し 、 そ の硬化 に紫外線照射 に代え て 、 薄 い 板 に よ る 押圧 を なす も の で あ る 。
な お 、 本実施の形態の 変形例 に つ い て は、 後で図 を 参照 し つ つ 説明 す る 。
{ 第 2 の大発明群 }
本第 2 の大発明群 は、 横電界方式の液晶素子 に お け る 黒点状ム ラ の 発 生 の 防止 に 関す る も の で あ る 。
(第 1 の発明群)
本発明 は、 黒点状ム ラ の 発 生 防止 の た め 、 基板上 に 形成 さ れた電極 等 の 上部 (液晶側) の絶縁膜、 絶縁膜 を 兼ねた保護膜等の厚 さ を 薄 く し た も の で あ る 。
以下、 本発明群 の 各発 明 を 説明す る 。
(第 2 — 1 一 1 の実施 の 形態)
(第 2 _ 1 - 1 と は、 第 2 の大発 明群 の第 1 の発明群 の 第 1 の実施 の 形態 と い う 意味で あ る 。 )
以下、 図 を参照 し つ つ 、 本実施 の形態 に つ い て説明す る 。 本実施 の 形態の液晶素子 を 、 図 1 2 に 示す。 本図 に示す よ う に こ の 液晶素子 は、 ア レイ 側基板 1 の全面 に 形成 さ れた絶縁膜 8 1 の 表面 に 略平行 に 電界 を発生 さ せ る 画素電極 4 と 共通電極 5 を 有 し 、 画素電極 4 、 共通電極 5 又 は信号配線 6 等か ら な る 金属層 (厳 密 に は、 I T O 等 の非金 属 か ら な る 電極 の こ と も あ る 。 ま た 、 金属線、 金属電極 間 に は基板面か ら 同 一 の 高 さ で絶縁物質 、 配向 膜 の 下部が存在 し て い る の が原則 で あ る 。 ) と 液晶層 3 と の 間 に は上述 の金属層 、 液晶層 と 異な る 第 3 の 層 と し て絶縁層 8 及び配向膜 9 (厳 密 に は、 図 1 2 で は絶縁 層 の上部 と 配 向膜) が存在 し 、 こ れ ら 絶縁層 8 と 配向膜 9 の厚みが合 わせて 5 0 O A よ り 少な い領域が存在す る 。 更 に 詳 し く は、 画素電極 4 、 共通電極 5 、 信号配線 6 等 の 電極 の 上 、 下 に は製造.の都合 も あ り 、 他 の通常絶縁膜 8 1 や保護膜 (図示せず) 等が存在す る 。 そ し て 、 こ れ ら の 液晶層 と 金属層 と の 中 間 に在 る こ と と な る 第 3 の層 と し て の絶 縁層 、 配 向膜等の総厚が非常 に 薄 く 、 1 0 0 0 · 以下、 好 ま し く は 5 0 O A よ り も 薄 ければよ い。 なお 、 図で は 4 0 0 , で あ る 。
こ れ は、 黒斑点 欠陥 の原因がイ オ ン種成分 の 局所的な集 中 に よ る 電 圧保持率 の低下 に よ る た め 、 集 中 し た イ オ ン種 を電極 を介 し て 回収す る こ と に よ り 、 黒斑点欠陥 を 無 く す も の で あ る 。 つ ま り 電極上 の 絶縁 層 や 、 配向膜 の膜厚 を 出来 る 限 り 薄 く し て 、 それ ら を通 し て あ る い は それ ら の細孔か ら 集 中 し たイ オ ン種 を 電極 に よ り 取 り 込みやす く し て い る の で あ る 。 なお 、 こ の 5 0 0 A よ り 少な い 薄 い領域は電極上全面 に形成 さ れる 必要性 はな く 、 部分的 に 5 0 0 A よ り 少な い と こ ろ が存 在すれ ば良 い 。 し か し 、 も ち ろ んその 領域が多 い ほ ど 、 あ る レゝ は広 い ほ ど効果は あ る 。 なお ま た配向膜 、 そ し て特 に 絶縁層 は いずれ も 何層 に な っ て レゝ て も 良 い 。
以上 の他、 図が煩雑 と な る こ と 、 自 明な こ と の ため 、 わ ざわ ざは図 示 し て い な い が、 ア レイ 側基板 に は、 T F T な ど の ス イ ッ チ ン グ素子.: がマ ト リ ッ ク ス 状 に 設 け ら れて お り 、 信号配線 は、 ス イ ッ チ ン グ素子 に 映像信号 を 供給す る 映像信号配線 と 、 ス ィ ツ チ ン グ素子 を 制御す る 走査信号配線 を含む も の で あ る 。 そ し て T F T は、 映像信号配線か ら の 映像信号電圧 を 走査信号 に 同期 し て画素電極 に 伝達す る 。 ま た 、 T F T の遮断期 間 に 画素電極 の電圧 を 保持す る た め に蓄積容量 を 設 けて い る 。 更 に 、 蓄積容量の 一方 の電極は画素電極 に接続 さ れて い る 。 そ し て 、 上述 の イ オ ン種 を 回収 さ せ る 電極 と し て は、 蓄積容量電極 も含 んで基板上 に 形成 さ れた いずれの電極で も 良 い 。 ま た イ オ ン種 を 回収 さ せ る 電極 と し て 、 電極や 、 信号配線 と し て レゝ る が、 と く に画素電極 4 ま た は共通電極 5 で あ れば、 総電極面積 も 大 き く 、 ま た部分的 に絶 縁層 と 配向膜 の総膜厚が 5 0 0 A よ り 少な い 領域 を形成 し やす く な り 良 い。 更 に 、 画素電極、 共通電極 と も に電極上 の 、 絶縁層 と 配向膜 の 総厚 を 5 0 O A よ り 少な く す る と イ オ ン種 を 回収する 電極面積が増加 し 、 よ り 一層 良 い 。
(第 2 — 1 _ 2 の 実施の形態)
本実施の 形態の液晶素子 は、 一部の配向膜 を 欠 く 場合で あ る 。
図 1 3 に示すよ う 、 本液晶素子では画素電極 4 、 共通電極 5 ま た は 信号配線 6 と 液晶層 3 と の 間 に は絶縁層 8 の みが存在 し 、 し か も そ の 絶縁層 の厚みが 5 0 0 A よ り 少な い領域が存在す る 。 すなわ ち 、 画素 電極 4 、 共通電極 5 、 信号配線 6 等の電極の 上 に は、 絶縁膜や更 に そ の 上 に は、 液晶 の配向 を 制御す る た め の 、 配 向膜が存在す る が、 本 図 で は画素電極 4 上等 こ の配向膜の存在 し な い領域が部分的 に存在 し 、 し か も そ の部分の絶縁層 あ る い は絶縁膜 と 通常絶縁性で あ る 保護層 の 厚 さ が 5 0 O A よ り 少な い も の で あ る 。 こ れ は、 電極上の絶縁層 を よ り 薄 く し 、 配 向膜 を 部分的 に な く す領域 を 設 け る こ と で、 先の 実施 の 形態 よ り も 一層集 中 し たイ オ ン種 を 電極 に よ り 取 り 込みやす く し い る の で あ る 。
なお 、 先の実施の 形態 と 同 じ く こ の 5 0 O A よ り 少な い 薄 い領域は 電極上全面で あ る 必要性 はな く 、 ま た 、 そ の 領域が多 い ほ ど効果 は あ る 。 更 に 、 絶縁層 は何層 に な っ て い て も 良 く 、 電極 は、 蓄積容量電極、 画素電極、 共通電極、 信号配線 を 問 わ な い。
ま た 、 本図では図示 し て い な い が、 ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス の 下部等開 口 率、表示特性 に無関係 な領域 に設 け る の が好 ま し い の は勿論で あ る 。 な お 、 こ の配向膜 の な い部分 は、 対向基板の ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス (図 示せず) 直下 と し た り 、 別途紫外線の照射で電極 に配 向性 を 与 え た り 、 液晶 の配向 を 乱 さ な い様 、 極 く 細 い帯状や点状 ( ピ ン ホール状) と す る の が好 ま し い。 こ の た め 、 ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス の位置 と 整合 さ せた り 、 電極 と し てかか る 配向性 を 有す る こ と と な る 物質 と し た り 、 フ ォ ッ ト ソ ン グ ラ フ ィ で ピ ン ホール を 形成 し た り す る 等の こ と を な し て も 良 !^ 。
(第 2 — 1 一 3 の 実施の 形態)
本実施の形態は、 電極等が配向膜 9 の み を 介 し て液晶層 に接す る 場 合で あ る 。
本実施の 形態の液晶素子 を 、 図 1 4 に示す。 本図 に示す よ う に 、 こ の 液晶素子 は、 画素電極 4 、 共通電極 5 ま た は信号配線 6 と 液晶層 3 と の 間 に は配向膜 9 のみが存在 し 、そ の厚みが 5 0 0 A よ り 少な い( 図 で は 3 0 0 · ) 領域が存在す る 。 更 に 詳 し く は、 画素電極 4 、 共通電 極 5 、 信号配線 6 等の 上 に は通常 は絶縁膜や 、 保護膜が存在す る が、 こ れ ら の膜 の 無 い領域が部分 的 に存在 し 、 そ の部分 は配向膜 だ けで あ り 、 し か も そ の厚 さ が 5 0 0 A よ り 少な レ 。
こ れ に よ り 、 先の 実施の 形態 と 同 じ く 、 集 中 し たイ オ ン種 を 電極 を 介 し て 回収 し 、 黒斑点欠 陥 を 無 く す も の で あ る 。 つ ま り 、 電極上 の 配 向膜 を よ り 薄 く し 、
(第 2 — 1 _ 4 の実施 の 形態)
本実施 の 形態 は、 一部 (一種) の電極等が絶縁層 、 配向膜等 を 介 さ ず、 直接液晶層 に接す る 場合で あ る 。
本実施 の 形態の液晶 素子 を 、 図 1 5 に示す。 本図 に示すよ う に 、 こ の液晶素子 は、 画素電極 4 、 共通電極 5 又 は信号配線 6 と 液晶層 3 と が直接接す る 領域が存在す る ( 図で は、 画素電極) 。 更 に 詳 し く は、 通常、 画素電極、 共通電極、 信号配線等の 上 に は絶縁膜や配向膜が存 在す る が、 こ れ ら の 層や膜が全 く 存在 し な い 領域 を形成 し て い る も の で あ る 。 こ れ に よ り 、 電極等 と 液晶 と が直接接す る 領域が設 け ら れ る た め 、 先 の 幾つか の実施の 形態よ り も 更 に集 中 し たイ オ ン種 を電極 に 取 り 込みやす く し て い る 。
(第 2 — 1 — 5 の実施の形態)
本実施の 形態は、先の 各実施の形態 の液晶 素子の製造.方法 に 関す る 。 そ の 1 と し て 、 配向膜が存在 し な い 領域の 在 る 実施の形態 の場合 を 例 に と っ て説明す る 。
本発 明 の液晶素子の製造方法で は、 配向膜 を 塗布す る 工程 の後 に 、 一旦塗布 し た配向膜の 一部 を 除去 し た り 、 落 と し た り する 工程 を 有 し て レゝ る こ と に特徴があ る 。 な お 、 ア レイ 側基板 に 各電極や T F T 、 そ の他絶縁膜 を 形成 し た り 配向膜 を 形成 し た り す る 工程その も の は 、 通 常 の横電界方式の液晶素子 と 異な ら な い 。 こ の た め、 こ れ ら に つ い て の 説明 は省略する 。
こ の 一旦形成 さ れた配向膜 を 除去 し た り 、 落 と し た り す る 工程 の 具 体的 内容 と し て は、 図 1 6 に 示す ご と き 以下の様な手段、 方法が あ る 。
( 1 ) ド ラ イ エ ッ チ ン グゃ ゥ エ ツ ト エ ッ チ ン グ にて基板全面の 配向 膜 を 薄 く す る 。
本 ( 1 ) に お い て は 、 ス ピ ン コ ー ト に よ り 表 面が基板面 に平行 に な る よ う に塗布 し た有機物 か ら な る 配向膜 9 を 0 3 ( オ ゾ ン ) に てエ ツ チ ン グ除去 し てお り 、 そ の 結果、 電極等 の存在す る 部分 の 配向膜の厚 さ が薄 く な る 。
( 2 ) フ ォ ト リ ソ グ ラ フ ィ 一 を 用 い て 、 所定領域の みの 配向膜 を 薄 く し た り 、 除去 し た り す る 。
本 ( 2 ) に お い て は 、 フ ォ ト リ ソ グ ラ フ ィ ッ ク レ ジス ト 1 9 と 露光 マ ス ク 2 0 を使用 す る 。 そ し て 、 電極上部 の配 向膜の みが薄 く さ れ る 。
( 3 ) レー ヨ ンや コ ッ ト ン布で配向膜表面 を 擦 っ た り 、 ラ ビ ン グ に よ っ て配向膜 を部分的 に 強制的 に剥離す る 。 な お 、 こ の 際の ラ ピ ン グ の押 し込み量が、 0 . 5 m m以上で あ る と 、 配向膜 に よ り 強 い 力 が加 わ り 剥離 し やす い。
本 ( 3 ) にお い て は、 塗布 さ れたた め電極上 に あ る 配向膜 は突出 し た形 と な る が、 こ の た め こ の部分の みが ラ ビ ン グ用 ロ ー ラ 2 1 に よ り 強 く 押 し込 ま れる こ と と な る 。
以上の他、 配向膜 の 材質や押圧力 に よ っ て は、 厳密な剥離でな く 、 微小な傷や ピ ン ホー ルが発生す る こ と も 在 る が、 こ れ ら で も 良 い。
(第 2 の発明群)
本第 2 の発明群 は、 中 和電極 を形成す る も の で あ る 。
以下、 本発 明群 の液晶素子 につ い て 図面 を 参照 し つ つ説明す る 。
(第 2 — 2 — 1 の 実施の 形態)
本実施の 形態の液晶素子の ア レイ 側の平面 を 図 1 7 に 、 図 1 7 の A — A 断面図 を 図 1 8 に 示す。
こ の液晶素子は、 図 4 〜 6 に示す従来技術 の液晶素子 と 比較 し た場 合、 中 和電極 3 0 を 有す る の が大 き く 異な る 。 本実施 の 形態の液晶 素子 は、 画面の対角 1 5 . 2 イ ンチ、 ァ ス ぺ ク ト 比 1 6 : 9 、 解像度が縦 7 6 8 X横 1 3 6 4 R G B の I P S モー ド T F T 液晶表示パ ネルの も の で あ り 、 こ のパ ネル、 そ し て液晶素子 を 以下の よ う に し て作製 し た 。
両図、 特 に 図 1 8 に お い て 、 ガ ラ ス 基板 を べ一 ス に し た ア レイ 基板
1 上 に ゲー ト 信号配線 7 、 共通配線 5 、 共通電極 5 を 、 ア ル ミ ニ ウ ム を 主成分 と す る 金属膜で成膜 し た後 フ ォ ト リ ソ グ ラ フ で必要な部分 の み残す こ と に よ り 、 同一平面状 に パ タ ー ン形成 し た。 なお 、 ゲー ト 信 号配線 の 材料 は、 配線抵抗の低 い金属が望 ま し い が、 特 に ア ル ミ ニ ゥ ム 系金属 に 限定す る も の で はな く 、 ま た単層膜で も 多層膜で あ っ て も よ い の は 勿論で あ る 。 ,,
次 に 、 絶縁層' 8 と し て 、 ア ル ミ ニ ウ ム 膜 の 陽極酸化層 と 窒化珪素 ( S i N X ) を 、 半導体層 1 7 と し て ア モル フ ァ ス シ リ コ ン を堆積 し た後 (両図で は、 詳 し く は図示せず) 、 ゲー ト 信号配線 7 上 の絶縁層 の 一 部 を 取 り 除 き 、 ス パ ッ タ リ ン グ法 に よ り ァ リレ ミ ニ ゥ ム チ タ ン ( A 1 / T i ) の 2 層 を堆積 さ せて ス イ ッ チ ン グ素子 と な る 薄膜 ト ラ ン ジス 夕 ( T F T ) 1 7 、 ソ ース 信号配線 6 、 画素電極 4 を フ ォ ト リ ソ グ ラ フ 法でパ タ ー ン形成す る と と も に 、 画素電極 と 共通配線の 間で蓄積容 量 4 1 を 形成 し た (図 1 8 では図示せず) 。 更 に 図 1 8 に示す様 に 、 保護層 (膜) 1 0 と し て C V D 法 に よ り 窒化珪素 ( S i N x ) 1 0 を 堆積 さ せた後、 そ の上層 に 中 和電極 3 0 と し て ア ル ミ ニ ウ ム を主成分 と す る 金属膜 を 成膜 し フ ォ ト リ ソ グ ラ フ 法でゲ一 ト 信号配線 7 に 沿 つ てパ タ ー ン形成 し 、 ま た表示領域外で各 中 和電極が連結す る よ う に 形 成 し た。 更 に 、 その 上部 に 配 向膜 9 を 薄 く 形成 し た。
こ の よ う に 形成 さ れた ア レイ 基板 1 と 、 こ の ア レイ 基板 と 対向 し て ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス 1 2 及び赤 、 緑、 青 ( R 、 G 、 B ) の カ ラ 一 フ ィ ル夕 1 1 が形成 さ れた 配向 (カ ラ ー フ ィ ル 夕 ) 基板 2 の対 向面側 に配 向膜 9 ( A L 5 4 1 7 : J S R 製) を 印刷形成 し 、 ラ ピ ン グ を 施 し た 後、 ギ ャ ッ プ 3 . 5 / m 間 隔で両基板 を 貼 り 合わせ、 内部へ液晶 3 を 真空注入 し I P S パ ネ ル を 形成 し た。 な お 、 注入 し た液晶 は、 p 型成 分 と し て シ ァ ノ 置換 フ エ ニル シ ク ロ へキサ ン を 主成分 と す る p 型 の ネ マ チ ッ ク 液晶で あ る 。 液晶 は電界無印加時 に は上下基板間 で捻れ を持 たずに配 向 し てお り 、 そ の ダイ レ ク 夕 一方 向 は、 ゲー ト 信号配線 7 と 8 0 度 の 角度 を成 し て い る 。 なお 、 本発明 の主 旨 に直接の 関係がな い た め 図示 し て い な い偏光板 は、基板の上下 に互 い の偏光軸 を 直交 さ せ、 かつ 一方 の偏光軸 を液晶 の ダイ レ ク タ ー方 向 と 一致 さ せて貼 り 付 けた 以上 の よ う に し て製作 し た液晶表示パ ネリレ に お い て 、 レーザ一 リ ベ ァ を行 う の と 同様 に ゲー ト 信号配線部分 に レーザー ビ ーム を 照射 し 、 ゲー ト 信号配線部が液晶層 に 露出す る よ う に し た。
こ の パ ネル に駆動回路 を 接続 し 、 6 0 で の雰囲気温度中 で 3 0 0 時 間 ま で連続駆動 さ せた が、 約 3 0 0 時間 ま で はゲー ト 信号配線上 の絶 縁層 の 欠損部分か ら 黒点む ら の発生 は認め ら れず、 3 0 0 時 間で微小 な黒点む ら の発生が認め ら れた。 本実施の 形態で は、 画素電極及び ソ ース 信号配線上 に絶縁層 が存在せず、 電極が露出 し て い る た め 、 ゲ 一 ト 信号配線上の絶縁層 に 欠損部分があ っ て も 、 黒点ム ラ 発生 を 最 小 限 に抑制する こ と が出来た。
尚 、 本実施 の形態で は 中和電極 を アル ミ ニ ウ ム を主成分 と す る 金属 に よ り 形成 し て い る が、 I T O 等の電極材料 と し て も 良 い。
ま た 、 図 1 7 では 中 和電極 3 0 を ソ ー ス 信号配線 6 上 に も 形成 し て い る が、 図 1 9 の ( 1 ) に部分的 に示すよ う に ゲー ト 信号配線 7 上 の み に 形成 し 、 表示領域外で各 中 和電極が連結す る よ う に 形成 し て も 良 い 。 こ の場合 に は ソ ー ス 信号配線 と 中和電極 と の 間 に 形成 さ れ る 寄生 容量 を な く す る こ と が出来、 ソ ー ス 信号 の遅延 を 抑制 出来 る 。
ま た 、 図 1 9 の ( 2 ) に部分 的 に示すよ う に 中 和電極 3 0 を ゲー ト 信号配線 7 上か ら ず ら し て形成 し て も 良 い 。 こ の場合 に はゲー ト 信号 配線 と 中 和電極 と の 間 に 形成 さ れ る 寄 生容量 を低減出来、 ゲー ト 信号 の遅延 を抑制 出来る 。 ゲー ト 信号配線 と 中和電極の 層 間 に 形成 し て い る 保護層 に つ い て も 、 寄生容量の抑制 、 ピ ン ホール発 生確率 の低減 の 観点か ら 厚み を厚 く 形成 し た方がよ く 2 0 0 O A 以上 、 好 ま し く は 3 5 0 O A 以上 の厚みで形成す る 方が良 い 。
更 に 、 中 和電極 と し て金属 ク ロ ム やポ リ ピ ロ ール等 の導電性高分子 を 主体 と し た遮光性 の あ る 材料 を 用 い 、 図 2 0 に示すよ う に ゲー ト 信 号配線 7 と 共通電極 3 の 間 隙や ソ ー ス 信号配線 と 共通電極 の 間隙 を遮 光す る よ う に 形成 し て も 良 い。 こ の場合 に はカ ラ ー フ ィ ルタ 基板上 の ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス を 形成す る 必要がな く な り 、 工数ゃ コ ス 卜 の 削減 が可能 と な る 。
ま た 、 中 和電極が形成 さ れる た め 、 配向膜 の表面は厳密 に は凹 凸が 生 じ る 。 こ の ため 、 紫外線照射で配向性 を有す る こ と と な る 樹脂 を選 定 し て も 良 レ 。
(比較例 1 )
比較例 と し て 、 本実施の 形態 の液晶表示パ ネ ル と 、 画素部全面 に保 護層 と し て窒化珪素 ( S i N X ) を堆積 し た後、 中 和電極 を 形成 し な. い 点 の みが異な る 液晶表示パ ネル を 製作 し た 。 な お 、 こ のパ ネ ルの 画 素部 に お け る ア レイ 形状の 平面 は 図 4 に 、 断面 は 図 5 に示す も の と 同 様で あ る 。
なお 、 こ の 比較例 に お い て は、 勿論ゲー ト 信号配線上の絶縁層 の 欠 損部分 を モ デル的 に作 り 込 む た め 、 ゲー ト 信号配線部分 に レーザー ビ ー ム を 照射 し 、 ゲー ト 信号配線部の絶縁層 の 一部 を 除去 し て い る 。 さ て 、 こ の パ ネ ル に駆動回路 を接続 し 、 6 0 で の雰囲気温度 中 で連 続駆動 さ せた と こ ろ 、 2 0 時 間 でゲー ト 信号配線上の絶縁層 の欠損部 分か ら 黒点 む ら の発 生が認め ら れた。
本比較例で は、 ゲー 卜 信号配線上 の絶縁層 の 欠損部分近傍 に お い て 他の電極がすべて絶縁層 で被覆 さ れて い る た め 、 比較的短時間で黒斑 点 が発生 し て し ま う も の と 思われる 。
(第 2 — 2 — 2 の 実施 の形態)
先の第 1 の 実施の 形態 (以下、 かか る 場合 「第 2 — 2 — 」 は省略す る 。 ) で作成 し た液晶表示パネ ル に駆動回路 を接続す る と と も に 中 和 電極の一端 を こ の駆動 回路 の電源 回路 に 接続 し 、 + 6 V の電位 を 印加 す る よ う に し た。 こ の パ ネル を 6 O : の雰 囲気温度 中 で 5 0 0 時 間 ま で連続駆動 さ せたが、 ゲー ト 信号配線上 の絶縁層 の 欠損部分か ら 黒点 む ら の発生 は認め ら れな か っ た 。
(第 2 — 2 — 3 の実施の形態)
本実施の 形態で は、 中 和電極 を 対向基板側 に 形成す る も の で あ る 。 こ の た め 、 中和電極 の 形成 を 除 い て、 先 の 第 1 の実施の形態 と 同 様 の ア レ イ 基板 を 製作 し た。 そ し て、 こ の 基板 に対向す る カ ラ ー フ ィ ル 夕 基板 2 の ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス 1 2 上 に 先 の 実施の形態 と 同様 の方.法 で 中和電極 3 0 を パ タ ー ン形成 し た。 更 に 、 こ れ ら 両基板 の対向面側 に配向膜 ( A L 5 4 1 7 : J S R 製) を 印刷形成 し 、 ラ ビ ン グ を 施 し 、 以後、 先の 実施の 形態 と 同様の 工程 で製作 し だ。 ま た 、 レーザー リ ベ ァ を行 う の と 同様 に ゲー ト 信号配線部分 に レ ーザー ビーム を 照射 し 、 ゲー ト 信号配線部が液晶層 に露出す る よ う に し た の も 同様で あ る 。
こ のパ ネル に駆動回路 を接続す る と と も に 、 中 和電極の 一端 を 駆動 回路の電源 に接続 し 、 + 6 V の電位 を 印力 Bす る よ う に し た。 こ の液晶 表示パ ネル を 6 0 で の雰囲気温度 中 で 5 0 0 時間 ま で連続駆動 さ せた が、 ゲー ト 信号配線上 の絶縁層 の 欠損部分か ら 黒点 む ら の発生 は認め ら れな か っ た 。
本実施の 形態で は 中 和電極が形成 さ れて い る た め 、 ゲ一 ト 信号配線 上の絶縁層 の 欠損部分が あ っ て も 黒点 む ら 発生 を 防止する こ と が出来 る 。 ま た本実施の 形態で は、 中 和電極 を ア レイ 基板側 に形成せずカ ラ ー フ ィ ルタ 基板側 に 形成 し た た め 、 ゲー ト 信号配線や 映像信号配線 の 寄生容量がほ と ん ど増加せず、 信号の遅延 の な い液晶表示パ ネ ルが得 ら れる 。
尚 、 本実施の形態 に お い て は 中和電極 を ソ ー ス 信号配線上 に も 形成 し たが図 2 2 の ( 1 ) に部分的 に示すよ う に ゲー ト 信号配線 7 上 の み に 、 あ る い はそ の方 向 の み に 形成 し て も 良 い 。 ま た 中 和電極 を ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス 上 に別 に 形成 し た が、 図 2 2 の ( 2 ) に部分的 に示すよ う に ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス を導電性 の材料、 例 え ば金属 ク ロ ム や ポ リ ピ ロ ール等の導電性高分子 を 主体 と し て形成 し 、 ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス 1 2 自 身 を 中 和電極 3 0 と し て も 良 い。 こ の場合 に は、 中和電極 を別途 形成す る 必要がな い の で、 工数ゃ コ ス 卜 の 削減が可能 と な る 。
(第 3 の発明群)
本発 明群 は、 絶縁膜等の 開 口 部 と 対 向側 の 中 和電極 を組み合わせた も の で あ る 。
(第 2 _ 3 — 1 の 実施の 形態)
図 2 3 は、 本実施の形態 の液晶パ ネルの ア レイ 基板側の平面図で あ る 。
図 2 4 の ( 1 ) は 図 2 3 の A — A 断面図で あ り 、 ( 2 ) は B — B 断 面 図で あ り 、 ( 3 ) は C 一 C 断面図で あ る 。
以下、 両図 に示す液晶パ ネル を説明す る 。
以下、 い わ ゆ る 周知技術の 面が多 い が、 本発 明 に 関係す る 面 も あ る の で 、 T F T を 含 め て 、 こ の 製造方 法 を 簡単 に 説 明 す る 。
ガ ラ ス 基 板 1 上 に 金 属 配線 と し て 映像信号線 ( ソ ー ス ) 6 と 走査信 号線 ( ゲー ト ) 7 を マ ト リ ク ス 状 に 形 成 し 、 そ の 交点 に 能 動 素 子 ( ス イ ッ チ ン グ素 子) と し て 半 導体 層 ( T F T : T h i n F i 1 m T r a n s i s 't' o r j を 形成 す る 。
ガ ラ ス 基板 1 上 に A 1 な ど の 金 属 を 用 い て ゲー ト 電 極 7 と 共 通電極 5 を 選択 的 に (所定位 置 に ) 形 成す る 。
'次 に プ ラ ズマ C V D 法 を 用 い て 第 1 の ゲー ト 絶緣膜 そ し て 保護 膜 1 0 と な る S i N x を 3 0 0 O A の 厚 さ で 形成 し 、 ト ラ ン ジ ス タ の チ ヤ ネ ル部 と な る 半 導体 層 ( ァ モ リレ フ ァ ス シ リ コ ン 層 ) を 5 0 O A の 厚 さ で 形成 し 、 エ ッ チ ン グ ス ト ツ パ 兼 保護 膜 1 0 0 と な る S i N x を 1 5 0 O A の 厚 さ で順次 形成す る 。 こ の 時 に 図 2 4 の ( 3 ) に 示 す よ う に ト ラ ン ジ ス 夕 の チ ャ ネ ル部 の 形成方 法 と し て ゲー ト 電極 の 上 の 絶縁膜 S i N x を ゲー ト 電極 よ り も 小 さ く 形成 し て エ ッ チ ン グ ス ト ツ ノ、' と し そ の 上 に プ ラ ズマ C V D 法 を 用 い て リ ン を 含 む n + の ア モ ル フ ァ ス シ リ コ ン層 を 5 0 O A の 厚 さ で 形成 し 、 ォ ー ミ ッ ク 接合 を 得 る ( n + : 高 濃度 の ド ー ピ ン グ で あ り 、 n 型 不純 物 添加 の 割 合 が多 い ) 。
次 に 、 電極 等 を 形成す る 周 辺 部分 に コ ン タ ク ト ホ ー ル を 形成 し 、 配 線部分 と の コ ン タ ク ト が と れ る よ う に す る 。
次 に 、 A l / T i 等 の 金 属 を 用 い て 信 号 配線 ( ソ ー ス 線 ) 6 、 ド レ イ ン線 、 画 素 電極 4 を 4 0 0 0 Aの 厚 さ で 形成 す る 。
そ の 後 、 配線 を 保護す る た め に 第 2 の 絶縁膜 ( パ ッ シ ベ ー シ ョ ン 膜 ) あ る い は保護 膜 1 0 と し て S i N X を プ ラ ズマ C V D 法 を 用 い て 3 5 0 0 Aの 厚 さ で形成 す る 。
と こ ろ で こ の 際 、 基板 を 洗 浄 し た 後 、 レ ジ ス ト を ス ピ ン ナ 一 に よ り 塗布 し 、 マ ス ク 露光 を 行 う こ と に よ り 、 第 2 の 絶縁膜 ( パ ッ シ ベ ー シ ヨ ン 膜 ) 1 0 を 選択 的 に ( 一 部領域 に ) 形成 し 、 画 素 部 に お い て 絶縁 膜 ( あ る い は保護 膜 1 0 ) の 一 部 が形成 さ れ て い な い 領域 8 0 が在 る よ う に す る 。 具体 的 に は 図 2 3 の 中 央や 図 2 4 の ( 1 ) に 示 す よ う に 蓄積容 量部 4 の 上 の 一 部領 域 8 0 に 第 2 の 絶縁膜 ( パ ッ シ ベ ー シ ヨ ン 膜 ) 1 0 を 形成 し な い よ う に す る 。
そ の 後 、 現 像 、 乾燥 を 行 い 、 更 に R I E ( r e a c t i v e i o n e t c h i n g ) に よ り ド ラ イ エ ッ チ ン グ を 行 っ た 後 、 レ ジ ス ト を 除去 す る 。
次 に 、 カ ラ ー フ ィ ル 夕 一 1 1 の つ い た 対 向 の ガ ラ ス 基板 2 側 の ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス 1 2 部 分 に 中 和 電極 と し て A 1 電極 3 0 を 形 成 す る 。
こ の A 1 電極 の 上 に 絶縁 膜 と し て S i N x を 選 択 的 に ( 一部領域 の み に ) 形成す る 。 こ の 際 、 絶縁膜 の 一部 を 除去 し て お き 、 対 向 電極側 で も 発 生 し た イ オ ン を 非 イ オ ン 化 で き る よ う に し て お く 。
図 2 5 は対 向 の ガ ラ ス 基 板側 の 構成 を 示す 上 面 図 で あ る 。
図 2 6 の ( 1 ) は 、 図 2 5 の A — A 断面 図 で あ り 、 ( 2 ) は B — B 断 面 図 で あ る 。 本 図 2 6 に お い て 、 8 2 は対 向 基 板側 の 絶縁膜 で あ り 、 8 2 0 は 中 和 電極 兼 ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス 1 2 の 直 下 に 位置す る そ の 一 部 欠 損部で あ る 。 な お 、 9 は配 向 膜で あ り 、 1 0 は保護膜 で あ り 、 1 1 は カ ラ ー フ ィ Jレ タ で あ る 。
次 に 、 カ ラ ー フ ィ ル タ ー 1 1 の つ い た 対 向 の ガ ラ ス 基板 2 と ア レ イ が 形成 さ れた 基板 1 上 に 配 向 膜 9 ( A L 5 4 1 7 : J S R 製 ) を 印刷 · 硬化 し 、 ラ ビ ン グ を 施 し た 。
次 に 、 ガ ラ ス 基板 の 縁部 に シ ー ル樹脂 ( ス ト ラ ク ト ボ ン ド : 三 井 東 圧 製) を 印刷 す る 。 シ ー ル樹脂 中 に は ス ぺ ー サ 一 と し て 4 . 0 u m の ガ ラ ス フ ァ イ ノ 一 ( 日 本電気 硝子製) を 混入 し て い る 。
そ の 後 、 基板 間 隔 を 保持す る た め に 表示領域 内 に ス ぺ ー サ 一 と し て 直径 3 . 5 mの樹脂球 (ェポ ス タ — G P — H C : 日 本触媒 (株) 製) を 散布す る 。
そ の後、 両基板 を 貼 り 合わせ、 1 5 0 : で 2 時 間加熱す る こ と で シ ール樹脂 を 硬化 さ せた。
以上 の よ う に し て作製 し た 空パ ネル に 誘電率異方性が正 の 液晶 3 を 真空注入法 (空パ ネ ル を 減圧 し た槽内 に 設置 し 、 パ ネ ル内 を 真空 に し た後、 注入 口 を液晶 に接触 さ せ、 槽内 を 常圧 に 戻す こ と に よ り 、 液晶 を パ ネ ル内 に注入す る 方法) に て注入 し た 。
(表 1 ) に用 い た液晶 と そ の 比抵抗 を 示す。
(表 1 )
Figure imgf000047_0001
そ の後、 液晶パネ ルの注入 口 に封 口 樹脂 と し て光硬化性樹脂 ( ロ ッ ク タ イ ト 3 5 2 A : 日 本 ロ ッ ク 夕 イ ト 製) を 注入 口 全体 に塗布 し 、 光 を 1 0 m W / c m 2 で 5 分 間 照射 し て封 口 樹脂 を硬化 し た。
そ の後、 こ れ ら 基板 の上下 (ガ ラ ス 基板 の外側) に偏光板 ( N P F — H E G 1 4 2 5 D U : 日 東電工製、 図示せず) を貼付 し た 。
比較例 と し て 、 (表 2 ) に示すパ ネ ル を作製 し た。
(表 2 )
Figure imgf000047_0002
比較例 2 はゲ一 ト 電位 に偏在 し たイ オ ン を非イ オ ン化す る た め の電極が露出 さ れて い な い の で、 黒点状 ム ラ は大 き い 。
比較例 3 は ア レイ 基板 の絶縁膜 は除去 さ れて い な い が、 対向基板側 に非イ オ ン化す る た め の電極が形成 さ れて い る た め に 、 黒点状 の ム ラ は比較例 1 、 2 よ り は小 さ く な る が、 ま だ不十分で あ る 。
比較例 4 、 5 は ア レイ 基板の絶縁膜が除去 さ れて い る た め に 、 あ る 程度ゲー 卜 電位 に偏在 し たイ オ ン を非イ オ ン化で き る が、 対向基板側 に非イ オ ン化する た め の電極が形成 さ れて い な い 、 あ る い は対向基板 側 の電極が露 出 さ れて い な い た め に 、 黒点状 の ム ラ は比較例 1 、 2 よ り は小 さ く な る が、 ま だ不十分で あ る 。
本実施の 形態で は、 ア レイ 基板 の絶縁膜が除去 さ れてお り 、 か つ 対 向基板側 に も非イ オ ン化す る た め の電極が形成 さ れて い る た め黒点状 の ム ラ が 0 . 1 m m以下 と 十分小 さ く 抑 え る こ と がで き る 。
ま た本実施 の形態 と 比較例 の相違 を 図 2 7 に概念的 に示す。
こ れ ら のパ ネルの ゲー ト 部分 に レーザー を 照射 し て 、 ゲー 卜 の電位 を 露出 さ せ、 7 0 で の 高温槽の 中 に入れ、 1 2 時 間駆動 さ せた後、 中 間調 を表示 さ せて評価 し た。
対向基板側の 中 和電極の電位 は ア レイ 基板側の共通電極 と 同電位 に な る よ う に設定 し た。
その結果、 表 2 に 示すよ う に 比較例 1 、 2 はゲー ト 電位 に偏在 し た イ オ ン を非イ オ ン化す る た め の電極が露 出 さ れて い な い の で、 黒点状 ム ラ は大 き く な つ て し ま う 。
比較例 3 は ア レイ 基板 の絶縁膜 は除去 さ れて い な い が、 対向基板側 に非イ オ ン化す る た め の電極が形成 さ れて い る た め に 、 黒点状の ム ラ は比較例 1 、 2 よ り は小 さ く な る が、 ま だ不十分で あ る 。
比較例 4 、 5 は ア レイ 基板の絶縁膜が除去 さ れて い る た め に 、 あ る 程度ゲー ト 電位 に偏在 し たイ オ ン を非イ オ ン化 で き る が、 対向基板側 に非イ オ ン化す る た め の電極が形成 さ れて い な い 、 あ る い は対向基板 側 の電極が露 出 さ れて い な い た め に 、 黒点状 の ム ラ は比較例 1 、 2 よ り は小 さ く な る が、 ま だ不十分 で あ る 。
本発 明 で は ア レイ 基板 の絶縁膜が除去 さ れて お り 、 かつ 対向基板側 に も 非イ オ ン化す る た め の電極が形成 さ れて い る た め 黒点状 の ム ラ が 0 . 1 m m以下 と 十分小 さ く 抑 え る こ と がで き た。
ま た表 1 カゝ ら わか る よ う に液晶 の 比抵抗 を 1 0 1 3 Ω · c m よ り 小 さ く す る こ と に よ り 表示の 焼 き 付 き の な い 良好な表示 を 得 る こ と がで き た。
(第 2 螭 3 螭 2 の 実施の形態)
図 2 8 に 、 本実施の形態の液晶パ ネ ルの対向の ガ ラ ス 基板側 の構成 を 示す。
本図 の ( 1 ) は平面図で あ り 、 ( 2 ) は ( 1 ) の 断面図で あ る 。 先の 実施の 形態で は対向基板側 の 中 和電極上の絶縁膜の 一部 を 除去 し たが、 本実施の形態で は、 対向基板側の ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス 兼 中和 電極 1 2 上 に は絶縁膜 を 全 く 形成 し て い な い。
そ の他 は、 先の実施の 形態 と 同様で あ る 。
本 図 の よ う にす る と 、 中 和電極 の上 に は絶縁膜が全 く 形成 さ れて い な い の で、 先の実施の形態 に 比較 し て黒点状ム ラ の発生 を さ ら に抑 え る こ と がで き る 。
本実施の 形態等で は図 2 3 の よ う に 蓄積容量の 上の画素電極上 の絶 縁膜 を 除去 し たが、 除去す る 部分 8 0 は図 2 9 と 3 0 に示すよ う に信 号配線電極 6 上 ( 図上、 上下方 向) や画素電極 4 の上 (図上、 画素 の 中央部) や 、 それ ら の電極 に ま た がる 等の よ う に他の組み合わせで除 去 し て も 良 !^ 。
ま た 、 図 3 1 に示すよ う に 共通電極 5 を 画素電極 4 よ り も 上 に 形成 す る よ う に し 、 共通電極 の上の絶縁膜 の 一部 を 除去 し て も 良 い 。
ま た 、 図 3 2 に示すよ う に共通電極 5 と 画素電極 4 を 同 一層 に 形成 し 、 そ の 上 の絶縁膜の 一部 を 除去 し て も 良 い 。
ま た 、 本実施の形態等で は対向基板側 に形成す る 電極 と し て 図 2 5 と 2 8 に 示すよ う に ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス 部 に マ ト リ ク ス 状 に形成 し た が、 図 3 3 の ( 1 ) に示すよ う に 矢印で示す信号配線電極 6 に対応す る 方向 、 部分 の みや 同 じ く 図 3 3 の ( 2 ) に 示すよ う に走査配線 7 に 対応す る 部分 、 方向 の み等 に だけ形成 し て も 良 く 、 ま た 図 3 4 に 示す よ う に 島状 に形成 し て も 良 い 。
(第 2 — 3 — 3 の実施の形態)
先の 2 つ の実施の形態 は第 2 の絶縁膜 を 除去す る 箇所 と し て蓄積容 量の 上 の 一部の み を 除去 し たが、 本実施の 形態で は、 図 3 5 の ( 1 ) に示す よ う に ス イ ッ チ ン グ素子で あ る T F T の上部 に だけ第 2 の 絶縁 膜 (ノ ッ シベー シ ヨ ン膜) 1 0 を 形成す る も の で あ る (すなわ ち ( 2 ) に示すよ う に画素電極 4 の 上 に は絶縁膜 を 全 く 形成 し な い よ う に す る ) 。 そ の 他 は、 先 の 実施の 形態 と 同様で あ る 。
図 3 5 に 、 本実施の 形態の液晶パ ネ ルの構成 を示す。
本図 の ( 1 ) は平面図で あ り ( 2 ) はそ の 断面図で あ る 。
更 に 、 対 向基板側 に も 、 図 2 5 に示すよ う に 、 中和電極上 に 一部絶 縁膜の 形成 さ れて い な い 箇所 を 形成 し た 。
こ の よ う な構成 にす る こ と に よ り 、 画素電極の 上 に は絶縁膜が全 く 形成 さ れて い な い の で、 先の 2 つ の実施の 形態 に 比較 し て黒点状 ム ラ の発生 を さ ら に抑え る こ と がで き た。
(第 2 _ 3 — 4 の実施の 形態)
本実施の 形態では、 先の実施の 形態 と 異な り 対向基板側 に は絶縁膜 を 形成 し な い。 その他 は、 先 の 実施の 形態 と 同様で あ る 。 すな わ ち 対向基板側 に は図 2 8 に示すよ う に絶縁膜 を形成せず、 ァ レイ 基板側 は 図 3 5 に 示すよ う に ス イ ッ チ ン グ素子で あ る T F T の上 部 に だ け第 2 の絶縁膜 (パ ッ シ ベー シ ヨ ン膜) 1 0 を 形成す る (すな わ ち 、 画 素電極 4 の 上 に は絶縁膜 を全 く 形成 し な い ) 。
こ の よ う に す る こ と に よ り 、 画素電極の 上及び対向基板側 の ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス 兼 中 和電極上 に は絶縁膜が全 く 形成 さ れな い の で、 先の 3 つ の 実施 の 形態 に 比較 し て黒点状ム ラ の発 生 を さ ら に抑 え る こ と が でき る 。
本実施 の 形態 と 先の 実施の 形態 にお い て も 、 対向基板側 は図 3 3 と 3 4 に 示すよ う に し て も 良 く 、 ま た ア レイ 基板側 は、 図 3 6 に示す よ う に 走査配線電極上 、 信号配線電極上 、 あ る い は走査配線電極上 と 信 号配線電極上 に絶縁膜 1 0 を 形成 し て も 良 い 。
(第 2 _ 3 — 5 の 実施 の 形態)
図 3 7 に 、 本実施の形態の液晶パ ネ ルの構造 を 示す。
先の実施 の 形態で 'はガ ラ ス 基板上 に走査線 と 共通電極 を 形成 し 、 そ の上 に第 1 の絶縁膜 を 形成 し 、 そ の上 に 半導体層 、 信号線、 画素電極 を形成 し た が、 本実施の 形態で はガ ラ ス 基板上 に信号線、 ド レイ ン 、 画素電極、 半導体層 を 形成 じ 、 そ の上 に第 1 の絶縁膜 を形成 し 、 そ の 上 に走査線 と 共通電極 を 選択的 に 形成す る 。
すな わ ち 、 先の 第 3 の実施の形態で は画素電極上 の 一部 に絶縁膜が な く 、 共通電極上 に絶縁膜が形成 さ れて い たが、 本実施の 形態で は画 素電極上 に絶縁膜が形成 さ れてお り 、 共通電極 の上 に は絶縁膜が形成 さ れて レゝ な い。
なお 、 対向基板 の 形成 は第 1 の実施 の形態 と 同様で あ る 。
更 に 、 対 向基板側 に は、 図 2 5 に示すよ う に 中 和電極や 中和電極兼 ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス 上 に 一部絶縁膜の形成 さ れて い な い箇所、 領域 を 形成す る 。
こ の よ う に共通電極上 の絶縁膜 と 対向基板上の 中和電極上の絶縁膜 の一部 を 除去す る こ と に よ り 、 ゲー ト 電位部 に偏在 し たイ オ ン が画素 電極部分 に拡散、 非 イ オ ン化 さ れる た め に 黒点状ム ラ の な い 良好な表 示品位 の液晶パ ネ ル を 得 る こ と がで き た 。
(第 2 — 3 — 6 の 実施 の形態)
先の第 5 の実施の形態で は対向基板側 に 絶縁膜の形成 さ れて い る 箇 所 を設 けた が、 本実施の 形態で は絶縁膜 を 形成 し な い 。 そ の他 は、 先 の第 5 の実施の 形態 と 同様で あ る 。
すな わ ち 、 対向基板側 は図 2 8 に示すよ う に絶縁膜 を形成せず、 ァ レイ 基板側 は図 3 7 に示す よ う に ス ィ ツ チ ン グ素子で あ る T F T の上 部 に だけ絶縁膜 (パ ッ シベ ー シ ヨ ン膜) を 形成す る (すな わ ち 共通電 極 の 上 に は絶縁膜 を 全 く 形成 し な い) 。
こ の よ う にす る こ と に よ り 、 共通電極 の 上及び対向基板側の 中 和電 極上 に は絶縁膜が全 く 形成 さ れて い な い の で、 先の第 5 の実施の形態 に 比べて黒点状ム ラ の発生 を さ ら に抑 え る こ と がで き る 。
本実施の形態 と 先の第 5 の実施の 形態 に お い て は、 対向基板側 は図 3 3 と 3 4 に示すよ う に し て も 良 い 。 ま た 、 ア レイ 基板側 は、 図 3 8 に示すよ う に 走査配線電極 に保護膜や こ れ を 兼ねた絶縁膜 1 0 を 形成 し た上、 信号配線電極上 、 あ る い は走査配線電極上 と 信号配線電極上 に絶縁膜 を 形成 し て も 良 い 。
(第 2 — 3 — 7 の 実施の 形態)
図 3 9 に 、 本実施の形態 の 液晶パ ネルの構成 を 示す。
先の第 3 の実施の 形態で は、 ガ ラ ス 基板 1 上 に走査線 と 共通電極 を 形成 し 、 そ の 上 に第 1 の絶縁膜 を 形成 し 、 そ の上 に 半導体層 、 信号線、 画素電極 を 形成 し た が、本実施の 形態で はガ ラ ス 基板 1 上 に 信号線 6 、 ド レイ ン 、 画素電極 4 、 半導体層 を 形成 し 、 そ の 上 に 第 1 の絶縁膜 を 形成 し 、 そ の 上 に走査線 7 と 共通電極 5 と 画素電極 4 を選択的 に 形成 す る 。
すな わ ち 本実施の 形態で は、 画素電極 と 共通電極 を 同一の 層 に 形成 す る の は第 1 の実施の 形態 と 同様で あ る 。
対向基板側 は、 図 2 5 の よ う に 中和電極上 に 一部絶縁膜 の 形成 さ れ て い な い箇所 を 形成す る 。
こ の よ う に 画素電極上及び共通電極上 の絶縁膜 と 対向基板上 の 中和 電極上 の絶縁膜の一部 を 除去す る こ と に よ り 、 ゲー ト 電位部 に偏在 し たイ オ ン が画素電極部分 に拡散、 非イ オ ン化 さ れ る た め に黒点状ム ラ の な い 良好な表示品位の液晶パ ネ ル を 得 る こ と がで き た。
(第 2 _ 3 _ 8 の、実施の形態)
先の 第 7 の 実施の形態で は、 対向基板側 に絶縁膜の 形成 さ れて い る 箇所 を 設 けた が、 本実施の形態で は対向基板側 に は絶縁膜 を 形成 し な い 。 そ の他 は、 先の実施の形態 と 同様で あ る 。
すなわ ち 、 対向基板側 は図 2 8 に示すよ う に絶縁膜 を 形成せず、 ァ レイ 基板側 は図 3 9 に示すよ う に ス ィ ツ チ ン グ素子で あ る T F T の 上 部 に だ け絶縁膜 (パ ッ シベ一 シ ヨ ン膜) を 形成す る (すなわ ち 共通電 極の上 に は絶縁膜 を 全 く 形成 し な い) 。
こ の よ う な構成 に よ り 、 共通電極 の 上及び対向基板側の 中 和電極上 に は絶縁膜が全 く 形成 さ れて い な い の で、 先の実施の 形態 に 比較 し て 黒点状ム ラ の発生 を さ ら に抑 え る こ と がで き る 。
なお 、 本実施の形態等 に お い て も 、 対向基板側 は図 3 3 と 3 4 に示 す よ う な形状で も 良 く 、 ま た ア レイ 基板側 は、 図 4 0 に示すよ う に 走 査配線電極上、 信号配線電極上、 走査配線電極上 と 信号配線電極上 に 絶縁膜 を 形成 し て も 良 い。 ( 第 4 の 発 明 群 )
本発 明 群 は 、 T F T の 部分 を 除 く 最 上 部 ( 液 晶 層 側 ) の 金 属 層 ( 電 極 信号 線 ) は 開 口 部 と す る も の で あ る 。
( 第 2 — 4 _ 1 の 実 施 の 形態 )
図 4 1 に 、 本実施 の 形 態 の 液 晶 パ ネ ル の 構成 を 示 す 。
本 図 の ( 1 ) は平 面 図 で あ り 、 ( 2 ) は そ の A — A 断面 の 図 で あ る 。 ( 3 ) は B — B 断面 の ア レ イ 側 基板 の 図 で あ る 。 ( 4 ) は 同 じ C 一 C 断面 の ア レ イ 側基板 の 図 で あ る 。 な お 、 B — B 断面 と C 一 C 断面 の 対 向 基板 は A — A 断面 と 同 じ で あ り 、 こ の た め 図 示 は省 略す る 。
以下 、 本 図 を 参照 し つ っ こ の 液 晶 パ ネ ル を 説 明 す る 。
ガ ラ ス 基 板 1 上 に 金 属 配線 と し て 映 像信 号線 ( ソ ー ス ) 6 と 走査 信 号線 ( ゲー ト ) 7 を マ ト リ ク ス 状 に 形成 し 、 そ の 交点 に 能 動 素 子 ( ス イ ッ チ ン グ 素 子) と し て 半 導体 層 ( T F T ) 1 6 を 形成 し た 。
そ の 形成 で あ る が 、 先ず最初 に ガ ラ ス 基板 1 上 に A 1 等 の 金 属 を 用 い て ゲー ト 電極 7 と 対 向 電極 5 を 選択 的 に 形成 し た 。
次 に 、 プ ラ ズマ C V D 法 を 用 い て 第 1 の ゲー ト 絶縁膜 8 と な る S i N x を 3 0 0 O A の 厚 さ で形成 し 、 ト ラ ン ジ ス タ の チ ャ ネ ル部 と な る 半 導体 層 ( ア モ ル フ ァ ス シ リ コ ン 層 ) を 5 0 O A の 厚 さ で 形 成 し 、 ェ ツ チ ン グ ス ト ツ パ と な る S i N X を 1 5 0 0 A の 厚 さ で順 次 形成 し た こ の 時 に 図 4 1 の ( 4 ) に 示 す よ う に ト ラ ン ジ ス タ の チ ャ ネ ル部 の 形 成方 法 と し て ゲー ト 電極 の 上 の 絶縁膜 S i N x を ゲ ー ト 電極 よ り も 小 さ く 形成 し て エ ッ チ ン グ ス ト ツ ノ と し 、 そ の 上 に プ ラ ズ マ C V D 法 を 用 !^ て リ ン を 含 む n + の ア モ ル フ ァ ス シ リ コ ン 層 を 5 0 O A の 厚 さ で 形成 し 、 ォ 一 ミ ッ ク 接 合 を 得 た ( n + : 高 濃度 の ド ー ピ ン グ で あ り 、 n 型 不純物 添 加 の 割 合 が多 い ) 。
次 に 、 電極等 を 形成 す る 周 辺部分 に コ ン タ ク ト ホ ー ル を 形成 し 、 配 線部分 と の コ ン タ ク 卜 が と れ る よ う に し た 。
次 に 、 A 1 ノ T i な ど の 金 属 を 用 い て 信 号 配線 ( ソ ー ス 線 ) 6 、 ド レ イ ン 線 、 画 素 電極 4 を 4 0 0 O A の 厚 さ で 形成 し た 。
そ の 後 、 配線 を 保 護 す る た め に 第 2 の 絶縁膜 ( ノ、 ' ッ シ ベ 一 シ ョ ン 膜 ) 1 0 と し て S i N X を プ ラ ズマ C V D 法 を 用 !^ て 3 5 0 O A の 厚 さ で 形 成 し た 。
基板 を 洗 浄 し た後 、 レ ジ ス ト を ス ピ ン ナ 一 に よ り 塗 布 し 、 マ ス ク 露 光 を 行 う こ と に よ り 、' ス ィ ツ チ ン グ素 子 で あ る T F T の 上 部 に だ け 第 2 の 絶縁膜 ( ノ ッ シ ベ ー シ ヨ ン 膜) 1 0 を 形 成 し た ( す な わ ち 、 図 4 1 の 断 面 図 に 示す よ う に 、 画 素 電極 4 の 上 に は絶縁膜 を 形成 し な い よ う に し た ) 。
そ の 後、 現 像 、 乾燥 を 行 っ た 後 、 R I E に よ り ド ラ イ エ ッ チ ン グ を 行 っ た 後 、 レ ジ ス ト を 除去 し た 。
ま た 、 比 較例 と し て 図 4 2 に 示す よ う な 画 素 全体 に 第 2 の 絶縁膜 が 形成 さ れ た パ ネ ル も 作 製 し た 。
こ れ ら の 基板 の ゲ ー ト 部分 に レ ーザ一 を 照 射 し て 、 ゲー 卜 の 電位 を 露 出 さ せた 。
次 に 、 カ ラ 一 フ ィ ル タ ー 1 1 の つ い た 対 向 の ガ ラ ス 基板 2 と ア レ イ が形成 さ れ た 基板 1 上 に 配 向 膜 9 ( A L 5 4 1 7 : J S R 製 ) を 印刷 し 、 ラ ピ ン グ を 施 し た 。
ラ ビ ン グ は 、 ア レ イ 基板 の 信 号配線 ( ソ ー ス ラ イ ン ) 6 に 沿 っ た 方 向 で行 い 、 ア レイ 基 板 1 と カ ラ ー フ ィ ル タ ー 基 板 2 の ラ ビ ン グ方 向 が パ ラ レ ル と な る よ う に し た 。
次 に 、 ガ ラ ス 基板 2 の 縁部 に シ ール樹脂 ( ス ト ラ ク ト ポ ン ド : 三 井 東圧製) を 印刷 し た 。
シ ー ル樹脂 中 に は ス ぺ ー サ 一 と し て 4 . 0 m の ガ ラ ス フ ァ イ バ ー ( 曰 本電気硝子製) を 混入 し た。
そ の後、 基板 間 隔 を 保持す る た め に 表示領域内 に ス ぺーサ 一 と し て 直径 3 . 5 /x mの樹脂球 ( ェポ ス タ ー G P — H C : 日 本触媒 (株) 製) を 散布 し た。
そ の後基板 1 及び対 向基板 2 を 貼 り 合わせ、 1 5 O : で 2 時間加熱 し て シール樹脂 を硬化 さ せた 。
以上 の よ う に し て作製 し た 空パ ネル に誘電率異方性が正 の液晶 3 を 真空注入法 (空パ ネル を 減圧 し た槽内 に 設置 し 、 パ ネ ル内 を 真空 に し た後、 注入 口 を液晶 に 接触 さ せ、 槽内 を 常圧 に戻す こ と に よ り 、 液晶 を パ ネル内 に 注入す る 方法) に て注入 し た。
(表 1 ) に 、 用 い た液 晶 と そ の 比抵抗 を 示す。
(表 1 )
Figure imgf000056_0001
そ の後、 液晶パ ネルの注入 口 に 封 口 樹脂 と し て光硬化性樹脂 ( ロ ッ ク タ イ ト 3. 5 2 Α : 日 本 ロ ッ ク タ イ ト 製) を注入 口 全体 に塗布 し 、 光 を 1 0 m W c m 2 で 5 分間 照射 し て封 口 樹脂 を硬化 し た。
こ れ ら 基板 1 、 2 の 上下 ( ガ ラ ス 基板 の外側) に偏光板 ( N P F — H E G 1 4 2 5 D U : 日 東電工製) を貼付 し た 。
こ れ ら のパ ネ ル を 7 0 で の 高温槽の 中 に入れ、 1 2 時 間駆動 さ せた 後、 中 間調 を表示 さ せて評価 し た と こ ろ 、 画素全 面 に S i N X が形成 さ れて い る 従来の液晶パ ネルで は、 レーザー を 照射 し た箇所か ら 表示 ム 乡 が発 生 し て い た の に対 し て 、 画素電極上部の絶緣膜 を 除去 し たパ ネ ルで は表示ム ラ はな く 、 良好な表示が観察で き た。 画素電極上部の絶縁膜 を 除去す る こ と に よ り 、 ゲー ト 電位部 に 偏在 し たイ オ ン が画素電極部分 に拡散、 非イ オ ン化 さ れる た め に 表示ム ラ の な い 良好な表示品位の液晶パ ネ ル を 得 る こ と がで き た。
ま た表 1 カゝ ら ゎ カゝ る よ う に 、 液晶 の 比抵抗 を 1 0 】 3 Ω · c m よ り 小 さ く す る こ と に よ り 表示の焼 き付 き の な い 良好な表示 を得 る こ どがで き た。
なお 、 従来 は第 2 の絶縁膜 は画素部全面 に 形成 さ れて い る が、 電極 を 取 り 出 す周辺部分 に は形成 さ れて な い 。 こ の た め 、 その た め の 工程 が必要で あ る 。 さ て 、 本実施の形態で は画素 内 に第 2 の絶縁膜が形成 さ れて い な い箇所 を 形成す る が、従来の マ ス ク を 変更する だ けで 良 く 、 工程数 は変わ ら な い 。
(第 2 — 4 一 2 の実施の形態)
図 4 3 に 、 本実施の形態の液晶パ ネ ルの構成 を 示す。
本図 の ( 1 ) は平面図で あ り 、 ( 2 ) 〜 ( 4 ) は、 断面図 で あ る 。 な お 、 対向基板側の B — B 断面、 C — C 断面 は A — A 断面 と 同 じ で あ る 。
本実施の 形態 は、 第 2 の絶縁膜 8 1 を T F T 上 と信号配線 ( ソ ー ス 配線) 6 上 に形成す る 以外 は先の実施の 形態 と 同様で あ る 。
ラ ピ ン グの方 向 は、 ア レイ 基板の信号配線 ( ソ ース ラ イ ン) 6 に 沿 つ て行 い 、 ア レイ 基板 と カ ラ ー フ ィ ル タ ー基板 と で ラ ビ ン グ方 向 がパ ラ レル に な る よ う に し た。
本図 の よ う な構成 にす る こ と に よ り 、 T F T と ( ソ ース ) 信号配線 6 を保護す る こ と がで き る 。
ま た第 2 の絶縁膜が信号配線 に沿 っ て形成 さ れてお り 、 ラ ビ ン グ も ソ ー ス 信号配線 に 沿 っ て行 う の で、 絶縁膜が ラ ビ ン グの際 に邪魔 に な ら な い の で 良好な配向 を得 る こ と がで き る 。 (第 2 _ 4 — 3 の 実施 の 形態)
図 4 4 の ( 1 ) に 、 本実施の形態 の液晶パ ネ ルの構成 を 示す。
本図 にお い て 、 8 1 は T F T 上 の絶縁膜で あ る 。 こ の第 2 の絶縁膜 8 1 を T F T 1 7 上 と 走査配線 (ゲー ト 配線) 7 上 に 形成す る こ と と ラ ビ ン グ方向及び液晶以外 は先の第 1 の実施の形態 と 同様 で あ る 。
こ の よ う な構成 に す る こ と に よ り 、 T F T と 走査配線 7 を保護す る こ と がで き る 。
ま た第 2 の絶縁膜 8 1 が走査配線 7 に 沿 っ て 形成 さ れてお り 、 ラ ビ ン グ も 走査配線 に沿 っ て行 う の で 、 絶縁膜が ラ ビ ン グの際 に 邪魔 に な ら な い ので 良好な配 向 を 得 る こ と がで き る 。 第 1 の実施の形態で は、 誘電率異方性が正の液晶 を 用 い たが、 本実施の 形態で は誘電率異方性 が負 の液晶 を 用 い る こ と に よ り ラ ビ ン グ方向 を 走査配線方向 にす る こ と がで き る 。
(第 2 _ 4 _ 4 の 実施の 形態)
図 4 4 の ( 2 ) に 本実施の形態 の液晶パ ネ ルの構成 を示す。
本実施の 形態 は、 第 2 の 絶縁膜 8 1 を T F T 1 7 上 と 信号配線 ( ソ —ス 配線) 6 上 と 走査配線 (ゲー ト 配線) 7 上 に 形成す る 以外は第 1 の 実施の形態 と 同様 で あ る 。
こ の よ う な構成 にす る こ と に よ り 、 T F T と 信号配線 と 走査配線 を 保護す る こ と がで き る 。
(第 2 _ 4 — 5 の実施の 形態)
図 4 5 に 、 本実施の 形態 の液晶パ ネルの構成 を 示す。
本図 にお い て も 、 対向基板側 は全て A — A 断面 と 同 じ で あ る 。
第 1 の実施の形態で は、 ガ ラ ス 基板 1 上 に 走査線 と 対向電極 を 形成 し 、 そ の上 に 第 1 の絶縁膜 を 形成 し 、 そ の 上 に 半導体層 、 信号線、 画 素電極 を形成 し 、 そ の 上 に 第 2 の絶縁膜 を 部分 的 に形成 し た が、 本実 施 の 形態 で は ガ ラ ス 基 板 上 に 信 号線 6 、 ド レ イ ン 、 画 素 電極 4 、 .半 導 体 層 1 6 を 形成 し 、 そ の 上 に 第 1 の 絶縁膜 8 を 形 成 し 、 そ の 上 に 走 査 線 7 と 対 向 電極 5 を 選択 的 に 形成 し 、 そ の 上 に 第 2 の 絶縁 膜 8 1 を 部 分 的 に 形成 し て い る 。
す な わ ち 、 第 1 の 実 施 の 形態 で は画 素 電極 4 上 に 絶縁膜 がな く 、 対 向 電極上 に 絶縁膜 が形成 さ れ て い た が、 本 実施 の 形 態 で は画 素 電極 4 上 に 絶縁膜 8 1 が形 成 さ れ て お り 、 対 向 電極 5 上 に 絶縁膜が形成 さ れ て レ な い 構成 で あ る 。
こ の よ う に す る こ と に よ り 、 ゲー ト 電位 部 に 偏 在 し た イ オ ン が画 素 電極部分 に 拡散 し 、 非 イ オ ン 化 さ れ る た め に 表 示 ム ラ の な い 良 好 な 表 示 品位 の 液 晶パ ネ ル を 得 る こ と がで き た 。
( 第 2 — 4 — 6 の 実 施 の 形態 )
図 4 6 の ( 1 ) に 本 実 施 の 形 態 の 液 晶 パ ネ ル の 構 成 を 示 す 。
本実施 の 形態 は 、 第 2 の 絶縁膜 を T F T 上 と 信号 配線 ( ソ ー ス 配線) 6 上 に 形成す る 以外 は 先 の 第 5 の 実施 の 形態 と 同 様 で あ る 。
ラ ビ ン グ の 方 向 も ア レ イ 基板 の 信号 配線 ( ソ ー ス ラ イ ン ) に 沿 っ た 方 向 で行 い 、 ア レ イ 基 板 と カ ラ ー フ ィ ル タ ー 基板 の ラ ビ ン グ方 向 がパ ラ レ ル な 方 向 に な る よ う に し た 。
こ の よ う な に す る こ と に よ り 、 T F T と 信 号 配線 を 保護す る こ と が で き る 。
ま た 第 2 の 絶縁膜 が信 号 配線 に 沿 っ て 形成 さ れ て お り 、 ラ ビ ン グ も 信 号配線 に 沿 っ て 行 う の で 、 絶縁膜 が ラ ビ ン グ の 際 に 邪魔 に な ら な い の で 良 好 な 配 向 を 得 る こ と がで き る 。
(第 2 _ 4 — 7 の 実施 の 形態 )
図 4 6 の ( 2 ) に 本実 施 の 形態 の 液晶 パ ネ ル の 構成 を 示す 。
本実施 の 形態 は 、 第 2 の 絶縁膜 を T F T 上 と 走査 配線 ( ゲー ト 配線) 7 上 に 形成す る こ と と ラ ビ ン グ方向及 び液 晶以外 は先の第 5 の実施 の 形態 と 同様で あ る 。
こ の よ う にす る こ と に よ り 、 T F T と 走査配線 を保護す る こ と がで き る 。
ま た第 2 の絶縁膜が走査配線 に沿 っ て形成 さ れてお り 、 ラ ビ ン グ も 走 ¾配線 に 沿 っ て行 う の で、 ^緣膜が ラ ビ ン グの 際 に 邪魔 に な ら な い の で 良好な 配 向 を得 る こ と がで き る 。
(第 2 _ 4 — 8 の 実施の形態)
図 4 7 に 、 本実施の 形態の液晶パ ネルの構成 を 示す。
本実施の 形態 は、 第 2 の絶縁膜 を T F T 上 と 信号配線 ( ソ ー ス 配線) 上 と 走査配線 (ゲー ト 配線) 上 に 形成す る 以外 は、 先の第 5 の実施の 形態 と 同様で あ る 。
こ の よ う にす る こ と に よ り 、 T F T と 信号配線 と 走査配線 を 保護す る こ と がで き る 。
なお 、 第 2 の絶緣膜が形成 さ れな い部分が小 さ す ぎる と ゲー ト 電位 部 に偏在 し た イ オ ン が回収 し き れな い の で、 第 2 の絶縁膜が形成 さ れ な い部分 は画素電極上のすべて あ る い は対向電極上のすべて に 形成 さ れて い な い 必要があ る 。
ま た 、 画素電極上 と 対向電極上の ど ち ら も 絶縁膜 を 形成 し な い と シ ョ 一 卜 な ど の 問題が発生 し て し ま う の で不可で あ る 。
(第 5 の 発 明群)
本発明群 は、 ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス 等 に 凹 凸構造 を設 け る こ と に 関す る 。
(第 2 — 5 _ 1 の 実施の形態)
図 4 8 に 、 本実施の形態の液晶素子の対向 ( カ ラ 一 フ ィ ルタ ー側) 基板側の構成 を示す。 以 下 、 本 図 を 参 照 し つ っ こ の 液 晶 素 子 を 説 明 す る 。
な お 、 ア レ イ 基板側 は 、 図 4 に 示 す従来 と 同 じ 方法 で製作 す る 。 す な わ ち 、 ガ ラ ス 基 板 1 上 に 金 属 配線 と し て 映像信号線 ( ソ ー ス ) と 走査信 号 線 ( ゲー ト ) を マ ト リ ク ス 状 に 形 成 し 、 そ の 交 点 に 能 動 素 子 ( ス イ ッ チ ン グ素 子 ) と し て 半 導体 層 ( T F T ) -を 形成 し た 。
ガ ラ ス 基 板 1 上 に A 1 な ど の 金 属 を 用 い て ゲ ー ト 電極 と 共 通電極 5 を 選択 的 に 形 成 し た 。
次 に プ ラ ズ マ C V D 法 を 用 い て 第 1 の ゲ ー ト 絶縁膜 と な る S i N X を 3 0 0 O A の 厚 さ で 形成 し 、 ト ラ ン ジ ス タ の チ ャ ネ ル部 と な る 半 導 体 層 ( ア モ ル フ ァ ス シ リ コ ン 層 ) を 5 0 O A の 厚 さ で 形成 し 、 エ ッ チ ン グ ス ト ツ ノ と な る S i N X を 1 5 0 0 A の 厚 さ で順次 形 成 す る 。 こ の 際 、 ト ラ ン ジ ス タ の チ ャ ネ ル部 の 形 成方 法 と し て ゲ ー ト 電極 の 上 の 絶縁膜 S i N x を ゲ ー ト 電極 よ り も 小 さ く 形 成 し て エ ッ チ ン グ ス ト ツ パ と し 、 そ の 上 に プ ラ ズマ C V D 法 を 用 レ て リ ン を含 む n + の ァ モ ル フ ァ ス シ リ コ ン 層 4 1 を 5 0 O A の 厚 さ で 形成 し 、 ォ 一 ミ ッ ク 接 合 を 得 る ( n + : 高 濃度 の ド ー ピ ン グで あ り 、 n 型 不 純物 添加 の 割 合 が 多 い ) 。
次 に 、 電極 等 を 形成す る 周 辺 部分 に コ ン タ ク ト ホ ー ル を 形成 し 、 配 線部分 と の コ ン タ ク ト が と れ る よ う に し た 。
次 に 、 A 1 T i な ど の 金 属 を 用 い て 信 号 配線 ( ソ ー ス 線) 6 、 ド レ イ ン 線 、 画 素電極 を 4 0 0 O A の 厚 さ で 形 成 し た 。
そ の 後 、 配線 を 保護す る た め に 第 2 の 絶縁 膜 ( パ ッ シ ベ ー シ ョ ン 膜 ) と し て S i N X を プ ラ ズ マ C V D 法 を 用 い て 3 5 0 O A の 厚 さ で 形 成 し た 。
次 に 、 図 4 8 の ( 2 ) に 示す カ ラ ー フ ィ ル タ ー 1 1 の つ レ た 対 向 の ガ ラ ス 基 板側 の 導電性 ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス 部分 の 一部 が配 向 膜 と 接 す る 構造 に し てお く 。 更 に 、 対向基板 2 の ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス 1 2 は 図 4 8 の ( 2 ) に示すよ う に 凹 凸部 を 形成 し て お き 、 表面積 を 大 き く し 、 対向基板側で も発 生 し たィ ォ を 非イ オ ン化で き る よ う に し てお く 。
導電性 の ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス の 形成方法 と し て は、 導電性 の金属 を 樹脂 中 に 混合 し て形成 し た 。 凹 凸構造 は こ の ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス を 部 分的 に パ タ ーニ ン グ ' 積層 を 2 回行 う こ と に よ り 作製 し た 。
凹 凸部の構成 と じ て は 凹部 と 凸部の差が 0 . 1 m に な る よ う に 形 成 し た も の と 凹部 と 凸部の差が 0 . 3 m に な る よ う に形成 し た も の の 2 種類 を作製 し た。 凹 凸部の構成 を 示す模式図 を 本 図の ( 2 ) に示 す。
こ の よ う にす る こ と に よ り 、 ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス の 実質的 な表面積 は 凹 凸 を 形成 し な い場合 と 比較 し てそれぞれ約 2 倍、約 6 倍 に な っ た 。 次 に 、 カ ラ 一 フ ィ ルタ ー の つ い た対向 の ガ ラ ス 基板 2 と ア レイ が形 成 さ れた基板 1 の 内面 (液晶) 側 に配向膜 ( A L 5 4 1 7 : J S R 製) を 印刷 · 硬化 し 、 ラ ビ ン グ を 施 し た。
次 に 、 ガ ラ ス 基板 2 の縁部 に シール樹脂 (ス ト ラ ク ト ボ ン ド : 三井 東圧製) を印刷 し た。 シ ー ル樹脂 中 に はス ぺーサ一 と し て 4 . 0 m の ガ ラ ス フ ァ イ ノ 一 ( 日 本電気硝子製) を混入 し てお い た。
そ の後、 基板間 隔 を保持す る た め に表示領域内 に ス ぺーサ一 と し て 直径 3 . 5 mの樹脂球 (ェポ ス タ — G P — H C : 日 本触媒 (株) 製) を散布 し た。
そ の後、 基板 1 及び対 向基板 2 を貼 り 合わ せ、 1 5 0 : で 2 時 間加 熱す る こ と で シール樹脂 を硬化 さ せた。
以上 の よ う に し て作製 し た空パ ネル に誘電率異方性が正の液晶 を真 空注入法 (空パ ネル を 減圧 し た槽内 に 設置 し 、 パ ネ ル内 を 真空 に し た 後、 ,注入 口 を液晶 に接触 さ せ、 槽内 を常圧 に 戻す こ と に よ り 、 液晶 を パ ネ ル 内 に 注入す る 方 法 ) に て 注 入す る 。 表 1 に 用 い た 液 晶 と そ の 比 抵 抗 を 示す 。
( 表 1 )
Figure imgf000063_0001
そ の 後 , 液 晶 素 子 の 注 入 口 に 封 口 樹脂 と し て 光硬 化性樹脂 ( ロ ッ ク タ イ 卜 3 5 2 Α : 日 本 ロ ッ ク 夕 ィ ト 製) を 注入 口 全体 に 塗 布 し 、 光 を 1 0 m W / c m ? で 5 分 間 照 射 し て封 口 樹脂 を 硬 化 し た 。
両基板 の 上下 ( ガ ラ ス 基板 の 外側) に 偏 光板 ( N P F — H E G 1 4 2 5 D U : 日 東電工 製 ) を 貼付 し た 。
比 較例 と し て 、 対 向 基 板側 の ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス に 凹 凸 を 形成 し な い パ ネ ル を 作製 し た 。
こ れ ら の パ ネ ル の ゲ ー ト 部分 に レ ー ザー を 照 射 し て 、 ゲ ー ト の 電位 を 露 出 さ せ 、 7 0 で の 高 温槽 の 中 に 入 れ 、 1 2 時 間駆動 さ せ た後 、 中 間 調 を 表示 さ せて 評価 し た 。
対 向 基板側 の ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス の 電位 は ア レ イ 基板側 の 共 通電極 と 同 饞位 に な る よ う に 設定 し た
そ の 結果 、 本実施例 で は ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス に 凹 凸 が形 成 さ れ て い る た め に イ オ ン を 回 収す る 面積 がそ れ だ け 大 き く な り'、 こ の た め 黒 点 状 の ム ラ を 小 さ く 抑 え る こ と が で き た 。
凹 凸 部 の 差 を 0 . l m に な る よ う に 形成 し た も の は 黒 点 状 の ム ラ の 直 径 が 0 . 1 m m 以 下 と な り 、 凹 凸 部 の 差 が 0 . 3 m に な る よ う に 形成 し た も の は黒 点 状 の ム ラ が全 く 発 生 し な か っ た の に 対 し て 、 比 較例 で 用 い た パ ネ ル は 3' m m の 黒 点 状 の ム ラ が発 生 し た 。 ま た 表 1 か ら わ か る よ う に 液 晶 の 比 抵 抗 を 1 0 1 3 Ω · c m よ り 小 さ く す る こ と に よ り 表 示 の 焼 き 付 き の な い 良 好 な 表 示 を 得 る こ と がで き た 。
(第 2 _ 5 — 2 の 実施 の 形態)
図 4 9 に 本実施 の 形 態 の 液 晶 素 子 の ア レ イ 基 板 側 の 構成 を 示 す 。 図 5 0 の ( 1 ) と ( 2 ) に 、 そ の 断 面 を 示す 。
先 の 第 1 の 実施 の 形 態 で は ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス 1 2 を 対 向 基板側 に 作 製 し た が、 本実施 の 形態 で は 図 5 0 の ( 3 ) に 示 す よ う に 凹 凸 状 の ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス 1 2 を ア レ イ 基板側 に 作製 し た 。 そ の 他 は 、 先 の 第 1 の 実施 の 形態 と 同 様 で あ る 。
こ の よ う に す る こ と に よ り 、 ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス に は 凹 凸 が形 成 さ れ て い る た め イ オ ン を 回 収す る 面積が大 き く な り 、 ひ い て は黒点 状 の ム ラ が発 生せず 良 好 な 表 示が得 ら れた 。
本実施 の 形 態 等 で は ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス は 画 素 を 囲 む構成 と し た が 図 5 1 に 示す よ う に 走 査配線 (ゲー ト ラ イ ン ) 7 に 対応す る 部分 に だ け 形成 し た り 、 信号 配線 ( ソ ー ス ラ イ ン ) 6 に 対応す る 部分 に だ け 形 成 し て も 良 レ、 。
ま た 図 5 2 に 示す よ う に 島状 に 形成 し て も 良 い 。 な お こ の ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス で あ る が、 こ れ は 単 に カ ラ ー フ ィ ル タ ー の 各色彩 用 の 画 素 問 に 在 る だ け で な く 、 T F T の 保護 、 光 に よ る 誤作 動 防止 等 の 役 を も 担 う 遮光膜 ( 層 ) で あ っ て も 良 い の は 勿 論 で あ る 。
更 に 、 凹 凸 は 、 カ ラ 一 フ ィ ル タ ー側基板 の 純 粋 な ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス よ り も 幅 狭 等 の 場 合 、 本来液 晶 と 接す る 上 面 の み な ら ず、 側面 も 形 成 し て 良 い の は 勿 論 で あ る 。
(第 2 _ 5 — 3 の 実施 の 形態 )
図 5 3 に 、 本発 明 の 第 2 — 5 - 3 の 実施 の 形態 の 液 晶 素 子 の 構成 を 示す。
先の 第 1 の実施の 形態で は導電性 の ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス に 凹 凸 を 形 成 し た が、 本実施の 形態で は対向基板 の ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス 部の 上 に オーバー コ ー ト を形成 し 、 そ の上 に 凹 凸状 の 中和電極 3 0 を 形成す る も の で あ る 。 そ し て 、 こ の 凹 凸状 の電極の電位 は共通電極 と 同電位 に な る よ う に し た。 そ の他 は、 先の第 1 の実施の形態 と 同様で あ る 。
こ の よ う にす る こ と に よ り 、 電極 に 凹 凸が形成 さ れて い る た め に ィ オ ン を 回収す る 面積が大 き く 、 黒点状 の ム ラ が発生せず良好な表示が 得 ら れた。
(第 2 — 5 — 4 の 実施の 形態)
先の 第 3 の実施の 形態で は対向基板側 に 凹 凸状 の 中 和電極 を 形成 し た が、 本実施 の 形態で は、 図 5 3 に示す の と 断面の上下が逆 と な る 他 は ほ ぼ同様で あ る た め 、 わ ざわ ざは図示 し な い が、 ア レイ 基板側 に 形 成す る 。 そ の 他 は、 先の第 3 の実施 の 形態 と 同様で あ る 。
本実施 の 形態で は、 中 和電極 に 凹 凸が形成 さ れて い る た め イ オ ン を 回収す る 面積が大 き く (広 く ) な り 、 黒点状の ム ラ が発生せず良好な 表示が得 ら れた 。
'すな わ ち 、ゲー ト 電位部 に偏在 し た ィ オ ン が中和電極部分 に拡散 し 、 非イ オ ン化 さ れる た め黒点状ム ラ の な い 良 好な表示品位の液晶素子 を 得 る こ と がで き た。
なお 、 本実施の形態で は 中和電極は画素電極、 各信号配線 と は別 に 形成 し た 。
(第 2 — 5 - 5 の 実施の形態)
図 5 4 の ( 1 ) は、 従来の I P S の 断面構成 を 示す図で あ り 、 ( 2 ) は従来 の I P S の改 良 版で あ る 対向基板側 に電極 を形成 し た H S モ ー ド ( H y b r i d S w i c h i n g M o d e ) の構成 を 示す断面 図 で あ る 。
こ れ ら の モ ー ド に お い て も 、 I P S モ ー ド と 同 様 に 黒点 状 の ム ラ が 発 生 す る 。
図 5 5 に 本 実施 の 形 態 の 液 晶 素 子 の 構成 を 示す。
以 下 、 こ の 図 に 示す液 晶 素 子 の 実施例 を 説 明 す る 。
先 の 第 3 の 実施 の 形 態 で は対 向 基板 側 の ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス 部 分 に 凹 凸 状 の 中 和 電極 3 0 を 形 成 し た が、 本 実 施 の 形 態 で は 図 5 5 の ( 2 ) に 示す よ う に ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス 以外 の 部分 に 凹 凸状 の 中 和 電極 を 形 成す る 。 そ の 他 は 、 先 の 第 3 の 実施 の 形態 と 同 様 で あ る 。
本実 施 の 形態で は 、 電 極 に 凹 凸 が形 成 さ れ て い る た め に イ オ ン を 回 収す る 面積 が 大 き く 、黒点 状 の ム ラ が発 生 せ ず 良 好 な 表示 が得 ら れ た 。
な お 、 本 実施 の 形態 で は ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス の 部分 に は電 極 を 形 成 し な か っ た が 、 図 5 6 に 示す よ う に 、 そ の 部分 に 電極 を 形 成 し て も 良 い 。 ま た 図 5 7 に 示す よ う に ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス の 部 分 に 形成 し た 電 極 の み を 凹 凸状 に し て も 良 く 、 ま た 図 5 8 に 示す よ う に ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス の 部分 に 形成 し た 電極 と そ れ以 外 の 部分 に 形成 し た 電極 の 両 方 を 凹 凸 状 に 形成 し て も 良 い 。
( 第 2 — 5 — 6 の 実施 の 形態 )
先 の 第 5 の 実施 の 形 態 で は対 向 基板側 に 凹 凸 状 の 中 和 電極 を 形 成 し た が 、 本 実施 の 形態 で は ア レ イ 基板側 に 凹 凸 状 の 中 和 電極 を 形 成 す る も の で あ り 、 そ の 他 は第 5 の 実 施 の 形 態 と 同 様 で あ る 。
本実施 の 形態で は 、 電極 に 凹 凸 が 形 成 さ れて い る た め イ オ ン を 回 収 す る 面積 が大 き く 、 黒点 状 の ム ラ が発 生 せ ず 良 好 な 表示 が得 ら れ た 。
(第 2 — 5 — 7 の 実施 の 形 態 )
図 5 9 の ( 1 ) に 本実施 の 形 態 の 液 晶 素 子 の 断面構成 を 示す。
先 の 第 5 の 実施 の 形態 で は 対 向 基板側 に 凹 凸状 の 中 和 電極 を 形 成 し た が、 本 実施 の 形態 で は 対 向 基 板側 の ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス を 凹 凸状 に 形成 す る も の で あ り 、 そ の 他 は第 5 の 実施 の 形態 と 同 様 で あ る 。
本実施 の 形 態 で は 、 ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス に 凹 凸 が形 成 さ れ て い る た め に イ オ ン を 回 収す る 面積 が大 き く 、 黒 点 状 の ム ラ が発 生 せず 良 好 な 表示 が得 ら れ た 。
以 上 の 他 、 図 5 9 の ( 2 ) に 示す よ う に 対 向 基 板側 に 形 成 し た 中 和 電極 3 0 及 び ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス 1 2 の 両方 に 凹 凸 を 形成 し て も 良 い ま た ( 3 ) と ( 4 ) に 示す よ う に オーバ一 コ ー ト の 上 に 電極 や ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス を 形成 し て も 良 い 。
(第 2 — 5 — 8 の 実施 の 形 態)
先 の 第 7 の 実施 の 形態 で は ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス を 対 向 基板側 に 形成 し た が 、 本実施 の 形 態 で は ア レ イ 基板側 に 形 成 す る も の で あ り 、 そ の 他 は第 7 の 実施 の 形 態 と 同 様 で あ る 。 本実施 の 形 態 で は 、 ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス に 凹 凸 が形 成 さ れて い る た め に イ オ ン を 回 収 す る 面積 が大 き く 、 黒点状 の ム ラ が発 生せず 良 好 な 表 示 が得 ら れ た 。
な お 本発 明 群 の 実施 の 形 態 で は 、 凹 凸 の 形 成方 法 と し て は 、 部分 的 に ノ 夕 一 ニ ン グ、 積 層 を 2 回繰 り 返す方 法 を 用 い た が 、 こ れ はサ ン ド ブ ラ ス タ 一 等 に よ り 微 小 な ド ッ ト を 形成 し た り 、 蒸着等他 の 方 法 に よ り 形成 し て も 良 い の は 勿 論 で あ る 。 ま た 、 ハ ー フ ト ー ン 露光 を 用 い れ ば 1 回 の 露光 に よ り 高 さ の 異 な る 膜 を 形成す る こ と も 可 能 で あ る 。 更 に 、 凹 凸 の 形状 は ド ッ ト 状 で も 良 く 、 ス ト ラ イ プ状や 円 状 や 多 角 形 状等 ど の よ う な パ タ ー ン で も 良 い の も 勿 論 で あ る 。
( 第 6 の 発 明群 )
本発 明群 は 、 導電性遮光膜 を 使 用 す る も の で あ る 。 ' 以 下 、 本発 明 群 の 液 晶 素 子 を そ の 実 施 の 形態 に 基づ い て 説 明 す る 。
(第 2 - 6 一 1 の 実施 の'形 態 ) 本実施 の 形態の液晶 素子 は、 図 6 0 に示すよ う に 透 明導電膜 1 3 を 上部外表面 に 形成 し た ガ ラ ス 基板 に ブ ラ ッ ク マ ト リ ッ ク ス と 呼 ばれ る 遮光層 1 2 、 カ ラ 一 フ ィ ル タ ー 1 1 、 配向膜 9 を 形成 し た カ ラ ー フ ィ ルタ ー側基板 2 と 、 例 え ばガ ラ ス 基板上 に共通電極 5 、 絶縁層 8 、 信 号配線 6 、 画素電極 4 、 上部第 2 絶縁層 8 1 を 具備 し たイ ン プ レイ ン ス イ ッ チ ン グ ( I P S ) モ ー ド を 目 的 と 'し た薄膜 卜 ラ ン ジ ス 夕 ( T F T ) 基板 1 (図面で は T F T 部分 は省略 し て い る ) と の 2 枚 の基板で 液晶 3 を挟み込んだ構成 の液晶素子 に お いて 、 遮光層 1 2 が液晶 3 に 直接接す る 領域 1 2 0 が存在す る よ う に し て い る 。
こ の よ う に液晶が導電性 の遮光層 と 直接接す る こ と に よ り 、 た と え 液晶 中 に イ オ ン性不純物が発 生 し 、 集 中 し た と し て も 、 こ の 導電性遮 光層 が液晶 中 に含 ま れて い る イ オ ン性物質 と 電子の 受 け渡 し を行 い 、 イ オ ン性不純物が非イ オ ン性 と な る 。 こ の た め 、 黒斑点欠陥が発 生 し な く な る 。
こ の導電性 の遮光層 と 液晶 が直接接す る 領域 は ど の部分 に あ っ て も ま た個数 は どれだけ あ っ て も よ い が、 ト ー タ ルの 接触面積が大 き い ほ ど効果が第で あ る 。
ま た 、 図 6 1 の ( 1 ) に カ ラ ー フ ィ ルタ ー側 の基板 の みの 図面 を 示 すが、 赤色カ ラ ー フ ィ ル タ ー 1 1 1 、 緑色カ ラ ー フ ィ ルタ 一 1 1 2 、 青色カ ラ ー フ ィ ルタ ー 1 1 3 の 境界部分、 ま た遮光層 の 開 口 部 1 2 0 同士の 間部分、 つ ま り 、 表示画素 の周 囲 を 囲 む よ う に遮光層 と 液晶が 接す る 領域 1 1 5 を配置す る と 、 た と え 不純物イ オ ン が存在 し た と し て も 1 画素内 でイ オ ン性不純物 の拡散は抑制 さ れ、 黒斑点 欠 陥 の大 き さ も 1 画素以下 と な る た め よ り よ い 。 ま た 、 ( 2 ) と ( 3 ) に示すよ う に信号線方向若 し く は走査線方向 に ス 卜 ラ イ プ状 に連続 し て遮光層 と 液晶層 の接する 領域 を 配置す る と 横方向 、 縦方 向 の 不純物イ オ ン の 移動が全 く 発 生 し な い た め よ い。 更 に 、 ( 4 ) に 示すよ う に 画素 の 周 り をすベて遮光層 と 液晶層 の接す る 領域 2 0 5 で 囲む こ と に よ っ て最 大の効果 を 得 る こ と がで き る 。
(第 2 — 6 _ 2 の 実施の形態)
本実施の 形態 の液晶素子 は、 遮光層 と 液晶層 の 問 に配向膜層 が存在 す る も の で あ る 。 すなわ ち 、 液晶が配向膜 と 直接接 し 、 ま た配向膜が 遮光膜 と 直接接す る こ と と な る 。
さ て 、 配 向膜 は通常非常 に薄 く 2 0 0 0 A 以下で あ る た め 、 配向膜 に は多 く の ピ ンホールが存在 し て い る 。 こ の た め 、 例 え ば液晶 中 に 黑 斑点欠 陥が発生す る 原 因で あ る イ オ ン性 の 不純物が存在 し た 時 に は、 配向膜が存在 し てな い と き と 同様 、 導電性遮光膜 と イ オ ン性不純物 の 間でイ オ ン の受 け渡 し が行われ る 。
ま た 、 配 向膜、 特 に I P s モー ド に 用 い る 配向膜 は一般的 に極性が 大 き い た め イ オ ン性不純物 を 吸着 し やす い 。 そ の た め 、 一度イ オ ン性 不純物が配向膜 に 吸着 し てか ら 、 導電性遮光膜 と 電子の受 け渡 し を行 う た め 、 よ り 効率 的 に 不純物イ オ ン を 除去す る こ と ができ る 。
なお、 配 向膜 を介 し て遮光層が液晶 と 接触す る 領域の形状、 配置、 面積等 は、 先 の実施の形態 と 同様で あ る た め再度の説明 は省略す る 。
(第 2 _ 6 — 3 の実施の 形態)
本実施の 形態 は、 オーバー コ ー ト 層 の 除去 に 関す る 。
以上 2 つ の 実施の 形態 に お い て は、 オーバー コ ー ト 層 に 関 し て は全 く 触れて い な い が、 オーバー コ ー ト 層 が、 開 口 部分等 に存在 し て も 良 い の は勿論で あ る 。 し か し 、 遮光層 と 液晶層 の接する 領域、 ま た は配 向膜 を解 し て遮光層 と 液晶層 が接す る 領域部分 に お い て はオーバー コ ー ト 層 が存在 し て は効果がな い。
そ こ で、 本実施 の 形態の液晶素子で は、 オーバー コ ー ト 層 を感光性 の樹脂 を 用 い 、 遮光層 / オー バ ー コ ー ト 層 / 液晶 と い う 構造 に な る 部 分若 し く は遮光層 / オー バ ー コ ー ト 層 / 配向膜 / 液晶 と な る 部分 の ォ — ノ '一コ ー ト 層部分 を フ ォ ト リ ソ グ ラ フ ィ 一 に よ つ て 予め 除去す る と い う も ので あ る 。 こ れ に よ り オー バ 一 コ 一 卜 付 の カ ラ ー フ ィ ル夕 一基 板 を 用 い る が、 黒 白 斑点 を発 生 さ せな い液晶素子 を 製作す る こ と がで き る 。
(第 2 — 6 — 4 の 実施の形態)
次 に 、 本実施の 形態 の液晶素子の駆動で あ る が、 導電性の遮光層 を 共通電極 と ほ ぼ同電位 に設定 し て い る 。 こ れ に よ り 、 遮光層 に電位 を 持たせ る こ と に よ る 、 画素部力ゝ ら の光漏れ等 に よ る コ ン ト ラ ス ト の 低 下の 防止が図 ら れ、 ま た電位 を与え な い 時 よ り イ オ ン種が移動 し やす く な る ためイ オ ン の 除去速度が増す。
本実施の 形態の液 晶素子は、 図 6 2 に 示す よ う に遮光層 1 2 若 し く は こ れか ら 伸 びる 遮光層 と ほ ぼ同電位の配線 1 2 2 と 共通電極若 し く は こ れか ら 伸びる ほ ぼ同電'位の配線 5 1 がカ ラ ー フ ィ ルタ ー側基板 と T F T 側基板 の 間 で少な く と も 1 つ以上 の導電性物質 1 2 3 に よ り 電 気的 に接続 さ れて い る 。 こ の よ う にす る こ と に よ り 、 遮光層 の電位 を ア レイ 基板の共通電位 と 同時 に駆動す る こ と がで き 、 新た な取 り 出 し 配線の増加 も な く てすむ。 導電性物質 と し て は、 金属、 ·導電性樹脂等 導電性であ れば ど の よ う な も ので も よ い が、 カ ー ボ ン等 を混入 し た導 電性 を 持たせた樹脂が も つ と も 用 いやす く よ い 。
本発明群 の 各実施の形態の構成 を加え る こ と に よ り 、 非常 に容易 に 黒斑点欠陥 を 発生 さ せな い液晶素子 を作成す る こ と がで き た。
(第 7 の発 明群)
本発明群 は、 開 口 部 と 対向基板 の ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス 等 を利 用 す る も の で あ る 。 ( 第 2 — 7 — 1 の 実施 の 形 態 )
図 6 3 の ( 1 ) に は本実 施 の 形 態 の 液 晶 素 子 の ア レ イ 側 の 基板 の 平 面 を 示 す 。
図 6 3 の ( 2 ) はそ の 断 面 図 で あ る 。
以 下 、 本 図 に 示す液 晶 素 子 を 説 明 す る 。
ま ず 、 ア レ イ 側基板 の 製造 で あ る が 、 配線 を 保護す る た め に 第 2 の 絶縁膜 ( ノ、。 ッ シ ベ 一 シ ヨ ン 膜 ) 8 1 と し て S i N X を プ ラ ズ マ C V D 法 を 用 い て 3 5 0 O A の 厚 さ で 形 成 す る ま で は 、 第 2 — 4 — 1 の 実 施 の 形態 と 同 じ で あ る 。 '
基板 を 洗 浄 し た後 、 レ ジ ス ト を ス ピ ン ナ 一 に よ り 塗 布 し 、 マ ス ク 露 光 を 行 う こ と に よ り 、 第 2 の 絶縁膜 ( ノ、。 ッ シ ベ ー シ ヨ ン 膜) を 選択 的 に 形成 し 、 画 素 部 に お い て 絶縁膜 の 一部 が形成 さ れて い な い 領域 を 形 成 し た 。 具体 的 に は本 図 6 3 の A — A 断面 に 示す よ う に 蓄積 容 量部 4 の 上 の 第 2 の 絶縁膜 (パ ッ シ ベ ー シ ヨ ン 膜 ) を 形成 し な い よ う に し た 点 が相 違す る 。
そ の 後 、 現像、 乾燥 を 行 っ た 後 、 R I E に よ り ド ラ イ エ ッ チ ン グ を 行 っ た 後 、 レ ジ ス ト を 除去 す る の は 、 第 2 — 4 — 1 の 実施 の 形態 と 同 じ で あ る 。
次 に 、 カ ラ ー フ ィ ル タ ー の つ い た 対 向 の ガ ラ ス 基 板側 の 導電性 ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス 部分 の 一部 が配 向 膜 と 接す る 構造 に し て お き 、 対 向 基 板側 で も 発 生 し た イ オ ン を 非 イ オ ン 化 で き る よ う に し て お い た 。
導電 性 の ブ ラ ッ ク マ 卜 リ ク ス の 形成 方 法 と し て は導電性 の 金 属 を 樹 脂 中 に 混 合 し て 形成 し た 。
図 6 4 に 、 対 向す る ガ ラ ス 基板 の 構成 を 示す 。
次 に 、 両 基 板 に よ り 液 晶パ ネ ル を 製造す る 方 法 、 内 容 、 使 用 す る 液 晶 で あ る が 、 こ れ ら も 先 の 第 2 — 4 _ 1 の 実施 の 形態 と 同 じ で あ る 。 比較例 と し て、 (表 2 ) に示すパ ネル を作製 し た。
(表 2 ) '
Figure imgf000072_0001
比較例 1 はゲ一 ト 電位 に偏在 し たイ オ ン を非イ オ ン化す る た め の電 極が露 出 さ れて いな い の で、 黒点状ム ラ は大 き い 。
比較例 2 は ア レイ 基板 の絶縁膜 は除去 さ れて い な い が、 対 向基板側 に非 イ オ ンィ匕す る た め の ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス が形成 さ れて い る た め に 黒点状 の ム ラ は比較例 1 よ り は小 さ く な る が、 ま だ不十分で あ る 。
比較例 3 は ア レイ 基板 の絶縁膜が除去 さ れて い る た め に 、 あ る 程度 ゲー ト 電位 に偏在 し た イ オ ン を非イ オ ン化で き る が、 対向基板側 に非 イ オ ン化す る た め の ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス が露出 さ れて い な い た め に 、 黒点状 の ム ラ は比較例 1 よ り は小 さ く な る が、 ま.だ不十分で あ る 。
本発 明で は ア レイ 基板 の絶縁膜が除去 さ れて お り 、 かつ対向基板側 に も非イ オ ン化す る た め の電極が形成 さ れて い る ため黒点状 の ム ラ が 0 . 1 m m以下 と十分小 さ く 抑 え る こ と がで き る 。
ま た本発 明 と 比較例 の 相違 を 図 6 5 に示す。
こ れ ら の パ ネルの ゲー ト 部分 に レーザー を 照射 し て、 ゲー 卜 の 零位 を 露出 さ せ、 7 0 の 高温槽の 中 に入れ、 1 2 時間駆動 さ せた後、 中 間調 を 表示 さ せて評価 し た 。
対向基板側の 中 和電極 の電位 は ア レイ 基板側 の共通電極 と 同電位 に な る よ う に 設定 し た。
そ の 結果、 表 2 に示すよ う に 比較例 1 はゲー ト 電位 に偏在 し た ィ ォ ン を 非 イ オ ン 化 す る た め の 電極 が 露 出 さ れ て い な い の で 、 黒 点 状 ム ラ は大 き く な つ て し ま う 。
比 較例 2 は ア レ イ 基 板 の 絶縁 膜 は 除去 さ れ て い な い が、 対 向基板側 に非イ オ ン 化す る た め の ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス が形 成 さ れ て い る た め に 黒 点状 の ム ラ は 比 較例 1 よ り は 小 さ く な る が 、 ま だ不 十分 で あ る 。
比 較例 3 は ア レ イ 基板 の 絶縁 膜 が除去 さ れて い る た め に 、 あ る 程 度 ゲ一 卜 電位 に 偏在 し た イ オ ン を 非イ オ ン 化 で き る が 、 対 向 基 板側 に 非 イ オ ン ィ匕す る た め の ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス が露 出 さ れ て い な い 、 あ る い は対 向 基板側 の 電極 が 露 出 さ れて い な い た め に 、 黒 点 状 の ム ラ は 比 較 例 1 よ り は 小 さ く な る が 、 ま だ不 十分 で あ る 。
一方 、 本 実施 の 形態 で は ア レ イ 基板 の 絶縁膜 が 除去 さ れ て お り 、 か つ 対 向 基板側 に も 非 イ オ ン 化 す る た め の 導電性 ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス が 形成 さ れて い る 、 す な わ ち イ オ ン を 回 収す る た め の 導電性 物 質 が両 基 板 に 形成 さ れて お り 、 前 記 導電性物 質 が配 向 膜 あ る い は液 晶 と 直 接接 し て い る た め に 黒点 状 の ム ラ が 0 . 1 m m 以 下 と 十分 小 さ く 抑 え る こ と がで き た 。
ま た 表 1 か ら わ か る よ う に 液 晶 の 比抵抗 を 1 0 1 3 Ω · c m よ り 小 さ く す る こ と に よ り 表 示 の 焼 き 付 き の な い 良 好 な 表 示 を 得 る こ と が で き た 。
(第 2 _ 7 — 2 の 実施 の 形態 )
図 6 6 の ( 1 ) に 本実施 の 形 態 の 液 晶 素 子 の 対 向 ( ガ ラ ス 基板 ) の 構成 を 示す。
先 の 第 1 の 実施 の 形 態 で は対 向基板側 の ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス を 画 素 の 回 り を 囲 む構成 と し た が 、 本 実施 の 形態 で は対 向 基 板側 の ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス は信号配線 ( ソ ー ス ラ イ ン ) 6 に 沿 っ て 構 成 す る 。
そ の 他 は 、 先 の 第 1 の 実 施 の 形態 と 同 様 で あ る 。 こ の よ う にす る こ と に よ り 、 ア レイ 基板 の絶縁膜が除去 さ れて お り 、 かつ対向基板側 に も 非イ オ ン化す る た め の 導電性'ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス が形成 さ れて い る 、 すな わ ち イ オ ン を 回収す る た め の導電性物質が両 基板 に形成 さ れてお り 、 前記導電性物質が配向膜 あ る い は液晶 と 直接 接 し て い る た め に黒点状の ム ラ を 小 さ く 抑 え る こ と ができ る 。
次 に 、 本実施の形態 と 先 の第 1 の実施の 形態 で は図 6 3 に 示すよ う に蓄積容量の上の画素電極上 の絶縁膜 を 除去 し た が、 除去す る 部分 は 図 6 7 に示すよ う に 信号配線電極上や画素電極 の上や 、 それ ら の電極 に ま たがる よ う に 除去 し て も 良 い。
ま た 、 図 6 8 に示すよ う に共通電極 を 画素電極よ り も 上 に 形成す る よ う に し 、 共通電極の上の絶縁膜 の 一部 を 除去 し て も 良 い 。 本図 に お いて、 1 6 は半導体層 、 1 6 1 は ド レイ ン 、 1 6 2 は第 2 の 半導体層 で あ る 。
ま た 、 図 6 9 に示す よ う に共通電極 と 画素電極 を 同一層 に 形成 し 、 その上の絶縁膜の 一部 を 除去 し て も 良 い 。
ま た本実施の 形態 と 先の実施の形態で は対向基板側 に形成す る ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス と し て 図 6 4 の ( 1 ) と 図 6 6 の ( 1 ) に 示すよ う な 構成 に し た が、 図 6 6 の ( 2 ) に示すよ う に 走査配線 (ゲー ト ラ イ ン) に対応す る 部分 に だ け ¾成 し て も 良 く 、 ま た 図 7 0 に示すよ う に 島状 に形成 し て も 良 い。
(第 2 — 7 — 3 の実施の形態)
図 7 1 に 、 本実施の 形態の液晶素子の構成 を 示す。
先の第 1 の実施の形態で は、 第 2 の絶縁膜 を 除去す る 箇所 と し て蓄 積容量の 上の 一部の み を 除去 し た が、 本実施の 形態で はス ィ ツ チ ン グ 素子で あ る T F T の 上部 に だ け第 2 の絶縁膜 (パ ッ シベー シ ヨ ン膜) 8 1 を 形成す る よ う にす る (すな わ ち 画素電極 の 上 に は絶縁膜 を 全 く 形成 し な い よ う に す る ) 。 そ の 他 は 、 先 の 第 1 の 実施 の 形態 と 同 様 で あ る 。
ま た 、 対 向 基板側 は 、 図 6 2 の よ う に 導 電性 の ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス を 形成 し 、 導 電性 の ブ ラ ッ ク マ 卜 リ ク ス が直 接 配 向 膜 と 接 す る よ う に す る 。
図 7 1 の よ う に す る こ と に よ り 、 画 素 電極 の 上 に は 絶縁膜 が全 く 形 成 さ れ て い な い の で 、 先 の 第 1 の 実施 の 形態 に 比 較 し て黒 点 状 ム ラ の 発 生 を 更 に 抑 え る こ と が で き る 。
な お 、 本実施 の 形態 3 に お い て も 、 対 向 基板側 は 図 6 6 、 図 7 0 に 示す よ う な 形 状で も 良 い 。 ま た 、 ア レ イ 基板側 は 図 7 2 に 示 す よ う に 、 走査配線電極 上 、 信 号 配線電極上 、 あ る い は 走 査配線 電極 上 と 信 号 配 線電極 上 に 絶縁膜 を 形成 し て も 良 い 。
( 第 2 — 7 — 4 の 実 施 の 形態 )
図 7 3 に 、 本実施 の 形 態 の 液 晶 素 子 の 構成 を 示 す 。
さ て 、 先 の 第 3 の 実 施 の 形態 で は 、 ガ ラ ス 基 板 1 上 に 走査線 7 と 共 通電極 5 を 形 成 し 、 そ の 上 に 第 1 の 絶縁膜 を 形成 し 、 そ の 上 に 半 導 体 層 、 信号線 、 画 素電極 を 形 成 し た が 、 本 実 施 の 形態 で は ガ ラ ス 基板 1 上 に 信号線 6 、 'ド レ イ ン 、 画 素 電極 4 、 半 導体 層 1 6 を 形成 し 、 そ の 上 に 第 1 の 絶縁膜 を 形成 し 、 そ の 上 に 走査線 6 と 共 通 電極 5 を 選 択 的 に 形 成す る 。
す な わ ち 、第 3 の 実施 の 形 態 で は画 素 電極 上 の 一部 に 絶縁膜 が な く 、 共通電極 上 に 絶縁膜 が形成 さ れて い た が 、 本 実施 の 形態で は画 素 電極 上 に 絶縁膜 が形成 さ れ 、共 通 電極 の 上 に は絶縁膜 が形成 さ れて い な い 。
ま た 、 ア レ イ 基板側 は 、 図 7 3 に 示す よ う に ス イ ッ チ ン グ素 子 で あ る T F T の 上 部 に だ け絶縁膜 ( パ ッ シ ベ ー シ ヨ ン 膜) を 形成す る 。 な お 、 対 向 基板 の 形成方 法 は 先 の 第 1 の 実施 の 形態 と 同 様 で あ る 。 対向基板側 は、 図 6 4 に示す よ う に 導電性 の ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス を 形成 し 、 導電性 の ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス が直接配向膜 と 接す る よ う に す る 。
こ の よ う に 共通電極上の絶緣膜 を 除去 し 、 対向基板上 に導電性 の ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス を 形成す る こ と に よ り 、 ゲー ト 電位部 に 偏在 し た ィ オ ンが画素電極部分 に拡散、 非イ オ ン化 さ れ る た め に 黒点状 ム ラ の な い 良好 な表示品位 の液晶素子 を 得 る こ と がで き た。
な お 本実施 の 形態 に お い て も 、 対向基板側 は図 6 6 、 図 7 0 に 示す よ う な形状で も 良 く 、 ま た 、 ア レイ 基板側 は図 7 4 に 示す よ う に 、 走 査配線電極上 、 信号配線電極上、 走査配線電極上 と 信号配線電極上 に 絶縁膜 を 形成 し て も 良 い 。
(第 2 _ 7 — 5 の実施の 形態)
図 7 5 は、 本発 明 の 第 2 - 7 一 5 の 実施の形態の液晶素 子 の構成 を 示す 図で あ る 。
先 の第 3 の 実施の形態で はガ ラ ス 基板上 に 走査線 7 と共通電極 5 を 形成 し 、 そ の 上 に第 1 の絶縁膜 を 形成 し 、 そ の 上 に 半 導体層 1 6 、 信 号線 6 、 画素電極 4 を 形成 し たが、 本実施 の形態では ガ ラ ス 基板 1 上 に信号線 6 、 ド レイ ン 、 画素電極 4 、 半導体層 1 6 を 形成 し 、 そ の 上 に第 1 の絶縁膜 を 形成 し 、 そ の 上 に 走査線 7 と 共通電極 5 と 画素電極 4 を選択的 に 形成す る 。
すなわ ち 本実施の 形態で は画素電極 4 と 共通電極 5 を 同 一 の 層 に 形 成す る 。
なお 、 ア レイ 基板側 は図 7 5 に示すよ う に ス イ ッ チ ン グ素子で あ る T F T の上部 に だけ絶縁膜 (パ ッ シベ ー シ ヨ ン膜) を 形成す る 。
対向基板.の 形成方法 は先の第 1 の実施の 形態 と 同様で あ る 。 すな わ ち 、 図 6 4 に 示すよ う に導電性 の ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス を形成 し 、 導電 性 の ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス が直接配 向膜 と 接す る よ う にす る 。
こ の よ う に 、画素電極上及び共通電極上 の絶縁膜が除去 さ れてお り 、 ま た対向基板上 に導電性 の ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス を 形成す る こ と に よ り ゲー ト 電位部 に偏在 し た イ オ ンが画素電極部分 に拡散、 非イ オ ン化 さ れ る た め に 熏点状ム ラ の な い 良好な表示品位 の液晶素子 を 得 る こ と が で き た。
な お 、 本実施の形態 に お い て も 、 対向基板側 は図 6 6 に示すよ う な 形状で も 良 い。 ま た 、 ア レイ 基板側は図 7 6 に示すよ う に 、 走査配線 電極上 、 信号配線電極上、 走査配線電極上 と信号配線電極上 に絶縁膜 を 形成 し て も 良 レ 。
(第 2 _ 7 — 6 の実施の 形態)
図 7 7 に 、 本第 2 — 7 _ 6 の実施の形態の液晶 素子 の構成 を 示す。 先の 第 1 の実施の形態等で は基板間 隔 を 一定 に 保持す る ス ぺーサー と し て樹脂球 を散布 し た が、 本実施の形態で はカ ラ ー フ ィ ル タ ー側 に 突起物 (柱) 6 0 を 形成 し て い る 。 それ以外は、 他 の 実施の 形態 と 同 様で あ る 。
突起物 の 形成方法 と し て は、 感光性 ア ク リ ル樹脂 ( P C 3 3 5 : J S R 製) を 用 い て以下 の方法で行 っ た。
感光性 ア ク リ ル樹脂 ( P C 3 3 5 : J S R 製) を カ ラ 一 フ ィ ルタ ー 上 に ス ピ ン コ ー ト に よ り 塗布 し た後、 8 0 で で 1 分 間 プ リ べ一ク を 行 つ た。 そ の後所定の マ ス ク を 用 い て 3 0 0 m j Z c m 2 で露光 を 行 つ た。 そ の後現像液 C D 7 0 2 A D に て 2 5 で で 1 分 間現像 を行 い 、 流 水で洗浄後、 2 2 0 で 1 時間 ポ ス ト べ一 ク を行 い (室温 よ り 昇温す る ) 、 膜厚 5 . Ο ΠΤの突起物 6 0 を 形成 し た 。
突起物 の 形成場所 と し て は、 ア レイ 側の.電極が第 1 の絶縁膜、 第 2 の絶縁膜で覆われて い る 箇所 に 形成 し た。 本発 明 の よ う に 基板 間 隔 を 一 定 に 保持す る ス ぺ ーサ 一 と し て 特定 の 箇 所 に 柱 を 形 成 す る こ と に よ り 、 上 下基 板 が シ ョ ー ト し に く い 箇所 を 選 ん で ス ぺ ー サ ー を 設 置 す る こ と がで き る の で 、 両 基 板 に 導 電性 物 質 が 形成 さ れ て い て も シ ョ ー ト し に く く な る 。
ま た 、 ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス 、 中 和 電極等 に 凹 凸 を 形成 す る 場 合 に は 、 そ れ ら の 部分 を 避 け て 形 成 す る こ と も 可能 と な る 。
ま た 、 封 口 様樹脂 の 硬 化 に 先 立 っ て そ の 内 部 の 空気 等 を 除去す る た め 液 晶 パ ネ ル に 加速度 を 与 え る 際 、 内 部 の ビー ズ の 移 動 の 発 生が な く な る 。
ま た 、 基板 間 隔 を 一 定 に 保持 す る ス ぺ ーサ 一 は 、 ア レ イ 基 板側 に 形 成 し て も 良 い 。 勿論 、 ケ ー ス に よ り 、 両方 の 基板 に 形成 し て も 良 い 。 更 に 、 多段式 の 表示 装 置 の 場 合 、 各 基板 に 形成 し て も 良 い 。
( 第 8 の 発 明群 )
本発 明群 は 、 発 泡 剤 に よ る イ オ ン 等 の 吸着 、 吸収 に 関 す る 。
(第 2 — 8 — 1 の 実 施 の 形 態 )
本実施 の 形態 は 、 中 和 電極 上 に 、 発 泡剤 に よ る 微 小 な ス ポ ン ジ状 の 樹脂 層 を 形成 す る も の で あ る 。 図 7 8 に 、 そ の 製造 、 形成 の 要部 を 示 す 。 以下本 図 を 参照 し つ つ 、 本 実施 の 形態 の 技術 内 容 を 説 明 す る 。
1 ) 中 和 電極 3 0 上 に 、 フ ィ ル タ を 使 用 す る 等 し て 発 泡剤 層 9 1 を 塗 布等で形成す る 。 こ の 発 泡 剤 は 、 ベ ー ス と な る ゴ ム や 樹脂 中 に 混 入 し て お き 、 加熱分解 さ せ て 窒 素 、 炭 酸 ガ ス 等 を 発 生 さ せ る こ と に よ り 、 ベ ー ス に 直径 2 、 3 等 の 微 小 な 泡構造 を 形成す る も の で あ る 。. 具 体 的 に は 、 ァ ゾ ジ カ ル ボ ン ア ミ ド 、 N , N — ジ ニ ト ロ ソ ペ ン タ メ チ レ ン テ ト ラ ミ ン 、 ベ ン ゼ ン ス ル ホ ニ ル ヒ ド ラ ジ ド 、 炭 酸水 素 ナ ト リ ウ ム 等 が あ る 。
2 ) 発 泡剤 を 加熱分 解 さ せ て 、 ベ ー ス の 配 向 膜剤 を 多孔 質 に す る 。 2 - 1 ) 必要 に応 じ て配 向性 を 付与す る 。
3 ) 液晶表示装置 の 使用 時 に 、 そ の泡構造 に よ る 広 い表面積 と 中 和電 極 を介 し て の電荷で、 液晶 中 の イ オ ンや不純物等の 回収 を行な う 。
(そ の他 の 実施の 形態)
以上 、 本発 明 を 2 つ の 大発 明群 、 更 に幾つ か の発明群 に 分 けて説 明 " す る 際、 液晶 素子 と し て'透明型 の液晶表示装置 を例 に と っ て説明 し て き た が、 何 も こ れ に 限定 さ れる ので はな い 。 すなわ ち 、 例 え ば、 以下 の よ う に し て も 良 レ 。
1 ) 図 7 9 に 示すよ う に 、 反射型 の液晶表示装置 と し て い る 。 本図 に お い て 、 9 1 は鏡で あ り 、 9 2 は透明絶縁膜で あ る 。 ま た、 T F T 1
6 等 は 、 透 明絶縁膜上 に (本図) あ る い は対向す る 基板側 (図示せず) に 形成 さ れて レゝ る 。
2 ) 遮光層 (膜) は、 カ ラ ー フ ィ ルタ 一 間 に 在 る こ と と な る ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス でな く 、 T F T の光 に よ る 誤操作防止等 を も 兼ねた保護膜 で あ る 。 なお こ の場合、 遮光層 の 凹 凸 は、 本来の (画素間 の) ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス と の寸法、 大 き さ の如何 に も 依 る が、 遮光膜の液晶側面 の みな ら ずその側面 に 設 けて も 良 い。
3 ) 図 8 0 に示すよ う に 、 液晶光学素子で あ る 。 近年 、 図 8 0 に 示す よ う に 、 入射光 7 9 0 に対 し てそ の演算結果 を 透過光 7 9 1 と し て 出 力 す る 光論理素子 7 9 2 が開発 さ れて い る 。 こ れは、 光 コ ン ピ ュ ー タ 一への応用 に 際 し て 高 い コ ン ト ラ ス ト 比が要求 さ れ る が、 横電界型液 晶 を採用 し た素子で の表示特性 を 改善す る こ と に よ り 、 高 い信頼性が 得 ら れた。 '
4 ) 図 8 1 に示すよ う に 、 E L ディ ス プ レ イ で あ る 。 本図 に お い て 、 9 1 1 は、 ガ ラ ス 基板で あ る 。 9 1 2 は、 薄膜 ト ラ ン ジス タ で あ る 。
9 1 3 は、 絶緣層で あ る 。 9 1 4 は、 配線電極で あ る 。 9 1 5 は、 陰 極で あ る 。 9 1 7 は、 有機 E L 層 で あ る 。 9 1 8 は、 陽極で あ る 。 9 2 0 は 、 支持柱で あ る 。 9 2 1 は、 カ ラ 一 フ ィ ル タ ー で あ る 。 9 2 2 は、 蛍光変換層で あ る 。 9 2 3 は、 透 明板で あ る 。 た だ し 、 こ の原理 等 は周 知技術な の で 、 そ の 説明 は省略す る 。
5 ) 図 8 2 に示す様 に 、 液晶 のパ ネル内への注入後の封 口 に 、 嫌気性 樹脂 2 0 2 1 と 機械的手段 と を 併用 し て い る 。 本図 の 1 ) は、 パ ネル の 液晶注入用 の樹脂製の細孔部 2 1 2 内 に 、 嫌気性樹脂 2 0 2 1 を 反 液晶側 に 塗布 し た栓 2 1 1 や外周部 に 塗布 し た板 2 1 1 0 を押圧で押 し 込 ん だ り 等する も の で あ る 。 2 ) は 、 パ ネルの液晶注入用 の雌ね U 2 1 4 に 、 頭部側 に 嫌気性樹脂 2 0 2 1 を 塗布 し た雄ね じ を ね じ 込む も の で あ る 。 更 に 、 こ の樹脂 は、 押圧手段で硬化す る タ イ プで あ り 、 こ れ に よ り 液晶注入部の封止 の 時期 を 調整可能 と し て い る 。
6 ) 図 8 3 に示す様 に 、 中 和電極 に 印加す る 電圧 を種 々 の も の 、 タ イ プ と し て い る 。 本図 の 1 ) は、 ゲー ト と 同 じ 電圧で あ る 。 こ の た め 、 略マ イ ナ ス 電圧 と な る 。 2 ) は、 単 に ゲー ト 信号線 あ る い は ソ ース 信 号線 と 接続 さ れる だけでな く 、 液晶 の チ ャ ー ジ ア ッ プ防止 の た め両信 号線の 電圧 を表示周 期毎 に交互 に 変化 さ せて も プ ラ ス あ る い はマ イ ナ ス の電荷の み有す る 様 ダイ オー ド に接続 さ れて い る 。 ま た 、 そ の液晶 側表面 に は、 発泡剤 を 使用 し た配向膜 9 1 が形成 さ れて い る 。
以上 、本発 明 を幾つ か の そ の 実施の形態 に基づい て 説明 し て き たが、 本発 明 は何 も こ れ ら に 限定 さ れな い の は勿論で あ る 。 即 ち 、 例 え ば以 下の様 に し て も 良 い 。
1 ) 液晶 と し て、 ネ マ テ ィ ッ ク 液晶でな く 、 例 え ば強誘電性液晶や反 強誘電性液晶等 の他 の種類の液晶 と し て い る 。
2 ) 配向方法 と し て 、 ラ ビ ン グ を 用 い な い方法 (例 え ば光 に よ り 配向 さ せ る 方法) を用 い 、 あ る い は併用 し て 、 更 に 均一な配向 を 得、 コ ン ト ラ ス 卜 の 改 良 を 図 っ て レ ^ る 。
3 ) 能 動 素 子 と し て 3 端子 素 子 の T F T で な く 、 2 端子 素 子 の M I M ( M e t a l - I n s u l a t o r - M e t a l ) 、 Z n O ノヽ' リ ス 夕 や S i N x ダイ オ ー ド 、 a _ S i ダイ オ ー ド 等 と し て い る 。
4 ) ト ラ ン ジ ス タ と し て は ボ ト ム ゲ ー ト 構 造及 び ト ッ プゲ ー ト 構 造 の ァ モ リレ フ ァ ス シ リ コ ン ( a — S i ) 以 外 の も の 、 例 え ば、 ポ リ シ リ コ ン ( p — S i ) 等 と し て レ る 。
5 ) T F T の 構造 は 、 チ ャ ネ ル保 護 型 で な く チ ャ ネ ル エ ッ チ型 と し て い る 。
6 ) 基 板 周 辺 に 駆動 回 路 を 形成 し て い る 。
7 )基板 の 一方 あ る い は両方 を フ ィ ル ム や プ ラ ス チ ッ ク 等 と し て い る 。 8 ) ア レ イ 基板側 に カ ラ ー フ ィ ル タ ー を 形 成 し た 基板 と し て レゝ る 。
9 ) 画 素 電極 、 共 通電極 、 対 向 側 の 中 和 電極 と し て A 1 で な く C r や C u 等 他 の 金 属 、 あ る い は I T O (酸 化 ス ズ を 混 入 し た 酸 化 イ ン ジ ゥ ム 膜 ) な ど の 透 明 電極 を 用 い て い る 。
1 0 ) 対 向側 の 中 和 電極 を I T O 等 の 透 明 電極 で 形成 し 、 ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス 以外 の 場 所 に 中 和 電極 を 形成 し 、 こ れ に よ り 開 口 率 の 向 上 を 図 っ て レゝ る 。
1 1 ) 対 向 側 の 中 和 電極 の 形成 箇 所 と し て 、 ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス 部 に ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス と は別 に 形成 し て レ る 。
1 2 ) 対 向 基板側 に 導 電性 の カ ラ ー フ ィ ル タ ー を 用 い て 、 対 向 基 板側 の 中 和 電極 を 対 向 基板側 の カ ラ ー フ ィ ル タ ー と 兼ね る よ う に し て い る
1 3 ) セ ル厚 形成 方 法 と し て 、 ス ぺ ー サ ー 散布 法で は な い 方 法 ( 例 え ば樹脂 に よ り 柱 を 形成す る 方 法 ) を 用 い て 均 一 な セ ル厚 を 形成 し て い る 。
1 4 ) 反 射 型 液 晶 パ ネ ル と し て 、 絶縁膜 あ る い は配 向 膜 と し て 着 色 さ れた も の を 用 い て も い る 。
1 5 ) ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス や カ ラ ー フ ィ ル 夕 一 は 、 顔料法、 印刷法、 染色法、 電着法、 イ ン ク ジ ェ ッ ト 法、 フ ィ ルム'転写法等の方法で形成 さ れて レゝ る 。
1 6 ) 発泡剤 に よ る 細胞構造 は、 セルの寸 法 は よ り 小 さ か っ た り 、 連 続 し て い た り し て レ^" る 。
1 7 ) 記述 の如 く 、 液晶 の チ ャ ー ジ ア ッ プ防止 の た め 、 画素電極 と 共 通電極 に か け る 電圧 の プ ラ ス 、 マ イ ナス の 関係 は所定時期毎 に反転可 能 と し 、 こ れ に併せて 中 和電極 に かか る 電圧 も 調整、 制御可能 と し て レ る 。 産 業 上 の 利 用 可 能 性 以上 の 説 明で判 る よ う に 、 第 1 の大発 明群 に よ れ ば、 液晶 の注入 口 を封止す る 樹脂部分 に 、 異物や気泡が無 い 、 発生 し な く な る た め 、 細 心の注意 を 払 っ てか つ 多方 向か ら 紫外線 を 照射 し な く て も 、 紫外線硬 化樹脂 の 未硬化部分がな く な る 。 そ の た め液晶 中 への未硬化の樹脂の 成分 の拡散がな く な る 。 そ の 結果、 液晶素子の初期特性及び長期信頼 性が飛躍的 に 向上す る 。
第 2 の大発 明群 に よ れ ば、 導電物質か ら な る 層 と 液晶層 と の 間 に介 在す る 電極上 の配向膜 と 絶縁層 等の第 3 の層 の総膜厚が 5 0 O A よ り 薄 い領域 を 設 け る こ と で 、 従来生 じ て い た 、 液晶 中 の イ オ ン種の集 中 に よ る 黒斑点欠陥 を ほ ぼな く す こ と がで き 、製造歩留 ま り が向上す る 。 同 じ く 、 中 和電極 を 設 け る こ と に よ っ て 、 レ ーザー リ ペ ア を行 っ た と きやゲー ト 信号配線上 の絶縁層 に ピ ン ホール等の欠損が存在す る と き で も 黒点む ら が発生 し な く な る 。
同 じ く 、 画素電極、 共通電極、 信号配線電極の 少な く と も 1 の電極 の 上 の 少な く と も 一部分 に絶縁膜の形成 さ れて い な い 箇所が あ り 、 当 該部分 に よ り 電極が配 向膜 の み を 介 し て 、 あ る い は直接液晶 に接 し て お り 、 更 に画 素電極等が形成 さ れて い な い 基板側 に絶緣膜 の 形成 さ れ て い な い箇所 を有す る 中 和電極が形成 さ れて お り 、 こ の た め ゲー ト 電 位部 に偏在 し たイ オ ン が非イ オ ン化 さ れ る た め に 表示ム ラ が発 生 し な く な る 。
同 じ く 、 画素電極及び対向電極が同 一層 に な く 、 上部側 と な る 一方 の 電極 の 上 に は絶縁膜 を 形成 し な い こ と に よ り 、 ゲー ト 電位部 に偏在 し た イ オ ン が画素電極部分 に 拡散 し 、 非イ オ ン化 さ れ る た め 、 表示ム ラ の な い 良好な表示品位 の 液晶素子 と な る 。
同 じ く 、 画素電極が形成 さ れて い な い基板側 の ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス の 表面 に 凹 凸構造 を 形成 し て表面積 を 大 に し 、 こ れ に よ り 、 ゲー ト 電 位部 に偏在 し たイ オ ン を非イ オ ン化す る た め 、 黒点状ム ラ の発 生 を抑 え る こ と がで き る 。 特 に ブ ラ ッ ク マ ト リ ク ス の表面 に 凹 凸が形成す る と 、 イ オ ン を 回収す る 表面積が大 き く 、 十分な効果 を 得 る こ と がで き る 。
ま た、 遮光層が直接若 し く は配向膜 を介 し て液晶 に 接す る 構成 にす る こ と に よ り 、 液晶 中 の イ オ ン性不純物が遮光層 か ら 回収 さ れ、 黒斑 点欠陥が全 く 発生 し な く な る 。
ま た、イ オ ン を 回収す る た め の電極 を 両基板 に 形成す る こ と に よ り 、 ゲー ト 電位部 に偏在 し た イ オ ン が非イ オ ン化 さ れ る た め に 表示ム ラ の 発 生が防止 さ れ る 。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 上下 を 2 枚 の基板で 、 周 囲 を壁で 囲 ま れた 空間 内 に液晶 を 狭持 し た液晶素子 の製造方法で あ っ て 、
上記空 間 内 に液晶 を 注入後、 注入 口 の封止 の た め に 、 4 0 で 以上 の 所定の 温度で は粘度が 2 0 P a · s 以下 と な る 、 そ し て紫外線等の 電 磁波で硬化す る 樹脂 を 用 い て塗布す る 低粘度樹脂塗布 ス テ ッ プ と 、 塗布 し た樹脂 を 2 O P a * s 以下の 粘度 と し 、 併せてそ の 内部 に含 ま れて い る 水分、 空気、 塵埃等の化学的異物 を 除去す る 異物除去ス テ ッ プ と 、
該異物 除去 ス テ ッ プの後か若 し く は共 に紫外線等の電磁波 を 照射 し て樹脂 を硬化 さ せる 低粘度紫外線硬化樹脂封入 ス テ ッ プを 有 し て い る こ と を 特徴 と す る 液晶素子の製造方法。
2 . 前記異物除去ス テ ッ プは、
上記封止用 の樹脂 に所定の振動 を与 え る 振動小 ス テ ッ プを 有 し て い る こ と を 特徴 と す る 請求項 1 記載の液晶素子の 製造方法。
3 . 前記振動ス テ ッ プは、
上記封止用 の樹脂 に与え る 振動 と し て超音波若 し く は メ ガ ソ ニ ッ ク を用 い る 超音波 メ ガ ソ ニ ッ ク 照射振動 小 ス テ ッ プで あ る こ と を 特徴 と す る 請求項 2 に記載 の液晶素子の 製造方法。
4 . 前記異物除去ス テ ッ プは、
前記低粘度樹脂塗布ス テ ッ プ時若 し く はそ の後 に 、 固体 に 注入 口 部 の樹脂 を接触 さ せて拭き 取 り 、 こ れ に よ り 内部 に 気泡の混入 し て い る 部分 を 除去す る 気泡部除去小ス テ ッ プ と 、
再度樹脂 を 塗布す る 再塗布小ス テ ッ プ と を 有 し て い る こ と を 特徴 と す る 請求項 1 に記載の液晶素子の 製造方法。
5 . 前記異物除去ス テ ッ プは、 前記低粘度樹脂塗布 ス テ ッ プ時若 し く はそ の後 に 、 塗布 し た封止用 の樹脂 を 少な く と も 大気圧 よ り 低 い圧 に 晒す低圧ス テ ッ プを 有 し て い る'こ と を特徴 と す る 請求項 1 に 記載の液晶 素子の 製造方法。
6 . 前記異物除去ス テ ッ プは、
前記低粘度樹脂塗布 ス テ ツ ブ後 に 、 樹脂 に 反 液晶側への加速度 を 与 え る 加速ス テ ッ プを 有 し て い る こ と を特徴 と す る 請求項 1 に 記載 の液 晶素子の 製造方法。
7 . 前記異物除去ス テ ッ プは、
上記塗布 し た封止用 樹脂 を加熱 に よ り 低粘度化す る ため 、 赤外線 を 照射す る 赤外線照射小ス テ ッ プを 有 し て い る こ と を特徴 と す る 請求項 1 か ら 請求項 6 の いずれか に 記載の液晶素子の 製造方法。
8 . 上下 を 2 枚 の基板で、 周 囲 を壁で 囲 ま れた空間 内 に 、 液晶 が保 持 さ れて な る 液晶素子で あ っ て、
上記空間 内 に液晶 を 充た し た後封止す る 部分 に 、 非硬化時 に は、 4 0 で 以上 の所定の温度で はそ の粘度が 2 0 P a · s 以下で あ っ た電磁 波硬化性 の 樹脂 を使用 有 し てお り 、 かつ硬化 し た樹脂 中 に は、 水分 、 空気、塵埃等 の光学的 異物 を 有 し て い な い こ と を 特徴 と す る 液晶素子。
9 . 前記電磁波硬化性樹脂 は、
紫外線硬化性樹脂で あ る こ と を 特徴 と す る 請求項 8 記載の液晶 素子 1 0 . 前記電磁波硬化性樹脂 は、
嫌気性樹脂で あ る こ と を特徴 と す る 請求項 8 記載の液晶素子。
1 1 . 前記電磁波硬化性樹脂 は、
5 0 で 以上 の 温度で 2 O P a · s 以下 に 軟化す る 性質 の樹脂で あ る こ と を特徴 と す る 請求項 8 〜請求項 1 0 の いずれか に記載 の 液晶 素子 1 2 . 上下 を 2 枚 の 基板で、 周 囲 を壁で 囲 ま れた 空 間 内 に 、 液晶が 保持 さ れて な る 液晶素子で あ っ て 、 上記空 間 内 に液晶 を 充た し た後封止す る 部分 に 、 嫌気性 の樹脂 を 使 用 し て い る こ と を特徴 と す る 液晶素子。
1 3 . —方 の基板 に 画素電極が、 他方 の基板 に共通電極が形成 さ れ、 両電極 間 での電圧の 印加 に よ り 両基板 の 内面側 に配向膜 を 介 し て挟持 さ れて い る 液晶層 の 分子配列 を 変化 さ せ る 液晶素子 に お い て 、
いずれか一方若 し く は両方 の基板 に 、 液晶層 中 のイ オ ン の電荷 を 中 和す る 中 和電極 を有 し て い る こ と を特徴 と す る 液晶素子。
1 4 . 一方の基板 に画素電極 と 共通電極が形成 さ れ、 両電極間 で の 電圧の 印加 に よ り 両基板 の 内面側 に配向膜 を介 し て挟持 さ れて い る 液 晶層 の分子配列 を変化 さ せ る 液晶素子 に お い て 、
いずれか一方若 し く は両方 の基板 に 、 液晶層 中 のイ オ ン の電荷 を 中 和す る 中 和電極 を 有 し て い る こ と を特徴 と す る 液晶素子。
1 5 . —方 の基板 に画素電極 と 共通電極が形成 さ れ、 他方 の基板 に 対向電極が形成 さ れ、 上記 3 つ の電極間 に所定の電圧の 印加す る こ と に よ り 両基板の 内面側 に配向膜 を介 し て挟持 さ れて い る 液晶層 の 分子 配列 を 変化 さ せ る 液晶素子 に お い て、
いずれか 一方若 し く は両方 の 基板 に 、 液晶層 中 のイ オ ン の電荷 を 中 和す る 中和電極 を有 し て い る こ と を特徴 と す る 液晶素子。
1 6 . 前記 中和電極 は、
導電性物質か ら な り 、 そ し て遮光膜 を 兼用 す る 導電遮光性 中 和 電極 で あ る こ と を 特徴 と す る 請求項 1 3 か ら 請求項 1 5 の いずれか に記載 の液晶素子。
1 7 . 前記 中和電極 は、
液晶 層 と 、 直接接す る か 又 は配 向膜 を介 し て接す る 、 1 0 0 0 > 以 下の薄膜 を 介 し て接す る 若 し く はイ オ ン を 透過す る 膜 を 介 し て接す る の い ずれかで あ る こ と を 特徴 と す る 請求項 1 3 〜 1 5 の いずれか に 記 載の液晶素子。
1 8 . 前記 中和電極 は、
液晶層 と 、 直接接す る か 又 は配向膜 を介 し て接す る 、 1 0 0 0 · 以 下の 薄膜 を介 し て接す る 若 し く はイ オ ン を 透過す る 膜 を介 し て接す る の い ずれかで あ る こ と を特徵 と す る 請求項 1 6 に記載 の液晶素子。
1 9 . 少な く と も 一方 に 画素電極、 共通'電極、 信号配線 、 走査配線 が形成 さ れた 一対の 基板 と 、 両基板 の 内面'側 に設 け ら れた 配向膜 を 介 し て挟持 さ れた液晶 層 と を 有す る 横電界方式の液晶素子 に お い て 、 上記画素電極等が形成 さ れて い な い基板側 にそ の液晶層側 の 表面が 凹 凸 の 構造の遮光膜 を有 し て い る こ と を 特徴 と す る 横電界方式の液晶 素子。
2 0 . 少な く と も 一方 に画素電極 、 共通電極、 信号配線、 走査配線 が形成 さ れた一対の基板 と 、 両基板の 内 '面側 に設 け ら れた配向膜 を 介 し て挟持 さ れた液晶層 と を有す る 横電界方式の液晶素子 に お い て 、 上記画素電極等が形成 さ れて い る 基板側 に その液晶層側の表面が凹 凸 の構造の遮光膜 を 有 し て い る こ と を 特徴 と す る 横電界方式の液晶素 子。
2 1 . 少な く と も 一方 に画素電極、 共通電極、 信号配線、 走査配線 が形成 さ れた一対の基板 と 、 両基板の 内面側 に設 け ら れた配向膜 を 介 し て挟持 さ れた液晶 と を 有す る 横電界方式の液晶素子 にお い て 、 上記画素電極等が形成 さ れて い な い基板側 にそ の液晶層側 の表面が 凹 凸 の構造の 中和電極 を有 し て い る こ と を特徴 と す る 横電界方式の液 晶素子。
2 2 . 少な く と も 一方 に画素電極、 共通電極、 信号配線、 走査配線 が形成 さ れた一対の基板 と 、 両基板 の 内面側 に設 け ら れた配 向膜 を 介 し て挟持 さ れた液晶層 と を有す る 横電界方式の液晶素子 に お い て 、 上記画素電極等が形成 さ れて い る 基板側 に そ の液晶層側 の表面が凹 凸 の構造 の 中 和電極 を 有 し て い る こ と を 特徴 と す る 横電界方式の液晶 素子。
2 3 . 少な く と も 一方 に 画素電極、 共通電極、 信号配線、 走査配線 が形成 さ れた 一対の 基板 と 、 画素電極 に対向 す る 対向電極が形成 さ れ た対向基板 と 、 両基板の 内面側 に設 け ら れた配向 膜 を 介 し て挟持 さ れ た液晶層 と を 有 し 、 画素電極、 共通電極及 び対 向電極 の 間 に 電圧 を 印 加 し て液晶分子の配列 を 変化 さ せ る 液晶素子 に お い て 、
上記対向電極 は、 そ の表面が凹 凸 の構造 を 有 し て い る こ と を 特徴 と す る 液晶素子。
2 4 . 少な く と も 一方 に 画素電極、 共通電極、 信号配線、 走査配線 が形成 さ れた 一対の 基板 と 、 画素電極 に対 向す る 対向電極が形成 さ れ た対向基板 と 、 両基板 の 内面側 に 設け ら れた配向膜 を 介 し て挟持 さ れ た液晶層 と を 有 し 、 画素電極、 共通電極及び対向電極の 間 に電圧 を 印 加 し て液晶分子の配列 を 変化 さ せ る 液晶素子 に お い て 、
上記画素電極等が形成 さ れて い な い対向基板側 にそ の液晶層側 の 表 面が凹 凸 の構造の遮光膜 を 有 し て い る こ と を 特徴 と す る液晶素子。
2 5 . 少な く と も 一方 に 画素電極、 共通電極、 信号配線、 走査配線 が形成 さ れた 一対の基板 と 、 画素電極 に対 向す る 対向電極が形成 さ れ た対向基板 と 、 両基板の 内面側 に 設 け ら れた配 向膜 を介 し て挟持 さ れ た液晶層 と を 有 し 、 画素電極、 共通電極及び対 向電極の 間 に電圧 を 印 加 し て液晶分子 の配列 を 変化 さ せ る 液晶素子 に お い て 、
上記画素電極等が形成 さ れて い る 基板側 に そ の液晶層側の表面が 凹 凸 の構造 の遮光膜 を有 し て い る こ と を特徴 と す る 液晶素子。
2 6 . 前記遮光膜 は、
導電性物質か ら な る 導電性遮光膜で あ る こ と を 特徴 と す る 請求項 1 9 、 請求項 2 0 、 請求項 2 4 若 し く は請求項 2 5 に記載の横電界方式 の液晶素子。
2 7 . 上記液晶層 は、
その 比抵抗が 1 0 ] 3 Ω · c mよ り も 小 さ い液晶 を 使用 する 低比抵抗 液晶層 で あ る こ と を 特徴 と す る 請求項 1 9 〜 請求項 2 5 の いずれか に 記載の横電界方式の液晶素子若 し く は液晶素子。
2 8 . 上記液晶層 は、
そ の 比抵抗が 1 0 1 3 Ω · c mよ り も 小 さ い液晶 を 使用 す る 低比抵抗 液晶層 で あ る こ と を 特徴 と す る 請求項 2 6 に 記載 の横電界方式の 液晶 素子若 し く は液晶素子。
2 9 . 横電界方式で液晶 を駆動す る 表示装置 に使用 さ れる カ ラ ー フ ィ ルタ ー に お い て 、
遮光膜部の液晶層側 の表面が凹 凸の構造 を 有 し て い る こ と を特徴 と す る カ ラ 一 フ ィ ル 夕 一。
3 0 . 前記遮光膜 は、
その 凹 凸構造の 凹部 と 凸部の差が 0 . 1 m以上で あ る こ と を特徴 と する 請求項 1 9 、 請求項 2 0 、 請求項 2 4 若 し く は請求項 2 5 に 記 載の液晶素子。
3 1 . 前記遮光膜 は、
その 凹 凸構造の 凹部 と 凸部の差が 0 . 3 ΠΙ以上で あ る こ と を特徴 と する 請求項 1 9 、 請求項 2 0 、 請求項 2 4 若 し く は請求項 2 5 に 記 載の液晶素子。
3 2 . 前記遮光膜 は、
その 凹 凸構造の 凹部 と 凸部の差が 0 . 3 m以上で あ る こ と を 特徴 と す る 請求項 2 6 に 記載の液晶素子。
3 3 . 前記遮光膜 は、 そ の 凹 凸構造の 凹部 と 凸部 の差が 0 . 3 m以上で あ る こ と を特徴 と す る 請求項 2 7 に 記載 の液晶素子。
3 4 . 前記 中 和電極 は、
そ の 凹 凸構造 の 凹部 と 凸部の差が 0 . 1 m以上で あ る こ と を 特徴 と す る 請求項 2 1 若 し く は請求項 2 2 に記載の液晶素子。
3 5 . 前記遮光膜 は、
そ の 凹 凸構造の 凹部 と 凸部 の差が 0 . 3 m以上で あ る こ と を特徴 と す る 請求項 2 7 に記載の液晶素子。
3 6 . 前記遮光膜 は、
配 向膜 を 介 し て若 し く は直接液晶 と 接 し て い る こ と を特徴 と す る 請 求項 1 9 、 請求項 2 0 、 請求項 2 4 若 し く は請求項 2 5 に 記載 の液晶 素子。
3 7 . 前記遮光膜 は、
配向膜 を 介 し て若 し く は直接液晶 と 接 し て い る こ と を特徴 と す る 請 求項 2 3 に 記載の液晶素子。
3 8 . 前記遮光膜 は、
配向膜 を 介 し て若 し く は直接液晶 と 接 し て い る こ と を特徴 と す る 請 求項 2 4 に 記載の液晶素子。
3 9 . 前記 中和電極 は、
配 向膜 を 介 し て若 し く は直接液晶 と 接 し て い る こ と を特徴 と す る 請 求項 2 1 若 し く は請求項 2 2 に 記載 の液晶素子。
4 0 . 前記 中和電極 は、
配向膜 を 介 し て若 し く は直接液晶 と 接 し て い る こ と を特徴 と す る 請 求項 2 7 に記載の液晶素子。
4 1 . 少 く も 一方 に 、 マ ト リ ッ ク,ス 状 に配置 さ れた ソ ー ス 信号配線 及びゲー ト 信号配線、 該両信号配線の 各交差点部 のス ィ ツ チ ン グ素子 と こ れ に接続 さ れた画素電極、 こ れ に 対峙す る 共通電極並びに それ ら 各部の絶縁等 を なす絶縁層 を 有す る 一対の基板 と 、 原則 と し て両基板 の 内面側 に 設 け ら れた配 向膜 を 介 し て挟持 さ れ る 液晶層 と を 有す る 横 電界方式の液晶素子 に お い て 、
ゲー ト と 所定の 関係 の電圧 を 保持す る 電極 を 有 し て い る こ と を 特徴 と する 液晶 素子。
4 2 . 少 く も 一方 に 、 マ ト リ ッ ク ス 状 に 配置 さ れた ソ ー ス 信号配線 及びゲー 卜 信号配線、 該両信号配線の 各交差点部の ス ィ ツ チ ン グ素子 と こ れ に接続 さ れた画素電極、 こ れ に 対峙す る 共通電極並びに それ ら 各部の 絶縁等 を なす絶縁層 を有す る 一対の基板 と 、 原則 と し て両基板 の 内面側 に 設 け ら れた配 向膜 を 介 し て挟持 さ れ る 液晶 層 と を 有す る 横 電界方式の液晶素子 にお い て 、
画素電極 と 所定の 関係 の電圧 を 保持す る 電極 を 有 し て い る こ と を 特 徴 と す る 液晶素子。
4 3 . 少 く も 一方 に 、 マ ト リ ッ ク ス 状 に配置 さ れた ソ ー ス 信号配線 及びゲー ト 信号配線、 該両信号配線 の 各交差点部の ス ィ ツ チ ン グ素子 と こ れ に接続 さ れた画素電極、 こ れ に 対峙す る 共通電極並びに それ ら 各部の 絶縁等 を なす絶縁層 を有す る 一対の基板 と 、 原則 と し て両基板 の 内面側 に 設 け ら れた配向膜 を 介 し て挟持 さ れ る 液晶層 と を 有す る 横 電界方式の 液晶素子 にお い て 、
対向電極 と 所定の 関係 の電圧 を 保持 し 、 更 に 少な く と も そ の 一部が 上記液晶層 に 直接又 は配向膜、 1 0 0 0 A 以下の薄膜若 し く はイ オ ン を透過す る 膜 の いずれか を介 し て接す る 電極 を 有 し て い る こ と を 特徴 と す る 液晶 素子。
4 4 . 少 く も 一方 に 、 マ ト リ ッ ク ス 状 に 配置 さ れた ソ ース 信号配線 及びゲー ト 信号配線、 該両信号配線の 各交差点部の ス ィ ツ チ ン グ素子 と こ れ に 接続 さ れた画素電極、 こ れに対峙す る 共通電極並びにそれ ら 各部の絶縁等 を なす絶縁層 を 有す る 一対の基板 と 、 原則 と し て両基板 の 内面側 に設 け ら れた配 向膜 を 介 し て挟持 さ れ る 液晶層 と を有す る 横 電界方式の液晶 素子 に お い て 、
走査信号線若 し く はゲー ト 信号線の 少 く も 一方 と 所定の 関係 の電圧 を保持す る 電極 を有 し て い る こ と を特徴 と す る 液晶素子。
4 5 . 少な く と も 一方 に 導電層 と し て ソ ー ス 及びゲー ト 信号配線並 びに横電界 を発生 さ せ る た め の 画素電極 と 共通電極 と を有 し 、 更 に こ れ ら 導電層相互の絶縁等 と を なす絶縁膜 を 有す る 一対 の基板 と 、 原則 と し て両基板 の 内面側 に 設 け ら れた配向膜 を 介 し て狭持 さ れ る 液晶層 と を 有す る 横電界方式 の液晶素子 にお い て 、
上記導電層 と 液晶 層 と の 間 に 介在す る 絶縁膜、 配 向膜等か ら な る 第 3 の 層 を形成す る 膜 は、 そ の 膜厚の合計が 1 0 0 0 A よ り 少な い 薄膜 化領域 を有 し て い る こ と を特徴 と す る 液晶素子。
4 6 . 前記薄膜化領域 は 、
配向膜 と 絶縁層 と の 少な く と も 一方 の上 に 在 る こ と を特徴 とす る 請 求項 4 5 に 記載の液晶素子。
4 7 . 前記薄膜化領域 は、
配向膜若 し く は保護膜上 に あ り 、 当 該配向膜若 し く は保護膜 は、 導 電性物質か ら な る こ と を 特徴 と す る 請求項 4 5 に 記載の液晶素子。
4 8 . 前記薄膜化領域 は、
上記画素電極、 共通電極若 し く は信号配線上 に位置 し て い る こ と を 特徴 と する 請求項 4 5 、 請求項 4 6 若 し く は請求項 4 7 に記載の 液晶 素子。
4 9 . 上記液晶素子 は , 導電性遮光膜 を有 し 、 更 に 、
前記薄膜化領域は、 導電性遮光膜上 に位置 し て い る こ と を特徴 と す る 請求項 4 5 、 請求 項 4 6 若 し く は請求項 4 7 に記載 の液晶素子。
5 0 . 前記薄膜化領域 は 、
上記画 素電極等の形成 さ れた基板 に対向す る 基板 に 形成 さ れて い る こ と を 特徴 と す る 請求項 4 9 に 記載の液晶素子。
5 1 . 少な く と も 一方 に 導電層 と'し て信号配線、 蓄積容量電極及び 横電界 を 発生 さ せる た め の 画素電極 と 共通電極 と を 有 し 、 更 に こ れ ら 導電層相互の絶縁等 と を なす絶縁膜 を有す る 一対の基板 と 、 原則 と し て両基板の 内面側 に 設 け ら れた配向膜 を介 し て狭持 さ れ る 液晶層 と を 有す る 横電界方式の液晶素子 に お い て 、
上記導電層 と液晶層 と の 間 に 介在す る 絶縁膜、 配向膜等か ら な る 第
3 の 層 を 形成する 膜 は、 所定位置では配向膜 の み存在す る か 、 1 0 0 O A 以下の 薄膜で あ る か、 イ オ ン透過性 の膜で あ る か 、 そ も そ も 形成 さ れて い な い かで あ る こ と を特徴 と す る 液晶素子。
5 2 . 上記液晶層 と 上記導電層 と が直接接触す る こ と と な る 所定位 置 は、
画素電極、 共通電極、 蓄積容量電極若 し く は信号配線上で あ る こ と を特徴 と す る 請求項 5 1 に記載の液晶素子。 '
5 3 . 上記液晶素子は導電性遮光膜 を有 し 、 更 に 、
上記液晶層 と 上記導電層 と が直接接触す る こ と と な る 所定位置 は、 上記導電性遮光膜上で あ る こ と を特徴 と す る 請求項 5 1 に記載の液 晶素子。
5 4 . 前記薄膜化領域は、
上記画素電極等の形成 さ れた基板 に対向す る 基板 に 形成 さ れて い る こ と を特徴 と す る 請求項 5 3 に 記載 の液晶素子。
5 5 . —方 の基板 に 画素電極 と 該画素電極 と 同一層 上 に な い対向電 極 と 信号配線 と こ れ ら 相互 の絶縁等 を な す絶縁膜 と を 有す る 一対の 基 板 と 、 原則 と し て両基板 の 内面側 に 設 け ら れた配向膜 を介 し て挟持 さ れて い る 液晶層 と を 有す る 横電界方式 の 液晶素子 にお いて 、
上記画素電極若 し く は対向電極 の 一方 に は絶縁膜が形成 さ れ、 他方 に は全 く 形成 さ れて い な レ こ と を特徴 と す る 液晶素子。
5 6 . 上記液晶素子 は、
ラ ビ ン グ方 向 に 沿 っ て絶縁膜が形成 さ れて い る こ と を特徴 と す る 請 求項 5 5 記載 の液晶素子。
5 7 . 上記液晶素子 は 、
そ の 比抵抗が 1 0 1 3 Ω · c mよ り も 小 さ い液晶 を使用 す る 低比抵抗 液晶層 で あ る こ と を特徴 と す る 請求項 4 5 〜請求項 4 7 、 請求項 5 1 〜請求項 5 3 、 請求項 5 5 若 し く は請求項 5 6 の いずれか に記載の液 晶素子。
5 8 . 上記液晶素子 は、
そ の 比抵抗が 1 0 1 3 Ω · c mよ り も 小 さ い液晶 を使用 す る 低比抵抗 液晶層 で あ る こ と を 特徴 と す る 請求項 5 0 に 記載 の液晶素子。
5 9 . 上記液晶素子 は、
そ の比抵抗が 1 0 1 3 Ω ' c mよ り も 小 さ い 液晶 を使用 す る 低比抵抗 液晶層で あ る こ と を 特徴 と す る 請求項 5 4 に記載の液晶素子。
6 0 . —方 に 画素電極 と 共通電極及 び両電極 に対応 し て の信号線 と 走査線並びに 絶縁層 が形成 さ れた一対の基板 と 、 両基板の 内面側 に 設 け ら れた配向膜 を介 し て液晶 を 狭持 し た横電界方式の液晶素子 に お い て 、
他方の基板 に 、 上記液晶層 と 接 し た導電性 の遮光膜 を有 し て い る こ と を特徴 と す る 横電界方式の液晶素子。
6 1 . 一方 に 画素電極 と 共通電極及び両電極 に対応 し て の信号線 と 走査線並 びに絶縁層 が形成 さ れた 一対の基板 と 、 両基板の 内面側 に 設 け ら れた 配 向膜 を介 し て液晶 を 狭持 し た横電界方式の液晶素子 に お い て 、
他方 の 基板 に 、 上記信号線方 向若 し く は走査線方 向 に の び、 か つ ス 卜 ラ イ プ状 に液晶層 と 接 し て い る 領域が存在す る 遮光膜 を 有 し て い る こ と を 特徴 と す る 横電界方式の液晶素子。
6 2 . —方 に画素電極 と 共通電極及び両電極 に対応 し て の信号線 と 走査線並 びに絶縁層 が形成 さ れた一対 の基板 と 、 両基板の 内面側 に 設 け ら れた配 向膜 を介 し て液晶 を狭持 し た横電界方式の液晶素子 に お い て 、
他方 の 基板 に 、 信号線方 向及び走査線方 向 に の び、 かつ格子状 に 液 晶層 と 接 し て い る 領域が存在す る そ し て導電性 の遮光膜 を 有 し て い る こ と を 特徴 と す る 横電界方式の液晶素子。
6 3 . —方 に画素電極 と 共通電極及び両電極 に 対応 し て の信号線 と 走査線並びに絶縁層 が形成 さ れた 一対 の基板 と 、 両基板の 内面側 に 設 け ら れた配向膜 を介 し て液晶 を 狭持 し た横電界方式の液晶素子 に お い て 、
他方 の基板 に 、 配向膜 を介 し て液晶層 と 接す る 導電性の遮光膜 を 有 し て い る こ と を特徴 と す る 横電界方式の液晶素子。
6 4 . —方 に画素電極 と 共通電極及び両電極 に対応 し て の信号線 と 走査線並びに絶縁層 が形成 さ れた 一対の基板 と 、 両基板の 内面側 に設 け ら れた配向膜 を 介 し て液晶 を 狭持 し た横電界方式の液晶素子 に お い て 、
他方 の基板 に 、 上記信号線方 向若 し く は走査線方向 に の び、 か つ ス 卜 ラ イ プ状 に 配向膜 を 介 し て液晶層 と 接す る 領域が存在す る そ し て導 電性の遮光膜 を有 し て い る こ と を 特徴 と す る 横電界方式の液晶素子。
6 5 . 一方 に画素電極及び共通電極及 び両電極 に対応 し て の信号線 と 走査線が形成 さ れた 一対の基板 間 に 、 両基板 の 内面側 に 設 け ら れた 配向膜 を 介 し て液晶 を 狭持 し た横電界方式の液晶素子 にお い て 、 他方 の基板 に 、 上記信号線方向及び走査線方 向 に の び、 か つ液晶 層 と 1 0 0 0 · の 薄膜層若 し く はイ オ ン透過性 の 膜 を介 し て接 し た領域 が格子状 に存在す る 導電性 の遮光膜 を 有 し て い る こ と を特徴 と す る 横 電界方式の液晶素子。
6 6 . 前記導電性 の遮光膜 は、
そ の導電部が C r 、 T i 若 し く は導電性 の樹脂か ら な る こ と を特徴 と する 請求項 6 0 〜請求項 6 5 の いずれか に記載 の横電界方式の液晶 素子。
6 7 . 前記導電性 の遮光膜は、
導電性の樹脂製遮光膜で あ る こ と を特徴 と す る 請求項 6 0 〜請求項 6 5 の いずれか に 記載の横電界方式の液晶素子。
6 8 . 前記液晶素子 の基板間 隔 を 一定 に保持す る ス ぺーサ一 と し て 特定の箇所 に柱 を形成す る こ と を特徴 と す る 請求項 6 6 に 記載の液晶 素子。
6 9 . 少な く と も 一方 に 、 画素電極、 共通電極、 信号配線、 走査配 線並びにそれ ら 各部の絶縁等 を なす絶縁膜 を 有す る 一対の基板 と 、 原 則 と し て両基板の 内面側 に設 け ら れた配 向膜 を 介 し て挟持 さ れた液晶 層 と を有す る 横電界方式の液晶素子 に お い て 、
上記画素電極、 共通電極、 信号配線の 少な く と も 1 は、 その液晶側 の少な く と も 一部分 に 絶縁膜が形成 さ れて お ら ず、 こ のた め 当 該電極 若 し く は配線 は配向膜 の み を介 し て若 し く は直接液晶 に接す る 絶縁膜 開 口 電極で あ り 、
上記画素電極及び共通電極が形成 さ れて い な い基板側 に液晶層 と の 絶縁膜が全 く 形成 さ れて い な い か、 少 く も 一部 に 形成 さ れて い な い 箇 所があ る こ と に よ り 液 晶層 中 の イ オ ン の電荷 を 中 和す る 中 和電極 を 有 し て い る こ と を特徴 と す る 液晶 素子。
7 0 . 少な く と も 一方 に画素電極、 共通電極、 信号配線、 走査配線 並びに それ ら 各部の 絶縁等 を なす絶縁膜 を 有す る 一対 の基板 と 、 原則 と し て 両基板の 内面側 に 設 け ら れた配向膜 を介 し て挟持 さ れた液晶層 と を 有す る 横電界方式の液晶素子 にお い て 、
上記画素電極 は、 絶縁膜が全 く 形成 さ れて お ら ず、 こ の ため 当 該部 に 画素電極が配向膜 の み を 介 し て若 し く は直接液晶 に接す る 開 口 画素 電極で あ り 、
更 に 、 上記画素電極等が形成 さ れて い な い 基板側 に液晶層 と の絶縁 膜が全 く 形成 さ れて い な い か、 少 く も 一部 に 形成 さ れて い な い箇所が あ る こ と に よ り 液晶 層 中 の イ オ ン の電荷 を 中 和す る 中 和電極 を 有 し て い る こ と を 特徴 と す る 液晶素子。
7 1 . 少な く と も 一方 に 画素電極、 共通電極、 信号配線、 走査配線 並びに それ ら 各部の絶縁等 を なす絶縁膜 を有す る 一対の基板 と 、 原則 と し て両基板 の 内面側 に設 け ら れた配向膜 を 介 し て挟持 さ れた液晶層 と を有す る 横電界方式の液晶素子 にお い て 、
上記共通電極 は絶縁膜が全 く 形成 さ れてお ら ず、 こ の ため 当 該部 に 画素電極が配向膜 の み を 介 し て若 し く は直接液晶 に接す る 開 口 共通電 極で あ り 、
更 に 、 上記共通電極等が形成 さ れて い な い 基板側 に液晶層 と の絶縁 膜が全 く 形成 さ れて い な い か 、 少 く も 一部 に 形成 さ れて い な い箇所が あ る こ と に よ り 液晶層 中 の イ オ ン の電荷 を 中 和す る 中 和電極 を 有 し て い る こ と を 特徴 と す る 液晶素子。
7 2 . 少な く と も 一方 に 画素電極、 共通電極、 信号配線、 走査配線 並びに それ ら 各部の絶縁等 を なす絶縁膜 を 有す る 一対 の基板 と 、 原則 と し て 両基板 の 内面側 に設 け ら れた配 向膜 を介 し て挟持 さ れた液晶層 と を 有す る 横電界方式の液晶 素子 に お い て 、
上記画 素電極及び共通電極 は各 々 、 そ の液晶層 と の絶縁膜が全 く 形 成 さ れて お ら ず、 こ の た め 当 該部分 に て配 向膜 の み を 介 し て あ る い は 直接液 晶 に接す る 開 口 画素電極、 開 口 共通電極で あ り 、
更 に 、 上記画素電極及び共通電極が形成 さ れて い な い基板側 に液晶 層 と の絶縁膜が全 く 形成 さ れて い な い か、 少 く も 一部 に形成 さ れて い な い 箇所があ る こ と に よ り 液晶層 中 の イ オ ン の電荷 を 中和す る 中 和電 極 を 有 し て い る こ と を 特徴 と す る 液晶素子。
7 3 . 上記液晶素子の液晶層 は、 そ の 比抵抗が 1 0 1 3 Ω · c mよ り も 小 さ い液晶 を使用 す る 低比抵抗液晶層 で あ る こ と を特徴 と す る 請求 項 6 9 〜請求項 7 2 の いずれか に記載の液晶素子。
7 4 . 前記 中和電極 に走査配線の最小の電圧 レベル に対 し 正の電位 を 印加す る 正電位印加手段 を 有 し て い る こ と を特徴 と する 請求項 6 9 〜請求項 7 2 の いずれか に記載の液晶素子。
7 5 . 前記 中和電極 は、
上記共通電極 と 同電位 に設定 さ れて い る 同電位 中和電極で あ る こ と を 特徴 と す る 請求項 6 9 〜請求項 7 2 の いずれか に記載の液晶素子。
7 6 . 前記 中和電極 は、
遮光膜 と 兼用 の遮光膜兼用 中 和電極であ る こ と を 特徴 と す る 請求項 6 9 〜請求項 7 2 の いずれか に記載の 液晶素子。
7 7 . 前記 中和電極 は、
カ ラ 一 フ ィ ル夕 一 と 兼用 の カ ラ ー フ ィ ルタ ー兼用 中 和電極で あ る こ と を特徴 と す る 請求項 6 9 〜請求項 7 2 の いずれか に記載の液晶素子, 7 8 . 上記画素電極、 共通電極、 信号配線の いずれかが、 そ の 上部 ' に絶縁膜が形成 さ れて い な い た め 、 当 該部 は配向膜 の み を 介 し て い る 部分 の 配 向膜 は、
導電性物質か ら な る 配向膜で あ る こ と を 特徴 と す る 請求項 6 9 〜請 求項 7 2 の い ずれか に 記載の液晶 と す る 。
7 9 . 前記 中和電極 に 走査配線の最 小 の電圧 レ ベル に対 し 正 の電位 を 印加す る 正電位印加手段 を 有 し て い る こ と を特徴 と す る 請求項 7 6 に記載 の液晶素子。
8 0 . 前記 中和電極 に走査配線の最小の電圧 レ ベル に対 し 正 の電位 を 印加す る 正電位印加手段 を 有 し て い る こ と を特徴 と す る 請求項 7 7 に記載 の液晶素子。
8 1 . 前記 中 和電極 は 、
上記共通電極 と 同電位 に 設定 さ れて レ る 同電位 中和電極で あ る こ と を 特徴 と す る 請求項 7 6 に記載 の液晶素子。
8 2 . 前記 中和電極 は、
上記共通電極 と 同電位 に 設定 さ れて い る 同電位 中和電極で あ る こ と を 特徴 と す る 請求項 7 7 に 記載 の液晶素子。
8 3 . 少な く と も 一方 に横電界 を 発 生 さ せ る 画素電極 と 共通電極 と こ れ ら 相互 の絶縁等 を なす絶縁膜 と を 有す る 一対の基板 と 、 原則 と し て両基板の 内面側 に設 け ら れた配向膜 を 介 し て狭持 さ れる 液晶層 と を 有す る 横電界方式の液晶素子 の製造方法 に お い て 、
両基板の 内面側 に 一旦形成 し た配向膜の 所定部 を 除去す る 配向膜除 去 ス テ ッ プを 有 し て い る こ と を特徴 と す る 液晶素子の製造方法。
8 4 . 少な く と も 一方 に横電界 を発生 さ せ る 画素電極 と 共通電極 と こ れ ら 相互 の絶縁膜等 を なす絶縁膜 を 有す る 一対 の基板 と 、 原則 と し て両基板の 内面側 に設 け ら れた配向膜 を 介 し て狭持 さ れる 液晶層 と を 有す る 横電界方式の液晶素子 の 製造方法 に お い て 、 両基板 の 内 面側 に 一旦形成 さ れた.配 向膜の所定部 を エ ッ チ ン グ に て 除去す る 配向膜除去ス テ ッ プ と 、
残 っ た配 向膜 に 、 配向処理 を す る 配 向 ス テ ッ プ と を 有 し て い る こ と を 特徴 と す る 液晶素子の製造方法。
8 5 . 少な く と も 一方 に横電界 を発生 さ せ る 画素電極 と 共通電極 と こ れ ら 相 互 の 絶縁膜等 を なす絶縁膜 を 有す る 一対の基板 と 、 原則 と し て 両基板 の 内 面側 に設 け ら れた配向膜 を 介 し て狭持 さ れる 液晶層 と を 有す る 横電界方式の液晶素子の 製造方法 に お い て 、
両基板 の 内 面側 に 一旦形成 さ れた電極若 し く は配線上の配向膜 の所 定部 を ラ ビ ン グに て剥離す る 剥離ス テ ッ プを有 し て い る こ と を 特徴 と す る 液晶素子 の製造方法。
8 6 . 前記剥離ス テ ツ プは、
ラ ビ ン グ時 に お け る 押 し 込み量 を 0 . 5 m m以上の押圧 ラ ビ ン グ剥 離ス テ ッ プで あ る こ と を 特徴 と す る 請求項 8 5 に記載の液晶素子の 製 造方法。
8 7 . —方 に画素電極 と 共通電極及び両電極 に対応 し て の信号線 と 走査線並びに 絶縁層 が形成 さ れた 一対の基板 と 、 両基板の 内面側 に設 け ら れた配 向 膜 を 介 し て液晶 を狭持 し た横電界方式の液晶素子 に お い て 、
他方の基板 に 形成 さ れた導電性 の遮光膜 と 、
該遮光膜 と 上記共通電極、 画素電極、 走査線若 し く は信号配線 と を 電気的 に接続す る 電気的接続部 と を有 し て い る こ と を特徴 と す る 横電 界方式の液晶 素子。
8 8 . —方 に画素電極 と 共通電極及 び両電極 に対応 し て の信号線 と 走査線並びに 絶縁層 が形成 さ れた 一対 の基板 と 、 両基板の 内面側 に 設 け ら れた配 向膜 を介 し て液晶 を狭持 し た横電界方式の液晶素子 に お い て、
他方 の基板の所定位置 に 導電性物質か ら な る 遮光膜 を形成す る 遮光 膜形成ス テ ッ プ と 、
上記遮光膜のオーバー コ ー ト 層 の材料 と し て感光性材料 を選択す る オーバー コ ー ト 層材料選択 ス テ ッ プ と 、
選択 さ れた感光性材料で オーバー コ ー ト 層 を 形成す る オーバー コ 一 ト 層形成 ス テ ッ プ と 、
前記導電性 の遮光膜上 の オーバー コ ー ト 材料層 を 該遮光膜上 でォー バー コ 一 ト 層 が存在 し な い領域が有 る よ う に フ ォ ト リ ソ グ ラ フ ィ ー を 使用 し て 形成する フ ォ ト ソ グ ラ フ ィ 禾 IJ用 オー バー コ ー ト 層 部分剥 が し 部形成 ス テ ッ プ と を 有 し て い る こ と を 特徴 と す る 横電界方式の液晶素 子の 製造方法。
8 9 . 形成 さ れた導電性 の遮光膜 に 上記共通電極 と 同 じ 電位 の 電位 を与え る こ と と な る 電気的接続部 を 形成す る 同電位用 導電部形成 ス テ ッ プを 有 し て い る こ と を 特徴 と す る 請求項 8 8 記載の横電界方 式の液 晶 素子 の 製造方法。
9 0 . 横電界方式の液晶 素子 の製造方法で あ っ て、
第 1 の 基板 に金属層 よ り な り ト ラ ン ジス タ の ゲー ト を 兼ね る 走査線 と 対向電極 を 所定位置 に形成す る 第 1 導電層 形成 ス テ ッ プ と 、
上記形成 さ れた走査線 と 対向電極 の 上 に 第 1 の絶縁膜 を 形成す る 第
1 絶縁膜形成ス テ ッ プ と 、
半導体層 を所定位置 に 形成す る 半導体層 形成ス テ ッ プ と 、
信号線 と 画素電極 を 所定位置 に 形成す る 第 2 導電層 形成ス テ ッ プ と 第 2 の絶縁膜 を 、 上記所定位置 に 形成 さ れた半導体層か ら な る ス ィ ツ チ ン グ素子 の 上 にだけ形成す る 第 2 絶縁膜形成ス テ ッ プ と を 有 し て い る こ と を 特徴 と す る 横電界方式の液晶素子 の 製造方法で あ っ て 、 電 界方式 の液晶素子の製造方法。
9 1 . 横電界方式の液晶素子の 製造方法で あ っ て、
第 1 の 基板 に金属層 よ り な り ト ラ ン ジス タ の ゲー ト を 兼ね る 走査線 と 対向電極 を 所定位置 に 形成す る 第 1 導電層形成ス テ ッ プ と 、
上記形成 さ れた走査線 と 対向電極の 上 に 第 1 の絶縁膜 を 形成す る 第 1 絶縁膜形成 ス テ ッ プ と 、
半導体層 を 所定位置 に 形成する 半導体形成 ス テ ッ プ と 、
' 信号線 と 画素電極 を 所定位置 に形成す る 第 2 導電層 形成 ス テ ッ プ と 第 2 の絶縁膜 を所定位置 に形成 さ れた 半導体層 か ら な る ス ィ ッ チ ン グ素子の 上 と 上記信号線の 上 に だ け形成す る 第 2 絶緣膜形成ス テ ッ プ と を有 し て い る こ と を 特徴 と す る 横電界方式の 液晶素子の 製造方法。
9 2 . 横電界方式の液晶素子の 製造方法で あ っ て 、
第 1 の基板 に金属層 よ り な り ト ラ ン ジス タ の ゲー ト を 兼ねる 走査線 と 対向電極 を 所定位置 に 形成-する 第 1 導電層形成 ス テ ッ プ と 、
上記形成 さ れた走査線 と 対向電極の上 に 第 1 の 絶縁膜 を 形成す る 第
1 絶縁膜形成ス テ ッ プ と 、
半導体層 を 所定位置 に 形成する 半導体形成 ス テ ツ プ と 、
信号線 と 画素電極 を所定位置 に 形成す る 第 2 導電層 形成ス テ ッ プ と 第 2 の絶縁膜 を所定位置 に 形成 さ れた 半導体層 か ら な る ス ィ ッ チ ン グ素子の 上 と 上記走査線の上 に だ け形成す る 第 2 絶縁膜形成ス テ ッ プ と を有 し て い る こ と を特徴 と す る 横電界方式の液晶素子の製造方法。
9 3 . 横電界方式の液晶素子の製造方法で あ っ て 、
第 1 の基板 に金属層 よ り な り ト ラ ン ジス タ の ゲー ト を 兼ねる 走査線 と 対向電極 を 所定位置 に形成す る 第 1 導電層形成ス テ ツ プ と 、
上記形成 さ れた走査線 と 対向電極の 上 に 第 1 の絶縁膜 を 形成す る 第
1 絶縁膜形成ス テ ッ プ と 、 半 導体 層 を 所 定位 置 に 形成 す る 半 導体 形成 ス テ ッ プ と 、
信 号線 と 画 素 電極 を 所 定位置 に 形 成 す る 第 2 導 電 層 形成 ス テ ツ プ と 第 2 の 絶縁膜 を 所 定位置 に 形成 さ れ た 半 導 体 層 か ら な る ス ィ ッ チ ン グ 素 子 の 上 と 上 記 号線 の 上 と 上記 走 査線 の 上 に だ け 形成す る 第 2 絶 縁膜形 成 ス テ ッ プ と を 有 し て い る こ と を 特徴 と す る 横電界 方 式 の 液 晶 素子 の 製造 方 法。
9 4 . 横電 界方 式 の 液 晶 素 子 の 製造方 法 で あ っ て 、
第 1 の 基 板 に 信号 線 と 画 素 電極 を 選 択 的 に 形 成す る 第 1 導 電 層 形成 ス テ ッ プ と 、
半 導体 層 を 所 定位 置 に 形成 す る 半 導体 層 形 成 ス テ ッ プ と 、
上記 形 成 さ れ た 信 号線及 び画 素 電極 の 上 に 第 1 の 絶縁膜 を 形成 す る 第 1 絶縁膜 形 成 ス テ ッ プ と 、
上記 形成 さ れ た 第 1 の 絶縁膜 の 上 に ト ラ ン ジ ス 夕 の ゲ一 ト を 兼 ね る 走査線 と 対 向 電極 を 所定位置 に 形成す る 第 2 導 電層 形 成 ス テ ッ プ と 、 第 2 の 絶縁膜 を 所 定位置 に 形成 さ れ た 半 導 体 層 か ら な る ス ィ ッ チ ン グ素子 の 上 に だ け 形 成す る 第 2 絶縁膜 形 成 ス テ ッ プ と を 有 し て い る こ と を 特徴 と す る 横電 界方 式 の 液 晶 素 子 の 製造方 法 。
9 5 . 横電 界方 式 の 液晶 素 子 の 製造方 法 で あ っ て 、
第 1 の 基板 に 信号線 と 画 素 電極 を 選択 的 に 形成す る 第 1 導電 層 形 成 ス テ ッ プ と 、
半 導体 層 を 所 定位 置 に 形成 す る 半 導体 層 形 成 ス テ ツ プ と 、
上記形成 さ れ た 信 号線及 び画 素 電極 の 上 に 第 1 の 絶縁膜 を 形成す る 第 1 絶縁膜 形 成 ス テ ッ プ と 、
上記 形 成 さ れ た 第 1 の 絶縁膜 の 上 に ト ラ ン ジ ス タ の ゲー ト を 兼 ね る 走査線 と 対 向 電極 を 選択 的 に 形成す る 第 2 導 電 層 形成 ス テ ッ プ と 、 第 2 の 絶縁 膜 を 所定位 置 に 形成 さ れ た 半 導 体 層 か ら な る ス ィ ッ チ ン グ素子 の 上 と 信号線 の 上 に だ け形成す る 第 2 絶縁膜形成ス テ ッ プ と を 有 し て い る こ と を 特徴 と す る 横電界方式の液晶 素子 の 製造方法。
9 6 . 横電界方式 の 液晶素子の製造方法で あ っ て 、
第 1 の基板 に信号線 と 画素電極 を選択的 に形成す る 第 1 導電層 形成 ス テ ッ プ と 、
半導体層 を所定位置 に 形成する 半導体層 形成 ス テ ツ プ と 、
上記形成 さ れた信号線及び画素電極 の上 に 第 1 の絶縁膜 を 形成す る 第 1 絶縁膜形成ス テ ッ プ と 、
上記形成 さ れた第 1 の 絶縁膜の上 に ト ラ ン ジ ス タ の ゲー ト を 兼ね る 走査線 と 対向電極 を 所定位置 に形成す る 第 2 導電層形成ス テ ッ プ と 、 第 2 の絶縁膜 を所定位置 に 形成 さ れた 半導体 層 か ら な る ス ィ ッ チ ン グ素子の上 と 走査線 の 上 に だけ形成す る 第 2 絶縁膜形成ス テ ッ プ と を 有 し て い る こ と を特徴 と す る 横電界方式の液晶素子 の 製造方法。
9 7 . 横電界方式 の液晶素子の製造方法で あ っ て、
第 1 の基板 に信号線 と 画素電極 を選択的 に 形成す る 第 1 導電層 形成 ス テ ッ プ と 、
半導体層 を 所定位置 に 形成す る 半導体層形成 ス テ ツ プと 、
上記形'成 さ れた信号線及び画素電極の 上 に第 1 の絶縁膜 を 形成す る 第 1 絶縁膜形成ス テ ッ プ と 、
上記形成 さ れた第 1 の絶縁膜の 上 に ト ラ ン ジ ス タ のゲー 卜 を 兼ね る 走査線 と 対向電極 を 所定位置 に形成す る 第 2 導電層形成ス テ ッ プ と 、 第 2 の絶縁膜 を所定位置 に 形成 さ れた 半導体層 か ら な る ス ィ ッ チ ン グ素子 と 信号線 と 走査線 の 上 に だ け形成す る 第 2 絶縁膜形成ス テ ッ プ と を有 し て い る こ と を 特徴 と す る 横電界方式の 液晶素子の製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102867736A (zh) * 2002-05-17 2013-01-09 株式会社半导体能源研究所 转移叠层的方法以及制造半导体器件的方法

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1270256B (it) 1994-06-20 1997-04-29 Himont Inc Composizioni poliolefiniche per fogli e film saldabili con radiofrequenze
US6989805B2 (en) * 2000-05-08 2006-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
KR100612994B1 (ko) * 2000-05-12 2006-08-14 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 기판
WO2005022244A1 (en) * 2003-08-28 2005-03-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lateral ion pumping in liquid crystal displays
KR100692685B1 (ko) * 2003-12-29 2007-03-14 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법
JP2007516464A (ja) * 2004-01-26 2007-06-21 シャープ株式会社 液晶表示素子及びその駆動方法
US7932980B2 (en) * 2005-11-23 2011-04-26 University Of Central Florida Research Foundation, Inc. Liquid crystal display device having patterned electrodes for repetitive divided horizontal electric field and fringing electric field
JP4529895B2 (ja) * 2005-12-22 2010-08-25 ソニー株式会社 光ディスクの製造方法
TWI384277B (zh) * 2007-09-07 2013-02-01 Japan Display West Inc 液晶顯示裝置
CN101546528B (zh) * 2008-03-28 2011-05-18 群康科技(深圳)有限公司 液晶显示装置及其驱动方法
US8390771B2 (en) * 2008-09-08 2013-03-05 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
KR100971080B1 (ko) * 2008-11-04 2010-07-20 이한준 이방성 도전볼을 포함하는 혐기성 광경화 접착제의제조방법과 혐기성 광경화접착제를 이용한평판디스플레이의 회로접속방법
MX2011011363A (es) * 2009-05-22 2011-11-18 Hosiden Corp Dispositivo de pantalla de cristal liquido y metodo para fabricar electrodo transparente.
JP5555663B2 (ja) * 2011-05-19 2014-07-23 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
US8189158B1 (en) 2011-09-29 2012-05-29 Hannstar Display Corp. Fringe field switching liquid crystal display apparatus
CN102436094B (zh) * 2011-12-19 2014-08-20 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示装置及其制作方法
CN104508736A (zh) * 2012-09-24 2015-04-08 松下知识产权经营株式会社 液晶显示装置
CN103869519B (zh) * 2012-12-13 2016-06-01 京东方科技集团股份有限公司 制造薄膜晶体管液晶显示器的方法
KR102078807B1 (ko) 2013-07-03 2020-02-20 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
US11335721B2 (en) * 2013-11-06 2022-05-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Backside illuminated image sensor device with shielding layer
CN104199219B (zh) * 2014-06-10 2018-06-19 康惠(惠州)半导体有限公司 一种va液晶显示屏的制作方法
CN104503168B (zh) * 2015-01-14 2017-08-29 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法和显示装置
CN104793408A (zh) * 2015-05-07 2015-07-22 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示面板及显示装置
CN105842904B (zh) * 2016-05-25 2024-02-06 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示装置及制备方法
CN105807509A (zh) * 2016-06-03 2016-07-27 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板、其制作方法、显示面板及显示装置
CN110312963B (zh) * 2017-02-15 2022-06-03 夏普株式会社 带位置输入功能的显示装置
CN109830181A (zh) 2017-11-23 2019-05-31 群创光电股份有限公司 显示装置
CN108598092B (zh) * 2018-05-14 2020-11-24 昆山龙腾光电股份有限公司 阵列基板制造方法及阵列基板

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59226323A (ja) * 1983-06-07 1984-12-19 Sanyo Electric Co Ltd 液晶注入口封止方法
JPS63121020A (ja) * 1986-11-10 1988-05-25 Canon Inc 強誘電性液晶素子
JPH04319915A (ja) * 1991-04-19 1992-11-10 Seikosha Co Ltd 強誘電性液晶パネルの製造方法
JPH05224211A (ja) * 1992-02-17 1993-09-03 Canon Inc 光学変調素子およびそれ用のアクティブマトリクス基板
JPH05265012A (ja) * 1992-03-19 1993-10-15 Seiko Instr Inc 液晶電気光学装置の製造方法
JPH0695133A (ja) * 1992-09-11 1994-04-08 Citizen Watch Co Ltd 液晶電気光学装置
JPH06222372A (ja) * 1993-01-26 1994-08-12 Citizen Watch Co Ltd 液晶表示装置
JPH06235923A (ja) * 1993-02-10 1994-08-23 Rohm Co Ltd 液晶表示素子
JPH1039297A (ja) * 1996-07-22 1998-02-13 Nec Corp 反射型液晶表示装置及びその製造方法
JPH10186391A (ja) * 1996-12-27 1998-07-14 Hitachi Ltd 液晶表示装置
EP0855613A2 (en) * 1997-01-23 1998-07-29 Frontec Incorporated Liquid crystal display device
JPH10319435A (ja) * 1997-05-22 1998-12-04 Sharp Corp アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法
JPH11119229A (ja) * 1997-10-13 1999-04-30 Denso Corp 液晶表示素子および液晶表示素子の製造方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60175033A (ja) 1984-02-21 1985-09-09 Citizen Watch Co Ltd 液晶表示素子の製造方法
DE3904126A1 (de) 1989-02-11 1990-08-16 Nokia Unterhaltungselektronik Verfahren und vorrichtung zum herstellen von fluessigkristallzellen
JP2823424B2 (ja) 1992-04-16 1998-11-11 アルプス電気株式会社 液晶表示素子の製造方法
JPH05307160A (ja) 1992-04-30 1993-11-19 Ricoh Co Ltd 液晶表示素子の製造装置及びその方法
US5796458A (en) * 1992-09-01 1998-08-18 Fujitsu Limited Element division liquid crystal display device and its manufacturing method
EP0588568B1 (en) * 1992-09-18 2002-12-18 Hitachi, Ltd. A liquid crystal display device
JPH0784230A (ja) 1993-09-13 1995-03-31 Ricoh Co Ltd 液晶表示素子の製造方法
KR100367869B1 (ko) 1993-09-20 2003-06-09 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 액정표시장치
JPH07199199A (ja) 1993-12-29 1995-08-04 Ricoh Co Ltd 液晶表示素子の製造方法
JPH07306415A (ja) 1994-05-12 1995-11-21 Yazaki Corp 液晶装置とその封止方法
JPH0894985A (ja) 1994-09-26 1996-04-12 Rohm Co Ltd 液晶表示素子の製法
JPH08328031A (ja) * 1995-06-02 1996-12-13 Sharp Corp フルカラー液晶表示装置およびその製造方法
JPH0961833A (ja) 1995-08-29 1997-03-07 Fujitsu Ltd 液晶表示パネル及びその製造方法
JP3208645B2 (ja) 1995-10-04 2001-09-17 株式会社アドバンスト・ディスプレイ 液晶表示装置の製法
JPH103085A (ja) 1996-03-19 1998-01-06 Yazaki Corp 液晶素子の封止装置および封止方法
JP3742142B2 (ja) 1996-03-29 2006-02-01 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 液晶表示素子
WO1997038061A1 (en) * 1996-04-09 1997-10-16 Philips Electronics N.V. Method of manufacturing an optical component
JPH10170890A (ja) 1996-10-09 1998-06-26 Sharp Corp 液晶表示装置およびその製造方法
US6266121B1 (en) * 1996-11-28 2001-07-24 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display element and method of manufacturing same
JP3220651B2 (ja) 1996-12-25 2001-10-22 シャープ株式会社 液晶表示素子およびその製造方法
JPH10339883A (ja) 1997-06-06 1998-12-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタ型液晶表示装置およびその製造方法
JPH112825A (ja) 1997-06-11 1999-01-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置の製造方法
JPH1184336A (ja) 1997-09-02 1999-03-26 Ricoh Co Ltd 液晶表示素子の製造方法
JP2000036520A (ja) 1998-05-15 2000-02-02 Nec Corp フリップチップ実装方法及び装置

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59226323A (ja) * 1983-06-07 1984-12-19 Sanyo Electric Co Ltd 液晶注入口封止方法
JPS63121020A (ja) * 1986-11-10 1988-05-25 Canon Inc 強誘電性液晶素子
JPH04319915A (ja) * 1991-04-19 1992-11-10 Seikosha Co Ltd 強誘電性液晶パネルの製造方法
JPH05224211A (ja) * 1992-02-17 1993-09-03 Canon Inc 光学変調素子およびそれ用のアクティブマトリクス基板
JPH05265012A (ja) * 1992-03-19 1993-10-15 Seiko Instr Inc 液晶電気光学装置の製造方法
JPH0695133A (ja) * 1992-09-11 1994-04-08 Citizen Watch Co Ltd 液晶電気光学装置
JPH06222372A (ja) * 1993-01-26 1994-08-12 Citizen Watch Co Ltd 液晶表示装置
JPH06235923A (ja) * 1993-02-10 1994-08-23 Rohm Co Ltd 液晶表示素子
JPH1039297A (ja) * 1996-07-22 1998-02-13 Nec Corp 反射型液晶表示装置及びその製造方法
JPH10186391A (ja) * 1996-12-27 1998-07-14 Hitachi Ltd 液晶表示装置
EP0855613A2 (en) * 1997-01-23 1998-07-29 Frontec Incorporated Liquid crystal display device
JPH10319435A (ja) * 1997-05-22 1998-12-04 Sharp Corp アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法
JPH11119229A (ja) * 1997-10-13 1999-04-30 Denso Corp 液晶表示素子および液晶表示素子の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102867736A (zh) * 2002-05-17 2013-01-09 株式会社半导体能源研究所 转移叠层的方法以及制造半导体器件的方法

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