WO2001088971A1 - Dispositif de traitement et procede d'entretien du dispositif, mecanisme et procede de montage d'une piece du dispositif de traitement, et mecanisme de verrouillage et procede de blocage du mecanisme de verrouillage - Google Patents

Dispositif de traitement et procede d'entretien du dispositif, mecanisme et procede de montage d'une piece du dispositif de traitement, et mecanisme de verrouillage et procede de blocage du mecanisme de verrouillage Download PDF

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Shigeru Senzaki
Toshiki Sasaki
Tadashi Aoto
Nobuyuki Nagayama
Kouji Mitsuhashi
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Description

明 細 書 処理装置およびそのメンテナンス方法， 処理装置部品の組立機構お よびその組立方法， ロック機構およびそのロック方法 技術分野 本発明は， 処理装置およ^そのメンテナンス方法， 処理装置部品 の組立機構およびその組立方法， ロック機構およびそのロック方法 に関する。 背景技術 半導体装置の製造プロセスでは， プラズマ処理装置が広く使用さ れている。 プラズマ処理装置は， 処理室内に対向配置された上部電 樺と下部電極を備えている。 かかるプラズマ処理装置では， -上部電 極に高周波電力を印加して処理室内の処理ガスをプラズマ化するこ とによリ， 下部電極上の被処理体にプラズマ処理を施している。 ところで， 上部電極が配される上部電極ユニッ トは， 上部電極に 高周波電力を供給する給電棒などの給電部材を収容するシールドボ ックスや， 整合器などが収容されたマッチングボックスや， 処理ガ ス供給系などが一体的に組み立てられた複雑な構造を有している。 このため， 上部電極ユニットは， 全体として， 重量が重く， また容 量も大きいものであった。 従って， 上部電極や処理室内の清掃等のメンテナンスを行う場合 には， 作業者は， 上部電極ユニッ トを取扱可能な重量や大きさの部 材に分解した後に， メンテナンスを行う必要があった。 また， メン テナンス終了後には， 再び各部材を上部電極ュニッ卜に組み立てる 必要があった。 このように， 従来は， メンテナンスの度に， 装置の分解組立を行 わねばならなかった。 その結果， 装置の稼働効率が低下するとい.う 問題があった。 また， 組立時には， 各部材の位置合わせを正確に行 わなければならない。 このため， 作業が煩雑となり， さらに作業時 間が増加するという問題点があった。 さらに， 一般的に， シールド ボックスやマッチングポッケスは， 作業者が作業し難い高所に配置 されている。 このため， 各部材の着脱作業を作業者が厳しい姿勢で 行わなければならない。 その結果， 作業者に負担がかかるという問 題点があった。 上部電極は， 金属製のネジなどの締結手段により， 上部電極を支 持するクーリングプレー卜などの部材に取り付けられている。 この ため， 異常放電を防止するために， 上部電極の周囲などの締結手段 の取り付け部分を絶縁性のシールドリングで覆っている。 従来， シ ールドリングは， 締結手段によリクーリングプレートに取り付けら れている。 しかしながら， 締結手段の構造によっては， シールドリ ングとクーリングプレー卜の線膨張係数が異なると， 処理時の熱に よリシールドリングとクーリングプレー卜に異なる歪みが生じ， 結 果的に締結手段に負荷がかかって締結手段が損傷することがあった c また， 従来は， シールドリングが上部電極の処理室側面上に単に 重ね合わせて設けられていた。 このため， 上部電極とシールドリン グとの間に段差が生じ， プラズマを乱す一因となっていた。 その結 果，処理の均一性を向上させることができないという問題があった。 本発明は， 従来の技術が有する上記問題点に鑑みて成されたもの であり， 本発明の目的は， 上記問題点およびその他の問題点を解決 することが可能な， 新規かつ改良された処理装置およびそのメンテ ナンス方法， 処理装置部品の組立機構およびその組立方法， ロック 機構およびそのロック方法を提供することである。
発明の開示 上記課題を解決するために， 本発明の第 1の観点によれば， 処理 室の天井部を構成する上部電極ュニッ卜と上部電極ュニッ卜を昇降 させることが可能な昇降機構を備えた処理装置であって， 上部電極 ュニッ トは， 処理室側の下部アセンブリと電力供給側の上部ァセン プリから構成され， 下部アセンブリと上部アセンブリは， 上部電極 ュニッ 卜の外周面に設けられたロック機構のみにより分離合体可能 であり， 下部アセンブリは， 機械的機構なしに処理室内と外部との 差圧および上部電極ュニッ 卜の自重によリ処理室の天井部に気密に 固定可能であること， を特徴とする処理装置が提供される。 本発明によれば， 上部電極ュニットを作業者が操作し易い 2つの アセンブリから構成している。 従って， 重量が重い上部電極ュニッ 卜を分割して取り外すことができる。 さらに， 各アセンブリは， 昇 降機構により着脱できる。 その結果， 作業者の負担を軽減できる。 また， 本発明によれば， ロッキング機構の開閉だけで， 下部ァセン プリと上部アセンブリとの着脱を容易に行うことができる。さらに， 口ッキング機構に基づいて， 下部アセンブリと上部アセンブリとの 位置合わせを行うことができる。 このため， 各アセンブリ同士を確 実に合体させ， 密着させることができる。 また， 本発明によれば， 下部アセンブリは， 処理室内外の圧力差 と上部電極ュニッ 卜の自重によリ処理室に固定される。 かかる構成 により， 処理室内外の圧力差を小さくすれば， 下部アセンブリを容 易に取り外すことができる。 また， 下部アセンブリを処理室上に載 置し， 処理室内を減圧すれば， 処理室を密閉できる。 このため， 処 理室内の開放および密閉作業を容易かつ迅速に行うことができる。 その結果， 処理室内のメンテナンス作業時間を短縮できる。 また， 下部アセンブリは， 機械的機構によらず固定される。 このため， 作 業時にパーティクルが発生し難く， 処理室内の汚染を抑制できる。 さらに， 処理室内のメンテナンス時に， ロック機構をロックさせ た状態で上部アセンブリと下部アセンブリとを一体的に上昇させる ことが好ましい。 かかる構成によれば， 昇降機構の動作により， 各 アセンブリを処理室から一体的に取り外すことができる。このため， 処理室内のメンテナンスを容易に行うことができる。 さらに， 作業 者の負担をさらに軽減できる。 さらに， 下部アセンブリに交換または洗浄が必要な部品が含まれ ている場合， 部品のメンテナンス時に， ロック機構をアンロックさ せた状態で上部アセンブリのみを上昇させることが好ましい。 かか る構成によれば， 下部アセンブリを処理室上に残したまま， 上部ァ センプリを取り外すことができる。 このため， 上部アセンブリと下 部アセンブリのメン亍ナンスを容易に行うことができる。 また， 本発明の第 2の観点によれば， 上記の如く構成された処理 装置のメンテナンス方法であって， 口ック機構をロックした状態で 昇降機構により上部アセンブリと下部アセンブリとを一体的に上昇 させた後に， 処理室内をメンテナンスする工程を含むことを特徴と する処理装置のメンテナンス方法が提供される。 ますこ， 本発明の第 3の観点によれば， 上記の如く構成された処理 装置のメンテナンス方法であって， 口ック機構をアンロックした状 態で昇降機構により上部アセンブリを上昇させた後， 上部ァセンブ および Zまたは下部アセンブリをメンテナンスする工程を含むこ とを特徴とする処理装置のメン亍ナンス方法が提供される。 上記第 2および第 3の観点にかかる発明によれば， 処理室内， あ るいは上部アセンブリおよび/または下部アセンブリのメンテナン スを作業者の負担を軽減しながら容易かつ迅速に行うことができる c また， 本発明の第 4の観点によれば， 円柱状電極アセンブリと円 柱状電極アセンブリの周囲に嵌め合わせ可能な環状部材との処理装 置部品の組立機構であって， 円柱状電極アセンブリの外周面または 環状部材の内周面のいずれか一方には複数の突起が形成され， いず れか他方には突起に対応する複数の溝が形成されており， 溝は， 円 柱状電極アセンブリと環状部材とを嵌め合わせるべく突起を嵌め合 わせ方向に案内するよう！こ嵌め合わせ方向に延伸する第 1溝と， 一 旦嵌め合わせた円柱状電極アセンブリと環状部材とを相対回転させ るべく突起を案内するように回転方向に延伸する第 2溝から成り， さらに第 2溝は奥まるにつれ嵌め合わせ方向に傾斜していること， を特徴とする処理装置部品の組立機構が提供される。 本発明によれば， 円柱状電極アセンブリと環状部材とをネジなど の締結手段を用いずに， 回転動作により着脱できる。 このため， 作 業者の負担軽減および作業時間の短縮を達成できる。 また， 円柱状 電極アセンブリと環状部材とは， 突起と溝との嵌め合わせにより固 定される。 また， 固定後も， 突起は， 溝を移動できる。 このため， 円柱状電極アセンブリと環状部材とが各々線膨張係数が異なる材料 から形成され， 処理時の熱により異なる歪みが生じても， 突起や溝 に加わる負荷を緩和できる。 その結果， 円柱状電極アセンブリと環 状部材に採用する材料の選択幅が広がり， 装置設計の制約を解消す ることができる。 さらに， 突起が第 2溝の最奥に到達した際に， 円柱状電極ァセン プリと環状部材との処理室側面が面一になるように構成することが 好ましい。 かかる構成によれば， 円柱状電極アセンブリと環状部材 との間に段差が形成されない。 このため， 処理室内に生じたプラズ マが乱されず， 被処理体に均一な処理を施すことができる。 さらに， 円柱状電極アセンブリに環状部材が嵌め込まれる段部を 形成することが好ましい。 かかる搆成によれば， 円柱状電極ァセン プリと環状部材.との処理室側面を容易に面一にすることができる。 さらに， 円柱状電極アセンブリを電極プレー卜と冷却プレー卜の アセンブリから構成し， 環状部材をシールドリングから構成した場 合， 突起または溝を冷却プレー卜またはシールドリングに形成する ことが好ましい。 かかる構成により， 円柱状電極アセンブリと環状 部材のメン亍ナンス作業を容易に行うことができる。 また， 本発明の第 5の観点によれば， 上記の如く構成された処理 装置部品の組立機構の組立方法であって， 突起が第 1溝に沿って案 内されるように環状部材を円柱状電極アセンブリに嵌め合わせた後， 突起が第 2溝に沿って案内されるように環状部材と円柱状電極ァセ ンプリとを相対回転させる工程を含むことを特徴とする処理装置部 品の組立機構の組立方法が提供される。 かかる構成によれば， 円柱 状電極アセンブリと環状部材との嵌め合わせを， 容易かつ迅速に行 うことができる。 また， 本発明の第 6の観点によれば， 軸回りを回動自在な固定ピ ンを対応溝に突出後退動作させることにより固定ピン側部材と対応 溝側部材とを固定させるロック機構であって， 固定ピン側部材は， 固定ピンが取り付けられ， 固定ピンが垂直方向に突出する第 1位置 と固定ピンが斜め方向に傾斜して後退する第 2位置との間における 固定ピンの回動動作を許容する第 1部材と， 第 1部材に対して相対 移動可能であって， 固定ピンを揷通させることが可能な貫通孔が形 成された第 2部材とから成り， 貫通孔には， 第 1部材と第 2部材と をロック方向に相対移動させることにより固定ピンが第 2位置から 第 1位置に移動する場合の支点となる第 1突起と， 第 1部材と第 2 部材とをアンロック方向に相対移動させ ことにより固定ピンが第 1位置から第 2位置 [こ移動する場合の支点となる第 2突起が形成さ れていること， を特徴とするロック機構が提供される。 本発明によれば， 第 1部材と第 2部材との相対移動により， 固定 ピン側部材と対応溝側部材とを容易に着脱できる。 このため， 締結 手段で固定する場合よりも， 作業者への負担を軽減でき， かつ作業 時間を短縮できる。 また， 締結部材を用いないため， パーティクル の発生を抑えることができる。 さらに， 対応溝側部材， 第 1部材， 第 2部材に， 同心円上に配さ れた円柱状または環状部材を採用した場合， 相対移動方向を回転方 向とすることが好ましい。 かかる構成により， 固定ピン側部材と対 応溝側部材との着脱を容易に行うことができる。 また， 本発明の第 7の観点によれば， 上記の如く構成されたロッ ク機構のロック方法であって， 第 1部材と第 2部材とをロック方向 に相対移動させて固定ピンを第 2位置から第 1位置に配置し， 固定 ピン側部材と対応溝部材とを固定する工程を含むことを特徴とする ロック機構のロック方法が提供される。 かかる構成によれば， 固定 ピン側部材と対応溝側部材とを容易に固定できる。 さらに， 第 1部材と第 2部材とをアンロック方向に相対移動させ て第 1位置から第 2位置に配置し， 固定ピン側部材と対応溝部材と を分離する工程を含む工程を行えば， 固定ピン側部材と対応溝側部 材とを容易に分離できる。 また， 本発明の第 8の観点によれば， 第 1部材と第 1部材に載置 される第 2部材とを相対回転させることによリ固定するロック機構 であって， 第 1部材または第 2部材のいずれか一方に設けられ， 軸 部とその軸部よりも大径の頭部とを有するピン部材が設けられたォ ス部材と， 第 1部材または第 2部材のいずれか他方に設けられ， 頭 部を挿入可能な溝幅を有する揷入孔と， 挿入孔と連通し頭部よリ小 さく軸部よリ大きい溝幅を有し回転半径に沿う口ック溝とから成る メス部材を備え， メス部材は， 揷入孔付近が肉薄に形成され， ロッ ク溝に沿って揷入孔から遠ざかるにつれ順次肉厚に形成されている ロック機構が提供される。 なお， 本発明は， 例えば， 下部ァセンブ リ （第 1部材）と， 下部アセンブリに載置される上部アセンブリ （第 2部材） とから構成される上部電極を組み立てる際に適応可能であ る。 さらに， 本発明の第 9の観点によれば， 上記ロック機構による口 ック方法が提供される。 すなわち， ォス部材のピン部材をメス部材 の挿入孔に揷入し， ロック溝に沿って第 1部材と第 2部材とを相対 回転させることにより， 第 1部材と第 2部材とが良好にロックされ る。 図面の簡単な説明 図 1は本発明を適用可能なエッチング装置を示す概略的な断面図 である。 図 2は図 1 に示すエッチング装置の上部電極ュニットを表す概略 的な拡大断面図である。 図 3 (a ) は， 図 1 に示すエッチング装置の上部電極とクーリン グプレー卜とシールドリングとを嵌め合わせた際の状態を表す概略 的な斜視図である。 図 3 (b) は， （ a ) の状態からシールドリン グを取り外した際の状態を表す概略的な斜視図である。 図 4は図 3 (b ) の状態から上部電極を取り外した際の状態を表 す概略的な斜視図である。 図 5は図 1 に示すエッチング装置のシールドリングの表面処理を 説明す; δための概略的な説明図である。 図 6は図 1 に示すエッチング装置のシールドリングの表面処理を 説明するための概略的な説明図である。 図 7 (a) は， 図 1 に示すエッチング装置のシールドリングの取 リ付け部分を表す概略的な拡大断面図である。 図 7 (b) は， 図 1 に示すエッチング装置のシールドリングの内周面を表す概略的な拡 大側面図である。 図 8 (a) は， 図 2に示すロック時のロック機構を A— A線に沿 う平面において切断した概略的な断面図である。 図 8 (b ) は， 図 2に示すアンロック時のロック機構を A— A線に沿う平面において 切断した概略的な断面図である。 図 9はロック機構の別の実施形態を示す概略的な断面図である。 図 1 0 ( a ) は， 図 9に示すロック機構を A— A線に沿う平面に おいて切断した概略的な断面図であり， 図 1 0 (b) は， 図 9に示 すロック機構の概略的な平面図である。 図 1 1 ( a ) は， 図 1 に示すエッチング装置の下部アセンブリの メンテナンス時の状態を表す概略的な斜視図である。 図 1 1 (b) は， （a ) に対応する上部電極ユニッ ト周辺を表す概略的な拡大断 面図である。 図 1 2 (a) は， 図 1 に示すエッチング装置の処理室内のメンテ ナンス時の状態を表す概略的な斜視図である。図 1 2 ( b)は， （a) に対応する上部電極ュニッ ト周辺を表す概略的な拡大断面図である c 図 1 3 ( a ) は， 昇降機構の変形例を表す概略的な正面図である, 図 1 3 (b ) は， （a) に対応する側面図である。
発明を実施するための最良の形態 以下に， 添付図面を参照しながら本発明にかかる処理装置および そのメンテナンス方法， 処理装置部品の組立機構およびその組立方 法， ロック機構およびそのロック方法を， プラズマエッチング装置 およびそのメンテナンス方法に適用した好適な実施の一形態につい て， 詳細に説明する。 ( 1 ) エッチング装置の全体構成- まず， 図 1 を参照しながら， エッチング装置 1 0 0の構成につい て概略的に説明する。 処理室 1 0 2は， 上部が開口した略円筒形の 導電性の処理容器 1 0 4を備えている。 処理容器 1 0 4は， 不図示 の接地線を介して保安接地されている。 また， 処理室 1 0 2の天井 部には， 上部電極ユニッ ト 1 0 6が気密に取り付けられている。 処 理室 1 0 2内には， 被処理体， 例えば半導体ウェハ （以下， 「ゥェ ハ」 と称する。） Wを載置可能な導電性の下部電極 1 0 8が配置さ れている。 上部電極ユニッ ト 1 0 6の構造は， 本発明の中核を成すものであ リ， その詳細な構成及び動作については， 後述することにする。 な お， 上部電極ユニッ ト 1 0 6には， 高周波電源 1 1 0から出力され た高周波電力， 例えば 1 3 . 5 6 M H zの電力が整合器 1 1 2を介 して印加される。 また， 下部電極 1 0 8には， 高周波電源 1 1 4か ら出力された高周波電力， 例えば 3 8 0 k H zの電力が， 整合器 1 1 6を介して印加される。 かかる電力の印加により， 処理室 1 0 2 内に導入された処理ガスがプラズマ化し， ウェハ Wにエッチング処 理が施される。 また処理室 1 0 2内のガスは， ターボ分子ポンプ 1 1 8により， 下部電極 1 0 8周囲の排気バッフル板 1 2 0， 開閉.バ ルブ 1 2 2， 排気量調整バルブ 1 2 4を介して適宜排気される。 以上のように， 本発明を適用可能なエッチング装置 1 00は主に 構成されている。 次に， 本発明の中核を成す上部電極ユニット 1 0 6の構成について詳述する。 (2) 上部電極ユニッ トの構成
上部電極ユニッ ト 1 06は， 図 1 および図 2に示すように， 上部 および下部アセンブリ 1 26， 1 28から主に構成されている。 下 部アセンブリ 1 2 8は， 上部電極 （電極プレート） 1 30, クーリ ングプレート （冷却プレート） 1 32， シールドリング 1 34， ィ ンシユレータ 1 3 6から成る。 上部アセンブリ 1 28は， シールド ボックス 1 3 8, マッチングボックス 1 40， 給電棒 1 42， エレ ク トロボディ 1 44, インシュレータ 1 46, バッフル板 1 48か ら成る。 以下， 各アセンブリの構成について説明する。 ( a) 下部アセンブリの構成
まず， 下部アセンブリ 1 28の構成について説明すると， 上部電 極 1 30は， 例えば CV D製法またはホッ トプレス製法による S i Cや陽極酸化処理されたアルミニウムから成り， 図 3および図 4に 示すように， 略円盤状に形成されている。 また， 上部電極 1 30に は， 図 2〜図 4に示すように， 処理室 1 02内に処理ガスを吐出す るための複数のガス吐出孔 1 30 aが形成されている。
なお， CV D製法とは， 減圧下で S i系ガスを用いて， 高純度力 一ボン材の表面に S ί Gを気相成長させる製法である。 また， ホッ トプレス製法とは， CV D製法による S i Cパウダにホウ素などの バインダを添加し， 高温高圧下で焼成する製法である。 また， 柱状 結晶シリコンは， 単結晶シリコンと同等の結晶特性と， 単結晶シリ コンと同等のまたはそれ以上の加工性と-熱伝導性を有し， 非常に簡 単かつ安価に製造することができる。 また， 上部電極 1 3 0の処理室 1 0 2側外縁部には， 図 2， 図 3 ( b ) および図 4に示すように， 後述するシールドリング 1 3 4を 嵌め合わせた際に， 上部電極 1 3 0とシールドリング 1 3 4との処 理室 1 0 2側面を面一にさせるための本実施の形態にかかる段部 1 3 O bが形成されている。 かかる構成によれば， 図 2および図 3 ( a ) に示すように， シールドリング 1 3 4を嵌め合わせた際に， 上部電極 1 3 0とシールドリング 1 3 4との間に段差が生じること がない。 その結果， 処理室 1 0 2内に生成されたプラズマが乱され ず， 均一な処理を行うことができる。 また， 上部電極 1 3 0の上部には， 図 2および図 3 ( b ) に示す ように， ネジなどの締結部材 1 5 0により， 上部電極 1 3 0に電力 を伝達するとともに， 上部電極 1 3 0に生じた熱を上部アセンブリ 1 2 6を構成するエレク トロボディ 1 4 4に伝達するクーリングプ レート 1 3 2が取り付けられている。 なお， 締結部材 1 5 0は， シ ールドリング 1 3 4に覆われるため， 処理室 1 0 2に露出すること がない。 クーリングプレー卜 1 3 2は， 例えば陽極酸化処理されたアルミ ニゥムから成り， 図 3および図 4に示すように， 略円柱状に形成さ れている。 また， ク一リングプレート 1 3 2には， 図 2および図 4 に示すように， 上部アセンブリ 1 2 6を構成するバッフル板 1 4 8 を通過した処理ガスを上部電極 1 3 0のガス吐出孔 1 3 0 aに送る ためのガス供給経路 1 3 2 aが設けられている。 また， クーリングプレー卜 1 3 2の外周には， 図 2〜図 4に示す ように， インシユレ一タ 1 3 6に形 された段部 1 3 6 aと係合す る張り出し部 1 3 2 bが形成されている。 張り出し部 1 3 2 bと段 部 1 3 6 aは， 嵌め合わせ時に， 上部電極 1 3 0あるいはシールド リング 1 3 4とインシュレータ 1 3 6との処理室 1 0 2側面が面一 になるように形成されている。 このため， インシユレ一タ 1 3 6と シールドリング 1 3 4との間にも段差が形成されず， プラズマの乱 れをさらに防止することができる。 また， ク一リングプレー卜 1 3 2には， 図 2〜図 4に示すように， 上部電極 1 3 0の処理室 1 0 2側外縁部を覆い， 上述した締結部材 1 5 0の処理室 1 0 2内への露出を防止するためのシールドリング 1 3 4が取り付けられている。 シールドリング 1 3 4は， 誘電性材 料， 例えば石英から成り， 図 3 ( b ) および図 4に示すように， 略 環状に形成されている。 また， シールドリング 1 3 4は， パーティクルの発生を抑えるた めの表面処理が施されている。 この表面処理を行う場合には， まず 機械加工によリ略環状形状に形成されたシールドリング 1 3 4の表 面，例えば処理室 1 0 2内への露出面にサンドプラス卜処理を施し， いわゆるツールマークやバリなどの破砕層を除去して表面を平坦化 する。 さらに， ブラスト処理は， 破砕層が除去されるまで処理を行 う通常ブラスト処理よりも過剰に， 例えば通常ブラスト処理を行う 時間の約 2倍程度の時間行う。 次いで， 過剰ブラスト処理後のシー ルドリング 1 3 4を， 濃度が 1 5 %程度の H F溶液中に 1 0分〜 6 0分間， 好ましくは 3 0分〜 6 0分間浸し， H F (フッ酸） 処理を 行う。 かかる処理により， 図 5に示すように， 機械加工のみ， または機 械加工と通常ブラスト処理とを行った場合よリも， シールドリング ,1 3 4の表面祖度を低くできる。 その結果， 図 6に示すように， 機 械加工のみ， または機械加工と通常ブラス卜処理とを行った場合よ リも， シールドリング 1 3 4から発生するパーティクル数を低下さ せることができる。 なお， シールドリング 1 3 4の表面祖度は， 図 5に示すように， H F処理の処理時間に応じて高くなる。 ただし， 該処理時間が 1 0分〜 6 0分間であれば， 図 6に示すように， パー ティクル数を低下させることができる。 また， シールドリング 1 3 4の表面 （プラズマに曝される部分） に C V D製法によって S i C膜を被覆させることによって， 耐プラ ズマ性を向上させることができる。 S i C膜は， 2〜 3 m m程度が 好ましく， プロセス時間から S i C膜の消耗量を予測し， 母材の石 英が露出する以前にリコー卜するようにすれば， 母材を消耗させる ことなく， 繰り返して使用することが可能である。 また，シールドリング 1 3 4のクーリングプレー卜 1 3 2側面（内 周面） には， 図 2〜図 4， 図 7に示すように， シールドリング 1 3 4を嵌め合わせるための本実施の形態にかかる複数の溝 1 3 4 aが 形成されている。 溝 1 3 4 aは， クーリングプレート 1 3 2の外周 面に形成された複数の突起 1 3 2 cと対応するように形成されてい る。 また， 溝 1 3 4 aは， 図 7 ( b ) に示すように， 第 Ί溝 1 3 4 a aと第 2溝 1 3 4 a bから成る。 第 1溝 1 3 4 a aは， シールド リング 1 3 4の嵌め合わせ方向， 例えばシールドリング 1 3 4の処 理室 1 0 2側面に対して垂直方向に延伸するように形成されている。 また， 第 2溝 1 3 4 a bは， 円周方向に奥まるにつれて嵌め合わせ 方向， 例えばシールドリング 1 3 4の処理室 1 0 2側面方向に傾斜 するように形成されている。 なお， プラス卜処理の前後に， フアイ アポリツシュゃ砂擦り等の処理を付加しても同様の効果を得ること ができる。 かかる構成により， 取付時には， まず突起 1 3 2 cと第 1溝 1 3 4 a aとが対応するようにシールドリング 1 3 4をクーリングプレ 一卜 1 3 2に嵌め合わせる。 その後， 第 2溝 1 3 4 a bの延伸方向' とは逆方向にシールドリング 1 3 4を回転させれば， シールドリン グ 1 3 4をクーリングプレート 1 3 2に取り付けることができる。 また， 取り外す場合には， 上記とは逆順の動作を行い， まず第 2溝 1 3 4 a bの延伸方向にシールドリング 1 3 2を回転させる。 その 後， クーリングプレー卜 1 3 2からシールドリング 1 3 4を引き抜 けば， シールドリング 1 3 2を取り外すことができる。 このため， シールドリング 1 3 4の着脱をネジなどの締結部材を用いずに行う ことができる。 その結果， シールドリング 1 3 4の着脱を容易に行 うことが可能となり， メンテナンス作業者の負担を軽減できる。 ま た， かかる構成によれば， シールドリング 1 3 4は， 締結部材で固 定されていないので， 装着後も移動可能である。 このため， シール ドリング 1 3 4が石英から成り， クーリングプレート 1 3 2がアル ミニゥムから成る場合のように， 線膨張係数が異なる部材同士を組 み合わせても， 処理時に生じる熱によるシールドリング 1 3 4ゃク —リングプレート 1 3 2へめ負荷を軽減できる。 その結果， シール ドリング 1 3 4やクーリングプレー卜 1 3 2の構成材料の選択幅を 広げることができる。 また， 上述した上部電極 1 3 0， クーリングプレート 1 3 2 , シ ールドリング 1 3 4から成る一体化されたアセンブリは， 図 2に示 すようにインシュレータ 1 3 6により支持されている。 インシユレ ータ 1 3 6は， 高周波電力を伝達するクーリングプレー卜 1 3 2と 処理容器 1 0 4とを絶縁する絶縁部材として機能し， 例えばセラミ ックスから成る。 また， インシユレ一タ 1 3 6は， ク一リングプレ ート 1 3 2およびシールドリング 1 3 4の周囲を囲うように， 略筒 状に形成されている。 また， インシュレータ 1 3 6の内周上部には， 上述したクーリン グプレート 1 3 2の外周に形成された張り出し部 1 3 2 bと係合可 能な段部 1 3 6 aが形成されている。 かかる構成により， 上部電極 1 3 0， ク一リングプレート 1 3 2 , シールドリング 1 3 4から成 るアセンブリは， 単にインシユレ一夕 1 3 6内に挿入することによ リ所定位置に固定できる。 このため， 該アセンブリを， 締結部材を 用いずに簡単に着脱できる。 また， インシュレータ 1 3 6の外周下部には， 処理容器 1 0 4の 上端部と係合可能な段部 1 3 6 bが形成されている。 かかる構成に より， インシュレータ 1 3 6は， 単に処理容器 1 0 4に嵌め合わせ ることにより， 所定位置に配置できる。 また， インシユレ一タ 1 3 6とク一リングプレート 1 32との間， および処理容器 1 04との 間には， 封止部材としての Oリング 1 52， 1 54が設けられてい る。 また， インシユレータ 1 36は， 以下で詳述するロック機構 1 56により上部アセンブリ 1 26を構成するシールドボックス 1 3 8に着脱自在に固定されている。
( b) 上部アセンブリの構成
次に， 上部アセンブリ 1 26の構成につ t、て説明すると， シール ドボックス 1 38は， 高周波電力の装置外部への漏洩を防止するた めのもので， 例えばステンレスから成り， .図 2に示すように， 給電 棒 1 42およびエレク トロポディ 1 44と， 下部アセンブリ 1 28 の周囲を囲うように略筒状に形成されている。 また， シールドポッ クス 1 38は， 処理容器 1 04により支持されている。 また， シー ルドボックス 1 38は， 処理容器 1 04および不図示の接地線を介 して接地されている。 また， シールドボックス 1 38は， 本実施の形態にかかるロック 機構 1 56により， 下部アセンブリ 1 28を構成するインシユレ一 タ 1 36に着脱自在に固定される。 このロック機構 1 56は， 図 8 に示すように， インシュレータ （対応溝側部材） 1 36を固定する 固定ピン 1 56 a, 固定ピン 1 56 aを回転軸 1 56 bを介して支 持する支持部材 （第 1部材） 1 56 cから主に構成されている。 固 定ピン 1 56 aは， 例えばステンレスから成り， 略棒状に形成され ている。 支持部材 1 56 cは， 例えばアルミニウムから成り， シ一 ルドボックス （第 2部材） 1 38の外周面に対して回転移動が可能 なように略環状に形成されている。 また， 支持部材 1 56 cには， 固定ピン 1 56 aが図 8 (a) に示すようにインシユレ一タ 1 36 に対して垂直方向に突出する第 1位置と， 図 8 (b) に示すように 傾斜してィンシュレータ 1 36から退避する第 2位置との間での移 動を許容する溝 1 56 dが設けられている。 また， シールドボックス 1 38の側壁には， 図 8に示すように， 固定ピン 1 56 aをインシユレータ 1 36の外周面に設けられた固 定ピン対応溝 1 36 cまで揷通させることが可能な貫通孔 1 38 a が形成されている。 貫通孔 1 38 aは， 固定ピン 1 56 aが上記第 1 および第 2位置間での移動が可能な形状に形成されている。また， 貫通孔 1 38 aの内壁面には， 第 1 および第 2突起 1 38 b， 1 3 8 cが設けられている。 第 1突起 1 38 bは， 支持部材 1 56 cを 図 8 ( a) に示すロック方向に移動させる際に， 固定ピン 1 56 a が上記第 2位置から第 1位置に移動する場合の支点となる。 また， 第 2突起 1 38 cは， 支持部材 1 56 cを図 8 (b) に示すアン口 ック方向に移動させる際に， 固定ピンが 1 56 aが上記第 1位置か ら第 2位置に移動する場合の支点となる。 かかる構成により， シールドボックス 1 38とインシユレ一タ 1 36とは， 支持部材 1 56 cをシールドボックス 1 38に対して相 対移動， 例えばロック方向に回動させることにより， 固定ピン 1 5 6 aが第 1位置において固定ピン対応溝 1 36 cに突出し， 固定さ れる。また， シールドボックス 1 38とィンシュレータ 1 36とは， 支持部材 1 56 cをシールドボックス 1 38に対してアン口ック方 向に回動させることにより，固定ピン 1 56 aが第 2位置に退避し， 分離.される。 その結果， シールドボックス 1 38を含む上部ァセン プリ 1 2 6とインシユレ一タ 1 3 6を含む下部アセンブリ 1 2 8と を， ネジゃポルトなどの固定部材を用いずに， 容易かつ迅速に着脱 自在に固定できる。 また， ロック機構 1. 5 6は， 上部アセンブリ 1 2 6と下部アセンブリ 1 2 8との位置決め機能を有しており， 各ァ センプリ同士を確実に固定できる。 上部アセンブリ 1 2 6と下部アセンブリ 1 2 8とをロックする口 ック機構は， より簡便な構成とすることも可能である。 次にかかる 簡便な構成のロック機構 2 5 6の構成について、 図 9及び図 1 0を 参照しながら説明する。 このロック機構 2 5 6は、 下部アセンブリ 1 2 8の一部をなすィ ンシユレ一タ 1 3 6に設けられるォス部材 2 5 6 cと、 上部ァセン プリ 1 2 6の一部をなすシールドボックス 1 3 8に設けられるメス 部材 2 5 6 aから構成される。 図中に示すように、 ォス部材 2 5 6 cは， インシュレータ 1 3 6に固定されるピン部材として構成する ことができる。 ピン部材は， 軸部 2 5 6 "とその軸部 2 5 6 "よりも 大径の頭部 2 5 6 'から構成される。 メス部材に 2 5 6 aには， ォス部材 2 5 6 cを揷入して移動させ るための溝 2 5 6 bが形成されている。 この溝 2 5 6 bは， ォス部 材 2 5 6 cの頭部 2 5 6 c，を挿入可能な溝幅を有する揷入孔 2 5 6 b 'と， その揷入孔 2 5 6 b，に連通し， ォス部材 2 5 6 cの頭部 2 5 6 c，よリ小さく軸部 2 5 6 c "よリも大径の溝幅を有する口ッ ク溝 2 5 6 b "とから構成されている。 ロック溝 2 5 6 "は， シール ドボックス 1 3 8の回転半径にほぼ沿うように配され， 挿入された ォス部材 256 cを回転運動に応じて案内することが可能なように 構成されている。 またメス部材 2 5 6 aは， 揷入孔 2 5 6 b'付近 が肉薄に形成され， ロック溝 256"から遠ざかるにつれ順次肉厚 に形成されている。 かかる構成によリ， ォス部材 256 cを揷入孔 254 b，から挿入した際に， その頭部 256 c'を挿入孔 254 b' から突出させ， ォス部材 256 cをロック溝 256"に沿って案内 するにつれ， その頭部 256 c，とロック溝 256"表面とが近づき， 最終的に頭部 2 56 c'の裏面が口ック溝 2 56"の表面と当接した 時点で， 口ックが完了するようなロック機構が実現される。 次に上記ロック機構 256の動作について簡単に説明すると， ま ず下部アセンブリ 1 2 8に上部アセンブリ 1 26をロックしたい場 合には， 下部アセンブリ 1 28に形成されたォス部材 256 cを， 上部アセンブリ 1 26のメス部材 2 56 aの揷入孔 2 56 b，に揷 入する。 次いで， ロック溝 256，にォス部材 2 56 cを案内させ ながら， 上部アセンブリ 1 26を回転させ， 最終的に頭部 256 c' の裏面がロック溝 25 6"の表面と当接するとロックが完了する。 下部アセンブリ 1 28に上部アセンブリ 1 26をアンロックさせた い場合には， 逆順の動作を行えばよい。 以上のように， ロック機構 256によれば， より簡便な構成で， ロック機構を実現できる。 な お， ォス部材とメス部材の配置に関しては， 天地逆に構成しても同 様の効果を得ることができる。 また， 図 2に示すように， シールドボックス 1 38上には， 整合 器 1 1 2を収容する， 例えばステンレス製のマッチングボックス 1 40が載置されている。 マッチングボックス 1 40の底部には， シ 一ルドボックス 1 3 8内に突出する略凸状の整合器 1 1 2の出力部 1 1 2 aが不図示の絶縁部材を介して固定されている。 出力部 1 1 2 aには， エレク トロポディ 1 4 4に高周波電力を伝達するための 給電棒 1 4 2が接続されている。 給電棒 1 4 2は， 例えばステンレス製の略管状部材から成り， 弾 力性を有する導電性の不図示の多面接触子を介して上記出力部 1 1 2 aおよびエレク トロボディ 1 4 4に形成されている入力部 1 4 4 aに接続されている。 また， 整合器 1 1 2の出力部 1 1 2 aと給電 棒 1 4 2の上端部とは， 不図示のネジで固定されている。 一方， 給 電棒 1 4 2の下端部とエレク トロボディ 1 4 4の入力部 1 4 4 aと は， 不図示のピン等で数 m m程度上下動自在に固定されている。 か かる構成によリ， ±部アセンブリ 1 2 6を下部アセンブリ 1 2 8上 に載置すると， エレク 卜ロボディ 1 4 4は， その自重によリク一リ ングプレート 1 3 2に密着し，処理室 1 0 2の気密性が確保される。 また， かかる場合には， クーリングプレート 1 3 2は， エレク ト ロボディ 1 4 4の重量によリインシュレ一タ 1 3 6に密着する。 ま た， インシユレ一タ 1 3 6は， エレク トロボディ 1 4 4と下部ァセ ンブリ 1 2 8の重量により処理容器 1 0 4に密着する。 その結果， 上記各部材が相互に密着するので， 処理室 1 0 2内を気密に保つこ とができる。 また， 処理室 1 0 2内を真空排気すれば， 処理容器 1 0 4内外の気圧差により， クーリングプレー卜 1 3 2とインシユレ ータ 1 3 6との間と， インシユレ一タ 1 3 6と処理容器 1 0 4との 間がよリー層密着するので， 処理室 1 0 2の気密性をさらに高める ことができる。 また， エレク トロボディ 1 4 4は， 上述したように高周波電力を クーリングプレー卜 1 3 2に伝達するためのもので， 例えば陽極酸 化処理されたアルミニウムから成る略円盤状部材から構成されてい る。 また， エレク トロボディ 1 4 4の下部には， 処理ガスを拡散す るためのバッフル板 1 4 8を収容可能な空間 1 4 4 bが形成されて いる。 また， エレク トロボディ 1 4 4には， 不図示のガス供給源か らの処理ガスを空間 1 4 4 bに供給するためのガス供給経路 1 4 4 cが内装されている。 また， 空間 1 4 4 b内に配されるバッフル板 1 4 8は， 例えば陽極酸化処理されたアルミニウムから成る略円盤 状の上部および下部バッフル板 1 4 8 a， 1 4 8 bから構成されて いる。 上部および下部バッフル板 1 4 8 a， 1 4 8 bは， 締結部材 1 5 8によリエレク トロボディ 1 4 4に固定されている。 また， 上 部および下部バッフル板 1 4 8 a , 1 4 8 bには， それぞれ貫通孔 1 4 8 a a , 1 4 8 b aが形成されている。 かかる構成によリ， 処 理ガスは， ガス吐出孔 1 3 0 aにガス供給経路 1 4 4 c， バッフル 板 1 4 8， ガス供給経路 1 3 2 aを介して送られる。 また， エレク トロボディ 1 4 4には， 処理時に上部電極 1 3 0に 生じた熱を吸熱し， 上部電極 1 3 0を所定温度に維持するための冷 媒を循環させる冷媒循環路 1 4 4 dが内装されている。 また， エレ ク トロボディ 1 4 4とクーリングプレー卜 1 3 2との間には， 封止 部材としての Oリング 1 6 0と， 導電性を確保するための導電性 O リング 1 6 2とが介装されている。 また， エレク トロポディ 1 4 4は， エレク トロボディ 1 4 4とシ ールドボックス 1 3 8とを絶縁するためのィンシュレ一タ 1 4 6に より支持されている。 インシユレ一タ 1 4 6は， 絶縁性材料， 例え ばセラミックスから成り， エレク トロボディ 1 4 4の周囲を囲うこ とが可能なように， 略筒状に形成されている。 また， インシユレ一 タ 1 4 6の内周上部には， エレク トロボディ 1 4 4の外周上部に形 成された張り出し部 1 4 4 eと係合可能な段部 1 4 6 aが形成され ている。 かかる構成により， エレク トロボディ 1 4 4は， インシュ レータ 1 4 6内に揷入することによリ， インシュレ一タ 1 4 6によ リ支持される。 また， インシユレータ 1 4 6の外周下部には， シー ルドボックス 1 3 8の内壁下部に形成された張り出し部 1 3 8 dと 係合可能な段部 1 4 6 bが形成されている。 かかる構成により， ィ ンシユレ一タ 1 4 6は， エレク トロボディ 1 4 4とともに， シール ドボックス 1 3 8に支持される。 また， シールドボックス 1 3 8の外周周囲には， 上部アセンブリ 1 2 6を単体で， あるいは上部および下部アセンブリ 1 2 6 , 1 2 8を一体的に装着位置から移動させてエッチング装置 1 0 0から分 離するための昇降機構 1 6 4が接続されている。 なお， 上部および 下部アセンブリ 1 2 6， 1 2 8の着脱構成については， 後述する。
( 3 ) 上部および下部アセンブリの着脱構成
次に， 下部アセンブリ 1 2 8のメンテナンスおよび処理室 1 0 2 内のメンテナンスを行う場合を例に挙げて上部および下部ァセンブ リ 1 2 6， 1 2 8の着脱構成について説明する。
( a ) 下部アセンブリのメンテナンス 下部アセンブリ 1 2 8をメンテナンスする場合には， まず図 1 1 に示すように， インシュレ一タ 1 3 6とシールドボックス 1 3 8と を固定するロック機構 1 5 6を解除する。 その後， 昇降機構 1 6 4 により， 上部アセンブリ 1 2 6を上昇させて， 装着位置から退避さ せる。 かかる工程により， 下部アセンブリ 1 2 8が露出する。 すで に説明したように， 上部アセンブリ 1 2 6と下部アセンブリ 1 2 8 とがネジ等で固定されていないので，上記操作が可能となっている。
次いで， 図 3 ( a ) に示すように， インシユレータ 1 3 6に嵌め 込まれている一体化された上部電極 1 3 0 , クーリングプレート 1 3 2， シールドリング 1 3 4から成るアセンブリをメ テナンス作 業者の手で取り外す。 かかる工程により， 処理室 1 0 2上には， ィ ンシュレータ 1 3 6のみが残される。 取り外されたァ "trンブリは， 図 3 ( b ) および図 4に示すように， シールドリング 1 3 4， 上部 電極 1 3 0の順に取り外し，クーリングプレー卜 1 3 2と分離する。 その後， 処理時に生じた反応性生物が付着したり， あるいはプラズ マの衝突により消耗している上部電極 1 3 0およびシールドリング 1 3 4を， クリーニングあるいは交換する。 なお， メンテナンス終 了後には， 上部電極 1 3 0 , クーリングプレー卜 1 3 2 , シールド リング 1 3 4は， 上記とは逆順の工程を行うことにより元の状態に 戻される。 上記の如く， クーりングプレー卜 1 3 2とシールドリン グ 1 3 4とは， ネジ等で固定されていないので， 迅速かつ簡単にメ ンテナンスできる。 また， 処理室 1 0 2上に載置されているインシ ユレータ 1 3 6についても， 作業者が取り外すことにより， メンテ ナンスを行っても良い。 また， 上部アセンブリ 1 2 6についても， メンテナンスを行っても良い。 その後， 再びメンテナンス済みの上部電極 1 3 0 , クーリングプ レート 1 3 2， シールドリング 1 3 4から成るアセンブリを， イン シユレ一タ 1 3 6に嵌め込み， 装着する。 この際， 取り外された上 部電極 1 3 0， クーリングプレート 1 3 2， シールドリング 1 3 4 から成るアセンブリを再び装着するのではなく， スペアのメンテナ ンス済みのアセンブリを装着すれば， メンテナンス時間を短縮する ことができる。 そして， 昇降機構 1 6 4を降下させて， 上部ァセン プリ 1 2 6を下部アセンブリ 1 2 8に装着し， シールドボックス 1 3 8とインシユレ一タ 1 3 6とをロック機構 1 5 6で固定すること により， 下部アセンブリ 1 2 8のメンテナンス作業が終了する。
( b ) 処理室内のメンテナンス
処理室 1 0 2内をメンテナンスする場合には， まず図 1 2に示す ように， インシュレータ 1 3 6とシールドボックス 1 3 8とを固定 するロック機構 1 5 6をロックしておく。 次いで， 昇降機構 1 6 4 により， 上部および下部アセンブリ 1 2 6， 1 2 8を一体的に上昇 させて， 装着位置から退避させる。 かかる工程により， 処理室 1 0 2内が完全に開放される。その後， 処理室 1 0 2内のメン亍ナンス， 例えば処理容器 1 0 4内壁に付着している付着物を除去するクリ一 ニングを行う。 そして， 上記とは逆順に， 昇降機構 1 6 4を降下さ せて， 上部および下部アセンブリ 1 2 6 , 1 2 8を一体的に処理容 器 1 0 4上に載置することにより， メンテナンス作業が終了する。 以上， 本発明の好適な実施の一形態について， 添付図面を参照し ながら説明したが，本発明はかかる構成に限定されるものではない。 特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇において， 当業者で あれば， 各種の変更例および修正例に想到し得るものであり， それ ら変更例および修正例についても本発明の技術的範囲に属するもの と了解される。 例えば， 上記実施の形態において， 上部および下部アセンブリに 特定の部材を規定して説明したが， 本発明はかかる規定に限定され ない。 本発明は， 各アセンブリに含まれる部材が上記実施の形態と は異なる場合でも実施できる。 また， 上記実施の形態において， クーリングプレー卜に突起を形 成し，シールドリングに溝を形成する構成を例に挙げて説明しがた， 本発明はかかる構成に限定されない。 本発明は， クーリングプレー トまたはシールドリングのいずれか一方に突起あるいは溝を形成す ることによリ実施できる。 また， 上記実施の形態において， 昇降機構をシールドボックスに 常時接続する構成を例に挙げて説明したが， 本発明はかかる構成に 限定されない。 本発明は， メンテナンス時のみに， 昇降機構を上部 アセンブリに固定しても実施できる。 また， 上記実施の形態において， 昇降機構により上部アセンブリ や下部アセンブリを昇降させる構成を例に挙げて説明したが， 本発 明はかかる構成に限定されない。 本発明は， 上部アセンブリや下部 アセンブリを昇降のみならず， 回転させる場合にも適用できる。 昇降機構の変形例を図 1 3に示す。 図 1 3 ( a ) は昇降機構 2 6 4の正面図であり， 図 1 3 ( b ) は昇降機構 2 6 4の側面図である。 図 1 3 ( a ), ( b ) において， 二点鎖線は， 上部および下部ァセン プリ 1 2 6， 1 2 8を処理容器 1 0 4に対して開放した状態を示し ており， 実線は， 上部および下部アセンブリ 1 2 6， 1 2 8を処理 容器 1 0 4に対して閉止した状態を示している。 この昇降機構 2 6 4は， 上部および下部アセンブリ 1 2 6， 1 2 8の荷重を一体的または独立的に支持するメインシリンダ 2 6 5と， 上部および下部アセンブリ 1 2 6 , 1 2 8の荷重を一体的に支持し て上昇させる場合にオンされ， 上部アセンブリ 1 2 6を単体で支持 して上昇させる場合にオフされるサブシリンダ 2 6 6とから構成さ れる。 すなわち， サブシリンダ 2 6 6は， オン/オフ選択式のアジ ヤス卜ストッパ 2 6 7を有するとともに， 上述のロック機構 1 5 6 と連動するように構成され， ロック機構 1 5 6の解除動作に連動し て， サブシリンダ 2 6 6はオフ （伸長状態で保持） される。 図 1 3 ( b ) において， 符号 dはアジャストストッパ 2 6 7の移動範囲を 示している。 かかる構成により， 上部アセンブリ 1 2 6のみを開閉 操作させる場合でも， 上部アセンブリ 1 2 6がはねあがるのを防止 して， 安全に開閉操作させることができる。 また， 上記実施の形態において， 下部アセンブリと処理室内のメ ンテナンスを行う構成を例に挙げて説明したが， 本発明はかかる構 成に限定されない。 本発明は， さらに上部アセンブリのメンテナン スを行う場合にも適用できる。 また， 上記実施の形態において， 上部電極に高周波電力が印加さ れる構成を例に挙げて説明したが， 本発明はかかる構成に限定され ない。 本発明は， 上部電極が接地電極であっても実施できる。 この 際， エレク トロボディ， 給電棒， クーリングプレー卜を接地経路と して使用しても良い。 また， 上記実施の形態において， 平行平板型のエッチング装置を 例にあげて説明したが， 本発明はかかる構成に限定されない。 本発 明は， マグネ卜 i ン型ゃ誘導結合型などの各種プラズマ処理装置に も適用できる。 また， 本発明は， エッチング処理のみならず， アツ シング処理や成膜処理などの各種プラズマ処理処理を行う装置にも 適用できる。 また， 本発明は， L C D用ガラス基板に処理を施す装 置にも適用できる。 本発明によれば， 重量が重い上部電極ュニッ卜を作業者が作業し やすい 2つの上部および下部アセンブリに分割し， かつ昇降機構に より移動させるので， 作業者への負担を軽減できる。 また， 上部お よび下部アセンブリ同士， 各アセンブリの構成部材同士を締結手段 を用いずに， あるいは締結手段で締結する個所を減少させたので， 作業時間を短縮することができる。
産業上の利用の可能性 本発明は， 半導体装置の製造工程において用いられる処理装置に 適用可能であり， 特に， 処理室の天井部を構成する上部電極ュニッ トとその上部電極ュニッ卜を昇降させることが可能な昇降機構を備 えた処理装置に適用可能である。

Claims

請求の範囲
( 1 ) 処理室の天井部を構成する上部電極ュニッ 卜と前記上部電 極ュニッ 卜を昇降させることが可能な昇降機構を備えた処理装置で あって ：
前記上部電極ュニッ 卜は， 前記処理室側の下部アセンブリと電力 供給側の上部アセンブリから構成され；
前記下部アセンブリと前記上部アセンブリは， 前記上部電極ュニ ッ 卜の外周面に設けられナこロック機構のみにより分離合体可能であ し J ；
前記下部ァセンブリは， 機械的機構なしに前記処理室内と外部と の差圧および前記上部電極ュニッ 卜の自重により前記処理室の天井 部に気密に固定可能であること ；
を特徴とする， 処理装置。
( 2 ) 前記処理室内のメンテナンス時には， 前記ロック機構を口 ックさせた状態で前記上部アセンブリと前記下部アセンブリとを一 体的に上昇させることを特徴とする， 請求項 1 に記載の処理装置。
( 3 ) 前記下部アセンブリは， 交換または洗浄が必要な部品を含 み；
前記部品のメンテナンス時には， 前記ロック機構をアンロックさ せた状態で前記上部アセンブリのみを上昇させることを特徴とする, 請求項 1 に記載の処理装置。
( 4 ) 処理室の天井部を構成する上部電極ュニッ卜と前記上部電 極ュニッ卜を昇降させることが可能な昇降機構を備え， 前記上部電 極ュニッ 卜は前記処理室側の下部アセンブリと電力供給側の上部ァ センプリから構成され， 前記下部アセンブリと前記上部アセンブリ は前記上部電極ュニッ 卜の外周面に設けられたロック機構のみによ リ分離合体可能であり， 前記下部アセンブリは機械的機構なしに前 記処理室内と外部との差圧および前記上部電極ュニッ 卜の自重によ リ前記処理室の天井部に気密に固定可能な処理装置のメンテナンス 方法であって ：
前記ロック機構をロックした状態で前記昇降機構によリ前記上部 アセンブリと前記下部アセンブリとを一体的に上昇させた後に， 前 記処理室内をメンテナンスする工程を含むことを特徴とする， 処理 装置のメンテナンス方法。
( 5 ) 処理室の天井部を構成する上部電極ュニッ 卜と前記上部電 極ユニッ トを昇降させることが可能な昇降機構を備え， 前記上部電 極ュニッ トは前記処理室側の下部アセンブリと電力供給側の上部ァ センプリから構成され， 前記下部アセンブリと前記上部アセンブリ は前記上部電極ュニッ 卜の外周面に設けられたロック機構のみによ リ分離合体可能であり， 前記下部アセンブリは機械的機構なしに前 記処理室内と外部との差圧および前記上部電極ュニッ 卜の自重によ リ前記処理室の天井部に気密に固定可能な処理装置のメンテナンス 方法であって ：
前記ロック機構をアンロックした状態で前記昇降機構によリ前記 上部アセンブリを上昇させた後， 前記上部アセンブリおよび/また は前記下部アセンブリをメンテナンスする工程を含むことを特徴と する， 処理装置のメンテナンス方法。
( 6 ) 円柱状電極アセンブリと前記円柱状電極アセンブリの周囲 に嵌め合わせ可能な環状部材との処理装置部品の組立機構であつ て ：
前記円柱状電極アセンブリの外周面または前記環状部材の内周面 のいずれか一方には複数の突起が形成され， いずれか他方には前記 突起に対応する複数の溝が形成されており ；
前記溝 Jま， 前記円柱状電極アセンブリと前記環状部材とを嵌め合 わせるべく前記突起を嵌め合わせ方向に案内するように嵌め合わせ 方向に延伸する第 1溝と， 一旦嵌め合わせた前記円柱状電極ァセン プリと前記環状部材とを相対回転させるベく前記突起を案内するよ うに回転方向に延伸する第 2溝から成り ；
さらに， 前記第 2溝は， 奥まるにつれ前記嵌め合わせ方向に傾斜 していること ；
を特徴とする， 処理装置部品の組立機構。
( 7 ) 前記突起が前記第 2溝の最奥に到達した際に， 前記円柱状 電極アセンブリと前記環状部材との処理室側面が面一になることを 特徴とする， 請求項 6に記載の処理装置部品の組立機構。
( 8 ) 前記円柱状電極アセンブリには， 前記環状部材が嵌め込ま れる段部が形成されていることを特徴とする， 請求項 7【：記載の処 理装置部品の組立機構。 ( 9 ) 前記円柱状電極アセンブリは電極プレー卜と冷却プレー卜 のアセンブリであり， 前記環状部材はシ一ルドリングであり， 前記 突起または前記溝は前記冷却プレー卜または前記シールドリングに 形成されていることを特徴とする， 請求項 6に記載の処理装置部品 の組立機構。
( 1 0 ) 前記円柱状電極アセンブリは電極プレートと冷却プレー 卜のアセンブリであり， 前記環状部材はシールドリングであり， 前 記突起または前記溝は前記冷却プレー卜または前記シールドリング に形成されていることを特徴とする， 請求項 7に記載の処理装置部 品の組立機構。
( 1 1 ) 前記円柱状電極アセンブリは電極プレートと冷却プレー 卜のアセンブリであり， 前記環状部材はシールドリングであり， 前 記突起または前記溝は前記冷却プレー卜または前記シールドリング に形成されていることを特徴とする， 請求項 8に記載の処理装置部 品の組立機構。
( 1 2 ) 円柱状電極アセンブリと前記円柱状電極アセンブリの周 囲に嵌め合わせ可能な環状部材とを備え， 前記円柱状電極ァセンブ リの外周面または前記環状部材の内周面のいずれか一方には複数の 突起が形成され， いずれか他方には前記突起に対応する複数の溝が 形成され， 前記溝は前記円柱状電極アセンブリと前記環状部材とを 嵌め合わせるべく前記突起を嵌め合わせ方向に案内するよゔに嵌め 合わせ方向に延伸する第 1溝と， 一旦嵌め合わせた前記円柱状電極 アセンブリと前記環状部材とを相対回転させるベく前記突起を案内 するように回転方向に延伸する第 2溝から成り， 前記第 2溝は奥ま るにつれ前記嵌め合わせ方向に傾斜している処理装置部品の組立機 構の組立方法であって ：
前記突起が前記第 1溝に沿って案内されるように前記環状部材を 前記円柱状電極アセンブリに嵌め合わせた後， 前記突起が前記第 2 溝に沿って案内されるように前記環状部材と前記円柱状電極ァセン プリとを相対回転させる工程を含むことを特徴とする， 処理装置部 品の組立機構の組立方法。
( 1 3 ) 軸回りを回動自在な固定ピンを対応溝に突出後退動作さ せることにより固定ピン側部材と対応溝 部材とを固定させるロッ ク機構であって ： ―
前記固定ピン側部材は，
前記固定ピンが取リ付けられ， 前記固定ピンが垂直方向に突出す る第 1位置と前記固定ピンが斜め方向に傾斜して後退する第 2位置 との間における前記固定ピンの回動動作を許容する第 1部材と ； 前記第 1部材に対して相対移動可能であって， 前記固定ピンを揷 通させることが可能な貫通孔が形成された第 2部材と ；から成り， 前記貫通孔には， 前記第 1部材と前記第 2部材とをロック方向に 相対移動させることにより前記固定ピンが前記第 2位置から前記第
1位置に移動する場合の支点となる第 1突起と， 前記第 1部材と前 記第 2部材とをアンロック方向に相対移動させることによリ前記固 定ピンが前記第 1位置から前記第 2位置に移動する場合の支点とな る第 2突起が形成されていること ；
を特徴とする， ロック機構。 ( 1 4 ) 前記対応溝側部材， 前記第 1部材， 前記第 2部材は， 同 心円上に配された円柱状または環状部材であり， 前記相対移動方向 は回転方向であることを特徴とする， 請求項 1 3に記載のロック機. 構。
( 1 5 ) 軸回りを回動自在な固定ピンを対応溝に突出後退動作さ せることにより固定ピン側部材と対応溝側部材とを固定し， 前記固 定ピン側部材は， 前記固定ピンが取リ付けられ前記固定ピンが垂直 方向に突出する第 1位置と前記固定ピンが斜め方向に傾斜して後退 する第 2位置との間における前記固定ピンの回動動作を許容する第 1部材と， 前記第 1部材に対して相対移動可能であって， 前記固定 ピンを揷通させることが可能な貫通孔が形成された第 2部材とから 成り， 前記貫通孔には， 前記第 1部材と前記第 2部材とをロック方 向に相対移動させることによリ前記固定ピンが前記第 2位置から前 記第 1位置に移動する場合の支点となる第 1突起と， 前記第 1部材 と前記第 2部材とをアンロック方向に相対移動させることによリ前 記固定ピンが前記第 1位置から前記第 2位置に移動する場合の支点 となる第 2突起が形成されているロック機構のロック方法であつ て ：
前記第 1部材ど前記第.2部材とを前記ロック方向に相対移動させ て前記固定ピンを前記第 2位置から前記第 1位置に配置し， 前記固 定ピン側部材と前記対応溝部材とを固定する工程を含むことを特徴 とする， ロック機構のロック方法。
( 1 6 ) さらに， 前記第 1部材と前記第 2部材とを前記アンロッ ク方向に相対移動させて前記第 1位置から前記第 2位置に配置し， 前記固定ピン側部材と前記対応溝部材とを分離する工程を含むこと を特徴とする， 請求項 1 5に記載のロック機構のロック方法。 ( 1 7 ) 第 1部材と前記第 1部材に載置される第 2部材とを相対 回転させることによリ固定するロック機構であって， 前記第 1部 材または前記第 2部材のいずれか一方に設けられ， 軸部と前記軸部 よりも大径の頭部とを有するピン部材が設けられたォス部材と ： 前記第 1部材または前記第 2部材のいずれか他方に設けられ， 前 記頭部を挿入可能な溝幅を有する揷入孔と， 前記揷入孔と連通し前 記頭部よリ小さく前記軸部よリ大きい溝幅を有し回転半径に沿う口 ック溝とから成るメス部材を備え；
前記メス部材は， 前記挿入孔付近が肉薄に形成され， 前記ロック 溝に沿って前記挿入孔から遠ざかるにつれ順次肉厚に形成されてい ることを特徴とする， ロック機構。
( 1 8 ) 第 1部材と前記第 1部材に載置される _第 2部材とを相対 回転させることによリ固定するロック機構であって，
前記第 1部材または前記第 2部材のいずれか一方に設けられ， 軸 部と前記軸部よりも大径の頭部とを有するピン部材が設けられたォ ス部材と ；
前記第 1部材または前記第 2部材のいずれか他方に設けられ， 前 記頭部を挿入可能な溝幅を有する揷入孔と， 前記揷入孔と連通し煎 記頭部よリ小さく前記軸部よリ大きい溝幅を有し回転半径に沿う口 ック溝とから成るメス部材を備え ；
前記メス部材は， 前記揷入孔付近が肉薄に形成され， 前記ロック 溝に沿って前記揷入孔から遠ざかるにつれ順次肉厚に形成されてい るロック機構のロック方法であって，
前記ォス部材のピン部材を前記メス部材の揷入孔に揷入し， 口ッ ク溝に沿って前記第 1部材と前記第 2部材とを相対回転させる を特徴とする， ロック機構のロック方法。
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