WO2002011214A1 - Beleuchtungseinheit mit mindestens einer led als lichtquelle - Google Patents

Beleuchtungseinheit mit mindestens einer led als lichtquelle Download PDF

Info

Publication number
WO2002011214A1
WO2002011214A1 PCT/DE2001/002849 DE0102849W WO0211214A1 WO 2002011214 A1 WO2002011214 A1 WO 2002011214A1 DE 0102849 W DE0102849 W DE 0102849W WO 0211214 A1 WO0211214 A1 WO 0211214A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
phosphor
lighting unit
unit according
white light
metals
Prior art date
Application number
PCT/DE2001/002849
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Dieter Bokor
Andries Ellens
Günter Huber
Franz Zwaschka
Frank Jermann
Manfred Kobusch
Michael Ostertag
Wolfgang Rossner
Original Assignee
Patent Treuhand Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH
Osram Opto Semiconductors Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Patent Treuhand Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH, Osram Opto Semiconductors Gmbh filed Critical Patent Treuhand Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH
Priority to US10/311,722 priority Critical patent/US7064480B2/en
Priority to JP2002516838A priority patent/JP5419315B2/ja
Priority to KR1020037000852A priority patent/KR100920533B1/ko
Priority to EP01956394A priority patent/EP1305833A1/de
Publication of WO2002011214A1 publication Critical patent/WO2002011214A1/de
Priority to US11/259,776 priority patent/US7239082B2/en
Priority to US11/725,815 priority patent/US7821196B2/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/0883—Arsenides; Nitrides; Phosphides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/58—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing copper, silver or gold
    • C09K11/582—Chalcogenides
    • C09K11/584—Chalcogenides with zinc or cadmium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/64—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing aluminium
    • C09K11/641—Chalcogenides
    • C09K11/642—Chalcogenides with zinc or cadmium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/66—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing germanium, tin or lead
    • C09K11/664—Halogenides
    • C09K11/665—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7732—Halogenides
    • C09K11/7733—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7734—Aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77342—Silicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/774—Borates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/778—Borates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7783—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
    • C09K11/7794—Vanadates; Chromates; Molybdates; Tungstates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7783—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
    • C09K11/7795—Phosphates
    • C09K11/7796—Phosphates with alkaline earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/88—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
    • C09K11/881—Chalcogenides
    • C09K11/886—Chalcogenides with rare earth metals
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Definitions

  • the invention is based on a lighting unit with at least one LED as a light source according to the preamble of claim 1. It is in particular a luminescence conversion LED emitting in the visible or white, based on an LED emitting primarily in the near UV or short-wave blue.
  • LEDs that emit white light are currently mainly produced by the combination of a Ga (ln) N LED emitting in the blue at about 460 nm and a yellow emitting YAG: Ce 3+ phosphor (US Pat. No. 5,998,925 and EP 862 794).
  • these white light LEDs are of limited use for general lighting purposes because of their poor color rendering due to the lack of color components (especially the red component). Instead, attempts are also being made to combine primarily blue-emitting LEDs with several phosphors in order to improve the color rendering, see WO 00/33389 and WO 00/33390.
  • BaMgAl 10 O 17 : Eu 2+ or ZnS: Ag + are known as inorganic phosphors; as a blue-green component ZnS: Cu + , or (Zn, Cd) S: Cu + , or ZnS: (Al, Cu) + ; as red component Y 2 O 2 S: Eu 2+ .
  • a number of organic phosphors are also recommended. For white emitting sources of high light quality with small dimensions or as backlighting from e.g. B. LCDs, fluorescent lamps and incandescent lamps are not very suitable. OLEDs are more suitable for this, but the UV resistance of organic phosphors is poorer than that of inorganic phosphors. In addition, the manufacturing costs are higher.
  • Blue LEDs with the phosphor YAG: Ce 3+ (and garnets derived from them) are also suitable in principle, but there are disadvantages in the color locus setting: the color locus can only be selected to a limited extent in such a way that white light is produced which enables good color rendering, since the white color impression is primarily caused by the mixture of blue emission from the LED and yellow emission from the phosphor.
  • the disadvantage of fluorescent lamps and UN (O) LEDs is that UV energy is converted into visible light with poor energy efficiency: UV radiation (in fluorescent lamps 254 and 365 nm; in UV LEDs 300 - 370 nm) with a wavelength of z. B. 254 nm is converted into light with a wavelength of 450-650 nm. This means an energy loss of 40 to 60% with a theoretical quantum efficiency of 100%.
  • Organic phosphors are generally more difficult to produce than inorganic phosphors and, moreover, are generally too unstable to be used in light sources with a long service life (eg over 30,000 hours).
  • the invention is particularly advantageous in connection with the development of an LED emitting in the visible or white.
  • This LED can be produced by combining an LED emitting in near UV or very short-wave blue light (here collectively referred to as “short-wave”) with an emission wavelength between 370 and 430 nm and at least one of the phosphors listed below, which emits the radiation of the LED entirely or partially absorbed and even emitted in spectral ranges, the additive mixture of which with the light from the LED and / or other dyes gives white light with good color rendering or light with a desired color location, depending on the application, a single phosphor with the properties according to the invention may be sufficient it can also be combined with one or more other phosphors according to the invention or phosphors of other classes, for example of the YAG: Ce type.
  • the blue light of the LED cannot be used here (or can hardly be used), in contrast to the prior art, the longer-wave blue ( 430 to 480 nm) is used, but is suitable s
  • a primary radiation source whose emission is much closer to the wavelength at which the phosphors emit can significantly increase energy efficiency. For example, with a source that emits at 400 nm, the energy loss is reduced to only 12 to 39%.
  • the technical problem lies in the development and production of sufficiently efficient phosphors that can be excited in the spectral range between 370 nm and 430 nm and at the same time show suitable emission behavior.
  • a phosphor according to the invention is combined with a binder that is as transparent as possible (EP 862 794).
  • the phosphor completely or partially absorbs the light from the UV / blue light-emitting LED and emits it again broadband in other spectral ranges, so that an overall emission with the desired color location is produced. So far, there are hardly any phosphors that meet these requirements as well as the phosphors described here. she show a high quantum efficiency (typically 70%) and at the same time a spectral emission, which is perceived as bright due to the sensitivity of the eye.
  • the color locus can be set in a wide range.
  • the advantages of these phosphors also include their relatively easy, environmentally friendly producibility, their non-toxicity and their relatively high chemical stability.
  • the invention relates in particular to a lighting unit with at least one LED as a light source (light emitting diode), which generates special, specifically desired color tones (for example magenta) or which, for example, generates white light by using a primarily short-wave (i.e. UV to blue in the range from 370 to 430 nm) ) emitting radiation is converted into white by means of several phosphors: either by mixing the secondary radiation of a blue and yellow emitting phosphor or in particular by RGB mixture of three phosphors which emit red, green and blue. For particularly high demands on color rendering, more than three phosphors can also be combined.
  • a light source light emitting diode
  • special, specifically desired color tones for example magenta
  • white light by using a primarily short-wave (i.e. UV to blue in the range from 370 to 430 nm) ) emitting radiation is converted into white by means of several phosphors: either by mixing the secondary radiation of a blue and yellow emitting
  • one of the phosphors used according to the invention can also be combined with other phosphors already known for this use, such as, for example, SrS: Eu (WO 00/33390) or YAG: Ce (US Pat. No. 5,998,925).
  • a Ga (ln, Al) N LED is particularly suitable as the primary short-wave emitting LED, but also any other way of producing a short-wave LED with a primary emission in the range 370 to 430 nm.
  • the invention extends the spectral emission characteristics of LEDs by using other phosphors and their mixtures beyond the current state of knowledge (see Tables 1 to 3).
  • the selection of the phosphors and mixtures used can be made in such a way that, in addition to true-color white, other mixed colors with broadband emission are also generated.
  • the light emitted by the LED is absorbed by the mixture that contains phosphors. This mixture is either applied directly to the LED or dispersed in a resin or silicone or applied to a transparent disc over one LED or applied to a transparent disc over several LEDs.
  • the inventive step is that by using LEDs with emission wavelengths between 370 and 430 nm (invisible or barely visible deep blue) and the use of phosphors listed below, an improved spectral adjustment of the LED emission is made possible and any color locations can be set, with a higher energy efficiency than with conventional LEDs.
  • Inorganic phosphors that can be excited with a relatively long wavelength are hardly known at present. Surprisingly, however, it has been shown that there are a number of inorganic phosphors which are suitable for being efficiently excited with radiation having a peak emission wavelength of 370-430 nm. Typical half-value widths of the emission are 20 nm to 50 nm.
  • the absorption of the phosphors can be controlled by the selected structural parameters and chemical composition.
  • Such phosphors all have a relatively small band gap (typically around 3 eV) or they have a strong crystal field for the ion, which absorbs the UV / blue light emitted by the LED around 400 nm.
  • certain combinations of phosphors can be selected in the phosphor mixture.
  • the most suitable phosphor mixture therefore depends on the chosen target (color rendering, color location, color temperature) and the existing LED emission wavelength.
  • any phosphor that fulfills the conditions mentioned above is suitable for use.
  • Phosphors which emit efficiently and which can be excited or at least partially excited in the 370-430 nm region are listed in the following tables.
  • Tab. 1 describes suitable blue phosphors with a peak emission wavelength of 440 to 485 nm
  • Tab. 2 suitable green phosphors with a peak emission wavelength of 505 to 550 nm
  • Tab. 3 suitable red phosphors with a peak emission wavelength of 560 to 670 nm This makes it possible for the first time to manufacture LEDs with high efficiency, which are based on a short-wave emitting diode that excites several phosphors.
  • Table 1 Blue-emitting phosphors:
  • M s (PO 4 ) 3 (X): Eu 2+ with M at least one of the metals Ba, Ca alone or in
  • M * 3MgSi2O8: Eu2 + with M at least one of the metals Ba, Ca, Sr alone or in combination
  • M ** MgA110O17: Eu2 + with M ** at least one of the metals Eu, Sr alone or in combination with Ba (Ba fraction is preferably at most 75%);
  • Eu share in the activator Ak is preferably> 50%;
  • (Zn, Cd) S Ag + where Zn and Cd are only used in combination; Zn is preferably ⁇ Cd;
  • (Ml) 2 (M2) (BO3) 2: Eu2 + with Ml at least one of the metals Ba, Sr; and with M2 is at least one of the metals Mg, Ca; the proportion of Ba in the cation Ml is preferably at least 80%; the proportion of Mg in metal M2 is preferably at least 70%.
  • GalnN or GaN or GalnAlN is preferably used as the UV diode (primary radiation source). For example, it has a peak wavelength of 400 nm and a full width at half maximum of 20 nm.
  • the diode substrate is coated directly or indirectly with a suspension of three phosphors, each with an emission maximum in the red, green and blue spectral range. At least one of these phosphors is selected from Tables 1 to 3 and is combined either with known phosphors or with phosphors from the other tables.
  • the phosphor mixture is baked at about 200 ° C. A color rendering of typically 80 is thus achieved.
  • Figure 1 is a semiconductor device that serves as a light source (LED) for white light;
  • Figure 2 shows a lighting unit with phosphors according to the present
  • 3 to 17 show the emission spectrum of LEDs with different phosphor mixtures according to the present invention.
  • the light source is a semiconductor component (chip 1) of the InGaN type with a peak emission wavelength of 420 nm and a half-width of 25 nm with a first and second electrical connection 2, 3, which is embedded in an opaque basic housing 8 in the region of a recess 9 , One of the connections 3 is connected to the chip 1 via a bonding wire 14.
  • the recess has a wall 17 which serves as a reflector for the blue primary radiation of the chip 1.
  • the recess 9 is filled with a potting compound 5, the main components of which are an epoxy casting resin (80 to 90% by weight) and phosphor pigments 6 (less contains less than 15% by weight). Other small proportions include methyl ether and Aerosil.
  • the phosphor pigments are a mixture.
  • the first conversion phosphor is selected from Table 1.
  • the second phosphor is selected from Tab. 2 and the third from Tab. 3.
  • FIG. 2 shows a section of a surface light 20 as a lighting unit. It consists of a common carrier 21 onto which a cuboid outer housing 22 is glued. Its top is provided with a common cover 23.
  • the cuboid housing has cutouts in which individual semiconductor components 24 are accommodated. They are UV-emitting light-emitting diodes with a peak emission of 380 nm.
  • the conversion to white light takes place by means of conversion layers which are seated directly in the casting resin of the individual LEDs, as described in FIG. 1, or layers 25 which are attached to all surfaces accessible to UV radiation are. These include the inner surfaces of the side walls of the housing, the cover and the base part.
  • the conversion layers 25 consist of three phosphors which emit in the yellow, green and blue spectral range using at least one of the phosphors according to the invention from Tables 1 to 3.
  • Tab. 6 shows 15 exemplary embodiments of specific combinations of phosphors from Tab. 4 in connection with a primary light source (UV-LED) with an emission peak in the range 370 to 420 nm.
  • UV-LED primary light source
  • the individual UV diodes are summarized in Tab. 5, in which the emission peak and the color location (as far as defined, that is from 380 nm) of the individual diodes is given.
  • the UV diode does not provide any part in the secondary emission, also because of the strong absorption by the three phosphors.
  • the diode delivers a small proportion of the blue, which increases with increasing wavelength, in addition to the blue phosphor. This proportion appears in Table 5 as an additional fourth contribution.
  • the particularly suitable phosphors for use in three-color mixtures under primary irradiation at 370 to 420 nm are the blue-emitting phosphors No. 2, 4 and 6, and the green-emitting phosphors 8, 9, 10, 13, 15, 16, 17 and 18 as well as the red-emitting phosphors 26, 28 and 29.
  • Exemplary embodiment no. 15 uses a blue-emitting diode with 420 nm peak emission with such a high intensity that it can fully replace the blue phosphor and only requires two additional phosphors in the green and red.

Abstract

Beleuchtungseinheit auf Basis einer Lumineszens-Konversions-LED, die primär Strahlung im Bereicht zwischen 370 und 430 nm des optischen Spektralbereichs emittiert (Peakwellenlänge), wobei diese Strahlung unter Zuhilfenahme von drei Leuchtstoffen, die im Roten, Grünen und Blauen emittieren, in längerwellige Strahlung konvertiert wird.

Description

Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH., München
Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
Technisches Gebiet
Die Erfindung geht aus von einer Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Es handelt sich insbesondere um eine im Sichtbaren oder Weißen emittierenden Lumineszenz-Konversions-LED auf der Basis einer primär im nahen UV oder kurzwelligen Blau emittierenden LED.
Stand der Technik
LEDs, die weißes Licht abgeben, werden derzeit vorwiegend durch die Kombination einer im Blauen bei etwa 460 nm emittierenden Ga(ln)N-LED und eines gelb emittierenden YAG:Ce3+-Leuchtstoffs erzeugt (US 5 998 925 und EP 862 794). Allerdings sind diese Weißlicht-LEDs für Zwecke der Allgemeinbeleuchtung wegen ihrer schlechten Farbwiedergabe aufgrund fehlender Farbkomponenten (vor allem der Rot-Komponente) nur eingeschränkt zu gebrauchen. Statt dessen wird auch versucht, primär blau emittierende LEDs mit mehreren Leuchtstoffen zu kombinieren um die Farbwiedergabe zu verbessern, siehe WO 00/33389 und WO 00/33390.
Grundsätzlich ist außerdem bekannt, weiß emittierende LEDs auch mit sogenannten organischen LEDs zu realisieren oder durch Zusammenschalten monochromer LEDs mit entsprechender Farbmischung. Meist wird eine UV LED (Emissionsmaximum zwischen 300 und 370 nm) verwendet, die mittels mehrerer Leuchtstoffe, meist drei, die i roten, grünen und blauen Spektralbereich emittieren (RGB- Mischung) in weißes Licht umgewandelt werden (WO 98 39 805, WO 98 39 807 und WO 97 48 138). Als blaue Komponente sind als anorganische Leuchtstoffe BaMgAl10O17:Eu2+ oder ZnS:Ag+ bekannt; als blaugrüne Komponente ZnS:Cu+, oder (Zn,Cd)S:Cu+, oder ZnS:(Al,Cu)+; als rote Komponente Y2O2S:Eu2+. Außerdem wird eine Reihe organischer Leuchtstoffe empfohlen. Für weiß emittierende Quellen von hoher Lichtqualität mit kleinen Dimensionen oder als Hintergrundbeleuchtung von z. B. LCDs sind Leuchtstofflampen und Glühlampen wenig geeignet. OLEDs sind dazu zwar besser geeignet, allerdings ist die UV-Beständigkeit von organischen Leuchtstoffen im Vergleich zu anorganische Leuchtstoffen schlechter. Außerdem sind die Herstellkosten höher. Blaue LEDs mit dem Leuchtstoff YAG:Ce3+ (und davon abgeleiteten Granaten) sind prinzipiell ebenfalls geeignet, jedoch bestehen Nachteile in der Farborteinstellung: Nur in beschränkter Weise kann der Farbort derart gewählt werden, dass weißes Licht entsteht, das eine gute Farbwiedergabe ermöglicht, da der weiße Farbeindruck primär durch die Mischung blauer Emission der LED und gelber Emission des Leuchtstoffs entsteht. Der Nachteil von Leuchtstofflampen und UN-(O)LEDs besteht darin, dass UV-Energie in sichtbares Licht mit einer schlechten Energieeffizienz umgewandelt wird: UV-Strahlung (in Leuchtstofflampen 254 und 365 nm; in UV LEDs 300 - 370 nm) einer Wellenlänge von z. B. 254 nm wird umgewandelt in Licht mit einer Wel- lenlänge von 450-650 nm. Das bedeutet einen Energieverlust von 40 bis 60 % bei einer theoretischen Quanteneffizienz von 100%.
Organische Leuchtstoffe sind im allgemeinen schwieriger herzustellen als anorganische Leuchtstoffe, und sind darüber hinaus im allgemeinen zu instabil, um in Lichtquellen hoher Lebensdauer (z. B. über 30.000 Stunden) eingesetzt werden zu kön- nen.
Dieser Stand der Technik hat einige bedeutende Nachteile hinsichtlich der Energieeffizienz der Kombination aus LED und Leuchtstoffen und /oder der Stabilität der Leuchtstoffe und /oder Beschränkungen hinsichtlich der geometrischen Dimensionen.
Darstellung der Erfindung
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquellegemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 bereitzustellen, die sich durch hohe Effizienz auszeichnet. Diese Aufgaben werden durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1 gelöst. Besonders vorteilhafte Ausgestaltungen finden sich in den abhängigen Ansprüchen.
Die Erfindung ist besonders vorteilhaft im Zusammenhang mit der Entwicklung einer im Sichtbaren bzw. Weißen emittierenden LED. Diese LED kann hergestellt werden durch Kombination einer im nahen UV oder sehr kurzwelligem blaues Licht (hier zusammenfassend als „kurzwellig" bezeichnet) emittierenden LED mit einer Emissionswellenlänge zwischen 370 und 430 nm und mindestens einem der unten angeführten Leuchtstoffe, der die Strahlung der LED ganz oder teilweise absorbiert und selbst in Spektralbereichen emittiert, deren additive Mischung mit dem Licht der LED und /oder anderen Farbstoffe weißes Licht mit guter Farbwiedergabe oder Licht mit einem gewünschten Farbort ergibt. Je nach Anwendung kann ein einziger Leuchtstoff mit den erfindungsgemäßen Eigenschaften ausreichen. Evtl. kann er auch mit einem oder mehreren anderen erfindungsgemäßen Leuchtstoffen oder Leuchtstoffen anderer Klassen, beispielsweise vom Typ YAG:Ce, kombiniert werden. Das blaue Licht der LED ist hier nicht (oder kaum) direkt nutzbar, im Gegensatz zum Stand der Technik, der längerwelliges Blau (430 bis 480 nm) verwendet, sondern eignet sich nur zur primären Anregung der Leuchtstoffe.
Eine primäre Strahlungsquelle, deren Emission viel näher an der Wellenlän- ge liegt, bei der die Leuchtstoffe emittieren, kann die Energieeffizienz erheblich steigern. Bei einer Quelle, die bei 400 nm emittiert, reduziert sich zum Beispiel der Energie- Verlust schon auf nur noch 12 bis 39%.
Das technische Problem liegt in der Entwicklung und Produktion ausreichend effizienter Leuchtstoffe, die im spektralen Bereich zwischen 370 nm und 430 nm an- regbar sind und gleichzeitig ein passendes Emissionsverhalten zeigen.
Um eine farbige oder weiße LED zu realisieren, wird ein erfindungsgemäßer Leuchtstoff, evtl. in Verbindung mit einem oder mehreren anderen Leuchtstoffen mit einem möglichst transparenten Bindemittel kombiniert (EP 862 794). Der Leuchtstoff absorbiert das Licht der UV/Blau-Licht emittierenden LED ganz oder teilweise und emittiert es in anderen Spektralbereichen wieder breitbandig, so dass eine Gesamtemission mit gewünschtem Farbort entsteht. Bisher gibt es kaum Leuchtstoffe, die diese Anforderungen so gut erfüllen wie die hier beschriebenen Leuchtstoffe. Sie zeigen eine hohe Quanteneffizienz (typisch 70 %) und gleichzeitig eine spektrale Emission, die aufgrund der Empfindlichkeit des Auges als hell empfunden wird. Der Farbort lässt sich in einem weiten Bereich einstellen. Zu den Vorteilen dieser Leuchtstoffe zählen außerdem ihre relativ leichte, umweltschonende Herstellbarkeit, seine Ungiftigkeit und seine relativ hohe chemische Stabilität.
Die Erfindung betrifft insbesondere eine Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle (light emitting diode), die besondere spezifisch gewünschte Farbtöne erzeugt (beispielsweise Magenta) oder die beispielsweise weißes Licht erzeugt, indem eine primär kurzwellig (also UV bis blau im Bereich 370 bis 430 nm) emittierende Strahlung mittels mehrerer Leuchtstoffe in Weiß konvertiert wird: entweder durch Mischung der sekundären Strahlung eines blau und gelb emittierenden Leuchtstoffs oder insbesondere durch RGB-Mischung aus drei Leuchtstoffen die rot, grün und blau emittieren. Für besonders hohe Anforderungen an die Farbwiedergabe können auch mehr als drei Leuchtstoffe kombiniert werden. Zu diesem Zweck kann auch einer der erfindungsgemäß eingesetzten Leuchtstoffe mit anderen, bereits für diese Verwendung bekannten Leuchtstoffen wie beispielsweise SrS:Eu (WO 00/33390) oder YAG:Ce (US 5 998 925) kombiniert werden.
Als primär kurzwellig emittierende LED eignet sich insbesondere eine Ga(ln,AI)N- LED, aber auch jeder andere Weg zur Erzeugung einer kurzwelligen LED mit einer primären Emission im Bereich 370 bis 430 nm.
Die Erfindung erweitert die spektrale Emissionscharakteristik von LEDs indem über den gegenwärtige Kenntnisstand hinaus weitere Leuchtstoffe und deren Mischungen Anwendung finden (siehe Tab. 1 bis 3). Dabei kann die Auswahl der angewendeten Leuchtstoffe und Mischungen hiervon so getroffen werden, das neben farbechten Weiß auch andere Mischfarben mit breitbandiger Emission erzeugt werden. Generell wird das emittierte Licht der LED von der Mischung, die Leuchtstoffe enthält, absorbiert. Diese Mischung ist entweder direkt auf der LED aufgebracht oder in einem Harz oder Silikon dispergiert oder aufgebracht auf einer transparenten Scheibe über einer LED oder aufgebracht auf einer transparenten Scheibe über mehreren LEDs.
Der erfinderische Schritt besteht darin, dass durch die Verwendung von LEDs mit Emissionswellenlängen zwischen 370 und 430 nm (unsichtbar oder kaum sichtbares tiefblau) und die Verwendung von Leuchtstoffen, die unten aufgelistet sind, eine verbesserte spektrale Anpassung der LED-Emission ermöglicht wird und beliebige Farborte einstellbar werden, und zwar mit einer höheren Energieeffizienz als mit den konventionellen LEDs.
Anorganische Leuchtstoffe, die relativ langwellig anregbar sind, sind derzeit kaum bekannt. Überraschenderweise hat sich jedoch gezeigt, dass es eine Anzahl von anorganischen Leuchtstoffen gibt, die geeignet sind, um mit Strahlung einer Peak- Emissions-Wellenlänge von 370-430 nm noch effizient angeregt zu werden. Typische Halbwertsbreiten der Emission liegen bei 20 nm bis 50 nm. Die Absorption der Leuchtstoffe kann durch die gewählten Strukturparameter und chemische Zusammensetzung gesteuert werden. Solche Leuchtstoffe haben alle eine relativ kleine Bandlücke (typisch etwa 3 eV) oder sie haben ein starkes Kristallfeld für das Ion, welches das von der LED emittierte UV/Blau -Licht um 400 nm absorbiert.
Abhängig von der gewählten Lumineszenzwellenlänge der LED (370-430 nm) und abhängig von der gewünschten Farbwiedergabe und /oder dem gewünschten Farbort können bestimmte Kombinationen von Leuchtstoffen in der Leuchtstoffmischung gewählt werden. Die am besten geeignete Leuchtstoffmischung ist somit vom gewählten Ziel (Farbwiedergabe, Farbort, Farbtemperatur) und der vorhandenen LED-Emissionswellenlänge abhängig.
Jeder Leuchtstoff, der die oben erwähnten Bedingungen erfüllt, ist im Prinzip geeignet für die Anwendung. Leuchtstoffe, die effizient emittieren und im Gebiet von 370-430 nm effizient anregbar oder zumindest teilweise anregbar sind, sind in den folgenden Tabellen aufgeführt. Tab. 1 beschreibt geeignete blaue Leuchtstoffe mit einer Wellenlänge der Peakemission von 440 bis 485 nm, Tab. 2 geeignete grüne Leuchtstoffe mit einer Wellenlänge der Peakemission von 505 bis 550 nm und Tab. 3 geeignete rote Leuchtstoffe mit Wellenlänge der Peakemission von 560 bis 670 nm. Damit ist es erstmals möglich, LEDs mit hoher Effizienz herzustellen, die auf einer kurzwellig emittierenden Diode basieren, die mehrere Leuchtstoffe anregt. Tabelle 1: Blau emittierende Leuchtstoffe:
Ms(PO4)3(X):Eu2+ mit M = zumindest eines der Metalle Ba, Ca allein oder in
Kombination mit Sr (bevorzugt ist Anteil Sr höchstens 85%), wobei X = zumindest eines der Halogene F oder Cl;
M*3MgSi2O8:Eu2+ mit M = zumindest eines der Metalle Ba, Ca, Sr allein oder in Kombination
Ba5SiO4Br6:Eu2+
Ba^A^O^Eu2*
YSiO2N:Ce3+
(Sr,Ba)2Al6Oπ:Eu2+
MF2:Eu2+ mit M = zumindest eines der Metalle Ba, Sr, Ca; bevorzugt ist der Anteil des Ba an M > 5 %, beispielsweise Ba = 10 %, also M = Ba010Sr045Ca045.
Bao.57 Euo.oA34Alπ πO17:Eu2+
M**MgA110O17:Eu2+ mit M** = zumindest eines der Metalle Eu, Sr allein oder in Kombination mit Ba (bevorzugt ist Anteil Ba höchstens 75%);
MLn2S4:Ce3+ mit M = eine Kombination der Metalle Ca, Sr; und Ln = zumindest eines der Metalle La, Y, Gd.
Tabelle 2: Grün (und Blaugrün) emittierende Leuchtstoffe
SrAl2O4:Eu2+
MBO3:(Ce3+,Tb3+) mit M = zumindest eines der Metalle Sc, Gd, Lu allein oder in
Kombination mit Y (imsb. ist Y- Anteil < 40%); und als Aktivator fungie- ren die Metalle Ce und Tb gemeinsam; insbesondere liegt der Anteil des
Ce am Metall M im Bereich 5 % ≤ Ce ≤ 20 % und der Anteil des Tb am
Metall im Bereich 4 % ≤Tb < 20; bevorzugt ist Anteil Ce > Anteil Tb;
M2SiO5:(Ce3+,Tb3+) mit M = zumindest eines der Metalle Y, Gd, Lu; und als Aktivator fungieren die Metalle Ce und Tb gemeinsam (bevorzugt ist Anteil Ce > Anteil Tb);
MN*2S4:Ak mit M = zumindest eines der Metalle Zn, Mg, Ca, Sr, Ba; mit N
= zumindest eines der Metalle AI, Ga, In; und Ak = entweder eine Kombination von Eu2+, Mn2 zusammen (bevorzugt ist Anteil Eu > Anteil Mn) oder eine Kombination von Ce3+,Tb3+ zusammen (bevorzugt ist Anteil Ce > Anteil Tb);
SrBaSiO4:Eu2+
Ba0.82AlEO1M.:EuIt
Figure imgf000009_0001
Y5(SiO4)3N:Ce3+;
Ca8Mg(SiO4)4C12:Ak2+ mit Ak = Eu2+ allein oder mit Mn2 zusammen (bevorzugt ist Anteil Eu > 2xAnteil Mn);
Sr4A114O25:Eu2+
(Ba,Sr)MgA110O17:Ak mit Ak = Eu2+ entweder in Kombination mit Ce3+ und
Tb3+, oder in Kombination mit Mn2+ ; bevorzugt ist Anteil Eu am Akti- vator Ak > 50 %;
Sr6BP5O20:Eu2+
Sr2P2O7:(Eu2+,Tb3+) mit Eu und Tb gemeinsam
BaSi2Os:Eu2+ Tabelle 3: Rot (Orangerot bis Tiefrot) emittierende Leuchtstoffe
Ln2O2St: Ak3+ wobei Ln = zumindest eines der Metalle Gd, La, Lu allein oder in Kombination mit Y (bevorzugt ist Anteil Y höchstens 40%; insbeson- dere ist Anteil La mindestens 10 %); und mit St = zumindest eines der
Elemente S, Se, Te; und wobei Ak = Eu allein oder in Kombination mit
Bi;
Ln2WmO6:Ak3+ wobei Ln = zumindest eines der Metalle Y, Gd, La, Lu; und mit Wm = zumindest eines der Elemente W, Mo, Te; und wobei Ak = Eu allein oder in Kombination mit Bi;
(Zn,Cd)S:Ag+ wobei Zn und Cd nur in Kombination verwendet werden; bevorzugt ist Anteil Zn < Anteil Cd;
Mg28Ge7,O38F10:Mn4+
Sr:P:O.:Eu2*,Mn2+
M3MgSi2O8:Eu2+,Mn2 mit M = zumindest eines der Metalle Ca, Ba, Sr.
(Ml)2(M2)(BO3)2:Eu2+ mit Ml = zumindest eines der Metalle Ba, Sr; und mit M2 ist zumindest eines der Metalle Mg,Ca; bevorzugt ist der Anteil Ba am Kation Ml mindestens 80 %; bevorzugt ist der Anteil Mg am Metall M2 mindestens 70%.
Es wird angemerkt, dass der Aktivator im allgemeinen jeweils einen Anteil des führenden Kations (= Metall, insbesondere ein Lanthanid Ln) ersetzt, beispielsweise steht MS:Eu(5 %) für MM05Eu0D5S.
Die Formulierung „M = zumindest eines der Metalle X, Y;" bedeutet entweder das Me- tall X oder das Metall Y allein oder aber eine Kombination beider Metalle, also M = X Y. mit a+b = 1. Bei einer weißen LED wird ein Aufbau ähnlich wie im eingangs erwähnten Stand der Technik beschrieben verwendet. Als UV-Diode (primäre Strahlungsquelle) wird bevorzugt GalnN oder GaN oder GalnAlN verwendet. Beispielsweise hat sie eine Peakwellenlange von 400 nm und eine Halb- wertsbreite von 20 nm. Das Diodensubstrat wird mit einer Suspension aus drei Leuchtstoffen, je einer mit einem Emissionsmaximum im Roten, Grünen und Blauen Spektralbereich direkt oder indirekt beschichtet. Von diesen Leuchtstoffen ist zumindest einer ausgewählt aus den Tabellen 1 bis 3, und kombiniert entweder mit bekannten Leuchtstoffen oder mit Leuchtstoffen aus den anderen Tabellen. Die Leuchtstoffmischung wird bei etwa 200 °C eingebrannt. Damit wird eine Farbwiedergabe von typisch 80 erzielt.
Im folgenden soll die Erfindung anhand mehrerer Ausführungsbeispiele näher erläutert werden. Es zeigen:
Figur 1 ein Halbleiterbauelement, das als Lichtquelle (LED) für weißes Licht dient;
Figur 2 eine Beleuchtungseinheit mit Leuchtstoffen gemäß der vorliegenden
Erfindung; Figur 3 bis 17 das Emissionsspektrum von LEDs mit verschiedenen Leuchtstoff mi- schungen gemäß der vorliegenden Erfindung.
Beschreibung der Zeichnungen
Für den Einsatz in einer weißen LED zusammen mit einem GalnN-Chip wird beispielsweise ein Aufbau ähnlich wie in US 5 998 925 beschrieben verwendet. Der Aufbau einer derartigen Lichtquelle für weißes Licht ist in Figur 1 explizit gezeigt. Die Lichtquelle ist ein Halbleiterbauelement (Chip 1) des Typs InGaN mit einer Peak-Emissionswellenlänge von 420 nm und einer Halbwertsbreite von 25 nm mit einem ersten und zweiten elektrischen Anschluss 2,3, das in ein lichtundurchlässiges Grundgehäuse 8 im Bereich einer Ausnehmung 9 eingebettet ist. Einer der Anschlüsse 3 ist über einen Bonddraht 14 mit dem Chip 1 verbunden. Die Ausnehmung hat eine Wand 17, die als Reflektor für die blaue Primärstrahlung des Chips 1 dient. Die Ausnehmung 9 ist mit einer Vergussmasse 5 gefüllt, die als Hauptbe- standteile ein Epoxidgießharz (80 bis 90 Gew.-%) und Leuchtstoffpigmente 6 (weni- ger als 15 Gew.-%) enthält. Weitere geringe Anteile entfallen u.a. auf Methylether und Aerosil. Die Leuchtstoffpigmente sind eine Mischung. Der erste Konversions- Leuchtstoff ist aus Tab. 1 ausgewählt. Der zweite Leuchtstoff ist aus Tab. 2 und der dritte aus Tab. 3 ausgewählt.
In Figur 2 ist ein Ausschnitt aus einer Flächenleuchte 20 als Beleuchtungseinheit gezeigt. Sie besteht aus einem gemeinsamen Träger 21 , auf den ein quaderförmi- ges äußeres Gehäuse 22 aufgeklebt ist. Seine Oberseite ist mit einer gemeinsamen Abdeckung 23 versehen. Das quaderförmige Gehäuse besitzt Aussparungen, in denen einzelne Halbleiter-Bauelemente 24 untergebracht sind. Sie sind UV- emittierende Leuchtdioden mit einer Peakemission von 380 nm. Die Umwandlung in weißes Licht erfolgt mittels Konversionsschichten, die direkt im Gießharz der einzelnen LED sitzen ähnlich wie in Figur 1 beschrieben oder Schichten 25, die auf allen der UV-Strahlung zugänglichen Flächen angebracht sind. Dazu zählen die innen liegenden Oberflächen der Seitenwände des Gehäuses, der Abdeckung und des Bodenteils. Die Konversionsschichten 25 bestehen aus drei Leuchtstoffen, die im gelben, grünen und blauen Spektralbereich emittieren unter Benutzung zumindest einen der erfindungsgemäßen Leuchtstoffe aus Tab. 1 bis 3.
Einige konkrete Ausführungsbeispiele von in Kombination untersuchten Leuchtstoffen sind in Tab. 4 zusammengefasst. Es handelt sich um eine Zusammenfassung geeigneter erfindungsgemäßer und an sich bekannter Leuchtstoffe in allen drei Spektralbereichen. In Sp. 1 ist die Versuchsnummer angegeben, in Sp. 2 die chemische Formel des Leuchtstoffs, in Sp. 3 das Emissionsmaximum des Leuchtstoffs, in Sp. 4 und 5 die x- und y- Farbortkoordinaten. In Sp. 6 und 7 sind die Reflektivität und die Quanteneffizienz (jeweils in Prozent) angegeben. Besonders bevorzugt ist auch die Anwendung der ZnS-Leuchtstoffe für LEDs. Sie zeigen ein gutes Verarbeitungsverhalten in der LED-Umgebung. Es handelt sich dabei vor allem um den blau emittierenden Leuchtstoff ZnS:Ag, den grün emittierenden Leuchtstoff ZnS:Cu,AI und- den rot emittierenden Leuchtstoff ZnS:Cu,Mn aus Tab. 4. Besonders hervorzuheben ist, dass sich mit diesen drei Leuchtstoffen eine weiß emittierende Leuchtstoff-Mischung realisieren lässt, unter Anregung durch eine LED mit Primärstrahlung im Bereich 370 bis 410 nm, siehe Ausführungsbeispiel 6 in Fig. 6. Da diese drei Leuchtstoffe chemisch nahezu identische Materialien sind, lassen sie sich sehr gut als Leuchtstoffmischung in einem Gießharz oder anderem Harz oder bei einer Beschlämmung verarbeiten. Tab. 4
Nr. Formel Em X y R (%) Q.E (%)
1 Ba3MgSi208: Eu (5%) 440 0,16 0,07 42 50
2 (Ba0,i5Sro,85)5(P04)3CI:Eu2+ 448 0,15 0,05 46 76
3 ZnS :Ag 452 0,14 0,07 76 63
4 (Ba,Sr)MgAI10O17:Eu2+ 454 0,15 0,08 49 83
5 SrMgAI10O17:Eu2+ 467 0,15 0,19 63 92
6 EuMgAI10O17 481 0,17 0,31 35 63
7 ZnS :Cu 506 0,19 0,43 22 48
8 Ba0.-74EU0.08AI12Oi8.e2 507 0,22 0,43 52 87
9 Ca8Mg(Siθ4)4CI2:Eu2+ 508 0,17 0,6 34 67
10 ZnS :Cu 510 0,2 0,46 16 55
11 BaMgAlι0Oι7:Eu2+,Mn2+ 513 0,14 0,21 64 95
12 Bao.72Euo.o5Mno.o5Ali2θ18.82 514 0,21 0,48 71 97
13 BaMgAlι0O17:Eu2+,Mn2+ 515 0,14 0,65 39 88
14 (Sr,Ba)Si04:Eu2+ 517 0,23 0,61 54
15 SrAI204:Eu2+ 523 0,29 0,58 28 77
16 ZnS :Cu,AI 534 0,31 0,61 29 83
17 YBO3 :(Ce3+,Tb3+) (9.5%/5%) 545 0,34 0,59 80 69
18 Ca8Mg(Si04)4CI2:Eu2+, Mn2+ 550 0,38 0,57 30 61
19 Srι.gsBao.o3Euo.o2Siθ4 563 0,44 0,53 21
20 Sr2P207:Eu2+ , Mn2+ 570 0,32 0,27 63 46
21 ZnS :Cu,Mn 585 0,49 0,45 19 44
22 Gd2Mo06:Eu3+ (20%) 610 0,66 0,34 50
23 Y2Wo.98Mo0.o206:Eu3+ 612 0,61 0,38 68 73
24 Y2W06:Eu3+, Bi3+ (7.5%, 0.5%) 612 0,64 0,36 52
25 Lu2W06:Eu3+, Bi3+ (7.5%, 1%) 612 0,64 0,36 65
26 SrS:Eu2+ (2%) 616 0,63 0,37 52 91
27 La2Te06:Eu3+ ( %) 617 0,66 0,34 76
28 (La,Y)202S:Eu3+ (..) 626 0,67 0,33 84 73
29 Sr2Si5N8:Eu2+ (10%) 636 0,64 0,36 12 70
30 (Ba,Ca,Sr)MgSi208: Eu.Mn 657 0,39 0,16 47 52
Der Leuchtstoff Nr. 14 (Sr,Ba)Si04:Eu2+ ist im Grünen so breitbandig, dass hier auf eine separate Rotkomponente verzichtet werden. In Tab. 6 sind schließlich 15 Ausführungsbeispiele konkreter Kombinationen von Leuchtstoffen aus Tab. 4 in Verbindung mit einer primären Lichtquelle (UV-LED) mit einem Emissionspeak im Bereich 370 bis 420 nm gezeigt. Die einzelnen UV-Dioden sind in Tab. 5 zusammengefasst, in der der Emissionspeak und der Farbort (soweit definiert, also ab 380 nm) der einzelnen Dioden angegeben ist.
In Sp. 1 bis 4 der Tab. 6 sind die Angaben aus Tab. 4 nochmals eingefügt zum besseren Abgleich. In Sp. 5 bis 10 ist die Brauchbarkeit der einzelnen Leuchtstoffe für Anregung bei verschiedenen Wellenlängen festgehalten und zwar systematisch für die kurzwelligen Dioden mit Emissionspeak bei 370 bis 420 nm in Schritten von 10 nm. Die anschließenden 15 Spalten zeigen konkrete Beispiele (als Ex 1 bis Ex 15 bezeichnet) einer RGB-Mischung, also die Kombination der kurzwelligen LED (die zweite Zeile gibt die gewählte Peakemission an) mit drei Leuchtstoffen aus dem roten, grünen und blauen Spektralbereich. Die in der jeweiligen Spalte angegebene Zahl bezeichnet den relativen Anteil an der spektralen Emission.
Bei einer stark kurzwelligen UV-Diode, unter 380 nm, liefert die UV-Diode keinerlei Anteil an der sekundären Emission, auch wegen der starken Absorption durch die drei Leuchtstoffe.
Ab einer primären Emission von 380 nm liefert die Diode jedoch einen kleinen, mit steigender Wellenlänge steigenden Anteil im Blauen zusätzlich zum blauen Leucht- stoff. Dieser Anteil erscheint in der Tab. 5 als zusätzlicher vierter Beitrag.
Schließlich sind in den letzten beiden Zeilen der Tab. 6 die gemessenen Farbortkoordinaten des Gesamtsystems eingetragen, die einen weiten Bereich von Weißtönen in der Farbtafel abdecken. Die spektrale Verteilung dieser System ist in den Figuren 3 (entsprechend Ex 1) bis 17 (entsprechend Ex 15) dargestellt.
Als besonders geeignete Leuchtstoffe für die Anwendung in Dreifarbenmischungen unter Primärbestrahlung bei 370 bis 420 nm haben sich dabei die blau emittierenden Leuchtstoffe Nr. 2, 4 und 6, die grün emittierenden Leuchtstoffe 8, 9, 10, 13, 15, 16, 17 und 18 sowie die rot emittierenden Leuchtstoffe 26, 28 und 29 erwiesen.
Das Ausführungsbeispiel Nr. 15 verwendet eine blau emittierende Diode mit 420 nm Peakemission mit so hoher Intensität, dass sie den blauen Leuchtstoff voll ersetzen kann und nur zwei zusätzliche Leuchtstoffe im Grünen und Roten benötigt.
m cö
Figure imgf000015_0001
Figure imgf000016_0001

Claims

Ansprüche
1. Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle, wobei die LED primär Strahlung im Bereich von 370 bis 430 nm des optischen Spektralbereichs emittiert (Peakwellenlange), wobei diese Strahlung teilweise oder vollständig in längerwellige Strahlung konvertiert wird durch drei Leuchtstoffe, die der primären Strah- lung der LED ausgesetzt sind, und die im blauen, grünen und roten Spektralbereich emittieren, so dass weißes Licht entsteht, dadurch gekennzeichnet, dass die Konversion zumindest unter Zuhilfenahme eines Leuchtstoffs, der blau mit einem Maximum der Wellenlänge bei 440 bis 485 nm emittiert, und unter Zuhilfenahme eines Leuchtstoffs, der grün mit einem Maximum der Wellenlänge bei 505 bis 550 nm e- mittiert und unter Zuhilfenahme eines Leuchtstoffs, der rot mit einem Maximum der
Wellenlänge bei 560 bis 670 nm emittiert, erreicht wird, wobei zumindest einer dieser drei Leuchtstoffe aus einer der Tabellen 1 , 2 oder 3 stammt.
2. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die LED weiße Strahlung emittiert unter Verwendung von drei Leuchtstoffen, je einer aus den drei Tabellen.
3. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass als primäre Strahlungsquelle eine LED auf Basis von Ga(ln,AI)N verwendet wird.
4. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass weißes Licht erzeugt wird unter Verwendung eines blauen Leuchtstoffs: M5(PO4)3(X):Eu2+ mit M = zumindest eines der Metalle Ba, Ca allein oder in Kombination mit Sr, wobei X = zumindest eines der Halogene F oder Cl; oder eines blauen Leuchtstoffs:
M*3MgSi2O8:Eu2+ mit M = zumindest eines der Metalle Ba, Ca, Sr allein oder in Kombination; oder eines blauen Leuchtstoffs : ZnS:Ag oder
M**MgAl10O17:Eu2+ it M** = zumindest eines der Metalle Eu, Sr allein oder in Kombination mit Ba.
5. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass weißes Licht erzeugt wird unter Verwendung eines grünen Leuchtstoffs: SrAl2O4:Eu2+ oder eines grünen Leuchtstoffs Ba0.82AlßO1882:Eu2+,Mn2+ oder eines grünen Leuchtstoffs Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu2+, Mn2+ oder eines grünen Leuchtstoffs
Sr4A114025:Eu oder eines grünen Leuchtstoffs ZnS:Cu,Al oder
BaMgAl10O]7:(Eu2+ kombiniert mit Ce3+,Tb3+, oder mit Mn2+).
6. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass weißes Licht erzeugt wird unter Verwendung eines roten Leuchtstoffs Ln2O2SSt:Ak3+ wobei Ln = zumindest eines der Metalle Gd, La, Lu allein oder in Kombination mit Y; und mit St = zumindest eines der Elemente Se, Te; und wobei Ak = Eu allein oder in Kombination mit Bi; oder eines roten Leuchtstoffs ZnS:Cu,Mn oder
Sr2P2O7: Ak2+ mit Ak = zumindest eines der Metalle Eu, Mn .
7. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zur Erzeugung von weißem Licht die primär emittierte Strahlung im Wellenlängenbereich 370 bis 420 nm liegt, unter Verwendung eines blauen Leuchtstoffs M5(PO4)3(X):Eu2t mit M = zumindest eines der Metalle Ba, Ca allein oder in Kombination mit Sr, wobei X = zumindest eines der Halogene F oder Cl; oder eines Leuchtstoffs
M**MgAl10O]7:Eu2+ mit M** = zumindest eines der Metalle Eu, Sr allein oder in Kombination mit Ba.
8. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zur Erzeugung von weißem Licht die primär emittierte Strahlung im Wellenlängenbereich unterhalb 380 nm liegt, unter Verwendung eines blauen Leuchtstoffs M*3MgSi2O8:Eu2+ mit M = zumindest eines der Metalle Ba, Ca, Sr allein oder in Kombination.
9. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zur Erzeugung von weißem Licht die primär emittierte Strahlung im Wellenlän- genbereich 370 bis 420 nm liegt, unter Verwendung eines grünen Leuchtstoffs
SrAl2O4:Eu2+ oder eines grünen Leuchtstoffs
Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu2+, Mn2+ oder eines grünen Leuchtstoffs Sr4A114O25:Eu oder eines grünen Leuchtstoffs
BaMgAl10O17:(Eu2+ kombiniert mit Ce3+,Tb3+, oder mit Mn2+).
10. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zur Erzeugung von weißem Licht die primär emittierte Strahlung im Wellenlän- genbereich unterhalb 390 nm liegt, unter Verwendung eines grünen Leuchtstoffs Ba^Al^^Eu^Mn2*).
11. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zur Erzeugung von weißem Licht die primär emittierte Strahlung im Wellenlän- genbereich unterhalb von 380 nm liegt, unter Verwendung eines roten
Leuchtstoffs
Ln2O2St:Ak3+ wobei Ln = zumindest eines der Metalle Gd, La, Lu allein oder in
Kombination mit Y; und mit St = zumindest eines der Elemente S, Se, Te; und wobei Ak
= Eu allein oder in Kombination mit Bi; oder eines roten Leuchtstoffs
SrJP )_:Ak2 mit Ak = zumindest eines der Metalle Eu, Mn .
12. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zur Erzeugung von weißem Licht die primär emittierte Strahlung im Wellenlän- genbereich 370 bis 400 nm liegt, unter Verwendung eines roten Leuchtstoffs MMgSLO8:Eu,Mn wobei M = zumindest eines der Metalle Ba, Ca, Sr.
13. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die Beleuchtungseinheit eine Lumineszenzkonversions-LED ist, bei der die Leuchtstoffe direkt oder mittelbar in Kontakt mit dem Chip stehen.
14. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die Beleuchtungseinheit ein Feld (Array) von LEDs ist.
15. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest einer der Leuchtstoffe auf einer vor dem LED-Feld angebrachten optischen Vorrich- tung angebracht ist.
16. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zur Erzeugung von weißem Licht die primär emittierte Strahlung im Wellenlängenbereich 370 bis 410 nm liegt, unter Verwendung eines blauen Leuchtstoffs ZnS:Ag.
17. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zur Erzeugung von weißem Licht die primär emittierte Strahlung im Wellenlängenbereich 370 bis 410 nm liegt, unter Verwendung eines grünen Leuchtstoffs ZnS:Cu,Al wobei Cu und AI gemeinsam verwendet werden.
18. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zur Erzeugung von weißem Licht die primär emittierte Strahlung im Wellenlängenbereich 370 bis 410 nm liegt, unter Verwendung eines roten Leuchtstoffs ZnS:Cu,Mn, wobei Cu und Mn gemeinsam verwendet werden..
19. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zur Erzeugung von weißem Licht die primär emittierte Strahlung im Wellenlän- genbereich 370 bis 410 nm liegt, unter gemeinsamer Verwendung eines blauen, grünen und roten Leuchtstoffs gemäß den Ansprüchen 16, 17, und 18.
PCT/DE2001/002849 2000-07-28 2001-07-27 Beleuchtungseinheit mit mindestens einer led als lichtquelle WO2002011214A1 (de)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/311,722 US7064480B2 (en) 2000-07-28 2001-07-27 Illumination device with at least one led as the light source
JP2002516838A JP5419315B2 (ja) 2000-07-28 2001-07-27 光源として少なくとも１つのｌｅｄを備えた照明ユニット
KR1020037000852A KR100920533B1 (ko) 2000-07-28 2001-07-27 광원으로서 적어도 하나의 ｌｅｄ를 구비한 조명 장치
EP01956394A EP1305833A1 (de) 2000-07-28 2001-07-27 Beleuchtungseinheit mit mindestens einer led als lichtquelle
US11/259,776 US7239082B2 (en) 2000-07-28 2005-10-27 Illumination device with at least one LED as the light source
US11/725,815 US7821196B2 (en) 2000-07-28 2007-03-20 Illumination device with at least one LED as the light source

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10036940A DE10036940A1 (de) 2000-07-28 2000-07-28 Lumineszenz-Konversions-LED
DE10036940.5 2000-07-28

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US10311722 A-371-Of-International 2001-07-27
US11/259,776 Continuation US7239082B2 (en) 2000-07-28 2005-10-27 Illumination device with at least one LED as the light source

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2002011214A1 true WO2002011214A1 (de) 2002-02-07

Family

ID=7650618

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/DE2001/002849 WO2002011214A1 (de) 2000-07-28 2001-07-27 Beleuchtungseinheit mit mindestens einer led als lichtquelle

Country Status (8)

Country Link
US (3) US7064480B2 (de)
EP (2) EP1305833A1 (de)
JP (2) JP5419315B2 (de)
KR (1) KR100920533B1 (de)
CN (1) CN1214471C (de)
DE (1) DE10036940A1 (de)
TW (1) TW531904B (de)
WO (1) WO2002011214A1 (de)

Cited By (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2830529A1 (fr) * 2001-10-10 2003-04-11 Rhodia Elect & Catalysis Nouveaux tungstates de terres rares, leur procede de preparation et leur utilisation comme agent de protection contre les rayons ultraviolets
EP1339109A2 (de) * 2002-02-25 2003-08-27 LumiLeds Lighting U.S., LLC Licht emittierende Vorrichtung mit kompensiertem Rot-mangel Leuchtstoff
JP2003306675A (ja) * 2002-02-15 2003-10-31 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置及びそれを用いた照明装置
JP2004085824A (ja) * 2002-08-26 2004-03-18 Ricoh Co Ltd 画像読取装置の照明装置
JP2004107623A (ja) * 2002-06-28 2004-04-08 General Electric Co <Ge> アルカリ土類金属及び第ｉｉｉｂ族金属の酸化物を含む蛍光体並びに該蛍光体を組み込んだ光源
EP1449905A1 (de) * 2003-02-10 2004-08-25 LG Electronics Inc. Grüner oxidischer Leuchtstoff
EP1452903A2 (de) * 2002-12-23 2004-09-01 Siemens Aktiengesellschaft Flüssigkristallanzeige
JP2004296830A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Solidlite Corp 白色ｌｅｄの製造方法
EP1484803A1 (de) * 2002-02-15 2004-12-08 Mitsubishi Chemical Corporation Lichtemissionsbauelement und beleuchtungseinrichtung damit
EP1491611A2 (de) * 2003-06-13 2004-12-29 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Entladungslampe mit Zweibanden-Leuchtstoff
JP2005123165A (ja) * 2003-09-25 2005-05-12 Koito Mfg Co Ltd 車両用灯具
WO2005068584A1 (ja) * 2004-01-16 2005-07-28 Mitsubishi Chemical Corporation 蛍光体、及びそれを用いた発光装置、照明装置ならびに画像表示装置
JP2005226068A (ja) * 2004-01-16 2005-08-25 Mitsubishi Chemicals Corp 蛍光体、及びそれを用いた発光装置、照明装置、ならびに画像表示装置
JP2005226069A (ja) * 2004-01-16 2005-08-25 Mitsubishi Chemicals Corp 蛍光体、及びそれを用いた発光装置、照明装置、ならびに画像表示装置
WO2005078048A1 (en) * 2004-02-18 2005-08-25 Showa Denko K.K. Phosphor, production method thereof and light-emitting device using the phosphor
JP2006505659A (ja) * 2002-11-05 2006-02-16 ロディア エレクトロニクス アンド カタリシス バリウムマグネシウムシリケートを添加剤として含む光変換材料
US7023019B2 (en) 2001-09-03 2006-04-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device, light-emitting system and method for fabricating light-emitting semiconductor device
US7026755B2 (en) * 2003-08-07 2006-04-11 General Electric Company Deep red phosphor for general illumination applications
JP2007123927A (ja) * 2006-12-18 2007-05-17 Mitsubishi Cable Ind Ltd 発光装置およびそれを用いた照明装置
US7252788B2 (en) 2004-02-27 2007-08-07 Dowa Mining Co., Ltd. Phosphor, light source and LED
US7259396B2 (en) 2000-12-28 2007-08-21 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light source with a light-emitting element
JP2007524726A (ja) * 2003-06-24 2007-08-30 ゲルコアー リミテッド ライアビリティ カンパニー Ｌｅｄチップによる白色光発生のためのフルスペクトル蛍光体混合物
US7273568B2 (en) 2004-06-25 2007-09-25 Dowa Mining Co., Ltd. Phosphor and production method of the same, method of shifting emission wavelength of phosphor, and light source and LED
JP2007528606A (ja) * 2004-03-10 2007-10-11 ゲルコアー リミテッド ライアビリティ カンパニー Ｌｅｄに使用するための蛍光体及びそれらの混合物
WO2007116850A1 (en) 2006-03-27 2007-10-18 Toyoda Gosei Co., Ltd. Ferrous-metal-alkaline-earth-metal silicate mixed crystal phosphor and light emitting device using the same
US7291289B2 (en) 2004-05-14 2007-11-06 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and production method of the same and light source and LED using the phosphor
KR100777501B1 (ko) * 2004-04-27 2007-11-28 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 형광체 조성물과 그 제조 방법, 및 그 형광체 조성물을이용한 발광 장치
JP2007536388A (ja) * 2003-08-02 2007-12-13 ホスホルテック コーポレーション スルホセレニド（ｓｕｌｆｏｓｅｌｅｎｉｄｅ）蛍光燐光物質を有する発光装置
US7319195B2 (en) 2003-11-28 2008-01-15 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Composite conductor, superconductive apparatus system, and composite conductor manufacturing method
US7345418B2 (en) 2004-08-27 2008-03-18 Dowa Mining Co., Ltd. Phosphor mixture and light emitting device using the same
EP1967565A2 (de) 2006-12-20 2008-09-10 NEC Lighting, Ltd. Rotleuchtendes, fluoreszentes Nitridmaterial und lichtausgebende Vorrichtung damit
US7432647B2 (en) 2004-07-09 2008-10-07 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Light source having phosphor including divalent trivalent and tetravalent elements
DE102007016229A1 (de) 2007-04-04 2008-10-09 Litec Lll Gmbh Verfahren zur Herstellung von Leuchtstoffen basierend auf Orthosilikaten für pcLEDs
DE102007016228A1 (de) 2007-04-04 2008-10-09 Litec Lll Gmbh Verfahren zur Herstellung von Leuchtstoffen basierend auf Orthosilikaten für pcLEDs
US7434981B2 (en) 2004-05-28 2008-10-14 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Manufacturing method of metal paste
US7443094B2 (en) 2005-03-31 2008-10-28 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method of the same, and light emitting device using the phosphor
US7445730B2 (en) 2005-03-31 2008-11-04 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method of the same, and light emitting device using the phosphor
US7477009B2 (en) 2005-03-01 2009-01-13 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor mixture and light emitting device
US7476338B2 (en) 2004-08-27 2009-01-13 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method for the same, and light source
US7476337B2 (en) 2004-07-28 2009-01-13 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method for the same, and light source
US7476335B2 (en) 2004-08-20 2009-01-13 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method therefore, and light source using the phosphor
US7488432B2 (en) * 2003-10-28 2009-02-10 Nichia Corporation Fluorescent material and light-emitting device
JP2009071337A (ja) * 2008-12-29 2009-04-02 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置およびそれを用いた照明装置
US7514860B2 (en) 2004-10-28 2009-04-07 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor mixture and light emitting device
US7524437B2 (en) 2005-03-04 2009-04-28 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method of the same, and light emitting device using the phosphor
US7527748B2 (en) 2004-08-02 2009-05-05 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and phosphor film for electron beam excitation and color display apparatus using the same
US7675075B2 (en) * 2003-08-28 2010-03-09 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device, light emitting module, lighting apparatus, display element and manufacturing method of semiconductor light emitting device
US7935975B2 (en) 2005-09-29 2011-05-03 Kabushiki Kaisha Toshiba White LED lamp and backlight using the same, and liquid crystal display device using the backlight
US8018139B2 (en) 2007-11-05 2011-09-13 Enertron, Inc. Light source and method of controlling light spectrum of an LED light engine
WO2011117791A1 (en) 2010-03-24 2011-09-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led-based lighting device comprising a plurality of luminescent materials
US8486299B2 (en) 2010-03-18 2013-07-16 Industrial Technology Research Institute Blue phosphors, white light illumination devices and solar cells utilizing the same
WO2014024138A1 (en) * 2012-08-10 2014-02-13 Koninklijke Philips N.V. A phosphor converted light emitting diode, a lamp and a luminaire
USRE45640E1 (en) 2004-08-02 2015-08-04 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor for electron beam excitation and color display device using the same
US9231150B2 (en) 2011-03-16 2016-01-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Phosphor for light emitting device and method for manufacturing the same, and light emitting device using the same
US10833227B2 (en) 2012-03-30 2020-11-10 Lumileds Llc Optical cavity including a light emitting device and wavelength converting material
US11021610B2 (en) 2016-01-14 2021-06-01 Basf Se Perylene bisimides with rigid 2,2′-biphenoxy bridges
US11236101B2 (en) 2017-12-19 2022-02-01 Basf Se Cyanoaryl substituted benz(othi)oxanthene compounds
US11441036B2 (en) 2016-10-06 2022-09-13 Basf Se 2-phenylphenoxy-substituted perylene bisimide compounds and their use
US11898075B2 (en) 2018-03-20 2024-02-13 Basf Se Yellow light emitting device

Families Citing this family (132)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1439586B1 (de) 1996-06-26 2014-03-12 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
JP4125878B2 (ja) * 2001-08-27 2008-07-30 東芝電子エンジニアリング株式会社 発光装置
JP3702863B2 (ja) * 2002-05-15 2005-10-05 住友電気工業株式会社 白色発光素子
US7800121B2 (en) * 2002-08-30 2010-09-21 Lumination Llc Light emitting diode component
US7224000B2 (en) 2002-08-30 2007-05-29 Lumination, Llc Light emitting diode component
DE10259946A1 (de) * 2002-12-20 2004-07-15 Tews, Walter, Dipl.-Chem. Dr.rer.nat.habil. Leuchtstoffe zur Konversion der ultravioletten oder blauen Emission eines lichtemittierenden Elementes in sichtbare weiße Strahlung mit sehr hoher Farbwiedergabe
US20040227199A1 (en) * 2003-05-15 2004-11-18 Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha Minute flow passage and micro-chemical chip including the same
US7075225B2 (en) 2003-06-27 2006-07-11 Tajul Arosh Baroky White light emitting device
US7462983B2 (en) * 2003-06-27 2008-12-09 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. White light emitting device
US7484860B2 (en) * 2003-07-02 2009-02-03 S.C. Johnson & Son, Inc. Combination white light and colored LED light device with active ingredient emission
US7520635B2 (en) * 2003-07-02 2009-04-21 S.C. Johnson & Son, Inc. Structures for color changing light devices
JP2005286312A (ja) * 2004-03-02 2005-10-13 Fujikura Ltd 発光デバイス及び照明装置
FR2869159B1 (fr) * 2004-04-16 2006-06-16 Rhodia Chimie Sa Diode electroluminescente emettant une lumiere blanche
KR100655894B1 (ko) 2004-05-06 2006-12-08 서울옵토디바이스주식회사 색온도 및 연색성이 우수한 파장변환 발광장치
KR100658700B1 (ko) 2004-05-13 2006-12-15 서울옵토디바이스주식회사 Ｒｇｂ 발광소자와 형광체를 조합한 발광장치
CN100411200C (zh) * 2004-05-18 2008-08-13 光宝科技股份有限公司 白光发光装置
US8308980B2 (en) 2004-06-10 2012-11-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
KR100665299B1 (ko) 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광물질
KR100665298B1 (ko) 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광장치
EP1769050B1 (de) * 2004-07-06 2013-01-16 Lightscape Materials Inc. Effiziente grünemittierende leuchtstoffe und kombinationen mit rotemittierenden leuchtstoffen
JP4546176B2 (ja) * 2004-07-16 2010-09-15 京セラ株式会社 発光装置
US7575697B2 (en) * 2004-08-04 2009-08-18 Intematix Corporation Silicate-based green phosphors
US20060049414A1 (en) * 2004-08-19 2006-03-09 Chandran Ramachandran G Novel oxynitride phosphors
JP4674348B2 (ja) * 2004-09-22 2011-04-20 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体とその製造方法および発光器具
TWI256149B (en) * 2004-09-27 2006-06-01 Advanced Optoelectronic Tech Light apparatus having adjustable color light and manufacturing method thereof
DE102004060358A1 (de) * 2004-09-30 2006-04-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen von Lumineszenzdiodenchips und Lumineszenzdiodenchip
US7402831B2 (en) * 2004-12-09 2008-07-22 3M Innovative Properties Company Adapting short-wavelength LED's for polychromatic, broadband, or “white” emission
US7719015B2 (en) * 2004-12-09 2010-05-18 3M Innovative Properties Company Type II broadband or polychromatic LED's
US7745814B2 (en) * 2004-12-09 2010-06-29 3M Innovative Properties Company Polychromatic LED's and related semiconductor devices
US7648649B2 (en) * 2005-02-02 2010-01-19 Lumination Llc Red line emitting phosphors for use in led applications
US7439668B2 (en) * 2005-03-01 2008-10-21 Lumination Llc Oxynitride phosphors for use in lighting applications having improved color quality
US7276183B2 (en) * 2005-03-25 2007-10-02 Sarnoff Corporation Metal silicate-silica-based polymorphous phosphors and lighting devices
JP4905627B2 (ja) * 2005-04-25 2012-03-28 株式会社東芝 緑色蛍光体、白色ｌｅｄおよびそれを用いたバックライト並びに液晶表示装置
DE102005019376A1 (de) 2005-04-26 2006-11-02 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Lumineszenzkonversions-LED
JP5057692B2 (ja) 2005-04-27 2012-10-24 サムソン エルイーディー カンパニーリミテッド． 発光ダイオードを利用したバックライトユニット
KR100780186B1 (ko) * 2005-04-27 2007-11-27 삼성전기주식회사 발광다이오드를 이용한 ｌｃｄ 백라이트 유니트
JP4975269B2 (ja) 2005-04-28 2012-07-11 Ｄｏｗａホールディングス株式会社 蛍光体およびその製造方法、並びに当該蛍光体を用いた発光装置
DE102005031336B4 (de) 2005-05-13 2008-01-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Projektionseinrichtung
JP2007049114A (ja) 2005-05-30 2007-02-22 Sharp Corp 発光装置とその製造方法
JP4794235B2 (ja) * 2005-08-02 2011-10-19 シャープ株式会社 発光装置
DE102005040558A1 (de) 2005-08-26 2007-03-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Lumineszenzdiodenchips und Lumineszenzdiodenchip
US7501753B2 (en) * 2005-08-31 2009-03-10 Lumination Llc Phosphor and blends thereof for use in LEDs
US20070052342A1 (en) * 2005-09-01 2007-03-08 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device
JP4965840B2 (ja) * 2005-09-29 2012-07-04 株式会社東芝 白色発光型ｌｅｄランプの製造方法およびそれを用いたバックライトの製造方法並びに液晶表示装置の製造方法
DE102005059524A1 (de) 2005-09-30 2007-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein elektromagnetische Strahlung emittierendes optoelektronisches Bauelement, Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses oder eines Bauelements
DE102005052356A1 (de) 2005-09-30 2007-04-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungseinheit mit Lumineszenzdiodenchip und Lichtleiter, Verfahren zum Herstellen einer Beleuchtungseinheit und LCD-Display
DE102006004397A1 (de) 2005-09-30 2007-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektromagnetische Strahlung emittierendes optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
US20070125984A1 (en) * 2005-12-01 2007-06-07 Sarnoff Corporation Phosphors protected against moisture and LED lighting devices
US8906262B2 (en) * 2005-12-02 2014-12-09 Lightscape Materials, Inc. Metal silicate halide phosphors and LED lighting devices using the same
KR101055772B1 (ko) 2005-12-15 2011-08-11 서울반도체 주식회사 발광장치
KR20080106402A (ko) 2006-01-05 2008-12-05 일루미텍스, 인크. Ｌｅｄ로부터 광을 유도하기 위한 개별 광학 디바이스
JP2007231250A (ja) 2006-02-02 2007-09-13 Nichia Chem Ind Ltd 蛍光体及びそれを用いた発光装置
CN101379164B (zh) * 2006-02-10 2012-11-21 三菱化学株式会社 荧光体及其制造方法、含荧光体的组合物、发光装置、图像显示装置和照明装置
DE102006015117A1 (de) 2006-03-31 2007-10-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Scheinwerfer, Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Scheinwerfers und Lumineszenzdiodenchip
KR100875443B1 (ko) 2006-03-31 2008-12-23 서울반도체 주식회사 발광 장치
US8282986B2 (en) * 2006-05-18 2012-10-09 Osram Sylvania, Inc. Method of applying phosphor coatings
US20070267960A1 (en) * 2006-05-18 2007-11-22 Osram Sylvania Inc. Phosphor Blend and Lamp Containing Same
US7952110B2 (en) * 2006-06-12 2011-05-31 3M Innovative Properties Company LED device with re-emitting semiconductor construction and converging optical element
US20070284565A1 (en) * 2006-06-12 2007-12-13 3M Innovative Properties Company Led device with re-emitting semiconductor construction and optical element
DE102006029203B9 (de) 2006-06-26 2023-06-22 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Lichtemittierende Vorrichtung
JP2008028042A (ja) * 2006-07-19 2008-02-07 Toshiba Corp 発光装置
KR101303179B1 (ko) * 2006-07-21 2013-09-09 삼성전자주식회사 백색 발광소자용 형광체 및 이를 포함한 백색 발광 소자
KR101258227B1 (ko) 2006-08-29 2013-04-25 서울반도체 주식회사 발광 소자
US7842960B2 (en) * 2006-09-06 2010-11-30 Lumination Llc Light emitting packages and methods of making same
DE102007020782A1 (de) * 2006-09-27 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
EP2070123A2 (de) 2006-10-02 2009-06-17 Illumitex, Inc. Led-system und -verfahren
CN101605867B (zh) 2006-10-03 2013-05-08 渲染材料公司 金属硅酸盐卤化物磷光体以及使用它们的led照明器件
JP5367218B2 (ja) 2006-11-24 2013-12-11 シャープ株式会社 蛍光体の製造方法および発光装置の製造方法
WO2008065567A1 (en) * 2006-11-27 2008-06-05 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Illumination system comprising hetero- polyoxometalate
DE102007018837A1 (de) 2007-03-26 2008-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Lumineszenzdiodenchips und Lumineszenzdiodenchip
DE102007015474A1 (de) 2007-03-30 2008-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektromagnetische Strahlung emittierendes optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
WO2008125672A1 (de) * 2007-04-16 2008-10-23 Goodrich Lighting Systems Gmbh Farbverstellbare led-leuchte, insbesondere zur fahrzeuginnenbeleuchtung
GB0707420D0 (en) * 2007-04-18 2007-05-23 Bank Of England Copy-protected documents
JP5360857B2 (ja) * 2007-05-17 2013-12-04 Ｎｅｃライティング株式会社 緑色発光蛍光体、その製造方法及びそれを用いた発光素子
RU2467051C2 (ru) 2007-08-22 2012-11-20 Сеул Семикондактор Ко., Лтд. Люминофоры на основе нестехиометрических тетрагональных силикатов меди и щелочноземельного металла и способ их получения
KR101055769B1 (ko) 2007-08-28 2011-08-11 서울반도체 주식회사 비화학양론적 정방정계 알칼리 토류 실리케이트 형광체를채택한 발광 장치
DE102007042642A1 (de) 2007-09-07 2009-03-12 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
US8137586B2 (en) * 2007-09-14 2012-03-20 Osram Sylvania Inc. Phosphor blend for a compact fluorescent lamp and lamp containing same
DE102007044597A1 (de) 2007-09-19 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil
DE102007050876A1 (de) 2007-09-26 2009-04-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil
DE102007054800A1 (de) 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzkonversionsvorrichtung und Verfahren zum Herstellen von Lumineszenzdiodenchips mit einer derartigen Vorrichtung
DE102008029191A1 (de) * 2008-01-31 2009-08-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungseinrichtung zur Hinterleuchtung eines Displays sowie ein Display mit einer solchen Beleuchtungseinrichtung
EP2240968A1 (de) 2008-02-08 2010-10-20 Illumitex, Inc. System und verfahren zur bildung einer emitterschicht
JP2011514667A (ja) * 2008-02-11 2011-05-06 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 色の、改善された彩度を実現するｌｅｄベースの光源
CN101946115B (zh) * 2008-02-21 2014-04-30 皇家飞利浦电子股份有限公司 仿gls的led光源
JP2009245981A (ja) * 2008-03-28 2009-10-22 Toyota Central R&D Labs Inc Ｌｅｄ発光装置
TW201008374A (en) 2008-06-26 2010-02-16 Du Pont Organic light-emitting diode luminaires
JP2010090231A (ja) * 2008-10-07 2010-04-22 Canon Inc 画像表示装置
DE102009010468A1 (de) 2008-11-13 2010-05-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Funktionsmaterial mit darauf angeordneten Lichtkonversionsstoff-Partikeln, Verfahren zu dessen Herstellung und optoelektronisches Bauelement, enthaltend ein derartiges Funktionsmaterial
US8358059B2 (en) 2008-12-02 2013-01-22 Industrial Technology Research Institute Phosphor, white light illumination device and solar cell utilizing the same
US20100133987A1 (en) * 2008-12-02 2010-06-03 Industrial Technology Research Institute Phosphor and white light illumiantion device utilizing the same
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
CN101769506B (zh) * 2009-01-05 2011-08-24 王伟立 一种制作纯白光二极管光源的方法
KR101055762B1 (ko) 2009-09-01 2011-08-11 서울반도체 주식회사 옥시오소실리케이트 발광체를 갖는 발광 물질을 채택한 발광 장치
DE102009030205A1 (de) 2009-06-24 2010-12-30 Litec-Lp Gmbh Leuchtstoffe mit Eu(II)-dotierten silikatischen Luminophore
JP2011029497A (ja) * 2009-07-28 2011-02-10 Mitsubishi Chemicals Corp 白色発光装置およびそれを用いた照明装置
WO2011022399A1 (en) 2009-08-17 2011-02-24 Osram Sylvania Inc. Phosphor blend for an led light source and led light source incorporating same
US8592829B2 (en) * 2009-08-17 2013-11-26 Osram Sylvania Inc. Phosphor blend for an LED light source and LED light source incorporating same
US8449128B2 (en) 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
JP2013502743A (ja) 2009-08-24 2013-01-24 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 有機発光ダイオード照明器具
WO2011028482A2 (en) 2009-08-24 2011-03-10 E. I. Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diode luminaires
DE102010024758A1 (de) 2009-09-30 2011-03-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Optikkörpers, Optikkörper und optoelektronisches Bauteil mit dem Optikkörper
US8593040B2 (en) 2009-10-02 2013-11-26 Ge Lighting Solutions Llc LED lamp with surface area enhancing fins
US8674343B2 (en) * 2009-10-29 2014-03-18 E I Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diodes having white light emission
US8716700B2 (en) 2009-10-29 2014-05-06 E I Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diodes having white light emission
CN102212368B (zh) * 2010-04-02 2014-05-07 财团法人工业技术研究院 蓝光荧光材料和使用该材料的白光发光装置及太阳能电池
DE102010031237A1 (de) * 2010-07-12 2012-01-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
CN102376860A (zh) 2010-08-05 2012-03-14 夏普株式会社 发光装置及其制造方法
DE102010050832A1 (de) 2010-11-09 2012-05-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzkonversionselement, Verfahren zu dessen Herstellung und optoelektronisches Bauteil mit Lumineszenzkonversionselement
US20150188002A1 (en) * 2010-11-11 2015-07-02 Auterra, Inc. Light emitting devices having rare earth and transition metal activated phosphors and applications thereof
DE102010054280A1 (de) 2010-12-13 2012-06-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Erzeugen einer Lumineszenzkonversionsstoffschicht, Zusammensetzung hierfür und Bauelement umfassend eine solche Lumineszenzkonversionsstoffschicht
TW201226530A (en) * 2010-12-20 2012-07-01 Univ Nat Chiao Tung Yellow phosphor having oxyapatite structure, preparation method and white light-emitting diode thereof
US20140176816A1 (en) * 2011-09-05 2014-06-26 Sharp Kabushiki Kaisha Illumination device, display device using same, and television receiving device
US9500355B2 (en) 2012-05-04 2016-11-22 GE Lighting Solutions, LLC Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device
DE102012111123A1 (de) 2012-09-26 2014-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Licht emittierendes Halbleiterbauelement
DE102012109104B4 (de) * 2012-09-26 2021-09-09 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Beleuchtungseinrichtung, Hinterleuchtung für ein Display oder einen Fernseher und Display oder Fernseher
ITUD20120164A1 (it) 2012-09-26 2014-03-27 Martini Spa Sorgente luminosa a luce piacevole
TWI483902B (zh) * 2013-04-03 2015-05-11 國立臺灣大學 製作參雜金屬離子之硫化鋅奈米粒子的方法以及應用其進行光致發暖白光的方法
ITUD20130104A1 (it) * 2013-08-08 2015-02-09 Martini Spa Sorgente luminosa a luce piacevole
JP6428089B2 (ja) * 2014-09-24 2018-11-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR102423748B1 (ko) * 2015-07-08 2022-07-22 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광장치
CN105062479B (zh) * 2015-08-15 2018-07-06 中国地质大学（北京） 一种黄橙光型钙硅石结构的氮氧化物荧光材料及其制备方法
CN105385445B (zh) * 2015-10-30 2017-11-03 北京航空航天大学 一种在钨酸钇基中共掺杂离子获得白色发光荧光粉的方法
CN110382664A (zh) 2017-03-08 2019-10-25 默克专利股份有限公司 用于动态照明系统的发光体混合物
KR102373817B1 (ko) * 2017-05-02 2022-03-14 삼성전자주식회사 백색 발광장치 및 조명 장치
DE102017130136A1 (de) 2017-12-15 2019-06-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
CN110546772A (zh) * 2018-03-27 2019-12-06 首尔半导体株式会社 发光装置
KR102567653B1 (ko) * 2018-06-11 2023-08-17 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치
EP3844821A1 (de) * 2018-08-31 2021-07-07 Lumileds LLC Phosphorkonvertierte led mit hoher farbqualität
CN113531411B (zh) * 2020-04-21 2023-10-10 厦门立达信数字教育科技有限公司 一种光源结构和灯具
KR102379178B1 (ko) * 2021-10-02 2022-03-25 주식회사 에스에스라이트 블루 라이트 차단 및 가시광 살균 기능을 포함한 고연색 백색 발광 소자

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3544481A (en) * 1967-12-01 1970-12-01 Sylvania Electric Prod Europium-activated alkaline earth orthosilicate phosphor
WO1998039805A1 (de) * 1997-03-03 1998-09-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Weisse lumineszenzdiode
EP0933823A2 (de) * 1998-01-30 1999-08-04 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Ausdehnungskompensiertes optoelektronisches Halbleiter-Bauelement, insbesondere UV-emittierende Leuchtdiode und Verfahren zu seiner Herstellung
WO2000032982A1 (en) * 1998-11-30 2000-06-08 General Electric Company Decorative lighting apparatus with light source and luminescent material
US6255670B1 (en) * 1998-02-06 2001-07-03 General Electric Company Phosphors for light generation from light emitting semiconductors

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3418247A (en) * 1965-03-24 1968-12-24 Rca Corp Rare earth activated lanthanum and lutetium oxy-chalcogenide phosphors
US3505240A (en) * 1966-12-30 1970-04-07 Sylvania Electric Prod Phosphors and their preparation
GB8623822D0 (en) * 1986-10-03 1986-11-05 Philips Nv Colour cathode ray tube
JP2601341B2 (ja) * 1989-03-01 1997-04-16 日亜化学工業株式会社 高演色性の蛍光ランプ
EP0650089B1 (de) * 1993-10-20 2000-06-21 Agfa-Gevaert N.V. Hochauflösendes radiographisches Aufzeichnungselement
US5604763A (en) * 1994-04-20 1997-02-18 Toyoda Gosei Co., Ltd. Group III nitride compound semiconductor laser diode and method for producing same
EP0718866B1 (de) * 1994-12-19 1999-03-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Verfahren zur Herstellung eines Anzeigeschirmes
US5640792A (en) * 1995-06-07 1997-06-24 National Service Industries, Inc. Lighting fixtures
KR100189807B1 (ko) * 1995-09-26 1999-06-01 손욱 발광효율이 향상된 적색 발광 형광체의 제조방법
EP0856202A2 (de) 1996-06-11 1998-08-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Sichtbares licht emittierende vorrichtungen mit einer uv-licht emittierenden diode und einem uv-licht anregbaren, sichtbares licht emittierenden leuchtstoff und herstellungsverfahren
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
JPH1041546A (ja) * 1996-07-22 1998-02-13 Nippon Sanso Kk 発光素子
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
US5851063A (en) * 1996-10-28 1998-12-22 General Electric Company Light-emitting diode white light source
KR19980046311A (ko) * 1996-12-12 1998-09-15 손욱 형광막 프로젝터
US6051925A (en) * 1997-03-03 2000-04-18 U.S. Philips Corporation Diode-addressed color display with molecular phosphor
WO1998039807A1 (de) 1997-03-04 1998-09-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Diodenadressiertes farbdisplay mit lanthanoidphosphoren
JPH11199867A (ja) * 1997-03-13 1999-07-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 蛍光体とこれを用いた蛍光体含有物ならびにこれらの製造方法
JP3475702B2 (ja) * 1997-03-14 2003-12-08 日亜化学工業株式会社 アルカリ土類ハロ燐酸塩蛍光体及びそれを用いた高負荷蛍光ランプ
ES2230623T3 (es) * 1997-03-26 2005-05-01 Zhiguo Xiao Material luminiscente de silicato con postluminiscencia de larga duracion y procedimiento de fabricacion del mismo.
US5813753A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
JPH11145519A (ja) * 1997-09-02 1999-05-28 Toshiba Corp 半導体発光素子、半導体発光装置および画像表示装置
JPH11140437A (ja) * 1997-11-06 1999-05-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 二価ユーロピウム付活蛍光体の製造方法
US6294800B1 (en) * 1998-02-06 2001-09-25 General Electric Company Phosphors for white light generation from UV emitting diodes
US6252254B1 (en) 1998-02-06 2001-06-26 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
US6099754A (en) * 1998-03-31 2000-08-08 Sarnoff Corporation Long persistence red phosphors
JP3471220B2 (ja) * 1998-05-27 2003-12-02 株式会社東芝 半導体発光装置
JP2000081683A (ja) * 1998-06-23 2000-03-21 Konica Corp 無機蛍光体を含有するハロゲン化銀写真感光材料及びカラ―フィルタ―
DE69910843T2 (de) * 1998-06-25 2004-02-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma Herstellungsverfahren einer Plasma-Anzeigetafel zur Erzielung gewisser Lumineszenzeigenschaften
JP4171107B2 (ja) * 1998-07-09 2008-10-22 スタンレー電気株式会社 面状光源
EP1111026B1 (de) * 1998-08-18 2010-03-10 Nichia Corporation Rot-emittierender, nachleuchtender, photolumineszierender leuchtstoff undnachleuchtende lampe diesen verwendend
JP3949290B2 (ja) * 1998-08-31 2007-07-25 株式会社東芝 表示装置
WO2000019546A1 (en) * 1998-09-28 2000-04-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lighting system
US6429583B1 (en) 1998-11-30 2002-08-06 General Electric Company Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors
JP2000178552A (ja) * 1998-12-14 2000-06-27 Toray Ind Inc ディスプレイ用蛍光体粉末および蛍光体ペースト
JP2000195672A (ja) * 1998-12-25 2000-07-14 Sony Corp 画像表示装置
US6576156B1 (en) * 1999-08-25 2003-06-10 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Phosphors with nanoscale grain sizes and methods for preparing the same
JP2001111109A (ja) * 1999-10-07 2001-04-20 Sharp Corp 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
DE60004945T2 (de) * 1999-11-05 2004-07-15 Kabushiki Kaisha Toshiba, Kawasaki Methode und Geräte für Farb-Radiographie, und Farb-Lichtemissionsfolie dafür
JP4197814B2 (ja) * 1999-11-12 2008-12-17 シャープ株式会社 Ｌｅｄ駆動方法およびｌｅｄ装置と表示装置
TW465123B (en) * 2000-02-02 2001-11-21 Ind Tech Res Inst High power white light LED
US6621211B1 (en) * 2000-05-15 2003-09-16 General Electric Company White light emitting phosphor blends for LED devices
JP4077170B2 (ja) * 2000-09-21 2008-04-16 シャープ株式会社 半導体発光装置
JP2004127988A (ja) * 2002-09-30 2004-04-22 Toyoda Gosei Co Ltd 白色発光装置
US6982045B2 (en) * 2003-05-17 2006-01-03 Phosphortech Corporation Light emitting device having silicate fluorescent phosphor
JP4415578B2 (ja) * 2003-06-30 2010-02-17 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイ装置
KR100887489B1 (ko) * 2004-04-27 2009-03-10 파나소닉 주식회사 형광체 조성물과 그 제조 방법, 및 그 형광체 조성물을이용한 발광 장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3544481A (en) * 1967-12-01 1970-12-01 Sylvania Electric Prod Europium-activated alkaline earth orthosilicate phosphor
WO1998039805A1 (de) * 1997-03-03 1998-09-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Weisse lumineszenzdiode
EP0933823A2 (de) * 1998-01-30 1999-08-04 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Ausdehnungskompensiertes optoelektronisches Halbleiter-Bauelement, insbesondere UV-emittierende Leuchtdiode und Verfahren zu seiner Herstellung
US6255670B1 (en) * 1998-02-06 2001-07-03 General Electric Company Phosphors for light generation from light emitting semiconductors
WO2000032982A1 (en) * 1998-11-30 2000-06-08 General Electric Company Decorative lighting apparatus with light source and luminescent material

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
SATO Y ET AL: "FULL-COLOR FLUORESCENT DISPLAY DEVICES USING A NEAR-UV LIGHT-EMITTING DIODE", JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, PUBLICATION OFFICE JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. TOKYO, JP, vol. 35, no. 7A, 1 July 1996 (1996-07-01), pages L838 - L839, XP000733074, ISSN: 0021-4922 *
See also references of EP1305833A1 *

Cited By (95)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7679101B2 (en) 2000-12-28 2010-03-16 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device
US7259396B2 (en) 2000-12-28 2007-08-21 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light source with a light-emitting element
USRE47453E1 (en) 2001-09-03 2019-06-25 Panasonic Corporation Luminescent layer and light-emitting semiconductor device
US7629620B2 (en) 2001-09-03 2009-12-08 Panasonic Corporation Light-emitting semiconductor device, light-emitting system and method for fabricating light-emitting semiconductor device
US7023019B2 (en) 2001-09-03 2006-04-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device, light-emitting system and method for fabricating light-emitting semiconductor device
US7422504B2 (en) 2001-09-03 2008-09-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device, light-emitting system and method for fabricating light-emitting semiconductor device
US7772769B2 (en) 2001-09-03 2010-08-10 Panasonic Corporation Light-emitting semiconductor device, light-emitting system and method for fabricating light-emitting semiconductor device
US7592639B2 (en) 2001-09-03 2009-09-22 Panasonic Corporation Light-emitting semiconductor device, light-emitting system and method for fabricating light-emitting semiconductor device
FR2830529A1 (fr) * 2001-10-10 2003-04-11 Rhodia Elect & Catalysis Nouveaux tungstates de terres rares, leur procede de preparation et leur utilisation comme agent de protection contre les rayons ultraviolets
US7357882B2 (en) 2002-02-15 2008-04-15 Mitsubishi Chemical Corporation Light emitting device and illuminator using the same
EP1484803A1 (de) * 2002-02-15 2004-12-08 Mitsubishi Chemical Corporation Lichtemissionsbauelement und beleuchtungseinrichtung damit
EP1484803A4 (de) * 2002-02-15 2007-05-09 Mitsubishi Chem Corp Lichtemissionsbauelement und beleuchtungseinrichtung damit
EP1942531A3 (de) * 2002-02-15 2008-08-20 Mitsubishi Chemical Corporation Lichtemittierende Vorrichtung und Beleuchter, der diese benutzt
EP2204858A3 (de) * 2002-02-15 2010-10-27 Mitsubishi Chemical Corporation Lichtemittierende Vorrichtung und zugehörige Beleuchtungseinrichtung
EP2204859A3 (de) * 2002-02-15 2010-10-27 Mitsubishi Chemical Corporation Lichtemittierende Vorrichtung und zugehörige Beleuchtungseinrichtung
JP2003306675A (ja) * 2002-02-15 2003-10-31 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置及びそれを用いた照明装置
EP1339109A3 (de) * 2002-02-25 2011-01-05 Lumileds Lighting U.S., LLC Licht emittierende Vorrichtung mit kompensiertem Rot-mangel Leuchtstoff
EP1339109A2 (de) * 2002-02-25 2003-08-27 LumiLeds Lighting U.S., LLC Licht emittierende Vorrichtung mit kompensiertem Rot-mangel Leuchtstoff
JP2004107623A (ja) * 2002-06-28 2004-04-08 General Electric Co <Ge> アルカリ土類金属及び第ｉｉｉｂ族金属の酸化物を含む蛍光体並びに該蛍光体を組み込んだ光源
JP2004085824A (ja) * 2002-08-26 2004-03-18 Ricoh Co Ltd 画像読取装置の照明装置
JP2006505659A (ja) * 2002-11-05 2006-02-16 ロディア エレクトロニクス アンド カタリシス バリウムマグネシウムシリケートを添加剤として含む光変換材料
EP1452903A2 (de) * 2002-12-23 2004-09-01 Siemens Aktiengesellschaft Flüssigkristallanzeige
EP1452903A3 (de) * 2002-12-23 2004-11-10 Siemens Aktiengesellschaft Flüssigkristallanzeige
US7045078B2 (en) 2003-02-10 2006-05-16 Lg Electronics Inc. Green oxide phosphor
EP1449905A1 (de) * 2003-02-10 2004-08-25 LG Electronics Inc. Grüner oxidischer Leuchtstoff
JP2004296830A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Solidlite Corp 白色ｌｅｄの製造方法
US7199513B2 (en) 2003-06-13 2007-04-03 Patent-Treuhand-Gesellschaft Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Discharge lamp having two-band phosphor
EP1491611A2 (de) * 2003-06-13 2004-12-29 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Entladungslampe mit Zweibanden-Leuchtstoff
EP1491611A3 (de) * 2003-06-13 2005-04-06 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Entladungslampe mit Zweibanden-Leuchtstoff
JP2007524726A (ja) * 2003-06-24 2007-08-30 ゲルコアー リミテッド ライアビリティ カンパニー Ｌｅｄチップによる白色光発生のためのフルスペクトル蛍光体混合物
JP2007536388A (ja) * 2003-08-02 2007-12-13 ホスホルテック コーポレーション スルホセレニド（ｓｕｌｆｏｓｅｌｅｎｉｄｅ）蛍光燐光物質を有する発光装置
US7026755B2 (en) * 2003-08-07 2006-04-11 General Electric Company Deep red phosphor for general illumination applications
US7675075B2 (en) * 2003-08-28 2010-03-09 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device, light emitting module, lighting apparatus, display element and manufacturing method of semiconductor light emitting device
US8692285B2 (en) 2003-08-28 2014-04-08 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device, light emitting module, lighting apparatus and display element
US8207548B2 (en) 2003-08-28 2012-06-26 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device, light emitting module, lighting apparatus, display element and manufacturing method of semiconductor light emitting device
JP2005123165A (ja) * 2003-09-25 2005-05-12 Koito Mfg Co Ltd 車両用灯具
US7488432B2 (en) * 2003-10-28 2009-02-10 Nichia Corporation Fluorescent material and light-emitting device
US7658866B2 (en) 2003-10-28 2010-02-09 Nichia Corporation Fluorescent material and light-emitting device
US8169131B2 (en) 2003-10-28 2012-05-01 Nichia Corporation Fluorescent material and light-emitting device
US7319195B2 (en) 2003-11-28 2008-01-15 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Composite conductor, superconductive apparatus system, and composite conductor manufacturing method
JP2005226069A (ja) * 2004-01-16 2005-08-25 Mitsubishi Chemicals Corp 蛍光体、及びそれを用いた発光装置、照明装置、ならびに画像表示装置
US7608200B2 (en) 2004-01-16 2009-10-27 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor and including the same, light emitting apparatus, illuminating apparatus and image display
WO2005068584A1 (ja) * 2004-01-16 2005-07-28 Mitsubishi Chemical Corporation 蛍光体、及びそれを用いた発光装置、照明装置ならびに画像表示装置
JP2005226068A (ja) * 2004-01-16 2005-08-25 Mitsubishi Chemicals Corp 蛍光体、及びそれを用いた発光装置、照明装置、ならびに画像表示装置
JP4617890B2 (ja) * 2004-01-16 2011-01-26 三菱化学株式会社 蛍光体、及びそれを用いた発光装置、照明装置、ならびに画像表示装置
JP4617889B2 (ja) * 2004-01-16 2011-01-26 三菱化学株式会社 蛍光体、及びそれを用いた発光装置、照明装置、ならびに画像表示装置
WO2005078048A1 (en) * 2004-02-18 2005-08-25 Showa Denko K.K. Phosphor, production method thereof and light-emitting device using the phosphor
US7252788B2 (en) 2004-02-27 2007-08-07 Dowa Mining Co., Ltd. Phosphor, light source and LED
US7573072B2 (en) * 2004-03-10 2009-08-11 Lumination Llc Phosphor and blends thereof for use in LEDs
JP2007528606A (ja) * 2004-03-10 2007-10-11 ゲルコアー リミテッド ライアビリティ カンパニー Ｌｅｄに使用するための蛍光体及びそれらの混合物
KR100777501B1 (ko) * 2004-04-27 2007-11-28 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 형광체 조성물과 그 제조 방법, 및 그 형광체 조성물을이용한 발광 장치
US7291289B2 (en) 2004-05-14 2007-11-06 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and production method of the same and light source and LED using the phosphor
US7434981B2 (en) 2004-05-28 2008-10-14 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Manufacturing method of metal paste
USRE44996E1 (en) * 2004-06-25 2014-07-08 Nichia Corporation Phosphor and production method of the same, method of shifting emission wavelength of phosphor, and light source and LED
US7273568B2 (en) 2004-06-25 2007-09-25 Dowa Mining Co., Ltd. Phosphor and production method of the same, method of shifting emission wavelength of phosphor, and light source and LED
US7884539B2 (en) 2004-07-09 2011-02-08 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Light source having phosphor including divalent, trivalent and tetravalent elements
US8441180B2 (en) 2004-07-09 2013-05-14 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Light source having phosphor including divalent, trivalent and tetravalent elements
US7432647B2 (en) 2004-07-09 2008-10-07 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Light source having phosphor including divalent trivalent and tetravalent elements
US7476337B2 (en) 2004-07-28 2009-01-13 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method for the same, and light source
US8066910B2 (en) 2004-07-28 2011-11-29 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method for the same, and light source
USRE45640E1 (en) 2004-08-02 2015-08-04 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor for electron beam excitation and color display device using the same
US7527748B2 (en) 2004-08-02 2009-05-05 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and phosphor film for electron beam excitation and color display apparatus using the same
USRE44162E1 (en) 2004-08-02 2013-04-23 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and phosphor film for electron beam excitation and color display apparatus using the same
US7476335B2 (en) 2004-08-20 2009-01-13 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method therefore, and light source using the phosphor
USRE45502E1 (en) 2004-08-20 2015-05-05 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method therefore, and light source using the phosphor
US7476338B2 (en) 2004-08-27 2009-01-13 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method for the same, and light source
US7803286B2 (en) 2004-08-27 2010-09-28 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method for the same, and light source
US7345418B2 (en) 2004-08-27 2008-03-18 Dowa Mining Co., Ltd. Phosphor mixture and light emitting device using the same
US8308981B2 (en) 2004-08-27 2012-11-13 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method for the same, and light source
US7514860B2 (en) 2004-10-28 2009-04-07 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor mixture and light emitting device
US7477009B2 (en) 2005-03-01 2009-01-13 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor mixture and light emitting device
US7524437B2 (en) 2005-03-04 2009-04-28 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method of the same, and light emitting device using the phosphor
US7445730B2 (en) 2005-03-31 2008-11-04 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method of the same, and light emitting device using the phosphor
US7443094B2 (en) 2005-03-31 2008-10-28 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method of the same, and light emitting device using the phosphor
US7935975B2 (en) 2005-09-29 2011-05-03 Kabushiki Kaisha Toshiba White LED lamp and backlight using the same, and liquid crystal display device using the backlight
WO2007116850A1 (en) 2006-03-27 2007-10-18 Toyoda Gosei Co., Ltd. Ferrous-metal-alkaline-earth-metal silicate mixed crystal phosphor and light emitting device using the same
JP2007123927A (ja) * 2006-12-18 2007-05-17 Mitsubishi Cable Ind Ltd 発光装置およびそれを用いた照明装置
US9550939B2 (en) 2006-12-20 2017-01-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Red emitting nitride fluorescent material and white light emitting device using the same
US8894884B2 (en) 2006-12-20 2014-11-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Red emitting nitride fluorescent material and white light emitting device using the same
US8852454B2 (en) 2006-12-20 2014-10-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Red emitting nitride fluorescent material and white light emitting device using the same
EP1967565A2 (de) 2006-12-20 2008-09-10 NEC Lighting, Ltd. Rotleuchtendes, fluoreszentes Nitridmaterial und lichtausgebende Vorrichtung damit
DE102007016229A1 (de) 2007-04-04 2008-10-09 Litec Lll Gmbh Verfahren zur Herstellung von Leuchtstoffen basierend auf Orthosilikaten für pcLEDs
DE102007016228A1 (de) 2007-04-04 2008-10-09 Litec Lll Gmbh Verfahren zur Herstellung von Leuchtstoffen basierend auf Orthosilikaten für pcLEDs
US8018139B2 (en) 2007-11-05 2011-09-13 Enertron, Inc. Light source and method of controlling light spectrum of an LED light engine
JP2009071337A (ja) * 2008-12-29 2009-04-02 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置およびそれを用いた照明装置
US8486299B2 (en) 2010-03-18 2013-07-16 Industrial Technology Research Institute Blue phosphors, white light illumination devices and solar cells utilizing the same
WO2011117791A1 (en) 2010-03-24 2011-09-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led-based lighting device comprising a plurality of luminescent materials
US9231150B2 (en) 2011-03-16 2016-01-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Phosphor for light emitting device and method for manufacturing the same, and light emitting device using the same
US10833227B2 (en) 2012-03-30 2020-11-10 Lumileds Llc Optical cavity including a light emitting device and wavelength converting material
US9406849B2 (en) 2012-08-10 2016-08-02 Koninklijke Philips N.V. Phosphor converted light emitting diode, a lamp and a luminaire
WO2014024138A1 (en) * 2012-08-10 2014-02-13 Koninklijke Philips N.V. A phosphor converted light emitting diode, a lamp and a luminaire
US11021610B2 (en) 2016-01-14 2021-06-01 Basf Se Perylene bisimides with rigid 2,2′-biphenoxy bridges
US11441036B2 (en) 2016-10-06 2022-09-13 Basf Se 2-phenylphenoxy-substituted perylene bisimide compounds and their use
US11236101B2 (en) 2017-12-19 2022-02-01 Basf Se Cyanoaryl substituted benz(othi)oxanthene compounds
US11898075B2 (en) 2018-03-20 2024-02-13 Basf Se Yellow light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
US7239082B2 (en) 2007-07-03
EP1970970B1 (de) 2016-12-07
CN1214471C (zh) 2005-08-10
JP2004505470A (ja) 2004-02-19
JP2012235140A (ja) 2012-11-29
US20040056256A1 (en) 2004-03-25
EP1970970A2 (de) 2008-09-17
EP1305833A1 (de) 2003-05-02
KR100920533B1 (ko) 2009-10-08
EP1970970A3 (de) 2008-10-01
KR20030017644A (ko) 2003-03-03
DE10036940A1 (de) 2002-02-07
US20060055315A1 (en) 2006-03-16
US7064480B2 (en) 2006-06-20
TW531904B (en) 2003-05-11
CN1444775A (zh) 2003-09-24
US20070170842A1 (en) 2007-07-26
JP5419315B2 (ja) 2014-02-19
US7821196B2 (en) 2010-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1970970B1 (de) Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
EP1206802B1 (de) Weiss emittierende beleuchtungseinheit auf led-basis
EP1116419B1 (de) Leuchtstoffanordnung wellenlängenkonvertierende vergussmasse und lichtquelle
EP1352431B2 (de) Lichtquelle mit einem lichtemittlierenden element
DE10105800B4 (de) Hocheffizienter Leuchtstoff und dessen Verwendung
DE10241140A1 (de) Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
WO2001093341A1 (de) Weiss emittierende beleuchtungseinheit auf led-basis
DE102009037730A1 (de) Konversions-LED mit hoher Farbwiedergabe
DE102005059521A1 (de) Rot emittierender Leuchtstoff und Lichtquelle mit einem derartigen Leuchtstoff
EP2165351A1 (de) Leuchtstoffmischung für eine entladungslampe und entladungslampe, insbesondere hg-niederdruckentladungslampe
EP1306885B1 (de) Leuchtstoffzusammensetzung für Niederdruckenladungslampen
EP2593526B1 (de) Optoelektronisches bauelement
EP2217678B1 (de) Leuchtstoff und beleuchtungssystem mit derartigem leuchtstoff
DE102018101428A1 (de) Optoelektronisches Bauelement
DE102005037455A1 (de) Weißlicht-Leuchtdiode
DE20023554U1 (de) Lumineszenz-Konversions-LED
DE20218718U1 (de) Leuchtstoff für Lumineszenzkonversions-LED
DE19963791A1 (de) Leuchtstoffanordnung, wellenlängenkonvertierende Vergussmasse und Lichtquelle

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): CN JP KR US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE TR

DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2001956394

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10311722

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020037000852

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 018135528

Country of ref document: CN

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020037000852

Country of ref document: KR

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2001956394

Country of ref document: EP