WO2002095763A1 - Testverfahren zum testen eines datenspeichers - Google Patents

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WO2002095763A1
WO2002095763A1 PCT/EP2002/005358 EP0205358W WO02095763A1 WO 2002095763 A1 WO2002095763 A1 WO 2002095763A1 EP 0205358 W EP0205358 W EP 0205358W WO 02095763 A1 WO02095763 A1 WO 02095763A1
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WO
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data
test
test data
memory
bus
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PCT/EP2002/005358
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Alexander Benedix
Reinhard DÜREGGER
Robert Hermann
Wolfgang Ruf
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Infineon Technologies Ag
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Priority to JP2002592135A priority patent/JP3924539B2/ja
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    • G—PHYSICS
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    • G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
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    • G11C29/40—Response verification devices using compression techniques
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    • G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/48—Arrangements in static stores specially adapted for testing by means external to the store, e.g. using direct memory access [DMA] or using auxiliary access paths

Definitions

  • the invention relates to a test method for testing a data memory and a data memory with an integrated test data compression circuit for inexpensive testing of fast semiconductor memories, in particular DRAM memories, SRAM memories, which operate at very high operating clock frequencies.
  • a circuit DUT (DUT: device unde test) to be tested is connected to an external test device via a control bus, a data bus and an address bus.
  • the external test device generates test data in a test data generator, which are applied to the memory DUT to be tested via data bus lines of a data bus.
  • the memory cells to be tested are addressed within the memory to be tested via the address bus.
  • the test data are addressed in the
  • Memory cells are written in via the data bus and then read out again.
  • the external test device compares the written test data with the read data and recognizes from the deviations or data errors whether the addressed memory cells within the memory are functional.
  • FIG. 2 shows flowcharts in the test arrangement shown in FIG. 1 according to the prior art.
  • the test device transmits the test data over a data line with a high
  • the test device receives a test data sequence on each data line of the data bus, which in the example shown in FIG. 2 consists of four test data. Such a test data sequence is also referred to as a data burst.
  • the test device generates an internal strobe signal, with each received strobe signal having a received test date with a stored the reference date within the test device is compared so that data deviations can be determined. These data deviations indicate that the addressed memory cell within the data memory is faulty.
  • Modern data memories work with ever higher operating clock frequencies, so that the data transmission rates with which the test data are written into the memory cells and subsequently read out again are also becoming ever higher. Therefore, the operating cycle frequency of the external test device in which the evaluation of the read test data takes place must also be increased.
  • the clock frequency of the strobe signal corresponds to the data transmission rate of the read test data.
  • test device is also adapted accordingly. Due to the ever shorter development cycles for the development of modern data storage devices, which work with ever higher data transfer rates, developed data storage devices can in many cases no longer be used for testing. With very high data transfer rates of the data memory to be tested, test devices are therefore required which are relatively complex in terms of circuit technology and are therefore cost-intensive.
  • the invention provides a test method for testing a data memory, in which a plurality of test data of a test data sequence, which are read out serially from the data memory, are compared with reference test data for generating a compressed display date, the display date indicating whether at least one data error has occurred in the test data sequence.
  • the test data sequence preferably consists of a predetermined number of test data bits.
  • the test data sequence is preferably generated in a test data generator of an external test device and written into a memory cell field of the data memory via a data line of a data bus, the written test data sequence subsequently being read out again from the memory cell field via a data line of the data bus and by a compression circuit integrated in the data memory according to a compression factor is compressed to a display date, the display date being output from the data memory to the external test device for data evaluation via an associated display line of a display data bus.
  • the compression factor is preferably equal to the * number of test data bits in a test data sequence.
  • test data are preferably written into the memory cell array of the data memory at a first data transfer rate from the external test device and the display data are output from the data memory into the external test device at a second data transfer rate, the ratio of the first data transfer rate to the second data transfer rate corresponding to the compression factor ,
  • the read test data of a test data sequence is serially written into a test data register of the compression circuit and compared bit by bit with the reference data, which are stored in a reference register of the compression circuit, by means of a logic comparison circuit for generating a display date.
  • the reference data is written into the reference data register of the compression circuit in an initialization operating mode by the external test device.
  • the invention also provides a data memory with an integrated test data compression circuit, the data memory comprising: a memory cell array with a multiplicity of addressable memory cells,
  • Write / read amplifier for writing and reading data into the memory cells via an internal data bus of the data memory, and a test data compression circuit, which follow several test data, each from the memory cell array in one
  • Test operating mode which is read out serially via a data line of the internal data bus, is compressed with stored reference test data sequences in order to generate a respective display date which indicates whether at least one data error has occurred in the read test data sequence.
  • the display data generated by the test data compression circuit are each transmitted from the data memory to an external test device for further data evaluation via a display data line of a display data bus.
  • the data memory preferably contains a controllable switching unit which is connected between an external data bus for data exchange with the external test device, the internal data bus for data exchange with the memory cell array and the data compression circuit.
  • the controllable switching unit can preferably be switched over between control lines by the external test device between a normal operating mode and a test operating mode, wherein in the test operating mode the test data of a test data sequence read out via a data line of the internal data bus are serially transmitted through the switching unit via a data line of an internal test data bus into a test data register of the test data compression circuit be registered.
  • the external data bus, the internal data bus, the test data bus and the display data bus preferably have the same bus width.
  • the test data compression circuit contains a plurality of test data compression circuit modules, each of which has a test data register for storing a test data sequence read from the memory field via a data line of the test data bus / a reference data register for storing a reference test data sequence, and a logic comparison circuit compare the stored test data sequence with the stored reference test data sequence to generate a display date.
  • the logic comparison circuit is preferably an XOR logic circuit.
  • test method according to the invention and the data memory according to the invention for explaining features essential to the invention is described below with reference to the attached figures.
  • 1 shows a test arrangement according to the prior art
  • 2 shows a flowchart to explain the problem on which the invention is based
  • FIG. 3 shows a block diagram of a preferred embodiment of the data memory according to the invention.
  • FIG. 4 shows a block diagram of a test data compression circuit contained in the data memory according to the invention with a plurality of test data compression modules;
  • Fig. 5 is a block diagram of a test data compression circuit module within the test data compression circuit shown in Fig. 4;
  • FIG. 6 shows a flow chart of test signals during the execution of the test method according to the invention.
  • FIG. 3 shows a block diagram of a data memory 1 according to the invention, which has an external bus 3, an external data bus 3 and a display data bus 4
  • the address bus 2 is connected to a column address decoder 6 and a row address decoder 7, which decode the applied addresses and activate memory cells within a memory cell array 10 via lines 8, 9.
  • the memory cell array 10 is over
  • Read / write amplifier 11 connected to an internal data bus 12 of data memory 1.
  • a controllable switching unit 13 is provided between the external data bus 3 and the internal data bus 12 and can be controlled by the external test device 5 via control lines 14.
  • a test data compression circuit 16 is connected to the switching unit 13 via an internal test data bus 15.
  • test data compression circuit 16 is connected to the switching unit 13 via data lines 15-i.
  • the data bus width of the test data bus 15 between the switching tion unit 13 and the integrated test data compression circuit 16 corresponds to the data bus width of the external data bus 3 and the internal data bus 12.
  • the test data compression circuit contains D test data compression circuit modules 17-i, each of which generates a display data which is transmitted via a " display data line 4-i the external test device 5 is released for further data evaluation.
  • the test data compression circuit module 17 receives, via a data line of the internal test data bus 15, a test data sequence read from the memory cell array 10 and consisting of several test data bits.
  • the received test data sequence is written into a clocked test data register 20 in series via a controllable internal switch 18 and a data line 19.
  • the test data register contains a memory location 21 for each test data bit in the test data sequence.
  • the number M of memory locations 21 corresponds to the number of test data bits within a test data sequence or a test data burst.
  • Each test data circuit module 17-i contains a clocked reference data register 22 for storing reference test data.
  • the reference data register 22 is also connected via a line 23 to the controllable changeover switch 18, which is controlled by the external test device 5 via a control line 24.
  • the clocked reference data register 22 contains a plurality of memory locations 25 for reference data bits.
  • the reference data register 22 stores M reference data bits which are written into the reference data register 22 by the external test device 5 during an initialization phase.
  • the memory locations 21 within the test data register 20 are connected via lines 26 and the memory locations 25 within the test data register 22 are connected via lines 27 to inputs of XOR gates 28 of a data comparison circuit 29 within the data compression circuit module 17.
  • the XOR gates 28 are connected via lines 30 to an XOR circuit 31, which outputs a display date on the output side via a display line 4-i of the display data bus 4 to the external test device 5.
  • the data comparison circuit 29 carries out a bit-wise data comparison of the target data or reference data contained in the reference data register 22 with the test data of the test data sequence read out from the memory cell array 10. If a test data bit of the test data sequence written into the test data register 20 deviates from the associated reference data bit stored in the reference data register 22 due to an incorrectly produced memory cell, a display date is generated at the output of the data comparison circuit 29, which indicates that at least one data error in the temporarily stored test data sequence 1 occurred.
  • FIG. 6 shows timing diagrams during a test procedure according to the test method according to the invention for testing the data memory 1 shown in FIG. 3.
  • the memory cell field 10 of the data memory 1 becomes a test data sequence which, in the example shown in FIG. 6, consists of four test data bits. read out and serially applied via a data line of the internal data bus 12 and the internal test data bus 15 to a test data compression circuit module 17 and there serially written into its test data register 20.
  • the data comparison circuit 29 generates a display date or pass fail signal which is output to the external test device for further data evaluation via a display data line of the display data bus 4. The evaluation of the display date by the external test device 5 takes place with the strobe signal.
  • the external test device 5 can operate at a clock frequency that is lower by the data compression factor K than in the conventional test arrangement.
  • Each test data compression circuit module 17 within the compression circuit 16 carries out a test data compression with a test data compression factor K, which corresponds to the number of test data bits within a test data sequence.
  • the test data sequence or the test data burst is four data bits, which are compressed by a test data compression circuit module 17 to a display date, ie the test data compression factor K is four in the example shown in FIG. 6.
  • test method it is possible either to reduce the test duration in accordance with the test data compression factor K or to reduce the maximum working frequency of the data input and data outputs required in the external test device in accordance with the test data compression factor K.
  • This makes it possible to use existing circuitry-less complex conventional test devices for testing data memories that work at a very high operating clock frequency.
  • Test data compression circuit modules 18. Controllable switching device

Abstract

Testverfahren zum Testen eines Datenspeichers mit integrierter Testdaten-Kompressionsschaltung (16), wobei der Datenspeicher (1) ein Speicherzellenfeld (10) mit einer Vielzahl von adressierbaren Speicherzellen, Schreib-/Leseverstärker (12) zum Einschreiben und Auslesen von Daten in die Speicherzellen über einen internen Datenbus (12) des Datenspeichers (1) und eine Testdaten-Kompressionsschaltung (16) aufweist, die Testdatenfolgen, die jeweils aus dem Speicherzellenfeld (10) seriell ausgelesen werden, mit gespeicherten Referenz-Testdatenfolgen zur Erzeugung von jeweils einem Anzeigedatum komprimiert, welches anzeigt, ob in der ausgelesenen Testdatenfolge mindestens ein Datenfehler aufgetreten ist.

Description

Beschreibung
Testverfahren zum Testen eines Datenspeichers
Die Erfindung betrifft ein Testverfahren zum Testen eines Datenspeichers und einen Datenspeicher mit integrierter Testda- tenkompressionsschaltung zum kostengünstigen Testen von schnellen Halbleiterspeichern, insbesondere von DRAM- Speichern, SRAM-Speichern, die mit sehr hohen Arbeitstaktfre- quenzen arbeiten.
Fig. 1 zeigt eine Testanordnung nach dem Stand der Technik. Eine zu testende Schaltung DUT (DUT: device unde test) ist über einen Steuerbus, einen Datenbus und einen Adressbus an ein externes Testgerät angeschlossen. Das externe Testgerät erzeugt in einem Testdatengenerator Testdaten, die über Datenbusleitungen eines Datenbusses an den zu testenden Speicher DUT angelegt werden. Über den Adressbus werden die zu testenden Speicherzellen innerhalb des zu testenden Speichers adressiert. Dabei werden die Testdaten in die adressierten
Speicherzellen über den Datenbus eingeschrieben und anschließend wieder ausgelesen. Das externe Testgerät vergleicht die eingeschriebenen Testdaten mit den ausgelesenen Daten und erkennt anhand der Abweichungen bzw. Datenfehler ob die adres- sierten Speicherzellen innerhalb des Speichers funktionsfähig sind.
Fig. 2 zeigt Ablaufdiagramrne bei der in Fig. 1 dargestellten Testanordnung nach dem Stand der Technik. Das Testgerät über- trägt die Testdaten über eine Datenleitung mit einer hohen
Taktfrequenz und liest sie anschließend wieder aus dem Datenspeicher aus. Auf jeder Datenleitung des Datenbusses empfängt das Testgerät eine Testdatenfolge, die bei dem in Fig. 2 dargestellten Beispiel aus vier Testdaten besteht. Eine derarti- ge Testdatenfolge wird auch als Datenburst bezeichnet. Das
Testgerät erzeugt ein internes Strobe-Signal, wobei bei jedem Strobe-Signal ein empfangenes Testdatum mit einem gespeicher- tem Referenzdatum innerhalb des Testgeräts verglichen wird, so dass Datenabweichungen ermittelt werden können. Diese Datenabweichungen zeigen an, dass die adressierte Speicherzelle innerhalb des Datenspeichers fehlerhaft ist. Moderne Daten- Speicher arbeiten mit immer höheren Arbeitstaktfrequenzen, so dass auch die Datenübertragungsraten, mit denen die Testdaten in die Speicherzellen eingeschrieben und anschließend wieder ausgelesen werden, ebenfalls immer höher werden. Daher uss die Arbeitstaktfrequenz des externen Testgeräts, in der die Auswertung der ausgelesenen Testdaten erfolgt, ebenfalls erhöht werden. Bei dem in Fig. 2 dargestellten Beispiel entspricht die Taktfrequenz des Strobe-Signals der Datenübertragungsrate der ausgelesenen Testdaten. Mit der zunehmenden Datenübertragungsrate des zu testenden Halbleiterspeichers ist es daher bei der in Fig. 1 dargestellten Testanordnung notwendig, dass auch das Testgerät entsprechend angepasst wird. Aufgrund der immer kürzer werdenden Entwicklungszyklen zur Entwicklung von modernen Datenspeichern, die mit immer höheren Datenübertragungsraten .arbeiten, können zum Testen entwi- ekelte Datenspeicher die bisher eingesetzten Testgeräte in vielen Fällen nicht mehr eingesetzt werden. Bei sehr hohen Datenübertragungsraten des zu testenden Datenspeichers benötigt man daher Testgeräte, die schaltungstechnisch relativ aufwendig und somit kostenintensiv sind.
Es ist daher die Aufgabe ein Testverfahren zum Testen eines Datenspeichers und einen Datenspeicher zu schaffen, die das Testen eines Datenspeichers, der eine sehr hohe Arbeitstaktfrequenz aufweist, mit einem herkömmlichen Testgerät erlau- ben, das mit einer geringeren Taktfrequenz arbeitet.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Testverfahren mit den im Patentanspruch 1 angegebenen Merkmalen und durch einen Datenspeicher mit den im Patentanspruch 8 angegebenen Merkmalen gelöst. Die Erfindung schafft ein Testverfahren zum Testen eines Datenspeichers, bei dem mehrere seriell aus dem Datenspeicher ausgelesene Testdaten einer Testdatenfolge mit Referenz- Testdaten zur Erzeugung eines komprimierten Anzeigedatums verglichen werden, wobei das Anzeigedatum anzeigt, ob in der Testdatenfolge mindestens ein Datenfehler aufgetreten ist.
Die Testdatenfolge besteht dabei vorzugsweise aus einer vorgegebenen Anzahl von Testdatenbits.
Die Testdatenfolge wird vorzugsweise in einem Testdatengenerator eines externen Testgeräts erzeugt und über eine Datenleitung eines Datenbusses in ein Speicherzellenfeld des Datenspeichers eingeschrieben, wobei die eingeschriebene Testdatenfolge anschließend aus dem Speicherzellenfeld über eine Datenleitung des Datenbusses wieder ausgelesen und durch eine in dem Datenspeicher integrierte Kompressionsschaltung entsprechend einem Kompressionsfaktor zu einem Anzeigedatum komprimiert wird, wobei das Anzeigedatum über eine zugehörige Anzeigeleitung eines Anzeigedatenbusses von dem Datenspeicher an das externe Testgerät zur Datenauswertung abgegeben wird.
Der Kompressionsfaktor ist vorzugsweise gleich der* Anzahl der Testdatenbits einer Testdatenfolge.
Die Testdaten werden vorzugsweise mit einer ersten Datenübertragungsrate von dem externen Testgerät in das Speicherzellenfeld des Datenspeichers eingeschrieben und die Anzeigeda- ten werden mit einer zweiten Datenübertragungsrate von dem Datenspeicher in das externe Testgerät abgegeben, wobei das Verhältnis der ersten Datenübertragungsrate zu der zweiten Datenübertragungsrate dem Kompressionsfaktor entspricht .
Bei einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Testverfahrens werden die ausgelesenen Testdaten einer Test- datenfolge in ein Testdaten-Register der Kompressionsschaltung seriell eingeschrieben und mit den Referenzdaten, die in einem Referenzregister der Kompressionsschaltung gespeichert sind, durch eine logische Vergleichsschaltung zur Erzeugung eines Anzeigedatums bitweise verglichen.
Dabei werden die Referenzdaten in das Referenzdatenregister der Kompressionsschaltung in einem Initialisierungsbetriebsmodus durch das externe Testgerät eingeschrieben.
Die Erfindung schafft ferner einen Datenspeicher mit integrierter Testdatenkompressionsschaltung, wobei der Datenspeicher aufweist: ein Speicherzellenfeld mit einer Vielzahl von adressierbaren Speicherzellen,
Schreib-/Le-severstärker zum Einschreiben und Auslesen von Daten in die Speicherzellen über einen internen Datenbus des Datenspeichers, und eine Testdatenkompressionsschaltung, die mehrere Testda- tenfolgen, die jeweils aus dem Speicherzellenfeld in einem
Testbetriebsmodus über eine Datenleitung des internen Datenbusses seriell ausgelesen werden mit gespeicherten Referenz- Testdatenfolgen zur Erzeugung von jeweils einem Anzeigedatum komprimiert, das anzeigt, ob in der ausgelesenen Testdaten- folge mindestens ein Datenfehler aufgetreten ist.
Dabei werden die durch die Testdatenkompressionsschaltung erzeugten Anzeigedaten jeweils über eine Anzeigedatenleitung eines Anzeigedatenbusses von dem Datenspeicher an ein exter- nes Testgerät zur weiteren Datenauswertung übertragen.
Der erfindungsgemäße Datenspeicher enthält vorzugsweise eine steuerbare Schalteinheit, die zwischen einem externen Datenbus zum Datenaustausch mit dem externen Testgerät, dem inter- nen Datenbus zum Datenaustausch mit dem Speicherzellenfeld und der Datenkompressionsschaltung geschaltet ist. Die steuerbare Schalteinheit ist vorzugsweise über Steuerleitungen durch das externe Testgerät zwischen einem normalen Betriebsmodus und einem Testbetriebsmodus umschaltbar, wobei in dem Testbetriebsmodus die über eine Datenleitung des internen Datenbusses ausgelesenen Testdaten einer Testdatenfolge durch die Schalteinheit über eine Datenleitung eines internen Testdatenbusses in ein Testdatenregister der Testdatenkompressionsschaltung seriell eingeschrieben werden.
Der externe Datenbus, der interne Datenbus, der Testdatenbus und der Anzeigedatenbus weisen vorzugsweise die gleiche Busbreite auf.
Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform des erfin- dungsgemäßen Datenspeichers enthält die Testdatenkompressionsschaltung mehrere Testdatenkompressionsschaltungsmodule, die jeweils ein Testdatenregister zum Speichern einer über eine Datenleitung des Testdatenbusses aus dem Speicherfeld ausgelesenen Testdatenfolge/ ein Referenzdatenregister zum Speichern einer Referenztestda- tenfolge, und eine logische Vergleichsschaltung aufweisen, die die gespeicherte Testdatenfolge mit der gespeicherten Referenztestda- tenfolge zur Erzeugung eines Anzeigedatums vergleichen.
Bei der logischen Vergleichsschaltung handelt es sich vorzugsweise um eine XOR-Logikschaltung.
Im weiteren wird eine bevorzugte Ausführungsform des erfin- dungsgemäßen Testverfahrens und des erfindungsgemäßen Datenspeichers zur Erläuterung erfindungswesentlicher Merkmale unter Bezugnahme auf die beigefügten Figuren beschrieben.
Es zeigen:
Fig. 1 eine Testanordnung nach dem Stand der Technik; Fig. 2 ein Ablaufdiagramm zur Erläuterung der der Erfindung zugrundeliegenden Problematik;
Fig. 3 ein Blockschaltbild einer bevorzugten Ausführungs- form des erfindungsgemäßen Datenspeichers;
Fig. 4 ein Blockschaltbild einer in dem erfindungsgemäßen Datenspeicher enthaltenen Testdaten-Kompressionsschaltung mit mehreren Testdaten-Kompressionssehaltungsmodulen;
Fig. 5 ein Blockschaltbild eines Testdaten- Kompressionsschaltungsmoduls innerhalb der in Fig. 4 dargestellten Testdaten-KompressionsSchaltung;
Fig. 6 ein Ablaufdiagramm von Testsignalen beim Ablauf des erfindungsgemäßen Testverfahrens .
Fig. 3 zeigt ein Blockschaltbild eines erfindungsgemäßen Datenspeichers 1, der über einen Adressbus 2, einen externen Datenbus 3 und einen Anzeigedatenbus 4 mit einem externen
.Testgerät 5 verbunden ist. Der Adressbus 2 ist an einen Spal- tenadressdecoder 6 und einen Zeilenadressdecoder 7 angeschlossen, die die angelegte Adressen decodieren und über Leitungen 8, 9 Speicherzellen innerhalb eines Speicherzellen- feldes 10 aktivieren. Das Speicherzellenfeld 10 ist über
Schreib-/Leseverstärker 11 an einen internen Datenbus 12 des Datenspeichers 1 angeschlossen. Zwischen dem externen Datenbus 3 und dem internen Datenbus 12 ist eine steuerbare Schalteinheit 13 vorgesehen, die über Steuerleitungen 14 von dem externen Testgerät 5 ansteuerbar ist. An der Schalteinheit 13 ist über einen internen Testdatenbus 15 eine Testdatenkompressionsschaltung 16 angeschlossen.
Fig. 4 zeigt ein Blockschaltbild der Testdatenkompressions- Schaltung 16. Die Testdatenkompressionsschaltung 16 ist über Datenleitungen 15-i an die Schalteinheit 13 angeschlossen. Die Datenbusbreite des Testdatenbusses 15 zwischen der Schal- tungseinheit 13 und der integrierten Testdaten- Kompressionsschaltung 16 entspricht der Datenbusbreite des externen Datenbusses 3 und des internen Datenbusses 12. Die Testdaten-Kompressionsschaltung enthält D Testdaten- Kompressionsschaltungsmodule 17-i, die jeweils ein Anzeigedatum erzeugen, das über eine" Anzeigendatenleitung 4-i an das externe Testgerät 5 zur weiteren Datenauswertung abgegeben wird.
Fig. 5 zeigt den schaltungstechnischen Aufbau eines Testda- ten-Kompressionsschaltungsmoduls 17 im Detail. Das Testdaten- Kompressionsschaltungsmodul 17 empfängt über eine Datenleitung des internen Testdatenbusses 15 eine aus dem Speicherzellenfeld 10 ausgelesene Testdatenfolge, die aus mehreren Testdatenbits besteht. Die empfangene Testdatenfolge wird ü- ber einen steuerbaren internen Schalter 18 und eine Datenleitung 19 in ein getaktetes Testdatenregister 20 seriell eingeschrieben. Das Testdatenregister enthält für jedes Testdatenbit der Testdatenfolge einen Speicherplatz 21. Die Anzahl M der Speicherplätze 21 entspricht der Anzahl der Testdatenbits -innerhalb einer Testdatenfolge bzw. eines Testdatenbursts .
Jedes Testdatenschaltungsmodul 17-i enthält ein getaktetes Referenzdatenregister 22 zum Speichern von Referenztestdaten. Das Referenzdatenregister 22 ist über ein Leitung 23 ebenfalls an den steuerbaren Umschalter 18 angeschlossen, der ü- ber eine Steuerleitung 24 von dem externen Testgerät 5 angesteuert wird. Das getaktete Referenzdatenregister 22 enthält mehrere Speicherplätze 25 für Referenzdatenbits. Das Refe- renzdatenregister 22 speichert M Referenzdatenbits ab, die während einer Initialisierungsphase durch das externe Testgerät 5 in das Referenzdatenregister 22 eingeschrieben werden. Die Speicherplätze 21 innerhalb des Testdatenregisters 20 sind über Leitungen 26 und die Speicherplätze 25 innerhalb des Testdatenregisters 22 sind über Leitungen 27 mit Eingängen von XOR-Gattern 28 einer Datenvergleichsschaltung 29 innerhalb des Datenkompressionsschaltungsmoduls 17 verbunden. Die XOR-Gatter 28 sind über Leitungen 30 mit einer XOR- Schaltung 31 verbunden, die ausgangsseitig ein Anzeigedatum über eine Anzeigeleitung 4-i des Anzeigedatenbusses 4 an das externe Testgerät 5 abgibt. Die Datenvergleichsschaltung 29 führt einen bitweisen Datenvergleich der in dem Referenzdatenregister 22 enthaltenen Solldaten bzw. Referenzdaten mit den Testdaten der aus dem Speicherzellenfeld 10 ausgelesenen Testdatenfolge durch. Weicht aufgrund einer fehlerhaft hergestellten Speicherzelle ein Testdatenbit der in das Testdaten- register 20 eingeschriebenen Testdatenfolge von dem in dem Referenzdatenregister 22 abgespeicherten zugehörigen Referenzdatenbit ab, wird am Ausgang der Datenvergleichsschaltung 29 ein Anzeigedatum generiert, welches anzeigt, dass in der zwischengespeicherten Testdatenfolge mindestens ein Datenfeh- 1er aufgetreten ist.
Fig. 6 zeigt Zeitablaufdiagramme während eines Testvorgangs gemäß dem erfindungsgemäßen Testverfahrens zum Testen des in Fig. 3 dargestellten Datenspeichers 1. Aus dem Speicherzel- lenfeld 10 des Datenspeichers 1 wird eine Testdatenfolge, die bei dem in Fig. 6 dargestellten Beispiel aus vier Testdatenbits besteht, ausgelesen und seriell über eine Datenleitung des internen Datenbusses 12 und des internen Testdatenbusses 15 an ein Testdatenko pressionsschaltungsmodul 17 angelegt und dort in dessen Testdatenregister 20 seriell eingeschrieben. Die Datenvergleichsschaltung 29 generiert ein Anzeigedatum bzw. Pass Fail-Signal, das über eine Anzeigedatenleitung des Anzeigedatenbusses 4 an das externe Testgeräts zur weiteren Datenauswertung abgegeben wird. Die Auswertung des Anzei- gedatums durch das externe Testgerät 5 erfolgt mit dem Strobe-Signal .
Wie man durch Vergleich der Figuren 2 und 6 erkennen kann, kann das externe Testgerät 5 bei dem erfindungsgemäßen Test- verfahren mit einer Taktfrequenz arbeiten, die um den Datenkompressionsfaktor K niedriger ist als bei der herkömmlichen Testanordnung. Jedes Testdaten-Kompressionsschaltungsmodul 17 innerhalb der Kompressionsschaltung 16 führt eine Testdatenkompression mit einem Testdatenkompressionsfaktur K durch, der der Anzahl der Testdatenbits innerhalb einer Testdatenfolge entspricht. Bei dem in Fig. 6 dargestellten Beispiel beträgt die Testdatenfolge bzw. der Testdatenburst vier Datenbits, die durch ein Testdatenkompressionsschaltungsmodul 17 zu einem Anzeigedatum komprimiert werden, d.h. der Testdatenkompressionsfaktor K beträgt bei dem in Fig. 6 dargestellten Beispiel vier.
Mit dem erfindungsgemäßen Testverfahren ist es möglich, entweder die Testdauer entsprechend dem Testdatenko pressions- faktor K zu reduzieren oder die in dem externen Testgerät benötigte maximale Arbeitsfrequenz der Dateneingabe und Daten- ausgäbe entsprechend dem Testdatenkompressionsfaktor K zu verringern. Hierdurch ist es möglich bestehende schaltungstechnisch weniger komplexe herkömmliche Testgeräte zum Testen von Datenspeichern einzusetzen, die mit einer sehr hohen Arbeitstaktfrequenz arbeiten.-
Bezugszeichenliste
1. Datenspeicher
2. Adressbus 3. Externer Datenbus . Anzeigedatenbus
5. Externes Testgerät
6. Balkenadressdecodierer
7. Reihenadressdecodierer 8. Leitungen
9. Leitungen
10. Speicherzellenfeld
11. Schreib-/Leseverstärker
12. Interner Datenbus 13. Schaltungseinheit
1 . Steuerleitungen
15. Interner Testdatenbus
16. Testdatenkompressionsschaltung
17. Testdatenkompressionsschaltungsmodule 18. Steuerbare Schalteinrichtung
19. Leitung
20. Testdatenregister
21. Testdatenspeicherplätze
22. Referenzdatenregister 23. Leitungen
24. Steuerleitung
25. Referenzdatenspeicherplätze
26. Leitungen
27. Leitungen 28. XOR-Gatter
29. Datenvergleichsschaltung
30. Leitungen
31. XOR-Schaltung

Claims

Patentansprüche
1. Testverfahren zum Testen eines Datenspeichers bei dem mehrere seriell aus dem Datenspeicher (1) ausgelesene Testdaten einer Testdatenfolge mit Referenz-Testdaten zur Erzeugung eines komprimierten Anzeigedatums verglichen werden, wobei das Anzeigedatum anzeigt, ob in der Testdatenfolge mindestens ein Datenfehler aufgetreten ist.
2. Testverfahren nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass die Testdatenfolge aus einer vorgegebenen Anzahl (M) von Testdatenbits besteht.
3. Testverfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass die Testdatenfolge in einem Testdatengenerator eines externen Testgerätes. (5) erzeugt wird und über eine Datenleitung eines Datenbusses (3, 12) in ein Speicherzellenfeld (10) des Datenspeichers (1) eingeschrieben wird, wobei die eingeschriebene Testdatenfolge anschließend aus dem Speicherzellenfeld (10) des Datenspeichers (1) über eine Datenleitung des Datenbusses (12) ausgelesen und durch eine in den Datenspeicher (1) integrierte Testdaten- Kompressionsschaltung (16) entsprechend einem Kompressions- faktor (K) zu einem Anzeigedatum komprimiert wird, das über eine Anzeigedatenleitung eines Anzeigedatenbusses (4) von dem Datenspeicher (1) an das externe Testgerät (5) zur Auswertung abgegeben wird.
4. Testverfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass der Kompressionsfaktor (K) gleich der Anzahl (M) von Testda- tenbits einer Testdatenfolge ist.
5. Testverfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass die Testdaten mit einer ersten Datenübertragungsrate von dem externen Testgerät (5) über den Datenbus (3, 12) in das Speicherzellenfeld (10) des Datenspeichers (1) eingeschrieben werden und die Anzeigedaten mit einer zweiten Datenübertragungsrate von der Datenkompressionsschaltung (16) des Datenspeichers (1) an das externe Testgerät (15) abgegeben werden, wobei das Verhältnis der ersten Datenübertragungsrate zu der zweiten Datenübertragungsrate dem Kompressionsfaktor (K) ent- spricht.
6. Testverfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass die ausgelesenen Testdaten einer Testdatenfolge in ein Test- datenregister (20) der Testdaten-Kompressionsschaltung (16) seriell eingeschrieben werden und mit Referenzdaten, die in einem Referenzregister (22) der Testdaten- Kompressionsschaltung (16) gespeichert sind, durch eine logische Vergleichsschaltung (29) zur Erzeugung eines Anzeigeda- tums bitweise verglichen werden.
7. Testverfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass die Referenzdaten in das Referenzregister (22) in einem Ini- tialisierungsbetriebsmodus durch das externe Testgerät (5) eingeschrieben werden.
8. Datenspeicher mit integrierter Testdaten- Kompressionsschaltung (16), wobei der Datenspeicher (1) auf- weist:
(a) ein Speicherzellenfeld (10) mit einer Vielzahl von adressierbaren Speicherzellen;
(b) Schreib-/Leseverstärker (12) zum Einschreiben und Auslesen von Daten in die Speicherzellen über einen internen Datenbus (12) des Datenspeichers (1); (c) und eine Testdaten-Kompressionsschaltung (16) , die Testdatenfolgen, die jeweils aus dem Speicherzellenfeld (10) seriell ausgelesen werden, mit gespeicherten Referenz- Testdatenfolgen zur Erzeugung von jeweils einem Anzeigedatum komprimiert, welches anzeigt, ob in der ausgelesenen Testdatenfolge mindestens ein Datenfehler aufgetreten ist.
9. Datenspeicher nach Anspruch 8, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass durch die Testdaten-Kompressionsschaltung (16) die Anzeigedaten über Anzeigedatenleitungen eines Anzeigedatenbusses (4) an ein externes Testgerät (5) zur Auswertung übertragen werden.
10. Datenspeicher nach Anspruch 8 oder 9, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass eine steuerbare Schalteinheit (13) vorgesehen ist, die zwischen einem externen Datenbus (3) zum Datenaustausch mit dem externen Testgerät (5), dem internen Datenbus (12) zum Daten- .austausch mit dem Speicherzellenfeld (10) und der Testdaten- Kompressionsschaltung (16) geschaltet ist.
11. Datenspeicher nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass die steuerbare Schalteinheit (13) über Steuerleitung (14) durch das externe Testgerät (5) zwischen einem normalen Betriebsmodus und einem Testbetriebsmodus umschaltbar ist, wobei in dem Testbetriebsmodus die über eine Datenleitung des internen Datenbusses (12) ausgelesenen Testdaten einer Testdatenfolge durch die Schalteinheit (13) in ein Testdatenregister (20) der Testdaten-Kompressionsschaltung (16) über eine Datenleitung eines internen Testdatenbusses (15) seriell eingeschrieben werden.
12. Datenspeicher nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass die Testdatenfolge eine vorgegebene Anzahl (M) von Testdatenbits aufweist.
13. Datenspeicher nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass der externe Datenbus (3), der interne Datenbus (12), der Testdatenbus (15) und der Anzeigedatenbus (4) die gleiche Busbreite aufweisen.
14. Datenspeicher nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass die Testdaten-Kompressionsschaltung (16) mehrere Testdaten- kompressionsschaltungsmodule (17) enthält, die jeweils ein Testdatenregister (20) zum Speichern einer über eine Da- tenleitung des Testdatenbusses (15) aus dem Speicherzellenfeld (10) ausgelesenen Testdatenfolge, ein Referenzdatenregister (22) zum Speichern einer Referenz- testdatenfolge und eine logische Vergleichsschaltung (29) aufweisen*, die die ge- speicherte Testdatenfolge mit der gespeicherten Referenztest- 'datenfolge zur Erzeugung eines Anzeigedatums vergleicht.
15. Datenspeicher nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass die logische Vergleichsschaltung (29) eine XOR-Logikschaltung ist.
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KR1020037015152A KR100578293B1 (ko) 2001-05-21 2002-05-15 데이터 저장장치를 테스트하기 위한 테스트 방법
US10/478,403 US7428662B2 (en) 2001-05-21 2002-05-15 Testing a data store using an external test unit for generating test sequence and receiving compressed test results
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100444286C (zh) * 2003-08-06 2008-12-17 因芬奈昂技术股份有限公司 存储单元信号窗测试方法和设备
CN108039190A (zh) * 2017-12-15 2018-05-15 北京京存技术有限公司 一种测试方法及装置

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4184036B2 (ja) * 2002-10-25 2008-11-19 株式会社ルネサステクノロジ 半導体記憶装置およびそのテスト方法
DE102004040799A1 (de) * 2004-08-23 2006-03-09 Infineon Technologies Ag Testverfahren zum Testen eines Datenspeichers mit Baustein interner Speicherung der Testergebnisse
US20070070740A1 (en) * 2005-09-28 2007-03-29 Hynix Semiconductor Inc. Semiconductor memory device having data-compress test mode
US7549092B2 (en) 2005-09-29 2009-06-16 Hynix Semiconductor, Inc. Output controller with test unit
US20070226553A1 (en) * 2006-03-21 2007-09-27 Khaled Fekih-Romdhane Multiple banks read and data compression for back end test
TWI327732B (en) 2007-03-03 2010-07-21 Nanya Technology Corp Memory device and related testing method
CN100454318C (zh) * 2007-04-29 2009-01-21 哈尔滨工业大学 适用于多扫描链设计芯核的soc测试数据的压缩方法
DE102007049354A1 (de) * 2007-10-15 2009-04-16 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Testen eines Adressbusses in einem logischen Baustein
KR101431272B1 (ko) * 2008-01-30 2014-08-20 엘지전자 주식회사 외장형 스토리지가 연결 접속된 보안기기에서의 비트레이트 조정 장치 및 방법
KR101535228B1 (ko) * 2009-05-13 2015-07-08 삼성전자주식회사 빌트 오프 테스트 장치
CN102609340B (zh) * 2011-01-25 2016-12-07 北京百卓网络技术有限公司 测试数据整理系统及方法
CN102890969B (zh) * 2011-07-20 2015-06-10 群联电子股份有限公司 数据处理方法、存储器控制器及存储器储存装置
GB2498980A (en) * 2012-02-01 2013-08-07 Inside Secure Device and method to perform a parallel memory test
TWI459400B (zh) * 2012-04-17 2014-11-01 Phison Electronics Corp 記憶體儲存裝置、及其記憶體控制器與電源控制方法
KR20130131992A (ko) * 2012-05-25 2013-12-04 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 메모리 장치의 테스트 회로 및 테스트 방법
TWI512623B (zh) * 2013-12-26 2015-12-11 Phison Electronics Corp 休眠模式啓動方法、記憶體控制電路單元及儲存裝置
CN105719702A (zh) * 2016-01-26 2016-06-29 中国科学院微电子研究所 改进型存储器错误检测方法及装置
DE102017210851A1 (de) * 2017-06-28 2019-01-03 Robert Bosch Gmbh Integrierte Schaltung und ASIC
CN110729018B (zh) * 2019-09-06 2021-06-01 天津大学 基于识别动态故障模式的存储器诊断数据压缩方法
CN115312110A (zh) * 2021-05-08 2022-11-08 瑞昱半导体股份有限公司 芯片验证系统及其验证方法
TWI800925B (zh) * 2021-09-17 2023-05-01 瑞昱半導體股份有限公司 測試系統以及測試方法
CN115902595B (zh) * 2023-02-20 2023-07-14 之江实验室 一种芯片测试系统以及芯片测试方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4135084A1 (de) * 1991-10-24 1993-04-29 Philips Patentverwaltung Schaltungsanordnung mit einem speicher
EP0599524A2 (de) * 1992-11-24 1994-06-01 Advanced Micro Devices, Inc. Selbsttest für integrierte Speichernetzwerke
US5406566A (en) * 1992-10-26 1995-04-11 Nec Corporation Semiconductor memory device having diagnostic circuit for comparing multi-bit read-out test data signal with multi-bit write-in test data signal stored in serial-input shift register
US5673270A (en) * 1993-04-09 1997-09-30 Nec Corporation Semiconductor memory device having register for holding test resultant signal
US6058056A (en) * 1998-04-30 2000-05-02 Micron Technology, Inc. Data compression circuit and method for testing memory devices
US6163491A (en) * 1998-07-24 2000-12-19 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Synchronous semiconductor memory device which can be inspected even with low speed tester

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04351798A (ja) 1991-05-28 1992-12-07 Hitachi Ltd 半導体集積回路及び縮約回路
US5617531A (en) * 1993-11-02 1997-04-01 Motorola, Inc. Data Processor having a built-in internal self test controller for testing a plurality of memories internal to the data processor
US5925142A (en) * 1995-10-06 1999-07-20 Micron Technology, Inc. Self-test RAM using external synchronous clock
US6085346A (en) * 1996-09-03 2000-07-04 Credence Systems Corporation Method and apparatus for built-in self test of integrated circuits
US5689514A (en) * 1996-09-30 1997-11-18 International Business Machines Corporation Method and apparatus for testing the address system of a memory system
KR100222046B1 (ko) * 1996-12-20 1999-10-01 윤종용 자기 테스트회로를 가진 반도체 메모리장치
US6032274A (en) * 1997-06-20 2000-02-29 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for compressed data testing of more than one memory array
JPH11213699A (ja) 1998-01-28 1999-08-06 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
US6072737A (en) * 1998-08-06 2000-06-06 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for testing embedded DRAM
US6370661B1 (en) * 1999-04-26 2002-04-09 Ip-First, Llc Apparatus for testing memory in a microprocessor
US6694461B1 (en) * 1999-07-26 2004-02-17 Ati International Srl System and method for testing integrated memories
US6671836B1 (en) * 1999-09-23 2003-12-30 Rambus Inc. Method and apparatus for testing memory
JP2001110200A (ja) 1999-10-08 2001-04-20 Hitachi Ltd Ｒａｍの診断方法及びｌｓｉ
KR100327136B1 (ko) * 1999-10-20 2002-03-13 윤종용 반도체 메모리 장치 및 이 장치의 병렬 비트 테스트 방법
US6715116B2 (en) * 2000-01-26 2004-03-30 Hewlett-Packard Company, L.P. Memory data verify operation
US6760865B2 (en) * 2001-05-16 2004-07-06 Freescale Semiconductor, Inc. Multiple level built-in self-test controller and method therefor

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4135084A1 (de) * 1991-10-24 1993-04-29 Philips Patentverwaltung Schaltungsanordnung mit einem speicher
US5406566A (en) * 1992-10-26 1995-04-11 Nec Corporation Semiconductor memory device having diagnostic circuit for comparing multi-bit read-out test data signal with multi-bit write-in test data signal stored in serial-input shift register
EP0599524A2 (de) * 1992-11-24 1994-06-01 Advanced Micro Devices, Inc. Selbsttest für integrierte Speichernetzwerke
US5673270A (en) * 1993-04-09 1997-09-30 Nec Corporation Semiconductor memory device having register for holding test resultant signal
US6058056A (en) * 1998-04-30 2000-05-02 Micron Technology, Inc. Data compression circuit and method for testing memory devices
US6163491A (en) * 1998-07-24 2000-12-19 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Synchronous semiconductor memory device which can be inspected even with low speed tester

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100444286C (zh) * 2003-08-06 2008-12-17 因芬奈昂技术股份有限公司 存储单元信号窗测试方法和设备
CN108039190A (zh) * 2017-12-15 2018-05-15 北京京存技术有限公司 一种测试方法及装置

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