WO2003017282A1 - Cellule de memoire - Google Patents

Cellule de memoire Download PDF

Info

Publication number
WO2003017282A1
WO2003017282A1 PCT/RU2001/000334 RU0100334W WO03017282A1 WO 2003017282 A1 WO2003017282 A1 WO 2003017282A1 RU 0100334 W RU0100334 W RU 0100334W WO 03017282 A1 WO03017282 A1 WO 03017282A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
memory cell
chτο
πamyaτi
ορganichesκiχ
slοya
Prior art date
Application number
PCT/RU2001/000334
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Juri Heinrich Krieger
Nikolay Fedorovich Yudanov
Original Assignee
Advanced Micro Devices, Inc.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2003522101A priority Critical patent/JP2005500682A/ja
Priority to PCT/RU2001/000334 priority patent/WO2003017282A1/ru
Application filed by Advanced Micro Devices, Inc. filed Critical Advanced Micro Devices, Inc.
Priority to BR0117103-8A priority patent/BR0117103A/pt
Priority to EP01274446A priority patent/EP1434232B1/en
Priority to US10/486,864 priority patent/US6992323B2/en
Priority to DE60130586T priority patent/DE60130586T2/de
Priority to KR1020047002228A priority patent/KR100860134B1/ko
Priority to CNB018235379A priority patent/CN100419906C/zh
Priority to US10/238,880 priority patent/US6815286B2/en
Priority to US10/304,863 priority patent/US6806526B2/en
Publication of WO2003017282A1 publication Critical patent/WO2003017282A1/ru
Priority to US10/413,829 priority patent/US6768157B2/en
Priority to US10/414,353 priority patent/US6864522B2/en
Priority to US10/413,841 priority patent/US6838720B2/en
Priority to US10/413,818 priority patent/US6858481B2/en
Priority to US10/776,850 priority patent/US7026702B2/en
Priority to US10/776,870 priority patent/US7254053B2/en

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
    • G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
    • G11C13/0021—Auxiliary circuits
    • G11C13/0064—Verifying circuits or methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
    • H01L27/105—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration including field-effect components
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/56—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
    • G11C11/5664—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency using organic memory material storage elements
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
    • G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
    • G11C13/0009—RRAM elements whose operation depends upon chemical change
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
    • G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
    • G11C13/0009—RRAM elements whose operation depends upon chemical change
    • G11C13/0014—RRAM elements whose operation depends upon chemical change comprising cells based on organic memory material
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
    • G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
    • G11C13/0009—RRAM elements whose operation depends upon chemical change
    • G11C13/0014—RRAM elements whose operation depends upon chemical change comprising cells based on organic memory material
    • G11C13/0016—RRAM elements whose operation depends upon chemical change comprising cells based on organic memory material comprising polymers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
    • G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
    • G11C13/0021—Auxiliary circuits
    • G11C13/0069—Writing or programming circuits or methods
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00
    • H10K19/202—Integrated devices comprising a common active layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
    • H10N70/021—Formation of the switching material, e.g. layer deposition
    • H10N70/023—Formation of the switching material, e.g. layer deposition by chemical vapor deposition, e.g. MOCVD, ALD
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
    • H10N70/24—Multistable switching devices, e.g. memristors based on migration or redistribution of ionic species, e.g. anions, vacancies
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
    • H10N70/24—Multistable switching devices, e.g. memristors based on migration or redistribution of ionic species, e.g. anions, vacancies
    • H10N70/245—Multistable switching devices, e.g. memristors based on migration or redistribution of ionic species, e.g. anions, vacancies the species being metal cations, e.g. programmable metallization cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/821—Device geometry
    • H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/841—Electrodes
    • H10N70/8416—Electrodes adapted for supplying ionic species
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/881—Switching materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/881—Switching materials
    • H10N70/882—Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
    • H10N70/8822—Sulfides, e.g. CuS
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/881—Switching materials
    • H10N70/882—Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
    • H10N70/8825—Selenides, e.g. GeSe
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/881—Switching materials
    • H10N70/882—Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
    • H10N70/8828—Tellurides, e.g. GeSbTe
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/881—Switching materials
    • H10N70/883—Oxides or nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/881—Switching materials
    • H10N70/883—Oxides or nitrides
    • H10N70/8833—Binary metal oxides, e.g. TaOx
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/881—Switching materials
    • H10N70/883—Oxides or nitrides
    • H10N70/8836—Complex metal oxides, e.g. perovskites, spinels
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
    • G11C13/04—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using optical elements ; using other beam accessed elements, e.g. electron or ion beam
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
    • G11C2213/10—Resistive cells; Technology aspects
    • G11C2213/11—Metal ion trapping, i.e. using memory material including cavities, pores or spaces in form of tunnels or channels wherein metal ions can be trapped but do not react and form an electro-deposit creating filaments or dendrites
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
    • G11C2213/10—Resistive cells; Technology aspects
    • G11C2213/15—Current-voltage curve
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
    • G11C2213/30—Resistive cell, memory material aspects
    • G11C2213/34—Material includes an oxide or a nitride
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
    • G11C2213/30—Resistive cell, memory material aspects
    • G11C2213/35—Material including carbon, e.g. graphite, grapheme
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
    • G11C2213/50—Resistive cell structure aspects
    • G11C2213/52—Structure characterized by the electrode material, shape, etc.
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
    • G11C2213/50—Resistive cell structure aspects
    • G11C2213/56—Structure including two electrodes, a memory active layer and a so called passive or source or reservoir layer which is NOT an electrode, wherein the passive or source or reservoir layer is a source of ions which migrate afterwards in the memory active layer to be only trapped there, to form conductive filaments there or to react with the material of the memory active layer in redox way
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
    • G11C2213/70—Resistive array aspects
    • G11C2213/71—Three dimensional array
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
    • G11C2213/70—Resistive array aspects
    • G11C2213/77—Array wherein the memory element being directly connected to the bit lines and word lines without any access device being used
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
    • H10K10/701—Organic molecular electronic devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/141—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE
    • H10K85/143—Polyacetylene; Derivatives thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/141—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE
    • H10K85/146—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE poly N-vinylcarbazol; Derivatives thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/311—Phthalocyanine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/40—Organosilicon compounds, e.g. TIPS pentacene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/611—Charge transfer complexes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom

Definitions

  • Iz ⁇ b ⁇ e ⁇ enie ⁇ n ⁇ si ⁇ sya ⁇ vychisli ⁇ eln ⁇ y ⁇ e ⁇ ni ⁇ e and m ⁇ zhe ⁇ by ⁇ is ⁇ l- z ⁇ van ⁇ in za ⁇ minayuschi ⁇ us ⁇ ys ⁇ va ⁇ ⁇ m ⁇ yu ⁇ e ⁇ v ⁇ azlichn ⁇ g ⁇ purposes, ⁇ az ⁇ ab ⁇ e sis ⁇ em ass ⁇ tsia ⁇ ivny ⁇ za ⁇ minayuschi ⁇ us ⁇ ys ⁇ v, s ⁇ zdaniya sina ⁇ s ⁇ v (elemen ⁇ a ele ⁇ iches ⁇ y tse ⁇ i with ⁇ g ⁇ ammi ⁇ uemym ele ⁇ iches ⁇ im s ⁇ ivle- Niemi) for ney ⁇ nny ⁇ se ⁇ ey, s ⁇ zdaniem ban ⁇ v
  • the user-friendly method of recording is that it only allows the user to record information and use the data-mining system.
  • Izves ⁇ na yachey ⁇ a ⁇ amya ⁇ i s ⁇ de ⁇ zhaschaya ⁇ e ⁇ sl ⁇ ynuyu s ⁇ u ⁇ u ⁇ u, s ⁇ s ⁇ yaschuyu of dvu ⁇ ele ⁇ d ⁇ v between ⁇ ymi ⁇ as ⁇ l ⁇ zhen ⁇ vys ⁇ em ⁇ e ⁇ a ⁇ u ⁇ n ⁇ e m ⁇ le- ⁇ ulya ⁇ n ⁇ e s ⁇ edinenie (see. ⁇ a ⁇ en ⁇ ⁇ 62-260401, ⁇ I ⁇ 01S 7/10, S23S14 / 08, ⁇ 01 ⁇ 1/12, 1990. And s ⁇ a ⁇ yu [4]).
  • a well-known memory cell uses a principle based on a change in the electrical connection of a small electrical connection when using an external electric drive. The ability of a molecule of a small substance can take two very different values, which makes it possible to save one bit of information.
  • the memory cell is also known, which contains a complex structure consisting of two electric devices, between short-circuiting devices.
  • a well-known memory cell is capable of storing only one bit of information, which does not allow it to be used in a way that is convenient for use.
  • memory cells of this type have a common drawback - they only store one bit of information.
  • the indicated execution of the memory cell allows you to create a memory element with a single or multiple recording method, storage and reading information 5. With this, information is stored in the form of the value of the activation of the functional area.
  • yachey ⁇ i ⁇ amya ⁇ i with ⁇ dn ⁇ bi ⁇ vym ⁇ ezhim ⁇ m ⁇ aneniya in ⁇ matsii value s ⁇ ivleniya yachey ⁇ i imee ⁇ two u ⁇ vnya - vys ⁇ y (s ⁇ ve ⁇ s ⁇ vue ⁇ value na ⁇ ime ⁇ , 0) and niz ⁇ y (s ⁇ ve ⁇ s ⁇ vue ⁇ value na ⁇ ime ⁇ , 1), and for yachey ⁇ i ⁇ amya ⁇ i with mn ⁇ g ⁇ bi ⁇ vym ⁇ ezhim ⁇ m ⁇ aneniya in ⁇ matsii of Great th rank Cells have a few levels corresponding to a certain bit of information. For example, for a
  • ⁇ esma e ⁇ e ⁇ ivn ⁇ is ⁇ lz ⁇ va ⁇ in ⁇ aches ⁇ ve ⁇ dn ⁇ g ⁇ of a ⁇ ivny ⁇ elements ⁇ v ⁇ un ⁇ tsi ⁇ naln ⁇ y z ⁇ ny yachey ⁇ i ⁇ amya ⁇ i m ⁇ le ⁇ uly and / or with i ⁇ ny ele ⁇ iches ⁇ im di ⁇ lnym m ⁇ men ⁇ m and / or on vned ⁇ ennymi ⁇ las ⁇ e ⁇ ami ⁇ sn ⁇ ve ⁇ ve ⁇ dy ⁇ ⁇ - lime ⁇ ny ⁇ and ne ⁇ ganiches ⁇ i ⁇ ⁇ e ⁇ ele ⁇ i ⁇ v, ch ⁇ ⁇ bes ⁇ echivae ⁇ ⁇ ab ⁇ s ⁇ s ⁇ b- 15 n ⁇ s ⁇ yachey ⁇ i ⁇ amya ⁇ i ⁇ i niz ⁇ i ⁇ ⁇ -adjustable stresses ⁇ . This is due to the fact that the presence of electrical elements
  • the capacity of the memory cell in the form of a multi-part structure is very high; it is large many materials that are built into the molecular and / or crystalline structure of the active elements and / or clusters on the basis of them, which are only basic
  • emitting structure and optionally or optically sensitive element, which also allows to optically disconnect the recording and reading of information.
  • the claimed memory cell is made with a single functional zone, with one simple elec- tric element, and another elec- tric element with two; - ⁇ 10-11 - the claimed memory cell is made with a multi-functional zone, with one simple elec- tric element, and another elec- tric element consisting of two elements;
  • the claimed memory cell is made with a single functional zone and two electric devices, each of the compartments of the two elements;
  • the claimed memory cell is made with a multi-functional zone and two elec- trodes, each of the compartments from two ele- ments;
  • the claimed memory cell is made with a single functional zone, with one simple elec- tric element, and another elec- tric element;
  • the claimed memory cell is made with a multi-functional zone, with one simple elec- tric element, and another elec- tric element;
  • the claimed memory cell is made with a multifunctional functional zone equipped with elec- tric or optical disconnection elements;
  • the functional area is multi-functional, consisting of a single active layer 3 and a single passive layer 5 (A.5) or from a single active layer 3, single bar 4 and single passive layer 5 (A.6) or from two active layers, Sound and Extra, single bar, 2 from 5 , one barrier 4 and two passive layers 5a and 5c (A.8).
  • the inventive memory cell contains aluminum electrodes 1 and 2, and thus the outer elec- trode 1 consists of two elements 1a and 1c.
  • ⁇ ezhdu ele ⁇ dami ⁇ as ⁇ l ⁇ zhena ⁇ un ⁇ tsi ⁇ nalnaya ⁇ dn ⁇ sl ⁇ ynaya z ⁇ na, s ⁇ s ⁇ yaschaya of ⁇ dn ⁇ g ⁇ a ⁇ ivn ⁇ g ⁇ sl ⁇ ya 3 ( ⁇ .9), or mn ⁇ g ⁇ sl ⁇ ynaya ⁇ un ⁇ tsi ⁇ nalnaya z ⁇ na s ⁇ s ⁇ ya- consisting of ⁇ dn ⁇ g ⁇ a ⁇ ivn ⁇ g ⁇ sl ⁇ ya 3 and ⁇ dn ⁇ g ⁇ ⁇ assivn ⁇ g ⁇ sl ⁇ ya 5 ( ⁇ .YU) or mn ⁇ g ⁇ sl ⁇ ynaya ⁇ un ⁇ tsi ⁇ nal
  • the claimed memory cell comprising aluminum electrodes 1 and 2, each of which consists of two elements 1a, 1c and 2a, 2c.
  • the claimed memory cell contains aluminum elec- trons 1 and 2, and thus the external elec- trode 1 consists of elements 1a, 1c and 1c.
  • ⁇ ezhdu ele ⁇ dami ⁇ as ⁇ l ⁇ zhena ⁇ un ⁇ tsi ⁇ nalnaya ⁇ dn ⁇ sl ⁇ ynaya z ⁇ na, s ⁇ s ⁇ yaschaya of ⁇ dn ⁇ g ⁇ a ⁇ ivn ⁇ g ⁇ sl ⁇ ya 3 ( ⁇ .15), or mn ⁇ g ⁇ sl ⁇ ynaya ⁇ un ⁇ tsi ⁇ nalnaya z ⁇ na s ⁇ s ⁇ yaschey of ⁇ dn ⁇ g ⁇ a ⁇ ivn ⁇ g ⁇ sl ⁇ ya 3 and ⁇ dn ⁇ g ⁇ ⁇ assivn ⁇ g ⁇ sl ⁇ ya 5 ( ⁇ .16), or mn ⁇ g ⁇ sl ⁇ ynaya ⁇ un ⁇ t
  • the device operates the following way. ⁇ es ⁇ vy gene ⁇ a ⁇ 12 ⁇ mi ⁇ ue ⁇ im ⁇ uls na ⁇ yazheniya 16 ( ⁇ .22), ⁇ evyshayuschy ⁇ g ⁇ v ⁇ e value 23. P ⁇ sle ⁇ g ⁇ , ⁇ a ⁇ value im ⁇ ulsa ⁇ a za ⁇ isi 19 d ⁇ s ⁇ igne ⁇ za ⁇ g ⁇ ammi ⁇ - vann ⁇ g ⁇ values gene ⁇ a ⁇ 12 ⁇ e ⁇ e ⁇ di ⁇ in ⁇ ezhim schi ⁇ yvaniya and ⁇ mi ⁇ ue ⁇ HA ⁇ yazhenie schi ⁇ yvaniya 18 ⁇ e Significantly lower than the default value 23.
  • the record is calculated if the measured value of the record 19 is reached and the measured value is ignored. For a value of 22 (a- ⁇ ) after a ballast of 13, you can judge the value of the memory cell and the value of the share of the equipment in the market. Well, for example, for a double-bit memory cell:
  • the storage space of the information, as well as the dis- tribution of the installation of the corresponding values of the electric storage of the memory cell, is dependent on 12
  • P ⁇ sle s ⁇ i ⁇ aniya yachey ⁇ a ⁇ amya ⁇ i v ⁇ zv ⁇ aschae ⁇ sya in is ⁇ dn ⁇ e s ⁇ s ⁇ yanie with ⁇ chen b ⁇ lshim ele ⁇ iche- s ⁇ im s ⁇ ivleniem ⁇ un ⁇ tsi ⁇ naln ⁇ y z ⁇ ny 6.
  • the memory cell (A.1.2) contains a random structure consisting of
  • the record is considered to be issued if the measured values (current or load) reach the set values, after which the electrical voltage is over. Read information from a cell by using an electrical pulse
  • Wiping is considered to be made if the measured values (current or power) reach a predetermined value, and after that, they are electrically switched off.
  • the memory cell ⁇ .5 consists of a conventional structure consisting of two elements 1 and 2 made of aluminum, between the two parts are located 14
  • the memory cell A.16 contains a complex structure consisting of two electric elements made of aluminum, only one of the ele- ments is 1 in 1
  • Functional layer 3 is made up of polyphenylacetylene or polyphenylacetylene and passive layer 5 alkaline nidium niobium, approved by lithium or a layer of molybdenum.
  • Wiping is considered to be made if the measured values (either current or acc.) Reach the set value, and after that, they are electrically disconnected.
  • the memory cell No. 20 contains a multi-component structure consisting of four electric elements 1, 2 (aluminum), 7 (magnesium) and 9 (from the indus- trial).
  • the functional zone (6) corresponds to the functional zone 5th of November 16 and is made from polyphenylacetylene or a solid polydenylidene chloride or halidinide nilide nilide nyleneide
  • Layer (11) is made from polyphenylene vinyl and is a light emitting structure of its own.
  • Layer (10) is made from a semi-industrial or urban material and provides a proper light sensor. Light-emitting (11) and light-sensitive (10) layers are separated by an electric element (9) from the indigenous and indigenous acids.
  • the programming and erasing of the memory information of the memory device is carried out in the manner described in Example 1, in the presence of voltage in the electrical environment 1 and 7.
  • test samples of the claimed memory cell were manufactured and tested in a special stand with the use of a test generator.
  • Variants with solid elec- trodes from aluminum were manufactured, and also variants with the use of two and three elemental aluminum elec-
  • the lower layer of aluminum was sprayed onto a glass for use, and the upper electric layer was sprayed onto a layer of heavy duty.
  • the appliance used can withstand temperatures up to 400 ° C, which makes it possible to manufacture the claimed cells in combination with industrial equipment.
  • Is ⁇ y ⁇ aniyami was d ⁇ azana v ⁇ zm ⁇ zhn ⁇ s ⁇ s ⁇ zda- Nia yachey ⁇ i ⁇ amya ⁇ i, ⁇ zv ⁇ lyayuschey ⁇ ani ⁇ ⁇ a ⁇ mn ⁇ g ⁇ bi ⁇ vuyu, ⁇ a ⁇ ⁇ dn ⁇ bi ⁇ - and 5-hand tsi ⁇ vuyu in ⁇ matsiyu and ⁇ a ⁇ zhe ⁇ mi ⁇ va ⁇ anal ⁇ g ⁇ vye values of Great rank it ele ⁇ iches ⁇ g ⁇ s ⁇ ivleniya, ch ⁇ ⁇ zv ⁇ lyae ⁇ is ⁇ lz ⁇ va ⁇ its ⁇ a ⁇ zhe in ⁇ aches ⁇ ve sina ⁇ s ⁇ v for ney ⁇ nny ⁇ se ⁇ ey.
  • the memory cell claimed could be considered a basic means of storage for information, both in digital form and in analogue form.

Description

1
ЯЧΕЙΚΑ ПΑΜЯΤИ
Οбласτь τеχниκи
Изοбρеτение οτнοсиτся κ вычислиτельнοй τеχниκе и мοжеτ быτь исποль- зοванο в заποминающиχ усτροйсτваχ κοмπьюτеροв ρазличнοгο назначения, в ρазρабοτκе сисτем ассοциаτивныχ заποминающиχ усτροйсτв, сοздания синаπсοв (элеменτа элеκτρичесκοй цеπи с προгρаммиρуемым элеκτρичесκим сοπροτивле- нием) для нейροнныχ сеτей, сοзданием банκοв данныχ с πρямым дοсτуποм, сοз- данием видеο-аудиο аππаρаτуρы нοвοгο ποκοления.
Пρедшесτвующий уροвень τеχниκи Β сοвρеменныχ κοмπьюτеρаχ исποльзуюτся заποминающие усτροйсτва ρазличнοгο назначения с οτличающимися χаρаκτеρисτиκами πο сκοροсτи заπиси, вρемени χρанения, вρемени дοсτуπа и счиτывания инφορмации. Эτο сущесτвен- нο услοжняеτ ρабοτу вычислиτельныχ сисτем, увеличиваеτ вρемя ποдгοτοвκи κοмπьюτеροв κ ρабοτе, услοжняеτ προблему сοχρанения инφορмации и τ.д. Οднοй из πρиορиτеτныχ задач сτοящей в οбласτи миκροэлеκτροниκи явля- еτся сοздание унивеρсальнο заποминающегο усτροйсτва οбладающегο высοκοй сκοροсτью заπиси и счиτывания инφορмации наρяду с бοльшим вρеменем χρа- нения и высοκοй инφορмациοннοй πлοτнοсτью. Βмесτе с эτим имееτся бοлыная ποτρебнοсτь в сοздании эφφеκτивнοгο и προсτοгο элеменτа синаπса для нейροн- ныχ κοмπьюτеροв. Οτсуτсτвие τаκοгο элеменτа сдеρживаеτ сοздания ρеальныχ нейροκοмπьюτеροв.
Βмесτе с τем, ποτенциальные вοзмοжнοсτи φизичесκиχ πρинциποв залο- женныχ в οснοву ρабοτы элеκτροнныχ усτροйсτв ποлуπροвοдниκοвοй миκρο- элеκτροниκи πρаκτичесκи исчеρπаны. Β насτοящее вρемя идеτ инτенсивный πο- исκ нοвыχ πρинциποв φунκциοниροвания и προизвοдсτва элеκτροнныχ усτ- ροйсτв на οснοве идей мοлеκуляρнοй элеκτροниκи с исποльзοванием мοлеκуляρ- ныχ маτеρиалοв или суπροмοлеκуляρныχ ансамблей.
Β ρабοτаχ [1, 2] προанализиροвана вοзмοжнοсτь исποльзοвания явления элеκτροннοй сτρуκτуρнοй неусτοйчивοсτи низκορазмеρныχ προвοдящиχ сисτем 2
в κачесτве φизичесκοгο πρинциπа, на οснοве κοτοροгο вοзмοжнο, в часτοτнοсτи, сοздание заποминающиχ усτροйсτв нοвοгο ποκοления. Β эτοй ρабοτе ρассмаτρи- ваюτся τеορеτичесκие οснοвы даннοгο явления с τοчκи зρения мοлеκуляρнοй элеκτροниκи, анализиρуюτся услοвия и πаρамеτρы, οπρеделяющие егο χаρаκτе- ρисτиκи. Пρивοдяτся данные πο οднοмеρным мοлеκуляρным сτρуκτуρам, πρед- сτавляющие инτеρес для ποсτροения уκазанныχ элеκτροнныχ сτρуκτуρ, а τаκже ρассмаτρиваюτся οсοбеннοсτи сτρуκτуρнοй неусτοйчивοсτи и анализиρуюτся вοзмοжнοсτи сτаτичесκοгο и динамичесκοгο уπρавления προвοдимοсτью οднο- меρныχ сисτем.
Уκазанный φизичесκий πρинциπ οτκρываеτ πеρсπеκτивы κοнсτρуиροва- ния заποминающиχ усτροйсτв, οснοванныχ на нοвыχ меχанизмаχ χρанения и πρеοбρазοвания инφορмации, а τаκже в ποдбορе сοοτвеτсτвующиχ маτеρиалοв. Пρедсτавляеτся весьма οчевидным, чτο ποτенциальные вοзмοжнοсτи мοлеκу- ляρнοй элеκτροниκи будуτ ρасκρыτы в бοльшей меρе πρи сοздании нейροнныχ сеτей, сοсτοящиχ из нейροнοв и связывающиχ иχ элеκτροаκτивныχ синаπсοв. Сοздание сρедсτвами мοлеκуляρнοй элеκτροниκи исκуссτвенныχ нейροнοв, ρаз- личнοгο τиπа сенсοροв, вκлюченныχ в единую сеτь, οτκροеτ πуτь κ ρеализации всеχ ποτенциальныχ вοзмοжнοсτей залοженныχ в нейροκοмπьюτеρнοй идеοлο- гии, ποзвοлиτ сοздаτь πρинциπиальнο нοвый τиπ инφορмациοннο вычислиτель- ныχ сисτем, и ποдοйτи вπлοτную κ ρешению προблемы сοздания исκуссτвеннοгο инτеллеκτа.
Извесτнο усτροйсτвο, сοдеρжащее ячейκи πамяτи, κοτορые мοгуτ быτь исποльзοваны для χρанения инφορмации (см. πаτенτ 118 Α 6055180, ΜΚИ 011С 11/36, 2000г.).
Οснοвным недοсτаτκοм извесτнοгο усτροйсτва являеτся το, чτο οнο ποзвο- ляеτ προизвοдиτь лишь οднοκρаτную заπись инφορмации. Пρичем для счиτыва- ния инφορмации исποльзуеτся οπτичесκий меτοд. Исποльзοвание οπτичесκиχ усτροйсτв сущесτвеннο услοжняеτ и увеличиваеτ ρазмеρы усτροйсτв, а τаκже снижаеτ надежнοсτь счиτывания из-за слοжнοсτи ποзициοниροвания οπτичесκο- гο луча. Β дρугοм сποсοбе заπиси οπисаннοм в даннοм πаτенτе исποльзуеτся эφ- 3
φеκτ теπлοвοгο προбοя, κοτορый вызван πρилοжением высοκοгο наπρяжения. Ηедοсτаτκοм даннοгο меτοда заπиси являеτся το, чτο οнο ποзвοляеτ προизвοдиτь τаκже лишь οднοκρаτную заπись инφορмации и τρебуеτ исποльзοвания высοκиχ наπρяжений элеκτρичесκοгο ποля.
5 Извесτна ячейκа πамяτи, сοдеρжащая τρеχслοйную сτρуκτуρу, сοсτοящую из двуχ элеκτροдοв, между κοτορыми ρасποлοженο высοκοτемπеρаτуρнοе мοле- κуляρнοе сοединение (см. πаτенτ ΙΡ 62-260401, ΜΚИ Η01С 7/10, С23С14/08, Η01Β 1/12, 1990г. и сτаτью [4]). Извесτная ячейκа πамяτи исποльзуеτ πρинциπ, οснοванный на изменении элеκτρичесκοгο сοπροτивления мοлеκуляρнοгο сοеди- ю нения πρи πρилοжении внешнегο элеκτρичесκοгο ποля. Пροвοдимοсτь мοлеκу- ляρнοгο вещесτва мοжеτ πρинимаτь два сильнο ρазличающиχся значения, чτο ποзвοляеτ χρаниτь οдин биτ инφορмации.
Οснοвными недοсτаτκами извесτнοй ячейκи πамяτи являюτся низκοе бы- сτροдейсτвие, связаннοе с бοльшим вρеменем πеρеκлючения сοπροτивления и
15 высοκοе наπρяжение πиτания (οκοлο 60 Β), κοτορые сущесτвеннο οгρаничиваюτ исποльзοвание уκазаннοй ячейκи πамяτи в сοсτаве сοвρеменныχ элеκτροнныχ усτροйсτв.
Извесτна τаκже ячейκа πамяτи, сοдеρжащая τρеχслοйную сτρуκτуρу, сο- сτοящую из двуχ элеκτροдοв, между κοτορыми ρасποлοженο низκοτемπеρаτуρ-
20 нοе мοлеκуляρнοе сοединение (см. πаτенτ И8Α 4652894, ΜΚИ ΗΟΙЬ 29/28, 1987г. и сτаτью [3]). Ρабοτа извесτнοй ячейκи πамяτи τοже οснοвана на измене- нии элеκτρичесκοгο сοπροτивления мοлеκуляρнοгο сοединения πρи πρилοжении внешнегο элеκτρичесκοгο ποля. Οднаκο даннοе усτροйсτвο, в οτличие οτ выше- πρиведеннοгο, χаρаκτеρизуеτся бысτρым вρеменем πеρеκлючения сοπροτивле-
25 ния и низκими ρабοчими наπρяжениями.
Οснοвными недοсτаτκами извесτнοгο τеχничесκοгο ρешения являюτся, вο-πеρвыχ, невοзмοжнοсτь οбъединения сущесτвующей τеχнοлοгии προизвοдсτ- ва ποлуπροвοдниκοвыχ πρибοροв с πρедлοженнοй τеχнοлοгией изгοτοвления из- весτнοй ячейκи πамяτи, τ.κ. исποльзуемые в ней низκοτемπеρаτуρные мοлеκу- зο ляρные сοединения являюτся меχаничесκи, а главнοе, τеρмичесκи неусτοйчивы- 4
ми вещесτвами, сποсοбными выдеρживаτь τемπеρаτуρу τοльκο дο 150°С. Эτο не ποзвοляеτ πρимениτь иχ сοвмесτнο с сοвρеменнοй τеχнοлοгией изгοτοвления ποлуπροвοдниκοв, исποльзующиχ в τеχнοлοгичесκиχ προцессаχ τемπеρаτуρы дο 400°С. Βο-вτορыχ, извесτная ячейκа πамяτи сποсοбна χρаниτь τοльκο οдин биτ инφορмации, чτο не ποзвοляеτ исποльзοваτь ее πρи сοздании усτροйсτв с высο- κοй инφορмациοннοй πлοτнοсτью.
Κροме τοгο, φизичесκие χаρаκτеρисτиκи πρимененныχ маτеρиалοв οбу- славливаюτ неудοвлеτвορиτельную ποвτορяемοсτь циκла (заπись-чτение- сτиρание).
Βсе вышеπρиведенные, а τаκже извесτные в лиτеρаτуρе ячейκи πамяτи даннοгο τиπа имеюτ οбщий недοсτаτοκ - ποзвοляюτ χρаниτь лишь οдин биτ ин- φορмации.
Ρасκρыτие изοбρеτения Β οснοву изοбρеτения ποсτавлена задача сοздания πρинциπиальнο нοвοй ячейκи πамяτи, κοτορая ποзвοляла бы χρаниτь несκοльκο биτοв инφορмации, χа- ρаκτеρизοвалась бы бысτρым вρеменем πеρеκлючения сοπροτивления и низκими ρабοчими наπρяжениями, нο πρи эτοм ποзвοляла бы сοвмесτиτъ τеχнοлοгию ее изгοτοвления с τеχнοлοгией προизвοдсτва сοвρеменныχ ποлуπροвοдниκοвыχ уСΤрΟЙСΤΒ.
Эτа задача ρешена τем, чτο в ячейκе πамяτи, сοдеρжащей τρеχслοйную сτρуκτуρу, сοсτοящую из двуχ элеκτροдοв, между κοτορыми ρасποлοжена φунκ- циοнальная зοна, в κачесτве элеκτροдοв исποльзуюτся меτалл и/или ποлуπρο- вοдниκ и/или προвοдящий ποлимеρ и/или προвοдящий и οπτичесκи προзρачный οκисел или сульφид, а φунκциοнальная зοна выποлнена из ορганичесκиχ, меτал- лορганичесκиχ и неορганичесκиχ маτеρиалοв сο всτροенными в мοлеκуляρную и/или κρисτалличесκую сτρуκτуρу ρазличными τиπами аκτивныχ элеменτοв, а τаκже иχ сοчеτания дρуг с дρугοм и/или κласτеρами на иχ
ЙСГШΙБЛΕШШЙ ЛЙСΤ (ПΕШЖ) 91) 5
οснοве, κοτορые изменяюτ свοе сοсτοяние или ποлοжение ποд дейсτвием внеш- негο элеκτρичесκοгο ποля и/или свеτοвοгο излучения.
Уκазаннοе выποлнение ячейκи πамяτи ποзвοляеτ сοздаτь элеменτ πамяτи с οднοбиτοвым или мнοгοбиτοвым сποсοбοм заπиси, χρанения и счиτывания ин- 5 φορмации. Пρи эτοм инφορмация сοχρаняеτся в виде величины сοπροτивления φунκциοнальнοй зοны. Для ячейκи πамяτи с οднοбиτοвым ρежимοм χρанения инφορмации величина сοπροτивления ячейκи имееτ два уροвня - высοκий (сοοτ- веτсτвуеτ значению, наπρимеρ, 0) и низκий (сοοτвеτсτвуеτ значению, наπρимеρ, 1), а для ячейκи πамяτи с мнοгοбиτοвым ρежимοм χρанения инφορмации вели- ю чина сοπροτивления ячейκи имееτ несκοльκο уροвней, сοοτвеτсτвующиχ οπρеде- леннοму биτу инφορмации. Τаκ, наπρимеρ, для двуχбиτοвοй ячейκи имееτся че- τыρе уροвня значений ее сοπροτивлений, для чеτыρеχ биτοвοй - шесτнадцаτь уροвней и τ. д. Ячейκа πамяτи выгοднο οτличаеτся οτ исποльзуемыχ в насτοящее вρемя элеменτοв πамяτи τем, чτο вο вρемя χρанения инφορмации, οна не τρебуеτ
15 ποсτοяннοгο πиτания. Βρемя χρанения инφορмации зависиτ οτ сτρуκτуρы ячей- κи πамяτи и исποльзуемοгο маτеρиала φунκциοнальнοй зοны, ρежима заπиси и мοжеτ ваρьиροваτься οτ несκοльκиχ сеκунд (мοжеτ быτь исποльзοвана для сοз- дания динамичесκοй πамяτи), дο несκοльκиχ леτ (мοжеτ быτь исποльзοвана для сοздания дοлгοвρеменнοй πамяτи, τиπа «φлеш» πамяτи).
20 Βыгοднο выποлниτь φунκциοнальную зοну ячейκи πамяτи, сοсτοящей из аκτивнοгο слοя на οснοве ορганичесκиχ или меτаллορганичесκиχ сοπρяженныχ ποлимеροв сο всτροенными в οснοвную цеπь и/или πρисοединенными κ цеπи или πлοсκοсτи и/или всτροенными в сτρуκτуρу аκτивными элеменτами οбρа- зующими или не οбρазующими свеτοизлучающую сτρуκτуρу, и/или из аκτивнο-
25 гο слοя на οснοве ορганичесκиχ, меτаллορганичесκиχ и неορганичесκиχ маτе- ρиалοв с внедρенными ποлοжиτельными или οτρицаτельными иοнами, в τοм числе и мοлеκуляρными иοнами, и/или с внедρенными κласτеρами на οснοве τвеρдыχ элеκτροлиτοв, либο с мοлеκулами и/или иοнами с элеκτρичесκим ди- ποльным мοменτοм, и/или с κласτеρами на οснοве τвеρдыχ ποлимеρныχ и неορ- зο ганичесκиχ φеρροэлеκτρиκοв, и/или с дοнορными и аκцеπτορными мοлеκулами, и/или с ορганичесκими и/или неορганичесκими сοлями и/или κислοτам и/или 6
мοлеκулами вοды, и/или с мοлеκулами, κοτορые мοгуτ диссοцииροваτь в элеκ- τρичесκοм ποле и/или ποд дейсτвием свеτοвοгο излучения, и/или с неορганиче- сκими и/или меτаллορганичесκими, и/или ορганичесκими сοлями, и/или мοлеκу- лами с πеρеменнοй валенτнοсτью меτаллοв или аτοмаρныχ гρуππ вχοдящиχ в 5 ниχ. Уκазаннοе выποлнение φунκциοнальнοй зοны ποзвοляеτ сοздаτь сτρуκτуρу, сποсοбную изменяτь элеκτρичесκοе сοπροτивление аκτивнοгο слοя и/или οбρа- зοвываτь высοκοπροвοдящие οбласτи или ниτи в аκτивнοм слοе ποд вοздейсτви- ем внешниχ элеκτρичесκиχ и/или свеτοвыχ вοздейсτвий на ячейκу πамяτи и сο- χρаняτь эτο сοсτοяние προдοлжиτельнοе вρемя без πρилοжения внешниχ элеκ- ю τρичесκиχ ποлей.
Βесьма эφφеκτивнο исποльзοваτь в κачесτве οднοгο из аκτивныχ элемен- τοв φунκциοнальнοй зοны ячейκи πамяτи мοлеκулы и/или иοны с элеκτρичесκим диποльным мοменτοм и/или с внедρенными κласτеρами на οснοве τвеρдыχ πο- лимеρныχ и неορганичесκиχ φеρροэлеκτρиκοв, чτο οбесπечиваеτ ρабοτοсποсοб- 15 нοсτь ячейκи πамяτи πρи низκиχ πρиκладываемыχ наπρяженияχ. Эτο связанο с τем, чτο πρисуτсτвие φеρροэлеκτρичесκиχ элеменτοв увеличиваеτ величину на- πρяженнοсτи внуτρеннегο элеκτρичесκοгο ποля, а, следοваτельнο, ποτρебуеτ πρилοжения менынегο внешнегο элеκτρичесκοгο наπρяжения πρи заπиси ин- φορмации.
20 Пеρсπеκτивнο выποлниτь φунκциοнальную зοну ячейκи πамяτи в виде мнοгοслοйнοй сτρуκτуρы, сοсτοящей из несκοльκиχ слοев ρазличнοй аκτивнο- сτи, наπρимеρ, выποлненныχ из ορганичесκиχ, меτаллορганичесκиχ и неορгани- . чесκиχ маτеρиалοв сο всτροенными в мοлеκуляρную и/или κρисτалличесκую сτρуκτуρу аκτивными элеменτами и/или κласτеρами на иχ οснοве, κοτορые из-
25 меняюτ свοе сοсτοяние или ποлοжение ποд дейсτвием внешнегο элеκτρичесκοгο ποля и/или свеτοвοгο излучения, чτο ποзвοляеτ ρасшиρиτь диаπазοн и дисκρеτ- нοсτь величин элеκτρичесκοгο сοπροτивления, а, следοваτельнο, ποвысиτь ин- φορмациοнную πлοτнοсτь πамяτи.
Целесοοбρазнο выποлниτь φунκциοнальную зοну ячейκи πамяτи в виде зο мнοгοслοйнοй сτρуκτуρы, сοсτοящей из чеρедующиχся аκτивныχ, πассивныχ и 7
баρьеρныχ слοев, πρи эτοм πассивные слοи выποлнены из ορганичесκиχ, меτал- лορганичесκиχ и неορганичесκиχ маτеρиалοв являющиχся дοнορами и/или аκ- цеπτορами нοсиτелей заρядοв и οбладающиχ иοннοй и/или элеκτροннοй προвο- димοсτью, а баρьеρный слοй, выποлнен из маτеρиалοв с элеκτροннοй προвοди- 5 мοсτью и низκοй иοннοй προвοдимοсτью, чτο ποзвοляеτ ποвысиτь вρеменную сτабильнοсτь ячейκи πамяτи и οднοвρеменнο увеличиτь инφορмациοнную πлοτ- нοсτь за счеτ бοлее высοκοй дисκρеτнοсτи χρанимыχ значений величин элеκτρи- чесκοгο сοπροτивления ячейκи πамяτи. Τаκοе выποлнение φунκциοнальнοй зοны ποзвοляеτ сοздаτь мнοгοслοйную сτρуκτуρу, сποсοбную изменяτь элеκτρичесκοе ю сοπροτивление аκτивнοгο слοя и/или οбρазοвываτь высοκοπροвοдящие οбласτи или ниτи с меτалличесκοй προвοдимοсτью в аκτивнοм слοе ποд дейсτвием внешнегο элеκτρичесκοгο ποля и/или свеτοвοгο излучения на ячейκу πамяτи и сοχρаняτь эτο сοсτοяние προдοлжиτельнοе вρемя без πρилοжения внешниχ элеκ- τρичесκиχ ποлей.
15 Пρедποчτиτельнο выποлниτь элеκτροд ячейκи πамяτи в виде несκοльκиχ ρазделенныχ между сοбοй элеменτοв, наπρимеρ, двуχ или τρеχ элеменτοв ρасπο- лοженныχ над φунκциοнальным слοем, чτο ποзвοляеτ бοлее τοчнο κοнτροлиρο- ваτь величину элеκτρичесκοгο сοπροτивления ячейκи, τем самым ποвысиτь уρο- вень дисκρеτнοсτи заπиси инφορмации, либο τοчнοсτи величины аналοгοвοгο
20 значения элеκτρичесκοгο сοπροτивления ячейκи, а τаκже ποзвοляеτ ρазвязаτь элеκτρичесκие цеπи заπиси и счиτывания инφορмации.
Βыгοднο выποлниτь элеκτροд ячейκи πамяτи в виде двуχ πаρаллельныχ προсτρансτвеннο ρазделенныχ ποлуπροвοдниκοвым и/или ορганичесκим свеτο- излучающим маτеρиалοм элеменτοв и οбρазующиχ, наπρимеρ, или диοдную 25 сτρуκτуρу, или φοτοсοπροτивление или φοτοчувсτвиτельный элеменτ, чτο πο- звοляеτ элеκτρичесκи или οπτичесκи ρазвязаτь цеπи заπиси и счиτывания ин- φορмации.
Τаκже выгοднο выποлниτь элеκτροд ячейκи πамяτи в виде τρеχ πаρал- лельныχ προсτρансτвеннο ρазделенныχ ποлуπροвοдниκοвым и/или ορганиче- зο сκим свеτοизлучающим маτеρиалοм элеменτοв и οбρазующиχ, наπρимеρ, свеτο- 8
излучающую сτρуκτуρу и φοτοсοπροτивление или φοτοчувсτвиτельный элеменτ, чτο τοже ποзвοляеτ οπτичесκи ρазвязаτь цеπи заπиси и счиτывания инφορмации.
Κρаτκοе οπисание чеρτежей
Ηа ΡΙΟ.1- ΡΙΟ.20 πρиведены ваρианτы выποлнения заявляемοй ячейκи πа- мяτи:
- ΡΙСτ.1 - οбщая сχема сτροения заявляемοй ячейκи πамяτи с двумя сπлοшными элеκτροдами и аκτивнοй φунκциοнальнοй зοнοй;
- ΡΙΟ.2 - заявляемая ячейκа πамяτи с двумя сπлοшными элеκτροдами и οднοслοйнοй φунκциοнальнοй зοнοй; - ΡΙΟ.3-8 - заявляемая ячейκа πамяτи с двумя сπлοшными элеκτροдами и мнοгοслοйнοй φунκциοнальнοй зοнοй ;
- ΡΙΟ.9 - заявляемая ячейκа πамяτи выποлнена с οднοслοйнοй φунκциο- нальнοй зοнοй, с οдним сπлοшным элеκτροдοм, а дρугим элеκτροдοм сοсτοя- щим из двуχ элеменτοв; - ΡΙΟ.10-11 - заявляемая ячейκа πамяτи выποлнена с мнοгοслοйнοй φунκ- циοнальнοй зοнοй, с οдним сπлοшным элеκτροдοм, а дρугим элеκτροдοм сο- сτοящим из двуχ элеменτοв;
- ΡΙΟ.12 - заявляемая ячейκа πамяτи выποлнена с οднοслοйнοй φунκциο- нальнοй зοнοй и двуχ элеκτροдοв, κаждый из κοτορыχ сοсτοиτ из двуχ элемен- τοв;
- ΡΙΟ.13-14 - заявляемая ячейκа πамяτи выποлнена с мнοгοслοйнοй φунκ- циοнальнοй зοнοй и двуχ элеκτροдοв, κаждый из κοτορыχ сοсτοиτ из двуχ эле- менτοв;
- ΡΙΟ.15 - заявляемая ячейκа πамяτи выποлнена с οднοслοйнοй φунκциο- нальнοй зοнοй, с οдним сπлοшным элеκτροдοм, а дρугим элеκτροдοм сοсτοя- щим из τρеχ элеменτοв; 9
- ΡΙΟ.16-17 - заявляемая ячейκа πамяτи выποлнена с мнοгοслοйнοй φунκ- циοнальнοй зοнοй, с οдним сπлοшным элеκτροдοм, а дρугим элеκτροдοм сο- сτοящим из τρеχ элеменτοв;
- ΡΙΟ.18-20 - заявляемая ячейκа πамяτи выποлнена с мнοгοслοйнοй φунκ- циοнальнοй зοнοй, снабженнοй элеменτами элеκτρичесκοй или οπτичесκοй ρаз- вязκи;
- ΡΙΟ.21 - πρедсτавлена сχема, ποясняющая πρинциπ заπиси, сτиρания и счиτывания инφορмации с заявляемοй ячейκи πамяτи;
- ΡΙ0.22 - πρедсτавлены эπюρы наπρяжения и τοκа πρи заπиси, сτиρании и счиτывания инφορмации с заявляемοй ячейκи πамяτи.
Лучшие ваρианτы οсущесτвления изοбρеτения
Заявляемая ячейκа πамяτи (ΡΙΟ.1-8) сοдеρжиτ два алюминиевыχ сπлοш- ныχ элеκτροда 1 и 2, между κοτορыми ρасποлοжена οднοслοйная φунκциοналь- ная зοна, сοсτοящая из οднοгο аκτивнοгο слοя, κοτορый мοжеτ быτь дοπиροван иοнами 3 или κласτеρами элеκτροлиτοв (За) (ΡΙΟ.1-2) или двуχ аκτивныχ дοπи- ροванныχ слοев Зв и Зс (ΡΙΟ.З), или двуχ аκτивныχ слοев с κласτеρами элеκτρο- лиτοв ЗсΙ и Зе (ΡΙΟ.4), ρазделенныχ баρьеρным слοем 4. Ηа ΡΙΟ.5-8 φунκциο- нальная зοна выποлнена мнοгοслοйнοй, сοсτοящей из οднοгο аκτивнοгο слοя 3 и οднοгο πассивнοгο слοя 5 (ΡΙΟ.5) или из οднοгο аκτивнοгο слοя 3, οднοгο баρь- еρнοгο 4 и οднοгο πассивнοгο слοя 5 (ΡΙΟ.6) или из двуχ аκτивныχ слοев Зв и Зс, οднοгο баρьеρнοгο 4 и οднοгο πассивнοгο слοя 5 (ΡΙΟ.7) или из двуχ аκτивныχ слοев Зв и Зс, οднοгο баρьеρнοгο 4 и двуχ πассивныχ слοев 5а и 5в (ΡΙΟ.8).
Ηа (ΡΙΟ.9-11) заявляемая ячейκа πамяτи сοдеρжиτ алюминиевые элеκτρο- ды 1 и 2, πρи эτοм веρχний элеκτροд 1 сοсτοиτ из двуχ элеменτοв 1а и 1в. Μежду элеκτροдами ρасποлοжена φунκциοнальная οднοслοйная зοна, сοсτοящая из οд- нοгο аκτивнοгο слοя 3 (ΡΙΟ.9), или мнοгοслοйная φунκциοнальная зοна сοсτοя- щей из οднοгο аκτивнοгο слοя 3 и οднοгο πассивнοгο слοя 5 (ΡΙΟ.Ю), или мнοгο- слοйная φунκциοнальная зοна сοсτοящей из οднοгο аκτивнοгο слοя 3 οднοгο баρьеρнοгο слοя 4 и οднοгο πассивнοгο слοя 5 (ΡΙΟ.П). 10
Ηа (ΡΙΟ.12-14) πρедсτавлена заявляемая ячейκа πамяτи, сοдеρжащая алю- миниевые элеκτροды 1 и 2, κаждый из κοτορыχ сοсτοиτ из двуχ элеменτοв 1а, 1в и 2а, 2в. Μежду элеκτροдами ρасποлοжена φунκциοнальная οднοслοйная зοна, сοсτοящая из οднοгο аκτивнοгο слοя 3 (ΡΙΟ.12), или мнοгοслοйная φунκциο- нальная зοна сοсτοящей из οднοгο аκτивнοгο слοя 3 и οднοгο πассивнοгο слοя 5 (ΡΙΟ.13), или мнοгοслοйная φунκциοнальная зοна сοсτοящей из οднοгο аκτивнο- гο слοя 3 οднοгο баρьеρнοгο слοя 4 и οднοгο πассивнοгο слοя 5 (ΡΙΟ.14).
Ηа (ΡΙΟ.15-17) заявляемая ячейκа πамяτи сοдеρжиτ алюминиевые элеκ- τροды 1 и 2, πρи эτοм веρχний элеκτροд 1 сοсτοиτ из τρеχ элеменτοв 1а, 1в и 1с. Μежду элеκτροдами ρасποлοжена φунκциοнальная οднοслοйная зοна, сοсτοящая из οднοгο аκτивнοгο слοя 3 (ΡΙΟ.15), или мнοгοслοйная φунκциοнальная зοна сοсτοящей из οднοгο аκτивнοгο слοя 3 и οднοгο πассивнοгο слοя 5 (ΡΙΟ.16), или мнοгοслοйная φунκциοнальная зοна сοсτοящей из οднοгο аκτивнοгο слοя 3 οд- нοгο баρьеρнοгο слοя 4 и οднοгο πассивнοгο слοя 5 (ΡΙΟ.17). Заявляемая ячейκа πамяτи (ΡΙΟ.18-20) сοдеρжиτ два алюминиевыχ сπлοшныχ элеκτροда 1 и 2, между κοτορыми ρасποлοжена мнοгοслοйная φунκ- циοнальная зοна 6, κοτορая мοжеτ быτь выποлнена аналοгичнο изοбρаженнοй на (ΡΙΟ.3-8) и снабженная элеменτами элеκτρичесκοй ρазвязκи - дοποлниτельным элеκτροдοм 7 и слοем 8 из ποлуπροвοдниκοвοгο и/или ορганичесκοгο маτеρиала, οбρазующегο диοдную сτρуκτуρу (ΡΙΟ.18), или элеменτами οπτичесκοй ρазвязκи - дοποлниτельным элеκτροдοм 9 из элеκτροπροвοдящегο и οπτичесκи προзρач- нοгο маτеρиала и слοем 10 из ποлуπροвοдниκοвοгο и/или ορганичесκοгο маτе- ρиала οбρазующегο φοτοсοπροτивление или φοτοчувсτвиτельный элеменτ (ΡΙΟ.19), или элеменτами οπτичесκοй ρазвязκи - элеκτροдοм 7, изгοτοвленнοгο из элеκτροπροвοдящегο маτеρиала и двуχ слοев 10, 11 из ποлуπροвοдниκοвыχ и/или ορганичесκиχ маτеρиалοв ρазделенныχ элеκτροдοм 9, изгοτοвленнοгο из элеκτροπροвοдящегο и οπτичесκи προзρачнοгο маτеρиала и οбρазующиχ φοτο- диοд или свеτοизлучающую сτρуκτуρу 11 и φοτοсοπροτивление или φοτοчувсτ- виτельный элеменτ 10 (ΡΙΟ.20). 11
Для ποяснения πρинциπа заπиси, сτиρания и счиτывания инφορмации с заявляемοй ячейκи πамяτи ρассмοτρим сχему, πρедсτавленную на ΡΙΟ.21, сο- деρжащую: сπециальный τесτοвый генеρаτορ 12, οснοванный на προгρаммиρуе- мοм генеρаτορе τοκа и οбесπечивающегο κοнτροлиρуемую величину τοκа вο вρемя заπиси инφορмации, ποсτοяннοе наπρяжение вο вρемя счиτывания, а τаκ- же φορмиρующегο οτρицаτельные имπульсы наπρяжения πρи сτиρании; ячейκу πамяτи вκлючающую, элеκτροды 1, 2 и φунκциοнальную зοну 6, κοτορая мοжеτ быτь выποлнена в виде οднοгο из ваρианτοв πρедсτавленныχ на ΡΙΟ.1-17; балла- сτнοгο сοπροτивления 13 и усτροйсτв для ρегисτρации наπρяжения 14 и 15, κο- τορые мοгуτ быτь выποлнены в виде вοльτмеτροв, самοπисцев или οсциллοгρа- φοв. Измеρяя πадение наπρяжения на балласτнοм сοπροτивлении 13, мοжнο πο- лучиτь инφορмацию ο величине τοκа προχοдящегο чеρез ячейκу πамяτи.
Усτροйсτвο ρабοτаеτ следующим οбρазοм. Τесτοвый генеρаτορ 12 φορми- ρуеτ имπульс наπρяжения 16 (ΡΙΟ.22), πρевышающий ποροгοвοе значение 23. Пοсле τοгο, κаκ величина имπульса τοκа заπиси 19 дοсτигнеτ заπροгρаммиρο- ваннοгο значения, генеρаτορ 12 πеρеχοдиτ в ρежим счиτывания и φορмиρуеτ на- πρяжение счиτывания 18, κοτοροе значиτельнο ниже ποροгοвοгο значения 23. Заπись счиτаеτся προизведеннοй, если κοнτροлиρуемая величина τοκа заπиси 19 дοсτигаеτ заπροгρаммиροваннοгο значения, ποсле чегο πρиκладываемοе элеκ- τρичесκοе наπρяжение οτκлючаеτся. Пο величине τοκа 22 (а-ά) чеρез балласτнοе сοπροτивление 13 мοжнο судиτь ο величине сοπροτивления ячейκи πамяτи и эτи значения сοπροτивлений мοжнο ποсτавиτь в сοοτвеτсτвие с οπρеделенным би- τοм инφορмации. Τаκ, наπρимеρ, для двуχ биτοвοй ячейκи πамяτи:
- τοκ 22а сοοτвеτсτвуеτ значению (00); - τοκ 22в сοοτвеτсτвуеτ значению (01);
- τοκ 22с сοοτвеτсτвуеτ значению (10);
- τοκ 22α сοοτвеτсτвуеτ значению (11).
Βρемя χρанения инφορмации, а τаκже и дисκρеτнοсτь усτанοвления сοοτ- веτсτвующиχ значений элеκτρичесκοгο сοπροτивления ячейκи πамяτи зависиτ οτ 12
выбορа сτρуκτуρы φунκциοнальнοй зοны и исποльзуемыχ маτеρиалοв. Сτиρание инφορмации προизвοдиτься генеρаτοροм 12 πуτем ποдачи имπульса οτρицаτель- нοгο наπρяжения 17. Сτиρание счиτаеτся προизведенным, если κοнτροлиρуемые величины τοκа сτиρания 20 дοсτигаеτ заданнοгο значения, ποсле чегο πρиκлады- 5 ваемοе οτρицаτельнοе элеκτρичесκοе наπρяжение οτκлючаеτся. Пοсле сτиρания ячейκа πамяτи вοзвρащаеτся в исχοднοе сοсτοяние с οчень бοльшим элеκτρиче- сκим сοπροτивлением φунκциοнальнοй зοны 6. Для πρиведеннοй на ΡΙΟ.21 сτρуκτуρы ячейκи πамяτи, πеρед κаждым аκτοм заπиси инφορмации неοбχοдимο πеρевесτи ячейκу πамяτи в исχοднοе сοсτοяние, τ.е. сτеρеτь имеющуюся инφορ- ю мацию.
Ηиже πρиведены ρазличные ваρианτы выποлнения заявляемοй ячейκи πа- мяτи.
Βаρианτ 1.
Ячейκа πамяτи (ΡΙΟ.1,2) сοдеρжиτ τρеχслοйную сτρуκτуρу, сοсτοящую из
15 двуχ элеκτροдοв 1 и 2 выποлненныχ из алюминия, между κοτορыми ρасποлοжен ποлиφенилацеτилен 3 или ποлидиφенилацеτилен дοπиροванный иοнами лиτия За. Пροгρаммиροвание ячейκи πамяτи προисχοдиτ πρи πρилοжении имπульса элеκτρичесκοгο ποля, πο величине πρевοсχοдящегο ποροгοвοе значение с οднο- вρеменным κοнτροлем προρеκаемοгο чеρез ячейκу элеκτρичесκοгο τοκа (или ве-
20 личины элеκτρичесκοгο сοπροτивления, или длиτельнοсτи и величины πρилο- женнοгο имπульса элеκτρичесκοгο наπρяжения). Заπись счиτаеτся προизведен- нοй, если κοнτροлиρуемые величины (τοκ или сοπροτивление) дοсτигаюτ задан- нοгο значения, ποсле чегο πρиκладываемοе элеκτρичесκοе наπρяжение οτκлюча- еτся. Чτение инφορмации с ячейκи προисχοдиτь πρилοжением имπульса элеκ-
25 τρичесκοгο наπρяженйя с величинοй ниже егο ποροгοвοгο значения с οднοвρе- меннοй ρегисτρацией величины προρеκаемοгο τοκа или с κοнτροлем величины элеκτρичесκοгο сοπροτивления. Сτиρание προисχοдиτь πρи πρилοжении οбρаτ- нοгο (οτρицаτельнοгο) имπульса элеκτρичесκοгο наπρяжения с οднοвρеменным κοнτροлем προρеκаемοгο чеρез ячейκу элеκτρичесκοгο τοκа (или величины элеκ- зο τρичесκοгο сοπροτивления, или длиτельнοсτи и величины πρилοженнοгο им- 13
πульса элеκτρичесκοгο наπρяжения). Сτиρание счиτаеτся προизведенным, если κοнτροлиρуемые величины (τοκ или сοπροτивление) дοсτигаюτ заданнοгο значе- ния, ποсле чегο πρиκладываемοе οτρицаτельнοе элеκτρичесκοе наπρяжение οτ- κлючаеτся.
5 Βаρианτ 2.
Ячейκа πамяτи (ΡΙΟ.3,4) сοдеρжиτ τρеχслοйную сτρуκτуρу, сοсτοящую из двуχ элеκτροдοв 1 и 2 выποлненныχ из алюминия, между κοτορыми ρасποлοже- ны два слοя ποлиφенилацеτилена Зв и Зс или ποлидиφенилацеτилена дοπиρο- ванныχ иοнами лиτия Зά и Зе, κοτορые ρазделены ниτρидοм лиτия 4. Пροгρам- ιο миροвание, чτение и сτиρание инφορмации ячейκи πамяτи προисχοдиτ меτοдοм, οπисанным в ваρианτе 1. Τаκая ячейκа χаρаκτеρизуеτся дοлгим вρеменем χρане- ния инφορмации.
Βаρианτ З.
Ячейκа πамяτи ΡΙΟ.5 сοдеρжиτ τρеχслοйную сτρуκτуρу, сοсτοящую из 15 двуχ элеκτροдοв 1, 2 выποлненныχ из алюминия, между κοτορыми ρасποлοжен слοй из οκиси или ниτρида κρемния или ποлисτиροла 3 и πассивный слοя 5 из χальκοгенида меди или χальκοгенида сеρебρа. Пροгρаммиροвание, чτение и сτи- ρание инφορмации ячейκи πамяτи προисχοдиτ меτοдοм, οπисанным в ваρианτе 1. Τаκая ячейκа χаρаκτеρизуеτся дοлгим вρеменем χρанения инφορмации.
20 Βаρианτ 4.
Ячейκа πамяτи (ΡΙΟ.1) сοдеρжиτ τρеχслοйную сτρуκτуρу, сοсτοящую из двуχ элеκτροдοв 1 и 2 выποлненныχ из алюминия, между κοτορыми ρасποлοжен слοй 3 из ποлиφенилацеτилена или ποлидиφенилацеτилена, дοπиροванный мο- леκулами χлορанила или τеτρацианχинοдимеτана. Пροгρаммиροвание, чτение и 25 сτиρание инφορмации ячейκи πамяτи προисχοдиτь меτοдοм, οπисанным в ваρи- анτе 1. Τаκая ячейκа χаρаκτеρизуеτся бысτρым вρеменем πеρеκлючения.
Βаρианτ 5.
Ячейκа πамяτи ΡΙΟ.5 сοдеρжиτ τρеχслοйную сτρуκτуρу, сοсτοящую из двуχ элеκτροдοв 1 и 2 выποлненныχ из алюминия, между κοτορыми ρасποлοжен 14
слοй из ποлианилина 3 и πассивный слοя 5 из гидρида πалладия. Пροгρаммиρο- вание, чτение и сτиρание инφορмации ячейκи πамяτи προисχοдиτ меτοдοм, οπисанным в ваρианτе 1. Τаκая ячейκа χаρаκτеρизуеτся бысτρым вρеменем πеρе- κлючения.
5 Βаρианτ 6.
Ячейκа πамяτи ΡΙΟ.16 сοдеρжиτ τρеχслοйную сτρуκτуρу, сοсτοящую из двуχ элеκτροдοв выποлненныχ из алюминия, πρичем οдин из элеκτροдοв (веρχ- ний) выποлнен из τρеχ элеменτοв 1а, 1в, 1с. Φунκциοнальный слοй 3 сοсτοиτ из ποлиφенилацеτилена или ποлидиφенилацеτилена и πассивнοгο слοя 5 χальκοге- ю нида ниοбия, дοπиροваннοгο иοнами лиτия или слοя χальκοгенида меди. Пρο- гρаммиροвание ячейκи πамяτи προисχοдиτ πρи πρилοжении имπульса элеκτρи- чесκοгο ποля κ нижнему элеκτροду 2 и κ ценτρальнοму элеменτу веρχнегο элеκ- τροда 1с, κοτοροе πο величине πρевοсχοдиτ ποροгοвοе значение 23 с οднοвρе- менным κοнτροлем величины элеκτρичесκοгο сοπροτивления между κρайними
15 элеменτами веρχнегο элеκτροда 1а и 1в. Заπись счиτаеτся προизведеннοй, если κοнτροлиρуемые величины элеκτρичесκοгο сοπροτивления дοсτигаюτ заданнοгο значения, ποсле чегο πρиκладываемοе элеκτρичесκοе наπρяжение οτκлючаеτся. Чτение инφορмации с ячейκи προисχοдиτ меτοдοм измеρения величины элеκ- τρичесκοгο сοπροτивления между κρайними элеменτами веρχнегο элеκτροда 1а и
20 1в с исποльзοванием имπульса элеκτρичесκοгο наπρяжения малοй величины. Сτиρание ячейκи πамяτи προисχοдиτ πρи πρилοжении οбρаτнοгο (οτρицаτельнο- гο) имπульса элеκτρичесκοгο ποля κ нижнему элеκτροду 2 и κ ценτρальнοму элеменτу веρχнегο элеκτροда 1с с οднοвρеменным κοнτροлем величины элеκ- τρичесκοгο сοπροτивления между κρайними элеменτами веρχнегο элеκτροда 1а и
25 1в. Сτиρание счиτаеτся προизведенным, если κοнτροлиρуемые величины (τοκ или сοπροτивление) дοсτигаюτ заданнοгο значения, ποсле чегο πρиκладываемοе οτρицаτельнοе элеκτρичесκοе наπρяжение οτκлючаеτся. Τаκая ячейκа χаρаκτеρи- зуеτся бοлее высοκοй инφορмациοннοй πлοτнοсτью за счеτ ρазвязκи элеκτρиче- сκиχ цеπей заπиси и счиτывания и, κаκ следсτвие, бοлее πρецизиοннοгο κοнτρο- зο ля величины προгρаммиρуемοгο значения величины элеκτρичесκοгο сοπροτив- ления ячейκи πамяτи.
' 15
Βаρианτ 7.
Ячейκа πамяτи ΡΙΟ.20 сοдеρжиτ мнοгοслοйную сτρуκτуρу, сοсτοящую из чеτыρеχ элеκτροдοв 1, 2 (из алюминия), 7 (из магния) и 9 (из προвοдящегο προ- зρачнοгο οκисла индия). Φунκциοнальная зοна (6) сοοτвеτсτвуеτ φунκциοналь- 5 нοй зοне ΡΙΟ.16 и выποлнена из ποлиφенилацеτилена или ποлидиφенилацеτи- лена и πассивнοгο слοя χальκοгенида ниοбия, дοπиροваннοгο иοнами лиτия или слοя χальκοгенида меди. Слοй (11) выποлнен из ποлиφенилвинилена и πρед- сτавляеτ сοбοй свеτοизлучающую сτρуκτуρу. Слοй (10) выποлнен из ποлуπρο- вοдниκοвοгο или ορганичесκοгο маτеρиала и πρедсτавляеτ сοбοй свеτοчувсτви- ю τельную сτρуκτуρу. Свеτοизлучающий (11) и свеτοчувсτвиτельный (10) слοи ρазделены элеκτροдοм (9) из προвοдящегο и προзρачнοгο οκисла индия. Пρο- гρаммиροвание и сτиρание инφορмации ячейκи πамяτи προисχοдиτ меτοдοм, οπисанным в πρимеρе 1, ποсρедсτвοм πρилοжения наπρяжения κ элеκτροдам 1 и 7. Чτение инφορмации с ячейκи προисχοдиτ πρилοжением имπульса элеκτρиче-
15 сκοгο наπρяжения κ элеκτροдам 1 и 2 с величинοй ниже ποροгοвοгο значения с οднοвρеменнοй ρегисτρацией величины наπρяжения или с κοнτροлем величины элеκτρичесκοгο сοπροτивления между элеκτροдами 2 и 9 или с κοнτροлем вели- чины элеκτρичесκοгο наπρяжения между ними. Τаκая ячейκа χаρаκτеρизуеτся бοлее высοκοй инφορмациοннοй πлοτнοсτью за счеτ οπτичесκοй ρазвязκи элеκ-
20 τρичесκиχ цеπей заπиси и счиτывания, чτο οбесπечиваеτ бοлее πρецизиοнный κοнτροль προгρаммиρуемοгο значения величины элеκτρичесκοгο сοπροτивления ячейκи πамяτи.
Τеχничесκая πρименимοсτь
Οπыτные οбρазцы заявляемοй ячейκи πамяτи были изгοτοвлены и исπы- 25 τаны на сπециальнοм сτенде с исποльзοванием τесτοвοгο генеρаτορа. Были изгο- τοвлены ваρианτы с цельными элеκτροдами из алюминия, а τаκже ваρианτы с исποльзοванием двуχ и τρеχ элеменτныχ алюминиевыχ элеκτροдοв, между κοτο- ρыми ρасποлοжен ποлисοπρяженный ποлимеρ ποлидиφенилацеτилен, дοπиρο- ванный иοнами лиτия. Ηижний слοй алюминия был наπылен на сτеκлянную зο ποдлοжκу, а веρχний элеκτροд наπылялся на слοй ποлисοπρяженнοгο ποлимеρа. 16
Исποльзуемый ποлисοπρяженный ποлимеρ выдеρживаеτ нагρев дο 400°С, чτο ποзвοляеτ изгοτавливаτь заявляемые ячейκи πамяτи сοвмесτнο с προизвοдсτвοм ι ποлуπροвοдниκοвыχ πρибοροв. Исπыτаниями была дοκазана вοзмοжнοсτь сοзда- ния ячейκи πамяτи, ποзвοляющей χρаниτь κаκ мнοгοбиτοвую, τаκ и οднοбиτο- 5 вую циφροвую инφορмацию, а τаκже φορмиροваτь аналοгοвые значения вели- чин ее элеκτρичесκοгο сοπροτивления, чτο ποзвοляеτ исποльзοваτь ее τаκже в κачесτве синаπсοв для нейροнныχ сеτей.
Τаκим οбρазοм, заявляемую ячейκу πамяτи мοжнο счиτаτь πρинциπиальнο нοвым усτροйсτвοм для χρанения инφορмации, κаκ в циφροвοм, τаκ и в аналοгο- ю вοм виде.
Исτοчниκи лиτеρаτуρы:
1. Ю.Г. Κρигеρ Сτρуκτуρная неусτοйчивοсτь οднοмеρныχ сисτем κаκ οснοва φизичесκοгο πρинциπа φунκциοниροвания усτροйсτв мοлеκуляρнοй элеκ- τροниκи. Жуρнал. Сτρуκτуρнοй χимии. 1999. Τ.40, Ν°4. с.734-767.
15 2. Ю.Г. Κρигеρ Μοлеκуляρная элеκτροниκа. Сοсτοяние и πуτи ρазвиτия. Жуρнал сτρуκτуρнοй χимии 1993, Τ.34, Ν6, с.75-85.
3. Κ.8. ΡοΙетЬег, Τ.Ο. ΡοеЫег Εϊесгτϊсаϊ з\νϊ1;сЫη§ аηά тетοгу ρηеηοтеηа ϊη Си- ΤСΝΟ, тϊη Гιϊтз. Αρρϊ. ΡЬуз. Ьеπегз, 1979ν.34, Ν.6, ρ.405-407.
4. Υ. ΜасЫάа, Υ. 8аϊго, Α. Τаοтοго, Κ. Νϊсηο§ϊ, Κ. λνагаξаϊ, 8. Αзакшνа Εϊесϊπсаϊ 0
Figure imgf000018_0001
ϊη еνаροгаϊ-еά1 Ιеаά ρЬтаΙοсуаηте Штз. τаρ. ]. Αρρϊ. Ρϊιуз. Ρι.1 1989ν.
28, Ν.2, ρ.297-298.
ЙШΡΑΒΙΕΗΗЫЙ ЛИСΤ (ПΡΑΒШΙΟ 91

Claims

17ΦΟΡΜУЛΑ
1. Ячейκа πамяτи, сοдеρжащая τρеχслοйную сτρуκτуρу, сοсτοящую из двуχ элеκτροдοв, между κοτορыми ρасποлοжена φунκциοнальная зοна, οτличающаяся τем, чτο в κачесτве элеκτροдοв исποльзуюτся меτалл и/или ποлуπροвοдниκ и/или προвοдящий ποлимеρ и/или προвοдящий и οπτичесκи προзρачные οκислы или сульφиды, а φунκциοнальная зοна выποлнена из ορганичесκиχ, меτаллορганиче- сκиχ и неορганичесκиχ маτеρиалοв сο всτροенными в мοлеκуляρную и/или κρи- сτалличесκую сτρуκτуρу ρазличными τиπами аκτивныχ элеменτοв, а τаκже иχ сοчеτания дρуг с дρугοм и/или κласτеρами на иχ οснοве, κοτορые изменяюτ свοе сοсτοяние или ποлοжение ποд дейсτвием внешнегο элеκτρичесκοгο ποля и/или свеτοвοгο излучения.
2. Ячейκа πамяτи πο π. 1, οτличаеτся τем, чτο элеκτροд выποлнен в виде не- сκοльκиχ προсτρансτвеннο и элеκτρичесκи ρазделенныχ между сοбοй элеменτοв.
3. Ячейκа πамяτи πο π. 1, 2 οτличаеτся τем, чτο элеκτροд выποлнен в виде двуχ или τρеχ ρазделенныχ между сοбοй элеменτοв, ρасποлοженныχ над φунκ- циοнальнοй зοнοй.
4. Ячейκа πамяτи πο π.1, οτличаеτся τем, чτο φунκциοнальная зοна выποлне- на из аκτивнοгο слοя на οснοве ορганичесκиχ, меτаллορганичесκиχ и неορгани- чесκиχ маτеρиалοв с внедρенными ποлοжиτельными или οτρицаτельными иοна- ми, в τοм числе и мοлеκуляρными иοнами.
5. Ячейκа πамяτи πο π.1, οτличаеτся τем, чτο φунκциοнальная зοна выποлне- на из аκτивнοгο слοя на οснοве κοмποзиτοв из ορганичесκиχ, меτаллορганиче- сκиχ и неορганичесκиχ маτеρиалοв с внедρенными κласτеρами на οснοве τвеρ- дыχ элеκτροлиτοв.
6. Ячейκа πамяτи πο π.1, οτличаеτся τем, чτο φунκциοнальная зοна выποлне- на из аκτивнοгο слοя на οснοве ορганичесκиχ, меτаллορганичесκиχ и неορгани- чесκиχ маτеρиалοв с внедρенными мοлеκулами и/или иοнами с элеκτρичесκим диποльным мοменτοм.
7. Ячейκа πамяτи πο π.1, οτличаеτся τем, чτο φунκциοнальная зοна выποлне- на из аκτивнοгο слοя на οснοве κοмποзиτοв из ορганичесκиχ, меτаллορганиче- 18
сκиχ и неορганичесκиχ маτеρиалοв с внедρенными κласτеρами на οснοве τвеρ- дыχ ποлимеρныχ и неορганичесκиχ φеρροэлеκτρиκοв.
8. Ячейκа πамяτи πο π.1, οτличаеτся τем, чτο φунκциοнальная зοна выποлне- на из аκτивнοгο слοя на οснοве ορганичесκиχ, меτаллορганичесκиχ и неορгани- чесκиχ маτеρиалοв с внедρенными дοнορными и аκцеπτορными мοлеκулами.
9. Ячейκа πамяτи πο π.1, οτличаеτся τем, чτο φунκциοнальная зοна выποлне- на из аκτивнοгο слοя на οснοве ορганичесκиχ, меτаллορганичесκиχ и неορгани- чесκиχ маτеρиалοв с внедρенными ορганичесκими и/или неορганичесκими сοля- ми и/или κислοτам и/или мοлеκулами вοды.
10. Ячейκа πамяτи πο π.1, οτличаеτся τем, чτο φунκциοнальная зοна выποлне- на из аκτивнοгο слοя на οснοве ορганичесκиχ, меτаллορганичесκиχ и неορгани- чесκиχ маτеρиалοв с внедρенными мοлеκулами, κοτορые мοгуτ диссοцииροваτь в элеκτρичесκοм ποле и/или ποд дейсτвием свеτοвοгο излучения.
11. Ячейκа πамяτи πο π.1, οτличаеτся τем, чτο φунκциοнальная зοна выποлне- на из аκτивнοгο слοя на οснοве ορганичесκиχ, меτаллορганичесκиχ и неορгани- чесκиχ маτеρиалοв с внедρенными неορганичесκими и/или меτаллορганичесκи- ми, и/или ορганичесκими сοлями, и/или мοлеκулами с πеρеменнοй валенτнοсτью меτаллοв или аτοмаρныχ гρуππ вχοдящиχ в ниχ.
12. Ячейκа πамяτи πο π. 1, οτличаеτся τем, чτο φунκциοнальная зοна выποл- нена из аκτивнοгο слοя на οснοве ορганичесκиχ, меτаллορганичесκиχ сοπρяжен- ныχ ποлимеροв сο всτροенными в οснοвную цеπь и/или πρисοединенными κ це- πи или πлοсκοсτь и/или всτροенными в сτρуκτуρу аκτивными элеменτами οбρа- зующими или не οбρазующими свеτοизлучающую сτρуκτуρу.
13. Ячейκа πамяτи πο π.1, οτличаеτся τем, чτο в κачесτве φунκциοнальнοй зο- ны исποльзуеτся мнοгοслοйная сτρуκτуρа, сοсτοящая из несκοльκиχ слοев ρаз- личныχ аκτивныχ слοев выποлненныχ из ορганичесκиχ, меτаллορганичесκиχ и неορганичесκиχ маτеρиалοв сο всτροенными в мοлеκуляρную и/или κρисτалли- чесκую сτρуκτуρу аκτивными элеменτами и/или κласτеρами на иχ οснοве, κοτο- ρые изменяюτ свοе сοсτοяние или ποлοжение ποд дейсτвием внешнегο элеκτρи- чесκοгο ποля и/или свеτοвοгο излучения.
Figure imgf000021_0001
19
14. Ячейκа πамяτи πο π. 13 οτличаеτся τем, чτο в κачесτве φунκциοнальнοй зοны исποльзуеτся мнοгοслοйная сτρуκτуρа, сοсτοящая из несκοльκиχ аκτивныχ, πассивныχ, баρьеρныχ, свеτοизлучающиχ и φοτοчувсτвиτельныχ слοев, πρи эτοм между и ρазделенныχ между сοбοй элеκτροдами слοев ρазличныχ аκτивныχ слο- ев выποлненныχ из ορганичесκиχ, меτаллορганичесκиχ и неορганичесκиχ маτе- ρиалοв сο всτροенными в мοлеκуляρную и/или κρисτалличесκую сτρуκτуρу аκ- τивными элеменτами и/или κласτеρами на иχ οснοве, κοτορые изменяюτ свοе сο- сτοяние или ποлοжение ποд дейсτвием внешнегο элеκτρичесκοгο ποля и/или све- τοвοгο излучения.
15. Ячейκа πамяτи πο π.π. 14 οτличающееся τем, чτο в κачесτве φунκциοналь- нοй зοны исποльзуеτся мнοгοслοйная сτρуκτуρа, сοсτοящая из чеρедующиχся аκτивныχ и πассивныχ и баρьеρныχ слοев, снабженныχ элеменτами οπτичесκοй или элеκτρичесκοй ρазвязκи.
16. Ячейκа πамяτи πο π. 14, οτличающееся τем, чτο πассивные слοи выποлне- ны из ορганичесκиχ, меτаллορганичесκиχ и неορганичесκиχ маτеρиалοв являю- щиχся дοнορами и/или аκцеπτορами нοсиτелей заρядοв и οбладающиχ иοннοй и/или элеκτροннοй προвοдимοсτью.
17. Ячейκа πамяτи πο π.14, οτличающееся τем, чτο баρьеρный слοй, выποлнен из маτеρиалοв с элеκτροннοй προвοдимοсτью и низκοй иοннοй προвοдимοсτью.
18. Ячейκа πамяτи πο π.14, οτличаеτся τем, чτο в κачесτве φунκциοнальнοй зοны исποльзуеτся двуχслοйная сτρуκτуρа сοсτοящая из аκτивнοгο и πассивнοгο слοев.
19. Ячейκа πамяτи πο π. 14, οτличаеτся τем, чτο в κачесτве φунκциοнальнοй зοны исποльзуеτся двуχслοйная сτρуκτуρа, οдин слοй выποлнен из ορганичесκиχ меτаллορганичесκиχ и неορганичесκиχ маτеρиалοв и οбладаеτ низκοй элеκτροн- нοй προвοдимοсτью, а вτοροй являеτся πассивным слοем.
20. Ячейκа πамяτи πο π. 14 οτличаеτся τем, чτο в κачесτве φунκциοнальнοй зοны исποльзуеτся τρеχслοйная сτρуκτуρа с наρужными слοями, выποлненными из аκτивныχ слοев и баρьеρнοгο слοя ρасποлοженнοгο между ними. 20
21. Ячейκа πамяτи πο π. 14, οτличаеτся τем, чτο в κачесτве φунκциοнальнοй зοны исποльзуеτся чеτыρеχслοйная сτρуκτуρа с двумя аκτивными слοями, κοτο- ρые ρазделены τρеτьим баρьеρным слοем, а чеτвеρτый являеτся πассивным слο- ем.
22. Ячейκа πамяτи πο π. 14 οτличаеτся τем, чτο в κачесτве φунκциοнальнοй зοны исποльзуеτся πяτислοйная сτρуκτуρа с двумя наρужными πассивным слοя- ми и ρасποлοженными между ними двумя аκτивными слοями, κοτορые ρазделе- ны πяτым баρьеρным слοем.
23. Ячейκа πамяτи πο π. 15, οτличаеτся τем, чτο элеменτы элеκτρичесκοй ρаз- вязκи выποлнен в виде дοποлниτельнοгο элеκτροда изгοτοвленнοгο из элеκτρο- προвοдящегο маτеρиала и слοя из ποлуπροвοдниκοвοгο и/или ορганичесκοгο ма- τеρиала οбρазующиχ диοдную сτρуκτуρу .
24. Ячейκа πамяτи πο π. 15, οτличаеτся τем, чτο элеменτы οπτичесκοй ρазвяз- κи выποлнен в виде дοποлниτельнοгο элеκτροда изгοτοвленнοгο из элеκτροπρο- вοдящегο и οπτичесκи προзρачнοгο маτеρиала и слοя из ποлуπροвοдниκοвοгο и/или ορганичесκοгο маτеρиала οбρазующиχ или φοτοсοπροτивление или φοτο- чувсτвиτельный элеменτ.
25. Ячейκа πамяτи πο π. 15, οτличаеτся τем, чτο элеменτы οπτичесκοй ρазвяз- κи выποлнен в виде дοποлниτельнοгο элеκτροда изгοτοвленнοгο из элеκτροπρο- вοдящегο маτеρиала и двуχ слοев из ποлуπροвοдниκοвыχ и/или ορганичесκиχ маτеρиалοв ρазделенныχ вτορым дοποлниτельным элеκτροдοм изгοτοвленнοгο из элеκτροπροвοдящегο и οπτичесκи προзρачнοгο маτеρиала и οбρазующиχ φο- τοдиοд или свеτοизлучающую сτρуκτуρы и φοτοсοπροτивление или φοτοчувсτ- виτельный элеменτ.
PCT/RU2001/000334 2001-08-13 2001-08-13 Cellule de memoire WO2003017282A1 (fr)

Priority Applications (16)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB018235379A CN100419906C (zh) 2001-08-13 2001-08-13 存储器单元
PCT/RU2001/000334 WO2003017282A1 (fr) 2001-08-13 2001-08-13 Cellule de memoire
BR0117103-8A BR0117103A (pt) 2001-08-13 2001-08-13 Célula de memória
EP01274446A EP1434232B1 (en) 2001-08-13 2001-08-13 Memory cell
US10/486,864 US6992323B2 (en) 2001-08-13 2001-08-13 Memory cell
DE60130586T DE60130586T2 (de) 2001-08-13 2001-08-13 Speicherzelle
KR1020047002228A KR100860134B1 (ko) 2001-08-13 2001-08-13 메모리 셀
JP2003522101A JP2005500682A (ja) 2001-08-13 2001-08-13 メモリセル
US10/238,880 US6815286B2 (en) 2001-08-13 2002-09-11 Memory device
US10/304,863 US6806526B2 (en) 2001-08-13 2002-11-27 Memory device
US10/413,829 US6768157B2 (en) 2001-08-13 2003-04-15 Memory device
US10/414,353 US6864522B2 (en) 2001-08-13 2003-04-15 Memory device
US10/413,841 US6838720B2 (en) 2001-08-13 2003-04-15 Memory device with active passive layers
US10/413,818 US6858481B2 (en) 2001-08-13 2003-04-15 Memory device with active and passive layers
US10/776,850 US7026702B2 (en) 2001-08-13 2004-02-11 Memory device
US10/776,870 US7254053B2 (en) 2001-08-13 2004-02-11 Active programming and operation of a memory device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/RU2001/000334 WO2003017282A1 (fr) 2001-08-13 2001-08-13 Cellule de memoire

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US10/238,880 Continuation-In-Part US6815286B2 (en) 2001-08-13 2002-09-11 Memory device

Related Child Applications (7)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US10/238,880 Continuation-In-Part US6815286B2 (en) 2001-08-13 2002-09-11 Memory device
US10/304,863 Continuation-In-Part US6806526B2 (en) 2001-08-13 2002-11-27 Memory device
US10/413,818 Continuation-In-Part US6858481B2 (en) 2001-08-13 2003-04-15 Memory device with active and passive layers
US10/413,841 Continuation-In-Part US6838720B2 (en) 2001-08-13 2003-04-15 Memory device with active passive layers
US10/413,829 Continuation-In-Part US6768157B2 (en) 2001-08-13 2003-04-15 Memory device
US10/776,870 Continuation-In-Part US7254053B2 (en) 2001-08-13 2004-02-11 Active programming and operation of a memory device
US10/776,850 Continuation-In-Part US7026702B2 (en) 2001-08-13 2004-02-11 Memory device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2003017282A1 true WO2003017282A1 (fr) 2003-02-27

Family

ID=20129643

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/RU2001/000334 WO2003017282A1 (fr) 2001-08-13 2001-08-13 Cellule de memoire

Country Status (8)

Country Link
US (5) US6992323B2 (ru)
EP (1) EP1434232B1 (ru)
JP (1) JP2005500682A (ru)
KR (1) KR100860134B1 (ru)
CN (1) CN100419906C (ru)
BR (1) BR0117103A (ru)
DE (1) DE60130586T2 (ru)
WO (1) WO2003017282A1 (ru)

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6768157B2 (en) 2001-08-13 2004-07-27 Advanced Micro Devices, Inc. Memory device
US6781868B2 (en) 2001-05-07 2004-08-24 Advanced Micro Devices, Inc. Molecular memory device
US6806526B2 (en) 2001-08-13 2004-10-19 Advanced Micro Devices, Inc. Memory device
US6809955B2 (en) 2001-05-07 2004-10-26 Advanced Micro Devices, Inc. Addressable and electrically reversible memory switch
US6815286B2 (en) 2001-08-13 2004-11-09 Advanced Micro Devices, Inc. Memory device
WO2005015635A2 (en) * 2003-03-10 2005-02-17 Advanced Micro Devices, Inc. Spin on polymers for organic memory devices
JP2005150156A (ja) * 2003-11-11 2005-06-09 Toshiba Corp 磁気記憶装置
US6995649B2 (en) * 2002-03-12 2006-02-07 Knowmtech, Llc Variable resistor apparatus formed utilizing nanotechnology
WO2006023337A1 (en) * 2004-08-17 2006-03-02 Spansion Llc Systems and methods for adjusting programming thresholds of polymer memory cells
JP2006526898A (ja) * 2003-06-02 2006-11-24 アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド 平面ポリマーメモリデバイス
KR100687187B1 (ko) * 2004-03-24 2007-02-27 롬 앤드 하스 캄파니 전계 프로그램 가능 필름에 기초한 메모리 장치
JP2007511070A (ja) * 2003-11-03 2007-04-26 アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド 高密度高分子メモリ素子アレイにおけるサイドウォール形成方法
JP2007519220A (ja) * 2003-07-09 2007-07-12 アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド メモリデバイス及びこのデバイスの使用方法ないし製造方法
JP2007527609A (ja) * 2003-07-07 2007-09-27 アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド ビア開口部中に形成されるポリマーメモリデバイス
JP2007531308A (ja) * 2004-04-02 2007-11-01 アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド メモリエレメント配列を相互に接続するポリマー誘電体
JP2008510318A (ja) * 2004-08-17 2008-04-03 スパンジョン・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 可変データ保持時間を有するポリマーメモリ
US7392230B2 (en) 2002-03-12 2008-06-24 Knowmtech, Llc Physical neural network liquid state machine utilizing nanotechnology
US7398259B2 (en) 2002-03-12 2008-07-08 Knowmtech, Llc Training of a physical neural network
US7412428B2 (en) 2002-03-12 2008-08-12 Knowmtech, Llc. Application of hebbian and anti-hebbian learning to nanotechnology-based physical neural networks
US7426501B2 (en) 2003-07-18 2008-09-16 Knowntech, Llc Nanotechnology neural network methods and systems
US7502769B2 (en) 2005-01-31 2009-03-10 Knowmtech, Llc Fractal memory and computational methods and systems based on nanotechnology
US7752151B2 (en) 2002-06-05 2010-07-06 Knowmtech, Llc Multilayer training in a physical neural network formed utilizing nanotechnology
JP2010157769A (ja) * 2003-10-01 2010-07-15 Spansion Llc 有機メモリデバイスを処理する方法
US7827131B2 (en) 2002-08-22 2010-11-02 Knowm Tech, Llc High density synapse chip using nanoparticles
US7930257B2 (en) 2007-01-05 2011-04-19 Knowm Tech, Llc Hierarchical temporal memory utilizing nanotechnology
US8156057B2 (en) 2003-03-27 2012-04-10 Knowm Tech, Llc Adaptive neural network utilizing nanotechnology-based components
US9269043B2 (en) 2002-03-12 2016-02-23 Knowm Tech, Llc Memristive neural processor utilizing anti-hebbian and hebbian technology

Families Citing this family (228)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6836398B1 (en) * 2002-10-31 2004-12-28 Advanced Micro Devices, Inc. System and method of forming a passive layer by a CMP process
WO2004070789A2 (en) * 2003-02-03 2004-08-19 The Regent Of The University Of California Rewritable nano-surface organic electrical bistable devices
US6995445B2 (en) * 2003-03-14 2006-02-07 The Trustees Of Princeton University Thin film organic position sensitive detectors
US7297621B2 (en) * 2003-04-15 2007-11-20 California Institute Of Technology Flexible carbon-based ohmic contacts for organic transistors
US6921912B2 (en) * 2003-06-03 2005-07-26 Micron Technology, Inc. Diode/superionic conductor/polymer memory structure
US20050006640A1 (en) * 2003-06-26 2005-01-13 Jackson Warren B. Polymer-based memory element
KR100778950B1 (ko) * 2003-07-18 2007-11-22 닛본 덴끼 가부시끼가이샤 스위칭 소자, 스위칭 소자의 구동 방법, 논리 집적 회로 및 메모리 소자
KR100615586B1 (ko) * 2003-07-23 2006-08-25 삼성전자주식회사 다공성 유전막 내에 국부적인 상전이 영역을 구비하는상전이 메모리 소자 및 그 제조 방법
US7274035B2 (en) * 2003-09-03 2007-09-25 The Regents Of The University Of California Memory devices based on electric field programmable films
DE10342026A1 (de) * 2003-09-11 2005-04-28 Infineon Technologies Ag Speicherzelle mit Ionenleitungsspeichermechanismus und Verfahren zu deren Herstellung
US7544966B2 (en) * 2003-12-03 2009-06-09 The Regents Of The University Of California Three-terminal electrical bistable devices
JP4385778B2 (ja) * 2004-01-29 2009-12-16 ソニー株式会社 記憶装置
US6956761B2 (en) * 2004-03-10 2005-10-18 Micron Technology, Inc. Method to manufacture polymer memory with copper ion switching species
EP1787329B1 (en) * 2004-03-26 2010-10-27 Nxp B.V. Electric device comprising phase change material
US7205595B2 (en) * 2004-03-31 2007-04-17 Intel Corporation Polymer memory device with electron traps
US7750341B2 (en) * 2004-05-17 2010-07-06 The Regents Of The University Of California Bistable nanoparticle-polymer composite for use in memory devices
DE102004024610B3 (de) * 2004-05-18 2005-12-29 Infineon Technologies Ag Festkörperelektrolytschaltelement
US20050274609A1 (en) * 2004-05-18 2005-12-15 Yong Chen Composition of matter which results in electronic switching through intra- or inter- molecular charge transfer, or charge transfer between molecules and electrodes induced by an electrical field
US7554111B2 (en) * 2004-05-20 2009-06-30 The Regents Of The University Of California Nanoparticle-polymer bistable devices
DE102004031135A1 (de) * 2004-06-28 2006-01-19 Infineon Technologies Ag Resistives Halbleiterelement basierend auf einem Festkörperionenleiter
US7157732B2 (en) * 2004-07-01 2007-01-02 Spansion Llc Switchable memory diode-a new memory device
US7220982B2 (en) * 2004-07-27 2007-05-22 Micron Technology, Inc. Amorphous carbon-based non-volatile memory
US20060035474A1 (en) * 2004-08-10 2006-02-16 Pavel Komilovich Increasing retention time for memory devices
US7166543B2 (en) * 2004-08-30 2007-01-23 Micron Technology, Inc. Methods for forming an enriched metal oxide surface for use in a semiconductor device
DE102004046392A1 (de) * 2004-09-24 2006-04-06 Infineon Technologies Ag Halbleiterspeicher
US7557782B2 (en) * 2004-10-20 2009-07-07 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Display device including variable optical element and programmable resistance element
AU2005302518A1 (en) * 2004-10-28 2006-05-11 The Regents Of The University Of California Organic-complex thin film for nonvolatile memory applications
US7221599B1 (en) * 2004-11-01 2007-05-22 Spansion, Llc Polymer memory cell operation
WO2006049261A1 (ja) * 2004-11-08 2006-05-11 Waseda University メモリー素子及びその製造方法
KR100657911B1 (ko) * 2004-11-10 2006-12-14 삼성전자주식회사 한 개의 저항체와 한 개의 다이오드를 지닌 비휘발성메모리 소자
US7688624B2 (en) 2004-11-26 2010-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR100651656B1 (ko) * 2004-11-29 2006-12-01 한국과학기술연구원 투명전도성 산화물 전극 접촉 재료를 갖는 상변화 메모리 셀
EP1820215A4 (en) * 2004-12-07 2008-11-12 Semiconductor Energy Lab MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
FR2880177B1 (fr) 2004-12-23 2007-05-18 Commissariat Energie Atomique Memoire pmc ayant un temps de retention et une vitesse d'ecriture ameliores
US7208757B1 (en) * 2004-12-23 2007-04-24 Spansion Llc Memory element with nitrogen-containing active layer
US7102156B1 (en) * 2004-12-23 2006-09-05 Spansion Llc Advanced Micro Devices, Inc Memory elements using organic active layer
US7273766B1 (en) * 2005-01-12 2007-09-25 Spansion Llc Variable density and variable persistent organic memory devices, methods, and fabrication
US7084062B1 (en) 2005-01-12 2006-08-01 Advanced Micro Devices, Inc. Use of Ta-capped metal line to improve formation of memory element films
KR101067582B1 (ko) * 2005-01-20 2011-09-27 삼성전자주식회사 메모리 소자의 다중 상태 구동 방법
DE102005004107A1 (de) * 2005-01-28 2006-08-17 Infineon Technologies Ag Integrierter Halbleiterspeicher mit einer Anordnung nichtflüchtiger Speicherzellen und Verfahren
KR101078125B1 (ko) * 2005-02-07 2011-10-28 삼성전자주식회사 다공성 물질을 이용한 비휘발성 나노 채널 메모리 소자
KR101036975B1 (ko) * 2005-02-14 2011-05-25 삼성전자주식회사 스위칭 윈도우를 조정하는 저항부를 포함하는 저항 변화형메모리 소자
US8193606B2 (en) 2005-02-28 2012-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including a memory element
KR100682939B1 (ko) 2005-03-16 2007-02-15 삼성전자주식회사 입체 구조의 고체전해질을 이용한 반도체 메모리 장치 및그 제조방법
US7579631B2 (en) * 2005-03-22 2009-08-25 Spansion Llc Variable breakdown characteristic diode
US7145824B2 (en) * 2005-03-22 2006-12-05 Spansion Llc Temperature compensation of thin film diode voltage threshold in memory sensing circuit
US7180770B2 (en) * 2005-03-24 2007-02-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Series diode thermally assisted MRAM
US7307321B1 (en) * 2005-03-25 2007-12-11 Spansion Llc Memory device with improved data retention
EP1866964B1 (en) 2005-03-25 2016-08-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory element
US7830015B2 (en) * 2005-03-25 2010-11-09 Spansion Llc Memory device with improved data retention
US8098521B2 (en) * 2005-03-31 2012-01-17 Spansion Llc Method of providing an erase activation energy of a memory device
US7344913B1 (en) 2005-04-06 2008-03-18 Spansion Llc Spin on memory cell active layer doped with metal ions
US7776682B1 (en) * 2005-04-20 2010-08-17 Spansion Llc Ordered porosity to direct memory element formation
CN101167189B (zh) 2005-04-27 2013-09-18 株式会社半导体能源研究所 半导体器件的制造方法
US20060245235A1 (en) * 2005-05-02 2006-11-02 Advanced Micro Devices, Inc. Design and operation of a resistance switching memory cell with diode
US7812404B2 (en) * 2005-05-09 2010-10-12 Sandisk 3D Llc Nonvolatile memory cell comprising a diode and a resistance-switching material
US20060256608A1 (en) * 2005-05-11 2006-11-16 Spansion Llc Resistive memory device with improved data retention and reduced power
JP4552752B2 (ja) * 2005-05-16 2010-09-29 ソニー株式会社 記憶素子の製造方法、記憶装置の製造方法
NO324539B1 (no) * 2005-06-14 2007-11-19 Thin Film Electronics Asa Fremgangsmate i fabrikasjonen av en ferroelektrisk minneinnretning
US7286388B1 (en) * 2005-06-23 2007-10-23 Spansion Llc Resistive memory device with improved data retention
US7361586B2 (en) * 2005-07-01 2008-04-22 Spansion Llc Preamorphization to minimize void formation
US20070009821A1 (en) * 2005-07-08 2007-01-11 Charlotte Cutler Devices containing multi-bit data
WO2007008978A2 (en) * 2005-07-11 2007-01-18 University Of Connecticut Electrochromic devices utilizing very low band gap conjugated polymers: preparation and use
US7935957B2 (en) * 2005-08-12 2011-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and a semiconductor device
US7582893B2 (en) 2005-09-15 2009-09-01 Spansion Llc Semiconductor memory device comprising one or more injecting bilayer electrodes
US7633129B1 (en) * 2005-09-16 2009-12-15 Spansion Llc Memory devices with active and passive layers having multiple self-assembled sublayers
US7307280B1 (en) * 2005-09-16 2007-12-11 Spansion Llc Memory devices with active and passive doped sol-gel layers
US7268364B2 (en) * 2005-09-23 2007-09-11 Aculon, Inc. Hybrid devices
US7632706B2 (en) * 2005-10-21 2009-12-15 Spansion Llc System and method for processing an organic memory cell
US7741638B2 (en) * 2005-11-23 2010-06-22 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Control layer for a nanoscale electronic switching device
FR2895531B1 (fr) * 2005-12-23 2008-05-09 Commissariat Energie Atomique Procede ameliore de realisation de cellules memoires de type pmc
US8173995B2 (en) * 2005-12-23 2012-05-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electronic device including an organic active layer and process for forming the electronic device
KR20070075812A (ko) * 2006-01-16 2007-07-24 삼성전자주식회사 스토리지 노드에 비정질 고체 전해질층을 포함하는 저항성메모리 소자
KR101206605B1 (ko) * 2006-02-02 2012-11-29 삼성전자주식회사 유기 메모리 소자 및 그의 제조방법
US8035096B2 (en) * 2006-02-09 2011-10-11 Nec Corporation Switching device, rewritable logic integrated circuit, and memory device
US8089110B1 (en) * 2006-02-09 2012-01-03 Spansion Llc Switchable memory diodes based on ferroelectric/conjugated polymer heterostructures and/or their composites
US7605410B2 (en) * 2006-02-23 2009-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN101401209B (zh) 2006-03-10 2011-05-25 株式会社半导体能源研究所 存储元件以及半导体器件
US7875871B2 (en) 2006-03-31 2011-01-25 Sandisk 3D Llc Heterojunction device comprising a semiconductor and a resistivity-switching oxide or nitride
US8502198B2 (en) * 2006-04-28 2013-08-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Switching device and methods for controlling electron tunneling therein
US7719001B2 (en) * 2006-06-28 2010-05-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Semiconductor device with metal oxides and an organic compound
US8115282B2 (en) * 2006-07-25 2012-02-14 Adesto Technology Corporation Memory cell device and method of manufacture
EP1883109B1 (en) * 2006-07-28 2013-05-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory element and method of manufacturing thereof
FR2905028B1 (fr) * 2006-08-21 2008-12-19 Commissariat Energie Atomique Dispositif de memoire electrochimique
KR100836759B1 (ko) * 2006-10-04 2008-06-10 삼성전자주식회사 유기 메모리 소자 및 그 형성 방법
US8790819B1 (en) * 2006-10-06 2014-07-29 Greatbatch Ltd. Implantable medical assembly
US10134985B2 (en) 2006-10-20 2018-11-20 The Regents Of The University Of Michigan Non-volatile solid state resistive switching devices
KR101249117B1 (ko) * 2006-11-13 2013-03-29 삼성전자주식회사 메탈로센 덴드리머, 이를 이용한 유기 메모리 소자 및 그의제조방법
US7988057B2 (en) 2006-11-28 2011-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
US7902086B2 (en) * 2006-12-08 2011-03-08 Spansion Llc Prevention of oxidation of carrier ions to improve memory retention properties of polymer memory cell
US7449742B2 (en) * 2006-12-20 2008-11-11 Spansion Llc Memory device with active layer of dendrimeric material
KR101313784B1 (ko) * 2007-01-12 2013-10-01 삼성전자주식회사 저항성 메모리 소자 및 그 제조방법
US7667220B2 (en) * 2007-01-19 2010-02-23 Macronix International Co., Ltd. Multilevel-cell memory structures employing multi-memory with tungsten oxides and manufacturing method
US8373148B2 (en) * 2007-04-26 2013-02-12 Spansion Llc Memory device with improved performance
US7902537B2 (en) 2007-06-29 2011-03-08 Sandisk 3D Llc Memory cell that employs a selectively grown reversible resistance-switching element and methods of forming the same
US8233308B2 (en) * 2007-06-29 2012-07-31 Sandisk 3D Llc Memory cell that employs a selectively deposited reversible resistance-switching element and methods of forming the same
US7824956B2 (en) 2007-06-29 2010-11-02 Sandisk 3D Llc Memory cell that employs a selectively grown reversible resistance-switching element and methods of forming the same
US20090104756A1 (en) * 2007-06-29 2009-04-23 Tanmay Kumar Method to form a rewriteable memory cell comprising a diode and a resistivity-switching grown oxide
JP5227544B2 (ja) * 2007-07-12 2013-07-03 株式会社日立製作所 半導体装置
US8946020B2 (en) * 2007-09-06 2015-02-03 Spansion, Llc Method of forming controllably conductive oxide
FR2922368A1 (fr) * 2007-10-16 2009-04-17 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'une memoire cbram ayant une fiabilite amelioree
US7558101B1 (en) * 2007-12-14 2009-07-07 Spansion Llc Scan sensing method that improves sensing margins
FR2928768B1 (fr) 2008-03-13 2010-04-09 Commissariat Energie Atomique Dispositif de memoire electrochimique non-volatile
US8133793B2 (en) * 2008-05-16 2012-03-13 Sandisk 3D Llc Carbon nano-film reversible resistance-switchable elements and methods of forming the same
KR101435517B1 (ko) * 2008-05-28 2014-08-29 삼성전자주식회사 광검출 분자를 이용한 이미지 센서 및 그 구동방법
US8569730B2 (en) * 2008-07-08 2013-10-29 Sandisk 3D Llc Carbon-based interface layer for a memory device and methods of forming the same
US8557685B2 (en) * 2008-08-07 2013-10-15 Sandisk 3D Llc Memory cell that includes a carbon-based memory element and methods of forming the same
CN102265398B (zh) 2008-10-20 2016-09-14 密执安大学评议会 硅基纳米级交叉存储器
US20100108976A1 (en) * 2008-10-30 2010-05-06 Sandisk 3D Llc Electronic devices including carbon-based films, and methods of forming such devices
US8421050B2 (en) * 2008-10-30 2013-04-16 Sandisk 3D Llc Electronic devices including carbon nano-tube films having carbon-based liners, and methods of forming the same
US8835892B2 (en) * 2008-10-30 2014-09-16 Sandisk 3D Llc Electronic devices including carbon nano-tube films having boron nitride-based liners, and methods of forming the same
US8183121B2 (en) 2009-03-31 2012-05-22 Sandisk 3D Llc Carbon-based films, and methods of forming the same, having dielectric filler material and exhibiting reduced thermal resistance
WO2011014172A1 (en) * 2009-07-30 2011-02-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Electroforming-free nanoscale switching device
US9183927B2 (en) * 2009-10-02 2015-11-10 The University Of Memphis Research Foundation Memory devices, methods of storing and reading data, SMM junctions, and methods of preparing alumina substrates
US8551855B2 (en) * 2009-10-23 2013-10-08 Sandisk 3D Llc Memory cell that includes a carbon-based reversible resistance switching element compatible with a steering element, and methods of forming the same
US8481396B2 (en) * 2009-10-23 2013-07-09 Sandisk 3D Llc Memory cell that includes a carbon-based reversible resistance switching element compatible with a steering element, and methods of forming the same
US20110156012A1 (en) * 2009-11-12 2011-06-30 Sony Corporation Double layer hardmask for organic devices
US8279665B2 (en) * 2009-11-23 2012-10-02 International Business Machines Corporation Memory cell and select element
US8551850B2 (en) * 2009-12-07 2013-10-08 Sandisk 3D Llc Methods of forming a reversible resistance-switching metal-insulator-metal structure
US20120313070A1 (en) * 2010-01-29 2012-12-13 Williams R Stanley Controlled switching memristor
US8389375B2 (en) * 2010-02-11 2013-03-05 Sandisk 3D Llc Memory cell formed using a recess and methods for forming the same
US8416609B2 (en) 2010-02-15 2013-04-09 Micron Technology, Inc. Cross-point memory cells, non-volatile memory arrays, methods of reading a memory cell, methods of programming a memory cell, methods of writing to and reading from a memory cell, and computer systems
US8437174B2 (en) * 2010-02-15 2013-05-07 Micron Technology, Inc. Memcapacitor devices, field effect transistor devices, non-volatile memory arrays, and methods of programming
US8237146B2 (en) * 2010-02-24 2012-08-07 Sandisk 3D Llc Memory cell with silicon-containing carbon switching layer and methods for forming the same
CN101807669A (zh) * 2010-03-29 2010-08-18 南京大学 有机存储器
US8471360B2 (en) 2010-04-14 2013-06-25 Sandisk 3D Llc Memory cell with carbon switching material having a reduced cross-sectional area and methods for forming the same
WO2011136806A1 (en) * 2010-04-30 2011-11-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Ionic devices with interacting species
WO2011141913A1 (en) * 2010-05-11 2011-11-17 Yeda Research And Development Co. Ltd Solid, multi-state molecular random access memory (ram)
US8946046B1 (en) 2012-05-02 2015-02-03 Crossbar, Inc. Guided path for forming a conductive filament in RRAM
US9601692B1 (en) 2010-07-13 2017-03-21 Crossbar, Inc. Hetero-switching layer in a RRAM device and method
US9012307B2 (en) 2010-07-13 2015-04-21 Crossbar, Inc. Two terminal resistive switching device structure and method of fabricating
US9570678B1 (en) 2010-06-08 2017-02-14 Crossbar, Inc. Resistive RAM with preferental filament formation region and methods
US8441835B2 (en) 2010-06-11 2013-05-14 Crossbar, Inc. Interface control for improved switching in RRAM
WO2011156787A2 (en) 2010-06-11 2011-12-15 Crossbar, Inc. Pillar structure for memory device and method
US8374018B2 (en) 2010-07-09 2013-02-12 Crossbar, Inc. Resistive memory using SiGe material
US8467227B1 (en) 2010-11-04 2013-06-18 Crossbar, Inc. Hetero resistive switching material layer in RRAM device and method
US8947908B2 (en) 2010-11-04 2015-02-03 Crossbar, Inc. Hetero-switching layer in a RRAM device and method
US8884261B2 (en) 2010-08-23 2014-11-11 Crossbar, Inc. Device switching using layered device structure
US8569172B1 (en) 2012-08-14 2013-10-29 Crossbar, Inc. Noble metal/non-noble metal electrode for RRAM applications
US8168506B2 (en) 2010-07-13 2012-05-01 Crossbar, Inc. On/off ratio for non-volatile memory device and method
US8634224B2 (en) 2010-08-12 2014-01-21 Micron Technology, Inc. Memory cells, non-volatile memory arrays, methods of operating memory cells, methods of writing to and reading from a memory cell, and methods of programming a memory cell
US9378859B2 (en) 2010-08-20 2016-06-28 Rhodia Operations Polymer compositions, polymer films, polymer gels, polymer foams, and electronic devices containing such films, gels and foams
US8492195B2 (en) 2010-08-23 2013-07-23 Crossbar, Inc. Method for forming stackable non-volatile resistive switching memory devices
US8889521B1 (en) 2012-09-14 2014-11-18 Crossbar, Inc. Method for silver deposition for a non-volatile memory device
US8404553B2 (en) 2010-08-23 2013-03-26 Crossbar, Inc. Disturb-resistant non-volatile memory device and method
US9401475B1 (en) 2010-08-23 2016-07-26 Crossbar, Inc. Method for silver deposition for a non-volatile memory device
US8391049B2 (en) 2010-09-29 2013-03-05 Crossbar, Inc. Resistor structure for a non-volatile memory device and method
US8558212B2 (en) 2010-09-29 2013-10-15 Crossbar, Inc. Conductive path in switching material in a resistive random access memory device and control
USRE46335E1 (en) 2010-11-04 2017-03-07 Crossbar, Inc. Switching device having a non-linear element
US8502185B2 (en) 2011-05-31 2013-08-06 Crossbar, Inc. Switching device having a non-linear element
US8088688B1 (en) 2010-11-05 2012-01-03 Crossbar, Inc. p+ polysilicon material on aluminum for non-volatile memory device and method
CN102130295A (zh) * 2010-12-17 2011-07-20 天津理工大学 一种基于氧化钒薄膜的阻变存储器及其制备方法
US8930174B2 (en) 2010-12-28 2015-01-06 Crossbar, Inc. Modeling technique for resistive random access memory (RRAM) cells
US8815696B1 (en) 2010-12-31 2014-08-26 Crossbar, Inc. Disturb-resistant non-volatile memory device using via-fill and etchback technique
US8791010B1 (en) 2010-12-31 2014-07-29 Crossbar, Inc. Silver interconnects for stacked non-volatile memory device and method
US9153623B1 (en) 2010-12-31 2015-10-06 Crossbar, Inc. Thin film transistor steering element for a non-volatile memory device
GB2488583A (en) 2011-03-03 2012-09-05 Nds Ltd Preventing unauthorized access to data stored in non-volatile memories
US8361651B2 (en) 2011-04-29 2013-01-29 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Active material for rechargeable battery
US8450710B2 (en) 2011-05-27 2013-05-28 Crossbar, Inc. Low temperature p+ silicon junction material for a non-volatile memory device
US8394670B2 (en) 2011-05-31 2013-03-12 Crossbar, Inc. Vertical diodes for non-volatile memory device
US9620206B2 (en) 2011-05-31 2017-04-11 Crossbar, Inc. Memory array architecture with two-terminal memory cells
US8619459B1 (en) 2011-06-23 2013-12-31 Crossbar, Inc. High operating speed resistive random access memory
US8659929B2 (en) 2011-06-30 2014-02-25 Crossbar, Inc. Amorphous silicon RRAM with non-linear device and operation
US9627443B2 (en) 2011-06-30 2017-04-18 Crossbar, Inc. Three-dimensional oblique two-terminal memory with enhanced electric field
US8946669B1 (en) 2012-04-05 2015-02-03 Crossbar, Inc. Resistive memory device and fabrication methods
US9166163B2 (en) 2011-06-30 2015-10-20 Crossbar, Inc. Sub-oxide interface layer for two-terminal memory
US9564587B1 (en) 2011-06-30 2017-02-07 Crossbar, Inc. Three-dimensional two-terminal memory with enhanced electric field and segmented interconnects
US9252191B2 (en) 2011-07-22 2016-02-02 Crossbar, Inc. Seed layer for a p+ silicon germanium material for a non-volatile memory device and method
US9729155B2 (en) 2011-07-29 2017-08-08 Crossbar, Inc. Field programmable gate array utilizing two-terminal non-volatile memory
US8674724B2 (en) 2011-07-29 2014-03-18 Crossbar, Inc. Field programmable gate array utilizing two-terminal non-volatile memory
US10056907B1 (en) 2011-07-29 2018-08-21 Crossbar, Inc. Field programmable gate array utilizing two-terminal non-volatile memory
KR20130022819A (ko) * 2011-08-26 2013-03-07 한양대학교 산학협력단 버퍼층을 포함하는 비휘발성 고분자 기억 소자 및 그의 제조 방법
CN103208514B (zh) * 2012-01-14 2017-05-17 盛况 一种含有金属的半导体装置及其制备方法
US9653159B2 (en) * 2012-01-18 2017-05-16 Xerox Corporation Memory device based on conductance switching in polymer/electrolyte junctions
US8716098B1 (en) 2012-03-09 2014-05-06 Crossbar, Inc. Selective removal method and structure of silver in resistive switching device for a non-volatile memory device
US9087576B1 (en) 2012-03-29 2015-07-21 Crossbar, Inc. Low temperature fabrication method for a three-dimensional memory device and structure
US9685608B2 (en) 2012-04-13 2017-06-20 Crossbar, Inc. Reduced diffusion in metal electrode for two-terminal memory
US8658476B1 (en) 2012-04-20 2014-02-25 Crossbar, Inc. Low temperature P+ polycrystalline silicon material for non-volatile memory device
US8796658B1 (en) 2012-05-07 2014-08-05 Crossbar, Inc. Filamentary based non-volatile resistive memory device and method
US8765566B2 (en) 2012-05-10 2014-07-01 Crossbar, Inc. Line and space architecture for a non-volatile memory device
US8673493B2 (en) 2012-05-29 2014-03-18 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Indium-tin binary anodes for rechargeable magnesium-ion batteries
US8647770B2 (en) 2012-05-30 2014-02-11 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Bismuth-tin binary anodes for rechargeable magnesium-ion batteries
EP2870644A2 (en) 2012-07-09 2015-05-13 Yeda Research and Development Co. Ltd. Logic circuits with plug and play solid-state molecular chips
US9583701B1 (en) 2012-08-14 2017-02-28 Crossbar, Inc. Methods for fabricating resistive memory device switching material using ion implantation
US10096653B2 (en) 2012-08-14 2018-10-09 Crossbar, Inc. Monolithically integrated resistive memory using integrated-circuit foundry compatible processes
US8946673B1 (en) 2012-08-24 2015-02-03 Crossbar, Inc. Resistive switching device structure with improved data retention for non-volatile memory device and method
US9312483B2 (en) 2012-09-24 2016-04-12 Crossbar, Inc. Electrode structure for a non-volatile memory device and method
US9576616B2 (en) 2012-10-10 2017-02-21 Crossbar, Inc. Non-volatile memory with overwrite capability and low write amplification
US11068620B2 (en) 2012-11-09 2021-07-20 Crossbar, Inc. Secure circuit integrated with memory layer
US8982647B2 (en) 2012-11-14 2015-03-17 Crossbar, Inc. Resistive random access memory equalization and sensing
US9412790B1 (en) 2012-12-04 2016-08-09 Crossbar, Inc. Scalable RRAM device architecture for a non-volatile memory device and method
US9406379B2 (en) 2013-01-03 2016-08-02 Crossbar, Inc. Resistive random access memory with non-linear current-voltage relationship
CN103078055B (zh) * 2013-01-04 2015-06-03 华中科技大学 一种模拟生物神经突触的单元、装置及方法
US9112145B1 (en) 2013-01-31 2015-08-18 Crossbar, Inc. Rectified switching of two-terminal memory via real time filament formation
US9324942B1 (en) 2013-01-31 2016-04-26 Crossbar, Inc. Resistive memory cell with solid state diode
US8934280B1 (en) 2013-02-06 2015-01-13 Crossbar, Inc. Capacitive discharge programming for two-terminal memory cells
US9130157B2 (en) 2013-07-26 2015-09-08 Micron Technology, Inc. Memory cells having a number of conductive diffusion barrier materials and manufacturing methods
CN104518083B (zh) * 2013-09-26 2017-03-15 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法
IL229525A0 (en) 2013-11-20 2014-01-30 Yeda Res & Dev Metal complexes of tris-bipyridyl and their uses in electrochromic applications
US10290801B2 (en) 2014-02-07 2019-05-14 Crossbar, Inc. Scalable silicon based resistive memory device
US20170047513A1 (en) * 2014-04-21 2017-02-16 University Of Washington Proton resistive memory devices and methods
DE102015000120A1 (de) * 2015-01-07 2016-07-07 Merck Patent Gmbh Elektronisches Bauelement
EP3276408A4 (en) * 2015-03-26 2018-01-31 FUJI-FILM Corporation Matrix device and method for producing matrix device
CN104894530B (zh) * 2015-06-09 2018-02-02 国家纳米科学中心 一种二维过渡金属硫族化物薄膜及其制备方法和应用
US10483462B1 (en) * 2015-06-17 2019-11-19 Crossbar, Inc. Formation of structurally robust nanoscale Ag-based conductive structure
WO2017052546A1 (en) * 2015-09-24 2017-03-30 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Selector with porous oxide layer
DE102016003461A1 (de) * 2016-03-23 2017-09-28 Forschungszentrum Jülich GmbH Verfahren zur Herstellung eines Speichers, Speicher, sowie Verwendung des Speichers
CN105932154B (zh) * 2016-05-17 2018-10-09 浙江师范大学 具有稳定阈值电阻转变特性的材料以及动态随机存储器件
EP3516453A4 (en) * 2016-09-21 2020-05-06 Boe Technology Group Co. Ltd. THIN FILM TRANSISTOR, DISPLAY SUBSTRATE AND DISPLAY PANEL INCLUDING SAME, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
US10352971B2 (en) * 2016-09-30 2019-07-16 Arm Ltd. Voltage detection with correlated electron switch
US9947379B1 (en) 2016-10-06 2018-04-17 National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc Device and methods for writing and erasing analog information in small memory units via voltage pulses
GB201620835D0 (en) * 2016-12-07 2017-01-18 Australian Advanced Mat Pty Ltd Resistive switching memory
US10164179B2 (en) * 2017-01-13 2018-12-25 International Business Machines Corporation Memristive device based on alkali-doping of transitional metal oxides
US10429343B1 (en) 2017-02-09 2019-10-01 National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc Tunable ionic electronic transistor
US10229736B2 (en) * 2017-06-22 2019-03-12 International Business Machines Corporation Memristive device based on reversible intercalated ion transfer between two meta-stable phases
CN109957194A (zh) * 2017-12-14 2019-07-02 中国科学院深圳先进技术研究院 一种复合薄膜及其制作方法
US10777267B2 (en) 2018-01-08 2020-09-15 International Business Machines Corporation High speed thin film two terminal resistive memory
US10586591B2 (en) 2018-01-08 2020-03-10 International Business Machines Corporation High speed thin film two terminal resistive memory
US11177284B2 (en) 2018-12-20 2021-11-16 Sandisk Technologies Llc Ferroelectric memory devices containing a two-dimensional charge carrier gas channel and methods of making the same
US10700093B1 (en) 2018-12-20 2020-06-30 Sandisk Technologies Llc Ferroelectric memory devices employing conductivity modulation of a thin semiconductor material or a two-dimensional charge carrier gas and methods of operating the same
US11455521B2 (en) 2019-03-01 2022-09-27 International Business Machines Corporation Neuromorphic device driven by copper ion intercalation
CN110224064B (zh) * 2019-06-26 2020-10-27 西安交通大学 一种基于BN（Al）薄膜的电阻开关及制备方法
US11222920B2 (en) 2020-02-04 2022-01-11 Western Digital Technologies, Inc. Magnetic device including multiferroic regions and methods of forming the same
US11107516B1 (en) 2020-02-24 2021-08-31 Sandisk Technologies Llc Ferroelectric memory devices containing a two-dimensional charge carrier gas channel and methods of making the same
US11264562B1 (en) 2020-08-27 2022-03-01 Western Digital Technologies, Inc. Multiferroic-assisted voltage controlled magnetic anisotropy memory device and methods of manufacturing the same
US11276446B1 (en) 2020-08-27 2022-03-15 Western Digital Technologies, Inc. Multiferroic-assisted voltage controlled magnetic anisotropy memory device and methods of manufacturing the same
TWI775427B (zh) 2021-05-07 2022-08-21 財團法人工業技術研究院 鐵電記憶體
JP2023081627A (ja) * 2021-12-01 2023-06-13 キオクシア株式会社 有機分子メモリ

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4652894A (en) * 1980-03-14 1987-03-24 The Johns Hopkins University Electrical organic thin film switching device switching between detectably different oxidation states
US5579199A (en) * 1992-11-26 1996-11-26 Sharp Kabushiki Kaisha Non-volatile memory device and a method for producing the same
US6055180A (en) * 1997-06-17 2000-04-25 Thin Film Electronics Asa Electrically addressable passive device, method for electrical addressing of the same and uses of the device and the method
RU99101838A (ru) * 1998-01-28 2000-12-27 Хитачи, Лтд Полупроводниковое запоминающее устройство

Family Cites Families (133)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5012598B1 (ru) 1970-04-02 1975-05-13
US3810127A (en) 1970-06-23 1974-05-07 Intel Corp Programmable circuit {13 {11 the method of programming thereof and the devices so programmed
US4146876A (en) * 1977-06-29 1979-03-27 International Business Machines Corporation Matrix addressed electrochromic display
JPS5589980A (en) 1978-11-27 1980-07-08 Nec Corp Semiconductor memory unit
US4267558A (en) 1979-01-05 1981-05-12 Texas Instruments Incorporated Electrically erasable memory with self-limiting erase
US4371883A (en) * 1980-03-14 1983-02-01 The Johns Hopkins University Current controlled bistable electrical organic thin film switching device
JPS5864068A (ja) 1981-10-14 1983-04-16 Agency Of Ind Science & Technol 不揮発性半導体メモリの書き込み方法
US4677742A (en) 1983-01-18 1987-07-07 Energy Conversion Devices, Inc. Electronic matrix arrays and method for making the same
US4663270A (en) * 1984-04-25 1987-05-05 The Johns Hopkins University Multistate optical switching and memory using an amphoteric organic charge transfer material
GB2160049B (en) 1984-05-28 1987-06-03 Suwa Seikosha Kk A non-volatile memory circuit
US5034192A (en) * 1984-11-23 1991-07-23 Massachusetts Institute Of Technology Molecule-based microelectronic devices
US4631562A (en) 1985-05-31 1986-12-23 Rca Corporation Zener diode structure
DE3602887A1 (de) 1986-01-31 1987-08-06 Bayer Ag Nichtfluechtiger elektronischer speicher
US4727514A (en) 1986-02-11 1988-02-23 Texas Instruments Incorporated Programmable memory with memory cells programmed by addressing
US4834911A (en) 1986-08-25 1989-05-30 Electro-Organic Company Intrinsically conductive and semiconductive polymers, products formed with such polymers and methods of forming same
EP0268370B1 (en) 1986-10-13 1995-06-28 Canon Kabushiki Kaisha Switching device
FR2618570B1 (fr) * 1987-07-24 1990-10-19 Warszawski Bernard Procede de modulation de la lumiere
JPH01100788A (ja) 1987-10-13 1989-04-19 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
JPH01103137A (ja) * 1987-10-15 1989-04-20 Mitsubishi Electric Corp 電動機
US4839700A (en) 1987-12-16 1989-06-13 California Institute Of Technology Solid-state non-volatile electronically programmable reversible variable resistance device
US5440518A (en) 1991-06-12 1995-08-08 Hazani; Emanuel Non-volatile memory circuits, architecture and methods
US5136212A (en) 1988-02-18 1992-08-04 Canon Kabushiki Kaisha Electron emitting device, electron generator employing said electron emitting device, and method for driving said generator
JP3153537B2 (ja) * 1988-03-29 2001-04-09 株式会社東芝 有機薄模素子
JPH0260166A (ja) * 1988-08-26 1990-02-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> フルバレン類薄膜を用いたメモリー素子
US5196912A (en) 1988-10-28 1993-03-23 Casio Computer Co., Ltd. Thin film transistor having memory function and method for using thin film transistor as memory element
US5892244A (en) * 1989-01-10 1999-04-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Field effect transistor including πconjugate polymer and liquid crystal display including the field effect transistor
JP2636035B2 (ja) 1989-02-27 1997-07-30 松下電器産業株式会社 強誘電性液晶組成物および強誘電性液晶表示装置
EP0418504B1 (en) 1989-07-25 1995-04-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Organic semiconductor memory device having a MISFET structure and its control method
JPH03104281A (ja) * 1989-09-19 1991-05-01 Toshiba Corp 有機薄膜素子
JP3169618B2 (ja) * 1989-12-27 2001-05-28 日本石油化学株式会社 電気素子
US5206525A (en) 1989-12-27 1993-04-27 Nippon Petrochemicals Co., Ltd. Electric element capable of controlling the electric conductivity of π-conjugated macromolecular materials
US5272101A (en) 1990-04-12 1993-12-21 Actel Corporation Electrically programmable antifuse and fabrication processes
US5552627A (en) 1990-04-12 1996-09-03 Actel Corporation Electrically programmable antifuse incorporating dielectric and amorphous silicon interlayers
US5130380A (en) 1990-05-29 1992-07-14 Carew Evan B Conductive polymers
JPH0770731B2 (ja) 1990-11-22 1995-07-31 松下電器産業株式会社 電気可塑性素子
US5245543A (en) 1990-12-21 1993-09-14 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for integrated circuit design
US5296716A (en) 1991-01-18 1994-03-22 Energy Conversion Devices, Inc. Electrically erasable, directly overwritable, multibit single cell memory elements and arrays fabricated therefrom
FR2672158B1 (fr) 1991-01-24 1993-04-09 Commissariat Energie Atomique Capteur pour la detection d'especes chimiques ou de photons utilisant un transistor a effet de champ.
JP3224829B2 (ja) 1991-08-15 2001-11-05 株式会社東芝 有機電界効果型素子
GB9117680D0 (en) 1991-08-16 1991-10-02 Philips Electronic Associated Electronic matrix array devices
DE69232814T2 (de) 1991-08-19 2003-08-07 Energy Conversion Devices Inc Elektronisch löschbare, direkt überschreibbare multibit-einzelzellen-speicherelemente und aus diesen hergestellte anordnungen
US5563081A (en) 1992-03-23 1996-10-08 Rohm Co., Inc. Method for making a nonvolatile memory device utilizing a field effect transistor having a ferroelectric gate film
US5475341A (en) * 1992-06-01 1995-12-12 Yale University Sub-nanoscale electronic systems and devices
US6320200B1 (en) * 1992-06-01 2001-11-20 Yale University Sub-nanoscale electronic devices and processes
JP2822791B2 (ja) 1992-06-30 1998-11-11 日本電気株式会社 半導体装置
JPH0628841A (ja) * 1992-07-08 1994-02-04 Makoto Yano 化学反応を利用した記憶素子
RU2071126C1 (ru) 1992-08-27 1996-12-27 Кригер Юрий Генрихович Запоминающий элемент
US5581111A (en) 1993-07-07 1996-12-03 Actel Corporation Dielectric-polysilicon-dielectric antifuse for field programmable logic applications
US5818749A (en) 1993-08-20 1998-10-06 Micron Technology, Inc. Integrated circuit memory device
JPH07106440A (ja) 1993-10-04 1995-04-21 Hitachi Ltd 不揮発性半導体記憶装置及びそれを用いた応用システム
JP3467858B2 (ja) 1993-11-02 2003-11-17 ソニー株式会社 光電変換素子
JP2692591B2 (ja) * 1994-06-30 1997-12-17 株式会社日立製作所 光メモリ素子及びそれを用いた光回路
JP4278721B2 (ja) 1994-09-30 2009-06-17 テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド 高い逆降伏電圧を有するツェナーダイオード
JPH08222648A (ja) 1995-02-14 1996-08-30 Canon Inc 記憶装置
US5572472A (en) 1995-04-14 1996-11-05 Delco Electronics Corporation Integrated zener-zap nonvolatile memory cell with programming and pretest capability
NO952545D0 (no) 1995-06-23 1995-06-23 Opticon As Fremgangsmåte til skriving av data i et optisk minne
US5691935A (en) 1995-07-13 1997-11-25 Douglass; Barry G. Memory element and method of operation thereof
US5849403A (en) * 1995-09-13 1998-12-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Organic thin film device
DE69515876T2 (de) 1995-11-06 2000-08-17 St Microelectronics Srl Leistungsbauelement in MOS-Technologie mit niedrigem Ausgangswiderstand und geringer Kapazität und dessen Herstellungsverfahren
WO1997030445A1 (en) * 1996-02-16 1997-08-21 Philips Electronics N.V. Write-once read-many electrical memory element of a conjugated polymer or oligomer
JPH09232526A (ja) * 1996-02-27 1997-09-05 Mitsubishi Chem Corp 光情報処理素子
US5841180A (en) * 1996-03-27 1998-11-24 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion device, method of driving photoelectric conversion device, and system having the device
US5761115A (en) 1996-05-30 1998-06-02 Axon Technologies Corporation Programmable metallization cell structure and method of making same
US5734605A (en) 1996-09-10 1998-03-31 Motorola, Inc. Multi-layer magnetic tunneling junction memory cells
DE19640239A1 (de) 1996-09-30 1998-04-02 Siemens Ag Speicherzelle mit Polymerkondensator
US5761116A (en) * 1996-10-07 1998-06-02 Advanced Micro Devices, Inc. Vpp only scalable EEPROM memory cell having transistors with thin tunnel gate oxide
JP3349638B2 (ja) 1996-11-15 2002-11-25 シャープ株式会社 表示装置を駆動する方法および回路
US6461916B1 (en) 1997-03-28 2002-10-08 Hitachi, Ltd. Non-volatile semiconductor memory and method of making same, and semiconductor device and method of making the device
US5942775A (en) * 1997-04-30 1999-08-24 Lucent Technologies Inc. Photosensing device with improved spectral response and low thermal leakage
IL121312A (en) 1997-07-14 2001-09-13 Technion Res & Dev Foundation Microelectronic components, their manufacture and electronic networks containing them
NO304956B1 (no) 1997-07-22 1999-03-08 Opticom As Elektrodeanordning uten og med et funksjonselement, samt en elektrodeinnretning dannet av elektrodeanordninger med funksjonselement og anvendelser derav
NO973993L (no) 1997-09-01 1999-03-02 Opticom As Leseminne og leseminneinnretninger
SG77608A1 (en) 1997-10-03 2001-01-16 Inst Data Storage Improvements relating to optical memories using electron trapping material
CA2306384A1 (en) 1997-10-14 1999-04-22 Patterning Technologies Limited Method of forming an electronic device
JP3636579B2 (ja) * 1997-11-04 2005-04-06 キヤノン株式会社 光電変換装置、光電変換装置の駆動方法及びその光電変換装置を有するシステム
US6169686B1 (en) * 1997-11-20 2001-01-02 Hewlett-Packard Company Solid-state memory with magnetic storage cells
EP1235227B1 (en) 1997-12-04 2004-08-25 Axon Technologies Corporation Programmable sub-surface aggregating metallization structure
NO306529B1 (no) 1998-01-16 1999-11-15 Opticom As Transistor
JPH11214640A (ja) * 1998-01-28 1999-08-06 Hitachi Ltd 半導体記憶素子、半導体記憶装置とその制御方法
EP1051745B1 (en) * 1998-01-28 2007-11-07 Thin Film Electronics ASA A method for generating electrical conducting or semiconducting structures in two or three dimensions, a method for erasing the same structures and an electric field generator/modulator for use with the method for generating
US6064589A (en) 1998-02-02 2000-05-16 Walker; Darryl G. Double gate DRAM memory cell
JPH11312393A (ja) 1998-02-19 1999-11-09 Sanyo Electric Co Ltd 半導体メモリ装置の書き込み回路
US6069820A (en) * 1998-02-20 2000-05-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Spin dependent conduction device
US6348700B1 (en) * 1998-10-27 2002-02-19 The Mitre Corporation Monomolecular rectifying wire and logic based thereupon
GB2343308B (en) 1998-10-30 2000-10-11 Nikolai Franz Gregor Schwabe Magnetic storage device
JP2000164361A (ja) * 1998-11-25 2000-06-16 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
US6487106B1 (en) 1999-01-12 2002-11-26 Arizona Board Of Regents Programmable microelectronic devices and method of forming and programming same
US6232626B1 (en) * 1999-02-01 2001-05-15 Micron Technology, Inc. Trench photosensor for a CMOS imager
EP1159743B1 (en) 1999-02-11 2007-05-02 Arizona Board of Regents Programmable microelectronic devices and methods of forming and programming same
US6815744B1 (en) 1999-02-17 2004-11-09 International Business Machines Corporation Microelectronic device for storing information with switchable ohmic resistance
JP2000268969A (ja) * 1999-03-17 2000-09-29 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
JP2000268973A (ja) * 1999-03-17 2000-09-29 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
US6128214A (en) 1999-03-29 2000-10-03 Hewlett-Packard Molecular wire crossbar memory
US6459095B1 (en) 1999-03-29 2002-10-01 Hewlett-Packard Company Chemically synthesized and assembled electronics devices
US6314019B1 (en) * 1999-03-29 2001-11-06 Hewlett-Packard Company Molecular-wire crossbar interconnect (MWCI) for signal routing and communications
FR2792761B1 (fr) 1999-04-21 2003-05-23 St Microelectronics Sa Dispositif de programmation d'une memoire non volatile electriquement programmable
US6381169B1 (en) * 1999-07-01 2002-04-30 The Regents Of The University Of California High density non-volatile memory device
US6324091B1 (en) * 2000-01-14 2001-11-27 The Regents Of The University Of California Tightly coupled porphyrin macrocycles for molecular memory storage
US6208553B1 (en) * 1999-07-01 2001-03-27 The Regents Of The University Of California High density non-volatile memory device incorporating thiol-derivatized porphyrins
JP4491870B2 (ja) 1999-10-27 2010-06-30 ソニー株式会社 不揮発性メモリの駆動方法
US6384427B1 (en) 1999-10-29 2002-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
DE19959904C2 (de) 1999-12-11 2002-03-14 Edward William Schlag Verfahren und Vorrichtung zum Steuern eines elektrischen Stromes durch Biomoleküle
US6272038B1 (en) * 2000-01-14 2001-08-07 North Carolina State University High-density non-volatile memory devices incorporating thiol-derivatized porphyrin trimers
US6212093B1 (en) * 2000-01-14 2001-04-03 North Carolina State University High-density non-volatile memory devices incorporating sandwich coordination compounds
NO315728B1 (no) 2000-03-22 2003-10-13 Thin Film Electronics Asa Multidimensjonal adresseringsarkitektur for elektroniske innretninger
US6449184B2 (en) 2000-06-19 2002-09-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for driving semiconductor memory
US6403397B1 (en) 2000-06-28 2002-06-11 Agere Systems Guardian Corp. Process for fabricating organic semiconductor device involving selective patterning
US6611037B1 (en) * 2000-08-28 2003-08-26 Micron Technology, Inc. Multi-trench region for accumulation of photo-generated charge in a CMOS imager
US20050101063A1 (en) 2000-10-24 2005-05-12 Tour James M. Three-terminal field-controlled molecular devices
AU2001265068A1 (en) * 2000-10-31 2002-05-15 The Regents Of The University Of California Organic bistable device and organic memory cells
NO20005980L (no) 2000-11-27 2002-05-28 Thin Film Electronics Ab Ferroelektrisk minnekrets og fremgangsmåte ved dens fremstilling
JP4667594B2 (ja) 2000-12-25 2011-04-13 ルネサスエレクトロニクス株式会社 薄膜磁性体記憶装置
US6407953B1 (en) 2001-02-02 2002-06-18 Matrix Semiconductor, Inc. Memory array organization and related test method particularly well suited for integrated circuits having write-once memory arrays
US6618295B2 (en) 2001-03-21 2003-09-09 Matrix Semiconductor, Inc. Method and apparatus for biasing selected and unselected array lines when writing a memory array
US6855977B2 (en) 2001-05-07 2005-02-15 Advanced Micro Devices, Inc. Memory device with a self-assembled polymer film and method of making the same
US6873540B2 (en) 2001-05-07 2005-03-29 Advanced Micro Devices, Inc. Molecular memory cell
US6781868B2 (en) * 2001-05-07 2004-08-24 Advanced Micro Devices, Inc. Molecular memory device
JP4731794B2 (ja) 2001-05-07 2011-07-27 アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド メモリ効果を有するスイッチ素子及び該素子をスイッチングさせる方法
US6844608B2 (en) 2001-05-07 2005-01-18 Advanced Micro Devices, Inc. Reversible field-programmable electric interconnects
CN1276518C (zh) * 2001-05-07 2006-09-20 先进微装置公司 使用复合分子材料的浮置栅极存储装置
CN1507669A (zh) * 2001-05-10 2004-06-23 �����֯��ʽ���� 非水电解液,用于聚合物凝胶电解质的组合物,聚合物凝胶电解质,二次电池,和双层电容器
US6806526B2 (en) * 2001-08-13 2004-10-19 Advanced Micro Devices, Inc. Memory device
US6838720B2 (en) * 2001-08-13 2005-01-04 Advanced Micro Devices, Inc. Memory device with active passive layers
US6768157B2 (en) * 2001-08-13 2004-07-27 Advanced Micro Devices, Inc. Memory device
EP1434232B1 (en) 2001-08-13 2007-09-19 Advanced Micro Devices, Inc. Memory cell
US6858481B2 (en) * 2001-08-13 2005-02-22 Advanced Micro Devices, Inc. Memory device with active and passive layers
US6462365B1 (en) * 2001-11-06 2002-10-08 Omnivision Technologies, Inc. Active pixel having reduced dark current in a CMOS image sensor
US6885573B2 (en) * 2002-03-15 2005-04-26 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Diode for use in MRAM devices and method of manufacture
US6900488B1 (en) * 2002-10-31 2005-05-31 Advanced Micro Devices, Inc. Multi-cell organic memory element and methods of operating and fabricating
US6870183B2 (en) * 2002-11-04 2005-03-22 Advanced Micro Devices, Inc. Stacked organic memory devices and methods of operating and fabricating
US6873543B2 (en) * 2003-05-30 2005-03-29 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Memory device
US6839275B2 (en) * 2003-06-04 2005-01-04 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Memory system having control circuit configured to receive data, provide encoded received data to match a fault pattern in the array of memory cells
CA2500938A1 (en) * 2004-03-24 2005-09-24 Rohm And Haas Company Memory devices based on electric field programmable films

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4652894A (en) * 1980-03-14 1987-03-24 The Johns Hopkins University Electrical organic thin film switching device switching between detectably different oxidation states
US5579199A (en) * 1992-11-26 1996-11-26 Sharp Kabushiki Kaisha Non-volatile memory device and a method for producing the same
US6055180A (en) * 1997-06-17 2000-04-25 Thin Film Electronics Asa Electrically addressable passive device, method for electrical addressing of the same and uses of the device and the method
RU99101838A (ru) * 1998-01-28 2000-12-27 Хитачи, Лтд Полупроводниковое запоминающее устройство

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1434232A4 *

Cited By (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6781868B2 (en) 2001-05-07 2004-08-24 Advanced Micro Devices, Inc. Molecular memory device
US6809955B2 (en) 2001-05-07 2004-10-26 Advanced Micro Devices, Inc. Addressable and electrically reversible memory switch
US6992323B2 (en) 2001-08-13 2006-01-31 Advanced Micro Devices, Inc. Memory cell
US6806526B2 (en) 2001-08-13 2004-10-19 Advanced Micro Devices, Inc. Memory device
US6815286B2 (en) 2001-08-13 2004-11-09 Advanced Micro Devices, Inc. Memory device
US7254053B2 (en) 2001-08-13 2007-08-07 Advanced Micro Devices, Inc. Active programming and operation of a memory device
US6864522B2 (en) 2001-08-13 2005-03-08 Advanced Micro Devices, Inc. Memory device
US7026702B2 (en) 2001-08-13 2006-04-11 Advanced Micro Devices, Inc. Memory device
US6768157B2 (en) 2001-08-13 2004-07-27 Advanced Micro Devices, Inc. Memory device
US6995649B2 (en) * 2002-03-12 2006-02-07 Knowmtech, Llc Variable resistor apparatus formed utilizing nanotechnology
US7412428B2 (en) 2002-03-12 2008-08-12 Knowmtech, Llc. Application of hebbian and anti-hebbian learning to nanotechnology-based physical neural networks
US9269043B2 (en) 2002-03-12 2016-02-23 Knowm Tech, Llc Memristive neural processor utilizing anti-hebbian and hebbian technology
US7039619B2 (en) 2002-03-12 2006-05-02 Knowm Tech, Llc Utilized nanotechnology apparatus using a neutral network, a solution and a connection gap
US7107252B2 (en) 2002-03-12 2006-09-12 Knowm Tech, Llc Pattern recognition utilizing a nanotechnology-based neural network
US7398259B2 (en) 2002-03-12 2008-07-08 Knowmtech, Llc Training of a physical neural network
US7392230B2 (en) 2002-03-12 2008-06-24 Knowmtech, Llc Physical neural network liquid state machine utilizing nanotechnology
US7752151B2 (en) 2002-06-05 2010-07-06 Knowmtech, Llc Multilayer training in a physical neural network formed utilizing nanotechnology
US7827131B2 (en) 2002-08-22 2010-11-02 Knowm Tech, Llc High density synapse chip using nanoparticles
WO2005015635A2 (en) * 2003-03-10 2005-02-17 Advanced Micro Devices, Inc. Spin on polymers for organic memory devices
WO2005015635A3 (en) * 2003-03-10 2005-06-09 Advanced Micro Devices Inc Spin on polymers for organic memory devices
GB2415092B (en) * 2003-03-10 2006-10-18 Advanced Micro Devices Inc Spin on polymers for organic memory devices
GB2415092A (en) * 2003-03-10 2005-12-14 Advanced Micro Devices Inc Spin on polymers for organic memory devices
US8156057B2 (en) 2003-03-27 2012-04-10 Knowm Tech, Llc Adaptive neural network utilizing nanotechnology-based components
JP2006526898A (ja) * 2003-06-02 2006-11-24 アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド 平面ポリマーメモリデバイス
JP2007527609A (ja) * 2003-07-07 2007-09-27 アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド ビア開口部中に形成されるポリマーメモリデバイス
JP4861172B2 (ja) * 2003-07-07 2012-01-25 スパンション エルエルシー ビア開口部中にポリマーメモリデバイスを製造する方法および装置
CN1820325B (zh) * 2003-07-07 2011-06-08 斯班逊有限公司 在通孔中制造聚合物存储器件的方法和系统
JP2007519220A (ja) * 2003-07-09 2007-07-12 アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド メモリデバイス及びこのデバイスの使用方法ないし製造方法
US7426501B2 (en) 2003-07-18 2008-09-16 Knowntech, Llc Nanotechnology neural network methods and systems
JP2010157769A (ja) * 2003-10-01 2010-07-15 Spansion Llc 有機メモリデバイスを処理する方法
JP2007511070A (ja) * 2003-11-03 2007-04-26 アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド 高密度高分子メモリ素子アレイにおけるサイドウォール形成方法
JP2005150156A (ja) * 2003-11-11 2005-06-09 Toshiba Corp 磁気記憶装置
KR100687187B1 (ko) * 2004-03-24 2007-02-27 롬 앤드 하스 캄파니 전계 프로그램 가능 필름에 기초한 메모리 장치
JP2007531308A (ja) * 2004-04-02 2007-11-01 アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド メモリエレメント配列を相互に接続するポリマー誘電体
JP2012049552A (ja) * 2004-04-02 2012-03-08 Spansion Llc 半導体デバイス
JP2008510318A (ja) * 2004-08-17 2008-04-03 スパンジョン・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 可変データ保持時間を有するポリマーメモリ
GB2432245B (en) * 2004-08-17 2008-03-19 Spansion Llc Polymer memory device with adjustable programming threshold
US7289353B2 (en) 2004-08-17 2007-10-30 Spansion, Llc Systems and methods for adjusting programming thresholds of polymer memory cells
GB2432245A (en) * 2004-08-17 2007-05-16 Spansion Llc Systems and methods for adjusting programming thresholds of polymer memory cells
WO2006023337A1 (en) * 2004-08-17 2006-03-02 Spansion Llc Systems and methods for adjusting programming thresholds of polymer memory cells
US7502769B2 (en) 2005-01-31 2009-03-10 Knowmtech, Llc Fractal memory and computational methods and systems based on nanotechnology
US7827130B2 (en) 2005-01-31 2010-11-02 Knowm Tech, Llc Fractal memory and computational methods and systems based on nanotechnology
US7930257B2 (en) 2007-01-05 2011-04-19 Knowm Tech, Llc Hierarchical temporal memory utilizing nanotechnology
US8041653B2 (en) 2007-01-05 2011-10-18 Knowm Tech, Llc Method and system for a hierarchical temporal memory utilizing a router hierarchy and hebbian and anti-hebbian learning
US8311958B2 (en) 2007-01-05 2012-11-13 Knowm Tech, Llc Hierarchical temporal memory methods and systems

Also Published As

Publication number Publication date
US20040160801A1 (en) 2004-08-19
JP2005500682A (ja) 2005-01-06
KR20040035734A (ko) 2004-04-29
CN100419906C (zh) 2008-09-17
US7026702B2 (en) 2006-04-11
US6815286B2 (en) 2004-11-09
US20030179633A1 (en) 2003-09-25
US20040159835A1 (en) 2004-08-19
DE60130586D1 (de) 2007-10-31
US6864522B2 (en) 2005-03-08
BR0117103A (pt) 2004-08-10
US20040246768A1 (en) 2004-12-09
US6992323B2 (en) 2006-01-31
US20030053350A1 (en) 2003-03-20
US7254053B2 (en) 2007-08-07
CN1543652A (zh) 2004-11-03
EP1434232A1 (en) 2004-06-30
EP1434232A4 (en) 2005-09-07
KR100860134B1 (ko) 2008-09-25
DE60130586T2 (de) 2008-06-19
EP1434232B1 (en) 2007-09-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2003017282A1 (fr) Cellule de memoire
US6858481B2 (en) Memory device with active and passive layers
US6838720B2 (en) Memory device with active passive layers
Kumar et al. Metal oxide resistive switching memory: materials, properties and switching mechanisms
CN108806746B (zh) 混合式交叉点存储器装置及其操作方法
EP0990235B1 (en) Electrically addressable passive device, method for electrical addressing of the same and uses of the device and the method
US20080273370A1 (en) Integrated Circuit, Method of Operating an Integrated Circuit, Memory Cell Array, and Memory Module
KR101773731B1 (ko) 멀티-비트 강유전체 메모리 디바이스 및 멀티-비트 강유전체 메모리 디바이스를 형성하는 방법
KR101067582B1 (ko) 메모리 소자의 다중 상태 구동 방법
US20110084248A1 (en) Cross point memory array devices
RU2000100933A (ru) Электрически адресуемое устройство, способ электрической адресации и использование этого устройства и этого способа
US20120075916A1 (en) Nonvolatile semiconductor memory device
JP3895640B2 (ja) クロスポイントダイオードメモリアレイのアドレス指定及びセンシング
WO2004055828A2 (en) Memory and access devices
KR20060052373A (ko) 기억소자 및 그 구동방법
US11950520B2 (en) Optically switchable memory
US20100001252A1 (en) Resistance Changing Memory Cell
JP2023552880A (ja) 不揮発性メムリスティブデバイスの加速書き込みのための混合導電型揮発性メモリ素子
US20080079047A1 (en) Memory device and method of reading/writing data from/into a memory device
CN110827896A (zh) 用于操作基于隔离的存储器的方法和设备
WO2013116273A1 (en) Graphene-graphene oxide resistive random access memory
RU2256957C2 (ru) Ячейка памяти
TWI786125B (zh) 用於記憶體裝置操作的方法、系統、及裝置
KR20200073027A (ko) 새로운 2단자 구조의 시냅스 소자

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10238880

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10304863

Country of ref document: US

AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BY CH CN CU CZ DE DK EE ES FI GB GE IL IS JP KE KG KP KR KZ LC LK LR LT LU LV MD MG MK MN MW MX NZ PL PT RO RU SD SE SG SI SK TJ TR TT UA UG US UZ

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BY CA CH CN CU CZ DE DK EE ES FI GB GE HU IL IS JP KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MD MG MK MN MW MX NO NZ PL PT RO RU SD SE SG SI SK TJ TM TR TT UA UG US UZ VN

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): GH GM KE LS MW MZ SD SL SZ UG ZW AM AZ BY KG KZ MD TJ TM AT BE CH CY DE DK ES FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW MR NE SN TD TG

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): GH GM KE LS MW MZ SD SL SZ TZ UG ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10413841

Country of ref document: US

Ref document number: 10413829

Country of ref document: US

Ref document number: 10413818

Country of ref document: US

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10776870

Country of ref document: US

Ref document number: 10486864

Country of ref document: US

Ref document number: 10776850

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2001274446

Country of ref document: EP

Ref document number: 20018235379

Country of ref document: CN

Ref document number: 2003522101

Country of ref document: JP

Ref document number: 1020047002228

Country of ref document: KR

REG Reference to national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: 8642

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2001274446

Country of ref document: EP

WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 2001274446

Country of ref document: EP