WO2003048430A1 - Device and method for producing, removing or treating layers on a substrate - Google Patents

Device and method for producing, removing or treating layers on a substrate Download PDF

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WO2003048430A1
WO2003048430A1 PCT/DE2002/004347 DE0204347W WO03048430A1 WO 2003048430 A1 WO2003048430 A1 WO 2003048430A1 DE 0204347 W DE0204347 W DE 0204347W WO 03048430 A1 WO03048430 A1 WO 03048430A1
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fluid
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fluid inlet
reaction
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Bernd Wechselberger
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles

Definitions

  • the present invention relates to a device and a method for producing, removing or treating at least one layer on one or more substrates, according to the preamble of patent claim 1 or according to the preamble of patent claim 13.
  • CVD Chemical Vapor Deposition
  • reaction fluids is understood to mean gases, liquids, solutions or mixtures which are suitable for the particular process, in particular for CVD processes.
  • the reaction fluids are usually introduced into the reactor housing by pouring the chemical substances into a so-called gas spooler and then passing a carrier gas through the gas spooler.
  • the carrier gas picks up the molecules of the chemical substances to form the reaction fluid, which is then fed into the reactor housing using a flow meter.
  • the conditions under which the reaction fluids are introduced into the reactor housing have decisive effects on the respective process result in the reactor, for example on the layers epitaxially grown on the substrate.
  • These conditions which can be varied to optimize layer growth, for example, include the material viscosity, the density, the Vapor pressure, the flow path of the reaction fluids, the chemical reactivity, the temperature of the substrates and the reaction fluids and the like.
  • the substrates are usually arranged on a susceptor or on a substrate holder of a susceptor, which is rotatably mounted in the reactor housing in order to ensure a uniform rotation by rapid rotation of the susceptor and thus of the substrates To achieve layer growth.
  • the thickness, the composition and the quality of the deposited layers determine the properties of the semiconductor components ultimately produced.
  • the CVD process must be able to produce layers with a uniform composition and layer thickness on the surfaces of the substrates. With the use of ever larger substrates and the use of devices with which several substrates can be processed at the same time, the requirements for this uniformity become ever greater.
  • DE 37 21 636 AI describes a reactor for MOCVD systems which has a reaction vessel in the form of a quartz glass.
  • the gas inlet takes place at the end into the reaction vessel, in which the reaction gases are directed essentially parallel to the longitudinal axis of the quartz glass and are finally deflected in order to emerge through the outer surface of the reaction vessel.
  • the substrates are arranged in the reaction vessel in such a way that they are to be coated Surface lies approximately parallel to the direction of flow of the reaction gases in the reaction vessel.
  • the flow channel has an actively cooled inlet at one end and a multi-stage outlet at its other end.
  • a substrate holder on which a plurality of substrates can be held in rotation, the surfaces of the substrates to be coated lying approximately parallel to the direction of flow of the reaction gases.
  • the flow channel is heated on all sides by means of a plurality of rotating coils, for example, in order to achieve the most homogeneous possible temperature distribution in the flow channel and thus the most homogeneous layer growth on the substrates.
  • DE 43 30 266 AI discloses another CVD reactor.
  • the substrates are held on a susceptor with a heating stage in such a way that their surfaces to be coated point downward.
  • a gas supply head is provided at a short distance from the susceptor, through which reaction gases can be directed towards the susceptor.
  • the exhaust gas outlet is provided along the entire circumference of the susceptor, so that the reaction gases hit the surfaces of the substrates approximately vertically from below and are then sucked off radially outwards.
  • DE 198 13 523 AI shows a CVD reactor, in which so-called showerheads in the reactor cover are used as the central fluid inlet, which are arranged directly above the substrates and from a large number of small holes, the reaction gases in the form of a shower vertically down on the Spray substrates.
  • the exhaust gas outlet is provided on the circumference of the usually cylindrical reactor housing.
  • a heating device is provided for the susceptor in order to heat it up to temperatures of up to 1200 ° C., and the fluid inlet is tempered in such a way that between the susceptor zeptor and the fluid inlet a certain temperature gradient is adjustable.
  • WO 01/07691 describes a CVD reactor which also uses a fluid inlet in the form of showerheads and an exhaust gas outlet on the circumference of the susceptor.
  • the substrate carrier is porous and the spindle rotatably supporting the substrate carrier is hollow, so that the substrates are held on the substrate carrier by negative pressure.
  • a device in particular for growing layers on a substrate, which comprises a reactor housing, a susceptor arranged in the reactor housing for receiving one or more substrates, a fluid inlet device for admitting reaction fluids into the reactor housing and a fluid outlet device for removal the reaction fluids from the reactor housing after it has been passed over the surface of the substrate or substrates to be coated.
  • the fluid inlet device has fluid outlet openings which are arranged along the circumference of the susceptor, and the fluid outlet device has at least one fluid inlet opening which is arranged in the vicinity of the susceptor, particularly preferably centrally to the susceptor, so that the fluid outlet openings of the fluid Inlet device introduced reaction fluids flow radially from the outside inwards over the surface of the substrate or substrates to be coated and are sucked off through the fluid inlet opening of the fluid outlet device. It is essential here that the fluid outlet openings are arranged between the end face of the susceptor and the center of the susceptor in such a way that the substrate or substrates are completely overflowed.
  • reaction fluids in the device according to the invention flow radially from the outside inwards through the reactor housing and along the surfaces of the substrates to be coated, removed or treated.
  • the direction of flow thus runs from the side wall of the reactor housing to the center thereof.
  • reaction fluids flow from the outside to the inside through the reactor housing, lower inlet speeds can be achieved, which is due to the manifoldly variable inlet area of the reaction fluids is conditioned. Due to the lower entry speeds of the reaction fluids, the reaction fluids are preferably heated over considerably shorter distances, so that the reaction fluids disintegrate faster in the reactor housing and contribute to the deposition onto the surfaces of the substrates. This can reduce the consumption of reaction fluids compared to conventional systems. On the other hand, the more effective heating of the reaction fluids in the reactor housing can also result in reduced reactor temperatures due to the lower entry speeds.
  • fluid inlet device arranged along the circumference of the susceptor, for example in the side wall of the reactor housing, is that simpler designs of the reactor housing can be realized. For example, no feed lines for reaction fluids have to be provided in the reactor cover.
  • the exhaust gas line can also advantageously be carried out separately from the reactor cover. This has considerable advantages when opening the reactor housing, since no or at least significantly fewer gas lines would have to be separated.
  • the susceptor with the received substrates is preferably rotatable about its central axis, and the substrates are also rotatably received in the susceptor, so that an even more uniform coating can be achieved in a known manner by such a planetary arrangement of the substrates and their corresponding rotation.
  • the fluid inlet device is an annular channel arrangement with inwardly directed fluid outlet openings, which is connected to one or more fluid supply lines.
  • the fluid inlet device itself can have a plurality of chambers and can be connected to corresponding fluid supply lines for supplying various reaction fluids.
  • the fluid inlet device can advantageously be coupled to a temperature control device, and to adjust the temperature of the susceptor and thus the substrate, the susceptor can preferably be coupled to a temperature control device.
  • the susceptor is designed in such a way that both the top and the bottom of the received substrates are presented to the reaction fluids.
  • a corresponding arrangement of the fluid inlet device and the fluid outlet device can then coat both surfaces of the substrates at the same time.
  • the susceptor is designed with an upper side and a lower side in such a way that on its upper side a first group of one or more substrates and on its underside a second group of one or more
  • the substrates are arranged in the susceptor, for example clamped in openings in the susceptor, in such a way that they can be coated or treated on both sides, that is to say on the top and on the bottom.
  • a further advantageous embodiment of the device has two susceptors, each of which can accommodate at least one substrate and which are arranged at a distance from one another in the reactor.
  • the surfaces of the substrates to be coated or treated are to the space between the two facing the susceptors and the reaction fluid or the reaction fluids are introduced circumferentially into the space between the two susceptors and flow radially inwards, where they are sucked off through the fluid inlet openings of the fluid outlet device.
  • Figure 1 in a highly schematic perspective view, a first embodiment of a device according to the invention
  • Figure 2 is a schematic perspective view for explaining a second embodiment
  • Figure 3 is a schematic sectional view for explaining a third embodiment.
  • Figure 4 is a schematic sectional view of a fourth embodiment of the invention.
  • the exemplary embodiments described are devices for the epitaxial growth of semiconductor layers on substrates.
  • Removal or treatment of substrates or of layers on substrates are structured analogously.
  • the reactor shown in FIG. 1 for the epitaxial growth of semiconductor layers on one or more wafers by means of the CVD method has an essentially cylindrical reactor housing 10 with side walls, a possibly removable bottom and a removable cover (not shown).
  • a susceptor 12 Arranged in the interior of the reactor housing 10 is a susceptor 12, which is essentially in the form of a disk and is rotatably mounted about its central axis 16. On the susceptor 12, one or more areas for receiving substrates, here for example wafers 14, are provided. The surfaces of the wafers 14 to be coated are exposed. Optionally, the wafers 14 themselves are also rotatably received in the susceptor 12. With such a planetary rotation, the rotational speeds are, for example, approximately
  • the fluid inlet device 18 is provided along the side wall 10 of the reactor housing 10 and is designed in the form of an annular channel arrangement approximately at the height of the susceptor 12.
  • This annular channel 18 on the one hand has a plurality of preferably inward fluid outlet openings (this is indicated by the inward arrows 22), which face the susceptor 12, and on the other hand is connected to one or more fluid supply lines (not shown) by which optionally select one or more reaction fluids to the fluid inlet device 18 and into the interior of the reactor housing 10 can be directed.
  • a fluid flow meter (not shown) is provided in a manner known per se.
  • fluid inlet device 18 is provided, for example, with a plurality of separate chambers and fluid supply lines connected to them, different reaction fluids can preferably be introduced into the reactor housing 10 at the same time, preferably via separate fluid outlet openings.
  • the temperature of the reaction fluids flowing into the interior of the reactor housing 10 can be regulated by simple construction measures.
  • the fluid inlet device 18 is coupled to suitable temperature control devices (not shown) for cooling or heating the supplied reaction fluids.
  • the reaction fluids can also be supplied to the fluid inlet device 18 at an appropriately tempered temperature, as a result of which premature decomposition of the reaction fluids can already be prevented within the fluid inlet device 18.
  • a plurality of fluid inlet nozzles can also be guided into the reactor housing 10 and arranged along the circumference of the susceptor 12. Seen together, these fluid inlet nozzles form the fluid inlet device and the nozzle Consequently, orifices take the place of the fluid outlet openings of the ring-like channel arrangement.
  • the fluid outlet device 20a, 20b is provided centrally above and / or below the susceptor 12. It consists, for example, of a fluid channel 20a or 20b which is led upwards and / or downwards from the center of the susceptor 12 and which is led out of the reactor housing 10.
  • the fluid channels 20a, 20b have fluid inlet openings (not shown) which are arranged at a short distance above the top or below the bottom of the susceptor 12. The reaction fluids introduced into the reactor housing 10 through the fluid inlet device 18 are sucked in through these fluid inlet openings and removed from the reactor housing 10.
  • both the fluid outlet openings of the fluid inlet device 18 and the fluid inlet openings of the fluid outlet device 20 are arranged approximately at the height of the susceptor 12 or only a short distance above the upper side or below the lower side of the susceptor 12, the reaction fluids flow radially almost horizontally from the outside inwards over the entire susceptor 12 and thus over the entire surfaces of the wafers 14 to be coated on the susceptor 12. The surfaces of the wafers 14 are thus aligned approximately parallel to the flow path of the reaction fluids.
  • the central arrangement of the fluid outlet device 20 results in an approximately punctiform removal of fluid from the reactor housing 10.
  • the suction effect of such a point-like fluid extraction essentially only has an effect in the immediate vicinity of the fluid outlet device 20, so that the uniform flow path of the reaction fluids is largely unaffected.
  • the fluid can be withdrawn through the fluid channels 20a, 20b by the susceptor 12 itself, which in this case is designed with corresponding fluid passages. In this special embodiment, a further forced control of the reaction fluids is achieved.
  • reaction fluids are sucked off through the fluid channels 20a, 20b at a sufficiently high fluid speed, then hardly any fluid particles can settle in the fluid channels.
  • a susceptor 12 is indicated in FIG. 1, which carries a plurality of wafers 14 on its upper side, the upper sides of which are presented to the reaction fluids for coating.
  • the susceptor 12 can also be constructed in the manner of a template such that the undersides of the wafers 14 are also presented to the reaction fluids, so that both main surfaces of the wafers can be coated.
  • the susceptor 12 in such a way that it accommodates a first group of one or more wafers 14 on its upper side and a second group of one or more wafers 14 on its underside, in each case a main surface of the wafers 14 exposed for coating. This makes it possible to coat a larger number of wafers 14 simultaneously in the reactor housing 10.
  • the fluid outlet channel 20 can, for example, be modified such that it has first fluid inlet openings just above the top of the susceptor and second fluid inlet openings just below has below the susceptor underside through which the reaction fluids are sucked off.
  • two separate fluid outlet channels 20a and 20b can also be formed, through which on the one hand 20a the reaction fluids are sucked off via the top of the susceptor 12 and on the other hand 20b the reaction fluids are sucked off via the bottom of the susceptor 12.
  • a plurality of fluid inlet openings of the fluid outlet device can be arranged above and / or below the susceptor 12, which of course are then not arranged, or at least in part, are not arranged centrally to the susceptor.
  • the exemplary embodiment shown in FIG. 2 differs from that described in connection with FIG. 1 in that, in addition to the fluid outlet openings arranged on the circumference (see arrows 22), there are further fluid outlet openings distributed over and / or under the susceptor 12, via which openings are used during operation one or more fluids can be introduced.
  • These fluids can be reaction fluids or just auxiliary gases which, for example, prevent the deposition of substances on the inside of the reactor.
  • the fluid inlet device can, for example, be designed like a shower head, which both introduces reaction fluids on the circumference and introduces fluids distributed over the susceptor.
  • a combination of "shower head” and circumferentially arranged ring channel, as is shown schematically in FIG. 1, or circumferentially arranged inlet "nozzles" that flow from the side onto the susceptor can be provided.
  • two susceptors 12 are arranged parallel to one another at a distance from one another.
  • the wafers 14 are attached to the susceptors 12 in such a way that the main surfaces of the wafers 14 to be coated face the intermediate space between the two susceptors.
  • the fluid inlet device device 18 directs the reaction fluid or fluids from the side into the space between the two susceptors 12 radially inwards.
  • In the middle of the susceptors 12 there is at least one fluid inlet opening of the fluid outlet device 20a, 20b, via which the reaction fluid or fluids are sucked out of the intermediate space after they have flowed radially from the outside inwards over the wafers 14.
  • This arrangement can be supplemented by one or more susceptors 12, which are then arranged one above the other in the reactor housing 10. Furthermore, of course, it is then necessary to equip the reactor with further fluid inlet openings and fluid outlet openings.
  • the fluid inlet device has a fluid outlet opening arranged centrally on one side of the susceptor 12 and the fluid outlet device on the other side of the susceptor 12 has a fluid inlet opening arranged centrally on the latter.
  • This is shown schematically in section in FIG.
  • the arrangement according to FIG. 4 naturally has a "shower head" according to FIG. 2 and / or with an annular channel arranged on the circumference, as shown schematically in FIG. 1, or inlet "nozzles" arranged on the circumference that flow from the side onto the susceptor can be combined.
  • the fluid inlet device 18 has fluid outlet openings which are arranged in the reactor in such a way that reaction fluids are passed radially from the outside inwards through the reactor housing and along the surfaces of the substrates to be coated, removed or treated.
  • the present invention is not restricted to the exemplary embodiments described above, but rather the scope of protection solely through the claims is defined.
  • the present invention is not limited to specific temperature control devices for the fluid inlet device and for the susceptor. Combinations of the positions of the fluid outlet openings and fluid inlet openings described above in the different exemplary embodiments are of course possible and belong to the present invention, without all possible variants of a combination being explicitly described here.

Abstract

The device for growing layers on a wafer comprises a reactor housing (10), a susceptor (12), which is placed inside the reactor housing and provided for accommodating one or more substrates (14), and comprises a fluid admission device (18) for admitting reaction fluids into the reactor housing as well as a fluid outlet device (20a, 20b) for removing the reaction fluids from the reactor housing once these have been guided over the surface to be coated of the substrate(s). According to the invention, the fluid admission device (18) has fluid outlet openings, which are located along the periphery of the susceptor (12), and the fluid outlet device (20a, 20b) has at least one fluid admission opening, which is located in the middle of the susceptor (12) so that the reaction fluids passed through the fluid outlet openings of the fluid admission device flow radially inward from the periphery of the susceptor (12) over the surface to be coated of the substrate(s) (14) and are removed by suction by the fluid admission opening of the fluid outlet device.

Description

Beschreibungdescription
Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen, Abtragen oder Behandeln von Schichten auf einem SubstratDevice and method for producing, removing or treating layers on a substrate
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen, Abtragen oder Behandeln von mindestens einer Schicht auf einem oder mehreren Substraten, gemäß dem Oberbegriff von Patentanspruch 1 bzw. gemäß dem Oberbe- griff von Patentanspruch 13.The present invention relates to a device and a method for producing, removing or treating at least one layer on one or more substrates, according to the preamble of patent claim 1 or according to the preamble of patent claim 13.
Sie bezieht sich insbesondere auf CVD (Chemical Vapour Deposition) -Vorrichtungen und -Verfahren, bei denen ein Substrat, insbesondere ein Wafer in einem Reaktorgehäuse angeordnet ist und mit dem oder den Reaktionsfluiden aus der Gasphase beschichtet wird.It relates in particular to CVD (Chemical Vapor Deposition) devices and methods in which a substrate, in particular a wafer, is arranged in a reactor housing and is coated with the reaction fluid or gases from the gas phase.
Unter dem Begriff „Reaktionsfluide" werden im Rahmen dieser Erfindung Gase, Flüssigkeiten, Lösungen oder Gemische ver- standen, welche für das jeweilige Verfahren, insbesondere für CVD-Verfahren geeignet sind.In the context of this invention, the term “reaction fluids” is understood to mean gases, liquids, solutions or mixtures which are suitable for the particular process, in particular for CVD processes.
Die Reaktionsfluide werden üblicherweise in das Reaktorgehäuse eingebracht, indem die chemischen Stoffe in einen soge- nannten Gasspuler eingefüllt werden und dann ein Trägergas durch den Gasspuler geleitet wird. Das Trägergas nimmt die Moleküle der chemischen Stoffe auf, um das Reaktionsfluid zu bilden, welches dann unter Verwendung eines Mengendurchsatz- messers in das Reaktorgehäuse geführt wird.The reaction fluids are usually introduced into the reactor housing by pouring the chemical substances into a so-called gas spooler and then passing a carrier gas through the gas spooler. The carrier gas picks up the molecules of the chemical substances to form the reaction fluid, which is then fed into the reactor housing using a flow meter.
Die Bedingungen, unter denen die Reaktionsfluide in das Reaktorgehäuse eingeleitet werden, haben entscheidende Auswirkungen auf das jeweilige Prozessergebnis im Reaktor, beispielsweise auf die auf das Substrat epitaktisch aufgewachsenen Schichten. Zu diesen Bedingungen, welche zum Optimieren beispielsweise des Schichtwachstums variiert werden können, zählen unter anderem die Materialviskosität, die Dichte, der Dampfdruck, der Strömungsweg der Reaktionsfluide, die chemische Reaktionsfähigkeit, die Temperatur der Substrate und der Reaktionsfluide und dergleichen.The conditions under which the reaction fluids are introduced into the reactor housing have decisive effects on the respective process result in the reactor, for example on the layers epitaxially grown on the substrate. These conditions, which can be varied to optimize layer growth, for example, include the material viscosity, the density, the Vapor pressure, the flow path of the reaction fluids, the chemical reactivity, the temperature of the substrates and the reaction fluids and the like.
Beim epitaktischen Abscheiden von Halbleiterschichten auf Substrate werden die Substrate üblicherweise auf einem Sus- zeptor bzw. auf einer Substrat-Haiterung eines Suszeptors angeordnet, welche (r) drehbar in dem Reaktorgehäuse montiert ist, um durch schnelle Rotation des Suszeptors und damit der Substrate ein gleichmäßiges Schichtwachstum zu erzielen. Die Dicke, die Zusammensetzung und die Qualität der abgeschiedenen Schichten bestimmen die Eigenschaften der letztlich hergestellten Halbleiterbauelemente. Demzufolge muss das CVD- Verfahren in der Lage sein, Schichten mit gleichmäßiger Zu- sammensetzung und Schichtdicke auf den Oberflächen der Substrate zu erzeugen. Mit der Verwendung immer größerer Substrate und dem Einsatz von Vorrichtungen, mit denen mehrere Substrate gleichzeitig bearbeitet werden können, werden die Anforderungen an diese Gleichmäßigkeit immer größer.In the epitaxial deposition of semiconductor layers on substrates, the substrates are usually arranged on a susceptor or on a substrate holder of a susceptor, which is rotatably mounted in the reactor housing in order to ensure a uniform rotation by rapid rotation of the susceptor and thus of the substrates To achieve layer growth. The thickness, the composition and the quality of the deposited layers determine the properties of the semiconductor components ultimately produced. As a result, the CVD process must be able to produce layers with a uniform composition and layer thickness on the surfaces of the substrates. With the use of ever larger substrates and the use of devices with which several substrates can be processed at the same time, the requirements for this uniformity become ever greater.
Aus diesem Grund sind aus dem Stand der Technik verschiedene Konstruktionen für Reaktorgehäuse bekannt, die sich insbesondere in den Strömungswegen der Reaktionsfluide, den Einlassvorrichtungen für die Reaktionsfluide, der Anordnung des Sus- zeptors für die Substrate und der Anordnung und dem Aufbau von Einrichtungen zur Einstellung der Temperatur von Substraten und/oder Reaktionsfluiden unterscheiden.For this reason, various designs for reactor housings are known from the prior art, which are particularly evident in the flow paths of the reaction fluids, the inlet devices for the reaction fluids, the arrangement of the susceptor for the substrates and the arrangement and construction of devices for adjusting the Differentiate temperature of substrates and / or reaction fluids.
So ist zum Beispiel in der DE 37 21 636 AI ein Reaktor für MOCVD-Anlagen beschrieben, der ein Reaktionsgefäß in der Form eines Quarzglases aufweist. Der Gaseinlass erfolgt stirnseitig in das Reaktionsgefäß, in dem die Reaktionsgase im wesentlich parallel zur Längsachse des Quarzglases geleitet und schließlich umgelenkt werden, um durch die Mantelfläche des Reaktionsgefäßes auszutreten. Die Substrate sind dabei derart in dem Reaktionsgefäß angeordnet, dass ihre zu beschichtende Oberfläche etwa parallel zu der Strömungsrichtung der Reaktionsgase in dem Reaktionsgefäß liegt .For example, DE 37 21 636 AI describes a reactor for MOCVD systems which has a reaction vessel in the form of a quartz glass. The gas inlet takes place at the end into the reaction vessel, in which the reaction gases are directed essentially parallel to the longitudinal axis of the quartz glass and are finally deflected in order to emerge through the outer surface of the reaction vessel. The substrates are arranged in the reaction vessel in such a way that they are to be coated Surface lies approximately parallel to the direction of flow of the reaction gases in the reaction vessel.
Ein grundsätzlich ähnlicher Aufbau ist aus der DE 199 40 033 AI bekannt. Hier weist der Strömungskanal an einem Ende einen aktiv gekühlten Einlass und an seinem anderen Ende einen mehrstufigen Auslass auf. In dem Strömungskanal befindet sich ein Substrathalter, auf dem mehrere Substrate rotierend gehalten werden können, wobei die zu beschichtenden Oberflächen der Substrate etwa parallel zu der Strömungsrichtung der Reaktionsgase liegen. Der Strömungskanal wird beispielsweise mittels mehrerer umlaufender Spulen allseitig beheizt, um eine möglichst homogene Temperaturverteilung in dem Strömungskanal und somit ein möglichst homogenes Schichtwachstum auf den Substraten zu erzielen.A fundamentally similar structure is known from DE 199 40 033 AI. Here, the flow channel has an actively cooled inlet at one end and a multi-stage outlet at its other end. In the flow channel there is a substrate holder on which a plurality of substrates can be held in rotation, the surfaces of the substrates to be coated lying approximately parallel to the direction of flow of the reaction gases. The flow channel is heated on all sides by means of a plurality of rotating coils, for example, in order to achieve the most homogeneous possible temperature distribution in the flow channel and thus the most homogeneous layer growth on the substrates.
Einen weiteren CVD-Reaktor offenbart die DE 43 30 266 AI. Bei diesem Reaktor werden die Substrate auf einem Suszeptor mit einer Erwärmungsstufe derart gehalten, dass ihre zu beschich- tenden Oberflächen nach unten zeigen. In kurzem Abstand gegenüber dem Suszeptor ist ein Gas ersorgungskopf vorgesehen, durch den Reaktionsgase in Richtung auf den Suszeptor geleitet werden können. Der Abgasauslass ist entlang des gesamten Umfangs des Suszeptors vorgesehen, so dass die Reaktionsgase etwa senkrecht von unten auf die Oberflächen der Substrate treffen und dann radial nach außen abgesaugt werden.DE 43 30 266 AI discloses another CVD reactor. In this reactor, the substrates are held on a susceptor with a heating stage in such a way that their surfaces to be coated point downward. A gas supply head is provided at a short distance from the susceptor, through which reaction gases can be directed towards the susceptor. The exhaust gas outlet is provided along the entire circumference of the susceptor, so that the reaction gases hit the surfaces of the substrates approximately vertically from below and are then sucked off radially outwards.
Des weiteren zeigt die DE 198 13 523 AI einen CVD-Reaktor, bei dem als zentraler Fluideinlass sogenannte Showerheads im Reaktordeckel verwendet werden, die direkt oberhalb der Substrate angeordnet sind und aus einer Vielzahl kleiner Löcher die Reaktionsgase in Form einer Dusche vertikal nach unten auf die Substrate sprühen. Der Abgasauslass ist am Umfang des üblicherweise zylindrischen Reaktorgehäuses vorgesehen. Au- ßerdem ist eine Heizeinrichtung für den Suszeptor vorgesehen, um diesen auf Temperaturen bis zu 1200°C zu erwärmen, und der Fluideinlass wird derart temperiert, dass zwischen dem Sus- zeptor und dem Fluideinlass ein bestimmter Temperaturgradient einstellbar ist.Furthermore, DE 198 13 523 AI shows a CVD reactor, in which so-called showerheads in the reactor cover are used as the central fluid inlet, which are arranged directly above the substrates and from a large number of small holes, the reaction gases in the form of a shower vertically down on the Spray substrates. The exhaust gas outlet is provided on the circumference of the usually cylindrical reactor housing. In addition, a heating device is provided for the susceptor in order to heat it up to temperatures of up to 1200 ° C., and the fluid inlet is tempered in such a way that between the susceptor zeptor and the fluid inlet a certain temperature gradient is adjustable.
Schließlich beschreibt die WO 01/07691 einen CVD-Reaktor, der ebenfalls einen Fluideinlass in Form von Showerheads und einen Abgasauslass am Umfang des Suszeptors verwendet. Zusätzlich ist der Substrateträger porös und die den Substrateträger drehbar tragende Spindel ist hohl ausgebildet, so dass die Substrate durch Unterdruck auf dem Substrateträger fest- gehalten werden.Finally, WO 01/07691 describes a CVD reactor which also uses a fluid inlet in the form of showerheads and an exhaust gas outlet on the circumference of the susceptor. In addition, the substrate carrier is porous and the spindle rotatably supporting the substrate carrier is hollow, so that the substrates are held on the substrate carrier by negative pressure.
Ausgehend von dem oben beschriebenen Stand der Technik ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Vorrichtung und ein Verfahren der eingangs genannten Art zu entwickeln, die bzw. das auf einfache Weise ein gleichmäßigeres Schichtwachstum, einen gleichmäßigeren Schichtabtrag bzw. eine gleichmäßigere Schichtbehandlung ermöglicht. Die Vorrichtung bzw. das Verfahren soll dies insbesondere auch bei niedrigeren Reaktortemperaturen und/oder niedrigerem Verbrauch an Re- aktionsfluiden ermöglichen.Starting from the prior art described above, it is an object of the present invention to develop a device and a method of the type mentioned at the outset which, in a simple manner, enable more uniform layer growth, more uniform layer removal or more uniform layer treatment. The device and the method should make this possible in particular also at lower reactor temperatures and / or lower consumption of reaction fluids.
Diese Aufgaben werden durch eine Vorrichtung mit den Merkmalen von Patentanspruch 1 bzw. durch ein Verfahren mit den Merkmalen von Patentanspruch 13 gelöst .These objects are achieved by a device with the features of claim 1 or by a method with the features of claim 13.
Vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche 2 bis 12 bzw. 14 bis 17.Advantageous embodiments and developments of the invention are the subject of dependent claims 2 to 12 and 14 to 17.
Gemäß der vorliegenden Erfindung ist eine Vorrichtung insbesondere zum Aufwachsen von Schichten auf einem Substrat vorgesehen, die ein Reaktorgehäuse, einen in dem Reaktorgehäuse angeordneten Suszeptor zur Aufnahme eines oder mehrerer Substrate, eine Fluideinlassvorrichtung zum Einlassen von Reak- tionsfluiden in das Reaktorgehäuse und eine Fluidauslassvorrichtung zum Entfernen der Reaktionsfluide aus dem Reaktorge- h use, nachdem diese über die zu beschichtende Oberfläche des Substrats oder der Substrate geleitet worden sind, aufweist.According to the present invention, a device is provided, in particular for growing layers on a substrate, which comprises a reactor housing, a susceptor arranged in the reactor housing for receiving one or more substrates, a fluid inlet device for admitting reaction fluids into the reactor housing and a fluid outlet device for removal the reaction fluids from the reactor housing after it has been passed over the surface of the substrate or substrates to be coated.
Die Fluideinlassvorrichtung weist Fluidaustrittsöffnungen auf, die entlang des Umfangs des Suszeptors angeordnet sind, und die Fluidauslassvorrichtung weist wenigstens eine Flui- deintrittsöffnung auf, die in der Nähe des Suszeptors, besonders bevorzugt mittig zum Suszeptors angeordnet ist, so dass die durch die Fluidaustrittsöffnungen der Fluid- einlassvorrichtung eingeleiteten Reaktionsfluide radial von außen nach innen über die zu beschichtende Oberfläche des oder der Substrate strömen und durch die Fluideintrittsöff- nung der Fluidauslassvorrichtung abgesaugt werden. Wesentlich ist hierbei, dass die Fluidaustrittsöffnungen so zwischen Stirnseite des Suszeptors und Mitte des Suszeptors angeordnet sind, dass das oder die Substrate vollständig überströmt werden.The fluid inlet device has fluid outlet openings which are arranged along the circumference of the susceptor, and the fluid outlet device has at least one fluid inlet opening which is arranged in the vicinity of the susceptor, particularly preferably centrally to the susceptor, so that the fluid outlet openings of the fluid Inlet device introduced reaction fluids flow radially from the outside inwards over the surface of the substrate or substrates to be coated and are sucked off through the fluid inlet opening of the fluid outlet device. It is essential here that the fluid outlet openings are arranged between the end face of the susceptor and the center of the susceptor in such a way that the substrate or substrates are completely overflowed.
Im Gegensatz zu den bekannten Vorrichtungen strömen die Reak- tionsfluide bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung radial von außen nach innen durch das Reaktorgehäuse und entlang der zu beschichtenden, abzutragenden oder zu behandelnden Oberflächen der Substrate. Die Strömungsrichtung verläuft damit von der Seitenwandung des Reaktorgehäuses gesehen zu dessen Mitte hin.In contrast to the known devices, the reaction fluids in the device according to the invention flow radially from the outside inwards through the reactor housing and along the surfaces of the substrates to be coated, removed or treated. The direction of flow thus runs from the side wall of the reactor housing to the center thereof.
Diese Maßnahme hat verschiedene Vorteile. Da das Absaugen der Reaktionsfluide annähernd punktförmig in der Mitte des Reaktorgehäuses bzw. des Suszeptors erfolgt, wird eine sehr gleichmäßige Strömung der Reaktionsfluide erzielt, es werden die gesamten Oberflächen der Substrate überströmt und der Sogeffekt wirkt sich nur in der unmittelbaren Nähe der Fluideintrittsöffnung der Fluidauslassvorrichtung aus.This measure has several advantages. Since the suction of the reaction fluids takes place approximately point-wise in the middle of the reactor housing or the susceptor, a very uniform flow of the reaction fluids is achieved, the entire surfaces of the substrates are overflowed and the suction effect only has an effect in the immediate vicinity of the fluid inlet opening of the fluid outlet device ,
Wenn die Reaktionsfluide von außen nach innen durch das Reaktorgehäuse strömen sind niedrigere Eintrittsgeschwindigkeiten realisierbar, was durch die vielfältig variierbare Eintritts- fläche der Reaktionsfluide bedingt ist. Durch die niedrigeren Eintrittsgeschwindigkeiten der Reaktionsfluide erfolgt die Erwärmung der Reaktionsfluide vorzugsweise auf erheblich kürzeren Strecken, so dass die Reaktionsfluide im Reaktorgehäuse schneller zerfallen und zur Abscheidung auf die Oberflächen der Substrate beitragen. Dies kann gegenüber herkömmlichen Systemen den Verbrauch an Reaktionsfluiden verringern. Andererseits können durch die effektivere Erwärmung der Reaktionsfluide im Reaktorgehäuse aufgrund der niedrigeren Ein- trittsgeschwindigkeiten auch reduzierte Reaktortemperaturen realisiert werden.If the reaction fluids flow from the outside to the inside through the reactor housing, lower inlet speeds can be achieved, which is due to the manifoldly variable inlet area of the reaction fluids is conditioned. Due to the lower entry speeds of the reaction fluids, the reaction fluids are preferably heated over considerably shorter distances, so that the reaction fluids disintegrate faster in the reactor housing and contribute to the deposition onto the surfaces of the substrates. This can reduce the consumption of reaction fluids compared to conventional systems. On the other hand, the more effective heating of the reaction fluids in the reactor housing can also result in reduced reactor temperatures due to the lower entry speeds.
Ein weiterer Vorteil der entlang des Umfangs des Suszeptors beispielsweise in der Seitenwand des Reaktorgehäuses ange- ordneten Fluideinlassvorrichtung besteht darin, dass einfachere Konstruktionen des Reaktorgehäuses verwirklicht werden können. Beispielsweise müssen keine Zuleitungen für Reaktionsfluide im Reaktordeckel vorgesehen werden. Auch die Abgas- leitung kann vorteilhafterweise vom Reaktordeckel getrennt ausgeführt werden. Dies hat erhebliche Vorteile beim Öffnen des Reaktorgehäuses, da keine oder zumindest deutlich weniger Gasleitungen getrennt werden müssten.Another advantage of the fluid inlet device arranged along the circumference of the susceptor, for example in the side wall of the reactor housing, is that simpler designs of the reactor housing can be realized. For example, no feed lines for reaction fluids have to be provided in the reactor cover. The exhaust gas line can also advantageously be carried out separately from the reactor cover. This has considerable advantages when opening the reactor housing, since no or at least significantly fewer gas lines would have to be separated.
Vorzugsweise ist der Suszeptor mit den aufgenommenen Substra- ten um seine Mittelachse drehbar, und auch die Substrate sind in dem Suszeptor drehbar aufgenommen, so dass durch eine derartige Planetenanordnung der Substrate und deren entsprechende Rotation in bekannter Weise eine noch gleichmäßigere Beschichtung erzielt werden kann.The susceptor with the received substrates is preferably rotatable about its central axis, and the substrates are also rotatably received in the susceptor, so that an even more uniform coating can be achieved in a known manner by such a planetary arrangement of the substrates and their corresponding rotation.
In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist die Fluideinlassvorrichtung eine ringförmige Kanalanordnung mit nach innen gerichteten Fluidaustrittsöffnungen, die mit einer oder mehreren Fluidzuleitungen verbunden ist. Hierbei kann die Fluideinlassvorrichtung selbst mehrere Kammern aufweisen und mit entsprechenden Fluidzuleitungen zum Zuleiten verschiedener Reaktionsfluide verbunden sein. Zur Einstellung der Temperatur der in das Reaktorgehäuse eingeleiteten Reaktionsfluide kann vorteilhafterweise die Fluideinlassvorrichtung mit einer Temperaturregelvorrichtung ge- koppelt sein, und zum Einstellen der Temperatur des Suszeptors und damit des Substrats kann vorzugsweise der Suszeptor mit einer Temperaturregelvorrichtung gekoppelt sein.In a preferred embodiment of the invention, the fluid inlet device is an annular channel arrangement with inwardly directed fluid outlet openings, which is connected to one or more fluid supply lines. Here, the fluid inlet device itself can have a plurality of chambers and can be connected to corresponding fluid supply lines for supplying various reaction fluids. To adjust the temperature of the reaction fluids introduced into the reactor housing, the fluid inlet device can advantageously be coupled to a temperature control device, and to adjust the temperature of the susceptor and thus the substrate, the susceptor can preferably be coupled to a temperature control device.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform ist der Sus- zeptor derart ausgebildet, dass sowohl die Oberseite als auch die Unterseite der aufgenommenen Substrate den Reaktionsflui- den dargeboten werden. Durch eine entsprechende Anordnung der Fluideinlassvorrichtung und der Fluidauslassvorrichtung können dann beide Oberflächen der Substrate gleichzeitig be- schichtet werden.According to a further preferred embodiment, the susceptor is designed in such a way that both the top and the bottom of the received substrates are presented to the reaction fluids. A corresponding arrangement of the fluid inlet device and the fluid outlet device can then coat both surfaces of the substrates at the same time.
Alternativ ist der Suszeptor mit einer Oberseite und einer Unterseite derart ausgebildet, dass auf seiner Oberseite eine erste Gruppe von einem oder mehreren Substraten und auf sei- ner Unterseite eine zweite Gruppe von einem oder mehrerenAlternatively, the susceptor is designed with an upper side and a lower side in such a way that on its upper side a first group of one or more substrates and on its underside a second group of one or more
Substraten aufnehmbar ist, deren Oberflächen den Reaktions- fluiden dargeboten werden. Mit Hilfe dieser Konstruktion ist es möglich, eine größere Anzahl an Substraten gleichzeitig in dem Reaktorgehäuse zu beschichten.It is possible to record substrates whose surfaces are presented to the reaction fluids. With the help of this construction, it is possible to coat a larger number of substrates simultaneously in the reactor housing.
Bei einer anderen vorteilhaften Ausgestaltung der erfindungs- gemäßen Vorrichtung sind die Substrate im Suszeptor derart angeordnet, beispielsweise in Öffnungen des Suszeptors eingespannt, dass sie gleichzeitig beidseitig, das heißt auf der Oberseite und auf der Unterseite beschichtet oder behandelt werden können.In another advantageous embodiment of the device according to the invention, the substrates are arranged in the susceptor, for example clamped in openings in the susceptor, in such a way that they can be coated or treated on both sides, that is to say on the top and on the bottom.
Eine weitere vorteilhafte Ausgestaltung der Vorrichtung weist zwei Suszeptoren auf, von denen jeder mindestens ein Substrat aufnehmen kann und die mit einem Abstand voneinander im Reaktor angeordnet sind. Die zu beschichtenden oder zu behandelnden Oberflächen der Substrate sind zum Zwischenraum der bei- den Suszeptoren hin gewandt und das Reaktionsfluid oder die Reaktionsfluide werden vom Umfang her in den Zwischenraum zwischen den beiden Suszeptoren eingeleitet und strömen radial nach Innen, wo sie durch die Fluideintrittsöffnungen der Fluidauslassvorrichtung abgesaugt werden.A further advantageous embodiment of the device has two susceptors, each of which can accommodate at least one substrate and which are arranged at a distance from one another in the reactor. The surfaces of the substrates to be coated or treated are to the space between the two facing the susceptors and the reaction fluid or the reaction fluids are introduced circumferentially into the space between the two susceptors and flow radially inwards, where they are sucked off through the fluid inlet openings of the fluid outlet device.
Weiter Vorteile, vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen der erfindungsgemäßen Vorrichtung und des erfindungsgemäßen Verfahrens ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Figuren 1 bis 4 erläuterten Ausführungs- beispielen.Further advantages, advantageous embodiments and further developments of the device according to the invention and of the method according to the invention result from the exemplary embodiments explained below in connection with FIGS. 1 to 4.
Es zeigen:Show it:
Figur 1, in stark schematisierter perspektivischer Darstellung ein erstes Ausführungsbeispiel einer Vorrichtung gemäß der Erfindung;Figure 1, in a highly schematic perspective view, a first embodiment of a device according to the invention;
Figur 2, eine schematische perspektivische Darstellung zur Erläuterung eines zweiten Ausführungsbeispieles;Figure 2 is a schematic perspective view for explaining a second embodiment;
Figur 3, eine schematische Schnittdarstellung zur Erläuterung eines dritten Ausführungsbeispieles; undFigure 3 is a schematic sectional view for explaining a third embodiment; and
Figur 4 eine schematische Schnittdarstellung zu einem vierten Ausführungsbeispiel der Erfindung.Figure 4 is a schematic sectional view of a fourth embodiment of the invention.
Bei den beschriebenen Ausführungsbeispielen handelt es sich um Vorrichtungen zum epitaktischen Aufwachsen von Halbleiter- schichten auf Substraten. Erfindungsgemäße Vorrichtungen zumThe exemplary embodiments described are devices for the epitaxial growth of semiconductor layers on substrates. Devices according to the invention for
Abtragen oder Behandeln von Substraten oder von Schichten auf Substraten sind analog aufgebaut .Removal or treatment of substrates or of layers on substrates are structured analogously.
In den Ausführungsbeispielen sind gleiche oder gleichwirkende Bestandteile jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Der in Figur 1 gezeigte Reaktor zum epitaktischen Aufwachsen von Halbleiterschichten auf einen oder mehrere Wafer mittels CVD-Verfahren weist ein im wesentlichen zylindrisches Reaktorgehäuse 10 mit Seitenwänden, einem evtl. abnehmbaren Boden und einem abnehmbaren Deckel (nicht dargestellt) auf.In the exemplary embodiments, the same or equivalent components are each provided with the same reference numerals. The reactor shown in FIG. 1 for the epitaxial growth of semiconductor layers on one or more wafers by means of the CVD method has an essentially cylindrical reactor housing 10 with side walls, a possibly removable bottom and a removable cover (not shown).
Im Innern des Reaktorgehäuses 10 ist ein Suszeptor 12 angeordnet, der im wesentlichen in der Form einer Scheibe ausgebildet und um seine Mittelachse 16 drehbar gelagert ist. Auf dem Suszeptor 12 sind ein oder mehrere Bereiche für die Aufnahme von Substraten, hier beispiesweise Wafer 14, vorgesehen. Die zu beschichtenden Oberflächen der Wafer 14 liegen frei. Wahlweise sind auch die Wafer 14 selbst drehbar in dem Suszeptor 12 aufgenommen. Bei einer derartigen Planetenrota- tion betragen die Drehgeschwindigkeiten beispielsweise etwaArranged in the interior of the reactor housing 10 is a susceptor 12, which is essentially in the form of a disk and is rotatably mounted about its central axis 16. On the susceptor 12, one or more areas for receiving substrates, here for example wafers 14, are provided. The surfaces of the wafers 14 to be coated are exposed. Optionally, the wafers 14 themselves are also rotatably received in the susceptor 12. With such a planetary rotation, the rotational speeds are, for example, approximately
10 bis 200 U/min. Möglich ist aber auch eine einfache Rotation nur des Suszeptors 12 oder nur der Wafer 14. Ebenso ist es auch denkbar, weder den Suszeptor, noch die Substrate rotieren zu lassen. Möglich ist weiterhin, dass nicht der Suzeptor 12 und/oder die Wafer 14 rotieren, sondern sich die Fluidaustrittsöffnungen um den Suszeptor herum bewegen, oder dass sowohl Suszeptor 12 und/oder Wafer 14 und die Fluidaustrittsöffnungen rotieren. Die in diesem Absatz geschilderten Alternativen gelten für sämtliche im Folgenden be- schriebenen Ausführungsbeispiele.10 to 200 rpm. However, a simple rotation of only the susceptor 12 or only the wafer 14 is also possible. Likewise, it is also conceivable for neither the susceptor nor the substrates to rotate. It is also possible that not the susceptor 12 and / or the wafers 14 rotate, but rather that the fluid outlet openings move around the susceptor, or that both susceptor 12 and / or wafers 14 and the fluid outlet openings rotate. The alternatives described in this paragraph apply to all of the exemplary embodiments described below.
Die Fluideinlassvorrichtung 18 ist entlang der Seitenwand 10 des Reaktorgehäuses 10 vorgesehen und in der Form einer ringförmigen Kanalanordnung etwa in der Höhe des Suszeptors 12 ausgebildet. Dieser ringförmige Kanal 18 weist einerseits eine Vielzahl von vorzugsweise nach innen gerichteten Fluidaustrittsöffnungen auf (dies wird durch die nach Innen gerichteten Pfeile 22 angedeutet) , die dem Suszeptor 12 zugewandt sind, und ist andererseits mit einer oder mehreren Fluidzuleitungen (nicht dargestellt) verbunden, durch welche wahlweise eines oder mehrere Reaktionsfluide zu der Fluideinlassvorrichtung 18 und in das Innere des Reaktorgehäuses 10 geleitet werden können. Zur Steuerung der Menge der zugeführten Reaktionsfluide ist in an sich bekannter Weise zum Beispiel ein Fluiddurchsatzmesser (nicht dargestellt) vorgesehen.The fluid inlet device 18 is provided along the side wall 10 of the reactor housing 10 and is designed in the form of an annular channel arrangement approximately at the height of the susceptor 12. This annular channel 18 on the one hand has a plurality of preferably inward fluid outlet openings (this is indicated by the inward arrows 22), which face the susceptor 12, and on the other hand is connected to one or more fluid supply lines (not shown) by which optionally select one or more reaction fluids to the fluid inlet device 18 and into the interior of the reactor housing 10 can be directed. To control the amount of the supplied reaction fluids, a fluid flow meter (not shown) is provided in a manner known per se.
Ist die Fluideinlassvorrichtung 18 beispielsweise mit mehreren getrennten Kammern und mit diesen verbundenen Fluidzuleitungen versehen, so können gleichzeitig unterschiedliche Reaktionsfluide bevorzugt über getrennte Fluidauslassöffnungen in das Reaktorgehäuse 10 eingeleitet werden.If the fluid inlet device 18 is provided, for example, with a plurality of separate chambers and fluid supply lines connected to them, different reaction fluids can preferably be introduced into the reactor housing 10 at the same time, preferably via separate fluid outlet openings.
Durch die sehr große Anzahl an Fluidaustrittsöffnungen und der dadurch bedingten großen Fluidaustrittsflache sind für die Reaktionsfluide niedrigere Eintrittsgeschwindigkeiten in das Reaktorgehäuse 10 realisierbar. Dies kann zu den oben erläuterten Vorteilen eines niedrigeren Verbrauchs an Reakti- onsfluiden und einer realisierbaren niedrigeren Reaktortemperatur beitragen.Due to the very large number of fluid outlet openings and the resulting large fluid outlet area, lower inlet speeds into the reactor housing 10 can be achieved for the reaction fluids. This can contribute to the advantages explained above of a lower consumption of reaction fluids and of a realizable lower reactor temperature.
Außerdem kann bei der erfindungsgemäßen Gestaltung der Fluideinlassvorrichtung 18 am Umfang des Suszeptors 12 durch einfache Konstruktionsmaßnahmen die Temperatur der in das Innere des Reaktorgehäuses 10 strömenden Reaktionsfluide geregelt werden. Hierzu ist die Fluideinlassvorrichtung 18 mit geeig- neten Temperaturregelvorrichtungen (nicht dargestellt) zum Kühlen oder Erwärmen der zugeführten Reaktionsfluide gekoppelt. Aternativ oder zusätzlich können die Reaktionsfluide der Fluideinlassvorrichtung 18 auch bereits geeignet temperiert zugeführt werden, wodurch ein frühzeitiges Zersetzen der Reaktionsfluide bereits innerhalb der Fluideinlassvorrichtung 18 verhindert werden kann.In addition, in the configuration of the fluid inlet device 18 according to the invention on the circumference of the susceptor 12, the temperature of the reaction fluids flowing into the interior of the reactor housing 10 can be regulated by simple construction measures. For this purpose, the fluid inlet device 18 is coupled to suitable temperature control devices (not shown) for cooling or heating the supplied reaction fluids. Alternatively or additionally, the reaction fluids can also be supplied to the fluid inlet device 18 at an appropriately tempered temperature, as a result of which premature decomposition of the reaction fluids can already be prevented within the fluid inlet device 18.
An Stelle der Kanalanordnung etwa in der Höhe des Suszeptors 12 können auch eine Mehrzahl von Fluideinlassdüsen in das Re- aktorgehause 10 geführt und entlang dem Umfang des Suszeptors 12 angeordnet sein. Diese Fluideinlassdüsen bilden hierbei zusammen gesehen die Fluideinlassvorrichtung aus und die Du- senöffnungen treten folglich an die Stelle der Fluidauslas- söffnungen der ringartigen Kanalanordnung .Instead of the channel arrangement approximately at the height of the susceptor 12, a plurality of fluid inlet nozzles can also be guided into the reactor housing 10 and arranged along the circumference of the susceptor 12. Seen together, these fluid inlet nozzles form the fluid inlet device and the nozzle Consequently, orifices take the place of the fluid outlet openings of the ring-like channel arrangement.
Die Fluidauslassvorrichtung 20a, 20b ist im Ausführungsbei- spiel mittig über und/oder unter dem Suszeptor 12 vorgesehen. Sie besteht beispielsweise aus einem von der Mitte des Suszeptors 12 aus nach oben und/oder nach unten geführten Fluid- kanal 20a bzw. 20b, die aus dem Reaktorgehäuse 10 herausgeführt sind. Die Fluidkanäle 20a, 20b weisen Fluidein- trittsöffnungen (nicht dargestellt) auf, die in einem geringen Abstand oberhalb der Oberseite bzw. unterhalb der Unterseite des Suszeptors 12 angeordnet sind. Durch diese Flui- deintrittsöffnungen werden die durch die Fluideinlassvorrichtung 18 in das Reaktorgehäuse 10 eingeleiteten Reaktionsflui- de angesaugt und aus dem Reaktorgehäuse 10 entfernt.In the exemplary embodiment, the fluid outlet device 20a, 20b is provided centrally above and / or below the susceptor 12. It consists, for example, of a fluid channel 20a or 20b which is led upwards and / or downwards from the center of the susceptor 12 and which is led out of the reactor housing 10. The fluid channels 20a, 20b have fluid inlet openings (not shown) which are arranged at a short distance above the top or below the bottom of the susceptor 12. The reaction fluids introduced into the reactor housing 10 through the fluid inlet device 18 are sucked in through these fluid inlet openings and removed from the reactor housing 10.
Da sowohl die Fluidaustrittsöffnungen der Fluideinlassvorrichtung 18 als auch die Fluideintrittsöffnungen der Fluidauslassvorrichtung 20 etwa in der Höhe des Suszeptors 12 bzw. nur in einem geringen Abstand oberhalb der Oberseite bzw. unterhalb der Unterseite des Suszeptors 12 angeordnet sind, strömen die Reaktionsfluide radial nahezu horizontal von außen nach innen über den gesamten Suszeptor 12 und somit über die gesamten zu beschichtenden Oberflächen der Wafer 14 auf dem Suszeptor 12. Die Oberflächen der Wafer 14 sind somit etwa parallel zu dem Strömungsweg der Reaktionsfluide ausgerichtet .Since both the fluid outlet openings of the fluid inlet device 18 and the fluid inlet openings of the fluid outlet device 20 are arranged approximately at the height of the susceptor 12 or only a short distance above the upper side or below the lower side of the susceptor 12, the reaction fluids flow radially almost horizontally from the outside inwards over the entire susceptor 12 and thus over the entire surfaces of the wafers 14 to be coated on the susceptor 12. The surfaces of the wafers 14 are thus aligned approximately parallel to the flow path of the reaction fluids.
Durch die zentrale Anordnung der Fluidauslassvorrichtung 20 wird eine annähernd punktförmige Fluidentnahme aus dem Reaktorgehäuse 10 bewirkt. Der Sogeffekt durch eine derartige punktförmige Fluidentnahme wirkt sich im Wesentlichen nur in unmittelbarer Nähe der Fluidauslassvorrichtung 20 aus, so dass der gleichmäßige Strömungsweg der Reaktionsfluide wei- testgehend nicht beeinträchtigt wird. Wahlweise kann die Fluidentnahme durch die Fluidkanäle 20a, 20b auch durch den Suszeptor 12 selbst erfolgen, der in diesem Fall mit entsprechenden Fluiddurchgängen ausgebildet ist. Bei dieser speziellen Ausführungsform wird eine weitere Zwangsführung der Reaktionsfluide erreicht.The central arrangement of the fluid outlet device 20 results in an approximately punctiform removal of fluid from the reactor housing 10. The suction effect of such a point-like fluid extraction essentially only has an effect in the immediate vicinity of the fluid outlet device 20, so that the uniform flow path of the reaction fluids is largely unaffected. Optionally, the fluid can be withdrawn through the fluid channels 20a, 20b by the susceptor 12 itself, which in this case is designed with corresponding fluid passages. In this special embodiment, a further forced control of the reaction fluids is achieved.
Erfolgt des Absaugen der Reaktionsfluide durch die Fluidkanäle 20a, 20b mit einer ausreichend hohen Fluidgeschwindig- keit, so können sich in den Fluidkanälen kaum Fluidpartikel absetzen.If the reaction fluids are sucked off through the fluid channels 20a, 20b at a sufficiently high fluid speed, then hardly any fluid particles can settle in the fluid channels.
In der Figur 1 ist ein Suszeptor 12 angedeutet, der auf seiner Oberseite mehrere Wafer 14 trägt, deren Oberseiten zur Beschichtung den Reaktionsfluiden dargeboten werden. Alterna- tiv kann der Suszeptor 12 auch in der Art einer Schablone so aufgebaut sein, dass auch die Unterseiten der Wafer 14 den Reaktionsfluiden dargeboten werden, so dass beide Hauptflächen der Wafer beschichtet werden können.A susceptor 12 is indicated in FIG. 1, which carries a plurality of wafers 14 on its upper side, the upper sides of which are presented to the reaction fluids for coating. Alternatively, the susceptor 12 can also be constructed in the manner of a template such that the undersides of the wafers 14 are also presented to the reaction fluids, so that both main surfaces of the wafers can be coated.
Als weitere Alternative ist es auch denkbar, den Suszeptor 12 derart zu gestalten, dass er an seiner Oberseite eine erste Gruppe von einem oder mehreren Wafern 14 und an seiner Unterseite eine zweite Gruppe von einem oder mehreren Wafern 14 aufnimmt, wobei jeweils eine Hauptfläche der Wafer 14 zur Be- Schichtung freiliegt. Hierdurch besteht die Möglichkeit, eine größere Anzahl an Wafern 14 gleichzeitig in dem Reaktorgehäuse 10 zu beschichten.As a further alternative, it is also conceivable to design the susceptor 12 in such a way that it accommodates a first group of one or more wafers 14 on its upper side and a second group of one or more wafers 14 on its underside, in each case a main surface of the wafers 14 exposed for coating. This makes it possible to coat a larger number of wafers 14 simultaneously in the reactor housing 10.
Für die beiden alternativen Ausführungsformen ist es erfor- derlich, dass die Reaktionsfluide den Suszeptor sowohl an dessen Oberseite als auch an dessen Unterseite umströmen. Dies ist im Gegensatz zu herkömmlichen Systemen mit der erfindungsgemäßen Anordnung der Fluideinlassvorrichtung und der Fluidauslassvorrichtung aber ohne weiteres möglich. Der Flui- dauslasskanal 20 kann beispielsweise so modifiziert werden, dass er erste Fluideintrittsöffnungen knapp oberhalb der Sus- zeptoroberseite und zweite Fluideintrittsöffnungen knapp un- terhalb der Suszeptorunterseite aufweist, durch die die Reaktionsfluide abgesaugt werden. Wahlweise können auch zwei separate Fluidauslasskanäle 20a und 20b ausgebildet sein, durch die einerseits 20a die Reaktionsfluide über die Oberseite des Suszeptors 12 und andererseits 20b die Reaktionsfluide über die Unterseite des Suszeptors 12 abgesaugt werden.For the two alternative embodiments, it is necessary for the reaction fluids to flow around the susceptor both on its upper side and on its lower side. In contrast to conventional systems, this is readily possible with the arrangement of the fluid inlet device and the fluid outlet device according to the invention. The fluid outlet channel 20 can, for example, be modified such that it has first fluid inlet openings just above the top of the susceptor and second fluid inlet openings just below has below the susceptor underside through which the reaction fluids are sucked off. Optionally, two separate fluid outlet channels 20a and 20b can also be formed, through which on the one hand 20a the reaction fluids are sucked off via the top of the susceptor 12 and on the other hand 20b the reaction fluids are sucked off via the bottom of the susceptor 12.
Ebenso ist es möglich, dass über und/oder unter dem Suszeptor 12 mehrere Fluideintrittsöffnungen der Fluidauslassvorrich- tung angeordnet sein können, die dann selbstverständlich nicht oder zumindest zum Teil nicht mittig zum Suszeptor angeordnet sind.It is also possible that a plurality of fluid inlet openings of the fluid outlet device can be arranged above and / or below the susceptor 12, which of course are then not arranged, or at least in part, are not arranged centrally to the susceptor.
Das in Figur 2 gezeigte Ausführungsbeispiel unterscheidet sich von dem in Verbindung mit Figur 1 beschriebenen darin, dass zusätzlich zu den umfangsseitig angeordneten Fluidaus- lassöffnungen (siehe Pfeile 22) über und/oder unter dem Suszeptor 12 verteilt weitere Fluidaustrittsöffnungen vorhanden sind, über die im Betrieb ein oder mehrere Fluide eingeleitet werden können. Dies ist in Figur 2 durch die Pfeile 23 angedeutet. Diese Fluide können Reaktionsfluide sein oder auch nur Hilfsgase, die beispielsweise das Abscheiden von Stoffen an Reaktorinnenwänden verhinderen. Die Fluideinlassvorrichtung kann dabei beispielsweise duschkopfartig ausgeführt sein, die Reaktionsfluide sowohl umfangsseitig einleitet als auch Fluide über den Suszeptor verteilt einleitet . Ebenso kann eine Kombination aus "Duschkopf" und umfangsseitig angeordnetem Ringkanal, wie er in Figur 1 schematisch dargestellt ist, oder umfangsseitig angeordneten Einlass- "Düsen" , die von der Seite her auf den Suszeptor strömen, vorgesehen sein.The exemplary embodiment shown in FIG. 2 differs from that described in connection with FIG. 1 in that, in addition to the fluid outlet openings arranged on the circumference (see arrows 22), there are further fluid outlet openings distributed over and / or under the susceptor 12, via which openings are used during operation one or more fluids can be introduced. This is indicated in Figure 2 by the arrows 23. These fluids can be reaction fluids or just auxiliary gases which, for example, prevent the deposition of substances on the inside of the reactor. The fluid inlet device can, for example, be designed like a shower head, which both introduces reaction fluids on the circumference and introduces fluids distributed over the susceptor. Likewise, a combination of "shower head" and circumferentially arranged ring channel, as is shown schematically in FIG. 1, or circumferentially arranged inlet "nozzles" that flow from the side onto the susceptor can be provided.
Bei dem in Figur 3 im Schnitt schematisch dargestellten Ausführungsbeispiel sind zwei Suzeptoren 12 in einem Abstand voneinander parallel zueinander angeordnet. Die Wafer 14 sind derart an die Suzeptoren 12 befestigt, dass die zu beschichtenden Hauptflächen der Wafer 14 zum Zwichenraum zwischen den beiden Suszeptoren hin gewandt sind. Die Fluideinlassvorrich- tung 18 leitet das oder die Reaktionsfluide von der Seite her in den Zwischenraum zwischen den beiden Suszeptoren 12 radial nach innen. In der Mitte der Suszeptoren 12 befindet sich mindestens eine Fluideintrittsöffnung der Fluidauslassvor- richtung 20a, 20b, über die das oder die Reaktionsfluide aus dem Zwischenraum abgesaugt werden, nachdem sie über die Wafer 14 radial von außen nach innen geströmt sind. Diese Anordnung läßt sich ebenso wie die Anordnungen gemäß den oben beschriebenen Ausführungsbeispielen um einen oder mehrere Suszeptoren 12 ergänzen, die dann im Reaktorgehäuse 10 übereinander angeordnet sind. Weiterhin ist dann natürlich die Ausstattung des Reaktors mit weiteren Fluideintrittsöffnungen und Fluidaustrittsöffnungen erforderlich .In the exemplary embodiment shown schematically in FIG. 3, two susceptors 12 are arranged parallel to one another at a distance from one another. The wafers 14 are attached to the susceptors 12 in such a way that the main surfaces of the wafers 14 to be coated face the intermediate space between the two susceptors. The fluid inlet device device 18 directs the reaction fluid or fluids from the side into the space between the two susceptors 12 radially inwards. In the middle of the susceptors 12 there is at least one fluid inlet opening of the fluid outlet device 20a, 20b, via which the reaction fluid or fluids are sucked out of the intermediate space after they have flowed radially from the outside inwards over the wafers 14. This arrangement, like the arrangements according to the exemplary embodiments described above, can be supplemented by one or more susceptors 12, which are then arranged one above the other in the reactor housing 10. Furthermore, of course, it is then necessary to equip the reactor with further fluid inlet openings and fluid outlet openings.
Bei dem vierten Ausführungsbeispiel weist die Fluideinlassvorrichtung auf einer Seite des Suszeptors 12 eine mittig zu diesem angeordnete Fluidaustrittsöffnung auf und die Fluidauslassvorrichtung auf der anderen Seite des Suszeptors 12 eine mittig zu diesem angeordnete Fluideintrittsöffnung auf. Dies ist in der Figur 4 schematisch im Schnitt dargstellt. Der Vollständigkeit halber sei erwähnt, dass die Anordnung gemäß Figur 4 selbstverständlich mit einem "Duschkopf" gemäß Figur 2 und/oder mit einem umfangsseitig angeordneten Ringkanal, wie er in Figur 1 schematisch dargestellt ist, oder um- fangsseitig angeordneten Einlass- "Düsen" , die von der Seite her auf den Suszeptor strömen, kombiniert werden kann.In the fourth exemplary embodiment, the fluid inlet device has a fluid outlet opening arranged centrally on one side of the susceptor 12 and the fluid outlet device on the other side of the susceptor 12 has a fluid inlet opening arranged centrally on the latter. This is shown schematically in section in FIG. For the sake of completeness it should be mentioned that the arrangement according to FIG. 4 naturally has a "shower head" according to FIG. 2 and / or with an annular channel arranged on the circumference, as shown schematically in FIG. 1, or inlet "nozzles" arranged on the circumference that flow from the side onto the susceptor can be combined.
Bei sämtlichen oben beschrieben Ausführungsbeispielen weist die Fluideinlassvorrichtung 18 Fluidaustrittsöffnungen auf, die derart im Reaktor angeordnet sind, dass Reaktionsfluide radial von außen nach innen durch das Reaktorgehäuse und entlang der zu beschichtenden, abzutragenden oder zu behandelnden Oberflächen der Substrate geleitet werden.In all of the exemplary embodiments described above, the fluid inlet device 18 has fluid outlet openings which are arranged in the reactor in such a way that reaction fluids are passed radially from the outside inwards through the reactor housing and along the surfaces of the substrates to be coated, removed or treated.
Es ist selbstverständlich, dass die vorliegende Erfindung nicht auf die oben beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt, sondern der Schutzumfang allein durch die Ansprüche definiert ist. Insbesondere ist die vorliegende Erfindung nicht auf spezielle Temperaturregelvorrichtungen für die Fluideinlassvorrichtung und für den Suszeptor eingeschränkt. Kombinationen der oben in den unterschiedlichen Ausführungsbeispielen beschriebenen Positionierungen der Fluidaustrittsöffnungen und Fluideintrittsöffnungen sind selbstverständlich möglich und gehören zur vorliegenden Erfindung, ohne dass hierin alle möglichen Varianten einer Kombination explizit beschrieben sind. It goes without saying that the present invention is not restricted to the exemplary embodiments described above, but rather the scope of protection solely through the claims is defined. In particular, the present invention is not limited to specific temperature control devices for the fluid inlet device and for the susceptor. Combinations of the positions of the fluid outlet openings and fluid inlet openings described above in the different exemplary embodiments are of course possible and belong to the present invention, without all possible variants of a combination being explicitly described here.

Claims

Patentansprüche claims
1. Vorrichtung zum Aufwachsen, Entfernen oder Behandeln von Schichten auf einem Substrat, mit einem Reaktorgehäuse (10), einem in dem Reaktorgehäuse angeordneten Suszeptor (12) zur Aufnahme von mindestens einem Substrat (14) , eine Fluideinlassvorrichtung (18) mit Fluidaustrittsöffnungen zum Einlassen von mindestens einem Reaktionsfluid in das Reaktorgehäuse und mindestens eine Fluidauslassvorrichtung (20a, 20b) mit Fluideintrittöffnungen zum Ableiten von Reaktionsfluid aus dem Reaktorgehäuse, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass die Fluideinlassvorrichtung (18) Fluidaustrittsöffnungen aufweist, die derart im Reaktor angeordnet sind, dass Reak- tionsfluide radial von außen nach innen durch das Reaktorgehäuse und entlang der zu beschichtenden, abzutragenden oder zu behandelnden Oberflächen der Substrate strömen.1. Device for growing, removing or treating layers on a substrate, with a reactor housing (10), a susceptor (12) arranged in the reactor housing for receiving at least one substrate (14), a fluid inlet device (18) with fluid outlet openings for inlet at least one reaction fluid in the reactor housing and at least one fluid outlet device (20a, 20b) with fluid inlet openings for discharging reaction fluid from the reactor housing, characterized in that the fluid inlet device (18) has fluid outlet openings which are arranged in the reactor such that reaction fluids are radial from flow inwards through the reactor housing and along the surfaces of the substrates to be coated, removed or treated.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass die Fluideinlassvorrichtung (18) Fluidaustrittsöffnungen aufweist, die entlang des Umfangs des Suszeptors (12) angeordnet sind, und die Fluidauslassvorrichtung (20a, 20b) wenigstens eine Fluideintrittsöffnung aufweist, die in der Nähe des Sus- zeptors derart angeordnet ist, dass das durch die Fluidaustrittsöffnungen der Fluideinlassvorrichtung eingeleitete Reaktionsfluid auf dessen Weg zur Fluideintrittsöffnung über eine zu beschichtende Oberfläche des Substrats (14) strömt und durch die Fluideintrittsöffnung der Fluidauslassvorrich- tung abgesaugt wird.2. The device according to claim 1, characterized in that the fluid inlet device (18) has fluid outlet openings which are arranged along the circumference of the susceptor (12), and the fluid outlet device (20a, 20b) has at least one fluid inlet opening which is in the vicinity of the susceptor. is arranged such that the reaction fluid introduced through the fluid outlet openings of the fluid inlet device flows on its way to the fluid inlet opening over a surface of the substrate (14) to be coated and is sucked off through the fluid inlet opening of the fluid outlet device.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass die Fluideintrittsöffnung der Fluidauslassvorrichtung (20a, 20b) mittig zum Suszeptors (12) angeordnet ist. 3. Device according to claim 1 or 2, characterized in that the fluid inlet opening of the fluid outlet device (20a, 20b) is arranged centrally to the susceptor (12).
4. Vorrichtung nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche , d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass der Suszeptor (12) um eine senkrecht zu einer für die Auf- nähme der Substrate vorgesehenen Substrataufnahmeebene stehende Achse drehbar ist.4. Device according to at least one of the preceding claims, that the susceptor (12) can be rotated about an axis perpendicular to an substrate receiving plane provided for receiving the substrates.
5. Vorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass das Substrat (14) in dem Suszeptor (12) drehbar aufgenommen ist .5. Device according to one of the preceding claims, that the substrate (14) is rotatably received in the susceptor (12).
6. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass die Fluideinlassvorrichtung (18) eine ringförmige Kanalanordnung mit radial nach Innen gerichteten Fluidaustrittsöff- nungen aufweist, die mit einer oder mehreren Fluidzuleitungen verbunden ist.6. Device according to one of the preceding claims, that the fluid inlet device (18) has an annular channel arrangement with radially inwardly directed fluid outlet openings, which is connected to one or more fluid supply lines.
7. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass die Fluideinlassvorrichtung (18) mit mehreren Fluidzuleitungen zum Zuleiten verschiedenartiger Reaktionsfluide verbunden ist .7. Device according to one of the preceding claims, so that the fluid inlet device (18) is connected to a plurality of fluid supply lines for supplying different reaction fluids.
8. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass die Fluideinlassvorrichtung (18) mehrere Kammern, insbesondere ringförmige und übereinanderliegende Kammern, aufweist, die mit verschiedenartigen Reaktionsfluiden versorgt werden.8. Device according to one of the preceding claims, that the fluid inlet device (18) has a plurality of chambers, in particular annular and superimposed chambers, which are supplied with different types of reaction fluids.
9. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass die Fluideinlassvorrichtung (18) mit einer Temperaturregel - Vorrichtung zum Regeln der Temperatur der durch die Fluidaustrittsöffnungen der Fluideinlassvorrichtung in das Reaktorgehäuse (10) eingeleiteten Reaktionsfluide gekoppelt ist. 9. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the fluid inlet device (18) is coupled to a temperature control device for regulating the temperature of the reaction fluids introduced into the reactor housing (10) through the fluid outlet openings of the fluid inlet device.
10. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass der Suszeptor (12) mit einer Temperaturregelvorrichtung zum Regeln der Temperatur des Suszeptors und des aufgenommenen Substrats (14) gekoppelt ist.10. The device according to one of the preceding claims, that the susceptor (12) is coupled to a temperature control device for regulating the temperature of the susceptor and the received substrate (14).
11. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass der Suszeptor (12) derart ausgebildet ist, dass die Oberseite und die Unterseite des aufgenommenen Substrats (14) den Reaktionsfluiden dargeboten werden.11. Device according to one of the preceding claims, that the susceptor (12) is designed in such a way that the top and the bottom of the received substrate (14) are presented to the reaction fluids.
12. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass der Suszeptor (12) mit einer Oberseite und einer Unterseite derart ausgebildet ist, dass auf seiner Oberseite eine erste Gruppe von einem oder mehreren Substraten (14) und auf seiner Unterseite eine zweite Gruppe von einem oder mehreren Sub- straten aufnehmbar sind, deren Oberflächen den Reaktionsfluiden dargeboten werden.12. Device according to one of claims 1 to 10, characterized in that the susceptor (12) is formed with an upper side and a lower side such that on its upper side a first group of one or more substrates (14) and on its underside a second Group of one or more substrates can be received, the surfaces of which are presented to the reaction fluids.
13. Verfahren zum Aufwachsen von Schichten auf mindestens einem Substrat (14) , das in einem Reaktorgehäuse (10) auf ei- nem Suszeptor (12) aufgenommen ist, wobei mindestens ein Re- aktionsfluid über die zu beschichtende Oberfläche des Substrats (14) geleitet wird, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass das Reaktionsfluid vom Umfang des Suszeptors (12) her radial nach innen über die zu beschichtende Oberfläche des Substrats (14) strömt.13. A method for growing layers on at least one substrate (14) which is accommodated in a reactor housing (10) on a susceptor (12), at least one reaction fluid being passed over the surface of the substrate (14) to be coated is characterized in that the reaction fluid flows radially inward from the circumference of the susceptor (12) over the surface of the substrate (14) to be coated.
14. Verfahren nach Anspruch 12, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass sich der Suszeptor (12) mit dem aufgenommenen Substrat (14) um eine senkrecht zu einer Substrataufnahmeebene, auf der sich das Substrat (14) befindet, stehende Achse dreht. 14. The method according to claim 12, characterized in that the susceptor (12) with the received substrate (14) rotates about an axis perpendicular to a substrate receiving plane on which the substrate (14) is located.
15. Verfahren nach Anspruch 13 oder 14, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass sich das Substrat (14) relativ zum Suszeptor (12) dreht.15. The method according to claim 13 or 14, so that the substrate (14) rotates relative to the susceptor (12).
16. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 13 bis 15, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass mehrere verschiedenartige Reaktionsfluide vom Umfang des Suszeptors (12) her radial nach innen über die zu beschichtende Oberfläche des Substrats (14) strömen.16. The method according to at least one of claims 13 to 15, that a plurality of different reaction fluids flow radially inward from the circumference of the susceptor (12) over the surface of the substrate (14) to be coated.
17. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 13 bis 16, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass das (die) über das Substrat (14) geleitete (n) Reaktionsfluid (e) über eine mittig zum Suszeptor (12) angeordnete Fluidauslassvorrichtung (20a, 20b) abgeleitet wird (werden) . 17. The method according to at least one of claims 13 to 16, characterized in that the reaction fluid (s) conducted via the substrate (14) is discharged via a fluid outlet device (20a, 20b) arranged centrally to the susceptor (12) (become) .
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