WO2003054970A1 - Organischer feld-effekt-transistor mit verschobener schwellwertspannung und verwendung dazu - Google Patents

Organischer feld-effekt-transistor mit verschobener schwellwertspannung und verwendung dazu Download PDF

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Walter Fix
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    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
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    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate

Definitions

  • the invention relates to an organic field-effect transistor with a shifted threshold voltage.
  • a key parameter in organic field effect transistors is the location of the threshold voltage. This voltage indicates the gate voltage at which the current channel of the transistor is formed or becomes conductive. If this is close to 0V, two problems arise when building integrated circuits from these OFETs: two instead of just one voltage supply are required and about twice the number of transistors is required, since the output voltages of the logic elements have to be shifted before additional ones can be used Logic elements can be controlled. The consequences of these problems include a greatly increased power consumption, which is particularly the case with applications such as RF-ID tags (radio frequency
  • the threshold voltage is close to 0V.
  • the threshold voltage is even at positive voltages (CD.Sheraw, J.A.
  • the object of the invention is therefore to provide a possibility for shifting the threshold voltage in OFETs, in particular in those whose threshold voltage is close to 0 V or in the positive range. It is also an object of the invention to disclose uses of OFETs with a shifted threshold voltage.
  • the subject matter of the invention is an OFET comprising at least one substrate, structured source / drain electrodes, which are embedded in an organic semiconductor layer, adjoining them an insulator layer and a gate electrode, an intermediate layer being located between the semiconductor layer and the insulator layer there Space charge zone generated.
  • a "space charge zone” is an area in which there are no free charge carriers.
  • the intermediate layer creates a space charge zone that prevents the formation of a conductive current channel at low gate voltages.
  • the normal generation of a current channel only takes place for larger gate voltages.
  • This shifts the threshold voltage without having to accept the disadvantages such as reducing the ON / OFF ratio etc. or lower output currents.
  • Whether the shift in the threshold voltage is 2V, 5V or more than 10V depends on the thickness and the donor concentration of the intermediate layer and can be adjusted as required by a suitable choice. This is an important advantage of the invention notification.
  • Another advantage of the invention is that OFETs with this intermediate layer are significantly less sensitive to unintentional background doping of the semiconductor, since this is actively compensated for by the intermediate layer. This simplifies the manufacture of OFETs, since it is then possible, for example, to dispense with manufacture in the absence of oxygen.
  • the intermediate layer is made of small, polarizable molecules with an internal dipole moment (e.g. di-sulfide dipole molecules) or of silanes, fullerenes or perylenes.
  • an internal dipole moment e.g. di-sulfide dipole molecules
  • silanes, fullerenes or perylenes e.g. silanes, fullerenes or perylenes.
  • the intermediate layer is a few to a few tens of nanometers thick.
  • the intermediate layer can either be applied to the semiconductor layer (in the case of top-gate OFETs) or to the insulator layer (in the case of bottom-gate OFETs).
  • This application can be done by spin coating, pouring on, printing, steaming, immersing in a solution or by some other method of application.
  • the invention can be applied to both p- and n-type OFETs.
  • n-type OFETs are currently in the focus of interest, the following explanation is limited to p-type OFETs using figures which show exemplary embodiments of the invention.
  • Figures la to lc show the prior art for comparison; Figures 2a to 2c show the same views in an embodiment of the invention.
  • FIG. 1 a shows a cross section through a conventional OFET with a substrate 8 (for example a plastic film) structured source / drain electrodes 7, the organic semiconductor layer 6, the insulator layer 2 and the gate electrode 1.
  • FIG. 1b shows the associated position of the LUMO or HOMO energies for the layer sequence gate electrode / insulator / semiconductor: LUMO- Energy 3 (corresponds to the energetic position of the conduction band), HOMO energy 5 (corresponds to the energetic position of the valence band) and Fermi level 4.
  • An increase in the gate voltage by ⁇ Ui leads to an accumulation of the charge carriers at the interface between iso- lator and semiconductor (9 in Figure lc). This leads to an increase in the energy levels in the organic semiconductor layer 6 near the interface. The increase in the gate voltage thus leads directly to the formation of a current channel 9 in the OFET.
  • FIG. 2a shows the structure of an OFET according to an embodiment of the invention.
  • the space charge-generating layer 10 is located between the insulator layer 2 and the semiconducting layer 6.
  • the main properties of this layer are a low work function, a Fermi level which is close to the LUMO 3 and a high number of donors. Because of these properties, the charge carriers of the adjacent semiconductor layer are bound to these donors. This creates a space charge zone. ie an area in which there are no free charge carriers.
  • This space charge zone can be seen in FIG. 2b by the downward bent LUMO and HOMO levels 3 and 4 near the semiconductor / insulator interface. If the gate voltage is increased at this OFET, no current channel can be generated at low voltages, because all donors must first be filled with holes.
  • the difference between the voltage ⁇ Ui (in FIG. 1c) and ⁇ U 2 (in FIG. 2c) corresponds to the shift in the threshold voltage.
  • the content of the invention is the introduction of a very thin, non-conductive layer between the semiconducting material and the insulator in the OFET. The invention makes it possible for the first time to shift the threshold voltage of an OFET and at the same time to simplify the manufacture of the OFET, since it is possible to dispense with the exclusion of oxygen during manufacture.

Abstract

Die Erfindung betrifft einen organischen Feld-Effekt-Transistor mit verschobener Schwellwertspannung.Der OFET hat eine Zwischenschicht, die eine Raumladungszone zwischen Isolator und Halbleiter ausbildet.

Description

Beschreibung
Organischer Feld-Effekt-Transistor mit verschobener Schwellwertspannung und Verwendung dazu
Die Erfindung betrifft einen organischen Feld-Effekt-Transistor mit verschobener Schwellwertspannung.
Ein Schlüsselparameter bei organischen Feldeffekt-Tran- sistoren (OFETs) ist die Lage der SchwellwertSpannung. Diese Spannung dibt an, bei welcher Gate-Spannung der Stromkanal des Transistors entsteht oder leitfähig wird. Liegt diese nahe bei 0V, so treten beim Aufbau von integrierten Schaltungen aus diesen OFETs zwei Problemen auf: es werden zwei statt nur einer Spannungsversorgung benötigt und man braucht etwa die doppelte Anzahl von Transistoren, da die Ausgangsspannungen der Logikelemente verschoben werden müssen, bevor damit weitere Logikelemente angesteuert werden können. Folge dieser Probleme ist u.a. ein stark erhöhter Leistungsverbrauch, der gerade bei Anwendungen wie RF-ID-Tags (Radio-Frequency-
Identification) einen Einsatz von Polymerelektronik, also Elektronik auf Basis organischer Materialien erschwert.
Bei den für zukünftige Anwendungen aussichtsreichsten OFETs, den auf Polyalkylthiophen basierenden, wie sie z.B. aus der Veröffentlichung von H. Sirringhaus (H. Sirringhaus, N. Tess- ler, et al. (1999) . Elsevier Synthetic Metals 102: 857-860) bekannt sind, liegt die Schwellwertspannung nahe bei 0V. Bei OFETs mit Pentacene als Halbeleiter liegt die Schwellwert- Spannung sogar bei positiven Spannungen (CD. Sheraw, J.A.
Nichols et al. (2000), IEDM 2000, p.619-22). Es treten daher die oben beschriebenen Probleme auf. Da OFETs auf dem Prinzip der Ladungsträgerakkumulation basieren, lässt sich die Lage der Schwellwertspannung nicht, wie z.B. bei Si-MOS-FETs (Si- lizium-Metall-Oxid Feldeffekt-Transistoren) üblich, durch die Kanaldicke einstellen. Auch eine dickere Isolatorschicht verschiebt die Schwellwertspannung nur unwesentlich. Dadurch würde gleichzeitig das on/off-Verhältnis des OFETs deutlich verschlechtert. Die naheliegende Möglichkeit zur Verschiebung der Schwellwertspannung, nämlich eine Gate-Elektrode zu verwenden, welche eine niedrigere Austrittsarbeit hat, ist keine brauchbare Lösung, da sich solche aus leitfähigem organischen Material praktisch nicht realisieren lassen.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, eine Möglichkeit zur Verschiebung der Schwellwertspannung bei OFETs, insbesondere bei solchen, deren Schwellwertspannung nahe 0V oder im positiven Bereich liegt, zur Verfügung zu stellen. Außerdem ist es Aufgabe der Erfindung, Verwendungen von OFETs mit verschobener Schwellwertspannung zu offenbaren.
Gegenstand der Erfindung ist ein OFET zumindest ein Substrat, strukturierte Source/Drain Elektroden, die eingebettet in eine organische Halbleiterschicht sind, daran angrenzend eine Isolatorschicht und eine Gate-Elektrode umfassend, wobei sich zwischen der Halbleiterschicht und der Isolatorschicht eine Zwischenschicht befindet, die dort eine Raumladungszone erzeugt.
Als "Raumladungszone" wird ein Bereich bezeichnet, in dem sich keine freien Ladungsträger befinden.
Die Zwischenschicht erzeugt eine Raumladungszone, die die Ausbildung eines leitfähigen Stromkanals bei kleinen Gate- Spannungen verhindert. Erst für größere Gate-Spannungen findet die normale Erzeugung eines Stromkanals statt. Damit wird die Schwellwertspannung verschoben, ohne dass die Nachteile wie Verringerung des ON/OFF-Verhältnisses etc. oder niedrigere Ausgangsströme in Kauf genommen werden müssen. Ob die Verschiebung der Schwellwertspannung 2V, 5V oder über 10V beträgt, hängt von der Dicke und der Donatorkonzentration der Zwischenschicht ab und kann durch geeignete Wahl je nach Bedarf eingestellt werden. Dies stellt einen wichtigen Vorteil der Erfindungsmeldung dar. Ein weiterer Vorteil der Erfindung ist, dass OFETs mit dieser Zwischenschicht deutlich unempfindlicher gegenüber einer unabsichtlichen Hintergrunddotierung des Halbleiters sind, da diese aktiv durch die Zwischenschicht kompensiert wird. Das erleichtert die Herstellung von OFETs, da dann z.B. auf eine Herstellung unter Sauerstoffausschluss verzichtet werden kann.
Nach einer Ausführungsform ist die Zwischenschicht aus kleinen, polarisierbaren Molekülen mit internen Dipolmoment (z.B. Di-Sulfid-Dipolmoleküle) oder aus Silanen, Fullerenen oder Perylenen.
Nach einer Ausführungsform ist die Zwischenschicht einige wenige bis einige 10 Nanometer dick.
Bei der Herstellung organischer Transistoren oder organischer integrierter Schaltungen kann die Zwischenschicht entweder auf die Halbleiterschicht (bei Top-Gate OFETs) oder auf die Isolatorschicht (bei Bottom-Gate OFETs) aufgebracht werden. Dieses Aufbringen kann durch Aufschleudern, Aufgießen, Drucken, Bedampfen, Eintauchen in eine Lösung oder durch eine andere Aufbringungsmethode geschehen.
Die Erfindung lässt sich sowohl bei p- als auch bei n- leitenden OFETs anwenden. Da aber die n-leitenden OFETs momentan im Blickpunkt des Interesses stehen, beschränkt sich die nachfolgende Erläuterung anhand von Figuren, die Ausfüh- rungsbeispiele der Erfindung zeigen, auf p-leitende OFETs.
Figuren la bis lc zeigen den Stand der Technik zum Vergleich; Figuren 2a bis 2c zeigen dieselben Ansichten bei einem Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Figur la zeigt einen Querschnitt durch einen herkömmlichen OFET mit einem Substrat 8 (z.B. einer Plastikfolie), den strukturierten Source/Drain-Elektroden 7, der organischen Halbleiterschicht 6, der Isolatorschicht 2 und der Gate- Elektrode 1. Figur lb zeigt die dazugehörige Lage der LUMO- bzw. HOMO- Energien für die Schichtabfolge Gate-Elektrode / Isolator / Halbleiter: LUMO-Energie 3 (entspricht der energetischen Lage des Leitungsbandes) , HOMO-Energie 5 (entspricht der energetischen Lage des Valenzbandes) und das Fermi-Niveau 4. Eine Erhöhung der Gate-Spannung um ΔUi führt zu einer Akkumulation der Ladungsträger an der Grenzfläche zwischen Iso- lator und Halbleiter (9 in Figur lc) . Dies führt zu einer Anhebung der Energieniveaus in der organischen Halbleiterschicht 6 nahe der Grenzfläche. Die Erhöhung der Gate- Spannung führt also direkt zur Ausbildung eines Stromkanals 9 im OFET.
Figur 2a zeigt den Aufbau eines OFETs gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. Zwischen der Isolatorschicht 2 und der halbleitenden Schicht 6 befindet sich die raumladungser- zeugende Schicht 10. Haupteigenschaften dieser Schicht sind eine geringe Austrittsarbeit, ein Ferminiveau, welches nahe am LUMO 3 liegt sowie eine hohe Zahl von Donatoren. Aufgrund dieser Eigenschaften werden die Ladungsträger der angrenzenden Halbleiterschicht an diese Donatoren gebunden. Dadurch entsteht eine Raumladungszone. d.h. ein Bereich, indem sich keine freien Ladungsträger befinden. In der Figur 2b erkennt man diese Raumladungszone durch die nach unten verbogenen LUMO- und HOMO-Niveaus 3 und 4 nahe der Grenzfläche Halbleiter / Isolator. Erhöht man an diesen OFET die Gate-Spannung, so kann bei kleinen Spannungen noch kein Stromkanal erzeugt wer- den, da zuerst alle Donatoren mit Löchern gefüllt werden müssen. Erst bei einer höheren Spannung ΔU2, wenn die Donatoren kompensiert sind, kann ein Stromkanal 9 im OFET erzeugt werden (siehe Figur 2c) . Die Differenz zischen der Spannung ΔUi (in Fig. lc) und ΔU2 (in Fig. 2c) entspricht der Verschiebung der SchwellwertSpannung. Inhalt der Erfindung ist die Einführung einer sehr dünnen, nichtleitenden Schicht zwischen halbleitendem Material und Isolator im OFET. Durch die Erfindung wird es erstmals möglich, die Schwellwertspannung eines OFETs zu verschieben und gleichzeitig die Herstellung des OFETs zu vereinfachen, da auf Ξauerstoffaussschluß während der Herstellung verzichtet werden kann.

Claims

Patentansprüche
1. OFET, bei dem sich angrenzende an die aktive halbleitende Schicht eine Zwischenschicht befindet, die die Schwellwert- pannung des OFETs durch Ausbilden einer Raumladungszone in der aktiven Schicht verschiebt.
2. OFET nach Anspruch 1, bei dem sich die Zwischenschicht zwischen Substrat und aktiver Schicht befindet.
3. OFET nach Anspruch 1, bei dem sich die Zwischenschicht zwischen aktiver Schicht und Gate-Isolatorschicht befindet.
4. OFET nach einem der Ansprüche 1,2 oder 3, bei dem die Zwi- schenschicht aus kleinen, polarisierbaren Molekülen mit internen Dipolmoment (z.B. Di-Sulfid-Dipolmoleküle) oder aus Silanen, Fullerenen oder Perylenen besteht.
5. OFET nach einem der vorstehenden Ansprüche, der eine Schwellwertspannung im Bereich von -IV bis -10 V hat.
6. OFET nach einem der vorstehenden Ansprüche, dessen halbleitendes Material Polyalkylthiophen ist.
7. OFET nach einem der vorstehenden Ansprüche, dessen Zwischenschicht eine Dicke im Bereich von 1 bis 50 nm hat.
8. Verwendung des OFETs nach einem der Ansprüche 1 bis 7 in einem RFID-Tag, einem Sensorarray, einer Photovoltaikzelle, als "wearable electronic" , als aktives Display, als elektronischer Strichkode für Konsumgüter, als elektronisches Wasserzeichen, als elektronische Briefmarke, als Kofferanhänger und/oder als elektronisches Ticket.
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US10/498,610 US7064345B2 (en) 2001-12-11 2002-09-12 Organic field effect transistor with off-set threshold voltage and the use thereof
DE50214320T DE50214320D1 (de) 2001-12-11 2002-12-09 Organischer feld-effekt-transistor mit verschobener schwellwertspannung und verwendung dazu
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005175254A (ja) * 2003-12-12 2005-06-30 National Institute Of Advanced Industrial & Technology ドーピング方法およびそれを用いた半導体素子
JP2006090983A (ja) * 2004-09-27 2006-04-06 Univ Of Tokyo 面状素子モジュールおよびその製造方法並びに面状素子装置
JP2006147785A (ja) * 2004-11-18 2006-06-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子デバイスおよびそれを用いた電子機器
JP2006196856A (ja) * 2005-01-15 2006-07-27 Samsung Sdi Co Ltd 薄膜トランジスタ、その製造方法及びそれを備えた平板表示装置

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10043204A1 (de) * 2000-09-01 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Feld-Effekt-Transistor, Verfahren zur Strukturierung eines OFETs und integrierte Schaltung
JP4254123B2 (ja) * 2002-04-08 2009-04-15 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP2004165427A (ja) * 2002-11-13 2004-06-10 Konica Minolta Holdings Inc 有機薄膜トランジスタ素子
JP4228204B2 (ja) * 2003-07-07 2009-02-25 セイコーエプソン株式会社 有機トランジスタの製造方法
DE10340608A1 (de) 2003-08-29 2005-03-24 Infineon Technologies Ag Polymerformulierung und Verfahren zur Herstellung einer Dielektrikumsschicht
DE10349029B4 (de) * 2003-11-07 2006-09-28 Polyic Gmbh & Co. Kg Verwendung von Poly(alkoxythiophen) als Funktionsschicht in elektrischen Bauelementen
JP4661065B2 (ja) * 2004-03-22 2011-03-30 セイコーエプソン株式会社 相補型有機半導体装置
DE102005017655B4 (de) * 2005-04-15 2008-12-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Mehrschichtiger Verbundkörper mit elektronischer Funktion
WO2006134942A1 (ja) * 2005-06-14 2006-12-21 Mitsumi Electric Co., Ltd. 電界効果トランジスタ、それを具備するバイオセンサ、および検出方法
DE102005031448A1 (de) 2005-07-04 2007-01-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Aktivierbare optische Schicht
DE102005035590A1 (de) * 2005-07-29 2007-02-01 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronisches Bauelement
DE102005035589A1 (de) 2005-07-29 2007-02-01 Polyic Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements
US7935957B2 (en) * 2005-08-12 2011-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and a semiconductor device
DE102005042166A1 (de) * 2005-09-06 2007-03-15 Polyic Gmbh & Co.Kg Organisches Bauelement und ein solches umfassende elektrische Schaltung
DE102005044306A1 (de) * 2005-09-16 2007-03-22 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronische Schaltung und Verfahren zur Herstellung einer solchen
ITMI20051901A1 (it) * 2005-10-10 2007-04-11 St Microelectronics Srl Processo di fabbricazione di tramsistori a film sottile in materiale organico e transistore
DE102007000875A1 (de) 2007-11-12 2009-05-14 Bundesdruckerei Gmbh Dokument mit einer integrierten Anzeigevorrichtung
TWI618232B (zh) 2013-09-09 2018-03-11 應用材料股份有限公司 工程誘發的可調靜電效應

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0528662A1 (de) * 1991-08-15 1993-02-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Organischer Feldeffekttransistor
WO2002065557A1 (de) * 2001-02-09 2002-08-22 Siemens Aktiengesellschaft Organischer feldeffekt-transistor mit fotostrukturiertem gate-dielektrikum, ein verfahren zu dessen erzeugung und die verwendung in der organischen elektronik

Family Cites Families (104)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3512052A (en) * 1968-01-11 1970-05-12 Gen Motors Corp Metal-insulator-semiconductor voltage variable capacitor with controlled resistivity dielectric
US3769096A (en) * 1971-03-12 1973-10-30 Bell Telephone Labor Inc Pyroelectric devices
JPS543594B2 (de) * 1973-10-12 1979-02-24
JPS54101176A (en) * 1978-01-26 1979-08-09 Shinetsu Polymer Co Contact member for push switch
US4442019A (en) * 1978-05-26 1984-04-10 Marks Alvin M Electroordered dipole suspension
US4340657A (en) * 1980-02-19 1982-07-20 Polychrome Corporation Novel radiation-sensitive articles
DE3338597A1 (de) 1983-10-24 1985-05-02 GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München Datentraeger mit integriertem schaltkreis und verfahren zur herstellung desselben
JPS60117769A (ja) 1983-11-30 1985-06-25 Fujitsu Ltd 半導体メモリ装置
JP2728412B2 (ja) 1987-12-25 1998-03-18 株式会社日立製作所 半導体装置
GB2215307B (en) * 1988-03-04 1991-10-09 Unisys Corp Electronic component transportation container
US5364735A (en) * 1988-07-01 1994-11-15 Sony Corporation Multiple layer optical record medium with protective layers and method for producing same
US4937119A (en) * 1988-12-15 1990-06-26 Hoechst Celanese Corp. Textured organic optical data storage media and methods of preparation
US5892244A (en) * 1989-01-10 1999-04-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Field effect transistor including πconjugate polymer and liquid crystal display including the field effect transistor
US6331356B1 (en) * 1989-05-26 2001-12-18 International Business Machines Corporation Patterns of electrically conducting polymers and their application as electrodes or electrical contacts
US5206525A (en) * 1989-12-27 1993-04-27 Nippon Petrochemicals Co., Ltd. Electric element capable of controlling the electric conductivity of π-conjugated macromolecular materials
FR2664430B1 (fr) * 1990-07-04 1992-09-18 Centre Nat Rech Scient Transistor a effet de champ en couche mince de structure mis, dont l'isolant et le semiconducteur sont realises en materiaux organiques.
FR2673041A1 (fr) * 1991-02-19 1992-08-21 Gemplus Card Int Procede de fabrication de micromodules de circuit integre et micromodule correspondant.
US5408109A (en) * 1991-02-27 1995-04-18 The Regents Of The University Of California Visible light emitting diodes fabricated from soluble semiconducting polymers
JPH0580530A (ja) * 1991-09-24 1993-04-02 Hitachi Ltd 薄膜パターン製造方法
US5173835A (en) * 1991-10-15 1992-12-22 Motorola, Inc. Voltage variable capacitor
US5486851A (en) * 1991-10-30 1996-01-23 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. Illumination device using a pulsed laser source a Schlieren optical system and a matrix addressable surface light modulator for producing images with undifracted light
JP2709223B2 (ja) * 1992-01-30 1998-02-04 三菱電機株式会社 非接触形携帯記憶装置
DE4243832A1 (de) 1992-12-23 1994-06-30 Daimler Benz Ag Tastsensoranordnung
JP3457348B2 (ja) * 1993-01-15 2003-10-14 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
FR2701117B1 (fr) * 1993-02-04 1995-03-10 Asulab Sa Système de mesures électrochimiques à capteur multizones, et son application au dosage du glucose.
US5567550A (en) * 1993-03-25 1996-10-22 Texas Instruments Incorporated Method of making a mask for making integrated circuits
JPH0722669A (ja) * 1993-07-01 1995-01-24 Mitsubishi Electric Corp 可塑性機能素子
JP3035352B2 (ja) * 1993-08-24 2000-04-24 メトリカ・インコーポレーテッド 新規な使い捨て電子検定ディバイス
JP3460863B2 (ja) * 1993-09-17 2003-10-27 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
FR2710413B1 (fr) * 1993-09-21 1995-11-03 Asulab Sa Dispositif de mesure pour capteurs amovibles.
US5556706A (en) * 1993-10-06 1996-09-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Conductive layered product and method of manufacturing the same
JP3246189B2 (ja) * 1994-06-28 2002-01-15 株式会社日立製作所 半導体表示装置
US5574291A (en) * 1994-12-09 1996-11-12 Lucent Technologies Inc. Article comprising a thin film transistor with low conductivity organic layer
US5630986A (en) * 1995-01-13 1997-05-20 Bayer Corporation Dispensing instrument for fluid monitoring sensors
JP3068430B2 (ja) * 1995-04-25 2000-07-24 富山日本電気株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法
US5652645A (en) * 1995-07-24 1997-07-29 Anvik Corporation High-throughput, high-resolution, projection patterning system for large, flexible, roll-fed, electronic-module substrates
US5625199A (en) * 1996-01-16 1997-04-29 Lucent Technologies Inc. Article comprising complementary circuit with inorganic n-channel and organic p-channel thin film transistors
US6326640B1 (en) * 1996-01-29 2001-12-04 Motorola, Inc. Organic thin film transistor with enhanced carrier mobility
GB2310493B (en) * 1996-02-26 2000-08-02 Unilever Plc Determination of the characteristics of fluid
JP3080579B2 (ja) * 1996-03-06 2000-08-28 富士機工電子株式会社 エアリア・グリッド・アレイ・パッケージの製造方法
DE19629656A1 (de) * 1996-07-23 1998-01-29 Boehringer Mannheim Gmbh Diagnostischer Testträger mit mehrschichtigem Testfeld und Verfahren zur Bestimmung von Analyt mit dessen Hilfe
US6344662B1 (en) * 1997-03-25 2002-02-05 International Business Machines Corporation Thin-film field-effect transistor with organic-inorganic hybrid semiconductor requiring low operating voltages
KR100248392B1 (ko) * 1997-05-15 2000-09-01 정선종 유기물전계효과트랜지스터와결합된유기물능동구동전기발광소자및그소자의제작방법
JP4509228B2 (ja) * 1997-08-22 2010-07-21 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 有機材料から成る電界効果トランジスタ及びその製造方法
AU764920B2 (en) * 1997-09-11 2003-09-04 Precision Dynamics Corporation Radio frequency identification tag on flexible substrate
US6251513B1 (en) * 1997-11-08 2001-06-26 Littlefuse, Inc. Polymer composites for overvoltage protection
JPH11142810A (ja) 1997-11-12 1999-05-28 Nintendo Co Ltd 携帯型情報処理装置
JP2001510670A (ja) * 1997-12-05 2001-07-31 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 識別トランスポンダ
US5997817A (en) * 1997-12-05 1999-12-07 Roche Diagnostics Corporation Electrochemical biosensor test strip
US5998805A (en) * 1997-12-11 1999-12-07 Motorola, Inc. Active matrix OED array with improved OED cathode
US6083104A (en) * 1998-01-16 2000-07-04 Silverlit Toys (U.S.A.), Inc. Programmable toy with an independent game cartridge
DE69937485T2 (de) * 1998-01-28 2008-08-21 Thin Film Electronics Asa Methode zur herstellung zwei- oder dreidimensionaler elektrisch leitender oder halbleitender strukturen, eine löschmethode derselben und ein generator/modulator eines elektrischen feldes zum gebrauch in der herstellungsmethode
US6087196A (en) * 1998-01-30 2000-07-11 The Trustees Of Princeton University Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing
US6045977A (en) * 1998-02-19 2000-04-04 Lucent Technologies Inc. Process for patterning conductive polyaniline films
DE19816860A1 (de) 1998-03-06 1999-11-18 Deutsche Telekom Ag Chipkarte, insbesondere Guthabenkarte
US6033202A (en) * 1998-03-27 2000-03-07 Lucent Technologies Inc. Mold for non - photolithographic fabrication of microstructures
GB9808061D0 (en) * 1998-04-16 1998-06-17 Cambridge Display Tech Ltd Polymer devices
GB9808806D0 (en) 1998-04-24 1998-06-24 Cambridge Display Tech Ltd Selective deposition of polymer films
TW410478B (en) * 1998-05-29 2000-11-01 Lucent Technologies Inc Thin-film transistor monolithically integrated with an organic light-emitting diode
US5967048A (en) * 1998-06-12 1999-10-19 Howard A. Fromson Method and apparatus for the multiple imaging of a continuous web
US6215130B1 (en) * 1998-08-20 2001-04-10 Lucent Technologies Inc. Thin film transistors
JP4689825B2 (ja) * 1998-08-26 2011-05-25 センサーズ・フォー・メデセン・アンド・サイエンス・インコーポレーテッド 光学式検知装置
DE19851703A1 (de) 1998-10-30 2000-05-04 Inst Halbleiterphysik Gmbh Verfahren zur Herstellung von elektronischen Strukturen
US6384804B1 (en) * 1998-11-25 2002-05-07 Lucent Techonologies Inc. Display comprising organic smart pixels
US6506438B2 (en) * 1998-12-15 2003-01-14 E Ink Corporation Method for printing of transistor arrays on plastic substrates
US6321571B1 (en) * 1998-12-21 2001-11-27 Corning Incorporated Method of making glass structures for flat panel displays
US6114088A (en) * 1999-01-15 2000-09-05 3M Innovative Properties Company Thermal transfer element for forming multilayer devices
GB2347013A (en) * 1999-02-16 2000-08-23 Sharp Kk Charge-transport structures
US6300141B1 (en) * 1999-03-02 2001-10-09 Helix Biopharma Corporation Card-based biosensor device
US6180956B1 (en) 1999-03-03 2001-01-30 International Business Machine Corp. Thin film transistors with organic-inorganic hybrid materials as semiconducting channels
US6207472B1 (en) * 1999-03-09 2001-03-27 International Business Machines Corporation Low temperature thin film transistor fabrication
US6498114B1 (en) * 1999-04-09 2002-12-24 E Ink Corporation Method for forming a patterned semiconductor film
US6072716A (en) * 1999-04-14 2000-06-06 Massachusetts Institute Of Technology Memory structures and methods of making same
DE19921024C2 (de) 1999-05-06 2001-03-08 Wolfgang Eichelmann Videospielanlage
DE19933757A1 (de) 1999-07-19 2001-01-25 Giesecke & Devrient Gmbh Chipkarte mit integrierter Batterie
DE19935527A1 (de) 1999-07-28 2001-02-08 Giesecke & Devrient Gmbh Aktive Folie für Chipkarten mit Display
US6593690B1 (en) * 1999-09-03 2003-07-15 3M Innovative Properties Company Large area organic electronic devices having conducting polymer buffer layers and methods of making same
US6517995B1 (en) * 1999-09-14 2003-02-11 Massachusetts Institute Of Technology Fabrication of finely featured devices by liquid embossing
US6340822B1 (en) * 1999-10-05 2002-01-22 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising vertically nano-interconnected circuit devices and method for making the same
EP1149420B1 (de) * 1999-10-11 2015-03-04 Creator Technology B.V. Integrierter schaltkreis
US6335539B1 (en) * 1999-11-05 2002-01-01 International Business Machines Corporation Method for improving performance of organic semiconductors in bottom electrode structure
US6284562B1 (en) * 1999-11-17 2001-09-04 Agere Systems Guardian Corp. Thin film transistors
US6621098B1 (en) * 1999-11-29 2003-09-16 The Penn State Research Foundation Thin-film transistor and methods of manufacturing and incorporating a semiconducting organic material
US6197663B1 (en) * 1999-12-07 2001-03-06 Lucent Technologies Inc. Process for fabricating integrated circuit devices having thin film transistors
EP1243032B1 (de) 1999-12-21 2019-11-20 Flexenable Limited Mit tintenstrahldruck erzeugte integrierte schaltungen
US6706159B2 (en) 2000-03-02 2004-03-16 Diabetes Diagnostics Combined lancet and electrochemical analyte-testing apparatus
US6441196B2 (en) * 2000-05-19 2002-08-27 Alcon, Inc. Processes and novel intermediates for 11-oxa prostaglandin synthesis
US6329226B1 (en) * 2000-06-01 2001-12-11 Agere Systems Guardian Corp. Method for fabricating a thin-film transistor
DE10033112C2 (de) * 2000-07-07 2002-11-14 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung und Strukturierung organischer Feldeffekt-Transistoren (OFET), hiernach gefertigter OFET und seine Verwendung
JP2004506985A (ja) * 2000-08-18 2004-03-04 シーメンス　アクチエンゲゼルシヤフト 封入された有機電子構成素子、その製造方法および使用
KR20020036916A (ko) * 2000-11-11 2002-05-17 주승기 실리콘 박막의 결정화 방법 및 이에 의해 제조된 반도체소자
KR100390522B1 (ko) * 2000-12-01 2003-07-07 피티플러스(주) 결정질 실리콘 활성층을 포함하는 박막트랜지스터 제조 방법
US20020167003A1 (en) * 2001-04-18 2002-11-14 Campbell Ian H. Chemical and biological sensor using organic self-assembled transitors
US20020170897A1 (en) * 2001-05-21 2002-11-21 Hall Frank L. Methods for preparing ball grid array substrates via use of a laser
US6870180B2 (en) * 2001-06-08 2005-03-22 Lucent Technologies Inc. Organic polarizable gate transistor apparatus and method
JP2003089259A (ja) * 2001-09-18 2003-03-25 Hitachi Ltd パターン形成方法およびパターン形成装置
US7351660B2 (en) * 2001-09-28 2008-04-01 Hrl Laboratories, Llc Process for producing high performance interconnects
US6946332B2 (en) * 2002-03-15 2005-09-20 Lucent Technologies Inc. Forming nanoscale patterned thin film metal layers
US6812509B2 (en) 2002-06-28 2004-11-02 Palo Alto Research Center Inc. Organic ferroelectric memory cells
US6870183B2 (en) * 2002-11-04 2005-03-22 Advanced Micro Devices, Inc. Stacked organic memory devices and methods of operating and fabricating
DE10302149A1 (de) * 2003-01-21 2005-08-25 Siemens Ag Verwendung leitfähiger Carbon-black/Graphit-Mischungen für die Herstellung von low-cost Elektronik
EP1586127B1 (de) * 2003-01-21 2007-05-02 PolyIC GmbH & Co. KG Organisches elektronikbauteil und verfahren zur herstellung organischer elektronik
DE10328811B4 (de) * 2003-06-20 2005-12-29 Infineon Technologies Ag Verbindung zur Bildung einer selbstorganisierenden Monolage, Schichtstruktur, Halbleiterbauelement mit einer Schichtstruktur und Verfahren zur Herstellung einer Schichtstruktur
US7253084B2 (en) * 2004-09-03 2007-08-07 Asm America, Inc. Deposition from liquid sources

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0528662A1 (de) * 1991-08-15 1993-02-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Organischer Feldeffekttransistor
WO2002065557A1 (de) * 2001-02-09 2002-08-22 Siemens Aktiengesellschaft Organischer feldeffekt-transistor mit fotostrukturiertem gate-dielektrikum, ein verfahren zu dessen erzeugung und die verwendung in der organischen elektronik

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
GUNDLACH D J ET AL: "High-mobility, low voltage organic thin film transistors", INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING 1999. TECHNICAL DIGEST (CAT. NO.99CH36318), INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING 1999. TECHNICAL DIGEST, WASHINGTON, DC, USA, 5-8 DEC. 1999, 1999, Piscataway, NJ, USA, IEEE, USA, pages 111 - 114, XP002240948, ISBN: 0-7803-5410-9 *
HOROWITZ G ET AL: "The concept of threshold voltage' in organic field-effect transistors", ADVANCED MATERIALS, 20 AUG. 1998, VCH VERLAGSGESELLSCHAFT, GERMANY, vol. 10, no. 12, pages 923 - 927, XP002240947, ISSN: 0935-9648 *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005175254A (ja) * 2003-12-12 2005-06-30 National Institute Of Advanced Industrial & Technology ドーピング方法およびそれを用いた半導体素子
JP2006090983A (ja) * 2004-09-27 2006-04-06 Univ Of Tokyo 面状素子モジュールおよびその製造方法並びに面状素子装置
JP2006147785A (ja) * 2004-11-18 2006-06-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子デバイスおよびそれを用いた電子機器
JP2006196856A (ja) * 2005-01-15 2006-07-27 Samsung Sdi Co Ltd 薄膜トランジスタ、その製造方法及びそれを備えた平板表示装置
US7671359B2 (en) 2005-01-15 2010-03-02 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film transistor, a method for preparing the same and a flat panel display employing the same

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