WO2003096758A1 - Dispositif electroluminescent et appareil electronique - Google Patents

Dispositif electroluminescent et appareil electronique Download PDF

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WO2003096758A1
WO2003096758A1 PCT/JP2003/005796 JP0305796W WO03096758A1 WO 2003096758 A1 WO2003096758 A1 WO 2003096758A1 JP 0305796 W JP0305796 W JP 0305796W WO 03096758 A1 WO03096758 A1 WO 03096758A1
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light
emitting device
light emitting
semi
reflected
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PCT/JP2003/005796
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Hidekazu Kobayashi
Satoru Miyashita
Original Assignee
Seiko Epson Corporation
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Definitions

  • the present invention relates to a light emitting device and an electronic device used as a portable device such as a mobile phone, a display such as a personal computer or a television, and the like.
  • a portable device such as a mobile phone, a display such as a personal computer or a television, and the like.
  • organic electroluminescence used as a display
  • the principle of the anti-reflection is that, of the light transmitted through the transparent electrode and the EL layer, some light is reflected by the semi-transmissive electrode to become the first reflected light, and the remaining light transmits through the semi-transmissive electrode and passes through the transparent conductive layer Is reflected by the reflective electrode, passes through the semi-transmissive electrode, and emerges as the second reflected light.
  • the first reflected light and the second reflected light interfere with each other, weakening the reflection intensity at the display part. is there. Disclosure of the invention
  • the above-described conventional method for reducing reflection at a display portion requires a transparent conductive layer to adjust the degree of interference, and this transparent conductive layer is made of, for example, indium tin oxide (ITO).
  • ITO indium tin oxide
  • Oxygen is required during the formation of the transparent conductive layer because it is formed, and in the manufacturing process of an organic EL device, ITO must be formed on a metal such as active calcium. No. Therefore, in the above-described conventional method for reducing reflection at a display portion, in a process of forming an ITO film, active metals such as calcium are almost oxidized, and it is very difficult to realize an organic EL device. .
  • An object of the present invention is to provide a light emitting device and an electronic device capable of suppressing reflection at a display portion of an organic EL device and improving display quality. .
  • An electro-optical device includes an organic electroluminescent device including a substrate, a first electrode, a second electrode, and a light emitting layer sandwiched between the substrates.
  • the element includes a semi-reflective film that reflects at least a part of light.
  • the first and second electrodes are a cathode and a cathode, respectively.
  • the transparent electrode and the substrate may be used.
  • a so-called substrate-side emission type organic EL device that emits light is realized.
  • the semi-reflective film is disposed on the substrate side of the light emitting layer.
  • the second electrode is configured to be on the substrate side, and if the second electrode is configured to have light reflectivity and the first electrode is configured to have light transmittance, a transparent A so-called sealing-side emission type organic EL device in which light is emitted from the cathode and the sealing substrate side is realized. In that case, it is necessary to use a light-transmitting substrate as the sealing substrate. Further, it is preferable that the semi-reflective film is arranged on the cathode side of the light emitting layer.
  • the thickness of the light emitting layer is set to a thickness such that the second reflected light reflected by the provided electrode interferes with each other and weakens each other.
  • the thickness of the light emitting layer is adjusted, and the first reflected light reflected by the semi-reflective film and the second reflected light reflected by the cathode after passing through the semi-reflective film and the light emitting layer are adjusted.
  • the reflectance of the semi-reflective film be set so that the first reflected light and the second reflected light have substantially the same intensity.
  • At least one of the first electrode and the second electrode has light reflectivity, and the phase of the first reflected light reflected by the semi-reflective film out of the light incident on the light emitting device, and the light reflectivity
  • the thickness of the light emitting layer is set so that the phase of the second reflected light reflected by the electrode having the phase shifts by about 180 degrees.
  • the first reflected light reflected by the semi-reflective film and the second reflected light reflected by the cathode after passing through the semi-reflective film and the light-emitting layer interfere with each other and weaken each other. It is possible to make the intensity almost “zero”, for example, it is possible to reduce the reflection of external light incident on the pixel opening to almost “zero”.
  • the semi-reflective film may have its reflectance set so that the intensity of the first reflected light and the intensity of the second reflected light are substantially the same (the light-emitting device of the present invention is provided with a light-emitting layer).
  • the third reflected light that is reflected by the semi-reflective film and exits between the pixels and the fourth reflected light that passes through the semi-reflective film and the transparent layer and is reflected by the reflective layer interfere with each other and weaken each other.
  • the thickness of the transparent layer is set so as to match.
  • the semi-reflective film is provided between the pixels, and furthermore, the reflectance of the semi-reflective film is set so that the third reflected light and the fourth reflected light have substantially the same intensity. More preferably, With this configuration, it is possible to greatly reduce the reflection of external light that has entered not only the pixel openings of the light emitting device but also the inter-pixel portion, thereby preventing “reflection” in the light emitting device. And display with higher contrast and higher quality.
  • the pixel further includes a plurality of pixel openings in which a light emitting layer is disposed, an inter-pixel portion formed between the pixel openings, and in which the light emitting layer is not disposed, and a transparent layer and a reflective layer provided in the inter pixel portion.
  • the thickness of the transparent layer is set so that the phase is shifted by about 180 degrees.
  • the semi-reflective film is provided between the pixels, and the reflectance of the semi-reflective film is set so that the third reflected light and the fourth reflected light have substantially the same intensity. Is more preferable.
  • the semi-reflective film transmits about 50% of the light incident on the semi-reflective film and reflects about 50% of the incident light.
  • the semi-reflective film transmits about 50% of the light incident on the semi-reflective film and reflects about 50% of the incident light.
  • the light emitting device of the present invention preferably includes a thin film transistor, and the reflective layer preferably functions as an electrode in the thin film transistor structure.
  • the electrode in the thin film transistor structure functions as a reflective layer, so that the manufacturing process is simplified and the manufacturing cost can be reduced.
  • the semi-reflective film may be formed near one of the first electrode and the second electrode, or the transparent first electrode may be configured so that the electrode also functions as the semi-reflective film. You may.
  • a thin film of calcium (C a), lithium (L i), magnesium (M g), or the like can be used as the first electrode.
  • the first electrode also serving as the semi-reflective film is used as the anode
  • a thin metal such as silver (Ag) or gold (Au) having a high work function is deposited as the first electrode.
  • the light emitting device is connected to the plurality of scanning lines and the plurality of data lines formed in a matrix, the switching means connected to the scanning lines and the data lines, and the switching means. And a pixel electrode.
  • Electronic equipment includes the light emitting device.
  • the light emitting device In this way, it is possible to reduce the reflected light of external light on the display unit of the electronic device, prevent “reflection” on the display unit, and provide a high-contrast, high-quality electronic device. Can be provided.
  • FIG. 1 is a sectional view showing an organic EL device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a sectional view showing an organic EL device according to a second embodiment of the present invention.
  • Figure 3 is a waveform diagram showing a first reflected light the relationship of the second reflected light R 2.
  • FIG. 4 is a circuit diagram showing an active matrix type display device.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating an example of an electronic apparatus including the electro-optical device according to the embodiment.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating an example of an electronic apparatus including the electro-optical device according to the present embodiment.
  • FIG. 7 is a diagram illustrating an example of an electronic apparatus including the electro-optical device according to the embodiment.
  • an organic EL device will be described as an example of the light emitting device according to the present invention, and the light emitting device will be described with reference to the drawings.
  • a semi-reflective film is formed near a transparent electrode in a pair of electrodes (a transparent electrode and a reflective electrode) sandwiching a light-emitting layer, and light reflected by the semi-reflective film and light reflected by the reflective electrode By interfering with light, external light can be reduced from being reflected at the display portion of the organic EL device.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a main part showing an organic EL device according to a first embodiment.
  • the organic EL device 10 is a substrate-side light emitting organic EL device that emits light from the transparent substrate 2 side.
  • the organic EL device 10 is sandwiched between a substrate 2 which is transparent and capable of transmitting light, a cathode (reflection electrode) 7 provided on one surface side of the substrate 2, and an anode (transparent electrode) 8.
  • Organic EL element (light emitting element) 9 comprising a light emitting layer (EL layer) 5 made of an organic electroluminescent material and a hole transporting layer (hole injection layer) 6, and a sealing substrate for sealing the light emitting element 20.
  • the anode 8 is disposed on the substrate 2 side (light-emitting side) of the light-emitting layer 5,
  • the pole 7 is arranged on the sealing substrate 20 side (reflection side) of the light emitting layer 5.
  • a sealing layer (protective layer) laminated between the substrate 2 and the organic EL element 9 is provided.
  • the low refractive index layer is provided on the substrate 2 side of the sealing layer.
  • the low refractive index layer and the sealing layer may not be provided.
  • the sealing substrate 20 and the substrate 2 are bonded with an adhesive layer, and the organic EL element 9 is sealed with the sealing substrate 20 and the adhesive layer.
  • the semi-reflective film 1 is provided between the substrate 2 and the anode 8.
  • the semi-reflective film 1 transmits a part of the incident light (for example, 50% of the incident light) and reflects the remaining light (for example, 50% of the incident light).
  • the reflectance of the semi-reflective film 1 is the external light R incident on the organic EL device 10 from the substrate 2 side.
  • the second reflected light R 2 emitted from the organic EL device 10 after being transmitted through the semi-reflective film 1 and reflected by the cathode 7 may have substantially the same reflectance (or transmittance). preferable.
  • the thickness d of the light-emitting layer 5 in the organic EL device 1 0 includes a phase of the first reflected light R t, that a second reflected light R 2 phase Do and deviate about 1 8 0 degree thickness It is preferred that
  • first reflected light related to the second reflected light R 2 is a light intensity (amplitude) are the same as shown in FIG. 3, and becomes that mutually phase-shifted 1 8 0 degree. Therefore, the first reflected light 1 ⁇ and the second reflected light R 2 interfere, cancel each other, the external light R. incident on the organic EL device 1 0 On the other hand, the reflected light emitted from the organic EL device 10 eventually becomes “zero”.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a main part showing an organic EL device according to a second embodiment.
  • the present organic EL device 10 is a sealing-side light emitting organic EL device that emits light from the sealing substrate 20 using a transparent glass can or the like as the sealing substrate 20.
  • the organic EL device 10 ′ is sandwiched between a substrate 2 ′ made of a transparent or opaque member, and a pair of a cathode (transparent electrode) 7 ′ and an anode (reflection electrode) 8 provided on one side of the substrate 2 ′.
  • the organic EL device (light-emitting device) 9 ′ composed of the light-emitting layer (EL layer) 5 ′ made of the organic EL material and the hole transport layer (hole injection layer) 6 ′, and the light-emitting device are sealed. And a sealing substrate 20.
  • the anode (reflection electrode) 8 ′ is disposed on the substrate 25 side (reflection side) of the light emitting layer 5 ′, and the cathode (transparent electrode) 7 ′ is disposed on the sealing substrate 20 of the light emitting layer 5 ′.
  • a sealing layer (protective layer) is provided between the substrate 2 ′ and the organic EL element 9 (not shown).
  • the low-refractive-index layer is provided on the substrate 2 'side of the sealing layer.
  • the low refractive index layer and the sealing layer need not be provided.
  • the sealing substrate 20 ′ and the substrate 2 ′ are bonded by an adhesive layer, and the organic EL element 9 is sealed by the sealing substrate 20 ′ and the adhesive layer.
  • the semi-reflective film 1 ′ is provided on the light emitting layer 5 ′ on the side of the sealing substrate 20 ′.
  • the semi-reflective film 1 ′ transmits a part of the incident light (for example, 50% of the incident light) and reflects the remaining light (for example, 50% of the incident light).
  • the reflectance of the semi-reflective film 1 ′ is the external light R incident on the organic EL device 10 ′ from the sealing substrate 20 ′ side.
  • the intensity of the emitted second reflected light R 2 ′ be a reflectance (or transmittance) that is substantially the same.
  • the thickness d, of the light-emitting layer 5 ′ in the organic EL device 10 ′ is such that the phase of the first reflected light and the phase of the second reflected light R 2 ′ are shifted by about 180 degrees. It is preferable that the thickness be as small as possible.
  • the first reflected light is related to the second reflected light R 2 ', the same as the relationship of the first reflected light and second reflected light R 2 shown in FIG. That is, the relationship between the first reflected light R and the second reflected light R 2 ′ is such that the light intensity (amplitude) is the same and the phases are mutually shifted by 180 degrees. Therefore, the first reflected light ⁇ ⁇ ′ and the second reflected light R 2 ′ interfere with each other, cancel each other out, and the external light R incident on the organic EL device 10. The reflected light radiated from the organic EL device 10 'with respect to' is eventually “zero”.
  • the external light R that has entered the pixel opening which is the portion having the light emitting layers 5 and 5 ′, of the organic EL devices 10 and 10 ′. , R.
  • the structure that makes the reflected light of '' zero is explained.
  • the organic EL devices 10 and 10 ′ have a pixel opening and a pixel rush portion which does not have the light-emitting layers 5 and 5.
  • the area between the pixels is where the resin banks 3, 3 are formed.
  • a structure for making the reflected light of the external light incident on the inter-pixel portion “zero” will be described next with reference to FIG.
  • the resin bank 3 existing between the pixels of the organic EL device 10 functions as a partition member when the light emitting layer 5 and the hole transport layer (hole injection layer) 6 are formed.
  • This resin puncture 3 is made of, for example, a photosensitive material such as polyimide. It is formed by forming a film of a conductive insulating organic material, curing it after exposure and development.
  • a semi-reflective film, a transparent layer, and a reflective layer are provided between the pixels of the organic EL device 10 of the present embodiment.
  • the semi-reflective film corresponds to the semi-reflective film 1 described in the first embodiment. That is, like the semi-reflective film 1, the semi-reflective film is formed between the substrate 2 and the anode 8, transmits a part of the incident light (for example, 50% of the incident light), and transmits the remaining light (for example, 50%). , 50 percent of the incident light).
  • the transparent layer is a transparent layer disposed on the sealing substrate 20 side of the semi-reflective film.
  • the resin bank 3 may function as a transparent layer, and is formed on the substrate 2 side of the resin bank 3.
  • the reflective layer is a layer having a high reflectance disposed on the substrate 2 side of the transparent layer.
  • a layer functioning as an electrode in a thin film transistor (TFT) structure of the organic EL device 10 may be used.
  • the reflectance of the semi-reflective film is determined by reflecting the semi-reflective film out of the external light (corresponding to the external light R) incident on the pixel portion of the organic EL device 10 from the substrate 2 side.
  • the intensity of the third reflected light (not shown, corresponding to the first reflected light 1 ⁇ ) emitted from 0 and the external light (R.) reflected by the reflective layer after passing through the semi-reflective film, and the organic EL device 1 0 4 reflected light (not shown, corresponding to the first reflected light R 2) emitted from the intensity of is preferably a reflectance is substantially the same (or transmittance).
  • the thickness of the transparent layer, the phase of the third reflected light (corresponding to the first reflected light), the phase of the fourth reflected light (corresponding to the first reflected light R 2) is shifted about 1 8 0 ° It is preferable that the thickness be as follows.
  • the relationship between the third reflected light and the fourth reflected light becomes the same as that between the first reflected light and second reflected light R 2 shown in FIG. That is, the relationship between the third reflected light and the fourth reflected light is such that the light intensity (amplitude) is the same and the phases are mutually shifted by 180 degrees. Therefore, the third reflected light and the fourth reflected light interfere with each other, cancel each other, and are radiated from the inter-pixel portion of the organic EL device 10 with respect to external light incident on the inter-pixel portion of the organic EL device 10. Reflected light eventually becomes “zero”.
  • a black layer may be provided only in the inter-pixel portion.
  • Substrate-side organic EL device ⁇ It can be realized in the same manner.
  • a transparent or translucent material capable of transmitting light for example, transparent glass, quartz, sapphire, or Examples include transparent synthetic resins such as polyester, polyacrylate, polycarbonate, and polyetherketone.
  • inexpensive soda glass is suitably used as a material for forming the substrate 2.
  • the substrate 2 ′ is opaque.
  • a ceramic sheet such as alumina, a metal sheet such as stainless steel, which has been subjected to insulation treatment such as surface oxidation, a thermosetting resin, a thermoplastic resin, or the like can be used.
  • the anode 8 in FIG. 1 is a transparent electrode made of, for example, indium tin oxide (ITO: Indium Tin Oxide) and can transmit light.
  • the hole transport layer (hole injection layer) 6 is made of, for example, a triphenylamine derivative (TPD), a villazolin derivative, an arylamine derivative, a stilbene derivative, a triphenyldiamine derivative, or the like.
  • TPD triphenylamine derivative
  • a villazolin derivative an arylamine derivative
  • a stilbene derivative a triphenyldiamine derivative, or the like.
  • JP-A-63-72057, JP-A-63-175860, JP-A-2-135359, JP-A-135359 No. 6, No. 2-209988, No. 3-37992, No. 3-152,184, etc. are exemplified.
  • Diamine derivatives are preferred, and 4,4'-bis (N (3-methylphenyl) -1-N-pheny
  • a hole injection layer may be formed instead of the hole transport layer, and both the hole injection layer and the hole transport layer may be formed.
  • a material for forming the hole injection layer for example, copper phthalocyanine (CuPc), polyphenylenevinylene as polytetrahydrothiopheninolerefurene, 1,1-bis-one (4-1N, N —Ditolinoleaminopheninole) cyclohexane, tris (8-hydroxyquinoline ⁇ ”) aluminum, etc., and copper phthalocyanine (CuPC) is particularly preferred.
  • the materials for forming the light emitting layers 5 and 5 include low molecular weight organic light emitting dyes and high molecular light emitting materials, that is, light emitting materials such as various fluorescent materials and phosphorescent materials, Alq 3
  • Organic electroluminescent materials such as (aluminum complex) can be used.
  • conjugated polymers used as light emitting substances arylene vinylene is used. Particularly preferred are those containing a polystyrene or polyfluorene structure.
  • low-molecular light emitters include naphthalene derivatives, anthracene derivatives, perylene derivatives, polymethine, xathene, tamarin, and cyanine dyes, metal complexes of 8-hydroquinoline and its derivatives, and aromatics.
  • the cathode 7 is made of an alkaline earth such as aluminum (A 1), lithium (L i), calcium (C a), magnesium (M g), strontium (S r), barium (B a), or ytterbium (Y b)
  • a metal electrode with a low work function such as rare earths such as SUM and gold (Au) and silver (Ag).
  • an electron transport layer or an electron injection layer can be provided between the cathodes 7, 7 'and the light emitting layers 5, 5'.
  • the material for forming the electron transporting layer is not particularly limited, and may be, for example, oxadiazole derivative, anthraquinodimethane, its derivative, benzoquinone and its derivative, naphthoquinone and its derivative, anthraquinone and its derivative, Examples thereof include quinodimethane and its derivatives, fluorenone derivatives, diphenyldicyanoethylene and its derivatives, diphenoquinone derivatives, and metal complexes of 8-hydroxyquinoline and its derivatives.
  • 2- (4-biphenylenyl) -15- (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxaziazol, benzoquinone, anthraquinone, and tris (8-quinolinol) Nol) Aluminum is preferred.
  • the organic EL devices 10 and 10 'of the present embodiment are of an active matrix type, and in practice, a plurality of data lines and a plurality of scanning lines are arranged on the substrates 2, 2' in a grid pattern.
  • the organic EL elements 9 and 9 ′ are connected to each pixel arranged in a matrix form divided into data lines and scanning lines via switching transistors (driving TFs such as driving transistors). ing.
  • the organic EL devices 10 and 10 ′ of the present embodiment have the configuration of the above-described first to third embodiments, so that the reflected light of the external light incident on the pixel openings or the inter-pixel portions is almost zero. It is possible to prevent "reflection" on the display section of the organic EL devices 10 and 10 ', and to achieve high contrast and high quality even when used outdoors.
  • c can be displayed in the organic EL device 1 0, 1 0 'of the present embodiment, it is not necessary to form a transparent conductive layer as a component for obtaining suppress the reflected light of external light, the conventional Compared to the method using a black ⁇ layer, the production becomes extremely easy and the production cost can be greatly reduced.
  • FIG. 4 shows an example in which the organic EL device according to the present embodiment is applied to an active matrix type display device (electro-optical device) using an organic electroluminescent device.
  • the organic EL device S 1 corresponds to the organic EL elements 9 and 9 ′ formed on the substrates 2 and 2 ′ in FIG. 1 or FIG. 2, and is mounted on the substrate as shown in the circuit diagram of FIG.
  • a plurality of scanning lines 13 1, a plurality of signal lines 13 2 extending in a direction intersecting with the scanning lines 13 1, and a plurality of common feed lines 13 extending in parallel with the signal lines 13 2 And 3 are wired, respectively.
  • a pixel (pixel area element) ′ AR is provided at each intersection of the 13 1 and the signal lines 13 2.
  • a data line drive circuit 390 including a shift register, a level shifter, a video line, and an analog switch is provided for the signal line 132.
  • a scanning line driving circuit 380 including a shift register and a level shifter is provided for the scanning line 13 1.
  • a scanning signal is supplied to the gate electrode via the scanning line 131.
  • the scanning line 13 1 is driven and the first transistor 32 2 is turned on, the potential of the signal line 13 2 at that time is held by the holding capacitor ca, and The conduction state of the second transistor 324 is determined according to the state of the storage capacitor cap. Then, a current flows from the common power supply line 13 3 to the pixel electrode 32 3 through the channel of the second transistor 32 4, and furthermore, a current flows to the counter electrode 222 through the light emitting layer 360.
  • the light emitting layer 360 emits light according to the amount of current flowing therethrough.
  • FIG. 5 is a perspective view showing an example of a mobile phone.
  • Reference numeral 1001 denotes a mobile phone main body, and reference numeral 1001 denotes a display unit using the above-described electro-optical device.
  • FIG. 6 is a perspective view showing an example of a wristwatch-type electronic device.
  • reference numeral 110 denotes a watch main body
  • reference numeral 111 denotes a display unit using the above-described electro-optical device.
  • FIG. 7 is a perspective view showing an example of a portable information processing device such as a word processor or a personal computer.
  • reference numeral 1200 denotes an information processing device, and reference numeral 1
  • Reference numeral 202 denotes an input unit such as a keyboard
  • reference numeral 124 denotes an information processing apparatus main body
  • reference numeral 126 denotes a display unit using the above-described electro-optical device.
  • the electronic apparatus shown in FIGS. 5 to 7 includes the electro-optical device of the above-described embodiment, the reflection of external light on the display unit can be reduced to “zero”, and the electronic apparatus can be used outdoors. High quality display with high contrast can be achieved.
  • the manufacturing cost of the display unit can be significantly reduced, the manufacturing cost of the electronic device can be reduced as compared with the conventional one.
  • the organic EL elements 9 and 9 ′ are sealed with an adhesive layer.
  • the cathodes 7 and 7 ′ So-called can sealing, which is a sealing mode in which a cavity is provided on the cathodes 7 and 7 'without providing an adhesive layer thereon, may be used.
  • the desiccant may be arranged in a portion other than the pixel region.
  • the semi-reflective film is arranged near the anode or the cathode in the light emitting device, it is possible to suppress the reflection at the display portion of the light emitting device and to improve the display quality. Can be improved.

Description

明細書
発光装置及び電子機器
技術分野
本発明は、 本発明は、 携帯電話などの携帯機器、 パーソナルコンビュ ータ又はテレビなどのディスプレイとして用いられる発光装置及び電子 機器に関する。 背景技術
従来、 ディスプレイとして用いられる有機エレク トロルミネッセンス
(E L) 装置では、 外光が表示部位で反射するいわゆる映り込みが生じ て、 表示品質の劣化を招いていた。 この映り込みを減らすための方法、 すなわち、 表示部位での反射を減らす方法としては、 ラタセル社 （L u X e 1 1 ：カナダ） においてブラック ' レイァ （B l a c k L a y e r ) という技術が開発されていた。 この従来の技術は、 有機 E L装置の片側 の基板上に透明電極、 E L層、 半透過電極、 透明導電層、 反射電極を設 けるものである。 減反射の原理は、 透明電極、 E L層を透過した光のう ち、 一部の光が半透過電極で反射されて第 1反射光となり、 残りの光は 半透過電極を透過し透明導電層を通過して反射電極で反射され、 半透過 電極越しに出射して第 2反射光となり、 第 1反射光と第 2反射光が干渉 し合って、 表示部位での反射強度を弱めるというものである。 発明の開示
しかしながら、 上記従来の表示部位での反射削減方法では、 干渉の度 合いを調整するために透明導電層を必要とし、 この透明導電層としては ィンジゥム錫酸化物 （ I TO ： Indium Tin Oxide) などで構成するので、 透明導電層の製膜時に酸素を必要とし、 有機 E L装置の製造工程におい ては、 活性なカルシウムなどの金属上に I T Oを製膜しなければならな い。 そこで、 上記従来の表示部位での反射削減方法では、 I T Oを製膜 するプロセスにおいて、 活性なカルシウムなどの金属がほとんど酸化さ れてしまい、 有機 E L装置を実現することが非常に困難であった。
本発明の主題は、 有機 E L装置の表示部位における反射を抑えること ができ、 表示品質を向上させることができる発光装置及ぴ電子機器の提 供である。 .
本発明の電気光学装置は、 基板と、 第 1電極、 第 2電極及びそれらに 挟まれた発光層と、 を含む有機エレク ト口ルミネッセンス素子と、 を具 備してなり、 前記有機エレク トロルミネッセンス素子が、 少なく とも光 の一部を反射する半反射膜を備えることを特徴とする。 このような装置 によれば、 発光装置に入射した光のうち半反射膜で反射して該発光装置 から出射した反射光 （第 1反射光） と、 該入射光のうち半反射膜を透過 した後に陰極などで反射して該発光装置から出射した反射光 （第 2反射 光） とを干渉させて、 相互に弱め合うようにすることが可能となる。
したがって、 本装置によれば、 例えば、 発光装置の画素開口部に入射 した外光の反射光を低減することが可能となり、 発光装置の画素開口部 における 「映り込み」 を防止することができ、 コントラス トの高い高品 質な表示をすることができる。 第 1及び第 2電極はそれぞれ陰極及び陽 極となる。
ここで、 第 2電極が基板側となるように構成し、 そして、 第 2電極が 光透過性を有し、 第 1電極が光反射性を有するように構成すると、 透明 な陽極及ぴ基板から光が出射する、 所謂基板側発光型の有機 E L装置が 実現する。 その場合にあっては、 基板としては光透過性の基板を用いる 必要がある。 また、 半反射膜は、 発光層の基板側に配置されていると好 ましい。
一方、 第 2電極が基板側となるように構成し、 そして、 第 2電極が光 反射性を有し、 第 1電極が光透過性を有するように構成すると、 透明な 陰極及び封止基板側から光が出射する、 所謂、 封止側発光型の有機 E L 装置が実現する。 その場合にあっては、 封止基板としては光透過性の基 板を用いる必要がある。 また、 半反射膜は発光層の陰極側に配置されて いると好ましい。
また、 前記第 1電極及ぴ前記第 2電極のうち少なく とも一方が光反射 性を具備しており、 発光装置に入射する光のうち半反射膜で反射する第 1反射光と、 反射性を具備する電極で反射する第 2反射光とが、 干渉し て互いに弱め合うこととなるような厚さに、 発光層の厚みが設定されて なると好ましい。 このように構成することによって、 発光層の厚さを調 整して、 半反射膜で反射した第 1反射光と、 半反射膜及び発光層を透過 した後に陰極で反射した第 2反射光とを干渉させることができるので、 例えば、 画素開口部に入射した外光の反射を大幅に低減することが可能 となる。 この場合、 半反射膜は、 第 1反射光と第 2反射光の強度が略同 一となるようにその反射率が設定するとよい。
また、 第 1電極及び前記第 2電極のうち少なく とも一方が光反射性を 具備しており、 発光装置に入射する光のうち半反射膜で反射する第 1反 射光の位相と、 光反射性を具備する電極で反射する第 2反射光の位相と が、 約 1 8 0度ずれるよう前記発光層の厚みが設定されてなることを特 徴とする。このような構成によれば、半反射膜で反射した第 1反射光と、 半反射膜及び発光層を透過した後に陰極で反射した第 2反射光とが干渉 して、 相互に弱め合って光強度をほとんど 「ゼロ」 にすることが可能と なり、 例えば、 画素開口部に入射した外光の反射をほとんど 「ゼロ」 に まで低減することが可能となる。 この場合も、 半反射膜は、 第 1反射光 と第 2反射光の強度が略同一となるようにその反射率が設定するとよい ( また、 本発明の発光装置は、 発光層が配置される複数の画素開口部と、 画素開口部間に形成され発光層が配置されない画素間部と、 画素間部に 設けられる透明層及ぴ反射層を更に具備し、 画素間部に入射する光のう ち半反射膜で反射して画素間部から出射する第 3反射光と、 半反射膜及 び透明層を透過し、 反射層で反射される第 4反射光とが、 干渉して互い に弱め合うこととなるよう前記透明層の厚さが設定されてなることを特 徴とする。 その場合、 半反射膜は、 画素間部に設けられてなると好まし く、 更には第 3反射光と第 4反射光の強度が略同一となるように半.反射 膜の反射率が設定されてなること更に好ましい。 このように構成するこ とにより、 発光装置の画素開口部のみならず、 画素間部に入射した外光 の反射をも大幅に低減することが可能となり、 発光装置における 「映り 込み」 を防止することができ、 よりコントラス トの高い高品質な表示を することができる。
また、 発光層が配置される複数の画素開口部と、 画素開口部間に形成 され前記発光層が配置されない画素間部と、 画素間部に設けられる透明 層及び反射層を更に具備し、 画素間部に入射する光のうち半反射膜で反 射して画素間部から出射した第 3反射光の位相と、 半反射膜及び透明層 を透過し、 反射層で反射される第 4反射光の位相とが、 約 1 8 0度ずれ よう前記透明層の厚さが設定されてなることを特徴とする。 この場合に も上記同様、 半反射膜は、 前記画素間部に設けられてなると好ましく、 第 3反射光と第 4反射光の強度が略同一となるように半反射膜の反射率 が設定されてなるとより好ましい。
また、 本発明の発光装置では、 半反射膜は、 該半反射膜に入射した光 のうちの約 5 0パーセントを透過させ、 該入射した光のうちの約 5 0パ 一セントを反射するものからなると好ましい。
また、本発明の発光装置は、薄膜トランジスタを有し、前記反射層は、 前記薄膜トランジスタ構造における電極として機能すると好ましい。 こ のような構成によれば、 薄膜トランジスタ構造における電極が反射層と して機能するので、 製造工程が簡易化され、 製造コス トを低減すること が可能となる。 半反射膜の形成位置としては、 第 1電極と第 2電極のうちいずれか一方 の電極付近に形成してもよいし、 また、 透明な第 1電極が電極が半反射 膜を兼ねるよう構成してもよい。 半反射膜を兼ねる第 1電極を陰極とす る場合には、 第 1電極として例えば、 カルシスム （C a ) 、 リチウム （ L i ) 、 マグネシウム （M g ) などを薄く蒸着して用いることができる、 一方、 半反射膜を兼ねる第 1電極を陽極とする場合には、 第 1電極と し て例えば、 仕事関数の高い金属である銀 （A g ) 、 金 （A u ) などを薄 く蒸着することで、 透明電極になるとともに半反射膜ともなる陽極を形 成することができる。
また本発明の発光装置によれば、 発光装置は、 マトリクス状に形成さ れた複数の走査線及び複数のデータ線と、 走査線とデータ線に接続され たスィツチング手段と、 スィツチング手段に接続された画素電極とを有 することを特徴とする。 このような構成によれば、 アクティブ表示手段 としての発光装置について、 表示部に入射した外光の反射光を低減する ことが可能となり、表示部における「映り込み」 を防止することができ、 コントラス トの高い高品質な表示をすることができ る。
本発明の電子機器は、 前記発光装置を備えたことを特徴とする。 こう すれば、 電子機器の表示部における外光の反射光を低減することが可能 となり、 表示部における 「映り込み」 を防止することができ、 コントラ ス トの高い高品質な表示をする電子機器を提供することができる。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明の第 1実施形態に係る有機 E L装置を示す断面図であ る。
図 2は、 本発明の第 2実施形態に係る有機 E L装置を示す断面図であ る。
図 3は、 第 1反射光 と第 2反射光 R 2の関係を示す波形図である。 図 4は、 アクティブマトリタス型の表示装置を示す回路図である。 図 5は、 本実施形態の電気光学装置を備えた電子機器の一例を示す図 である。
図 6は、 本実施形態の電気光学装置を備えた電子機器の一例を示す図 、ある。
図 7は、 本実施形態の電気光学装置を備えた電子機器の一例を示す図 である。 ， 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明に係る発光装置の一例として有機 E L装置を挙げて、 図 面を参照して説明する。 本有機 E L装置は、 発光層を挟んでいる一対の 電極（透明電極と反射電極）における透明電極付近に半反射膜を形成し、 半反射膜で反射された光と、 反射電極で反射された光とを干渉させるこ とで、 外光が有機 E L装置の表示部位で反射することを低減するもので める。
(第 1実施形態）
本発明の第 1実施形態に係る有機 E L装置について図 1を参照して説 明する。 図 1は、 第 1実施形態に係る有機 E L装置を示す要部断面図で ある。 有機 E L装置 1 0は、 透明な基板 2側から光を発する基板側発光 型の有機 E L装置である。
有機 E L装置 1 0は、 透明であって光を透過可能な基板 2と、 基板 2 の一方の面側に設けられた陰極 （反射電極） 7と、 陽極 （透明電極） 8 と、に挟持された有機エレク トロルミネッセンス材料からなる発光層（E L層） 5 と正孔輸送層 （正孔注入層） 6とからなる有機 E L素子 （発光 素子） 9 と、 その発光素子を封止する封止基板 2 0とを有している。 こ こで、 陽極 8は、 発光層 5の基板 2側 （発光側） に配置されており、 陰 極 7は、発光層 5の封止基板 2 0側（反射側） に配置されている。 また、 基板 2と有機 E L素子 9との間に積層されている封止層 （保護層） とを 備えている。 低屈折率層は封止層より基板 2側に設けられている。 尚、 この低屈折率層及ぴ封止層は設けなくてもよい。 また、 封止基板 2 0と 基板 2は接着層で接着されており、 封止基板 2 0及び接着層によって有 機 E L素子 9が封止されている。 また、 本実施形態の有機 E L装置 1 0 では、 基板 2と陽極 8の間に半反射膜 1を設けている。 半反射膜 1は、 入射光の一部 （例えば、 入射光の 5 0パーセント） を透過させ、 残りの 光 （例えば、 入射光の 5 0パーセント） を反射するものである。
ここで、 半反射膜 1の反射率は、 基板 2側から有機 E L装置 1 0に入 射した外光 R。のうち半反射膜 1で反射して有機 E L装置 1 0から出射 した第 1反射光 1^の強度と、 外光 R。のうち半反射膜 1を透過した後に 陰極 7で反射して有機 E L装置 1 0から出射した第 2反射光 R2の強度 とが、 略同一となる反射率 （又は透過率） であることが好ましい。
さらにまた、 有機 E L装置 1 0における発光層 5の厚さ dは、 第 1反 射光 Rtの位相と、 第 2反射光 R 2の位相とが約 1 8 0度ずれることとな る厚さになっていることが好ましい。
例えば、 外光 R。5 20 [nm] の波長成分を中心とするものであると した場合、発光層 5の厚さ d =R。の波長 4 = 5 2 0/4 = 1 3 0 [n m] とする。
これらにより、 第 1反射光 と第 2反射光 R2の関係は、 図 3に示す ように光強度 （振幅） が同一であり、 且つ、 相互に位相が 1 8 0度ずれ たものとなる。 したがって、 第 1反射光 1^と第 2反射光 R2とは干渉し て、互いに打ち消し合い、有機 E L装置 1 0に入射した外光 R。に対して 有機 E L装置 1 0から放射される反射光は結局 「ゼロ」 となる。
(第 2実施形態）' 次に、 本発明の第 2実施形態に係る有機 E L装置について図 2を参照 して説明する。 図 2は、 第 2実施形態に係る有機 E L装置を示す要部断 面図である。 本有機 E L装置 1 0， は、 封止基板 2 0と して透明なガラ ス缶等を用いて封止基板 2 0側から光を発する封止側発光型の有機 E L 装置である。
有機 E L装置 1 0 ' は、 透明又は不透明な部材からなる基板 2 ' と、 基板 2 ' の一方の面側に設けられ一対の陰極 （透明電極） 7 ' 及び陽極 (反射電極） 8， に挟持された有機エレク ト口ルミネッセンス材料から なる発光層 （E L層） 5 ' と正孔輸送層 （正孔注入層） 6 ' とからなる 有機 E L素子 （発光素子） 9 ' と、 発光素子を封止する封止基板 2 0， とを有している。 ここで、 陽極 （反射電極） 8 ' は、 発光層 5 ' の基板 25 側 （反射側） に配置されており、 陰極 （透明電極） 7 ' は、 発光層 5 ' の封止基板 2 0 ' 側 （発光側） に配置されている。
また、基板 2 ' と有機 E L素子 9， との間に積層されている封止層 （保 護層） とを備えている （図示せず） 。 低屈折率層は封止層より基板 2 ' 側に設けられている。 この低屈折率層及び封止層は設けなくてもよい。 また、 封止基板 2 0 ' と基板 2 ' は接着層で接着されており、 封止基板 20 ' 及ぴ接着層によって有機 E L素子 9， が封止されている。
また、 本実施形態の有機 E L装置 1 0では、 発光層 5 ' の封止基板 2 0 ' 側に半反射膜 1 ' を設けている。 半反射膜 1 ' は、 入射光の一部 （例 えば、 入射光の 5 0パーセント） を透過させ、 残りの光 （例えば、 入射 光の 5 0パーセント） を反射するものである。
ここで、 半反射膜 1 ' の反射率は、 封止基板 2 0 ' 側から有機 E L装 置 1 0 ' に入射した外光 R。' のうち半反射膜 1， で反射して有機 E L装 置 1 0 ' から出射した第 1反射光 の強度と、 外光 R0' のうち半反 射膜 1 ' を透過した後に陽極 8 ' で反射して有機 E L装置 1 0 ' から出 射した第 2反射光 R2' の強度とが、 略同一となる反射率 （又は透過率） であることが好ましい。
さらにまた、 有機 E L装置 1 0 ' における発光層 5 ' の厚さ d， は、 第 1反射光∑ の位相と、 第 2反射光 R2' の位相とが約 1 8 0度ずれ ることとなる厚さになっていることが好ましい。
例えば、 外光 R。5 2 0 [ n m] の波長成分を中心とするものであると した場合、 発光層 5 ' の厚さ d， = R。の波長 /4 = 5 2 0 /4 = 1 3 0 [ n m] とする。
これらにより、 第 1反射光 と第 2反射光 R2' の関係は、 図 3に 示す第 1反射光 と第 2反射光 R2の関係と同様となる。 すなわち、 第 1反射光 R と第 2反射光 R2' の関係は、 光強度 （振幅） が同一であ り、 且つ、 相互に位相が 1 8 0度ずれたものとなる。 したがって、 第 1 反射光 Ι^' と第 2反射光 R2' とは干渉して、 互いに打ち消し合い、 有 機 E L装置 1 0， に入射した外光 R。' に対して有機 E L装置 1 0 ' から 放射される反射光は結局 「ゼロ」 となる。
(第 3実施形態）
上記第 1実施形態及び第 2実施形態では、 有機 E L装置 1 0， 1 0 ' の発光層 5， 5 ' を有する部位である画素開口部に入射した外光 R。， R 。' の反射光を 「ゼロ」 にする構造について説明した。 ところで、 有機 E L装置 1 0， 1 0 ' には、 画素開口部と、 発光層 5， 5， を有さない部 位である画素藺部とがある。 この画素間部は、 樹脂バンク 3， 3， が形 成されている部位である。 そこで、 次に、 画素間部に入射した外光の反 射光を 「ゼロ」 にする構造について、 図 1を参照して説明する。
有機 E L装置 1 0の画素間部に存在する樹脂バンク 3は、 発光層 5及 び正孔輸送層 （正孔注入層） 6などを形成するときの仕切部材として機 能するものである。 この樹脂パンク 3は、 例えば、 ポリイミ ド等の感光 性の絶縁性有機材料を成膜し、 露光、 現像後にキュア （焼成） すること で形成する。
本実施形態の有機 E L装置 1 0の画素間部には、 半反射膜、 透明層及 ぴ反射層を設ける。 ここで、 半反射膜は、 上記第 1実施形態で述べた半 反射膜 1に相当するものである。 すなわち、 半反射膜は、 半反射膜 1 と 同様に、 基板 2と陽極 8の間に形成され、 入射光の一部 （例えば、 入射 光の 5 0パーセント） を透過させ、 残りの光 （例えば、 入射光の 5 0パ 一セント） を反射するものとする。 透明層は、 半反射膜の封止基板 2 0 側に配置された透明な層であり、 例えば、 樹脂バンク 3を透明層として 機能させてもよく、 樹脂バンク 3の基板 2側に形成されている S i 02 を透明層として機能させてもよく、 別に透明層を設けてもよい。 反射層 は、 透明層の基板 2側に配置された反射率の高い層である。 この反射層 は、 有機 E L装置 1 0の T F T (Thin Fi lm Transi stor： 薄膜トランジ スタ） 構造における電極として機能する層を用いてもよい。
ここで、 半反射膜の反射率は、 基板 2側から有機 E L装置 1 0の画素 間部に入射した外光（外光 R。に相当） のうち半反射膜で反射して有機 E L装置 1 0から出射した第 3反射光 （図示せず、 第 1反射光 1^に相当） の強度と、 外光 （R。） のうち半反射膜を透過した後に反射層で反射して 有機 E L装置 1 0から出射した第 4反射光 （図示せず、 第 1反射光 R 2 に相当） の強度とが、 略同一となる反射率 （又は透過率） であることが 好ましい。
また、透明層の厚さは、第 3反射光（第 1反射光 に相当）の位相と、 第 4反射光 （第 1反射光 R 2に相当） の位相とが約 1 8 0度ずれることと なる厚さになっていることが好ましい。
透明層の厚さの具体的な値は、 その透明層を形成する部材の成分など によって異なるが、 例えば、 外光 （R。） が 5 2 0 [ n m ] の波長成分を 中心とするものであるとした場合、透明層の厚さ =R。の波長 Z4 = 5 2 0/4 = 1 3 0 [ n m] とする。
これらにより、 第 3反射光と第 4反射光の関係は、 図 3に示す第 1反 射光 と第 2反射光 R2の関係と同様となる。 すなわち、 第 3反射光と 第 4反射光の関係は、 光強度 （振幅） が同一であり、 且つ、 相互に位相 が 1 8 0度ずれたものとなる。 したがって、 第 3反射光と第 4反射光と は干渉して、 互いに打ち消し合い、 有機 E L装置 1 0の画素間部に入射 した外光に対して有機 E L装置 1 0の画素間部から放射される反射光は 結局 「ゼロ」 となる。
なお、 有機 E L装置の画素間部に半反射膜、 透明層及び反射層を設け る代わりに、 画素間部にのみ、 ブラック ' レイァ （B l a c k L a y e r ) を設けてもよい。
また、 上記第 3実施形態では、 基板側発光型有機 E L装置の画素間部 における反射を低減する構成について説明したが、 封止側発光型有機 E L装置の画素間部における反射を低減する構成も基板側発光型有機 E L 装置 ί:同様にして実現することができる。
(有機 E L装置のその他の構成例）
次に、 図 1又は図 2に示す有機 E L装置 1 , 1 ' の上記以外の具体的 構成例について述べる。
図 1における基板 2側から発光を取り出す基板側発光型有機 E L装置 1の基板 2の形成材料としては、 光を透過可能な透明あるいは半透明材 料、 例えば、透明なガラス、 石英、 サファイア、 あるいはポリエステル、 ポリアクリレート、 ポリカーボネート、 ポリエーテルケトンなどの透明 な合成樹脂などが挙げられる。 特に、 基板 2の形成材料としては、 安価 なソーダガラスが好適に用いられる。 一方、 図 2に示す有機 E L装置 1 ' のように基板 2 ' の反対側 （封止 基板 2 0 ' 側） から発光を取り出す封止側発光型の場合には、 基板 2 ' は不透明であってもよく、 その場合、 アルミナ等のセラミック、 ステン レス等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、 熱硬化性 樹脂、 熱可塑性樹脂などを用いることができる。
図 1における陽極 8は、 ィンジゥム錫酸化物 （ I T O ： Indium Tin Oxide)等からなる透明電極であって光を透過可能である。正孔輸送層（正 孔注入層） 6は、 例えば、 トリフエニルァミ ン誘導体 （T PD) 、 ビラ ゾリ ン誘導体、 ァリールァミ ン誘導体、 スチルベン誘導体、 ト リ フエ二 ルジアミン誘導体等からなる。具体的には、特開昭 6 3— 7 0 2 5 7号、 同 6 3— 1 7 5 8 6 0号公報、 特開平 2— 1 3 5 3 5 9号、 同 2— 1 3 5 3 6 1号、 同 2— 2 0 9 9 8 8号、 同 3— 3 7 9 9 2号、 同 3— 1 5 2 1 8 4号公報に記載されているもの等が例示されるが、 トリフエニル ジァミン誘導体が好ましく、 中でも 4, 4 ' 一ビス （N ( 3—メチルフ ェエル） 一 N—フエエルァミノ） ビフエ-ルが好適とされる。
なお、 正孔輸送層に代えて正孔注入層を形成するようにしてもよく、 さらに正孔注入層と正孔輸送層を両方形成するようにしてもよい。 その 場合、 正孔注入層の形成材料としては、 例えば銅フタロシアニン （C u P c ) や、 ポリテトラヒ ドロチォフエニノレフェュレンであるポリフエ二 レンビニレン、 1， 1一ビス一 (4一 N, N—ジト リノレアミ ノフエ二ノレ) シク ロへキサン、 ト リス （ 8—ヒ ドロキシキノ リ ノー^") アルミニウム 等が挙げられるが、 特に銅フタロシアニン （C u P c ) を用いるのが好 ましい。
発光層 5， 5 ' の形成材料としては、 低分子の有機発光色素や高分子 発光体、 すなわち各種の蛍光物質や燐光物質などの発光物質、 A l q3
(アルミキレ^"ト錯体） などの有機エレク ト口ルミネッセンス材料が使 用可能である。 発光物質となる共役系高分子の中ではァリ一レンビニレ ン又はポリフルオレン構造を含むものなどが特に好ましい。 低分子発光 体では、 例えばナフタレン誘導体、 アントラセン誘導体、 ペリ レン誘導 体、 ポリメチン系、 キサテン系、 タマリン系、 シァニン系などの色素類、 8—ヒ ドロキノ リンおょぴその誘導体の金属錯体、 芳香族ァミン、 テ ト ラフエュルシク口ペンタジェン誘導体等、 または特開昭 5 7— 5 1 7 8 1、 同 5 9— 1 9 4 3 9 3号公報等に記載されている公知のものが使用 可能である。 陰極 7はアルミニウム （A 1 ) やリチウム （L i ) ， カル シゥム （ C a ) , マグネシウム （M g ) , ス トロンチウム （ S r ) , バ リウム （B a ) などのアルカリ土類、 イッテルビウム （Y b) ， サマリ ゥム （Sm) などの希土類、 金 （Au) , 銀 （A g) などの仕事関数の 低い金属電極である。
なお、 陰極 7， 7 ' と発光層 5 , 5 ' の間に、 電子輸送層や電子注入 層を設けることができる。 電子輸送層の形成材料としては、 特に限定さ れることなく、 ォキサジァゾール誘導体、 アントラキノジメタンおょぴ その誘導体、 ベンゾキノンおよびその誘導体、 ナフ トキノンおよびその 誘導体、 アントラキノンおよびその誘導体、 テ トラシァノアンスラキノ ジメタンおょぴその誘導体、 フルォレノン誘導体、 ジフエ-ルジシァノ エチレンおよびその誘導体、 ジフエノキノン誘導体、 8—ヒ ドロキシキ ノリンおよびその誘導体の金属錯体等が例示される。 具体的には、 先の 正孔輸送層の形成材料と同様に、 特開昭 6 3— 7 0 2 5 7号、 同 6 3— 1 7 5 8 6 0号公報、 特開平 2— 1 3 5 3 5 9号、 同 2— 1 3 5 3 6 1 号、 同 2— 2 0 9 9 8 8号、 同 3— 3 7 9 9 2号、 同 3— 1 5 2 1 84 号公報に記載されているもの等が例示され、 特に 2— （4ービフエニリ ノレ） 一 5— ( 4— t一ブチルフエ二ノレ) — 1 , 3 , 4—ォキサジァゾ一 ル、 ベンゾキノン、 アントラキノン、 トリス （8—キノ リ ノール） アル ミ二ゥムが好適とされる。 図示しないが、 本実施形態の有機 E L装置 1 0 , 1 0 ' はアクティブ マトリクス型であり、 実際には複数のデータ線と複数の走査線とが格子 状に基板 2， 2 ' に配置される。 そして、 データ線や走査線に区画され たマトリタス状に配置された各画素毎に、 スィツチングトランジスタゃ ドライビングトランジスタ等の駆動用 T F Τを介して上記の有機 E L素 子 9， 9 ' が接続されている。 そして、 データ線や走査線を介して駆動 信号が供給されると電極間に電流が流れ、 有機 E L素子 9 , 9 ' の発光 層 5， 5 ' が発光して基板 2の外面側又は封止基板 2 0， の外面側に光 が財出され、 その画素が点灯する。
本実施形態の有機 E L装置 1 0， 1 0 ' は、 上記第 1乃至第 3実施形 態の構成とすることにより、 画素開口部又は画素間部に入射した外光の 反射光をほとんど 「ゼロ」 にすることが可能であるので、 有機 E L装置 1 0 , 1 0 ' の表示部における 「映り込み」 を防止することができ、 野 外などで用いてもコ.ントラス トの高い高品質の表示をすることができる c また、 本実施形態の有機 E L装置 1 0， 1 0 ' は、 外光の反射光を抑 えるための構成部材として透明導電層を形成する必要がないので、 従来 のブラック ■ レイァを用いた方法に比べて、 製造が極めて容易となり、 製造コス トを大幅に低減することができる。
図 4は本実施形態に係る有機 E L装置を、 有機エレク ト口ルミネッセ ンス素子を用いたアクティブマトリタス型の表示装置 （電気光学装置） に適用した場合の一例を示すものである。
この有機 E L装置 S 1は、 図 1又は図 2における基板 2， 2 ' 上に形 成された有機 E L素子 9 , 9 ' に相当し、 回路図である図 4に示すよう に基板上に、 複数の走査線 1 3 1 と、 これら走查線 1 3 1に対して交差 する方向に延びる複数の信号線 1 3 2と、 これら信号線 1 3 2に並列に 延びる複数の共通給電線 1 3 3とがそれぞれ配線されたもので、 走査線 1 3 1及ぴ信号線 1 3 2の各交点毎に、 画素 （画素領域素)' A Rが設け られて構成されたものである。
信号線 1 3 2に対しては、 シフ トレジスタ、 レベルシフタ、 ビデオラ イン、 アナログスィツチを備えるデータ線駆動回路 3 9 0が設けられて いる。
—方、 走査線 1 3 1に対しては、 シフ トレジスタ及びレベルシフタを 備える走査線駆動回路 3 8 0が設けられている。 また、 画素領域 の 各々には、 走査線 1 3 1を介して走査信号がゲート電極に供給される第
1の トランジスタ 3 2 2と、 この第 1の トランジスタ 3 2 2を介して信 号線 1 3 2から供給される画像信号を保持する保持容量 c a pと、 保持 容量 c a によって保持された画像信号がゲート電極に供給される第 2 のトランジスタ 3 2 4と、 この第 2のトランジスタ 3 2 4を介して共通 給電線 1 3 3に電気的に接続したときに共通給電線 1 3 3から駆動電流 が流れ込む画素電極 3 2 3と、 この画素電極 （陽極） 3 2 3と対向電極 (陰極） 2 2 2との間に挟み込まれる発光部 （発光層） 3 6 0とが設け られている。
このような構成のもとに、 走査線 1 3 1が駆動されて第 1のトランジ スタ 3 2 2がオンとなると、 そのときの信号線 1 3 2の電位が保持容量 c a に保持され、 該保持容量 c a pの状態に応じて、 第 2のトランジ スタ 3 2 4の導通状態が決まる。 そして、 第 2の トランジスタ 3 2 4の チャネルを介して共通給電線 1 3 3から画素電極 3 2 3に電流が流れ、 さらに発光層 3 6 0を通じて対向電極 2 2 2に電流が流れることにより . 発光層 3 6 0は、 これを流れる電流量に応じて発光するようになる。
(電子機器）
上記実施形態の有機 E L装置 （電気光学装置） を備えた電子機器の例 について説明する。 図 5は、 携帯電話の一例を示した斜視図である。 図 5において、 符号
1 0 0 0は携帯電話本体を示し、 符号 1 0 0 1は上記の電気光学装置を 用いた表示部を示している。
図 6は、 腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。 図 6におい て、 符号 1 1 0 0は時計本体を示し、 符号 1 1 0 1は上記の電気光学装 置を用いた表示部を示している。
図 7は、 ワープロ、 パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示し た斜視図である。 図 7において、 符号 1 2 0 0は情報処理装置、 符号 1
2 0 2はキーボードなどの入力部、 符号 1 2 0 4は情報処理装置本体、 符号 1 2 0 6は上記の電気光学装置を用いた表示部を示している。
図 5から図 7に示す電子機器は、 上記実施形態の電気光学装置を備え ているので、 表示部における外光の反射をほど '「ゼロ」 とすること が可能となり、 野外などで用いてもコントラストの高い高品質の表示を することができる。
また、 表示部の製造コス トを大幅に低減することができるので、 電子 機器の製造コス トを従来のものよりも低減することができる。
なお、 本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、 本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能 であり、 実施形態で挙げた具体的な材料や層構成などはほんの一例に過 ぎず、 適宜変更が可能である。
上記実施形態の有機 E L装置 1 , 1 ' では、 有機 E L素子 9， 9 ' を 接着層で封止する形態としているが、 本発明はこれに限定されるもので はなく、 陰極 7 , 7 ' 上に接着層を設けずに、 陰極 7， 7 ' 上に空洞を 設けた封止形態である所謂缶封止であってもよい。 この缶封止構造の場 合は、 乾燥剤を画素領域以外の部位に配置してもよい。 以上の説明で明らかなように、 本発明によれば、 発光装置において陽 極又は陰極の付近に半反射膜を配置したので、 発光装置の表示部位にお ける反射を抑えることができ、 表示品質を向上させることができる。

Claims

請求の範囲
1 . 発光装置において、
基板と、
第 1電極、 第 2電極及びそれらに挟まれた発光層と、 を含む有機エレ タ トロルミネッセンス素子と、 を具備してなり、
前記有機エレク トロルミネッセンス素子が、 少なく とも光の一部を反 射する半反射膜を備えることを特徴とする発光装置。
2 . 請求項 1に記載の発光装置において、
前記第 1及ぴ第 2電極がそれぞれ陰極及び陽極であることを特徴とす る発光装置。
3 . 請求項 1に記載の発光装置において、
前記第 1電極が光透過性を有するとともに、 前記第 2電極が光反射性 を有することを特徴とする発光装置。
4 . 請求項 1に記載の発光装置において、
前記半反射膜は、 前記発光層の前記基板側に配置されていることを特 徴とする発光装置。
5 . 請求項 1に記載の発光装置において、
前記第 1電極及び前記第 2電極のうち少なく とも一方が光反射性を具 備しており、
前記発光装置に入射する光のうち前記半反射膜で反射する第 1反射光 と、 前記反射性を具備する前記電極で反射する第 2反射光とが、 干渉し て互いに弱め合うこととなるような厚さに、 前記発光層の厚みが設定さ れてなることを特徴とする請求項 1に記載の発光装置。
6 . 請求項 5に記載の発光装置において、
前記半反射膜は、 前記第 1反射光と前記第 2反射光の強度が略同一と なるようにその反射率が設定されてなることを特徴とする発光装置。
7 . 請求項 1に記載の発光装置において、
前記第 1電極及び前記第 2電極のうち少なく とも一方が光反射性を具 備しており、
前記前記発光装置に入射する光のうち前記半反射膜で反射する第 1反 射光の位相と、 前記光反射性を具備する前記電極で反射する第 2反射光 の位相とが、 約 1 8 0度ずれるよう前記発光層の厚みが設定されてなる ことを特徴とする発光装置。
8 . 請求項 7に記載の発光装置において、
前記半反射膜は、 前記第 1反射光と前記第 2反射光の強度が略同一と なるようにその反射率が設定されてなることを特徴とする発光装置。
9 . 請求項 1に記載の発光装置において、
前記半反射膜は、 該半反射膜に入射した光のうちの約 5 0パーセント を透過させ、 該入射した光のうちの約 5 0パーセントを反射するものか らなることを特徴とする発光装置。
1 0 . 請求項 1に記載の発光装置において、
前記発光層が配置される複数の画素開口部と、
前記画素開口部間に形成され前記発光層が配置されない画素間部と. 前記画素間部に設けられる透明層及び反射層を更に具備し、
前記画素間部に入射する光のうち前記半反射膜で反射して該画素間 部から出射する第 3反射光と、 前記半反射膜及び前記透明層を透過し、 前記反射層で反射される第 4反射光とが、 干渉して互いに弱め合うこと となるよう前記透明層の厚さが設定されてなることを特徴とする発光装
1 1 . 請求項 1 0に記載の発光装置において、
前記半反射膜は、 前記画素間部に設けられてなることを特徴とする発
2 求項 0に記載の発光装置において、 前記第 3反射光と前記第 4反射光の強度が略同一となるように前記半 反射膜の反射率が設定されてなることを特徴とする発光装置。
1 3 . 請求項 1に記載の発光装置において、
前記発光層が配置される複数の画素開口部と、
前記画素開口部間に形成され前記発光層が配置されない画素間部と、 前記画素間部に設けられる透明層及ぴ反射層を更に具備し、
前記画素間部に入射する光のうち前記半反射膜で反射して該画素間 部から出射した第 3反射光の位相と、 前記半反射膜及び前記透明層を透 過し、 前記反射層で反射される第 4反射光の位相とが、 約 1 8 0度ずれ よう前記透明層の厚さが設定されてなることを特徴とする請求項 1に記 載の発光装置。
1 4 . 請求項 1 3に記載の発光装置において、
前記半反射膜は、 前記画素間部に設けられてなることを特徴とする発 光装置。
1 5 . 請求項 1 3に記載の発光装置において、
前記第 3反射光と前記第 4反射光の強度が略同一となるように前記半 反射膜の反射率が設定されてなることを特徴とする発光装置。
1 6 . 請求項 1 3に記載の発光装置において、
前記発光装置は、 薄膜トランジスタを有し、 前記反射層は、 前記薄膜 トランジスタ構造における電極として機能することを特徴とする発光装 置。
1 7 . 請求項 1に記載の発光装置において、
前記半反射膜が前記第 1電極と前記第 2電極のうちいずれか一方の電極 付近に形成されてなることを特徴とする発光装置。
1 8 . 請求項 3に記載の発光装置において、
前記第 1電極が、 前記半反射膜兼ねることを特徴とする発光装置。
1 9 . 前記 ¾光装置は、 マ ト リ クス状に形成された複数の走査線及 び複数のデータ線と、 前記走査線とデータ線に接続されたスィツチング 手段と、 前記スィツチング手段に接続された画素電極とを有することを 特徴とする請求項 1に記載の発光装置。
2 0 . 請求項 1に記載の発光装置を備えたことを特徴とする電子機
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