WO2004044572A1 - Ionensensitiver feldeffekttransistor und verfahren zum herstellen eines ionensensitiven feldeffekttransistors - Google Patents

Ionensensitiver feldeffekttransistor und verfahren zum herstellen eines ionensensitiven feldeffekttransistors Download PDF

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WO2004044572A1
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WO
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gate
ion
field effect
effect transistor
sensitive field
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PCT/EP2002/012785
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Eberhard Kurth
Christian Kunath
Heinrich GRÜGER
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Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V.
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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/403—Cells and electrode assemblies
    • G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
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    • G01N27/30—Electrodes, e.g. test electrodes; Half-cells
    • G01N27/333—Ion-selective electrodes or membranes

Definitions

  • the present invention relates to field effect transistors and in particular to ion-sensitive field effect transistors, and to a method for producing the same.
  • Ion-sensitive field effect transistors serve as detection elements, for example when measuring a pH value, measuring ion concentrations or special substance concentrations in solutions of different compositions and conductivities.
  • Areas of application for ion-sensitive field effect transistors for the continuous detection of concentrations are process measurement technology, analysis, industrial process monitoring or environmental monitoring, with measurements typically being carried out in aqueous solutions or organic mixtures. What is particularly important here is high-precision concentration detection and minimal long-term drift of the sensor, in conjunction with an acceptable price.
  • the measurement of ion concentrations in aqueous media is traditionally carried out with glass electrodes both in process measurement technology and in laboratory measurement technology.
  • the glass electrodes can be operated stably in many aggressive media, however their stability in strong alkaline solutions is limited. Furthermore, the use of glass electrodes in hydrofluoric acid is not common. The setting of the measured value is very slow. Glass electrodes require a high proportion of manual work in their manufacture, which makes them expensive. Furthermore, the field of application of glass electrodes is restricted, since they produce splinters if they break. For example, the use of glass electrodes in not possible in food technology, as the fragments that occur when broken represent dangerous foreign bodies in a food. Glass electrodes are preferably used in process measurement technology.
  • the pH measuring system based on glass electrodes is a system with a high impedance due to the necessary glass membrane thickness and is therefore sensitive to environmental disturbances. Therefore, the measuring lines should always be shielded and the distance between the electrodes should be kept to a minimum.
  • ion-sensitive field effect transistors In contrast to glass electrodes, the use of ion-sensitive field effect transistors is a break-proof alternative to ion-sensitive measurement in liquids, so that they can be used in areas where reliable additional requirements are required, such as in food technology.
  • These sensors are also suitable for miniaturization of the measuring system, the production of integrated systems and for cost-effective production and are superior to the conventional glass electrode in these points.
  • Ion-sensitive field effect transistors with a gate made of Si 3 N 4 are only of limited use for the above-mentioned requirements, since the gate made of Si 3 N 4 is subject to a high drift and has low long-term stability. Furthermore, the ion-sensitive field effect transistors with a gate made of Si 3 N 4 cannot be used in aggressive media over a longer period of time.
  • the use of metal oxides as gate material can improve the properties of ion-sensitive field effect transistors in terms of pH sensitivity, long-term stability of photosensitivity and drift.
  • Ion-sensitive field effect transistors with a metal oxide gate also have the disadvantage that they do not have sufficient resistance to basic solutions with higher temperatures and to hydrofluoric acid.
  • temperature treatments of metal oxides are carried out to improve the chemical stability of an ion-sensitive field-effect transistor based on metal oxides. Crystalline modifications are formed, but weak points arise at the grain boundaries, which in turn promote ion diffusion, which can increase drift or deteriorate photosensitivity.
  • DLC amorphous diamond-like carbon
  • Such systems have a very high chemical resistance, especially in hydrofluoric acid.
  • a disadvantage of the use of amorphous diamond-like carbon is, however, that layers made of this material have a high internal stress, which reduce the layer adhesion and can lead to flaking off of the layers and consequently to destruction of the ion-sensitive field effect transistor. Furthermore, phase boundaries can lead to long settling times of the measurement signal. Therefore, these ion-sensitive field effect transistors are not suitable for long-term use in all areas of application.
  • the layer materials used in the prior art require a double-layer system consisting of SiO 2 and the sensitive layer for the production of stable transistors in the channel, in order to achieve a stable interface with silicon with minimal charge centers. Associated with this is an increased production expenditure for the sensor Chips and due to the critical interfaces a reduced yield.
  • the object of the present invention is to provide an inexpensive, safe and long-term stable ion-sensitive field effect transistor and a method for producing the same.
  • the present invention provides an ion sensitive field effect transistor with a metal silicate gate.
  • the present invention also provides a method for producing an ion-sensitive field-effect transistor, comprising the following steps:
  • the present invention is based on the knowledge that an ion-sensitive field-effect transistor with high stability and high sensitivity and low drift with good long-term stability is achieved by using metal silicate as the gate material.
  • the stability and sensitivity to an ion to be detected obtained by using metal silicate as the gate material is comparable to that of metal oxides.
  • An advantage of the ion-sensitive field effect transistor according to the invention is that there is little cross-sensitivity, in particular to alkali ions. Due to the structural properties of the metal silicates, expressed by a larger "band gap" compared to metal oxides, a lower UV light-induced drift is produced.
  • metal silicates or metal silicate compounds especially the silicates of hafnium and zirconium, a high chemical stability of the ion-sensitive field effect transistor is also achieved.
  • the increased chemical stability compared to an ion-sensitive field effect transistor with a gate made of metal oxide results from the high bond strength of the metal silicate, expressed by the free enthalpy and the band gap.
  • the high chemical stability means that sensors with a metal silicate gate have a wide range of applications, for example in pH measurement technology.
  • metal silicates and in particular hafnium silicate, can be used and / or zirconium silicate, as a sensitive layer the otherwise necessary insulator layer Si0 2 is thinned very far under the sensitive layer or can be dispensed with entirely.
  • the manufacture of a stable ion-sensitive field effect transistor using these materials using simple technology is based on the defect-free transition from silicon to metal silicate.
  • the use of metal silicates as gate material also results in good reproducibility of the transistor parameters reached.
  • the reproducibility of the transistor parameters is of crucial importance for the application of the ISFET sensors.
  • the ion-sensitive field effect transistor based on metal silicate can be achieved as an inexpensive, highly stable sensor, for example for use in industrial process measurement technology and in environmental monitoring.
  • the working point of the sensor can be set so that the ion movement in the electrical field is minimized during sensor operation. This further reduces the field-based diffusion of ions into the gate insulator.
  • the transistor parameters determine the operating point position of the sensor and the scatter of the sensor parameters.
  • the basis of homogeneous transistor parameters is the mastery of the isolator interfaces to silicon and, in the case of multiple layers, between the layers. With the possibility of producing single layers, the critical interfaces of multiple layers are eliminated.
  • the only determining interface in the single-layer gate insulator is that of the silicate to silicon. In the case of the metal silicate, this is characterized by the similarity of the atomic bond states of the silicate to the amorphous SiO 2 , which leads to interfaces that are largely stress-free and defect-free.
  • the silicates of zirconium and hafnium are thermodynamically stable in contact with Si0 2 and silicon, so that no silicide formation occurs. This improves both drift and chemical stability.
  • the variability of the metal to silicon ratios in the silicates can produce layers with a crystalline to amorphous structure. The response behavior of the sensors can thus be improved compared to that of the metal oxide ion-sensitive field effect transistors.
  • the ion-sensitive field effect transistor realized in a single-layer structure further reduces the number of sub-steps required in a manufacturing process, as a result of which the manufacturing costs are reduced.
  • the number of interfaces can thus be reduced, with the possibility of executing the layer above the channel in a small thickness. This enables simple and inexpensive production.
  • the formation of the gate from metal silicate on the substrate can be carried out by sputtering or CVD deposition or vapor deposition of the metal silicate, by sputtering or CVD deposition or vapor deposition of a metal with subsequent silicification of the metal or by sputtering or CVD deposition or vapor deposition of a metal subsequent siliconizing of the metal and subsequent oxidation.
  • Annealing to adjust sensor properties or other post-treatment to adjust a structural property of the gate can also be carried out.
  • Annealing can be carried out at temperatures greater than 500 ° C. under an inert atmosphere, such as, for example, under N 2 or noble gases and / or with gas components having an oxidizing action.
  • the structure property of the gate can thereby be set to a predetermined property between amorphous and crystalline.
  • the layer production in semiconductor processes is preferably carried out using a CMOS-compatible technology, ie a planar technology, for example, wherein further circuit elements integrated on the chip, which are used, for example, for recording measurement data, can be generated together with the ion-sensitive field effect transistor.
  • CMOS-compatible technology ie a planar technology
  • a further advantage of the present invention is that the ion-sensitive field-effect transistor according to the invention can be operated in a safe manner, ie without the risk of splinters being broken, which makes it suitable for areas of application which require high operational reliability, such as for example for food technology.
  • the ion-sensitive field effect transistor according to the invention with a gate made of metal silicate is also environmentally compatible, i.e. it can easily be used, for example in food technology.
  • Fig. 1 is a cross-sectional view of an ion-sensitive field effect transistor according to a preferred embodiment of the present invention.
  • the FET 10 comprises a semiconductor substrate 12, for example a silicon substrate.
  • the substrate 12 can be a combination of a carrier substrate and an epitaxial layer applied thereon, in which the active regions of the component are formed.
  • the substrate 12 there is a p + source region 14 and a p + -
  • Drain area 16 formed. Furthermore, a substrate connection region 18 is formed in the substrate 12, which has an n + -
  • the substrate 12 further comprises p + regions 20 and 22, which each serve to form an active bipolar component.
  • the p + -doped region 20 represents a base region of a bipolar transistor 24.
  • the bipolar transistor 24 has an n-doped collector region 26 and an n + -doped emitter region 28, which are each arranged laterally on the base region 20.
  • the p + -doped region 22 and an n-doped region 30 adjoining the same represent a diode as a further bipolar component on the substrate 12.
  • a field oxide layer 32 is formed on a surface of the substrate 12.
  • a gate layer 34 is arranged on the field oxide layer 32 and also extends over a channel region 36 formed between the source region 14 and the drain region 16. A portion of the surface of the substrate 12 above the channel region 36 is exposed, i.e., that it is not covered by the field oxide layer 32. In this exposed area, the gate layer 34, which in this exemplary embodiment is arranged directly on the channel area, forms a gate 38 which has metal silicate according to the invention.
  • metal silicate as the gate material enables the field effect transistor in this exemplary embodiment to be produced with a single layer in the channel region. This means that only the layer of metal silicate is present between the measuring liquid and the channel area.
  • the layer of metal silicate is both the gate insulator and the sensitive layer.
  • a further insulating layer 40 is also formed on the gate layer 34 in the regions of the field oxide layer 32.
  • the field effect transistor 10 further comprises a connection contact 42, for example made of aluminum, which is characterized by the Field oxide layer 32 and the insulating layers 34 and 40 extends and is connected to the drain region 16 and the base region 20.
  • the connection contact 42 comprises a first contact layer 42a and a contact layer 42b arranged above it.
  • the first contact layer 42a provides a good electrical connection to the regions 16 and 20, while the contact layer 42b arranged above ensures good solderability for electrical connections.
  • the ion-sensitive field effect transistor 10 comprises a second connection region 44 with likewise two layers 44a and 44b, which extend through the field oxide layer 32 and the insulating layers 34 and 40, so that the second connection region 44 is connected to the source region 14 and the region 22 is.
  • a third connection region 46 is also connected to the substrate connection region 18.
  • a protective layer 48 is formed over the connection contacts 42, 44 and 46, in order to achieve electrical insulation of the latter from the measurement medium when the ion-sensitive field effect transistor is immersed in a measurement medium. Furthermore, the protective layer 48 provides mechanical protection for the connection contacts 42, 44 and 46.
  • the field effect transistor with a gate 38 made of metal silicate has a higher chemical stability than a gate made of metal oxide due to the high bond strength.
  • the gate 38 made of metal silicate has a high resistance to chemically aggressive substances, so that the ion-sensitive field effect transistor 10 can be operated with great resistance in aggressive chemical media, such as, for example, hydrofluoric acid.
  • the ion-sensitive field effect transistor according to the invention is characterized by high long-term stability and low drift.
  • a single-layer gate structure is used, ie the gate layer 34, which forms the gate 38 in the channel region 36, is both the gate insulator and the sensitive layer.
  • Hafnium silicate and / or zirconium silicate is preferably used as the material for forming the gate layer 34, since they are distinguished by a particularly high chemical stability.
  • silicates also eliminates the disadvantageous properties of increased drift and low sensitivity to light generated by the temperature treatments, particularly in the case of ion-sensitive field effect transistors with a metal oxide gate.
  • the ion-sensitive field-effect transistor according to the invention is preferably produced in a CMOS process, as a result of which the same can be produced inexpensively.
  • CMOS process CMOS process
  • several ion-sensitive field effect transistors are manufactured in a wafer assembly on 150 mm semiconductor wafers.
  • chips which for example have an area of approximately 4 mm ⁇ 4 mm, are individually attached to circuit boards and electrically contacted.
  • a chip is then transferred to a suitable structure.
  • a measuring system in which the ion-sensitive field effect transistor is installed represents an immersion sensor that can be used, for example, to measure a pH value in industrial waste water.
  • the gate layer made of metal silicate is produced by sputtering the metal, the metal oxide or the metal silicate in an oxygen-Si x H y atmosphere or by CVD deposition.
  • a temperature treatment can then be carried out at temperatures that are higher than 500 ° C, which can be carried out under an inert atmosphere or with oxidizing gas components.
  • an ion concentration measurement is performed using the ion sensitive field effect transistor.
  • the field effect transistor 10 is brought into contact with a measuring liquid, which can be an aqueous solution, for example.
  • a measuring liquid which can be an aqueous solution, for example.
  • a reference electrode 50 which may consist of Ag / AgCl / KC1, for example, is also introduced into the measuring medium.
  • a drain-source current I D s is effected via a voltage source 52 which is connected to the connection contacts 42 and 44 in order to apply an electrical voltage U ds between the source region 14 and the drain region 16.
  • the connection contact 18 is at a reference potential 54, for example ground.
  • an electrical voltage is formed between the reference electrode 50 and the gate 38, which voltage depends on an ion concentration of the measuring medium.
  • the voltage source 52 is designed to control the drain-source voltage such that a constant drain-source current always flows.
  • the gate potential is consequently determined and set by the constant drain-source current when the ion concentration changes. If the ion concentration of the measuring medium changes, the potential of the reference electrode 50 with respect to ground changes due to the changing electrical voltage between the reference electrode 50 and the gate 38.
  • the voltage U Gs present between the source and the reference electrode 50 represents a measured variable which of depends on an ion concentration of the measuring medium, whereby the concentration of the measuring medium can be determined by tapping the voltage U G s.
  • the present invention is not restricted to this, but also includes field-effect transistors with n-substrate, p-source region and p-Drairi area.

Abstract

Ein ionensensitiver Feldeffekttransistor weist ein Gate (38) auf, das aus Metallsilikat besteht. Das Gate (38) aus Metallsilikat liefert eine hohe Beständigkeit gegenüber aggressiven Messsubstanzen und weist ferner eine hohe Langzeitstabilität auf. Das Gate (38) desionensensitiven Feldeffekttransistors kann ein Einschicht-Gate umfassen, wobei das Gate (38) direkt auf dem Kanalbereich (36) angeordnet ist.

Description

IONENSENSITIVER FELDEFFEKTTRANSISTOR UND
VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES
IONENSENSITIVEN FELDEFFEKTTRANSISTORS
Beschreibung
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Feldeffekttransistoren und insbesondere auf ionensensitive Feldeffekttransistoren, sowie auf ein Verfahren zum Herstellen der- selben.
Ionensensitive Feldeffekttransistoren (ISFET) dienen als Erfassungselemente beispielsweise bei einer Messung eines pH-Wertes, einer Messung von Ionenkonzentrationen oder spe- ziellen Stoffkonzentrationen in Lösungen unterschiedlicher Zusammensetzung und Leitfähigkeiten. Anwendungsgebiete von ionensensitiven Feldeffekttransistoren zum kontinuierlichen Nachweis von Konzentrationen sind die Prozessmesstechnik, die Analytik, die industrielle Prozessüberwachung oder die Umweltüberwachung, wobei Messungen typischerweise in wäss- rigen Lösungen oder organischen Mischungen durchgeführt werden. Dabei kommt es insbesondere auf eine hochpräzise Konzentrationserfassung und eine minimale Langzeitdrift des Sensors, in Verbindung mit einem akzeptablen Preis, an.
Die Messungen von Ionenkonzentrationen in wässrigen Medien werden traditionell mit Glaselektroden sowohl in der Prozessmesstechnik als auch in der Labormesstechnik durchgeführt. In vielen aggressiven Medien können die Glaselektro- den stabil betrieben werden, jedoch ist die Stabilität derselben in starken alkalischen Lösungen eingeschränkt. Ferner ist ein Einsatz von Glaselektroden in Flusssäure ungebräuchlich. Das Einstellen des Messwerts geschieht sehr langsam. Glaselektroden erfordern bei deren Herstellung ei- nen hohen Anteil von Handarbeit, wodurch dieselben teuer sind. Ferner ist das Anwendungsgebiet von Glaselektroden eingeschränkt, da dieselben bei einem Bruch Splitter erzeugen. Beispielsweise ist ein Einsatz von Glaselektroden in der Lebensmitteltechnik nicht möglich, da die bei einem Bruch entstehenden Splitter gefährliche Fremdkörper in einem Lebensmittel darstellen. Glaselektroden werden vorzugsweise in der Prozessmesstechnik eingesetzt.
Ferner besteht aus technischen Gründen, insbesondere weil ein entsprechend großes Innenpuffervolumen bei einer ausreichend ausgelegten Innenableitung, meist eine Ag/AgCl- Anordnung, analog einer Bezugselektrode erforderlich ist, keine Möglichkeit der effizienten Miniaturisierung der Glaselektroden. Bei einem ionensensitiven Feldeffekttransistor entfällt der Innenpuffer und dieses zweite Ableitungs- system.
Darüber hinaus ist das auf Glaselektroden basierende pH- Messsystem aufgrund der notwendigen Glasmembrandicke ein System mit einer hohen Impedanz und damit auf Umweltstörungen empfindlich. Deshalb sollten die Messleitungen stets geschirmt sein und der Abstand der Elektroden minimal gehalten werden.
Im Gegensatz zu den Glaselektroden stellt die Verwendung von ionensensitiven Feldeffekttransistoren eine bruchsichere Alternative zur ionensensitiven Messung in Flüssigkeiten dar, so dass dieselben in Bereichen, bei denen betriebssichere Zusatzanforderungen verlangt sind, wie beispielsweise in der Lebensmitteltechnik, eingesetzt werden können. Die Anwendung der ionensensitiven Feldeffekttransistoren für die Ionenkonzentrationsmessung, insbesondere zur Messung des pH-Werts ist seit langem bekannt, siehe beispielsweise P. Bergveld, IEEE Trans . Bio ed. E17 (1979), S.70. Diese Sensoren sind ferner für die Miniaturisierung des Messsystems, die Herstellung integrierter Systeme und für eine kostengünstige Fertigung geeignet und in diesen Punkten der kon- ventionellen Glaselektrode überlegen.
Typischerweise wird bei einer Messung mit einem ionensensitiven Feldeffekttransistor dessen Gate in Berührung mit dem Messfluid gebracht. Eine Potenzialänderung an dem Gate, die durch eine Änderung einer Ionenkonzentration in dem Messfluid erzeugt wird, führt zu einem Messsignal. Da bei der Messung das Gate direkt mit der Messflüssigkeit in Berührung kommt, müssen für den Einsatzbereich in aggressiven Medien, wenn eine hohe Langzeitstabilität und/oder wenn eine geringe Drift erforderlich ist, Gatematerialien eingesetzt werden, die über längere Zeiten widerstandsfähig gegen das jeweilige Messmedium sind.
Zur Herstellung Wasserstoffionenempfindlicher Schichten wurden bereits verschiedene Materialien, wie Si3N4, A12N3, Zr02, Ta2θ5 und Diamant-ähnlicher Kohlenstoff (DLC= Diamond like Carbon) untersucht. Beschreibungen derartiger Sensoren finden sich beispielsweise in Van der Schoot et.al, Sensors & Actuators 4 (1983), S. 267, D. Sobczynska et al., Sensors & Actuators 6 (1984), S 93, M. Klein et al., VDI-Berichte 509 (1983), S. 275 und T. Sakai et al., Internat. Electron Devices Meeting, Techn. Digest (1987), S. 711.
Ionensensitive Feldeffekttransistoren mit einem Gate aus Si3N4 eignen sich für einen Einsatz bei den oben genannten Anforderungen nur bedingt, da das Gate aus Si3N4 einer hohen Drift unterworfen ist und eine geringen Langzeitstabi- lität aufweist. Ferner sind die ionensensitiven Feldeffekttransistoren mit einem Gate aus Si3N4 in aggressiven Medien nicht über einen längeren Zeitraum einsetzbar.
Verglichen mit Si3N4 als Gatematerial können durch die Ver- wendung von Metalloxiden als Gatematerial verbesserte Eigenschaften von ionensensitiven Feldeffekttransistoren hinsichtlich einer pH-Empfindlichkeit, einer Langzeitstabilität einer Lichtempfindlichkeit und einer Drift erreicht werden.
Aufgrund der kristallinen Struktur der Metalloxide nach Temperaturbelastungen sind die Einschwingzeiten dieser Sensoren gegenüber den ionensensitiven Feldeffekttransistoren aus normalerweise amorphen Si3N größer. Ionensensitive Feldeffekttransistoren mit einem Metalloxid-Gate weisen ferner den Nachteil auf, dass dieselben gegenüber basischen Lösungen mit höheren Temperaturen und gegenüber Flusssäure keine ausreichende Beständigkeit aufweisen. Ferner wird im Stand der Technik Temperaturbehandlungen von Metalloxiden zur Verbesserung der chemischen Stabilität eines ionensensitiven Feldeffekttransistors auf Metalloxid-Basis durchgeführt. Dabei werden kristalline Modifikationen gebildet, wobei jedoch an den Korngrenzen Schwachstellen entstehen, die wiederum Ioneneindiffusionen begünstigen, die eine Drift erhöhen oder die Lichtempfindlichkeit verschlechtern können.
In neueren Entwicklungen werden ionensensitive Feldeffekttransistoren verwendet, bei denen als Gatematerial amorpher diamantartiger Kohlenstoff (DLC; DLC = „diamond like car- bon ) verwendet wird, der einen hohen Anteil an sp3 hybridisierten Kohlenstoff-Bindungen aufweist. Derartige Systeme weisen eine sehr hohe chemische Beständigkeit auf, insbesondere in Flusssäure. Ein Nachteil der Verwendung von a- morphen diamantartigem Kohlenstoff besteht jedoch darin, dass Schichten aus diesem Material eine hohe Eigenspannung aufweisen, die die Schichthaftung vermindern und zu einem Abplatzen der Schichten und folglich zu einer Zerstörung des ionensensitiven Feldeffekttransistors führen können. Des weiteren können Phasengrenzen zu langen Einschwingzeiten des Messsignals führen. Daher sind diese ionensensitiven Feldeffekttransistoren für eine langzeitliche Verwen- düng in allen Einsatzbereichen nicht geeignet.
Die im Stand der Technik verwendeten Schichtmaterialien erfordern für die Herstellung stabiler Transistoren im Kanal ein Doppelschichtsystem, bestehend aus Si02 und der sensi- tiven Schicht, um eine stabile mit minimalen Ladungszentren versehen Grenzfläche zum Silizium zu erreichen. Damit verbunden ist ein erhöhter Produktionsaufwand für die Sensor- Chips und aufgrund der kritischen Grenzflächen eine verringerte Ausbeute.
Ausgehend von diesem Stand der Technik besteht die Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, einen preisgünstigen, sicheren und langzeitlich stabilen ionensensitiven Feldeffekttransistor und ein Verfahren zum Herstellen desselben zu schaffen.
Diese Aufgabe wird durch einen ionensensitiven Feldeffekttransistor nach Anspruch 1 und ein Verfahren nach Anspruch 6 gelöst.
Die vorliegende Erfindung schafft einen ionensensitiven Feldeffekttransistor mit einem Gate aus Metallsilikat.
Ferner schafft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Herstellen eines ionensensitiven Feldeffekttransistors mit folgenden Schritten:
Bereitstellen eines Substrats mit einem Sourcebereich (14) und einem Drainbereich; und
Erzeugen eines Gates aus Metallsilikat auf dem Substrat.
Die vorliegende Erfindung basiert auf der Erkenntnis, dass ein ionensensitiver Feldeffekttransistor mit einer hohen Stabilität und hoher Empfindlichkeit sowie einer geringen Drift bei einer guten Langzeitstabilität erreicht wird, in- dem als Gate-Material Metallsilikat verwendet wird. Die durch die Verwendung von Metallsilikat als Gate-Material erhaltene Stabilität und Empfindlichkeit gegenüber einem zu detektierenden Ion ist dabei zu denjenigen von Metalloxiden vergleichbar .
Ein Vorteil des erfindungsgemäßen ionensensitiven Feldeffekttransistors besteht darin, dass eine geringe Querempfindlichkeit, insbesondere gegenüber Alkaliionen, vorliegt. Aufgrund der Struktureigenschaften der Metallsilikate, ausgedrückt durch einen größeren „band gap" verglichen mit Metalloxiden, wird eine geringere UV-Licht-induzierte Drift hervorgerufen.
Durch die Verwendung von Metallsilikaten oder Metallsilikat-Verbindungen, speziell die Silikate von Hafnium und Zirkonium, wird ferner eine hohe chemische Stabilität des ionensensitiven Feldeffekttransistors erreicht.
Die erhöhte chemische Stabilität gegenüber einem ionensensitiven Feldeffekttransistor mit einem Gate aus Metalloxid ergibt sich dabei aufgrund der hohen Bindungsfestigkeit des Metallsilikats, ausgedrückt durch die freie Enthalpie und den Bandgapabstand.
Durch die hohe chemische Stabilität steht für Sensoren mit Metallsilikat-Gate ein breiter Einsatzbereich, beispiels- weise in der pH-Messtechnik, zur Verfügung.
Im Unterschied zu den bekannten ionensensitiven Feldeffekttransistoren mit einem Gate aus Si3N4, Metalloxid oder diamantartigem Kohlenstoff, bei denen eine Doppelschichtstruk- tur im Transistorkanal mit einer isolierenden Schicht und einer sensitiven Schicht erforderlich ist, kann beim Einsatz von Metallsilikaten, und insbesondere von Hafniumsilikat und/oder Zirkoniumsilikat, als sensitive Schicht die sonst notwendige Isolatorschicht Si02 unter der sensitiven Schicht sehr weit abgedünnt oder ganz auf diese verzichtet werden. Die Fertigung eines stabilen ionensensitiven Feldeffekttransistors mit diesen Materialien nach der einfachen Technologie beruht auf dem störstellenfreien Übergang von Silizium zu Metallsilikat.
Ferner wird durch die Verwendung von Metallsilikaten als Gate-Material neben den verbesserten Sensoreigenschaften auch eine gute Reproduzierbarkeit der Transistorparameter erreicht. Die Reproduzierbarkeit der Transistorparameter ist für die Anwendung der ISFET-Sensoren von entscheidender Bedeutung. Dadurch kann der ionensensitive Feldeffekttransistor auf Metallsilikat-Basis als ein preiswerter hochsta- biler Sensor beispielsweise für einen Einsatz in der industriellen Prozessmesstechnik und in der Umweltüberwachung erreicht werden.
Ferner kann bei Einhaltung der chemischen Stabilität der sensitiven Schicht der Arbeitspunkt des Sensors so gelegt werden, dass die Ionenbewegung im elektrischen Feld während des Sensorbetriebs minimiert wird. Dies verringert ferner die feldgestützte Eindiffusion von Ionen in den Gate- Isolator. Das Ausführungsbeispiel mit einem Einschichtauf- bau über dem Kanal ermöglicht einen reproduzierbaren, ohne störende Grenzfläche behafteten Sensor, der eine minimale Einschwingdauer aufweist.
Die Transistorparameter bestimmen die Arbeitspunktlage des Sensors und die Streuung der Sensorparameter. Die Grundlage von homogenen Transistorparametern ist die Beherrschung der Isolatorgrenzflächen zum Silizium und bei Mehrfachschichten zwischen den Schichten. Mit der Möglichkeit der Herstellung von Einfachschichten entfallen somit die kritischen Grenz- flächen von Mehrfachschichten. Die im Einschichtgate- Isolator ausschließlich bestimmende Grenzfläche ist die des Silikats zum Silizium. Diese ist bei dem Metallsilikat durch die Ähnlichkeit der atomaren Bindungszustände des Silikats mit dem amorphen Si02 gekennzeichnet, was zu wei- testgehend spannungs- und defektfrei ausgebildeten Grenzflächen führt.
Andererseits sind die Silikate des Zirkoniums und des Hafniums in Kontakt mit Si02 und Silizium thermodynamisch sta- bil, so dass keine Silizidbildung eintritt. Damit werden sowohl die Drift als auch die chemische Stabilität verbessert . Darüber hinaus können durch die Variierbarkeit der Verhältnisse des Metalls zum Silizium in den Silikaten Schichten mit kristalliner bis amorpher Struktur erzeugt werden. Damit kann das Ansprechverhalten der Sensoren verglichen mit demjenigen der metalloxidischen ionensensitiven Feldeffekttransistoren verbessert werden.
Der in einem Einschichtaufbau realisierte ionensensitive Feldeffekttransistor reduziert ferner die erforderliche Teilschrittanzahl bei einem Herstellungsprozess, wodurch die Herstellungskosten gesenkt werden.
Bei diesem Ausführungsbeispiel kann somit die Grenzflächenzahl verringert werden, wobei die Möglichkeit besteht, die Schicht über dem Kanal in einer geringen Dicke auszuführen. Dadurch wird eine einfache und preisgünstige Herstellung erreicht.
Das Erzeugen des Gates aus Metallsilikat auf dem Substrat kann durch ein Sputtern oder CVD-Abscheiden oder Dampfen des Metallsilikats, durch ein Sputtern oder CVD-Abscheiden oder Dampfen eines Metalls mit nachfolgendem Silikatisieren des Metalls oder ein Sputtern oder CVD-Abscheiden oder Dampfen eines Metalls mit nachfolgendem Silizieren des Me- talls und nachfolgendem Oxidieren erfolgen.
Ferner kann ein Tempern zum Einstellen von Sensoreigenschaften oder ein sonstiges Nachbehandeln zum Einstellen einer Struktureigenschaft des Gates durchgeführt werden. Das Tempern kann bei Temperaturen größer als 500° C unter Inert-Atmosphäre, wie beispielsweise unter N2 oder Edelgasen und/oder mit oxidierend wirkenden Gaskomponenten durchgeführt werden kann. Die Struktureigenschaft des Gates kann dadurch auf eine vorbestimmte Eigenschaft zwischen amorph und kristallin eingestellt werden.
Vorzugsweise wird die Schichtherstellung in Halbleiterprozessen mittels einer CMOS-kompatiblen Technik, d.h. bei- spielsweise einer Planartechnik, durchgeführt, wobei weitere, auf dem Chip integrierte Schaltungselemente, die beispielsweise zur Erfassung von Messdaten verwendet werden, zusammen mit dem ionensensitiven Feldeffekttransistor er- zeugt werden können. Dadurch wird eine preiswerte Herstellung erreicht. Ein weiterer Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, dass der erfindungsgemäße ionensensitive Feldeffekttransistor auf eine sichere Weise, d.h. ohne die Gefahr eines Erzeugens von Splittern bei einem Zerbre- chen, betrieben werden kann, wodurch er sich für Einsatzbereiche, die eine hohe Betriebssicherheit erfordern, wie beispielsweise für die Lebensmitteltechnik, eignet.
Der erfindungsgemäße ionensensitive Feldeffekttransistor mit einem Gate aus Metallsilikat ist ferner umweltverträglich, d.h., dass ein Einsatz, beispielsweise in der Lebensmitteltechnik, ohne weiteres möglich ist.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung näher erläutert. Es zeigt:
Fig. 1 eine Querschnittdarstellung eines ionensensitiven Feldeffekttransistors gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.
Fig. 1 zeigt einen ionensensitiven Feldeffekttransistor (FET) gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Der FET 10 umfasst ein Halbleiter-Substrat 12, beispielsweise ein Siliziumsubstrat. Bei dem Substrat 12 kann es sich um eine Kombination aus einem Trägersubstrat und einer darauf aufgebrachten Epitaxieschicht handeln, in der die aktiven Bereiche des Bauelements gebildet werden.
In dem Substrat 12 ist ein p+-Source-Bereich 14 und ein p+-
Drain-Bereich 16 gebildet. In dem Substrat 12 ist ferner ein Substratanschlussbereich 18 gebildet, der eine n+-
Dotierung zum Bilden eines Ohmschen Kontakts aufweist. Das Substrat 12 umfasst ferner p+-Bereiche 20 und 22, die jeweils zum Bilden eines aktiven Bipolar-Bauelements dienen. Der p+-dotierte Bereich 20 stellt einen Basisbereich eines Bipolar-Transistors 24 dar. Der Bipolar-Transistor 24 weist einen n-dotierten Kollektorbereich 26 und einen n+- dotierten Emitterbereich 28 auf, die jeweils seitlich an dem Basisbereich 20 angeordnet sind.
Ferner stellt der p+-dotierte Bereich 22 und ein an denselben angrenzender n-dotierter Bereich 30 eine Diode als ein weiteres Bipolar-Bauelement auf dem Substrat 12 dar.
Auf einer Oberfläche des Substrats 12 ist eine Feldoxid- schicht 32 gebildet. Auf der Feldoxidschicht 32 ist eine Gate-Schicht 34 angeordnet, die sich ferner über einen zwischen dem Source-Bereich 14 und dem Drain-Bereich 16 gebildeten Kanalbereich 36 erstreckt. Ein Abschnitt der Oberfläche des Substrats 12 oberhalb des Kanalbereichs 36 liegt frei, d.h., dass derselbe nicht durch die Feldoxidschicht 32 bedeckt ist. In diesem freiliegenden Bereich ist durch die Gate-Schicht 34, die bei diesem Ausführungsbeispiel direkt auf dem Kanalbereich angeordnet ist, ein Gate 38 gebildet, das erfindungsgemäß Metallsilikat aufweist.
Die Verwendung von Metallsilikat als Gate-Material ermöglicht, dass der Feldeffekttransistor bei diesem Ausführungsbeispiel mit einer Einfach-Schicht im Kanalbereich hergestellt werden kann. Das heißt, dass zwischen der Mess- flüssigkeit und dem Kanalbereich lediglich die Schicht aus Metallsilikat vorhanden ist. Dabei ist die Schicht aus Metallsilikat sowohl der Gate-Isolator als auch die sensitive Schicht.
Auf der Gate-Schicht 34 ist ferner in den Bereichen der Feldoxidschicht 32 eine weitere isolierende Schicht 40 gebildet. Der Feldeffekttransistor 10 umfasst ferner einen Anschlusskontakt 42, z.B. aus Aluminium, der sich durch die Feldoxidschicht 32 und die isolierenden Schichten 34 und 40 erstreckt und mit dem Drain-Bereich 16 und dem Basisbereich 20 verbunden ist. Der Anschlusskontakt 42 umfasst eine erste Kontaktschicht 42a und eine darüber angeordnete Kon- taktschicht 42b. Die erste Kontaktschicht 42a liefert eine gute elektrische Verbindung mit den Bereichen 16 und 20, während die darüber angeordnete Kontaktschicht 42b eine gute Lötbarkeit für elektrische Anschlüsse sicherstellt.
Ferner umfasst der ionensensitive Feldeffekttransistor 10 einen zweiten Anschlussbereich 44 mit ebenfalls zwei Schichten 44a und 44b, die sich durch die Feldoxidschicht 32 und die isolierenden Schichten 34 und 40 erstrecken, so dass der zweite Anschlussbereich 44 mit dem Source-Bereich 14 und dem Bereich 22 verbunden ist.
Ein dritter Anschlussbereich 46 ist ferner mit dem Substratanschlussbereich 18 verbunden.
Über den Anschlusskontakten 42, 44 und 46 ist eine Schutzschicht 48 gebildet, um bei einem Eintauchen des ionensensitiven Feldeffekttransistors in ein Messmedium eine elektrische Isolierung derselben gegenüber dem Messmedium zu erreichen. Ferner liefert die Schutzschicht 48 einen mecha- nischen Schutz für die Anschlusskontakte 42, 44 und 46.
Der Feldeffekttransistor mit einem Gate 38 aus Metallsilikat weist aufgrund der hohen Bindungsfestigkeit eine verglichen mit einem Gate aus Metalloxid höhere chemische Sta- bilität auf. Dadurch weist das Gate 38 aus Metallsilikat eine hohe Widerstandsfähigkeit gegenüber chemisch aggressiven Substanzen auf, so dass der ionensensitive Feldeffekttransistor 10 in aggressiven chemischen Medien, wie beispielsweise Flusssäure, mit großer Beständigkeit betrieben werden kann. Ferner zeichnet sich der erfindungsgemäße ionensensitive Feldeffekttransistor durch eine hohe Langzeitstabilität und geringe Drift aus. Bei dem oben beschriebenen Feldeffekttransistor 10 wird ein Einschicht-Gate-Aufbau verwendet, d.h. die Gate-Schicht 34, die in dem Kanalbereich 36 das Gate 38 bildet, ist sowohl der Gate-Isolator als auch die sensitive Schicht.
Vorzugsweise wird zur Bildung der Gate-Schicht 34 als Material Hafniumsilikat und/oder Zirkoniumsilikat verwendet, da sich dieselben durch eine besonders hohe chemische Stabilität auszeichnen.
Mit der Verwendung von Silikaten werden ferner die besonders bei ionensensitiven Feldeffekttransistoren mit Metalloxid-Gate durch die Temperaturbehandlungen erzeugten nachteiligen Eigenschaften einer erhöhten Drift und gerin- gen Lichtempfindlichkeit behoben.
Vorzugsweise wird der erfindungsgemäße ionensensitive Feldeffekttransistor in einem CMOS-Prozess hergestellt, wodurch ein preisgünstiges Herstellen desselben ermöglicht ist. Ty- pischerweise werden dabei mehrere ionensensitive Feldeffekttransistoren in einem Waferverbund auf 150 mm Halblei- terwafern gefertigt. Daraufhin werden Chips, die beispielsweise eine Fläche von etwa 4 mm x 4 mm umfassen, vereinzelt auf Platinen befestigt und elektrisch kontaktiert. Zum Her- stellen eines Meßsystems wird ein Chip anschließend in einen geeigneten Aufbau überführt. Typischerweise stellte ein Messsystem, bei dem der ionensensitive Feldeffekttransistor eingebaut wird, einen Eintauchsensor dar, der beispielsweise zum Erfassen eines pH-Werts in Industrieabwässern einge- setzt werden kann.
Die Gate-Schicht aus Metallsilikat wird bei bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung durch ein Sputtern des Metalls, des Metalloxids oder des Metallsili- kats in einer Sauerstoff-SixHy-Atmosphäre oder durch CVD- Abscheidung hergestellt. Zur Ausheilung und Modifizierung der Schichteigenschaften kann anschließend eine Temperaturbehandlung bei Temperaturen durchgeführt werden, die größer als 500° C sind, wobei dieselbe unter Inert-Atmosphäre oder mit oxidierend wirkenden Gaskomponenten durchgeführt werden kann.
Im folgenden wird nun ein Beispiel zur Verwendung des erfindungsgemäßen ionensensitiven Feldeffekttransistors erläutert. Bei diesem Beispiel wird eine Ionenkonzentrationsmessung unter Verwendung des ionensensitiven Feldeffekttransistors durchgeführt. Dazu wird der Feldeffekttransi- stör 10 in Kontakt mit einer Messflüssigkeit, die beispielsweise eine wässrige Lösung sein kann, gebracht. Zur Messung wird ferner eine Referenzelektrode 50, die beispielsweise aus Ag / AgCl / KC1 bestehen kann, in das Messmedium eingebracht. Über eine Spannungsquelle 52, die mit den Anschlusskontakten 42 und 44 verbunden ist, um eine elektrische Spannung Uds zwischen den Source-Bereich 14 und den Drain-Bereich 16 anzulegen, wird ein Drain-Source-Strom IDs bewirkt. Der Anschlusskontakt 18 liegt auf einem Bezugspotential 54, z.B. Masse.
Zwischen der Referenzelektrode 50 und dem Gate 38 bildet sich aufgrund einer unterschiedlichen elektrochemischen Spannungs-Wertigkeit der Materialien der Referenzelektrode 50 und des Gates 38 eine elektrische Spannung aus, die von einer Ionenkonzentration des Messmediums abhängt.
Bei einem bevorzugtem Ausführungsbeispiel ist die Spannungsquelle 52 ausgebildet, um die Drain-Source-Spannung so zu steuern, dass stets ein konstanter Drain-Source-Strom fließt. Bei diesem Ausführungsbeispiel wird folglich bei einer sich ändernden Ionenkonzentration das Gate-Potential durch den konstanten Drain-Source-Strom bestimmt und eingestellt. Ändert sich die Ionenkonzentration des Messmediums, so ändert sich aufgrund der sich ändernden elektrischen Spannung zwischen der Referenzelektrode 50 und dem Gate 38 das Potential der Referenzelektrode 50 bezüglich Masse. Dabei stellt die zwischen der Source und der Referenzelektrode 50 anliegende Spannung UGs eine Messgröße dar, die von einer Ionenkonzentration des Messmediums abhängt, wodurch die Konzentration des Messmediums durch ein Abgreifen der Spannung UGs ermittelt werden kann.
Obwohl bei den beschriebenen Ausführungsbeispielen lediglich ein Feldeffekttransistor mit einem p-Substrat, n- Source-Bereich und n-Drain-Bereich beschrieben wurde, ist die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt, sondern umfasst auch Feldeffekttransistoren mit n-Substrat, p- Source-Bereich und p-Drairi-Bereich.

Claims

Patentansprüche
1. Ionensensitiver Feldeffekttransistor mit einem Gate (38) aus Metallsilikat.
2. Ionensensitiver Feldeffekttransistor nach Anspruch 1, bei dem das Gate (38) Zirkoniumsilikat aufweist.
3. Ionensensitiver Feldeffekttransistor nach Anspruch 1, bei dem das Gate (38) Hafniumsilikat aufweist.
4. Ionensensitiver Feldeffekttransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem das Gate (38) aus Metallsilikat direkt auf dem Kanalbereich (36) angeordnet ist.
5. Ionensensitiver Feldeffekttransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem das Gate (38) lediglich die Schicht aus Metallsilikat umfasst.
6. Verfahren zum Herstellen eines ionensensitiven Feldeffekttransistors mit folgenden Schritten:
Bereitstellen eines Substrats (12) mit einem Source- Bereich (14) und einem Drain-Bereich (16); und
Erzeugen eines Gates (38) aus Metallsilikat auf dem Substrat.
7. Verfahren nach Anspruch 6, bei dem der Schritt des Erzeugens des Gates (38) ein Sputtern oder Dampfen oder ein CVD-Abscheiden des Metallsilikats umfasst.
8. Verfahren nach Anspruch 6, bei dem der Schritt des Erzeugens des Gates (38) ein Sputtern eines Metalls und ein nachfolgendes Silikatisieren des Metalls umfasst.
9. Verfahren nach Anspruch 6, bei dem der Schritt des Erzeugens des Gates (38) folgende Schritte aufweist:
Sputtern eines Metalls;
nachfolgendes Silizieren des Metalls; und
nachfolgendes Oxidieren.
10. Verfahren nach Anspruch 6, bei dem der Schritt des Erzeugens eines Gates (38) ein Sputtern eines Metall- silizids und ein nachfolgendes Oxidieren umfasst.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 10, bei dem der Schritt des Erzeugens des Gates (38) ferner den
Schritt eines Temperns zum Einstellen von Sensoreigenschaften umfasst.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 11, bei dem der Schritt des Erzeugens des Gates (38) ferner ein
Nachbehandeln zum Einstellen einer Struktureigenschaft des Gates umfasst.
13. Verfahren nach Anspruch 12, bei dem die Strukturei- genschaft des Gates (38) zwischen amorph und kristallin eingestellt wird.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 13, bei dem das Gate (38) aus Metallsilikat direkt auf einem Ka- nalbereich (36) des Substrats (12) aufgebracht wird.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1843152A1 (de) 2006-04-03 2007-10-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Verfahren zur Erkennung von Biomolekülen über den gleichen Feldeffekttransistor auf der Weichenmessoberfläche
DE102013109357A1 (de) * 2013-08-29 2015-03-05 Endress + Hauser Conducta Gesellschaft für Mess- und Regeltechnik mbH + Co. KG Ionensensitive Schichtstruktur für einen ionensensitiven Sensor und Verfahren zur Herstellung derselben

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006052863B4 (de) * 2006-11-09 2018-03-01 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Schutzstruktur für Halbleitersensoren und deren Verwendung
CA2701447A1 (en) * 2007-10-01 2009-07-09 University Of Southern California Methods of using and constructing nanosensor platforms
MY147144A (en) * 2008-06-27 2012-11-14 Mimos Berhad Electromagnetic induced field effect transistor (emifet)
US20100204062A1 (en) * 2008-11-07 2010-08-12 University Of Southern California Calibration methods for multiplexed sensor arrays
DE102009002060B4 (de) * 2009-03-31 2023-08-03 Endress+Hauser Conducta Gmbh+Co. Kg Ionensensitiver Sensor mit Mehrfachschichtaufbau im sensitiven Bereich sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen Sensors
WO2010115143A1 (en) * 2009-04-03 2010-10-07 University Of Southern California Surface modification of nanosensor platforms to increase sensitivity and reproducibility
ES2829966T3 (es) 2016-10-13 2021-06-02 Mettler Toledo Gmbh Elemento de medición para un electrodo de contacto fijo sensible a iones y electrodo de contacto fijo sensible a iones
US20180368744A1 (en) * 2017-06-26 2018-12-27 International Business Machines Corporation Urine catheter ph sensor

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4430811C1 (de) * 1994-08-30 1995-09-07 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zum Herstellen eines integrierten ionensensitiven Feldeffekttransistors in CMOS-Silizium-Planartechnologie
DE19514251C1 (de) * 1995-04-15 1996-05-15 Karlsruhe Forschzent Verfahren zur Herstellung eines Feldeffektsensors
US6399208B1 (en) * 1999-10-07 2002-06-04 Advanced Technology Materials Inc. Source reagent composition and method for chemical vapor deposition formation or ZR/HF silicate gate dielectric thin films
US20020109161A1 (en) * 1999-06-11 2002-08-15 National Yunlin University Of Science And Technology a-WO3-gate ISFET devices and method of making the same
US6465334B1 (en) * 2000-10-05 2002-10-15 Advanced Micro Devices, Inc. Enhanced electroless deposition of dielectric precursor materials for use in in-laid gate MOS transistors
US6479404B1 (en) * 2000-08-17 2002-11-12 Agere Systems Inc. Process for fabricating a semiconductor device having a metal oxide or a metal silicate gate dielectric layer

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6300203B1 (en) * 2000-10-05 2001-10-09 Advanced Micro Devices, Inc. Electrolytic deposition of dielectric precursor materials for use in in-laid gate MOS transistors

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4430811C1 (de) * 1994-08-30 1995-09-07 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zum Herstellen eines integrierten ionensensitiven Feldeffekttransistors in CMOS-Silizium-Planartechnologie
DE19514251C1 (de) * 1995-04-15 1996-05-15 Karlsruhe Forschzent Verfahren zur Herstellung eines Feldeffektsensors
US20020109161A1 (en) * 1999-06-11 2002-08-15 National Yunlin University Of Science And Technology a-WO3-gate ISFET devices and method of making the same
US6399208B1 (en) * 1999-10-07 2002-06-04 Advanced Technology Materials Inc. Source reagent composition and method for chemical vapor deposition formation or ZR/HF silicate gate dielectric thin films
US6479404B1 (en) * 2000-08-17 2002-11-12 Agere Systems Inc. Process for fabricating a semiconductor device having a metal oxide or a metal silicate gate dielectric layer
US6465334B1 (en) * 2000-10-05 2002-10-15 Advanced Micro Devices, Inc. Enhanced electroless deposition of dielectric precursor materials for use in in-laid gate MOS transistors

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
KULLICK T ET AL: "Diamond-like carbon-gate pH-ISFET", SENSORS AND ACTUATORS B, ELSEVIER SEQUOIA S.A., LAUSANNE, CH, vol. 44, no. 1-3, 1 October 1997 (1997-10-01), pages 441 - 445, XP004117156, ISSN: 0925-4005 *
WILK G D ET AL: "HAFNIUM AND ZIRCONIUM SILICATES FOR ADVANCED GATE DIELECTRICS", JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS. NEW YORK, US, vol. 87, no. 1, 1 January 2000 (2000-01-01), pages 484 - 492, XP000947641, ISSN: 0021-8979 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1843152A1 (de) 2006-04-03 2007-10-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Verfahren zur Erkennung von Biomolekülen über den gleichen Feldeffekttransistor auf der Weichenmessoberfläche
DE102013109357A1 (de) * 2013-08-29 2015-03-05 Endress + Hauser Conducta Gesellschaft für Mess- und Regeltechnik mbH + Co. KG Ionensensitive Schichtstruktur für einen ionensensitiven Sensor und Verfahren zur Herstellung derselben
US9383334B2 (en) 2013-08-29 2016-07-05 Endress+Hauser Conducta Gmbh+Co. Kg Ion-sensitive layer structure for an ion-sensitive sensor and method for manufacturing the same

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Publication number Publication date
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EP1583957A1 (de) 2005-10-12
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US20050263798A1 (en) 2005-12-01

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