WO2004109405A2 - Vorrichtung für die erzeugung und / oder beeinflussung elektromagnetischer strahlung eines plasmas - Google Patents

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Definitions

  • the invention relates to a device for generating and / or influencing electromagnetic radiation of a plasma according to the preamble of claim 1.
  • EUVL Extreme Ultraviolet Lithography
  • D.A. Tichenor et al. System Integration and Performance of the EÜV-Engineering Test-Stand", Emerging Lithographie Technologies V, Proceedings of SPIE Vol. 4343, pp. 19 to 37, (2001).
  • This article describes the generation of EUV radiation by a xenon plasma.
  • multilayer reflection mirrors for illuminators, imaging optics and masks are used as devices for influencing, for example, in order to collect the emitted radiation.
  • These multilayer reflection mirrors generally consist of 40 to 50 Mo / Si double layers, each with a thickness of 6.8 nm, corresponding to half the wavelength of the EUV radiation used.
  • LPP Laser Produced Plasma
  • DPP discharge Produced Plasma
  • the invention relates to a device for generating and / or influencing electromagnetic radiation of a plasma according to the preamble of claim 1.
  • EUVL Extreme Ultraviolet Lithography
  • DA Tichenor et al. System integration and performance of the EUV Engineering Test Stand” Emerging Lithography Technologies V, Proceedings of SPIE Vol. 4343, p.19 known to '37, (2001).
  • This article describes the generation of EUV radiation by a xenon plasma.
  • multilayer reflection mirrors for illuminators, imaging optics and masks are used as devices for influencing, for example, in order to collect the emitted radiation.
  • These multilayer reflection mirrors generally consist of 40 to 50 Mo / Si double layers, each with a thickness of 6.8 nm, corresponding to half the wavelength of the EUV radiation used.
  • LPP Laser Produced Plasma
  • DPP discharge Produced Plasma
  • a substance (usually xenon) is used in the case of an LPP source by means of a laser pulse (typically Nd: YAG) or in the case of a DPP source an electrical discharge highly ionized.
  • the plasma is restricted to ⁇ the laser focus range and emits light in the desired EUV range.
  • Illuminators in particular the first condenser mirror, are exposed to bombardment by multiply charged ions.
  • the plasma-induced deposits of carbon-containing layers can be controlled by metered oxidizing additions of z. B. water or alcohols can be compensated.
  • z. B. water or alcohols can be compensated.
  • Multi-layer mirrors cannot be damaged by excessive oxidation.
  • the object of the invention is to counteract the ion bombardment of the device and / or other components itself, that is to say to combat the cause. This is intended to increase the service life of the device and / or other components and to lower the operating costs.
  • the solution according to the invention is characterized in that the device for generating and / or influencing electromagnetic radiation of a plasma for the lithographic production of semiconductor components, in particular for generating and / or reflecting EUV radiation for EUV lithography, has a magnetic means for Generation of at least one inhomogeneous magnetic field as a means for the targeted shielding of charge carriers
  • the charge carriers of the plasma are forced on spiral tracks around the magnetic field lines. Appropriate alignment and coordination of the magnetic field or magnetic fields specifically keeps the charge carriers e.g. away from surfaces of the device.
  • the charge carriers of the plasma are preferably mirrored on the inhomogeneous magnetic field, i.e. their linear forward movement is reversed. Increasing penetration into areas
  • Magnetic field strength decelerates the charge carriers. As a result, they are moved back to the location of the plasma and the length of stay of the load carriers in the area of the EUV plasma is increased. This increases the probability of the electrons colliding with the atoms and ions of the plasma and thus the energy transfer of the electrons to the atoms or ions. The degree of ionization of the plasma, the recombination of the ions with the electrons and thereby the radiation power of the plasma is improved. If the charge carriers move in areas of decreasing magnetic field strength, they are accelerated and removed along the magnetic field lines from the critical area of the device.
  • At least one magnetic field is localized and generated in such a way that the function of the device is shielded from effects of the magnetic means. This is done by an appropriate arrangement of the magnetic means, e.g. next to or behind the component (s).
  • Advantageous embodiments of the device according to the invention have at least one permanent magnet, at least one coil, at least one coil with a pole piece and / or at least one electromagnet as the magnetic means. With this means. a particularly strong magnetic field can be generated. It is also advantageous if 5 at least one magnetic means has a superconducting magnet.
  • At least one magnetic means is arranged in and / or on an inlet means for a plasma-forming substance.
  • This inlet means is, for example, a nozzle.
  • the design of the inlet means depends, among other things. on the physical state of the target (gas, liquid or solid).
  • the inhomogeneous magnetic field can be used particularly efficiently to protect the device if at least one magnetic means is arranged concentrically to the direction of entry of the plasma-forming substance.
  • the inlet means of the device is protected if the device has an inlet means, and optionally a mirror device attached around the inlet means.
  • At least one magnetic means is provided which is eccentric to the inlet means.
  • This can alternatively or additionally be used as a magnetic means in order to generate an inhomogeneous magnetic field or to amplify a magnetic field.
  • At least one mirror device is advantageously used to collect the EUV radiation emitted by the plasma.
  • the mirror device preferably has at least partially a multilayer layer.
  • Preferred configurations of the radiation system provide that at least one magnetic means is formed on the side of the mirror device facing away from the plasma. As a result, the mirror function of the mirror device is not impaired by a material in the beam path.
  • Magnetic means at least partially adapted to the shape of the mirror device.
  • permanent magnets can be manufactured in such a way that they adapt to the shape of the mirror device.
  • the magnetic means which are at least partially adapted to the shape of the mirror device are advantageously arranged at a short distance from the mirror device. This minimizes undesirable interactions between the mirror device and the magnetic means, such as, for example
  • Magnetic device adapted to the mirror device all with the same magnetic polarity to the mirror device. This prevents the field lines of the magnetic means from short-circuiting in a confined space, and particles can thereby penetrate essentially unchecked between two magnetic fields generated by adjacent, differently polarized magnetic means.
  • Control device for generating a time-varying, in particular pulsed, magnetic field.
  • the plasma can be constricted particularly efficiently by temporally and spatially changing magnetic fields.
  • An advantageous embodiment of the device according to the invention has a laser means and / or an example electrical discharge means for generating the plasma from a gaseous, solid or liquid target agent, in particular xenon, lithium, gold and / or tin.
  • An advantageous laser means is a pulsed Nd: YAG laser.
  • the plasma is advantageously formed in front of the outlet opening of an inlet means, in particular in front of a nozzle.
  • Figure 1 is a schematic representation of a device with a magnetic means which is arranged concentrically around an inlet means;
  • FIG. 2a shows in a diagram the dependence of the electron cyclotron radii on the electron energy and the magnetic induction
  • FIG. 2b shows the dependency of:
  • Figure 3 is a schematic representation of positively charged ions in an inhomogeneous magnetic field
  • FIG. 4 shows a schematically illustrated arrangement of magnetic means on the back of a mirror device, shown here as a planar multilayer mirror, as a device for influencing EUV radiation;
  • FIG. 5a shows a schematic illustration of a mirror device composed of segments as a device with magnetic means, which are adapted to the shape of the mirror device, in a perspective view; and
  • Figure 5b is a schematic representation of the
  • FIG. 3 schematically shows a section through a static inhomogeneous magnetic field 11, which is approximately conical and has a circular symmetry about a central axis (not shown). The figure shows the known movement of a first positively charged ion II and a second positively charged ion 12.
  • the field lines of the magnetic field 11 represented by arrows condense in the direction of the taper of the cone, the magnetic field strength increases in the direction of the taper.
  • the magnetic field accordingly has a gradient.
  • the first positively charged ion II moves in a spiral movement represented by an arrow in the direction of the strengthening of the magnetic field 11.
  • the spiral movement is brought about by the superposition of a circular movement and a linear movement and is achieved by the.
  • Lorentz force K L qv ⁇ B caused.
  • K L denotes the magnitude of the Lorentz force in the direction of the widening of the cone
  • q the charge of the ion
  • vj_ the velocity component of the ion that is perpendicular to the magnetic field
  • B the magnetic induction at the location of the ion II.
  • the second positively charged ion 12 moves in the direction of decreasing field strength, the height of the spiral paths and the radius of the circular path increasing. 10
  • the parallel velocity component v of the ion becomes zero and grows again with opposite signs, ie the particle is reflected and moved in the direction of smaller fields.
  • the mirror force acts equally on particles with positive and negative charge.
  • FIG. 2a shows in a diagram the dependence of the electron cyclotron radii on the electron energy and. magnetic induction.
  • the electron energy between 0 eV and 35 eV is plotted on the x-axis, and the electron cyclotron radius between 0 ⁇ m and 20 ⁇ m on the y-axis.
  • a total of four courses are shown in
  • Electron cyclotron radius with an electron energy of 30 eV less than 2 ⁇ m Electron cyclotron radius with an electron energy of 30 eV less than 2 ⁇ m.
  • 5-field of 1 Tesla is sufficient to keep the electron radii to a maximum of approx. 10 ⁇ m.
  • the result is a large number of circular movements of the electrons in the magnetic field. They are kept in the magnetic field until they recombine with ions or leave the magnetic field along the field lines in the area of decreasing field strength.
  • the 11 Magnet effect is less pronounced here, which is shown in larger cyclotron radii.
  • FIG. 2b shows in a diagram the dependence of the xenon ion cyclotron radii on the ionization stage of the
  • Xenon ions and magnetic induction The ionization level between 0 and 12 is plotted on the x-axis and the xenon ion cyclotron radii between 0 ⁇ m and ⁇ 400 ⁇ m on the y-axis.
  • the calculations were carried out for cold xenon ions with an energy of 0.05 eV, which corresponds to a temperature of about 580 K. ,
  • the radii for a magnetic induction of 1 Tesla are the largest and are between 370 ⁇ m and 40 ⁇ m, each. according to ionization level.
  • the radii are all the smaller, the higher the level of dielectricization.
  • With stronger magnetic fields such as 10 Tesla the radii are smaller than 40 ⁇ m.
  • These cold xenon ions are also kept in the plasma.
  • With hot xenon ions (with energies of 30 eV, corresponding to a temperature of 3.5-10 5 K) the radii are in
  • Figure 1 shows a schematic representation of an embodiment of the device according to the invention.
  • the device here is a radiation system 1, which here has a radiation source and associated components, such as a mirror device for focusing the radiation.
  • the plasma 3 which is based on xenon, for example, and which is beamed over a 12 inlet means 12 (here configured as an outlet nozzle) and, for example, as with an LPP source, is excited by a pulsed laser beam.
  • This outlet nozzle 12 is concentrically surrounded by a ferromagnetic permanent magnet 10 as a magnetic means, which generates an inhomogeneous magnetic field 11 represented by magnetic field lines.
  • a ferromagnetic permanent magnet 10 as a magnetic means, which generates an inhomogeneous magnetic field 11 represented by magnetic field lines.
  • the magnetic north pole of the permanent magnet points towards plasma, but this could just as well be the magnetic south pole.
  • Magnetic field 11 is strongest at the location of the outlet nozzle 12 and becomes weaker along the beam direction of the beam 15 let in through the outlet nozzle 12.
  • the magnetic field lines of the magnetic field 11 also run through the plasma 3.
  • a substantially hemispherical or parabolic collector mirror 5 is attached concentrically around the outlet nozzle 12 as a mirror device.
  • This collector mirror 5 is preferably a multi-layer mirror and is used to bundle the EUV radiation emitted by the plasma 3.
  • a xenon ion designated Xe n + moves on a spiral path represented by an arrow around a magnetic field line away from the plasma 3 in a direction in which it can no longer come into contact with the collector mirror 5.
  • the mirror force acts on electrons as well as ions in the same direction and is independent of the sign of the charge.
  • the radiation system additionally or alternatively also has one or more magnetic means which generate an inhomogeneous magnetic field. The shielding effect can be enhanced by these magnetic means.
  • Another embodiment, not shown, comprises an inlet means such as the inlet nozzle 12 with magnetic means without a mirror device.
  • FIG. 4 shows a schematically illustrated arrangement of ferromagnets 10 as magnetic means on the back of a mirror device, here shown as a planar multilayer mirror 5, as a device according to the invention for influencing EUV radiation.
  • the multilayer mirror 5 is shown in a planar manner in FIG. 4, although it actually has a concave, in particular spherical or parabolic, shape as in FIG. 1.
  • some ferromagnets 10 are arranged such that they all point with the same polarity (here with the magnetic north pole) in the direction of the multilayer mirror 5 and an inhomogeneous magnetic field 11 on the plasma (not shown here) Generate side of the multilayer mirror 5.
  • the magnetic field lines are shown in the drawing as arrows.
  • the magnetic field 11 is strongest at the points opposite the ferromagnets on the side of the multilayer mirror facing the plasma at the points where the magnetic field lines are closest to one another and decreases in the direction of the plasma. As in FIG. 1, this results in a reflective effect of the inhomogeneous magnetic field 11 on charge carriers of the plasma.
  • the parallel alignment of the ferromagnets 10 prevents the field lines between the 14 close ferromagnets in a short way and thereby create areas of small field gradients that only exert small mirror forces on charged particles.
  • the ferromagnets 10 have a cylindrical shape here and are arranged at a short distance from the multilayer mirror 5. They are designed so that they adapt to its external shape. Direct contact with the. Ferromagnet 10 with the multilayer mirror 5 is not present in order to avoid distortions due to its weight and the magnetic forces between the ferromagnets. Likewise, the multilayer mirror 5 contains no ferromagnetic components, so that there is no interaction between the ferromagnets 10 and the multilayer mirror 5. Although there is no mechanical contact, the distance is kept as small as possible so that the magnetic field 11 in front of the multilayer mirror 5 is as strong as possible.
  • the device as in FIG. 1, has a radiation source, an inlet nozzle and a mirror device, the ferromagnets from FIG. 4 being attached in addition or as an alternative to the magnetic means of FIG. 1.
  • FIGS. 5a and 5b show a schematic illustration of a collector mirror 5 composed of segments as a device with ferromagnets 10 as magnetic means in a perspective view and in an axial top view.
  • the collector mirror 5 shown here is composed of several segments, which are separate and each narrow
  • each segment of the collector mirror 5 can be provided with a ferromagnet, or else independently of that 15 collector mirrors 5 a plurality of ferromagnets 10 can be attached on the side of the collector mirror 5 facing away from the plasma.
  • the ferromagnets 10 are arranged as close as possible to the collector mirror 5 without touching it.
  • a very sharp configuration of the poles of the ferromagnet 10 results in large magnetic field gradients and mirror forces.

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung für die Erzeugung und / oder Beinflussung elektromagnetischer Strahlung eines Plasmas für die lithographische Herstellung von Halbleiterbauelementen, insbesondere zur Erzeugung und / oder Reflexion von EUV-Strahlung für die EUV-Lithographie. Erfindungsgemäß ist ein Magnetmittel (10) zur Erzeugung mindestens eines inhomogenen Magnetfeldes (11) als Mittel zur gezielten Abschirmung von Ladungsträgern des Plasmas (3) von mindestens einer Fläche der Vorrichtung (1; 5; 12).und / oder eines anderen Bauteils (5; 12) vorgesehen. Hierdurch wird die Lebensdauer der Vorrichtung und / oder anderer Bauteile erhöht.

Description

Beschreibung
Vorrichtung für die Erzeugung und / oder Beeinflussung elektromagnetischer Strahlung eines Plasmas.
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung für die Erzeugung und / oder Beeinflussung elektromagnetischer Strahlung eines Plasmas nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
In der Halbleitertechnologie ist es notwendig, immer kleinere Strukturen auf einem Substrat zu erzeugen. Für die lithographische Strukturierung von Dimensionen unter 50 ran wird derzeit die sog. "Extreme Ultraviolett Lithographie" (EUVL) -Technologie mit Wellenlängen im weichen Röntgenstrahlenbereich (10 - 15 n ) entwickelt. Eine Anlage dieser Technologie ist z.B. aus dem Artikel von D.A. Tichenor et al. "System Integration and Performance of the EÜV- Engineering Test-Stand", Emerging Lithographie Technologies V, Proceedings of SPIE Vol. 4343, S. 19 bis 37, (2001) bekannt. In diesem Artikel wird die Erzeugung der EUV- Strahlung durch ein Xenon-Plasma beschrieben.
In der apparativen Ausgestaltung werden als Vorrichtung zur Beeinflussung beispielsweise Mehrlagen-Reflexionsspiegel für Illuminator, Abbildungsoptik und Maske eingesetzt, um die emittierte Strahlung aufzufangen. Diese Mehrlagen- Reflexionsspiegel bestehen in der Regel aus 40 bis 50 Mo/Si- Doppelschichten mit einer Dicke von jeweils 6,8 nm, entsprechend der halben Wellenlänge der verwendeten EUV- Strahlung.
Als Strahlungsquellen zur Erzeugung des Plasmas sind "Laser Produced Plasma" (LPP) - Quellen und "Discharge Produced Plasma" (DPP) -Quellen bekannt (siehe z.B. Vanine and Moors, "Extreme Ultraviolet Sources for Lithography Applications", Emerging Lithographie Technologies V, Proceedings of SPIE Vol. 4343, S. 203 bis 214, (2001); Lebert et al . "Co parision Beschreibung
Vorrichtung für die Erzeugung und / oder Beinflussung elektromagnetischer Strahlung eines Plasmas .
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung für die Erzeugung und / oder Beinflussung elektromagnetischer Strahlung eines Plasmas nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
In der Halbleitertechnologie ist es notwendig, immer kleinere Strukturen auf einem Substrat zu erzeugen. Für die lithographische Strukturierung von Dimensionen unter 50 nm wird derzeit die sog. "Extreme Ultraviolett Lithographie" (EUVL) -Technologie mit Wellenlängen im weichen Röntgenstrahlenbereich (10 - 15 nm) entwickelt. Eine Anlage dieser Technologie ist z.B. aus dem Artikel von D.A. Tichenor et al . "System Integration and Performance of the EUV- Engineering Test-Stand", Emerging Lithographie Technologies V, Proceedings of SPIE Vol. 4343, S. 19 bis' 37, (2001) bekannt . In diesem Artikel wird die Erzeugung der EUV- Strahlung durch ein Xenon-Plasma beschrieben.
In der apparativen Ausgestaltung werden als Vorrichtung zur Beeinflussung beispielsweise Mehrlagen-Reflexionsspiegel für Illuminator, Abbildungsoptik und Maske eingesetzt, um die emittierte Strahlung aufzufangen. Diese Mehrlagen- Reflexionsspiegel bestehen in der Regel aus 40 bis 50 Mo/Si- Doppelschichten mit einer Dicke von jeweils.6,8 nm, entsprechend der halben Wellenlänge der verwendeten EUV- Strahlung.
Als Strahlungsquellen zur Erzeugung des Plasmas sind "Laser Produced Plasma" (LPP) - Quellen und "Discharge Produced Plasma" (DPP) -Quellen bekannt (siehe z.B. Vanine and Moors, "Extreme Ultraviolet Sources for Lithography Applications", Emerging Lithographie Technologies V, Proceedings of SPIE Vol. 4343, S. 203 bis 214, (2001); Lebert e.t al . "Compärision 2 of Different Source Concepts for EVUL" , Emerging • Lithographie Technologies V, Proceedings of SPIE Vol. 4343, S. 215 bis 225, (2001) und Moyer et al . "Laser Produced Plasma (LPP) Scale-up and Commerzialisation" , Emerging Lithographie Technologies V, Proceedings of SPIE Vol. 4343, S. 249 bis 254, (2001) ) .
In einer evakuierten Vakuumkammer des Illuminators (auch Kondensor genannt) , die EUV-Quelle und Kondensorspiegel enthält, wird eine Substanz (meist Xenon) im Falle einer LPP- Quelle mittels eines Laserpulses (typischerweise Nd:YAG) oder im Falle einer DPP-Quelle mittels einer elektrischen Entladung hoch ionisiert. Das Plasma ist auf ■ den Laserfokusbereich beschränkt und emittiert Licht im gewünschten EUV-Bereic . Die Mehrlagenspiegel des
Illuminators, insbesondere der erste Kondensorspiegel, sind dem Beschuss durch vielfach geladene Ionen ausgesetzt.
Dadurch entsteht das Problem, dass durch Sputter- und Implantationseffekte, sowie durch Elektronen und Ionen unterstützte Abscheide- und Oxidationsprozesse besonders die Spiegelvorrichtungen und die Gasauslassdüsen der Plasmaquellen während des Betriebs der Plasmaquellen erheblich geschädigt werden und ihre Lebensdauer begrenzt wird. Mittelwert und Homogenität der Reflektivität der
Spiegel nehmen dadurch schnell ab und die Rauhigkeit zu. Die Folge sind hohe Kosten wegen des notwendigen Austausches der Mehrlagenspiegel (insbesondere des ersten Kondensorspiegels) und der Quellenkomponenten (z.B. Düsen).
Bislang wurde diesem Problem nur dadurch entgegengewirkt, dass für die Vorrichtung geeignete inerte Materialien ausgewählt wurden. Die plasmainduzierten Abscheidungen von kohlenstoffhaltigen Schichten können durch dosierte oxidierende Zugaben von z. B. Wasser oder Alkoholen kompensiert werden. Dabei dürfen beispielsweise die 3
Mehrlagenspiegel nicht durch übermäßige Oxidation geschädigt werden .
Das Problem der bekannten Lösungen ist es, dass bislang nicht dem Ionenbeschuss entgegengewirkt wurde. Damit bleibt. das Problem bestehen und die Vorrichtung weiterhin dem Ionenbeschuss und dem Verschleiß ausgesetzt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, dem Ionenbeschuss der Vorrichtung und / oder anderer Bauteile selbst entgegenzuwirken, also die Ursache zu bekämpfen. Dadurch soll die Lebensdauer der Vorrichtung und / oder anderer Bauteile erhöht und die Betriebskosten gesenkt werden.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Vorrichtung mit den Merkmalen des Anspruch 1 gelöst .
Die erfindungsgemäße Lösung zeichnet sich dadurch aus, dass die Vorrichtung für die Erzeugung und / oder Beinflussung elektromagnetischer Strahlung eines Plasmas für die lithographische .Herstellung von Halbleiterbauelementen, insbesondere zur Erzeugung und / oder Reflexion von EUV- Strahlung für die EUV-Lithographie, ein Magnetmittel zur Erzeugung mindestens eines inhomogenen Magnetfeldes als Mittel zur gezielten Abschirmung von Ladungsträgern des
Plasmas von mindestens einer Fläche der Vorrichtung und / oder eines anderen Bauteils aufweist.
Durch das inhomogene Magnetfeld werden die Ladungsträger des Plasmas auf Spiralbahnen um die magnetischen Feldlinien gezwungen. Eine geeignete Ausrichtung und Abstimmung des Magnetfeldes bzw. der Magnetfelder hält die Ladungsträger gezielt z.B. von Flächen der Vorrichtung fern.
Aufgrund der temperaturbedingten statistischen
Energieverteilung der Ladungsträger im Plasma können eventuell Ladungsträger eine so hohe Geschwindigkeit 4 aufweisen, dass sie die Vorrichtung trotz des Magnetfeldes erreichen. Auch diese Ladungsträger werden aber durch das inhomogene Magnetfeld 'zumindest abgebremst, bevor sie das zu schützende Bauteil erreichen und dort dementsprechend weniger Schaden anrichten. Die Lebensdauer der Vorrichtung wird erhöht und die Kosten der EUV-Lithographie werden gesenkt .
Bevorzugt werden die Ladungsträger das Plasmas am inhomogenen Magnetfeld gespiegelt, d.h. ihre lineare Vorwärtsbewegung wird umgekehrt. Beim Eindringen in Bereiche zunehmender
Magnetfeldstärke werden die Ladungsträger abgebremst . Dadurch werden sie wieder an den Ort des Plasmas zurückbewegt und die Aufenthaltsdauer der Ladungsträger im Bereich des EUV-Plasmas wird erhöht . Dies vergrößert die Stoßwahrscheinlichkeit der Elektronen mit den Atomen und Ionen des Plasmas und somit den Energieübertrag der Elektronen auf die Atome bzw. Ionen. Der Ionisationsgrad des Plasmas, die Rekombination der Ionen mit den Elektronen und dadurch die Strahlungsleistung des Plasmas wird verbessert. Bewegen sich die Ladungsträger in Bereiche abnehmender Magnetfeldstärke, so werden diese beschleunigt und entlang der Magnetfeldlinien aus dem kritischen Bereich der Vorrichtung entfernt.
Dabei ist es besonders vorteilhaft, wenn mindestens ein Magnetfeld so lokalisiert und erzeugt wird, dass die Funktion der Vorrichtung von Wirkungen des Magnetmittels abgeschirmt ist . Dies geschieht durch eine entsprechende Anordnung der/des Magnetmittels, z.B. neben oder hinter dem/den Bauteil/en.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der erfindungsgemäßen Vorrichtung weisen als Magnetmittel mindestens einen Permanentmagneten, mindestens eine Spule, mindestens eine Spule mit einem Polschuh und/oder mindestens einen Elektromagneten auf. Mit diesem Mittel kann. ein besonders starkes Magnetfeld erzeugt werden. Auch ist vorteilhaft, wenn 5 mindestens ein Magnetmittel einen supraleitenden Magneten aufweist.
Dabei ist es vorteilhaft, wenn mindestens ein Magnetmittel in und/oder an einem Einlassmittel für eine plasmabildende Substanz angeordnet ist. Dieses Einlassmittel ist beispielsweise ein Düse. Die Gestaltung des Einlassmittels hängt u.a. von dem Aggregatzustand des Targets (gas, flüssig oder fest) ab.
Das inhomogene Magnetfeld kann besonders effizient zum Schutz der Vorrichtung dienen, wenn mindestens ein Magnetmittel konzentrisch zur Eintrittsrichtung der plasmabildenden Substanz angeordnet ist. Dabei wird beispielsweise das Einlassmittel der Vorrichtung geschützt, wenn die Vorrichtung ein Einlassmittel aufweist, sowie gegebenenfalls eine um das Einlassmittel angebrachte Spiegelvorrichtung.
Bevorzugt ist mindestens ein zum Einlassmittel azentrisch.es Magnetmittel vorgesehen. Dies kann alternativ oder zusätzlich als Magnetmittel eingesetzt werden, um ein inhomogenes Magnetfeld zu erzeugen oder ein Magnetfeld zu verstärken.
Mit Vorteil dient mindestens eine Spiegelvorrichtung zum Auffangen der vom Plasma emittierten EUV-Strahlung.
Bevorzugt weist die Spiegelvorrichtung mindestens teilweise eine Mehrlagenschicht auf .
Bevorzugte Ausgestaltungen des Strahlungssystems sehen vor, dass mindestens ein Magnetmittel auf der vom Plasma abgewandten Seite der Spiegelvorrichtung ausgebildet ist.- Dadurch wird die Spiegelfunktion der Spiegelvorrichtung nicht durch ein Material im Strahlengang beeinträchtigt.
Besonders bevorzugt sind mehrere auf der vo - Plasma abgewandten Seite der Spiegelvorrichtung ausgebildete 6 Magnetmittel zumindest teilweise der Form der Spiegelvorrichtung angepasst. Beispielsweise können Permanentmagneten so hergestellt werden, dass sie sich der Form der Spiegelvorrichtung anpassen.
Mit Vorteil sind die zumindest teilweise der Form-, der Spiegelvorrichtung angepassten Magnetmittel in geringem Abstand zur Spiegelvorrichtung angeordnet. So werden unerwünschte Wechselwirkungen zwischen der Spiegelvorrichtung und den Magnetmitteln minimiert, wie beispielsweise die
Verzerrung der Spiegelvorrichtung durch die Gewichtskraft der Magnetmittel .
Zur vorteilhaften Erzeugung eines geeigneten inhomogenen Magnetfeldes weisen die zumindest teilweise der Form der. Spiegelvorrichtung angepassten Magnetmittel alle mit' dergleichen magnetischen Polung zur Spiegelvorrichtung. Dadurch wird verhindert, dass sich die Feldlinien der Magnetmittel auf engem Raum kurzschließen und dadurch Teilchen in einen Bereich zwischen zwei von benachbarten, unterschiedlich gepolten Magnetmitteln erzeugten Magnetfeldern im wesentlichen ungebremst eindringen können.
Eine weitere vorteilhafte Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Vorrichtung weist ein Magnetmittel mit einer
Steuerungsvorrichtung zur Erzeugung eines zeitlich veränderlichen, insbesondere gepulsten Magnetfeldes auf. Das Plasma lässt sich durch zeitlich und räumlich veränderliche Magnetfelder besonders effizient einschnüren.
Eine vorteilhafte Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Vorrichtung weist ein Lasermittel und/oder ein bespielsweiese elektrisches Entladungsmittel zur Erzeugung des Plasmas aus einem gasförmigen, festen oder flüssigem Targetmittel, insbesondere Xenon, Lithium, Gold und/oder Zinn auf.
Ein vorteilhaftes Lasermittel ist ein gepulster Nd:YAG Laser. In Vorteilhafterweise wird das Plasma vor der Austrittsöffnung eines Einlassmittels gebildet, insbesondere vor einer Düse.
Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Figuren an mehreren Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen:
Figur 1 eine schematische Darstellung einer Vorrichtung mit einem Magnetmittel, das konzentrisch um ein Einlassmittel angeordnet ist;
Figur 2a in einem Diagramm die Abhängigkeit der • Elektronzyklotronradien von der Elektronenenergie und der magnetischen Induktion;
Figur 2b in einem Diagramm die Abhängigkeit der :
Xenonionenzyklotronradien vom Ionisationszustand der Xenonionen und der magnetischen Induktion;
Figur 3 eine schematische Darstellung von positiv geladenen Ionen in einem inhomogenen Magnetfeld;
Figur 4 eine schematisch dargestellte Anordnung von Magnetmitteln auf der Rückseite einer Spiegelvorrichtung, hier als planarer Mehrlagenspiegel dargestellt, als Vorrichtung zur Beeinflussung von EUV-Strahlung ;
Figur 5a eine schematische Darstellung einer aus Segmenten zusammengesetzten Spiegelvorrichtung als Vorrichtung mit Magnetmitteln, die der Form der Spiegelvorrichtung angepasst sind in perspektivischer Ansicht; und Figur 5b eine schematische Darstellung der
Spiegelvorrichtung der Figur 5a in axialer Draufsicht .
Bevor auf die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung eingegangen wird, sollen anhand der Fig. 2a, 2b und 3 die physikalischen Grundlagen erläutert werden..
In Figur 3 ist ein Schnitt durch ein in etwa kegelförmig und um eine nicht dargestellte Mittelachse kreissymmetrisch ausgebildetes, statisches inhomogenes Magnetfeld 11 schematisch dargestellt. Die Figur zeigt die bekannte Bewegung eines ersten positiv geladenen Ions II und eines zweiten positiv geladenen Ions 12.
Die durch Pfeile dargestellten Feldlinien des Magnetfeldes 11 verdichten sich in Richtung der Verjüngung des Kegels, die Magnetfeldstärke nimmt in Richtung der Verjüngung zu. Das Magnetfeld weist demnach einen Gradienten auf. Das erste positiv geladene Ion II bewegt sich in einer durch einen Pfeil dargestellten Spiralbewegung in Richtung auf die Verstärkung des Magnetfeldes 11. Die Spiralbewegung kommt durch die Überlagerung einer Kreisbewegung und einer Liniearbewegung zustande und wird durch die. Lorentzkraft KL = qv±B verursacht . Dabei bezeichnet KL den Betrag der Lorentzkraft in Richtung der Verbreiterung des Kegels, q die Ladung des Ions, vj_ die Geschwindigkeitskomponente des Ions, die senkrecht auf dem Magnetfeld steht, und B die magnetische Induktion am Ort des Ions II.
Setzt man den Betrag der Lorentzkraft KL gleich dem Betrag der Zentrifugalkraft
Kz = mv I r ,
(wobei m für die Masse des Ions steht) , so ergibt sich der Radius r der Kreisbahn zu
Figure imgf000011_0001
Die Überlagerung dieser Kreisbewegung mit der zum Magnetfeld B parallelen Geschwindigkeitskomponente v führt zu einer Spiralbahn um die magnetischen Feldlinien. Das kreisende Ion weist ein magnetisches Moment
Figure imgf000012_0001
auf, welches eine adiabatische Invariante, d.h. konstant ist für hinreichend langsam veränderliche Magnetfelder.
Bewegt sich ein Teilchen wie das Ion II in Figur 3 in einen Bereich größerer Feldstärke, so nehmen die senkrechte Geschwindigkeit vj. und der senkrechte Anteil der kinetische Energie
Ex = /2 mvλ zu, während wegen der Energieerhaltung die Vorwärtsbewegung entlang der Feldlinien verzögert wird und der parallele Anteil der kinetischen Energie abnimmt. Da sich die kinetische Energie so verlagert, dass der parallele Geschwindigkeitsanteil durch das Magnetfeld in einen senkrechten Geschwindigkeitsanteil umgewandelt wird, nennt man die wirkende Kraft auch "Spiegelkraft", welche bei axialer Symmetrie des Magnetfeldes durch dB
J —= —■ -μu- -1/ ,(mv2. Λ dB dz /BJ dz gegeben ist (vgl. hierzu S. D. Pinches, "Nonlinear Interactions of Fast Particles with Alfen Waves in Tokamaks", http://www.rzg.mpg.de/~sip/thesis/thesis.html). Die z- Richtung ist hierbei die Richtung, in die sich das Magnetfeld verstärkt .An der Bewegung des Ions II ist die Wirkung der Spiegelkraft daran zu erkennen, dass die Höhe der Spiralbahn abnimmt, wobei die Kreisbahn selbst enger wird.
Das zweite positiv geladene Ion 12 bewegt sich in Richtung abnehmender Feldstärke, wobei die Höhe der Spiralbahnen sowie der Kreisbahnradius zunimmt. 10 Bei hinreichend großem Gradienten des Magnetfeldes und vx/ v - Verhältnis wird die parallele Geschwindigkeitskomponente v des Ions gleich Null und wächst mit entgegengesetzten Vorzeichen wieder an, d.h. das Teilchen wird reflektiert und in die Richtung kleinerer Felder bewegt.
Die Spiegelkraft wirkt gleichermaßen auf Teilchen mit positiver und negativer Ladung.
Die Figur 2a zeigt in einem Diagramm die Abhängigkeit der Elektronzyklotronradien von der Elektronenenergie und der . magnetischen Induktion. Dabei ist auf der x-Achse die Elektronenenergie zwischen 0 eV und 35 eV aufgetragen, auf der y-Achse der Elektronzyklotronradius zwischen 0 μm und 20 μm. Es sind insgesamt vier Verläufe dargestellt, in
Abhängigkeit von der magnetischen Induktion B . Für eine magnetische Induktion B von einem Tesla liegen die Radien für etwa 1 eV bei ca. 3 μm, für 30 eV bei etwas über 18 μm. Mit steigender magnetischer Induktion werden die Radien kleiner, bei 10 Tesla ist der größte errechnete
Elektronzyklotronradius bei einer Elektronenergie von 30 eV kleiner als 2 μm.
Dem Diagram der Figur 2a kann entnommen werden, dass bei typischen Elektronenenergiewerten im Plasma von 1-10 eV ein
5-Feld von 1 Tesla ausreicht, um die Elektronenradien auf maximal ca. 10 μm zu halten. Damit sind die Radien wesentlich kleiner als die Dimension des Plasmas (ca. 1 mm) und der Reichweite der magnetischen Felder. Die Folge ist eine große Anzahl von Kreisbewegungen der Elektronen im Magnetfeld. Sie werden im Magnetfeld gehalten, bis sie mit Ionen rekombinieren oder das Magnetfeld entlang der Feldlinien im Bereich abnehmender Feldstärke verlassen.
Ähnliches gilt für die positiven Ionen, beispielsweise die zur EUV-Stra lung häufig verwendeten Xenonionen. Der 11 Magneteffekt ist hier schwächer ausgeprägt, was sich in größeren Zyklotronradien zeigt .
Die Figur 2b zeigt in einem Diagramm die Abhängigkeit der Xenonionenzyklotronradien von der Ionisationsstufe der
Xenonionen und der magnetischen Induktion. Auf der x-Achse ist die Ionisationsstufe zwischen 0 und 12 aufgetragen, auf der y-Achse die Xenonionenzyklotronradien zwischen 0 μm und ■ 400 μm. Dabei wurden die Berechnungen für kalte Xenonionen durchgeführt, die eine Energie von 0.05 eV aufweisen, was einer Temperatur von etwa 580 K entspricht. .
Auch hier sind die Radien für eine magnetische Induktion von 1 Tesla am größten und liegen zwischen 370 μm und 40 μm, je. nach Ionisationsstufe. Dabei sind die Radien umso kleiner, .je höher dielonisationsstufe ist. Bei stärkeren Magnetfeldern wie etwa bei 10 Tesla sind die Radien kleiner als 40 μm. Diese kalten Xenonionen werden ebenfalls im Plasma gehalten. Bei heißen Xenonionen (mit Energien von 30 eV, entsprechend einer Temperatur von 3,5-105 K) liegen die Radien im
Millimeterbereich. Deswegen verlassen diese Xenonionen zwar das Plasma, werden aber durch die Magnetfelder über den gesamten Abstand zwischen Plasma und zu schützendem Bauteil abgelenkt, abgebremst oder sogar reflektiert,' so dass deren schädigende Wirkung gemindert wird . Die Abstände von Plasma und Kollektorspiegel liegen üblicherweise im Dezimeterbereich .
Die Figur 1 zeigt in einer schematische Darstellung eine Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung.
Die Vorrichtung ist hier ein Strahlungssystem 1, das hier eine Strahlungsquelle und zugehörige Komponenten, wie eine Spiegelvorrichtung zur Fokussierung der Strahlung aufweist.
In der Mitte befindet sich das Plasma 3, welches beispielsweise auf Xenon basiert, das als Strahl über ein 12 Einlassmittel 12 (hier als Austrittsdüse ausgestaltet) zugeführt und beispielsweise wie bei einer LPP-Quelle durch einen gepulsten Laserstrahl angeregt wird.
Diese Austrittsdüse 12 ist konzentrisch von einem ferromagnetischen Permanentmagneten 10 als Magnetmittel, umgeben, der ein durch Magnetfeldlinien dargestelltes inhomogenes Magnetfeld 11 erzeugt. Hier weist der magnetische Nordpol des Permanentmagneten in Richtung Plasma, allerdings könnte dies ebenso gut der magnetische Südpol sein. Das
Magnetfeld 11 ist am stärksten am Ort der Austrittsdüse 12 und wird schwächer entlang der Strahlrichtung des durch die Austrittsdüse 12 eingelassenen Strahls 15. Im besonderen verlaufen die Magnetfeldlinien des Magnetfeldes 11 auch durch das Plasma 3.
Konzentrisch um die Austrittsdüse 12 ist ein im Wesentlichen halbkugelförmiger oder parabolischer Kollektorspiegel 5 als Spiegelvorrichtung angebracht. Dieser Kollektorspiegel 5 ist vorzugsweise ein Mehrlagenspiegel und dient zum Bündeln der durch das Plasma 3 emittierten EUV-Strahlung.
Ein als Xen+ bezeichnetes Xenonion bewegt sich auf einer durch einen Pfeil dargestellten Spiralbahn um eine Magnetfeldlinie vom Plasma 3 weg in eine Richtung, in der es nicht mehr in Kontakt zum Kollektorspiegel 5 treten kann.
Zwei mit e" bezeichnete Elektronen bewegen sich ebenfalls in immer größer werdenden Spiralbahnen um jeweils eine Feldlinie von Plasma weg, auf die der Austrittsdüse 12 gegenüberliegende Seite und in Richtung abnehmender Magnetfeldstärke .
Die Spiegelkraft wirkt auf Elektronen ebenso wie auf Ionen in die gleiche Richtung und ist vom Vorzeichen der Ladung unabhängig . 13 In einer anderen Ausgestaltungsfor weist das Strahlungssystem zusätzlich oder alternativ auch azentrisch ein oder mehrere Magnetmittel auf , die ein inhomogenes Magnetfeld erzeugen. Durch diese Magnetmittel kann die Abschirmwirkung verstärkt werden.
Eine andere, nicht dargestellte Ausgestaltungsform umfasst ein Einlassmittel wie die Einlassdüse 12 mit Magnetmitteln ohne Spiegelvorrichtung.
Die Figur 4 zeigt eine schematisch dargestellte Anordnung von von Ferromagneten 10 als Magnetmittel auf der Rückseite einer Spiegelvorrichtung, hier als planarer Mehrlagenspiegel 5 dargestellt, als erfindungsgemäße Vorrichtung zur Beeinflussung von EUV-Strahlung .
Der Mehrlagenspiegel 5 ist in der Figur 4 planar dargestellt, obwohl er eigentlich wie in Figur 1 eine konkave, insbesondere sphärische oder parabolische Form aufweist. Auf der dem Plasma abgewandten Seite des Mehrlagenspiegels 5 sind einige Ferromagneten 10 so angeordnet, dass sie alle mit dergleichen Polung (hier mit dem magnetischen Nordpol) in Richtung zum Mehrlagenspiegel 5 weisen und ein inhomogenes Magnetfeld 11 auf der dem (hier nicht dargestellten) Plasma zugewandten Seite des Mehrlagenspiegels 5 erzeugen.
Die Magnetfeldlinien sind in der Zeichnung als Pfeile dargestellt. Das Magnetfeld 11 ist am stärksten an den den Ferromagneten gegenüberliegenden Stellen auf der dem Plasma zugewandten Seite des Mehrlagenspiegels an den Stellen, an denen die Magnetfeldlinien am engsten beeinander liegen und nimmt in Richtung zum Plasma ab . Damit ergibt sich wie in Figur 1 eine reflektierende Wirkung des inhomogenen Magnetfelds 11 auf Ladungsträger des Plasmas.
Durch die parallele Ausrichtung der Ferromagneten 10 wird verhindert, dass sich die Feldlinien zwischen den 14 Ferromagneten auf kurzem Wege schließen und dadurch dort Bereiche kleiner Feldgradienten entstehen, die nur geringe Spiegelkräfte auf geladene Teilchen ausüben.
Die Ferromagnete 10 haben hier eine zylindrische Form und sind in geringem Abstand zum Mehrlagenspiegel 5 angeordnet. Dabei sind sie so ausgestaltet, dass sie sich seiner Außenform anpassen. Ein direkter Kontakt der . Ferromagnete 10 mit dem Mehrlagenspiegel 5 ist nicht vorhanden, um Verzerrungen durch ihre Gewichtskraft und die magnetischen Kräfte zwischen den Ferromagneten zu vermeiden. Ebenso enthält der Mehrlagenspiegel 5 keine ferromagnetischen Bestandteile, damit kein Wechselwirkung zwischen den Ferromagneten 10 und dem Mehrlagenspiegel 5 entsteht. Obwohl kein mechanischer Kontakt besteht, ist der Abstand möglichst gering gehalten, damit das Magnetfeld 11 vor dem Mehrlagenspiegel 5 möglichst stark ist.
In einer anderen, nicht dargestellten Ausgestalltungsform weist die Vorrichtung wie in Figur 1 eine Strahlungsquelle, eine Einlassdüse und eine Spiegelvorrichtung auf, wobei die Ferromagneten aus Figur 4 zusätzlich oder alternativ zu den Magnetmitteln der Figur 1 angebracht sein.
Die Figuren 5a und 5b zeigen eine schematische Darstellung eines aus Segmenten zusammengesetzten Kollektorspiegels 5 als Vorrichtung mit Ferromagneten 10 als Magnetmittel in perspektivischer Ansicht bzw. in axialer Draufsicht. Der hier dargestellte Kollektorspiegel 5 ist aus mehreren Segmenten zusammengesetzt, die separat und in jeweils schmalen
Abständen zueinander gehaltert werden. Insgesamt ist der Kollektorspiegel 5 wieder in etwa halbkreisförmig ausgebildet. In Figur 5a ist nur ein Ferromagnet 10 dargestellt, um die prinzipielle Anordnung zu zeigen. In einer tatsächlichen Ausgestaltung kann beispielsweise jedes Segment des Kollektorspiegels 5 mit einem Ferromagneten versehen sein, oder aber auch unabhängig von den 15 Kollektorspiegeln 5 mehrere Ferromagneten 10 auf der dem Plasma abgewandten Seite des Kollektorspiegels 5 angebracht sein.
In Figur 5b ist zudem noch der Verlauf der Feldlinien des inhomogenen Magnetfeldes 11 durch Pfeile dargestellt. Wieder sind alle Ferromagneten 10 parallel gepolt. Die Form der Feldlinien entspricht der aus Figur 4, wobei allerdings hier der Kollektorspiegel 5 in seiner richtigen Form dargestellt ist und das Magnetfeld 11 dementsprechend verformt ist.
Die Ferromagneten 10 sind möglichst nahe am Kollektorspiegel 5 angeordnet, ohne ihn zu berühren. Das resultierende inhomogene Magnetfeld 11, welches in der Nähe des Kollektorspiegels 5 stärker als in Richtung zum nicht dargestellten Plasma ist, spiegelt positive und negative Ladungsträger und schützt dadurch den Mehrlagenspiegel 5.
Eine möglichst spitze Ausgestaltung der Pole der Ferromagneten 10 resultiert in großen Magnetfeldgradienten und Spiegelkräften.
16 Bezugszeichenliste
I Strahlungssystem 3 Plasma
5 Spiegelvorrichtung
10 Magnetmittel
II inhomogenes Magnetfeld 12 Einlassmittel
15 Strahl
11 erstes positiv geladenes Ion
12 zweites positiv geladenes Ion

Claims

17 Patentansprüche
1. Vorrichtung für die Erzeugung und / oder Beinflussung elektromagnetischer Strahlung eines Plasmas für die lithographische Herstellung von Halbleiterbauelementen, insbesondere zur Erzeugung und / oder Reflexion von EUV- Strahlung für die EUV-Lithographie,
ekennzeichnet durch
ein Magnetmittel (10) zur Erzeugung mindestens eines inhomogenen Magnetfeldes (11) als Mittel zur gezielten Abschirmung von Ladungsträgern des Plasmas (3) von mindestens einer Fläche der Vorrichtung (1; 5; 12) und / oder eines anderen Bauteils (5; 12) .
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Ladungsträger des Plasmas (3) am inhomogenen Magnetfeld (11) gespiegelt werden.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , dass mindestens ein Magnetfeld so lokalisiert und erzeugt wird, dass die Funktion der Vorrichtung (1; 5; 12) von Wirkungen des Magnetmittel (10) abgeschirmt ist.
4. Vorrichtung nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Magnetmittel (10) mindestens einen Permanentmagneten, mindestens eine Spule, mindestens eine Spule mit einem Polschuh und / oder mindestens einen Elektromagneten aufweist.
5. Vorrichtung nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet , dass mindestens ein Magnetmittel (10) einen supraleitenden Magneten aufweist. 18
6. Vorrichtung nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet , dass mindestens ein Magnetmittel (10) in und/oder an einem Einlassmittel (12) für eine plasmabildende Substanz angeordnet ist .
7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Magnetmittel (10) konzentrisch zur Eintrittsrichtung der plasmabildenden Substanz angeordnet ist.
8. Vorrichtung nach einem der vorangegangenen Ansprüche geke.nnzeichnet durch mindestens ein zum Einlassmittel (12) azentrisches Magnetmittel (10) .
9. Vorrichtung nach einem der vorangegangenen Ansprüche, gekennzeichnet durch mindestens eine Spiegelvorrichtung (5) zum Auffangen der vom Plasma (3) emittierten EUV-Strahlung.
10. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Spiegelvorrichtung (5) mindestens teilweise eine Mehrlagenschicht aufweist.
11. Vorrichuntung nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Magnetmittel (10) auf der vom Plasma (3) abgewandten Seite der Spiegelvorrichtung (5) ausgebildet ist.
12. Vorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass mehrere Magnetmittel (10) auf der vom Plasma (3) abgewandten Seite der Spiegelvorrichtung (5) der Strahlungsquelle (1) ausgebildet sind, die zumindest teilweise der Form der Spiegelvorrichtung (5) angepasst sind.
13. Vorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die zumindest teilweise der Form 19 der Spiegelvorrichtung (5) angepassten Magnetmittel' (10) in geringem Abstand zur Spiegelvorrichtung (5) angeordnet ' sind.
14. Vorrichtung nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, dass die zumindest teilweise der. Form der Spiegelvorrichtung (5) angepassten Magnetmittel' (10) alle mit der gleichen magnetischen Polung zur Spiegelvorrichtung (5) weisen.
15. Vorrichtung nach einem der vorangegangenen .Ansprüche , dadurch gekennzeichnet , dass das Magnetmittel (10) • eine Steuerungsvorrichtung zur Erzeugung eines zeitlich veränderlichen, insbesondere gepulsten inhomogenen Magnetfeldes (11) aufweist.
16. Vorrichtung nach einem der vorangegangenen Ansprüche , gekennzeichnet durch ein Lasermittel und/oder ein Entladungsmittel zur Erzeugung des Plasmas (3) aus einem gasförmigen, festen oder flüssigem Targetmittel, insbesondere Xenon, Lithium, Gold und/oder Zinn.
17. Vorrichtung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass das Lasermittel als gepulster Nd:YAG Laser ausgebildet ist.
18. Vorrichtung nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet , dass das Plasma (3) vor der Austrittsöffnung eines Einlassmittels (12) ausgebildet ist, insbesondere vor einer Düse.
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