WO2007004394A1 - 高純度錫又は錫合金及び高純度錫の製造方法 - Google Patents

高純度錫又は錫合金及び高純度錫の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2007004394A1
WO2007004394A1 PCT/JP2006/311912 JP2006311912W WO2007004394A1 WO 2007004394 A1 WO2007004394 A1 WO 2007004394A1 JP 2006311912 W JP2006311912 W JP 2006311912W WO 2007004394 A1 WO2007004394 A1 WO 2007004394A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
tin
purity
less
alloy
contents
Prior art date
Application number
PCT/JP2006/311912
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Yuichiro Shindo
Kouichi Takemoto
Original Assignee
Nippon Mining & Metals Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Mining & Metals Co., Ltd. filed Critical Nippon Mining & Metals Co., Ltd.
Priority to US11/916,906 priority Critical patent/US20090098012A1/en
Priority to JP2007523392A priority patent/JP4472752B2/ja
Priority to EP06766681.8A priority patent/EP1900853B1/en
Priority to SG2007184468A priority patent/SG138124A1/en
Priority to CN2006800239270A priority patent/CN101213326B/zh
Publication of WO2007004394A1 publication Critical patent/WO2007004394A1/ja
Priority to US14/340,933 priority patent/US9340850B2/en

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B25/00—Obtaining tin
    • C22B25/04—Obtaining tin by wet processes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B25/00—Obtaining tin
    • C22B25/08—Refining
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C13/00—Alloys based on tin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
    • C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
    • C22F1/16—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working of other metals or alloys based thereon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25C—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC PRODUCTION, RECOVERY OR REFINING OF METALS; APPARATUS THEREFOR
    • C25C1/00—Electrolytic production, recovery or refining of metals by electrolysis of solutions
    • C25C1/14—Electrolytic production, recovery or refining of metals by electrolysis of solutions of tin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
    • C25F1/00—Electrolytic cleaning, degreasing, pickling or descaling
    • C25F1/02—Pickling; Descaling
    • C25F1/04—Pickling; Descaling in solution
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B13/00—Obtaining lead
    • C22B13/06—Refining
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/13111—Tin [Sn] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
    • H01L23/4827—Materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]

Definitions

  • the present invention relates to a high purity tin or tin alloy with a reduced tin exposure dose used for manufacturing a semiconductor manufacturing apparatus or the like and a method for manufacturing high purity tin.
  • tin is a material used for manufacturing semiconductors, and is a main raw material for solder materials.
  • Patent Document 1 after the dose shed and tin alloyed with m 2 or less of lead N 10 cph, describes a process for preparing low specific line tin performing Sei ⁇ to remove free Murrell lead tin les RU
  • Patent Document 2 when a material selected from Na, Sr, K, Cr, Nb, Mn, V, Ta, Si, Zr, and Ba is added to Sn-Pb alloy solder at 10 to 5000 ppm, count ⁇ particles is described that drops 111 2 below N 0.5Cph. However, the addition of such materials has reduced the radiation alpha particle count to the level of 0.015 cph m 2 , which has not reached the level expected for today's semiconductor device materials.
  • a further problem is that elements that are undesirable when mixed in semiconductors, such as alkali metal elements, transition metal elements, and heavy metal elements, are used as materials to be added. Therefore, it must be said that it is a low-level material for assembling semiconductor devices.
  • Patent Document 4 lead concentration is low by electrolysis using sulfuric acid and hydrochloric acid with high purity such as special grade sulfuric acid and special grade hydrochloric acid, and using high purity tin as anode.
  • ⁇ ray count is described to obtain a m 2 or less of a high-purity tin N 0.005Cph. It is natural that high-purity materials can be obtained by using high-purity raw materials (reagents) without considering the cost, but the lowest of the deposited tin shown in the example of Patent Document 4 is still the lowest. There ⁇ ray count is 0.002cp cm 2, the high cost of the split, does not reach the level that can be expected.
  • Patent Document 5 nitric acid is added to a heated aqueous solution to which crude metallic tin is added to precipitate metastannic acid, which is filtered and washed. The washed metastannic acid is converted to hydrochloric acid or hydrofluoric acid. And a method of obtaining metal tin of 5N or more by electrolytic collection using the dissolved solution as an electrolytic solution is described.
  • the technology states that this technology can be applied to vague semiconductor devices. There is no particular mention of the limits on the counts of radioactive elements U, Th, and radiation particles. It can be said that the level of interest is low.
  • Patent Document 6 discloses a technique in which the amount of Pb contained in Sn constituting a solder alloy is reduced, and Bi, Sb, Ag, or Zn is used as an alloy material. However, in this case, even if Pb is reduced as much as possible, there is no specific means for fundamentally solving the problem of the count of radiation particles caused by the inevitable Pb.
  • Patent Document 7 the quality produced by electrolysis using a special grade sulfuric acid reagent is 99.99% or less.
  • tin whose radiation ⁇ particle count is 0.03 cpcm 2 or less is disclosed.
  • the lowest wire count is 0.003 cph m 2 , and even though the cost is high, it has reached the expected level.
  • Patent Document 8 describes lead for brazing filler metals for semiconductor devices, having a grade of 4 nines or more, a radioisotope of less than 50 ppm, and a radiation particle count of 0.5 cph m 2 or less.
  • Patent Document 9 describes tin for brazing materials for semiconductor devices, having a grade of 99.95% or more, a radioisotope of less than 30 ppm, and a radiation particle count of 0.2 cph m 2 or less. Yes.
  • Cited Document 10 shows an example of Sn with a purity power of 3 ⁇ 49.999% (5%). This is used for metal plug materials for seismic isolation structures, which are radioactive elements U, Th and Such a material that is not described at all for the limitation on the number of counts of radiation ⁇ particles cannot be used as a semiconductor device assembly material.
  • Cited Document 11 discloses a method of removing technetium with graphite or activated carbon powder from nickel contaminated with a large amount of technetium (Tc), uranium and thorium.
  • Tc technetium
  • uranium uranium
  • thorium a large amount of technetium
  • the reason for this is that if technetium is removed by electrolytic refining, it follows nickel and eutectoids into a force sword, so it cannot be separated.
  • technetium which is a radioactive substance contained in Nikkenole, cannot be removed by electrolytic purification.
  • the technology of reference 11 is a problem specific to nickel contaminated with technetium and is not applicable to other substances.
  • this technology is only a low-level technology for the purification of industrial waste that is harmful to the human body, reaching the level as a material for semiconductor devices.
  • Patent Document 1 Japanese Patent No. 3528532
  • Patent Document 2 Japanese Patent No. 3227851
  • Patent Document 3 Japanese Patent No. 2913908
  • Patent Document 4 Japanese Patent No. 2754030
  • Patent Document 5 Japanese Patent Laid-Open No. 11-343590
  • Patent Document 6 JP-A-9-260427
  • Patent Document 7 Japanese Patent Laid-Open No. 1-283398
  • Patent Document 8 JP-A 62-47955
  • Patent Document 9 Japanese Patent Laid-Open No. 62-1478
  • Patent Document 10 Japanese Patent Laid-Open No. 2001-82538
  • Patent Document 11 JP-A-7-280998
  • the high-purity tin or tin alloy of the present invention has a purity of 5N or more (except for gas components of 0, C, N, H, S, and P), Among them, the contents of each of the radioactive elements U and Th are 5 ppb or less, and the contents of Pb and Bi that emit radiation particles are 1 ppm or less, respectively. This is to eliminate the effects of. (Note that%, ppm, and ppb used in the present invention all indicate weight (wt).) The high-purity tin or tin alloy of the present invention is finally melted and forged and optionally rolled and cut.
  • the high-purity tin or tin alloy according to the present invention which is manufactured in the present invention and desirably has a strand count of the high-purity tin of O.OOlcph m 2 or less, realizes this.
  • tin as a raw material is leached with an acid, for example, sulfuric acid, and then the leached solution is used as an electrolytic solution.
  • the adsorbent of impurities is suspended in the electrolytic solution, and the raw material Sn anode is used for electrolytic purification, so that the purity is 5N or more (however, 0, C, N, H, S, Among them, the contents of each of the radioactive elements U and Th are 5 ppb or less, and the contents of Pb and Bi that emit radioactive particles are 1 ppm or less. Obtain pure tin.
  • oxides such as titanium oxide, aluminum oxide and tin oxide, activated carbon, carbon and the like can be used.
  • the high-purity tin obtained by the above-described electrolytic refining was melt-cast at 250 to 500 ° C, and the strand count after 6 months or more of this forged ingot was calculated as O.Olcph m 2 The following.
  • Sn fabrication there is radon uptake and polonium evaporation, making it difficult to accurately measure actual impurities and alpha dose in Sn. Therefore, it is necessary to have more than 6 months to stabilize it.
  • the ⁇ -ray count number power is stabilized to less than SO.OOlcph m 2 after 6 months or more.
  • additive components for high-purity tin alloys include silver, copper, and zinc, but these elements are not particularly limited. Also, the usual addition amount is 0.1-20 wt%, but there is no limit to this amount. Similarly, it is necessary to use high purity materials.
  • the high-purity tin or tin alloy of the present invention has a purity of 5N or more (excluding gas components of ⁇ , C, N, H, S, and P), and among these, radioactive elements U, Th
  • Each content of Pb and Bi, which emits radiation particles, is less than 1 ppm, and the influence of the wires on the semiconductor chip can be eliminated as much as possible.
  • the high-purity tin or tin alloy of the present invention is finally produced by melt forging, and the alpha ray count of high-purity tin having the tin forging structure is O.OOlcph m 2. It has the outstanding effect that it can be made below. This can significantly reduce the occurrence of soft errors due to the effects of ⁇ rays on the semiconductor device.
  • the raw material tin As the raw material tin, commercially available tin of 2 to 3N level is usually used. However, the raw material tin need not be limited to such commercially available products. This raw material tin is leached with acid, and this leachate is used as an electrolyte. As the acid to be used, hydrochloric acid, sulfuric acid and the like are preferable.
  • the anode uses 2-4N level Sn.
  • electrolysis is performed under conditions of an electrolysis temperature of 10 to 80 ° C. and a current density of 0.1 to 50 A / dm 2 .
  • Oxides such as titanium oxide, aluminum oxide, and tin oxide, activated carbon, and carbon are suspended in the electrolytic solution to adsorb impurities. This is particularly effective for removing Pb and Bi.
  • the deposited electrolytic tin is melt-cast under conditions of 250 to 500 ° C. to obtain a tin ingot.
  • This temperature range is effective for removing radioactive elements such as Po. It is difficult to forge just above the melting point below 250 ° C. Above 500 ° C, Sn is evaporated, which is not preferable. Therefore, it melts and forges in the above temperature range.
  • the forged tin ingot was stored for 6 months in an inert gas atmosphere or under vacuum. Examining the radiation dose after the lapse of 6 months, the number of wire counts decreases, and it becomes possible to make it less than O.OOlcph m 2 .
  • tin alloys especially when the contents of the additive elements are the contents of each of the radioactive elements U and Th, the contents of Pb and Bi that emit radiation particles, and tin alloys.
  • a high-purity material that satisfies the conditions of the present invention is selected and alloyed.
  • the manufacturing process is the same as that for manufacturing the tin ingot.
  • the high-purity tin or tin alloy of the present invention thus obtained has an excellent effect that the occurrence of soft errors due to the influence of the wire of the semiconductor device can be remarkably reduced.
  • Raw material tin was leached with sulfuric acid, and this leaching solution was used as an electrolyte.
  • 3N level Sn was used for the anode. This was electrolyzed under the conditions of an electrolysis temperature of 20 ° C. and a current density of lA / dm 2 .
  • Table 1 shows the analytical values of the raw material tin.
  • the electrolyte 50 g / L of titanium oxide (TiO) was added and suspended.
  • TiO titanium oxide
  • the Pb content was 0.7 ppm and the Bi content was O. lppm.
  • the content of each of U and Th was 5 ppb. In this way, the amount of Pb, Bi, U, and Th were reduced because the impurities Pb and Bi were reduced by adsorption to suspended titanium oxide, and impurities U, The decrease in Th is due to electrolysis.
  • the deposited electrolytic tin was melted and fabricated at a temperature of 260 ° C. to obtain a tin ingot.
  • the forged tin ingot was stored for 6 months in an argon gas atmosphere.
  • the ⁇ -ray count was 0.0007 cph m 2 .
  • the analytical values of tin after purification are also shown in Table 1.
  • Raw material tin was leached with sulfuric acid, and this leaching solution was used as an electrolyte.
  • the same 3N level Sn as in Example 1 was used for the anode.
  • the deposited electrolytic tin was melted and fabricated at a temperature of 500 ° C. to obtain a tin ingot. This trap The fabricated tin ingot was stored for 10 months in a nitrogen atmosphere. As a result of examining the radiation dose after 10 months, the ⁇ ray count was 0.0005 cph m 2 . Table 1 shows the analytical values of tin after purification.
  • Raw material tin was leached with hydrochloric acid, and this leaching solution was used as an electrolytic solution. Further, the same 3N level Sn as in Example 1 was used for the anode. This is electrolysis temperature 50. Electrolysis was performed under the conditions of C and current density of 10 A / dm 2 .
  • the deposited electrolytic tin was melted and formed at a temperature of 350 ° C. to obtain a tin ingot.
  • the manufactured tin ingot was stored in a vacuum for 20 months.
  • the ⁇ -ray count was 0.0009 cph m 2 .
  • the analytical values of tin after purification are also shown in Table 1.
  • Raw material tin was leached with hydrochloric acid, and this leaching solution was used as an electrolytic solution. Further, the same 3N level Sn as in Example 1 was used for the anode. This is electrolysis temperature 40. Electrolysis was performed under the conditions of C and current density of 15 A / dm 2 . In addition, 50 g / L of tin oxide was placed in the electrolyte and suspended. By the above purification after electrolysis, the Pb content was 0.06 ppm and the Bi content was O.Olppm. In addition, the content of each of U and Th became Sp 5p pb. Thus, the decrease in the Pb and Bi contents and the U and Th contents is due to the adsorption of the impurities Pb and Bi to the suspended tin oxide, and the impurities U and The decrease in Th is due to electrolysis.
  • the deposited electrolytic tin was melted and fabricated at a temperature of 400 ° C. to obtain a tin ingot.
  • This manufactured tin ingot was stored in a desiccator for 50 months.
  • the power of the wire count was less than .0005 cph m 2 .
  • the analytical values of tin after purification are also shown in Table 1.
  • Raw material tin was leached with sulfuric acid, and this leaching solution was used as an electrolyte.
  • the same 3N level Sn as in Example 1 was used for the anode. This is the same condition as in Example 1, ie, electrolysis temperature 25. C, was electrolytically on the condition that the current density of 3A / dm 2.
  • the suspension material was not put in electrolyte solution.
  • the Pb content was 200 ppm and the Bi content was 20 ppm.
  • the contents of U and Th were 0.01 ppb and 0.006 ppb, respectively. This was an impurity level not much different from the raw material.
  • the deposited electrolytic tin was melt-cast under a condition of 240 ° C. to obtain a tin ingot.
  • the tin ingot after this production was stored in an argon atmosphere for 6 months.
  • the filament count was 8.0 cph m 2 .
  • Table 1 shows the analytical values of tin after purification.
  • the high-purity tin produced in Example 1 was prepared.
  • the additive elements of the tin alloy of this example were purified from commercially available silver and copper to 5N5-Ag and 6N-Cu by electrolysis. These were added to the high purity tin and melted and fabricated at a temperature of 260 ° C. in an inert atmosphere to produce a Sn—Cu—Ag alloy ingot composed of 0.5% Cu—3% Ag—the balance Sn. .
  • the forged tin ingot was stored in an argon gas atmosphere for 6 months.
  • the number of strands was 0.0007 cph m 2 .
  • Table 2 shows the analytical values of the tin alloy.
  • the high-purity tin produced in Example 1 was prepared.
  • Silver which is an additive element of the tin alloy of the present example, is obtained by dissolving commercially available Ag with nitric acid, adding HC1 to this, precipitating AgCl, and further reducing it to a high concentration of 5N-Ag. Purity Ag was obtained. This was added to the high-purity tin and melted and produced at a temperature of 260 ° C. in an inert atmosphere to produce a Sn—Ag alloy ingot consisting of 3.5% Ag—the balance Sn.
  • the forged tin ingot was stored in an argon gas atmosphere for 6 months.
  • the filament count was 0.0005 cph m 2 .
  • Table 2 shows the analytical values of the tin alloy.
  • U is a radioactive element, 5 ppb or less the content of each of Th, Pb which emits radiation shed particles, the content of each of Bi is less LPPM, further shed ray count N 0.00 lcph m 2 or less.
  • Example 7 Tetin alloy consisting of 9% Zn-balance Sn
  • the high-purity tin produced in Example 1 was prepared.
  • the additive element of the tin alloy of this example was 6N-Zn, which was obtained by highly purifying commercially available silver and zinc by electrolysis. These were added to the high-purity tin and melted and fabricated at a temperature of 260 ° C. in an inert atmosphere to produce a Sn—Zn alloy ingot composed of 9% Zn—the balance Sn.
  • the forged tin ingot was stored in an argon gas atmosphere for 6 months.
  • the filament count was 0.0008 cph m 2 .
  • Table 2 shows the analytical values of the tin alloy.
  • the high-purity tin produced in Example 1 was prepared. Commercially available 3N level silver and copper were used as additive elements of the tin alloy of this example. These were added to the high-purity tin and melted and fabricated at a temperature of 260 ° C. in an inert atmosphere to produce a Sn—Cu—Ag alloy ingot composed of 0.5% Cu—3% Ag—the balance Sn.
  • the forged tin ingot was stored in an argon gas atmosphere for 6 months.
  • the ⁇ ray count was O. lcphAm 2 .
  • Table 2 shows the analytical values of the tin alloy.
  • the high-purity tin produced in Example 1 was prepared.
  • Silver which is an additive element of the tin alloy of this example Added a commercially available 3N level Ag to the high-purity tin, and melted and cast it at 260 ° C. in an inert atmosphere to produce a Sn-Ag alloy ingot composed of 3.5% Ag-remainder Sn.
  • the forged tin ingot was stored in an argon gas atmosphere for 6 months.
  • the wire count was 0.03 cph m 2 .
  • Table 2 shows the analytical values of the tin alloy.
  • the high-purity tin produced in Example 1 was prepared. Commercially available 3N level silver and zinc were used as additive elements of the tin alloy of this example. These were added to the high-purity tin and melted and fabricated at a temperature of 260 ° C. in an inert atmosphere to produce a Sn—Zn alloy ingot composed of 9% Zn—the balance Sn.
  • the forged tin ingot was stored in an argon gas atmosphere for 6 months.
  • the ⁇ ray count was 0.5 C phAm 2 .
  • Table 2 shows the analytical values of the tin alloy.
  • the present invention has a purity of 5N or more (except for gas components of 0, C, N, H, S, and P), and among them, the contents of U and Th that are radioactive elements are included.

Abstract

　U、Thのそれぞれの含有量が5ppb以下、Pb、Biのそれぞれの含有量が1ppm以下であり、純度が5N以上（但し、O、C、N、H、S、Pのガス成分を除く）であることを特徴とする高純度錫又は錫合金。鋳造組織を持つ高純度錫のα線カウント数が0.001cph/cm2以下であることを特徴とする高純度錫又は錫合金。最近の半導体装置は、高密度化及び高容量化されているので、半導体チップ近傍の材料からのα線の影響により、ソフトエラーが発生する危険が多くなってきている。特に、半導体装置に近接して使用される、はんだ材料若しくは錫に対する高純度化の要求が強く、またα線の少ない材料が求められているので、本発明は、これに適応できる錫のα線量を低減させた高純度錫又は錫合金及び高純度錫の製造方法を得ることを課題とする。

Description

明 細 書
高純度錫又は錫合金及び高純度錫の製造方法
技術分野
[0001] この発明は、半導体製造装置の製造等に使用する、錫のひ線量を低減させた高純 度錫又は錫合金及び高純度錫の製造方法に関する。
背景技術
[0002] 一般に、錫は、半導体の製造に使用される材料で、特にはんだ材料の主たる原料 である。半導体を製造する際に、はんだは半導体チップと基板との接合、 ICや LSI等 の Siチップをリードフレームやセラミックスパッケージにボンディングし又は封止する時 、 TAB (テープ'オートメイテッド'ボンディング)ゃフリップチップ製造時のバンプ形成 、半導体用配線材等に使用されている。
最近の半導体装置は、高密度化及び高容量化されているので、半導体チップ近傍 の材料からの α線の影響により、ソフトエラーが発生する危険が多くなつてきた。この ようなことから、前記はんだ材料及び錫の高純度化の要求があり、また α線の少ない 材料が求められている。
[0003] 錫からひ線を減少させるという目的の技術に関するいくつかの開示がある。それを 以下に紹介する。
下記特許文献 1には、錫とひ線量が 10 cphん m2以下の鉛を合金化した後、錫に含 まれる鉛を除去する精鍊を行う低ひ線錫の製造方法が記載されてレ、る。
この技術の目的は高純度 Pbの添加により錫中の 21QPbを希釈してひ線量を低減しよ うとするものである。しかし、この場合、錫に添カ卩した後で、 Pbをさらに除去しなければ ならないという煩雑な工程が必要であり、また錫を精練した 3年後にはひ線量が大き く低下した数値を示している力 3年を経ないとこのひ線量が低下した錫を使用でき なレ、とレ、うようにも理解されるので、産業的には効率が良レ、方法とは言えなレ、。
[0004] 下記特許文献 2には、 Sn-Pb合金はんだに、 Na、 Sr、 K、 Cr、 Nb、 Mn、 V、 Ta、 Si、 Zr 、 Baから選んだ材料を 10〜5000ppm添加すると、放射線 α粒子のカウント数が 0.5cph ん1112以下に低下するという記載がある。 しかし、このような材料の添加によっても放射線 α粒子のカウント数を減少できたの は 0.015cphん m2レベルであり、今日の半導体装置用材料としては期待できるレベル には達していない。
さらに問題となるのは、添加する材料としてアルカリ金属元素、遷移金属元素、重 金属元素など、半導体に混入しては好ましくない元素が用いられていることである。し たがって、半導体装置組立て用材料としてはレベルが低い材料と言わざるを得なレ、。
[0005] 下記特許文献 3には、はんだ極細線から放出される放射線ひ粒子のカウント数を 0.
5cphん m2以下にして、半導体装置等の接続配線用として使用することが記載されて いる。しかし、この程度の放射線ひ粒子のカウント数レベルでは、今日の半導体装置 用材料としては期待できるレベルには達していない。
下記特許文献 4には、特級硫酸、特級塩酸などの精製度の高い硫酸と塩酸を使用 して電解液とし、かつ高純度の錫を陽極に用いて電解することにより鉛濃度が低ぐ 鉛の α線カウント数が 0.005cphん m2以下の高純度錫を得ることが記載されている。コ ストを度外視して、高純度の原材料 (試薬）を使用すれば、高純度の材料が得られる ことは当然ではあるが、それでも特許文献 4の実施例に示されている析出錫の最も低 い α線カウント数が 0.002cp cm2であり、コスト高の割には、期待できるレベルには達 していない。
[0006] 下記特許文献 5には、粗金属錫を加えた加熱水溶液に硝酸を添加してメタ錫酸を 沈降させ、ろ過し、これを洗浄し、洗浄後のメタ錫酸を塩酸又は弗酸で溶解し、この 溶解液を電解液として電解採取により 5N以上の金属錫を得る方法が記載されている 。この技術には漠然とした半導体装置用としての適用ができると述べている力 放射 性元素である U、 Th及び放射線ひ粒子のカウント数の制限については、特に言及さ れておらず、これらについては関心が低いレベルのものと言える。
[0007] 下記特許文献 6には、はんだ合金を構成する Sn中に含まれる Pbの量を減少させ、 合金材として Bi又は Sb、 Ag、 Znを用いるとする技術が示されている。しかし、この場合 たとえ Pbをできるだけ低減したとしても、必然的に混入してくる Pbに起因する放射線 ひ粒子のカウント数の問題を根本的に解決する手段は、特に示されていない。
下記特許文献 7には、特級硫酸試薬を用いて電解して製造した、品位が 99.99%以 上であり、放射線 α粒子のカウント数が 0.03cp cm2以下である錫が開示されている 。この場合も、コストを度外視して、高純度の原材料 (試薬）を使用すれば、高純度の 材料が得られることは当然ではある力 それでも特許文献 7の実施例に示されている 析出錫の最も低いひ線カウント数が 0.003cphん m2であり、コスト高の割には、期待で きるレベルには達してレ、なレ、。
[0008] 下記特許文献 8には、 4ナイン以上の品位を有し、放射性同位元素が 50ppm未満、 放射線ひ粒子のカウント数が 0.5cphん m2以下である、半導体装置用ろう材用鉛が記 載されている。また、下記特許文献 9には、 99.95%以上の品位で、放射性同位元素が 30ppm未満、放射線ひ粒子のカウント数が 0.2cphん m2以下である、半導体装置用ろう 材用錫が記載されている。
これらはいずれも、放射線ひ粒子のカウント数の許容量が緩やかで、今日の半導 体装置用材料としては期待できるレベルには達していない問題がある。
引用文献 10には、純度力 ¾9.999%(5Ν)である Snの例が示されている力 これは免震 構造体用金属プラグ材料に使用するもので、放射性元素である U、 Th及び放射線 α 粒子のカウント数の制限については、一切記載がなぐこのような材料を半導体装置 組立て用材料として使用することはできない。
さらに引用文献 11には、多量のテクネチウム（Tc)、ウラン、トリウムで汚染された二 ッケルから、テクネチウムを黒鉛又は活性炭の粉末により除去する方法が開示されて いる。この理由は、テクネチウムを電解精製法で除去しょうとするとニッケルに追従し て、力ソードに共析するため分離できないからである。すなわち、ニッケノレに含まれる 放射性物質であるテクネチウムを電解精製法では除去できない。引用文献 11の技 術はテクネチウムで汚染されたニッケル固有の問題であり、他の物質に適用できる問 題ではない。
また、この技術は人体に有害な産業廃棄物を処理するという、高純度化の技術とし ては低レベルの技術に過ぎず、半導体装置用材料としてのレベルには達してレ、なレ、
[0009] 特許文献 1：特許第 3528532号公報
特許文献 2：特許第 3227851号公報 特許文献 3：特許第 2913908号公報
特許文献 4：特許第 2754030号公報
特許文献 5：特開平 11-343590号公報
特許文献 6：特開平 9-260427号公報
特許文献 7：特開平 1-283398号公報
特許文献 8：特開昭 62-47955号公報
特許文献 9：特開昭 62-1478号公報
特許文献 10：特開 2001-82538号公報
特許文献 11 :特開平 7-280998号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0010] 最近の半導体装置は、高密度化及び高容量化されているので、半導体チップ近傍 の材料からのひ線の影響により、ソフトエラーが発生する危険が多くなつてきている。 特に、半導体装置に近接して使用される、はんだ材料若しくは錫に対する高純度化 の要求が強ぐまたひ線の少ない材料が求められているので、本発明は、これに適応 できる錫のひ線量を低減させた高純度錫又は錫合金及び高純度錫の製造方法を得 ることを課題とする。
課題を解決するための手段
[0011] 上記の問題点を解決するため、本発明の高純度錫又は錫合金は、純度が 5N以上（ 但し、 0、 C、 N、 H、 S、 Pのガス成分を除く）であり、その中でも放射性元素である U、 T hのそれぞれの含有量が 5ppb以下、放射線ひ粒子を放出する Pb、 Biのそれぞれの含 有量が lppm以下であることを特徴とし、半導体チップへのひ線の影響を極力排除す るものである。 （なお、本願発明で使用する％、 ppm、 ppbは、全て重量 (wt)を示す。） 本発明の高純度錫又は錫合金は最終的には、溶解 '錡造及び、必要により圧延- 切断して製造されるもので、その高純度錫のひ線カウント数が O.OOlcphん m2以下で あることが望ましぐ本願発明の高純度錫又は錫合金はそれを実現するものである。
[0012] 本願発明において、特に高純度錫の製造が重要であるが、この高純度錫の製造方 法としては、原料となる錫を酸、たとえば硫酸で浸出させた後、この浸出液を電解液 とし、該電解液に不純物の吸着材を懸濁させ、原料 Snアノードを用いて電解精製を 行うものであり、これによつて純度が 5N以上（但し、 0、 C、 N、 H、 S、 Pのガス成分を除 く）であり、その中でも放射性元素である U、 Thのそれぞれの含有量が 5ppb以下、放 射線ひ粒子を放出する Pb、 Biのそれぞれの含有量が lppm以下である高純度錫を得 る。
Pb、 Biはいずれも Snと電位が近いので、除去が難しいという問題がある力 本願発 明は本方法により、この効果的な除去を実現するものである。
前記電解液に懸濁させる吸着材としては、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化錫 等の酸化物、活性炭、カーボン等を用いることができる。
[0013] さらに、上記の電解精製によって得られた高純度錫を 250〜500° Cで溶解铸造し、 この铸造したインゴットの 6ヶ月以上経過した後のひ線カウント数を O.OOlcphん m2以下 とする。 Snの錡造時には、ラドンの取り込み、ポロニウムの蒸発があり、 Sn中の実際の 不純物や α線量の厳密な測定が困難である。したがって、これが安定する 6ヶ月以上 の経過は必要である。
すなわち換言すれば、本発明においては、 6ヶ月以上の経過により α線カウント数 力 SO.OOlcphん m2以下に安定すると言える。
高純度錫合金の添加成分 (合金成分）としては、銀、銅、亜鉛などを挙げることがで きるが、これらの元素に特に制限されなレ、。また、通常添加量は 0.1〜20wt%とするが 、この量にも制限がなレ、。同様に高純度の材料を使用することが必要である。
発明の効果
[0014] 本発明の高純度錫又は錫合金は、純度が 5N以上（但し、〇、 C、 N、 H、 S、 Pのガス 成分を除く）であり、その中でも放射性元素である U、 Thのそれぞれの含有量が 5ppb 以下、放射線ひ粒子を放出する Pb、 Biのそれぞれの含有量が lppm以下であることを 特徴とし、半導体チップへのひ線の影響を極力排除することができる。
そして、本発明の高純度錫又は錫合金は最終的には、溶解铸造によって製造され るものであるが、その錫の铸造組織を持つ高純度錫の α線カウント数が O.OOlcphん m 2以下とすることができるという優れた効果を有する。これにより、半導体装置の α線の 影響によるソフトエラーの発生を著しく減少できる。 発明を実施するための最良の形態
[0015] 原料錫としては、通常市販の 2〜3Nレベルの錫を使用する。しかし、原料錫はこの ような市販品に限定される必要はない。この原料錫を酸により浸出し、この浸出液を 電解液とする。使用する酸としては、塩酸、硫酸等が好適である。
またアノードには 2〜4Nレベルの Snを用いる。次に、電解温度 10〜80° C、電流密 度 0.1〜50A/dm2の条件で電解を行う。
電解液中には、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化錫等の酸化物、活性炭、カー ボンを懸濁させて、不純物を吸着させる。特に、これは Pb、 Biの除去に有効である。
[0016] 以上の電解後の精製により、放射性元素である U、 Thのそれぞれの含有量を 5ppb 以下、放射線 α粒子を放出する Pb、 Biのそれぞれの含有量を lppm以下とすることが 可能となる。このように、 Pb量及び Bi量及び U、 Th含有量が低減するのは、特に電解 条件及び懸濁物によるものである。
この析出した電解錫を、 250〜500° Cの条件で溶解铸造し、錫インゴットとする。こ の温度範囲は、 Po等の放射性元素の除去に有効である。 250° C未満の融点直上で は铸造が難しぐ 500° Cを超えると Snの蒸発が起こるので好ましくない。したがって、 上記の温度範囲で溶解錡造する。
この铸造後の錫インゴットを不活性ガス雰囲気中又は真空減圧下で 6ヶ月保管した 。その 6ヶ月経過後のひ線量を調べると、 ひ線カウント数が減少し、 O.OOlcphん m2以 下とすることが可能となる。
錫合金の場合も同様であり、添加元素の材料として、特に放射性元素である U、 Th のそれぞれの含有量、放射線ひ粒子を放出する Pb、 Biのそれぞれの含有量力 錫 合金とした場合に、本願発明の条件を満たす高純度材料を選択して、合金化する。 製造工程は上記錫インゴットを製造する場合と同様である。
このようにして得た本願発明の高純度錫又は錫合金は、半導体装置のひ線の影響 によるソフトエラーの発生を著しく減少できるという優れた効果を有する。
実施例
[0017] 次に、本発明の実施例について説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、 この例に制限されるものではなレ、。すなわち、本発明の技術思想の範囲内で、実施 例以外の態様あるいは変形を全て包含するものである。
[0018] (実施例 1)
原料錫を硫酸で浸出し、この浸出液を電解液とした。またアノードには 3Nレベルの S nを用いた。これを電解温度 20° C、電流密度 lA/dm2という条件で電解を行った。原 料錫の分析値を表 1に示す。
また、電解液中には、酸化チタン (Ti〇）を 50g/L入れ、懸濁させた。以上の電解後 の精製により、 Pb量は 0.7ppm、 Bi量は O. lppmとなった。また、 U、 Thのそれぞれの含 有量力く 5ppbとなった。このように、 Pb量及び Bi量及び U、 Th含有量が低減したのは、 不純物である Pb、 Biの減少は懸濁させた酸化チタンへの吸着によるものであり、また 不純物である U、 Thの減少は電解によるものである。
この析出した電解錫を、 260° C温度で溶解'铸造し、錫インゴットとした。この铸造 後の錫インゴットをアルゴンガス雰囲気中で 6ヶ月保管した。その 6ヶ月経過後のひ線 量を調べた結果、 α線カウント数が 0.0007cphん m2となった。精製後の錫の分析値を 同様に表 1に示す。
これは、放射性元素である U、 Thのそれぞれの含有量を 5ppb以下、放射線 α粒子 を放出する Pb、 Biのそれぞれの含有量を lppm以下とし、さらに α線カウント数が 0.00 lcph rn2以下とする本願発明の目標を充足するものであった。これにより、半導体装 置の製造に適合する高純度錫材料を得ることができた。
[0019] [表 1]
元素 原料 実施例 1 実施例 2 実施例 3 実施例 4 比較例 1
Al 1.0 く 0.01 く 0.01 <0.01 く 0.01
S 11 6 3 0.02 6 6
Fe 60 く 0.01 く 0.01 く 0.01 <0.01 く 0.01
Co 10 <0.1 <0.1 <0.1 <0.1 <0.1
Ni 48 く 0.1 <0.1 <0.1 <0.1 <0.1
Cu 26 0.3 0.1 0.3 0.3 0.3
As 130 0.05 <0.05 0.05 0.05 0.05
Cd 2 <0.05 く 0.05 <0.05 <0.05 く 0.05
In 19 <1 <1 <1 <1 <1
Sb 63 <0.5 <0.5 く 0.5 く 0.5 <0.5
Te 0.5 <0.1 0.1 <0.1 <0.1 <0.1
Pb 220 0.7 0.1 0.9 0.06 200
Bi 98 0.1 0.05 0.3 0.01 20
U 0.5 く 0.005 く 0.005 く 0.005 く 0.005 0.01
Th 0.8 <0.005 <0.005 く 0.005 く 0.005 0.006 線里 8.6 0.0007 0.0007 0.0009 <0.0005 8.0 各元素量： wtppm (但し、 U、Th }こつレ、て（ま wtppb) ゝ な線量： cph/cm2
(実施例 2)
原料錫を硫酸で浸出し、この浸出液を電解液とした。またアノードには実施例 1と同 じ 3Nレベルの Snを用いた。これを電解温度 25° C、電流密度 3A/dm2という条件で電 解を行った。
また、電解液中には、活性炭を 10g/L入れ、懸濁させた。以上の電解後の精製によ り、 Pb量は 0.1ppm、 Bi量は 0.05ppmとなった。また、 U、 Thのそれぞれの含有量がく 5pp bとなった。このように、 Pb量及び Bi量及び U、 Th含有量が低減したのは、不純物であ る Pb、 Biの減少は懸濁させた活性炭への吸着によるものであり、また不純物である U 、 Thの減少は電解によるものである。
この析出した電解錫を、 500° Cの温度で溶解 '铸造し、錫インゴットとした。この铸 造後の錫インゴットを窒素雰囲気中で 10ヶ月保管した。その 10ヶ月経過後のひ線量 を調べた結果、 α線カウント数が 0.0005cphん m2となった。精製後の錫の分析値を同 様に表 1に示す。
これは、放射性元素である U、 Thのそれぞれの含有量を 5ppb以下、放射線ひ粒子 を放出する Pb、 Biのそれぞれの含有量を lppm以下とし、さらにひ線カウント数が 0.00 lcphん m2以下とする本願発明の目標を充足するものであった。これにより、半導体装 置の製造に適合する高純度錫材料を得ることができた。
[0021] (実施例 3)
原料錫を塩酸で浸出し、この浸出液を電解液とした。またアノードには、実施例 1と 同一の 3Nレベルの Snを用いた。これを電解温度 50。 C、電流密度 10A/dm2という条 件で電解を行った。
また、電解液中には、カーボンを 40g/L入れ、懸濁させた。以上の電解後の精製に より、 Pb量は 0.9ppm、 Bi量は 0.3ppmとなった。また、 U、 Thのそれぞれの含有量力 Sく 5p pbとなった。このように、 Pb量及び Bi量及び U、 Th含有量が低減したのは、不純物で ある Pb、 Biの減少は懸濁させたカーボンへの吸着によるものであり、また不純物であ る U、 Thの減少は電解によるものである。
この析出した電解錫を、 350° Cの温度で溶解 '铸造し、錫インゴットとした。この铸 造後の錫インゴットを真空中で 20ヶ月保管した。その 20ヶ月経過後のひ線量を調べ た結果、 α線カウント数が 0.0009cphん m2となった。精製後の錫の分析値を同様に表 1に示す。
これは、放射性元素である U、 Thのそれぞれの含有量を 5ppb以下、放射線 α粒子 を放出する Pb、 Biのそれぞれの含有量を lppm以下とし、さらにひ線カウント数が 0.00 lcphん m2以下とする本願発明の目標を充足するものであった。これにより、半導体装 置の製造に適合する高純度錫材料を得ることができた。
[0022] (実施例 4)
原料錫を塩酸で浸出し、この浸出液を電解液とした。またアノードには、実施例 1と 同一の 3Nレベルの Snを用いた。これを電解温度 40。 C、電流密度 15A/dm2という条 件で電解を行った。 また、電解液中には、酸化錫を 50g/L入れ、懸濁させた。以上の電解後の精製によ り、 Pb量は 0.06ppm、 Bi量は O.Olppmとなった。また、 U、 Thのそれぞれの含有量力 Sく 5p pbとなった。このように、 Pb量及び Bi量及び U、 Th含有量が低減したのは、不純物で ある Pb、 Biの減少は懸濁させた酸化錫への吸着によるものであり、また不純物である U、 Thの減少は電解によるものである。
この析出した電解錫を、 400° Cの温度で溶解 '錡造し、錫インゴットとした。この錡 造後の錫インゴットをデシケータ中で 50ヶ月保管した。その 50ヶ月経過後のひ線量を 調べた結果、 ひ線カウント数力 .0005cphん m2未満となった。精製後の錫の分析値を 同様に表 1に示す。
これは、放射性元素である U、 Thのそれぞれの含有量を 5ppb以下、放射線ひ粒子 を放出する Pb、 Biのそれぞれの含有量を lppm以下とし、さらにひ線カウント数が 0.00 lcphん m2以下とする本願発明の目標を充足するものであった。これにより、半導体装 置の製造に適合する高純度錫材料を得ることができた。
(比較例 1)
原料錫を硫酸で浸出し、この浸出液を電解液とした。またアノードには実施例 1と同 じ 3Nレベルの Snを用いた。これを実施例 1と同一の条件、すなわち電解温度 25。 C、 電流密度 3A/dm2という条件で電解を行った。
また、電解液中には、懸濁材を入れなかった。以上の電解後の精製により、 Pb量は 200ppm、 Bi量は 20ppmとなった。また、 U、 Thのそれぞれの含有量が 0.01ppb、 0.006p pbとなった。これは原料と大差ない不純物レベルであった。
この析出した電解錫を、 240° Cの条件下で溶解铸造し、錫インゴットとした。この铸 造後の錫インゴットをアルゴン雰囲気中で 6ヶ月保管した。その 6ヶ月経過後のひ線量 を調べた結果、 ひ線カウント数が 8.0cphん m2となった。精製後の錫の分析値を同様 に表 1に示す。
これは、放射性元素である U、 Thのそれぞれの含有量を 5ppb以下、放射線ひ粒子 を放出する Pb、 Biのそれぞれの含有量を lppm以下とし、さらにひ線カウント数が 0.00 lcphん m2以下とする本願発明の目標に達することはできず。これにより、半導体装置 の製造に不適であった。 [0024] (実施例 5)
(0.5%Cu-3%Ag-残部 Snからなる錫合金）
実施例 1で製造した高純度錫を準備した。本実施例の錫合金の添加元素は、市販 の銀及び銅を電解により高純度化し、 5N5-Ag及び 6N-Cuとした。これらを前記高純 度錫に添加し、不活性雰囲気中、 260° C温度で溶解'錡造し、 0.5%Cu-3%Ag-残部 S nからなる Sn-Cu-Ag合金インゴットを製造した。
この铸造後の錫インゴットをアルゴンガス雰囲気中で 6ヶ月保管した。その 6ヶ月経 過後のひ線量を調べた結果、 ひ線カウント数が 0.0007cphん m2となった。錫合金の分 析値を表 2に示す。
これは、放射性元素である U、 Thのそれぞれの含有量を 5ppb以下、放射線ひ粒子 を放出する Pb、 Biのそれぞれの含有量を lppm以下とし、さらにひ線カウント数が 0.00 lcphん m2以下とする本願発明の目標を充足するものであった。これにより、半導体装 置の製造に適合する高純度錫材料を得ることができた。
[0025] (実施例 6)
(3.5%Ag-残部 Snからなる錫合金）
実施例 1で製造した高純度錫を準備した。本実施例の錫合金の添加元素である銀 は、市販の Agを硝酸により溶解し、これに HC1を添カ卩して AgClを析出させ、これをさら に水素還元して 5N-Agの高純度 Agを得た。これを前記高純度錫に添加し、不活性雰 囲気中、 260° C温度で溶解 '铸造し、 3.5%Ag-残部 Snからなる Sn-Ag合金インゴットを 製造した。
この铸造後の錫インゴットをアルゴンガス雰囲気中で 6ヶ月保管した。その 6ヶ月経 過後のひ線量を調べた結果、 ひ線カウント数が 0.0005cphん m2となった。錫合金の分 析値を表 2に示す。
これは、放射性元素である U、 Thのそれぞれの含有量を 5ppb以下、放射線ひ粒子 を放出する Pb、 Biのそれぞれの含有量を lppm以下とし、さらにひ線カウント数が 0.00 lcphん m2以下とする本願発明の目標を充足するものであった。これにより、半導体装 置の製造に適合する高純度錫材料を得ることができた。
[0026] (実施例 7) (9%Zn-残部 Snからなる錫合金）
実施例 1で製造した高純度錫を準備した。本実施例の錫合金の添加元素は、市販 の銀及び亜鉛を電解により高純度化し 6N-Znとした。これらを前記高純度錫に添加し 、不活性雰囲気中、 260° C温度で溶解 '铸造し、 9%Zn -残部 Snからなる Sn-Zn合金ィ ンゴットを製造した。
この铸造後の錫インゴットをアルゴンガス雰囲気中で 6ヶ月保管した。その 6ヶ月経 過後のひ線量を調べた結果、 ひ線カウント数が 0.0008cphん m2となった。錫合金の分 析値を表 2に示す。
これは、放射性元素である U、 Thのそれぞれの含有量を 5ppb以下、放射線ひ粒子 を放出する Pb、 Biのそれぞれの含有量を lppm以下とし、さらにひ線カウント数が 0.00 lcphん m2以下とする本願発明の目標を充足するものであった。これにより、半導体装 置の製造に適合する高純度錫材料を得ることができた。
[0027] (比較例 2)
(0.5%Cu-3%Ag-残部 Snからなる錫合金）
実施例 1で製造した高純度錫を準備した。本実施例の錫合金の添加元素は、市販 の 3Nレベルの銀及び銅を用いた。これらを前記高純度錫に添加し、不活性雰囲気 中、 260° C温度で溶解'铸造し、 0.5%Cu-3%Ag-残部 Snからなる Sn-Cu-Ag合金イン ゴットを製造した。
この铸造後の錫インゴットをアルゴンガス雰囲気中で 6ヶ月保管した。その 6ヶ月経 過後の α線量を調べた結果、 α線カウント数が O. lcphAm2となった。錫合金の分析 値を表 2に示す。
これは、放射性元素である U、 Thのそれぞれの含有量を 5ppb以下、放射線ひ粒子 を放出する Pb、 Biのそれぞれの含有量を lppm以下とし、さらにひ線カウント数が 0.00 lcphん m2以下とする本願発明の目標に達することはできず。これにより、半導体装置 の製造に不適であった。
[0028] (比較例 3)
(3.5%Ag-残部 Snからなる錫合金）
実施例 1で製造した高純度錫を準備した。本実施例の錫合金の添加元素である銀 は、市販の 3Nレベルの Agを前記高純度錫に添加し、不活性雰囲気中、 260° C温度 で溶解.铸造し、 3.5%Ag-残部 Snからなる Sn-Ag合金インゴットを製造した。
この铸造後の錫インゴットをアルゴンガス雰囲気中で 6ヶ月保管した。その 6ヶ月経 過後のひ線量を調べた結果、 ひ線カウント数が 0.03cphん m2となった。錫合金の分析 値を表 2に示す。
これは、放射性元素である U、 Thのそれぞれの含有量を 5ppb以下、放射線ひ粒子 を放出する Pb、 Biのそれぞれの含有量を lppm以下とし、さらにひ線カウント数が 0.00 lcphん m2以下とする本願発明に達することはできず。これにより、半導体装置の製造 に不適であった。
[0029] (比較例 4)
(9%Zn-残部 Snからなる錫合金）
実施例 1で製造した高純度錫を準備した。本実施例の錫合金の添加元素は、市販 の 3Nレベルの銀及び亜鉛を用いた。これらを前記高純度錫に添加し、不活性雰囲 気中、 260° C温度で溶解 '铸造し、 9%Zn-残部 Snからなる Sn-Zn合金インゴットを製造 した。
この铸造後の錫インゴットをアルゴンガス雰囲気中で 6ヶ月保管した。その 6ヶ月経 過後の α線量を調べた結果、 α線カウント数が 0.5CphAm2となった。錫合金の分析 値を表 2に示す。
これは、放射性元素である U、 Thのそれぞれの含有量を 5ppb以下、放射線 α粒子 を放出する Pb、 Biのそれぞれの含有量を lppm以下とし、さらに α線カウント数が 0.00 lcphA^m2以下とする本願発明に達することはできず。これにより、半導体装置の製造 に不適であった。
[0030] [表 2] 兀素 実施例 5 実施例 6 実施例 7 比較例 2 比較例 3 比較例 4
Al <0.01 <0.01 く 0.01 <0.01 <0.01 く 0.01
S 7 6 6 22 10 8
Fe <0.01 く 0.01 <0.01 6.4 3.2 8.4
Co く 0.1 く 0.1 <0.1 1.5 1.2 4.0
Ni <0.1 く 0.1 <0.1 <0.1 <0.1 8.0
Cu 一 0.3 2.3 - 9.8 2.3
As 0.05 <0.05 0.05 1.4 0.5 7
Cd く 0.05 <0.05 く 0.05 0.2 0.1 0.8
In <1 <1 <1 1 <1 2
Sb く 0.5 <0.5 く 0.5 1.0 0.5 1.5
Te く 0.1 0.1 く 0.1 0.8 0.4 4.1
Pb 0.6 0.6 0.8 7.8 6.0 15.8
Bi 0.1 0.15 0.1 0.6 0.5 1.0
U <0.005 く 0.005 <0.005 0.005 <0.005 <0.005
Th く 0.005 く 0.005 く 0.005 <0.005 <0.005 0.007 a線鱼 0.0007 0.0005 0.0008 0.1 0.03 0.5 各元素量： wtppm (但し、 U、Th {こっ 、て ii wtppb) 、 ο;線 fi： cph/cra2 産業上の利用可能性
上記の通り、本発明は、純度が 5N以上（但し、 0、 C、 N、 H、 S、 Pのガス成分を除く） であり、その中でも放射性元素である U、 Thのそれぞれの含有量が 5ppb以下、放射 線 α粒子を放出する Pb、 Biのそれぞれの含有量力 Slppm以下、さらにはその錫の铸 造組織を持つ高純度錫の α線カウント数を O.OOlcphん m2以下とすることができるので 、半導体チップへの α線の影響を極力排除することができる。したがって、半導体装 置の α線の影響によるソフトエラーの発生を著しく減少できので、はんだ材等錫を使 用する箇所の材料として有用である。

Claims

請求の範囲
[1] U、 Thのそれぞれの含有量が 5ppb以下、 Pb、 Biのそれぞれの含有量が lppm以下で あり、純度が 5N以上（但し、〇、 C、 N、 H、 S、 Pのガス成分を除く）であることを特徴とす る高純度錫又は錫合金。
[2] 高純度錫のひ線カウント数が O.OOlcphん m2以下であることを特徴とする請求項 1記 載の高純度錫又は錫合金。
[3] 原料となる錫を酸で浸出させた後、この浸出液を電解液とし、該電解液に不純物の 吸着材を懸濁させ、原料 Snアノードを用いて電解精製を行い、 U、 Thのそれぞれの 含有量が 5ppb以下、 Pb、 Biのそれぞれの含有量が lppm以下であり、純度が 5N以上（ 但し、 0、 C、 N、 H、 S、 Pのガス成分を除く）である高純度錫を得ることを特徴とする高 純度錫の製造方法。
[4] 吸着材として、酸化物、活性炭、カーボンを用いることを特徴とする請求項 3記載の 高純度錫の製造方法。
[5] 電解精製によって得られた高純度錫を 250〜500° Cで溶解铸造し、この铸造したィ ンゴットの 6ヶ月以上経過した後の α線カウント数が O.OOlcp cm2以下であることを特 徴とする請求項 3又は 4記載の高純度錫の製造方法。
PCT/JP2006/311912 2005-07-01 2006-06-14 高純度錫又は錫合金及び高純度錫の製造方法 WO2007004394A1 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/916,906 US20090098012A1 (en) 2005-07-01 2006-06-14 High-Purity Tin or Tin Alloy and Process for Producing High-Purity Tin
JP2007523392A JP4472752B2 (ja) 2005-07-01 2006-06-14 高純度錫又は錫合金及び高純度錫の製造方法
EP06766681.8A EP1900853B1 (en) 2005-07-01 2006-06-14 Process for producing high-purity tin
SG2007184468A SG138124A1 (en) 2005-07-01 2006-06-14 High-purity tin or tin alloy and process for producing high-purity tin
CN2006800239270A CN101213326B (zh) 2005-07-01 2006-06-14 高纯度锡或锡合金及高纯度锡的制造方法
US14/340,933 US9340850B2 (en) 2005-07-01 2014-07-25 Process for producing high-purity tin

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005193323 2005-07-01
JP2005-193323 2005-07-01

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US11/916,906 A-371-Of-International US20090098012A1 (en) 2005-07-01 2006-06-14 High-Purity Tin or Tin Alloy and Process for Producing High-Purity Tin
US14/340,933 Division US9340850B2 (en) 2005-07-01 2014-07-25 Process for producing high-purity tin

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2007004394A1 true WO2007004394A1 (ja) 2007-01-11

Family

ID=37604269

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2006/311912 WO2007004394A1 (ja) 2005-07-01 2006-06-14 高純度錫又は錫合金及び高純度錫の製造方法

Country Status (8)

Country Link
US (2) US20090098012A1 (ja)
EP (1) EP1900853B1 (ja)
JP (3) JP4472752B2 (ja)
KR (1) KR100958652B1 (ja)
CN (2) CN101213326B (ja)
SG (1) SG138124A1 (ja)
TW (1) TW200712263A (ja)
WO (1) WO2007004394A1 (ja)

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011114824A1 (ja) 2010-03-16 2011-09-22 Jx日鉱日石金属株式会社 α線量が少ない錫又は錫合金及びその製造方法
JP2011214040A (ja) * 2010-03-31 2011-10-27 Jx Nippon Mining & Metals Corp α線量が少ない銀又は銀を含有する合金及びその製造方法
WO2012120982A1 (ja) 2011-03-07 2012-09-13 Jx日鉱日石金属株式会社 α線量が少ない銅又は銅合金及び銅又は銅合金を原料とするボンディングワイヤ
JP2013184169A (ja) * 2012-03-06 2013-09-19 Mitsubishi Materials Corp バンプ用はんだ合金粉末、バンプ用はんだペースト及びはんだバンプ
JP5408401B1 (ja) * 2013-06-19 2014-02-05 千住金属工業株式会社 Ｃｕ核ボール
WO2014207897A1 (ja) * 2013-06-28 2014-12-31 千住金属工業株式会社 はんだ材料及びはんだ継手
JP2015028215A (ja) * 2014-07-30 2015-02-12 Jx日鉱日石金属株式会社 α線量が少ない銀又は銀を含有する合金及びその製造方法
WO2015114798A1 (ja) * 2014-01-31 2015-08-06 千住金属工業株式会社 フラックスコートボール、はんだペースト、フォームはんだ及びはんだ継手
WO2015118612A1 (ja) * 2014-02-04 2015-08-13 千住金属工業株式会社 金属球の製造方法、接合材料及び金属球
US9278409B2 (en) 2014-02-04 2016-03-08 Senju Metal Industry Co., Ltd. Core ball, solder paste, formed-solder, flux-coated core ball and solder joint
JP2016033242A (ja) * 2014-07-31 2016-03-10 佐々木半田工業株式会社 錫の高電流密度電解精製法
JP5996803B2 (ja) * 2014-02-20 2016-09-21 Ｊｘ金属株式会社 低α線ビスマスの製造方法及び低α線ビスマス
JP2017057451A (ja) * 2015-09-15 2017-03-23 Ｊｘ金属株式会社 低α線高純度亜鉛及び低α線高純度亜鉛の製造方法
WO2017154740A1 (ja) * 2016-03-09 2017-09-14 Ｊｘ金属株式会社 高純度錫及びその製造方法
US10370771B2 (en) 2014-01-28 2019-08-06 Senju Metal Industry Co., Ltd. Method of manufacturing cu core ball
JP2020023428A (ja) * 2018-07-30 2020-02-13 三菱マテリアル株式会社 低α線放出量の酸化第一錫及びその製造方法
TWI706042B (zh) * 2019-05-27 2020-10-01 日商千住金屬工業股份有限公司 焊料合金、焊料粉末，及焊料接頭
CN112410578A (zh) * 2020-10-23 2021-02-26 刘罗平 一种含锡物料的氧压碱浸钙盐沉锡的综合回收法
WO2021221145A1 (ja) * 2020-04-30 2021-11-04 千住金属工業株式会社 鉛フリーかつアンチモンフリーのはんだ合金、はんだボール、Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙおよびはんだ継手
WO2021256172A1 (ja) * 2020-06-16 2021-12-23 アートビーム有限会社 ＳｎＺｎ半田およびその製造方法
JP2022060054A (ja) * 2020-10-02 2022-04-14 千住金属工業株式会社 ソルダペースト
JP2022060053A (ja) * 2020-10-02 2022-04-14 千住金属工業株式会社 フラックス及びソルダペースト
JP2022060052A (ja) * 2020-10-02 2022-04-14 千住金属工業株式会社 ソルダペースト

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2003272790A1 (en) * 2002-10-08 2004-05-04 Honeywell International Inc. Semiconductor packages, lead-containing solders and anodes and methods of removing alpha-emitters from materials
US8277774B2 (en) 2011-01-27 2012-10-02 Honeywell International Method for the preparation of high purity stannous oxide
JP6009218B2 (ja) * 2011-05-24 2016-10-19 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ アルファ粒子放射体除去
KR101274764B1 (ko) * 2011-06-07 2013-06-17 덕산하이메탈(주) 진공정련을 이용하여 저알파 방사선을 방출하는 주석 제조방법
JP2013185214A (ja) * 2012-03-08 2013-09-19 Jx Nippon Mining & Metals Corp α線量が少ないビスマス又はビスマス合金及びその製造方法
US20130341196A1 (en) * 2012-06-20 2013-12-26 Honeywell International Inc. Refining process for producing low alpha tin
WO2014069357A1 (ja) * 2012-11-02 2014-05-08 Jx日鉱日石金属株式会社 低α線ビスマスの製造方法並びに低α線ビスマス及びビスマス合金
EP3006158A4 (en) * 2013-05-29 2017-01-18 Nippon Steel & Sumikin Materials Co., Ltd. Solder ball and electronic member
JP5993097B2 (ja) 2013-12-02 2016-09-14 Ｊｘ金属株式会社 高純度塩化コバルトの製造方法
CN103667744B (zh) * 2013-12-13 2015-10-28 来宾华锡冶炼有限公司 一种含Sn99.99%等级锡的生产方法
WO2015114770A1 (ja) * 2014-01-30 2015-08-06 千住金属工業株式会社 ＯＳＰ処理Ｃｕボール、はんだ継手、フォームはんだ、およびはんだペースト
JP5590260B1 (ja) * 2014-02-04 2014-09-17 千住金属工業株式会社 Ａｇボール、Ａｇ核ボール、フラックスコートＡｇボール、フラックスコートＡｇ核ボール、はんだ継手、フォームはんだ、はんだペースト、Ａｇペースト及びＡｇ核ペースト
US8992759B1 (en) * 2014-02-20 2015-03-31 Honeywell International Inc. Metal refining process using mixed electrolyte
JP6448417B2 (ja) * 2014-10-02 2019-01-09 Ｊｘ金属株式会社 高純度錫の製造方法、高純度錫の電解採取装置及び高純度錫
US20160097139A1 (en) 2014-10-02 2016-04-07 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Method For Manufacturing High Purity Tin, Electrowinning Apparatus For High Purity Tin And High Purity Tin
US9708689B2 (en) * 2015-04-08 2017-07-18 Honeywell International Inc. Isotope displacement refining process for producing low alpha materials
WO2017069027A1 (ja) 2015-10-19 2017-04-27 Ｊｘ金属株式会社 高純度錫及びその製造方法
US9425164B1 (en) 2015-11-24 2016-08-23 International Business Machines Corporation Low alpha tin
US9359687B1 (en) 2015-11-24 2016-06-07 International Business Machines Corporation Separation of alpha emitting species from plating baths
US9546433B1 (en) 2015-11-24 2017-01-17 International Business Machines Corporation Separation of alpha emitting species from plating baths
US20170179058A1 (en) * 2015-12-16 2017-06-22 Lite-On Semiconductor Corporation Bump structure having first portion of copper and second portion of pure tin covering the first portion, and interconnect structure using the same
CN106903452A (zh) * 2017-05-02 2017-06-30 泰州朗瑞新能源科技有限公司 一种铸造锡铅焊接材料及其制备方法
WO2019035446A1 (ja) 2017-08-17 2019-02-21 三菱マテリアル株式会社 低α線放出量の金属及び錫合金並びにその製造方法
JP6512354B2 (ja) * 2017-08-17 2019-05-15 三菱マテリアル株式会社 低α線放出量の金属又は錫合金及びその製造方法
WO2020179614A1 (ja) * 2019-03-04 2020-09-10 Ｊｘ金属株式会社 耐酸化性金属錫
US11450516B2 (en) * 2019-08-14 2022-09-20 Honeywell International Inc. Large-grain tin sputtering target
CN111118305B (zh) * 2020-01-17 2020-09-18 东莞永安科技有限公司 一种低α剂量锡或低α剂量锡合金及其制备方法
CN115244654A (zh) 2020-03-12 2022-10-25 琳得科株式会社 保护膜形成用片
KR102587716B1 (ko) 2020-04-10 2023-10-12 센주긴조쿠고교 가부시키가이샤 땜납 합금, 땜납 분말, 솔더 페이스트, 땜납 볼, 솔더 프리폼 및 땜납 이음
JP6836091B1 (ja) * 2020-04-10 2021-02-24 千住金属工業株式会社 はんだ合金、はんだ粉末、ソルダペースト、はんだボール、ソルダプリフォーム及びはんだ継手
CN112192086A (zh) * 2020-10-13 2021-01-08 重庆群崴电子材料有限公司 低阿尔法bga锡球的制备方法以及bga锡球
CN115091072A (zh) * 2022-07-01 2022-09-23 天津市松本环保科技有限公司 一种自动焊接用焊锡丝合金配方及制作方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS621478B2 (ja) 1982-10-01 1987-01-13 Mitsubishi Metal Corp
JPS6247955B2 (ja) 1982-09-30 1987-10-12 Mitsubishi Metal Corp
JPH01283398A (ja) 1988-05-09 1989-11-14 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 錫およびその製造方法
JPH07280998A (ja) 1991-12-20 1995-10-27 Westinghouse Electric Corp <We> 遷移金属の汚染除去方法
JPH09260427A (ja) 1996-03-19 1997-10-03 Fujitsu Ltd 半導体装置、回路基板及び電子回路装置
JP2754030B2 (ja) 1989-03-02 1998-05-20 三井金属鉱業株式会社 高純度錫の製造方法
JP2913908B2 (ja) 1991-06-28 1999-06-28 三菱マテリアル株式会社 半田極細線およびその製造方法
JPH11343590A (ja) 1998-05-29 1999-12-14 Mitsubishi Materials Corp 高純度錫の製造方法
JP2001082538A (ja) 1999-09-13 2001-03-27 Kobe Steel Ltd 免震構造体用金属プラグ材料
JP3227851B2 (ja) 1992-12-15 2001-11-12 三菱マテリアル株式会社 低α線Ｐｂ合金はんだ材およびはんだ膜
JP3528532B2 (ja) 1997-09-02 2004-05-17 三菱マテリアル株式会社 低α線量錫の製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1964948A (en) * 1932-11-23 1934-07-03 American Brass Co Process of refining hard tin
US4800024A (en) * 1986-04-07 1989-01-24 Iso-Clear Systems Corporation Removal of heavy metals and heavy metal radioactive isotopes from liquids
JP2001009588A (ja) 1999-06-25 2001-01-16 Mitsubishi Materials Corp Ｐｂ−Ｓｎ系ハンダ材
JP4533498B2 (ja) 2000-03-24 2010-09-01 アルバックマテリアル株式会社 スパッタリングターゲットないし蒸着材料とその分析方法
JP2003193283A (ja) 2001-12-28 2003-07-09 Fujitsu Ltd 電解めっき液及びその調製方法、半導体装置の製造方法ならびに放射性不純物の分析方法
JP4421170B2 (ja) * 2002-04-11 2010-02-24 日鉱金属株式会社 Ｎｉ−Ｓｎ合金からなるバリヤー層を備えた回路基板
AU2003272790A1 (en) * 2002-10-08 2004-05-04 Honeywell International Inc. Semiconductor packages, lead-containing solders and anodes and methods of removing alpha-emitters from materials
JP2004204308A (ja) * 2002-12-25 2004-07-22 Nec Semiconductors Kyushu Ltd 鉛フリー錫合金めっき方法
JP4242662B2 (ja) 2003-02-17 2009-03-25 ハリマ化成株式会社 低α線錫合金の製造方法
JP5456881B2 (ja) * 2010-03-16 2014-04-02 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 α線量が少ない錫又は錫合金の製造方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6247955B2 (ja) 1982-09-30 1987-10-12 Mitsubishi Metal Corp
JPS621478B2 (ja) 1982-10-01 1987-01-13 Mitsubishi Metal Corp
JPH01283398A (ja) 1988-05-09 1989-11-14 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 錫およびその製造方法
JP2754030B2 (ja) 1989-03-02 1998-05-20 三井金属鉱業株式会社 高純度錫の製造方法
JP2913908B2 (ja) 1991-06-28 1999-06-28 三菱マテリアル株式会社 半田極細線およびその製造方法
JPH07280998A (ja) 1991-12-20 1995-10-27 Westinghouse Electric Corp <We> 遷移金属の汚染除去方法
JP3227851B2 (ja) 1992-12-15 2001-11-12 三菱マテリアル株式会社 低α線Ｐｂ合金はんだ材およびはんだ膜
JPH09260427A (ja) 1996-03-19 1997-10-03 Fujitsu Ltd 半導体装置、回路基板及び電子回路装置
JP3528532B2 (ja) 1997-09-02 2004-05-17 三菱マテリアル株式会社 低α線量錫の製造方法
JPH11343590A (ja) 1998-05-29 1999-12-14 Mitsubishi Materials Corp 高純度錫の製造方法
JP2001082538A (ja) 1999-09-13 2001-03-27 Kobe Steel Ltd 免震構造体用金属プラグ材料

Cited By (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394590B2 (en) 2010-03-16 2016-07-19 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Low α-dose tin or tin alloy, and method for producing same
WO2011114824A1 (ja) 2010-03-16 2011-09-22 Jx日鉱日石金属株式会社 α線量が少ない錫又は錫合金及びその製造方法
JP5456881B2 (ja) * 2010-03-16 2014-04-02 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 α線量が少ない錫又は錫合金の製造方法
JP2014088621A (ja) * 2010-03-16 2014-05-15 Jx Nippon Mining & Metals Corp α線量が少ない錫又は錫合金及びその製造方法
JP2011214040A (ja) * 2010-03-31 2011-10-27 Jx Nippon Mining & Metals Corp α線量が少ない銀又は銀を含有する合金及びその製造方法
WO2012120982A1 (ja) 2011-03-07 2012-09-13 Jx日鉱日石金属株式会社 α線量が少ない銅又は銅合金及び銅又は銅合金を原料とするボンディングワイヤ
PH12017501498A1 (en) * 2011-03-07 2019-01-14 Jx Nippon Mining & Metals Corp COPPER OR COPPER ALLOY REDUCED IN a-RAY EMISSION, AND BONDING WIRE OBTAINED FROM COPPER OR COPPER ALLOY AS RAW MATERIAL
JP2013184169A (ja) * 2012-03-06 2013-09-19 Mitsubishi Materials Corp バンプ用はんだ合金粉末、バンプ用はんだペースト及びはんだバンプ
US10147695B2 (en) 2013-06-19 2018-12-04 Senju Metal Industry Co., Ltd. Cu core ball
JP5408401B1 (ja) * 2013-06-19 2014-02-05 千住金属工業株式会社 Ｃｕ核ボール
WO2014203348A1 (ja) * 2013-06-19 2014-12-24 千住金属工業株式会社 Ｃｕ核ボール
WO2014207897A1 (ja) * 2013-06-28 2014-12-31 千住金属工業株式会社 はんだ材料及びはんだ継手
US10370771B2 (en) 2014-01-28 2019-08-06 Senju Metal Industry Co., Ltd. Method of manufacturing cu core ball
TWI636845B (zh) * 2014-01-31 2018-10-01 千住金屬工業股份有限公司 助焊劑塗佈球、焊料膏、成形焊料及焊料接頭
WO2015114798A1 (ja) * 2014-01-31 2015-08-06 千住金属工業株式会社 フラックスコートボール、はんだペースト、フォームはんだ及びはんだ継手
JP5773106B1 (ja) * 2014-01-31 2015-09-02 千住金属工業株式会社 フラックスコートボール、はんだペースト、フォームはんだ及びはんだ継手
US10150185B2 (en) 2014-02-04 2018-12-11 Senju Metal Industry Co., Ltd. Method for producing metal ball, joining material, and metal ball
US9278409B2 (en) 2014-02-04 2016-03-08 Senju Metal Industry Co., Ltd. Core ball, solder paste, formed-solder, flux-coated core ball and solder joint
WO2015118612A1 (ja) * 2014-02-04 2015-08-13 千住金属工業株式会社 金属球の製造方法、接合材料及び金属球
JP2017002398A (ja) * 2014-02-20 2017-01-05 Ｊｘ金属株式会社 低α線ビスマスの製造方法及び低α線ビスマス
JP5996803B2 (ja) * 2014-02-20 2016-09-21 Ｊｘ金属株式会社 低α線ビスマスの製造方法及び低α線ビスマス
JP2015028215A (ja) * 2014-07-30 2015-02-12 Jx日鉱日石金属株式会社 α線量が少ない銀又は銀を含有する合金及びその製造方法
JP2016033242A (ja) * 2014-07-31 2016-03-10 佐々木半田工業株式会社 錫の高電流密度電解精製法
JP2017057451A (ja) * 2015-09-15 2017-03-23 Ｊｘ金属株式会社 低α線高純度亜鉛及び低α線高純度亜鉛の製造方法
JPWO2017154740A1 (ja) * 2016-03-09 2018-03-15 Ｊｘ金属株式会社 高純度錫及びその製造方法
WO2017154740A1 (ja) * 2016-03-09 2017-09-14 Ｊｘ金属株式会社 高純度錫及びその製造方法
US11118276B2 (en) 2016-03-09 2021-09-14 Jx Nippon Mining & Metals Corporation High purity tin and method for producing same
JP2020023428A (ja) * 2018-07-30 2020-02-13 三菱マテリアル株式会社 低α線放出量の酸化第一錫及びその製造方法
JP7314658B2 (ja) 2018-07-30 2023-07-26 三菱マテリアル株式会社 低α線放出量の酸化第一錫の製造方法
TWI706042B (zh) * 2019-05-27 2020-10-01 日商千住金屬工業股份有限公司 焊料合金、焊料粉末，及焊料接頭
WO2021221145A1 (ja) * 2020-04-30 2021-11-04 千住金属工業株式会社 鉛フリーかつアンチモンフリーのはんだ合金、はんだボール、Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙおよびはんだ継手
CN115485098A (zh) * 2020-04-30 2022-12-16 千住金属工业株式会社 无铅且无锑的软钎料合金、焊料球、球栅阵列和钎焊接头
CN115485098B (zh) * 2020-04-30 2023-10-03 千住金属工业株式会社 无铅且无锑的软钎料合金、焊料球、球栅阵列和钎焊接头
WO2021256172A1 (ja) * 2020-06-16 2021-12-23 アートビーム有限会社 ＳｎＺｎ半田およびその製造方法
JP2022060054A (ja) * 2020-10-02 2022-04-14 千住金属工業株式会社 ソルダペースト
JP2022060053A (ja) * 2020-10-02 2022-04-14 千住金属工業株式会社 フラックス及びソルダペースト
JP2022060052A (ja) * 2020-10-02 2022-04-14 千住金属工業株式会社 ソルダペースト
TWI782723B (zh) * 2020-10-02 2022-11-01 日商千住金屬工業股份有限公司 焊膏
CN112410578A (zh) * 2020-10-23 2021-02-26 刘罗平 一种含锡物料的氧压碱浸钙盐沉锡的综合回收法

Also Published As

Publication number Publication date
US20140332404A1 (en) 2014-11-13
TW200712263A (en) 2007-04-01
US20090098012A1 (en) 2009-04-16
EP1900853A4 (en) 2011-07-06
JPWO2007004394A1 (ja) 2009-01-22
CN101213326B (zh) 2010-11-17
JP5296269B1 (ja) 2013-09-25
JP5295987B2 (ja) 2013-09-18
TWI320433B (ja) 2010-02-11
SG138124A1 (en) 2008-09-30
CN101880893A (zh) 2010-11-10
US9340850B2 (en) 2016-05-17
EP1900853B1 (en) 2018-05-09
JP2010156052A (ja) 2010-07-15
KR20080015942A (ko) 2008-02-20
JP4472752B2 (ja) 2010-06-02
EP1900853A1 (en) 2008-03-19
KR100958652B1 (ko) 2010-05-20
CN101213326A (zh) 2008-07-02
JP2013189710A (ja) 2013-09-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2007004394A1 (ja) 高純度錫又は錫合金及び高純度錫の製造方法
KR101623629B1 (ko) 구리 또는 구리 합금, 본딩 와이어, 구리의 제조 방법, 구리 합금의 제조 방법 및 본딩 와이어의 제조 방법
US9394590B2 (en) Low α-dose tin or tin alloy, and method for producing same
JP5822250B2 (ja) α線量が少ない銀又は銀を含有する合金及びその製造方法
JP2013185214A (ja) α線量が少ないビスマス又はビスマス合金及びその製造方法
JP3206432B2 (ja) 低α低酸素金属スカンジウムとその製造方法
JP6271642B2 (ja) 低α線ビスマスの製造方法及び低α線ビスマス
JP5847256B2 (ja) α線量が少ない銀又は銀を含有する合金及びその製造方法
JP5960341B2 (ja) 低α線ビスマスの製造方法
JPWO2015098191A1 (ja) 低α線ビスマス及び低α線ビスマスの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200680023927.0

Country of ref document: CN

DPE2 Request for preliminary examination filed before expiration of 19th month from priority date (pct application filed from 20040101)
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2007523392

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 11916906

Country of ref document: US

Ref document number: 12007502773

Country of ref document: PH

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2006766681

Country of ref document: EP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020087001110

Country of ref document: KR