WO2007055209A1 - 積層リードフレームの製造方法及び積層リードフレーム - Google Patents

積層リードフレームの製造方法及び積層リードフレーム Download PDF

Info

Publication number
WO2007055209A1
WO2007055209A1 PCT/JP2006/322196 JP2006322196W WO2007055209A1 WO 2007055209 A1 WO2007055209 A1 WO 2007055209A1 JP 2006322196 W JP2006322196 W JP 2006322196W WO 2007055209 A1 WO2007055209 A1 WO 2007055209A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
lead frame
laminated
manufacturing
single plate
laminated lead
Prior art date
Application number
PCT/JP2006/322196
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Kiyoshi Matsunaga
Chikaya Mimura
Takao Shioyama
Original Assignee
Mitsui High-Tec, Inc.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2005327631A external-priority patent/JP2007134584A/ja
Priority claimed from JP2005331937A external-priority patent/JP2007142050A/ja
Application filed by Mitsui High-Tec, Inc. filed Critical Mitsui High-Tec, Inc.
Priority to EP06823100A priority Critical patent/EP1947692A4/en
Publication of WO2007055209A1 publication Critical patent/WO2007055209A1/ja

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/50Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49537Plurality of lead frames mounted in one device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4821Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
    • H01L21/4842Mechanical treatment, e.g. punching, cutting, deforming, cold welding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49121Beam lead frame or beam lead device
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49126Assembling bases
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49204Contact or terminal manufacturing
    • Y10T29/49208Contact or terminal manufacturing by assembling plural parts
    • Y10T29/49222Contact or terminal manufacturing by assembling plural parts forming array of contacts or terminals

Definitions

  • the present invention relates to, for example, a laminated lead frame used in a semiconductor device such as an IC, and more particularly to a laminated lead frame formed by laminating a plurality of thin plates and a method of manufacturing the same.
  • the pitch of the leads has been narrowed for thinning, and the thickness of the lead frame tends to be thinner. If the thickness of the lead frame is reduced while being pressed, the lead frame is broken in the transportation step and the subsequent assembly step, causing defects and causing a decrease in productivity.
  • a laminated lead frame is formed by laminating two lead frames having different shapes in order to reduce the size and thickness of the IC package while maintaining the strength of the lead frame.
  • a package see, for example, Patent Document 1
  • a package see, for example, Patent Document 2 using a lead frame having an L-shaped cross section with the package thickness being a lead frame thickness.
  • These laminated lead frames join a plurality of lead frame single plates (refer to individual lead frame materials to be joined) to enable fine pitching of the leads and their three-dimensional shape lead frames. It is a technology. Diffusion bonding by mainly applying an appropriate load and heat from the thickness direction to the stacked lead frame single plates is mainly used for bonding the single lead frame plates.
  • the melting point is low compared to the material (Cu, Fe-Ni) of single lead frame, and the diffusivity is high.
  • Patent Document 2 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-7955
  • At least two lead frame single plates (which are referred to as one lead frame material before being polymerized or laminated) which has been processed into a predetermined shape in advance are overlapped.
  • the alignment of the upper and lower lead frame single plates is extremely difficult, and in general, the pilot holes are formed on both sides of the strip material for producing a normal lead frame single plate. .
  • the upper and lower lead frame single plates are joined by placing the lead frame single plate in a bonding mold and positioning by means of the formed pilot holes and pietrot pins. Alignment is performed, and pressure is applied while heating in a bonding die to complete a laminated lead frame in which upper and lower lead frame single plates are joined.
  • a method of manufacturing a laminated lead frame according to a third aspect of the present invention is the method of manufacturing a laminated lead frame according to the second aspect, wherein the convex portion is shifted by half etching, coining, and thickening. Formed by!
  • a fourth aspect of the present invention there is provided a method of manufacturing a laminated lead frame according to any of the second and third aspects of the present invention, the method of manufacturing a laminated lead frame, the surface of the convex portion and the partner joined to the convex portion.
  • a noble metal is attached to at least a contact portion of the convex portion of the lead frame single plate on the side.
  • precious metal plating means plating of Au, Ag, Pt, Pd and the like, and it is naturally possible to base plating on these precious metal platings.
  • a method of manufacturing a laminated lead frame according to an eighth aspect of the invention is the method of manufacturing a laminated lead frame according to the seventh aspect, wherein the lead frame single plate is pressed by the concave portion and the convex portion in the second step. It is characterized by being in a coupled state.
  • a method of manufacturing a laminated lead frame according to a ninth aspect of the present invention is the method of manufacturing a laminated lead frame according to any one of claims 7 and 8, wherein the plurality of concave portions are formed.
  • one set of the recess and the projection are used as a reference of the lead frame veneer to be polymerized, and the other set of the recess and the projection are the recess is the maximum elongation of the lead frame veneer. It is a long hole in the direction.
  • a method of manufacturing a laminated lead frame according to a tenth invention is the method of manufacturing a laminated lead frame according to any one of claims 7 to 9, wherein at least a surface of a joint surface of the lead frame single plate is A method of producing a laminated lead frame characterized in that:
  • an eleventh aspect of the present invention there is provided a method of manufacturing a laminated lead frame according to any one of the seventh to seventh aspects of the present invention, in the method of manufacturing a laminated lead frame according to any one of The pilot holes into which the alignment pilot pins are inserted are formed at the same position.
  • a laminated lead frame according to a thirteenth invention is a laminated lead frame manufactured by the method for manufacturing a laminated lead frame according to any one of claims 7 to 12.
  • a laminated lead frame according to a fourteenth aspect of the present invention is the laminated lead frame according to the thirteenth aspect, wherein the recess and the protrusion have a half-drawing force, and the laminated lead joined in the third step Front surface and back surface force of the frame The concave and convex portions are not exposed.
  • the joint area is reduced, which is required for joining.
  • Load load can be reduced.
  • the facility capacity can be reduced and the facility size can be reduced.
  • FIG. 2 is an explanatory view of the same method.
  • FIG. 9 A partially detailed explanatory view of the same method.
  • FIG. 10 is a partially detailed explanatory view of the same method.
  • FIG. 12 A partially detailed explanatory view of the same method.
  • FIG. 13 is a perspective view showing a method of manufacturing a laminated lead frame according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a perspective view of a laminated lead frame to which the method for manufacturing a laminated lead frame according to the first embodiment of the present invention is applied
  • FIG. 2 is an explanatory view of the method
  • FIGS. FIG. 6 (A) and FIG. 6 (B) are explanatory views of the same method.
  • the convex portion 12 is formed by half etching, in which only the portion located at the tip of the convex portion 12 is subjected to Ag plating (precious metal plating) 14 which is not corroded by the etchant.
  • the amount of this half etching ie, etching depth
  • the original lead 17 is pressed by the coining die 18 and plastic deformation is caused in the lead 17 itself to form the convex portion 19.
  • the raised portion 19 is to be made high, a large load needs to be applied to the lead 17, and the lead 17 spreads in the width direction and is not preferable.
  • the height of the convex portion 19 is about 1Z6 to 1Z2 (more preferably, 1Z6 to: LZ3).
  • the reason for this is that the surface of the lead 17 other than the convex portion 19 is smoothed by the coining die 18, so that the height position of the tip of the convex portion 19 can be maintained at a constant level.
  • the surface of the convex portion 19 is plated with a noble metal.
  • the convex portions 12, 15, 19 described above are circular in plan view and may be square, oval, rectangular or the like, but the width (for example, diameter) of the convex portions 12, 15, 19 may be leads 11, 16, 17 It is good to set it as 1-3Z10 of the width of. If the width of the convex portion is too narrow, the conduction resistance between the leads may increase and the circuit resistance of the semiconductor device may increase to cause trouble.
  • FIG. 6 (A) and 6 (B) show that the leads 20-22 of the upper lead frame alone and the leads 23-25 of the lower lead frame alone are press-bonded while heating to 180-300 ° C.
  • the protrusion 27 of the lower central lead 24 is lower than the protrusions 26 and 28 of the other leads 23 and 25 as shown in FIG. 6A, the leads 20 to 22 are pressed.
  • the pressure is small, the protrusion 27 of the lower center lead 24 and the upper center lead 21 can not be joined.
  • FIG. 6B when the pressing force of the upper leads 20 to 22 is further increased, the tips of the convex portions 26 and 28 are pressed and crushed, and the convex portions 27 and the leads 21 are obtained.
  • the pressing force of the upper leads 20 to 22 is the protrusion 26 to 28 formed on the lower leads 23 to 25 (that is, the lower lead frame single plate).
  • Variation taking into account the variation in height make sure that the protrusions 26 to 28 are crushed by the amount.
  • the present invention is not limited to the embodiments described above, and the present invention is also applied to a method of modification and improvement within the scope of the present invention without changing the gist of the present invention.
  • the present invention is not limited to the range or region described by the numbers.
  • FIGS. 8 to 13 are partial detailed explanatory views of the method
  • FIG. 7 is a perspective view showing a method of manufacturing a laminated lead frame according to a second embodiment of the present invention.
  • the method for manufacturing a laminated lead frame according to the second embodiment of the present invention prepares predetermined etched lead frame veneers 10 and 11.
  • the lead frame single plate 10 is on the lower side
  • the lead frame single plate 11 is on the upper side.
  • the recessed portions 12 and 13 by the fetching are formed on both sides of the upper lead frame veneer 11
  • the protrusions 14 and 15 are formed by etching.
  • the upper and lower lead frame single plates 10 and 11 have the same alignment position of the upper and lower lead frame patterns, and the concave portions 12 and 13 and the convex portions 14 and 15 each having a circular cross section are provided in the same position. It is done.
  • two sets of the recess 12 and the protrusion 14 and the recess 13 and the protrusion 15 have three unit lead frames.
  • the side rails 16 and 17 are not formed, but are formed on the both sides in the longitudinal direction between the side rails 16 and 17.
  • the force shown in FIG. 11 showing the details of the recess 12 and the protrusion 14 is formed by etching.
  • the diameter of the tip 19 of the projection 14 is reduced. Thereby, fitting of the convex part 14 and the recessed part 12 becomes easy.
  • the diameter of the main part of the convex part 14 and the recessed part 12 changes also with the magnitude
  • the diameter of the convex portion 14 excluding the tip portion is larger than the diameter of the concave portion 12 excluding the inlet portion (for example, 1Z50 to 1Z500 in diameter), and the convex portion 14 is completely fitted in the concave portion 12 It is designed not to be easily pulled out if it gets stuck.
  • the height of the convex portion 14 and the depth of the concave portion 12 are respectively 1Z3 to 2Z3 of the plate thickness, and the height of the convex portion 14 is smaller than the depth of the concave portion 12.
  • the force obtained by forming the concave portion 12 and the convex portion 14 (the same applies to the concave portion 13 and the convex portion 15) by the etching process is shown in FIG. It can also be done by half-blanking processing.
  • the convex portion 20 is formed on the back surface of the lead frame single plate 10, 11 and the concave portion 21 is formed on the surface, the convex portion is formed on the bottom of the lead frame single plate 10 disposed on the lower side. If it is not convenient to have 20, through holes may be formed in the lower lead frame veneer 10 instead of half blanking.
  • a convex portion 15 having a circular cross section (which may be a rectangular cross section) can be fitted into the concave portion 22.
  • the recess 22 is provided in the direction of maximum extension of the lead frame single plate 10.
  • the recesses may be long holes elongated in the longitudinal direction.
  • the present invention is not limited to the above embodiment and does not change the gist of the present invention.
  • the invention of the modifications in the scope is applied.
  • the outer shape of the image processing and the lead frame veneers 10 and 11 are made identical (congruent), and the lead frame is formed around the frame and the periphery. It may be positioned with a support member (integral or divided! / ⁇ ) provided so as to surround veneers 10 and 11! / ⁇ .

Abstract

 積層する各リードフレーム単板を比較的小さな荷重でしかも確実に接合できる積層リードフレームの製造方法及び積層リードフレームであって、それぞれ所定の形状加工がなされたリードフレーム単板10、12を複数枚積層かつ接合して形成する積層リードフレームの製造方法において、上下対となるリードフレーム単板10、11の対向する面のいずれか一方に複数の凸部12を形成し、凸部12を介して対向するリードフレーム単板11、12を接合する。

Description

積層リードフレームの製造方法及び積層リードフレーム 技術分野
[0001] 本発明は、例えば、 IC等の半導体装置に用いる積層リードフレームに係り、特に複 数枚の薄板を貼り合わせて構成された積層リードフレーム及びその製造方法に関す る。
背景技術 置は、薄型化のためにリード (インナーリード)の狭ピッチ化が進んでおり、リードフレ 一ムの板厚もますます薄くなる傾向にある。し力しながら、リードフレームの板厚が薄 くなると、搬送工程や後の組立工程において、リードフレームに腰折れが生じて不良 が発生し、生産性を低下させる要因となっている。
また、従来の QFNや SONは、外部接続端子のみはパッケージの封止榭脂部より 露出するが、それ以外の部位は封止榭脂で覆われるため、結局この分だけ樹脂の厚 みが増し、ノ ッケージの薄型化を阻害している。そこで、リードフレームの強度を保ち つつ、 ICパッケージの小型化、薄型化を図るものとして形状の異なる 2枚のリードフレ ームを貼り合わせることにより、一つの積層リードフレームを形成する積層型のリード フレーム (例えば、特許文献 1参照)の他、リードフレーム厚みをパッケージ厚みとす る断面 L字状のリードフレームを使用したパッケージ (例えば、特許文献 2参照)が知 られている。
[0003] これらの積層リードフレームは、複数枚のリードフレーム単板 (接合される個々のリ ードフレーム素材をいう)を接合し、リードのファインピッチ化及びその 3次元形状リー ドフレームを可能にする技術である。このリードフレーム単板の接合には、重ね合わ せたリードフレーム単板に厚み方向から適正な荷重及び熱を加えることによる拡散接 合法が主に用いられている。
この拡散接合は、材料 (リードフレーム単板)を重ねた状態で荷重を加えることにより 材料同士の向き合う界面が近づき、この状態で加熱すると、材料内の原子エネルギ 一が活性ィヒし界面上下の材料間で原子移動 (拡散)が始まり、更に原子拡散が進む と界面の存在が分からな ヽ位に互!、の原子が入り組み、結果材料同士が接合するこ とになる。
この拡散接合方法は、一般に温度がより高いほど (融点に近づくほど)荷重負荷の 際の界面接近 (変形)が起こり易ぐ拡散が進行しやすくなり接合性が向上する。
[0004] しかしながら、同接合法を積層リードフレームの製造に採用する場合には、できる限 り低い温度 (IC組立実装に用いる温度:例えば、 260°C以下)で行いたいため、リード フレーム単板の塑性変形 (板厚減少)が 1%以内で収まるレベルの高荷重を負荷す ることで (即ち、接合荷重を高めると界面に存在するうねりや凹凸を機械的に潰し、上 下のリードフレーム単板の原子間距離を縮めることが可能)、拡散接合を実現してい る。
そして、リードフレーム単板の材質 (Cu、 Fe-Ni)に対し融点が低く拡散性の高い
Ag、 Auをインサート材としてリードフレーム単板表面に 3〜5 μ m程度めつきすること で更なる接合温度、荷重の低減を図ることが行われて 、る。
[0005] また、積層リードフレームとしては、下側リードフレームと上側リードフレームを積層 して構成される積層リードフレームが提案され (例えば、特許文献 3参照)、これによつ てアウターリードの本数が増カロして半導体装置においても、樹脂封止体の横幅の寸 法の増加をできるだけ回避するようにして 、る。
また、積層リードフレームを用いた半導体装置が提案されている。(例えば、特許文 献 4参照)
[0006] 特許文献 1 :実公平 7— 13227号公報
特許文献 2:特開 2003 - 7955号公報
特許文献 3:特開 2001— 035987号公報
特許文献 4:特開 2001— 274310号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0007] 前記特許文献 1に記載のものでは、できる限り低 、温度、及び低 、荷重でのリード フレーム単板の接合を成功させるには、早い段階で両材料が接することが可能となる よう両リードフレーム単板の接合面の面粗度、平面度を高めておく必要がある。 例えば、上側のリードフレーム単板の端子リード 60と、下側のリードフレーム単板の インナーリード 61を接合する必要がある場合、現状では図 13に示すようにリード 60、 61の全体を接触させ接合させているが、これだとリード 60、 61上の接合範囲が広い ためリード 60、 61の表面の平面度を保持することが難しい。図 13において 62は接合 部を示す。
[0008] 特にインサート材として用いる Ag、 Auめっき厚さのばらつきが約 1〜2 /ζ πιあり、リ 一ドの端部にはこれらのめっきが厚く付く特性があるため、リードフレーム単板を重ね 合わせると、図 14に示すように、リード 60、 61の中央部に隙間 63が出来てしまうので 、このまま接合を行うと未接合部が残留し全面での完全接合を保障することが困難で ある。また、この隙間を潰して界面を接させ接合を成功させるには更に高荷重を要し てしまい、結果塑性変形 (板厚減少)による形状不良となる他、高荷重を発生させる ための大型のプレス装置が必要となる。
[0009] また、前記特許文献 3に記載のものでは、予め所定形状に加工した少なくとも 2枚 のリードフレーム単板 (重合又は積層される前の一枚のリードフレーム材をいう)を重 ねて一つの積層リードフレームを形成する場合、上下のリードフレーム単板の位置合 わせが極めて大変であり、一般的には、通常のリードフレーム単板を製造する条材の 両側にパイロット孔を形成する。
そして、上下のリードフレーム単板の接合は、このリードフレーム単板を接合用金型 に入れて、形成されたノ ィロット孔及びパイツロトピンによって位置決めを行うことによ つて、上下のリードフレーム単板の位置合わせを行って、接合用金型内で加熱状態 で加圧して上下のリードフレーム単板が接合した積層リードフレームが完成する。
[0010] このように接合用金型には、各リードフレーム単板を位置合わせするためのパイロッ トビンが必要となり、リードフレーム単板の種類について複数の接合用金型を用意す る必要がある。そして、リードフレーム単板の製造過程において、リードフレーム単板 の微細なズレ等によって、接合後のパイロット孔が狭められ、ピンとのカジリ(齧り)が 発生し、積層リードフレームの取り出しが困難となり、積層リードフレームの変形及び 傷付き不良の原因となる。 また、客先からの仕様で、積層リードフレームのサイドレール上に、例えば吸着パッ ドを使って搬送できない等の理由から、制約があってサイドレールの必要な位置にパ ィロット孔を形成できな 、場合がある。
更には、リードフレーム単板及び完成した積層リードフレームをパイロット孔を用い て位置合わせすると、パイロットピンの位置、隣り合うリードフレーム(又は単位リードフ レーム)のノ ィロットピンのピッチ、リードフレーム単板の外形等に精度を要し、治具等 の要求品質や精度が高まり、コストアップに繋がる。
[0011] 本発明は力かる事情に鑑みてなされたもので、積層する各リードフレーム単板を比 較的小さな荷重でし力も確実に接合できる積層リードフレームの製造方法及び積層 リードフレームを提供することを目的とする。
[0012] また、少なくとも 2枚のリードフレーム単板の重合が容易に行えて製造原価が下がり 、場合によっては、完成した積層リードフレームのサイドレール上にパイロット孔を形 成しないで積層リードフレームを製造可能な積層リードフレームの製造方法及びその 積層リードフレームを提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
[0013] 前記目的に沿う第 1の発明に係る積層リードフレームの製造方法は、それぞれ所定 の形状加工がなされたリードフレーム単板を複数枚積層して形成する積層リードフレ ームの製造方法において、上下対となる前記リードフレーム単板の対向する面の少 なくとも一方に複数の凸部を形成し、該凸部を介して前記対向するリードフレーム単 板を積層する。
[0014] 第 2の発明に係る積層リードフレームの製造方法は、それぞれ所定の形状加工が なされたリードフレーム単板を複数枚積層かつ接合して形成する積層リードフレーム の製造方法において、上下対となる前記リードフレーム単板の対向する面のいずれ か一方に複数の凸部を形成し、該凸部を介して前記対向するリードフレーム単板を 接合する。
[0015] 第 3の発明に係る積層リードフレームの製造方法は、第 2の発明に係る積層リードフ レームの製造方法において、前記凸部はハーフエッチング、コイニング、及び厚めつ き処理の 、ずれか 1によって形成されて!ヽる。 [0016] 第 4の発明に係る積層リードフレームの製造方法は、第 2及び第 3の発明に係る積 層リードフレームの製造方法において、前記凸部の表面及び該凸部と接合される相 手側の前記リードフレーム単板の少なくとも前記凸部の当接部分には、貴金属めつき がなされている。
ここで、貴金属めつきとは、 Au、 Ag、 Pt、 Pd等のめっきをいい、これらの貴金属め つきに対して下地めつきを行うことは当然可能である。
[0017] 第 5の発明に係る積層リードフレームの製造方法は、第 4の発明に係る積層リードフ レームの製造方法において、前記リードフレーム単板の接合は、前記リードフレーム 単板を 180〜300°Cに加熱した状態で、前記凸部の先端部を押し潰し可能な圧力を 加えて行う。これによつて、凸部の拡散接合が実質的に完全に行えると共に、各凸部 に高さの差があっても先端部を比較的小さな荷重で押し潰して均等な接合が行える また、第 6の発明に係る積層リードフレームは、第 2から第 5の方法を用いて製造さ れているので、より強固で各リードフレーム単板を確実に接合した積層リードフレーム となる。
[0018] 第 7の発明に係る積層リードフレームの製造方法は、少なくとも 2枚のリードフレーム 単板の同一位置に、ハーフエッチング又は半抜き加工によって形成された対となる 凹部及び凸部をそれぞれ複数組形成する第 1工程と、前記凹部に前記凸部を嵌入 して前記リードフレーム単板を重合する第 2工程と、重合された前記リードフレーム単 板を加熱押圧して接合する第 3工程とを有する。
[0019] 第 8の発明に係る積層リードフレームの製造方法は、請求項 7記載の積層リードフ レームの製造方法において、前記リードフレーム単板は、前記第 2工程で前記凹部 及び凸部によって力しめ結合状態にあることを特徴とする。
[0020] 第 9の発明に係る積層リードフレームの製造方法は、請求項 7及び 8のいずれか 1 項に記載の積層リードフレームの製造方法にぉ 、て、前記複数組形成された前記凹 部と凸部のうち、 1組の前記凹部と凸部は重合する前記リードフレーム単板の基準用 であって、他の組の前記凹部と凸部は該凹部が前記リードフレーム単板の最大伸び 方向に長穴となっている。 [0021] 第 10の発明に係る積層リードフレームの製造方法は、請求項 7〜9のいずれ力 1項 に記載の積層リードフレームの製造方法において、前記リードフレーム単板の少なく とも接合面の表面には貴金属めつきがなされていることを特徴とする積層リードフレー ムの製造方法。
[0022] 第 11の発明に係る積層リードフレームの製造方法は、請求項 7〜: LOのいずれか 1 項に記載の積層リードフレームの製造方法において、前記リードフレーム単板のそれ ぞれには、位置合わせ用のパイロットピンが嵌入するノ ィロット孔が同一位置に形成 されている。
[0023] 第 12の発明に係る積層リードフレームの製造方法は、請求項 11記載の積層リード フレームの製造方法において、基準となる前記リードフレーム単板のパイロット孔より その上部に重ねる前記リードフレーム単板に形成されるパイロット孔の方がその直径 が大きいことを特徴とする。
[0024] 第 13の発明に係る積層リードフレームは、請求項 7〜12のいずれか 1項に記載の 積層リードフレームの製造方法によって製造された積層リードフレームである。
[0025] 第 14の発明に係る積層リードフレームは、請求項 13記載の積層リードフレームに おいて、前記凹部及び凸部は半抜き力 めであって、前記第 3工程で接合された積 層リードフレームの表面及び裏面力 前記凹部及び凸部が露出しないことを特徴と する。
発明の効果
[0026] 本発明に係る積層リードフレームの製造方法及び積層リードフレームは、凸部を用 いて上下重ね合うリードフレーム単板を接合しているので、接合面積が減少すること により接合に必要とされる負荷荷重を減少できる。これによつて、設備能力を低減し て、設備サイズの小型化を図ることができる。
また、接合範囲を限定することで接合面の接触が容易となり、また平面度が得られ やす 、為、結果接合不具合 (未接合部位)の低減を図ることができる。
そして、リードフレーム単板の板厚やめつき厚のバラツキによる凸部高さの不均一が ある場合、荷重を上げて凸部を若干潰し込むことで、凸部高さのバラツキを吸収し、 未接合部位の発生を抑えることが可能となる。 [0027] また、本発明に係る積層リードフレームの製造方法及び積層リードフレームにおい ては、積層されるリードフレーム単板が加熱押圧される前に、凹部及び凸部によって 連結されているので、その後の処理が容易となる。例えば、重合されたリードフレーム 単板を加熱押圧によって固着する場合も、加熱板は平板で済むので、精密な位置合 わせ又は精密な接合用金型を用いる必要がなくなる。更には、上下のリードフレーム 単板をロール圧延方式のような治具を用いて押圧加熱することもできる。
特に、ハーフエッチングによって凹部及び凸部を形成した場合には、積層リードフ レームの表裏面に凹凸が無くなり、その後の吸着パッド等による搬送処理が容易とな る。
図面の簡単な説明
[0028] [図 1]本発明の第 1の実施の形態に係る積層リードフレームの製造方法を適用した積 層リードフレームの斜視図である。
[図 2]同方法の説明図である。
[図 3]凸部の製造方法を示す説明図である。
圆 4]凸部の製造方法を示す説明図である。
[図 5]凸部の製造方法を示す説明図である。
[図 6] (A)、 (B)は同方法の説明図である。
[図 7]本発明の第 2の実施の形態に係る積層リードフレームの製造方法を説明する斜 視図である。
[図 8]同方法の一部詳細説明図である。
[図 9]同方法の一部詳細説明図である。
[図 10]同方法の一部詳細説明図である。
[図 11]同方法の一部詳細説明図である。
[図 12]同方法の一部詳細説明図である。
[図 13]本発明の第 3の実施の形態に係る積層リードフレームの製造方法を示す斜視 図である。
[図 14]従来例に係る積層リードフレームの製造方法の説明図である。
[図 15]従来例に係る積層リードフレームの製造方法の問題点を示す説明図である。 [0029] 10、 11 :リード、 12 :凸部、 13、 14 : Agめっき(貴金属めつき)、 15 :凸 部、 16 :リード、 16a:Agめっき、 17 :リード、 18 :コン -ング金型、 19 :
凸部、 20〜22:リード、 23〜25:リード、 26〜28:凸部
発明を実施するための最良の形態
[0030] 続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体ィ匕した第 1の実施の形態につき 説明し、本発明の理解に供する。
ここで、図 1は本発明の第 1の実施の形態に係る積層リードフレームの製造方法を 適用した積層リードフレームの斜視図、図 2は同方法の説明図、図 3〜図 5は凸部の 製造方法を示す説明図、図 6 (A)、(B)は同方法の説明図である。
[0031] 図 1、図 2に、本発明の第 1の実施の形態に係る積層リードフレームの製造方法を 示すが、上側のリードフレーム単板の一部となるリード 10と、下側のリードフレーム単 板の一部であるリード 11を接合している。そして、下側のリード 11の表面には凸部 12 が形成されている。
また、上側のリード 10の底面(平面状となっている)及び下側のリード 11の凸部 12 の表面には貴金属めつきの一例である Agめっき 13、 14がそれぞれなされている。な お、上側及び下側のリード 10、 11の全面に Agめっきを施すこともできる。
[0032] この凸部 12の形成方法について図 3〜図 5を参照しながら説明する。図 3に示す方 法では、凸部 12の先端部に位置する部分のみに、エッチング液によって浸食されな い Agめっき(貴金属めつき) 14を行ってエッチング液を当てるハーフエッチング処理 によって、凸部 12を形成している。このハーフエッチングの量 (即ち、エッチング深さ) は、元のリード 11の厚みの 1Z4〜4Z5程度が好ましい。この理由はハーフェツチン グの深さを更に減らすと凸部 12の高さが低くなり、ハーフエッチングの深さを更に深く すると通電するリード断面積が減ったり、あるいはエッチングのバラツキによってリード が切断したり、欠けたりする部分が発生するからである。ハーフエッチングで凸部 12 を形成した場合には、凸部 12の表面だけでなくリード 11の表面に貴金属めつきをし てもよい。
[0033] 次に、図 4に示す方法では、凸部 15を多層めつき (厚めつき処理)によって構成して いる。 この場合、最後の層のみ貴金属めつきを行えばよいが、全部の層について貴金属 めっきを行ってもよい。この凸部 15の高さは、リード 16 (リードフレーム単板の一部)の 厚みの 1Z5〜2Z3程度でよい。凸部 15の高さが低いとリード 16の変形に対応でき ず、凸部 15の高さが高い場合は多数回のめっき処理を必要としコスト高になる。尚、
6aは Agめっきを示す。
[0034] 図 5に示す方法では、元のリード 17をコイニング金型 18で押圧し、リード 17自体に 塑性変形を起こさせて、凸部 19を形成している。この場合、凸部 19を高くしょうとする と、大きな荷重をリード 17に与える必要があり、リード 17が幅方向に広がって変形す るので好ましくない。
従って、凸部 19の高さは 1Z6〜1Z2 (更に、好ましくは 1Z6〜: LZ3)程度で十分 である。この理由は凸部 19以外のリード 17の表面はコイニング金型 18によって平滑 にされるので、凸部 19の先端部の高さ位置を一定レベルに保つことができる。このコ イニング処理によって凸部 19を形成した場合には、凸部 19の表面に貴金属めつきを 行う。
[0035] 以上で説明した凸部 12、 15、 19は平面視して円形であり、角形、楕円、矩形等で あってもよいが、その幅(例えば、直径)はリード 11、 16、 17の幅の 1〜3Z10とする のがよい。この凸部の幅が狭すぎると、リード間の導通抵抗が増加し、半導体装置の 回路抵抗が増カロし支障が発生する場合がある。
[0036] 図 6 (A)、 (B)は、上側のリードフレーム単体のリード 20〜22と下側のリードフレー ム単体のリード 23〜25を、 180〜300°Cに加熱しながら押圧接合する状態を示して いる力 図 6 (A)に示すように、下側中央のリード 24の凸部 27が他のリード 23、 25の 凸部 26、 28より低い場合、リード 20〜22の押圧力が小さい場合には、下側中央のリ ード 24の凸部 27と上側中央のリード 21との接合ができない。この場合、図 6 (B)に示 すように、更に、上側のリード 20〜22の押圧力を増すと、凸部 26、 28の先端部が押 し潰されて、凸部 27とリード 21との接合が可能となる。従って、上側のリード 20〜22 ( 即ち、上側のリードフレーム単板)の押圧力は、下側のリード 23〜25 (即ち、下側のリ ードフレーム単板)に形成される凸部 26〜28の高さのバラツキを考慮して、バラツキ 分だけ凸部 26〜28が潰れるようにする。この場合、必ず凸部 26〜28の先端部から 徐々に潰れるように、凸部 26〜28の上側の幅を小さく形成する(例えば、円錐台状) のがより好ま ヽ (コイニング処理の場合は可能)。
[0037] 本発明は前記した実施の形態に限定されるものではなぐ本発明の要旨を変更し ない範囲での変更、改良した方法にも本発明は適用される。特に、本実施の形態に おいては理解に容易にするため、具体的な数字を用いて説明したが、本発明はこの 数字によって記載された範囲、領域には限定されない。
また、本実施の形態においては下部のリード(リードフレーム単板)に凸部を設けた が、
上部のリード(リードフレーム単板)に凸部を設けることも可能である。
[0038] 次に、本発明を具体化した第 2の実施の形態につき説明する。
ここで、図 7は本発明の第 2の実施の形態に係る積層リードフレームの製造方法を 説明す
る斜視図、図 8〜図 13は同方法の一部詳細説明図、図 7は本発明の第 2の実施の形 態に係る積層リードフレームの製造方法を示す斜視図である。
[0039] 図 7〜図 13に示すように、本発明の第 2の実施の形態に係る積層リードフレームの 製造方法は、所定のエッチング加工されたリードフレーム単板 10、 11を用意する。 この場合、リードフレーム単板 10が下側となって、リードフレーム単板 11が上側とな る。そして、下側のリードフレーム単板 10の両側端部には図 8、図 9に示すように、ハ 一フェッチングによる凹部 12、 13が、上側のリードフレーム単板 11の両側端部には ハーフエッチングによる凸部 14、 15が形成されている。この上下のリードフレーム単 板 10、 11は上下のリードフレームパターンの合わせ位置が一致すると共に、それぞ れ断面円形の凹部 12、 13及び凸部 14、 15がそれぞれ対となって同一位置に設け られている。
そして、図 7に示すリードフレーム単板 10、 11においては、 2組の凹部 12及び凸部 14と凹部 13及び凸部 15とが 3つの単位リードフレームを備えるリードフレーム単板 1 0、 11のサイドレール 16、 17ではなくて、長手方向両側でサイドレール 16、 17の中 間位置に形成されている。 [0040] この凹部 12及び凸部 14 (凹部 13及び凸部 15にお 、ても同じ)の詳細を図 11に示 す力 これらはエッチングによって形成したので、凹部 12の入口側 18が拡径し、凸 部 14の先端 19が縮径している。これによつて、凸部 14と凹部 12の嵌合が容易となる なお、凸部 14及び凹部 12の主要部の直径は製品である積層リードフレームの大き さによっても異なるが、通常は 0. 2〜2mm程度である。また、先端部分を除く凸部 1 4の直径は、入口部分を除く凹部 12の直径より僅少の範囲(例えば、直径の 1Z50 〜1Z500)で大きくなつて、凸部 14を凹部 12に完全に嵌め込んだ場合、容易に抜 けないようになっている。
そして、凸部 14の高さ及び凹部 12の深さは、それぞれ板厚の例えば 1Z3〜2Z3 で、凹部 12の深さより凸部 14の高さが小さくなつている。
[0041] なお、前記実施の形態においては、凹部 12及び凸部 14 (凹部 13及び凸部 15に おいても同じ)をエッチングカ卩ェによって形成した力 図 10に示すように、プレスによ る半抜き加工によって行うこともできる。この場合、リードフレーム単板 10、 11の裏面 には凸部 20が形成され、表面には凹部 21が形成されることになるので、下側に配置 するリードフレーム単板 10の底部に凸部 20があると困る場合には、下側のリードフレ 一ム単板 10には半抜きの代わりに貫通孔を形成してもよい。更に、プレスカ卩ェによつ て凹部 121び凸部 20を形成する場合、凹部 21の入口側を拡径し、凸部 20の先端 側を縮径することもできる。なお、凹部 21の深さは板厚の 1Z3〜2Z3程度である。
[0042] 前記実施の形態においては、図 7に示すように、リードフレーム単板 10、 11の両側 に、それぞれ断面円形の凹部 12、 13及び凸部 14、 15を設けたが、一方の(即ち、 基準用の)凹部 12及び凸部 14の断面形状はそれぞれ円形とし、他方の凸部 15に 嵌入する凹部 22を図 12に示すように有底の長穴とすることもできる。
これによつて、上下のリードフレーム単板 10、 11の板厚、材質の相違、加工度合い の相違等で、凹部 12、 22間及び凸部 14、 15間に距離の差が生じても、断面円形( 断面矩形であってもよい)の凸部 15を凹部 22に嵌入させることができる。なお、この 凹部 22はリードフレーム単板 10の最大伸び方向に設けられている。
なお、リードフレーム単板 10、 11のリード形状の誤差を吸収するために、リードフレ 一ム単板 10、 11の長手方向中央に位置決め用の凹部及び凸部を設け、その両側 に配置される凹部及び凸部のうち凹部を長手方向に長い長穴とすることもできる。
[0043] このリードフレーム単板 10、 11は凹部 12、 13にそれぞれ凸部 14、 15を嵌め込ん で密着させて (例えば、カゝしめ結合状態にして)高温状態で加圧して拡散接合を行う ので、銅、銅合金、鉄合金素材を別々にエッチング又はプレスカ卩ェ処理したリードフ レーム単板 10、 11は、表面に Au、 Ag等の貴金属めつきが予めなされている。そして 、リードフレーム単板 10、 11を重ね合わせて接合し積層リードフレームとした後は、 半導体素子の搭載、ワイヤーボンディング、モールド、マーキング、シンギユレーショ ン等の各処理を経て半導体装置となる。
[0044] 続いて、図 13に示す本発明の第 3の実施の形態に係る積層リードフレームの製造 方法について、第 1の実施の形態に係る積層リードフレームの製造方法との相違点 について説明する。
この積層リードフレームの製造方法においては、リードフレーム単板 24、 25のサイ ドレーノレ 26、 27の内側で、各単位リードフレーム 28の間にパイロット孔 29、 30が設 けられている。これによつて、リードフレーム単板 24、 25の製造において素材状態か らの位置決め(例えば、エッチングカ卩ェ時のマスキングに対する露光位置、プレスカロ ェ時の位置決め)が容易にできる。
[0045] 上下のリードフレーム単板 24、 25をパイロットピンを用いて位置決めする場合には パイロット孔 29、 30に対して十分直径の小さいピンを使用する。これによつて、パイ ロットピンとパイロット孔の間にガタが生じ、凹部 12、 13及び凸部 14、 15の嵌合 が円滑に行われる。なお、基準となるリードフレーム単板のノ ィロット孔の直径よりそ の
上部に重ねるリードフレーム単板のパイロット孔の直径を大きくするのが好ましい。 また、パイロット孔 29、 30は必要最小限とし、吸着パッド等の搬送手段で積層リード フレームを搬送する場合には、サイドレール 26、 27に設けないで、各単位リードフレ ーム 28の間の領域に設けるのがよい。
[0046] 本発明は前記実施の形態に限定されるものではなぐ本発明の要旨を変更しない 範囲での変形例の本発明は適用される。特に、リードフレーム単板 10、 11をパイロッ ト孔を用いて位置合わせをしない場合、画像処理、リードフレーム単板 10、 11の外 形形状を同一 (合同)にして、枠や周囲にリードフレーム単板 10、 11を囲むようにし て設けた支持部材 (一体でも分割でもよ!/ヽ)で位置決めしてもよ!/ヽ。
更には、前記実施の形態は積層するリードフレーム単板は 2枚であつたが、 3枚又 はそれ以上とすることもできる。例えば、上下隣り合うリードフレーム単板について本 発明が適用されれば、リードフレーム単板が 3枚以上であっても本発明が適用される ことは当然である。
産業上の利用可能性
本発明に係る積層リードフレームの製造方法及び積層リードフレームは、凸部を用 いて上下重ね合うリードフレーム単板を接合しているので、接合面積が減少すること により接合に必要とされる負荷荷重を減少できる。これによつて、設備能力を低減し て、設備サイズの小型化を図ることができるので産業上の利用可能性は極めて大き い。

Claims

請求の範囲
[1] それぞれ所定の形状加工がなされたリードフレーム単板を複数枚積層して形成す る積層リードフレームの製造方法において、
上下対となる前記リードフレーム単板の対向する面の少なくとも一方に複数の凸部 を形成し、該凸部を介して前記対向するリードフレーム単板を積層することを特徴と する積層リードフレームの製造方法。
[2] それぞれ所定の形状加工がなされたリードフレーム単板を複数枚積層かつ接合し て形成する積層リードフレームの製造方法において、
上下対となる前記リードフレーム単板の対向する面のいずれか一方に複数の凸部を 形成し
、該凸部を介して前記対向するリードフレーム単板を接合することを特徴とする積層リ ドフレームの製造方法。
[3] 請求項 2記載の積層リードフレームの製造方法において、前記凸部はハーフエッチ ング、コイニング、及び厚めつき処理のいずれか 1によって形成されていることを特徴 とする積層リードフレームの製造方法。
[4] 請求項 2及び 3のいずれか 1項に記載の積層リードフレームの製造方法において、 前記凸部の表面及び該凸部と接合される相手側の前記リードフレーム単板の少なく とも前記凸部の当接部分には、貴金属めつきがなされていることを特徴とする積層リ ードフレームの製造方法。
[5] 請求項 4記載の積層リードフレームの製造方法において、前記リードフレーム単板 の接合は、前記リードフレーム単板を 180〜300°Cに加熱した状態で、前記凸部の 先端部を押し潰し可能な圧力を加えて行うことを特徴とする積層リードフレームの製 造法。
[6] 請求項 2〜5のいずれか 1項に記載の積層リードフレームの製造方法において製造 されたことを特徴とする積層リードフレーム。
[7] 少なくとも 2枚のリードフレーム単板の同一位置に、ハーフエッチング又は半抜き加 ェによって形成された対となる凹部及び凸部をそれぞれ複数組形成する第 1工程と 前記凹部に前記凸部を嵌入して前記リードフレーム単板を重合する第 2工程と、 重合された前記リードフレーム単板を加熱押圧して接合する第 3工程とを有すること を特徴とする積層リードフレームの製造方法。
[8] 請求項 7記載の積層リードフレームの製造方法において、前記リードフレーム単板 は、前記第 2工程で前記凹部及び凸部によって力しめ結合状態にあることを特徴と する積層リードフレームの製造方法。
[9] 請求項 7及び 8のいずれか 1項に記載の積層リードフレームの製造方法において、 前記複数組形成された前記凹部と凸部のうち、 1組の前記凹部と凸部は重合する前 記リードフレーム単板の基準用であって、他の組の前記凹部と凸部は該凹部が前記 リードフレーム単板の最大伸び方向に長穴となっていることを特徴とする積層リードフ レームの製造方法。
[10] 請求項 7〜9のいずれか 1項に記載の積層リードフレームの製造方法において、前 記リードフレーム単板の少なくとも接合面の表面には貴金属めつきがなされているこ とを特徴とする積層リードフレームの製造方法。
[11] 請求項 7〜10のいずれか 1項に記載の積層リードフレームの製造方法において、 前記リードフレーム単板のそれぞれには、位置合わせ用のパイロットピンが嵌入する ノ ィロット孔が同一位置に形成されていることを特徴とする積層リードフレームの製造 方法。
[12] 請求項 11記載の積層リードフレームの製造方法において、基準となる前記リードフ レーム単板のノ ィロット孔よりその上部に重ねる前記リードフレーム単板に形成される ノ ィロット孔の方がその直径が大きいことを特徴とする積層リードフレームの製造法。
[13] 請求項 7〜12のいずれか 1項に記載の積層リードフレームの製造方法によって製 造された積層リードフレーム。
14. 請求項 13記載の積層リードフレームにおいて、前記凹部及び凸部は半抜きか しめであって、前記第 3工程で接合された積層リードフレームの表面及び裏面力ゝら前 記凹部及び凸部が露出しないことを特徴とする積層リードフレーム。
PCT/JP2006/322196 2005-11-11 2006-11-07 積層リードフレームの製造方法及び積層リードフレーム WO2007055209A1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP06823100A EP1947692A4 (en) 2005-11-11 2006-11-07 PROCESS FOR MANUFACTURING LAMINATED BROKEN CHASSIS AND LAMINATED BINDING CHASSIS

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005327631A JP2007134584A (ja) 2005-11-11 2005-11-11 積層リードフレームの製造方法及びこの方法によって製造された積層リードフレーム
JP2005-327631 2005-11-11
JP2005331937A JP2007142050A (ja) 2005-11-16 2005-11-16 積層リードフレームの製造方法及び積層リードフレーム
JP2005-331937 2005-11-16

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2007055209A1 true WO2007055209A1 (ja) 2007-05-18

Family

ID=38023212

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2006/322196 WO2007055209A1 (ja) 2005-11-11 2006-11-07 積層リードフレームの製造方法及び積層リードフレーム

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7665205B2 (ja)
EP (1) EP1947692A4 (ja)
KR (1) KR20080065966A (ja)
WO (1) WO2007055209A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2953066B1 (fr) * 2009-11-25 2011-12-30 St Microelectronics Tours Sas Montage en boitier pour composants electroniques assembles par clip

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05152480A (ja) * 1991-11-29 1993-06-18 Mitsui High Tec Inc リードフレームの製造方法
JP2002280511A (ja) * 2001-03-15 2002-09-27 Mitsui High Tec Inc 放熱板付きリードフレームの製造方法
JP2004031650A (ja) * 2002-06-26 2004-01-29 Sony Corp リードレスパッケージおよび半導体装置
JP2004056138A (ja) * 2002-07-19 2004-02-19 Samsung Electronics Co Ltd パッケージ組立体においてリードフレームを接合する方法、チップ積層パッケージの製造方法及びチップ積層パッケージ

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2678418B2 (ja) * 1992-10-21 1997-11-17 株式会社三井ハイテック Pga基板に接続するリードピン及び該リードピンの製造方法
JPH06188354A (ja) * 1992-12-21 1994-07-08 Mitsui High Tec Inc 半導体装置
JP3431214B2 (ja) 1993-06-24 2003-07-28 オリンパス光学工業株式会社 ワイヤレスフラッシュ装置
US5339518A (en) * 1993-07-06 1994-08-23 Motorola, Inc. Method for making a quad leadframe for a semiconductor device
JP2001035987A (ja) 1999-07-21 2001-02-09 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
TW548757B (en) * 1999-07-22 2003-08-21 Seiko Epson Corp Semiconductor device, its manufacturing method, circuit substrate and electronic machine
US6320251B1 (en) * 2000-01-18 2001-11-20 Amkor Technology, Inc. Stackable package for an integrated circuit
JP2001274310A (ja) 2000-03-24 2001-10-05 Mitsui High Tec Inc 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US6667544B1 (en) * 2000-06-30 2003-12-23 Amkor Technology, Inc. Stackable package having clips for fastening package and tool for opening clips
JP2003007955A (ja) 2001-06-27 2003-01-10 Sony Corp 半導体パッケージおよびその製造方法
JP2006049694A (ja) * 2004-08-06 2006-02-16 Freescale Semiconductor Inc 二重ゲージ・リードフレーム

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05152480A (ja) * 1991-11-29 1993-06-18 Mitsui High Tec Inc リードフレームの製造方法
JP2002280511A (ja) * 2001-03-15 2002-09-27 Mitsui High Tec Inc 放熱板付きリードフレームの製造方法
JP2004031650A (ja) * 2002-06-26 2004-01-29 Sony Corp リードレスパッケージおよび半導体装置
JP2004056138A (ja) * 2002-07-19 2004-02-19 Samsung Electronics Co Ltd パッケージ組立体においてリードフレームを接合する方法、チップ積層パッケージの製造方法及びチップ積層パッケージ

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1947692A4 *

Also Published As

Publication number Publication date
US20070119050A1 (en) 2007-05-31
US7665205B2 (en) 2010-02-23
EP1947692A1 (en) 2008-07-23
KR20080065966A (ko) 2008-07-15
EP1947692A4 (en) 2010-08-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101802993A (zh) 半导体装置及引线接合方法
CN104025287A (zh) 半导体装置
JP2016111028A (ja) 半導体装置およびその製造方法
TW201826593A (zh) 電池之製造方法及電池之製造裝置
WO2007055209A1 (ja) 積層リードフレームの製造方法及び積層リードフレーム
JP2007134584A (ja) 積層リードフレームの製造方法及びこの方法によって製造された積層リードフレーム
KR20130072104A (ko) 전극 기체
JPH08115945A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2000114319A (ja) 半導体装置の製造法
JP4462086B2 (ja) 接着剤付き金属板製造用のプレス用金型およびこれを用いた接着剤付き金属板の製造方法
JPH10303355A (ja) 半導体装置
JP4050200B2 (ja) 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP4436931B2 (ja) 配線基板の製造方法
JP2000183468A (ja) 樹脂成形配線板及びその製造方法
JP3804838B2 (ja) 積層体の製造方法
WO2017187939A1 (ja) 樹脂多層基板の製造方法
TWI759083B (zh) 金屬電路圖案及金屬電路圖案之製造方法
JP2001185671A (ja) 半導体装置の製造方法及び該半導体装置の製造に用いられるリードフレームの製造方法
JP5195715B2 (ja) 半導体装置の部品実装方法、及び半導体装置の実装部品
JP2007142050A (ja) 積層リードフレームの製造方法及び積層リードフレーム
JP2012222316A (ja) 熱圧着用ヒーターチップ、及び、熱圧着方法
JP2007251000A (ja) 半導体装置およびその製造方法並びに製造装置
JP2018041867A (ja) 放熱基板、及び放熱基板の製造方法
JPH03252148A (ja) Tabインナーリードのバンプ構造およびその形成方法
JP2003007773A (ja) ボンディングツールおよびボンディング方法

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200680031007.3

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2006823100

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020087004184

Country of ref document: KR

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE