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Patentes

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Número de publicaciónWO2008033186 A1
Tipo de publicaciónSolicitud
Número de solicitudPCT/US2007/017053
Fecha de publicación20 Mar 2008
Fecha de presentación30 Jul 2007
Fecha de prioridad31 Jul 2006
También publicado comoCN101496150A, CN101496150B, DE112007001813T5, US7588980, US20080026549
Número de publicaciónPCT/2007/17053, PCT/US/2007/017053, PCT/US/2007/17053, PCT/US/7/017053, PCT/US/7/17053, PCT/US2007/017053, PCT/US2007/17053, PCT/US2007017053, PCT/US200717053, PCT/US7/017053, PCT/US7/17053, PCT/US7017053, PCT/US717053, WO 2008/033186 A1, WO 2008033186 A1, WO 2008033186A1, WO-A1-2008033186, WO2008/033186A1, WO2008033186 A1, WO2008033186A1
InventoresYihwan Kim, Andrew M. Lam
SolicitanteApplied Materials, Inc.
Exportar citaBiBTeX, EndNote, RefMan
Enlaces externos:  Patentscope, Espacenet
Methods of controlling morphology during epitaxial layer formation
WO 2008033186 A1
Descripción  disponible en inglés
Reclamaciones  disponible en inglés
Citas de patentes
Patente citada Fecha de presentación Fecha de publicación Solicitante Título
US20050191866 *27 Feb 20041 Sep 2005Powell Don C.Semiconductor devices and methods for depositing a dielectric film
US20050277272 *10 Jun 200415 Dic 2005Applied Materials, Inc.Low temperature epitaxial growth of silicon-containing films using UV radiation
US20060166414 *17 Mar 200627 Jul 2006Carlson David KSelective deposition
Citada por
Patente citante Fecha de presentación Fecha de publicación Solicitante Título
US768294014 Sep 200523 Mar 2010Applied Materials, Inc.Use of Cl2 and/or HCl during silicon epitaxial film formation
US796025612 May 201014 Jun 2011Applied Materials, Inc.Use of CL2 and/or HCL during silicon epitaxial film formation
US802962031 Jul 20074 Oct 2011Applied Materials, Inc.Methods of forming carbon-containing silicon epitaxial layers
US858645631 May 201119 Nov 2013Applied Materials, Inc.Use of CL2 and/or HCL during silicon epitaxial film formation
Clasificaciones
Clasificación internacionalH01L21/36
Clasificación cooperativaH01L21/02532, C30B29/06, H01L21/02639, H01L21/0262, H01L21/02661, H01L21/02381, C30B25/02
Clasificación europeaH01L21/205B, H01L21/20C, C30B29/06, C30B25/02
Eventos legales
FechaCódigoEventoDescripción
21 May 2008121Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
Ref document number: 07797058
Country of ref document: EP
Kind code of ref document: A1
30 Ene 2009WWEWipo information: entry into national phase
Ref document number: 2009522826
Country of ref document: JP
30 Ene 2009ENPEntry into the national phase in:
Ref document number: 2009522826
Country of ref document: JP
Kind code of ref document: A
5 Feb 2009WWEWipo information: entry into national phase
Ref document number: 1120070018135
Country of ref document: DE
28 Feb 2009NENPNon-entry into the national phase in:
Ref country code: RU
9 Jul 2009RETDe translation (de og part 6b)
Ref document number: 112007001813
Country of ref document: DE
Date of ref document: 20090709
Kind code of ref document: P
4 Nov 2009122Ep: pct app. not ent. europ. phase
Ref document number: 07797058
Country of ref document: EP
Kind code of ref document: A1