A dielectric layer containing a hafnium tantalum oxide film and a method of fabricating such a dielectric layer produce a dielectric layer for use in a variety of electronic devices. Embodiments include structures for capacitors, transistors, memory devices, and electronic systems with dielectric layers...http://www.google.es/patents/US20070181931?utm_source=gb-gplus-sharePatente US20070181931 - HAFNIUM TANTALUM OXIDE DIELECTRICS
Número de solicitud: 11/735,247 Número de publicación: US 2007/0181931 A1 Fecha de presentación: 13 Abr 2007 Patente emitida: US7602030 ( Fecha de emisión 13 Oct 2009)
