The benefits of strained semiconductors are combined with silicon-on-insulator approaches to substrate and device fabrication. ...http://www.google.es/patents/US20050280103?utm_source=gb-gplus-sharePatente US20050280103 - Strained-semiconductor-on-insulator finFET device structures
Número de solicitud: 11/211,933 Número de publicación: US 2005/0280103 A1 Fecha de presentación: 25 Ago 2005 Patente emitida: US7109516 ( Fecha de emisión 19 Sep 2006)
