CMOS gate dielectric made of high-k metal silicates by reaction of metal with silicon dioxide at the silicon surface. Optionally, a silicon dioxide monolayer may be preserved at the interface. ...http://www.google.es/patents/US20040016973?utm_source=gb-gplus-sharePatente US20040016973 - Gate dielectric and method
Número de solicitud: 10/205,814 Número de publicación: US 2004/0016973 A1 Fecha de presentación: 26 Jul 2002 Patente emitida: US7449385 ( Fecha de emisión 11 Nov 2008)
