Circuit (10) has a dual layer gate dielectric (29) formed over a semiconductor substrate (14). The gate dielectric includes an amorphous layer (40) and a monocrystalline layer (42). The monocrystalline layer typically has a higher dielectric constant than the amorphous layer. ...http://www.google.es/patents/US20050023622?utm_source=gb-gplus-sharePatente US20050023622 - Semiconductor device and method
Número de solicitud: 10/845,523 Número de publicación: US 2005/0023622 A1 Fecha de presentación: 14 May 2004 Patente emitida: US7005717 ( Fecha de emisión 28 Feb 2006)
